JP3982138B2 - フォトダイオードアレイ素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は光電検出器、特に、分光光度計において、検出機構として用いられているフォトダイオードアレイ素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
分光光度計は、サンプル(試料)を通過するように向けられた光のスペクトル強度を分析することによって、サンプルの化学的組成を決定する機器である。光は、分光光度計によって、スペクトル成分に分割され、そして、光度測定をおこなうことにより、サンプルがビームのどのスペクトル成分を吸収されたかを決定する。
【0003】
光ビームは、種々の装置(例えば、プリズム、回折格子、ホログラムなど)を用いて、各スペクトル成分に分割することができる。分割された光は、周波数の順に並べられ、離間したスペクトル帯に分離する傾向がある。これらスペクトル帯の相対強度を解析することによって、サンプルの化学的性質を推定することができる。
【0004】
図6はこのような分光光度計に用いられるフォトダイオードアレイ素子の部分拡大斜視図、図7は図6のX−X断面図である。これらの図において、1はn+−InPからなり、厚さ500μm程度の基板である。この基板1の一方の面(図の下方)にはカソード電極2が形成されている。
【0005】
基板1の他方の面(図の上方)にはn−InGaAsからなり、厚さ2.5μm程度の受光層3が形成されている。そして、この受光層3の上面に不純物4を拡散すべき厚さ1μm程度のn−InP拡散層5が形成されており、この例では不純物としてP型拡散を行ったものを示している。
【0006】
以下、不純物4が拡散された領域をアノード4aという。6は不純物拡散により形成された空乏層、7は拡散層5上に形成された反射防止膜、9は切換えスイッチとして機能するマルチプレクサである。なお、不純物4の拡散幅(d)は例えば30〜40μm、隣接する不純物4との間隔(e)は10μm程度である。
【0007】
このようなフォトダイオードアレイ素子(以下、単にPDAという)に分光された光を照射すると各フォトダイオード(以下、単にPDという)は所定の幅の波長域に応じた光電変換を行う。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなPDAを高密度に形成しようとすると、空乏層6の横方向への広がりによる影響で隣合うPDの間に入った光は電界の中立点を境にどちらのPDに引き込まれるかが確定されず電流出力に揺らぎが生じるという問題があった。
【0009】
また、このようなPDAではアノード電極8はアノード4aの一端に接した状態で接続される。そして、光がアノード4aに当たるとそれにより発生した電荷はP型拡散層を通りアノード電極8へと流れる。ここで、図8に示すように短冊状のアノード4aの受光面の領域を長辺の一方の側から電極側へA,B,Cとした場合、P層と電極が最も近いC領域で光電変換された電流による電圧降下が低くなる。
【0010】
即ち、アノード4a(P層)の抵抗は例えば数100Ω/□程度であり、この抵抗による損失は光学特性(リニアリティ誤差)の劣化を招く。従って、光の当たる位置の制限やバイアス電圧に制限が必要となる。等の問題があった。
【0011】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、電流出力に揺らぎが生じたり、光の当たる位置やバイアス電圧に制限のないPDAを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
このような問題点を解決するために、請求項1においては、
短冊状の複数のフォトダイオードが一つの基板上に並列に形成されたフォトダイオードアレイ素子において、導電部材からなる光遮蔽部材で隣り合うダイオードの電界中立点を覆うとともに前記導電部材からなる光遮蔽部材を前記複数のフォトダイオードのそれぞれの長辺に沿って接触させて形成したことを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明を詳細に説明する。
図1(a,b)は本発明の実施形態の一例を示す拡大斜視図、図2は図1のX−X断面図である。これらの図において、図6,7と同一要素には同一符号を付している。図1,2において、10は光遮蔽部材であり、隣合うPDに沿ってこれらPDの間に、例えば厚さ1μm、幅5μm程度に形成されている。
【0015】
この光遮蔽部材10は単に帯状に形成してもよく、図1(b)に示すようにアノード電極8aを接続する側の対辺側を接続した状態で形成しても良く、要は隣合うPD同士の出力に揺らぎなどが生じないようにものであればよい。図1(b)の構成によれば全てのPDのアノード4a側の電位を適切な電位にすることが可能である。なお、光遮蔽部材10は反射防止膜7の上に通常の半導体技術を用いて形成することが可能である。
【0016】
図3は他の実施形態の一例を示す拡大斜視図である。図において、10は光遮蔽部材、20は帯状の導電部材であり、この導電部材20は短冊状に形成されたアノード4aに沿って接触した状態で形成され一端はDで示す点でアノード電極8に接続されている。
【0017】
ここで図4(a,b)を用いて入力パワー(光エネルギー)に対するダイナミックレンジ(リニアリティ誤差)について説明する。図4(a)はPDに光を照射したときの等価回路図で、Rは各領域における抵抗の総和である。図4(b)はPDのI−V特性である。
【0018】
図4(b)において、光が当たっていないときバイアス点は▲1▼にある。次に光が当たるとI−V特性は負荷線Rに沿って▲2▼へ移動する。更に大きな光が入射すると▲3▼に移動しPDの特性変化点を超える。そのため出力の直線性が保てなってリニアリティ誤差の原因となる。直線性を保つためには初期バイアス(−V)を高くすれば良いが暗電流の増加を招くので限界がある。
【0019】
そのためには抵抗Rを小さくすれば良い。通常P層の比抵抗は数100Ω/□あり、例えば30×300μmのP層の場合、その抵抗は最端部では数KΩとなる。従ってバイアス電圧−1Vの場合そのリニアリティ誤差の許容光電流は(例えばP層の抵抗を5KΩとすると)200μAとなる。
【0020】
これに対し、導電部材をアノード4aに沿って接触させて形成すると例えば金属の抵抗は1Ω/□以下になるので許容電流を制限する抵抗としてはコンタクト抵抗が主なものとなる。そのため、光の当たる場所による影響は無視することができ、リニアリティ許容電流はコンタクト抵抗による電圧ロスできまり、コンタクトの改善により数10mAの電流を得ることも可能となる。
【0021】
このように光遮蔽部材10とアノード4aに沿って導電部材20を設けることにより、電流出力の揺らぎを防止するとともに、光の当たる位置やバイアス電圧に制限のないPDAを実現することができる。
【0022】
図5は他の実施形態の一例を示す拡大斜視図である。この例では光遮蔽部材10を導電体で形成し、その一部をアノード4aに沿って接触させている。このような構成においても図3に示すPDAと同様の効果を得ることができ、さらに図3に示す導電体20を形成する工程を省略することができる。
【0023】
本発明の以上の説明は、説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。したがって本発明はその本質から逸脱せずに多くの変更、変形をなし得ることは当業者に明らかである。特許請求の範囲の欄の記載により定義される本発明の範囲は、その範囲内の変更、変形を包含するものとする。
【0024】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、短冊状に形成された複数のフォトダイオードが並列に形成されたフォトダイオードアレイ素子において、隣合うそれぞれのフォトダイオードの長辺の全域に沿って導電部材からなる光遮蔽部材を設けたので、電流出力の揺らぎを防止するとともに、光の当たる位置やバイアス電圧に制限のないPDAを実現することができる。
【0025】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のフォトダイオードアレイ素子の実施形態の一例を示す斜視図である。
【図2】図1に示すフォトダイオードアレイ素子のX−X断面図である。
【図3】本発明のフォトダイオードアレイ素子の他の実施形態の一例を示す斜視図である。
【図4】入力パワーに対するダイナミックレンジ(リニアリティ誤差)の説明図である。
【図5】本発明のフォトダイオードアレイ素子の他の実施形態の一例を示す斜視図である。
【図6】従来のフォトダイオードアレイ素子の一例を示す斜視図である。
【図7】図6に示す従来のフォトダイオードアレイ素子のX−X断面図である。
【図8】PDの照射部位によって異なる電流抵抗の説明図である。
【符号の説明】
1 基板
2 カソード
3 受光層
4 不純物
5 拡散層
6 空乏層
7 反射防止膜
8 アノード電極
10 光遮蔽部材
20 導電部材
Claims (1)
- 短冊状の複数のフォトダイオードが一つの基板上に並列に形成されたフォトダイオードアレイ素子において、導電部材からなる光遮蔽部材で隣り合うダイオードの電界中立点を覆うとともに前記導電部材からなる光遮蔽部材を前記複数のフォトダイオードのそれぞれの長辺に沿って接触させて形成したことを特徴とするフォトダイオードアレイ素子。
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JP2000034928A JP3982138B2 (ja) | 2000-02-14 | 2000-02-14 | フォトダイオードアレイ素子 |
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