JP3979135B2

JP3979135B2 - Chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same

Info

Publication number: JP3979135B2
Application number: JP2002078723A
Authority: JP
Inventors: 高之林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-03-20
Filing date: 2002-03-20
Publication date: 2007-09-19
Anticipated expiration: 2022-03-20
Also published as: JP2003272847A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス供給源から導入した不活性ガスをチャンバルームに対し連続させて補給および排気することで、チャンバルーム内に不活性ガスの新鮮な雰囲気を構成すると共に、不活性ガスの補給を停止した状態でチャンバルーム内に外気を導入可能なチャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ＥＬ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行う半導体製造装置等に用いられるチャンバ装置（チャンバルーム）では、メンテナンスやワークの出し入れ等における作業者の安全を考慮し（酸欠の防止等）、チャンバルーム内の不活性ガスの雰囲気を大気と置換するようにしている。通常、チャンバルーム内における不活性ガスと大気との置換は、チャンバルーム内の不活性ガスを真空吸引することにより行われ、置換完了後、作業者が入室し、作業を開始する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような従来のチャンバ装置では、吸引機の故障等、何らかの原因により不活性ガスがチャンバルーム内に残留してしまった場合、入室した作業者が酸欠を起こしてしまう危険性があった。
【０００４】
本発明は、チャンバルーム内に入室する作業者の酸欠を確実に防止することができるチャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ＥＬ装置を提供することを課題としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のチャンバ装置は、ガス供給源から導入した不活性ガスをチャンバルームに対し連続させて補給および排気することで、チャンバルーム内に不活性ガスの新鮮な雰囲気を構成すると共に、不活性ガスの補給を停止した状態でチャンバルーム内に外気を導入可能なチャンバ装置であって、インクジェット方式の描画装置を収容すると共に、クリーンルームの形態を有するものにおいて、チャンバルーム内に不活性ガスを補給すると共にガスダンパーを介設したガス供給流路と、チャンバルーム内の雰囲気を排気すると共に排気ダンパーを介設した排気流路と、チャンバルーム内の酸素濃度を計測する酸素濃度計測手段と、チャンバルームの開口部に装着された着脱パネル体と、着脱パネル体を閉塞ロックする電磁ロック機構と、電磁ロック機構のロック・アンロックを制御するロック制御手段と、を備え、ロック制御手段は、外気導入時において、酸素濃度計測手段の計測結果が所定値を超えたとき、電磁ロック機構をアンロック制御することを特徴とする。
【０００６】
このチャンバ装置は、チャンバルーム内の酸素濃度が所定値を超えたとき、電磁ロック機構をアンロック制御するように制御されている。すなわち、外気を導入させてチャンバルーム内の不活性ガスを排気することで大気置換（外気導入）を行うが、この大気置換時において、チャンバルーム内の雰囲気が所定の酸素濃度を超えたとき、着脱パネル体の取り外しが可能となる。したがって、チャンバルーム内が不活性ガスで満たされている場合は元より、大気置換時に排気不良等で不活性ガスが残留している場合に、着脱パネル体がロック制御されているため、誤って着脱パネル体が開放されてしまうのを防止することができ、ひいては作業者の酸欠を確実に防止することができる。
なお、所定酸素濃度とは、通常、人間が呼吸できる程度の酸素濃度（２０％程度）をいうものである。
【０００７】
この場合、ガスダンパーを制御するダンパー制御手段と、着脱パネル体の装着および未装着を検出するパネルセンサと、を更に備え、ダンパー制御手段は、パネルセンサにより着脱パネル体の未装着が検出された場合に、ガスダンパーを閉塞制御することが好ましい。
【０００８】
この構成によれば、パネルセンサにより着脱パネル体の未装着が検出された場合に、ガスダンパーを閉塞制御するため、着脱パネル体が開放された状態で不活性ガスが導入されることがない。したがって、大気中への不活性ガスの漏出を防ぐことができる。
【０００９】
この場合、外気導入時において酸素濃度計測手段の計測結果が所定値以下であるとき、および不活性ガス供給時に、パネルセンサにより着脱パネル体の未装着が検出された場合、エラー報知を行うエラー報知手段を、更に備えることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、外気導入時において酸素濃度が所定値以下であるとき、および不活性ガス供給時に、着脱パネル体の未装着が検出された場合、エラー報知を行うため、チャンバルーム内に不活性ガスが充満している状態で、作業者が誤ってチャンバルーム内に入室することがない。すなわち、電磁ロック機構とパネルセンサの二重インターロックにより、より確実に作業者の酸欠を防止することができる。
【００１１】
これらの場合、パネルセンサが近接センサであることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、単純な装置構成で、且つ確実に、着脱パネル体の装着および未装着を検出することができる。
【００１３】
これらの場合、着脱パネル体は、空隙を存して対峙する外パネルおよび内パネルで構成されていることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、着脱パネル体を、外パネルおよび内パネルの二重構造とすることにより、不活性ガスのリークを極力防止することができる。
【００１５】
この場合、一方の端部が内外両パネルの空隙に連通すると共に、他方の端部が排気ダンパーの上流側の排気流路に連通するパネル体排気流路と、パネル体排気流路に介設したパネル体排気ダンパーとを、更に備えることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、内パネルから不活性ガスがリークして外パネルとの間の空隙に溜まることがあっても、このリークした不活性ガスは、大気置換時にパネル体排気流路を介して排気流路に流れるため、内外両パネルの空隙においても不活性ガスの残留を防止することができる。
【００１７】
本発明の他のチャンバ装置は、ガス供給源から導入した不活性ガスをチャンバルームに対し連続させて補給および排気することで、チャンバルーム内に不活性ガスの新鮮な雰囲気を構成するチャンバ装置であって、チャンバルーム内に不活性ガスを補給すると共にガスダンパーを介設したガス供給流路と、チャンバルーム内の雰囲気を排気すると共に排気ダンパーを介設した排気流路と、ガス供給流路および排気流路にそれぞれ配設された風速計測手段と、２つの風速計測手段の計測結果の差が所定値を超えたときに、エラー報知を行うエラー報知手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、ガス供給流路および排気流路にそれぞれ配設された２つの風速計測手段によって計測された風力差が所定値を超えたときに、エラー報知を行うことで、不活性ガスのリーク等を確認することができる。
【００１９】
この場合、ガスダンパーおよび排気ダンパーを制御するダンパー制御手段と、チャンバルーム内の圧力を検出する圧力検出手段と、を更に備え、ダンパー制御手段は、排気ダンパーを制御し、圧力検出手段の検出結果が所定値となるように排気流量を制御することが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、圧力検出手段の検出結果が所定値となるように、排気ダンパーによって排気流量を制御する、すなわち、常にチャンバルーム内が大気圧に対して幾分正圧になるように制御するため、チャンバルーム内への外気の侵入を確実に防止することができる。
【００２１】
この場合、チャンバルーム内の酸素濃度を計測する酸素濃度計測手段を更に備え、ダンパー制御手段は、ガスダンパーを制御し、酸素濃度計測手段の検出結果が所定値となるように補給流量を制御することが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、酸素濃度計測手段の検出結果が所定値となるように、ガスダンパーによって補給流量を制御するため、チャンバルーム内の雰囲気を安定した酸素濃度に保つことができる。
【００２３】
本発明の他のチャンバ装置は、チャンバルームとガス精製装置との間で不活性ガスを循環させることで、チャンバルーム内に不活性ガスの新鮮な雰囲気を構成するチャンバ装置であって、ガス精製装置とチャンバルームとを連通するガス往路およびガス返路と、ガス往路およびガス返路にそれぞれ介設したガス往路バルブおよびガス返路バルブと、ガス往路バルブの上流側とガス返路バルブの下流側とを連通すると共に開閉バルブを介設したバイパス流路と、を備えたことを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、チャンバルームとガス精製装置との間で不活性ガスを循環させるため、連続させて補給および排気を行う場合と比較して、少量の不活性ガスでチャンバルーム内に新鮮な雰囲気を構成することができる。また、ガス往路バルブの上流側とガス返路バルブの下流側とを連通すると共に開閉バルブを介設したバイパス流路を備えているため、チャンバルームへの不活性ガスの供給を停止する場合、ガス往路バルブおよびガス返路バルブを閉塞させて、開閉バルブを開放させることで、ガス精製装置により精製された不活性ガスを循環させることができる。これにより、ガス精製装置内が、精製した不活性ガスの貯留によって正圧になるのを防止することができる。したがって、ガス精製装置に負担をかけることなく、チャンバルームへの不活性ガスの供給を停止させることができる。
【００２５】
この場合、圧縮エアーをチャンバルームに供給すると共にエアー供給バルブを介設したエアー供給流路と、チャンバルームからの雰囲気を排気すると共に排気バルブを介設した排気流路と、を更に備えることが好ましい。
【００２６】
この構成によれば、排気バルブにより排気流路を開放した状態で、エアー供給バルブを開放させ、チャンバルームに圧縮エアーを供給することで、大気置換を行うことができる。また、圧縮エアーを供給することで、チャンバルーム内の不活性ガスを排気流路に押し出すように作用するため、大気置換を迅速且つ効率良く行うことができる。
【００２７】
この場合、エアー供給バルブおよび排気バルブを制御するバルブ制御手段を更に備え、バルブ制御手段は、不活性ガス導入時には、両バルブを閉塞制御し、圧縮エアー供給時には、両バルブを開放制御することが好ましい。
【００２８】
この構成によれば、不活性ガス導入時には、エアー供給バルブおよび排気バルブを閉塞制御して、チャンバルーム内に不活性ガスのみを導入するようにしているため、迅速に不活性ガスの雰囲気を構成することができる。また、エアー供給時には、エアー供給バルブおよび排気バルブを開放制御するようにしているため、大気置換を迅速且つ効率良く行うことができる。
【００２９】
この場合、チャンバルーム内の酸素濃度を計測する酸素濃度計測手段を更に備え、バルブ制御手段は、酸素濃度計測手段の計測結果が所定値を超えたときに、エアー供給バルブを閉塞制御することが好ましい。
【００３０】
この構成によれば、酸素濃度が所定値を超えたときに、エアー供給バルブを閉塞制御するため、チャンバルームへの過剰なエアー供給を防ぐことができる。
【００３１】
この場合、酸素濃度計測手段は、チャンバルームに連なる循環流路に介設されていることが好ましい。
【００３２】
この構成によれば、酸素濃度計測手段は、チャンバルームに連なる循環流路に介設されているため、チャンバルーム内に収容する処理装置の構成の自由度を損なうことがない。また、チャンバルーム内の雰囲気を循環させることで酸素濃度を計測するため、収容した処理装置に影響されず、安定した計測を行うことができる。
【００３３】
この場合、循環流路の循環往路および循環返路にそれぞれ介設した往路バルブおよび返路バルブと、往路バルブおよび返路バルブを制御する酸素計測バルブ制御手段と、を更に備え、酸素計測バルブ制御手段は、圧縮エアー供給時に、往路バルブおよび返路バルブを開放制御することが好ましい。
【００３４】
この構成によれば、エアー供給時、すなわち酸素濃度測定の必要が生じたときに、往路バルブおよび返路バルブを開放制御させて酸素濃度の計測を行うことができる。すなわち、酸素濃度を計測する必要がない場合は、これらを閉塞させて、チャンバルーム内の雰囲気の循環を停止させることで、酸素濃度測定のための無駄な電力消費を抑えることができる。
【００３５】
これらの場合、不活性ガス導入時において、ガス精製装置からの排気ガスを排気すると共にガス排気バルブを介設したガス排気流路を更に備え、ガス排気バルブは、バルブ制御手段により制御されることが好ましい。
【００３６】
この構成によれば、不活性ガス導入時において、ガス精製装置からの排気ガスを適宜排気させることで、効率良く且つ安全に、チャンバルームとガス精製装置との間で不活性ガスを循環させることができる。
【００３７】
この場合、チャンバルームとガス精製装置とを直接連通すると共にチャンバルーム内の圧力を検出する第一圧力検出手段を介設した副ガス流路を更に備え、バルブ制御手段は、不活性ガス導入時において、第一圧力検出手段による検出結果が所定値以上の場合、ガス排気バルブを開放制御することが好ましい。
【００３８】
この構成によれば、不活性ガス導入時において、チャンバルーム内圧が所定値以上の場合、ガス排気バルブを開放制御することで、チャンバルーム内の雰囲気を副ガス流路を介してガス排気流路に排気させることができる。すなわち、不活性ガス導入時における、チャンバルーム内の過剰な圧力上昇を抑えることができる。
【００３９】
これらの場合、チャンバルーム内の圧力を検出する第二圧力検出手段を更に備え、バルブ制御手段は、圧縮エアー供給時において、第二圧力検出手段による検出結果が所定値以上の場合、エアー供給バルブを閉塞制御することが好ましい。
【００４０】
この構成によれば、エアー供給時において、チャンバルーム内圧が所定値以上の場合、エアー供給バルブを閉塞制御するため、チャンバルーム内の過剰な圧力上昇を抑えることができる。
【００４１】
これらの場合、チャンバルーム内の圧力が所定圧力値以上になった場合に、チャンバルーム内の雰囲気を外部に放出するオイルバブラーを更に備えることが好ましい。
【００４２】
この構成によれば、オイルバブラーによる液面管理により、所定圧力値以上になるとチャンバルーム内の雰囲気外部に放出させることができる。すなわち、簡単な制御により、チャンバルーム内の過剰な圧力上昇を抑えることができる。
【００４３】
これらの場合、圧縮エアー供給時において、酸素濃度計測手段による計測値が下がった場合、エラー報知を行うエラー報知手段を、更に備えることが好ましい。
【００４４】
この構成によれば、圧縮エアー供給時において、チャンバルーム内の酸素濃度が下がった場合、エラー報知を行うため、酸素濃度が十分に上昇していない状態（不活性ガスが残留した状態）で作業者が入室することがない。したがって、作業者の酸欠を確実に防止することができる。
【００４５】
これらの場合、エアー供給バルブおよび排気バルブの開放制御時間をカウントするタイマーを、更に備え、バルブ制御手段は、圧縮エアー供給時において、タイマーにより一定時間がカウントされた後、エアー供給バルブおよび排気バルブを閉塞制御することが好ましい。
【００４６】
この構成によれば、圧縮エアー供給時において、エアー供給バルブおよび排気バルブが、一定時間は必ず開放制御されるようになっている。すなわち、酸素濃度計測手段が正常に作動しない場合でも、酸素濃度が十分な濃度まで上昇すると想定される時間は、エアーの供給および不活性ガスの排気が為されるため、確実に大気置換を行うことができる。したがって、作業者の酸欠をより確実に防止することができる。
【００４８】
本発明の電気光学装置は、上記のいずれかに記載のチャンバ装置と、チャンバ装置に収容した描画装置と、を備えたことを特徴とする。
【００４９】
この構成によれば、良好な不活性ガスの雰囲気中で描画処理を行うことができ、且つ安全な大気の雰囲気中で描画装置のメンテナンス等を行うことができる。
【００５０】
この場合、描画装置が、有機ＥＬ装置の製造装置であることが好ましい。
【００５１】
この構成によれば、不活性ガスの導入およびエアー供給を迅速に行うことができるため、タクトタイム（ワーク処理）への影響を極力少なくすることができる。
【００５２】
この場合、有機ＥＬ装置の製造装置が、ワークである基板に対し、発光機能材料を導入した機能液滴吐出ヘッドを相対的に走査し、発光機能材料を選択的に吐出して基板上の多数の画素領域に有機ＥＬ機能層を形成する液滴吐出装置を有していることが好ましい。
【００５３】
この構成によれば、発光機能材料を吐出して有機ＥＬ機能層を形成する工程を、良好な不活性ガスの雰囲気中で行うことができるため、発光機能材料の変質や損傷を有効に防止することができる。また、確実に大気置換を行うことができるため、液滴吐出装置のメンテナンス性を損なうことがない。
【００５４】
これらの場合、不活性ガスが、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドンのいずれかであることが好ましい。
【００５５】
この構成によれば、収容する描画装置の処理内容に応じて、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドン等による雰囲気をチャンバルーム内に構成することができる。
【００５６】
本発明の有機ＥＬ装置は、上記のいずれかに記載の電気光学装置により製造されたことを特徴とする。
【００５７】
この構成によれば、高い品質と高い歩留まりの有機ＥＬ装置を、低コストで提供することができる。
【００５８】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。インクジェットプリンタのインクジェットヘッド（機能液滴吐出ヘッド）は、微小なインク滴（液滴）をドット状に精度良く吐出することができることから、例えば機能液滴（吐出対象液）に特殊なインクや、発光性或いは感光性の樹脂等を用いることにより、各種部品の製造分野への応用が期待されている。
【００５９】
本実施形態の電気光学装置は、例えば有機ＥＬ装置等の、いわゆるフラットディスプレイの製造装置に適用され、不活性ガスの雰囲気中において、その複数の機能液滴吐出ヘッドから発光材料等の機能液を吐出して（インクジェット方式）、有機ＥＬ装置の発光機能を為す各画素のＥＬ発光層および正孔注入層を形成するものである。
【００６０】
そこで、本実施形態では、有機ＥＬ装置の製造装置に適用した電気光学装置について説明すると共に、これにより製造される有機ＥＬ装置の構造および製造方法（製造プロセス）について説明する。
【００６１】
図１に示すように、実施形態の電気光学装置１は、描画装置２と描画装置２を収容するチャンバ装置３から成り、描画装置２に搭載した機能液滴吐出ヘッド４により、発光材料を吐出して有機ＥＬ装置のＥＬ発光層および正孔注入層を形成する一方、この機能液滴吐出ヘッド４の吐出動作を含む一連の製造工程を、チャンバ装置３で構成する不活性ガス（窒素ガス）の雰囲気中で行うようにしている。
【００６２】
詳細は後述するが、描画装置２は、液滴吐出装置６とこれに付随する各種の装置から成る付帯装置７とを備えている。チャンバ装置３は、チャンバルーム１１に、電気室１２および機械室１３を併設した、いわゆるクリーンルームの形態を有している。チャンバルーム１１には、不活性ガスである窒素ガスが導入され、これに収容した上記の液滴吐出装置６および付帯装置７は、全体として窒素ガスの雰囲気に曝され、窒素ガスの雰囲気中で稼動する。
【００６３】
図２ないし図５に示すように、液滴吐出装置６は、床上に設置した架台１５と、架台１５上に設置した石定盤１６と、石定盤１６上に設置したＸ軸テーブル１７およびこれに直交するＹ軸テーブル１８と、Ｙ軸テーブル１８に吊設するように設けたメインキャリッジ１９と、メインキャリッジ１９に搭載したヘッドユニット２０とを有している。
【００６４】
Ｘ軸テーブル１７は、Ｘ軸方向の駆動系が構成するＸ軸エアースライダ２２およびＸ軸リニアモータ２３を有し、これにθテーブル２４および基板Ｗをエアー吸引する吸着テーブル２５を搭載して、構成されている。また、Ｙ軸テーブル１８は、Ｙ軸方向の駆動系を構成する一対のＹ軸スライダ２７，２７、Ｙ軸ボールねじ２８およびＹ軸モータ（サーボモータ）２９を有し、これに上記のメインキャリッジ１９を吊設するブリッジプレート３０を搭載して、構成されている。
【００６５】
そして、メインキャリッジ１９に搭載したヘッドユニット２０には、サブキャリッジを介して、複数の機能液滴吐出ヘッド４が搭載されている。特に詳細は図示しないが、サブキャリッジには、１２個の機能液滴吐出ヘッド４が搭載されており、これら機能液滴吐出ヘッド４は、６個づつ上下に二分され、主走査方向に対し所定の角度傾けて配設されている（図６参照）。
【００６６】
本実施形態の液滴吐出装置６では、機能液滴吐出ヘッド４の駆動（機能液滴の選択的吐出）に同期して基板Ｗが移動する構成であり、機能液滴吐出ヘッド４のいわゆる主走査は、Ｘ軸テーブル１７のＸ軸方向への往復動作により行われる。また、これに対応して、いわゆる副走査は、Ｙ軸テーブル１８により機能液滴吐出ヘッド４のＹ軸方向への往動動作により行われる。
【００６７】
一方、ヘッドユニット２０のホーム位置は、図１における後側の位置となっており、且つこの液滴吐出装置６の後方からヘッドユニット２０の運び込み或いは交換が行われる（詳細は後述する）。また、同図示の左側には、基板搬送装置（図示省略）が臨んでおり、基板Ｗはこの左方から搬入・搬出される。そして、この液滴吐出装置６の同図手前側には、上記付帯装置７の主な構成装置が、一体的に添設されている。
【００６８】
付帯装置７は、上記の架台１５および石定盤１６に隣接するように配置したキャビネット形式の共通機台３２と、共通機台３２内の一方の半部に収容したエアー供給装置３３および真空吸引装置３４と、共通機台３２内の一方の半部に主要装置を収容した機能液供給回収装置３５と、共通機台３２上に主要装置を収容したメンテナンス装置３６とを備えている。なお、図中の符号３７は、メインタンク（図示省略）とヘッドユニット２０との間の機能液流路に介設した、機能液供給回収装置３５の中間タンクである。
【００６９】
エアー供給装置３３、機能液供給回収装置３５の圧力供給源を構成すると共に、メンテナンス装置３６等におけるエアー圧アクチュエータの駆動源として用いられる。真空吸引装置３４は、上記の吸着テーブル２５に接続され、基板Ｗをエアー吸引により吸着セットする。機能液供給回収装置３５は、機能液滴吐出ヘッド４に機能液を供給すると共に、メンテナンス装置３６等から不要となった機能液を回収する。
【００７０】
メンテナンス装置３６は、機能液滴吐出ヘッド４の定期的なフラッシング（全吐出ノズルからの機能液の捨て吐出）を受けるフラッシングユニット４１と、機能液滴吐出ヘッド４の機能液吸引および保管を行うクリーニングユニット４２と、機能液滴吐出ヘッド４のノズル形成面をワイピングするワイピングユニット４３とを有している。クリーニングユニット４２およびワイピングユニット４３は、上記の共通機台３２上に配設され、フラッシングユニット４１は、基板Ｗの近傍において、Ｘ軸テーブル（θテーブル２４）１７上に搭載されている。
【００７１】
ここで、図６の模式図を参照して、チャンバ装置３内において窒素ガスの雰囲気中で稼動する描画装置２の一連の動作を簡単に説明する。先ず、準備段階として、ヘッドユニット２０が液滴吐出装置６に運び込まれ、これがメインキャリッジ１９にセットされる。ヘッドユニット２０がメインキャリッジ１９にセットされると、Ｙ軸テーブル１８がヘッドユニット２０を図外のヘッド認識カメラの位置に移動させ、ヘッドユニット２０の位置認識が行われる。ここで、この認識結果に基づいて、ヘッドユニット２０がθ補正され、且つヘッドユニット２０のＸ軸方向およびＹ軸方向の位置補正がデータ上で行われる。位置補正後、ヘッドユニット（メインキャリッジ１９）２０はホーム位置に戻る。
【００７２】
一方、Ｘ軸テーブル１７の吸着テーブル２５上に基板（この場合は、導入される基板毎）Ｗが導入されると、導入位置において図外の基板認識カメラが基板Ｗを位置認識する。ここで、この認識結果に基づいて、吸着テーブル２５を支持するθテーブル２４により基板Ｗがθ補正され、且つ基板ＷのＸ軸方向およびＹ軸方向の位置補正がデータ上で行われる。
【００７３】
このようにして準備が完了すると、実際の液滴吐出作業では、先ずＸ軸テーブル１７が駆動し、基板Ｗを主走査方向に往復動させると共に複数の機能液滴吐出ヘッド４を駆動して、機能液滴の基板Ｗへの選択的な吐出動作が行われる。基板Ｗが復動した後、こんどはＹ軸テーブル１８が駆動し、ヘッドユニット２０を１ピッチ分、副走査方向に移動させ、再度基板Ｗの主走査方向への往復移動と機能液滴吐出ヘッド４の駆動が行われる。そしてこれを、数回繰り返すことで、基板Ｗの端から端まで（全領域）液滴吐出が行われる。これにより、有機ＥＬ装置の発光層等が形成される。
【００７４】
一方、上記の動作に並行し、液滴吐出装置６のヘッドユニット（機能液滴吐出ヘッド４）２０には、エアー供給装置３３を圧力供給源として機能液供給回収装置３５から機能液が連続的に供給され、また吸着テーブル２５では、基板Ｗを吸着すべく、真空吸引装置３４によりエアー吸引が行われる。また、液滴吐出作業の直前には、ヘッドユニット２０がクリーニングユニット４２およびワイピングユニット４３に臨んで、機能液滴吐出ヘッド４の全吐出ノズルからの機能液吸引と、これに続くノズル形成面の拭取りが行われる。液滴吐出作業中には、適宜ヘッドユニット２０がフラッシングユニット４１に臨んで、機能液滴吐出ヘッド４のフラッシングが行われる。
【００７５】
なお、本実施形態では、ヘッドユニット２０に対し、その吐出対象物である基板Ｗを主走査方向（Ｘ軸方向）に移動させるようにしているが、ヘッドユニット２０を主走査方向に移動させる構成であってもよい。また、ヘッドユニット２０を固定とし、基板Ｗを主走査方向および副走査方向に移動させる構成であってもよい。
【００７６】
次に、図７の系統図、および図８ないし図１３の構造図を参照して、本発明の第一実施形態に係るチャンバ装置３について説明する。なお、チャンバ装置の説明では、図８における紙面の下側を「前」、上側「後」、左側を「左」、右側を「右」して説明する。
【００７７】
チャンバ装置３は、上記の描画装置２を収容するチャンバルーム１１と、チャンバルーム１１の右前部に併設した電気室１２と、チャンバルーム１１の右後部に併設した機械室１３とを備えている。なお、チャンバルーム１１に充填する不活性ガスとしては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドンのいずれかを用いることが好ましいが、本実施形態では、コストおよび安全性を考慮し窒素（窒素ガス）を用いている。
【００７８】
不活性ガス（窒素ガス）は、図外のガス製造装置からガス導入ユニット１０１を介して機械室１３に導入され、ここで調和処理されてチャンバルーム１１に導入される。また、チャンバルーム１１内の不活性ガスは、チャンバルーム１１の左前部に添設した排気ダクト（排気流路）１０２から適宜排気され、図外のガス処理装置に送られる。実際の運転では、チャンバルーム１１に対し、不活性ガスの補給と排気とが連続して行われ、わずかに流れる不活性ガスにより、チャンバルーム１１内の雰囲気が構成されるようになっている。
【００７９】
チャンバルーム１１は、左側壁１１１、右側壁１１２、前部着脱パネルユニット１１３、後部着脱パネルユニット１１４、床壁１１５および天壁１１６を、エアータイト材で相互にシールして組み上げたプレハブ形式のものである。一方、チャンバルーム１１の内部に収容される液滴吐出装置６は、前後方向をＹ軸方向とし、左右方向をＸ軸方向とした姿勢で収容されている（図１参照）。すなわち、メンテナンス等を考慮して、描画装置２の付帯装置７は前部着脱パネルユニット１１３に面し、ヘッドユニット２０の運び込み等を考慮して、ヘッドユニット２０のホーム位置側が後部着脱パネルユニット１１４に面している。また、左側壁１１１には、基板Ｗの搬入搬出を行うためのシャッタ付き受渡し開口１１７が形成されている（図１１参照）。
【００８０】
前部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット１１４は、いずれも内パネルユニット１２１および外パネルユニット１２２の二重構造を有している。内パネルユニット１２１は、左右の中間に縦枠１２３ａを有する枠体１２３と、縦枠１２３ａにより構成した左右の開口部（メンテナンス開口）にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の内パネル１２４，１２４とで構成されている（図１３参照）。各内パネル１２４には、左右のハンドルの他、複数のロックレバーが設けられており（いずれも図示省略）、内パネル１２４は、けんどん形式で枠体１２３に当てがわれ且つこの複数のロックレバーにより枠体１２３に気密に装着されている。
【００８１】
同様に、外パネルユニット１２２は、左右の中間に縦枠１２５ａを有する枠体１２５と、縦枠１２５ａにより構成した左右の開口部（メンテナンス開口）にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の外パネル１２６，１２６とで構成されている（図１３参照）。各外パネル１２６には、左右のハンドル１２７，１２７の他、複数のロックレバー１２８が設けられており、この場合も外パネル１２６は、けんどん形式で枠体に当てがわれ且つこの複数のロックレバー１２８により枠体１２５に気密に装着されている。そして、外パネルユニット１２２は、内パネルユニット１２１より幾分幅広に且つ幾分丈が長く形成されていて、内外両パネル１２１，１２２の着脱作業に支障を生じないようになっている（図１３参照）。
【００８２】
また、内外各パネル１２４，１２６には、その上側に複数の電磁ロック装置１２９が組み込まれており、チャンバルーム１１内の酸素濃度に応じて、内外各パネル１２４，１２６をロック・アンロックできるようになっている。また、内外各パネル１２４，１２６に近接して、両パネル１２４，１２６の装着および未装着を検出する複数のパネルセンサ（近接センサ）２１１が設けられている（図２７参照）。各パネルセンサ２１１による検出結果は、ディスプレイ２５１上に表示され、作業者が確認できるようになっている。さらに、不活性ガスを導入する通常運転時、および大気置換時においてチャンバルーム１１内が所定酸素濃度（通常、２０％程度の酸素濃度を設定する）以下のときに、パネルセンサ２１１が各パネル１２４，１２６の未装着を検出した場合は、ディスプレイ２５１上にエラー表示が為されると共に、表示灯２５２によって警告が為される。なお、このとき、同時に警告音が発されると共にガス開閉ダンパー１４４が閉塞制御され、ガスの供給が停止される。
【００８３】
このように、ディスプレイ表示や表示灯２５２等でエラー報知を行うことで、作業者は、内外各パネル１２４，１２６の未装着を確認することができるため、ガスが大気中に漏出するのを防ぐことができる。また、これにより、チャンバルーム１１内に不活性ガスが充満している状態で、作業者が誤って入室することがないため、確実に作業者の酸欠を防止することができる。すなわち、上述の通り、前部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット１１４は、電磁ロック装置１２９およびパネルセンサ２１１により二重にインターロックされている。
【００８４】
右側壁１１２の後上部には、機械室１３に連なる送気口１３１が形成され、これに対応して左側壁１１１の前下部には、排気ダクト１０２に連なる排気口１３２が形成されている。また、チャンバルーム１１の天井部分には、送気口１３１に連なるフィルタチャンバ１３３が形成されている。フィルタチャンバ１３３は、天井部分を格子状のフィルタ装着枠１３４で水平に仕切って構成され、このフィルタ装着枠１３４に複数（４つ）のフィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）１３５が装着されている（図８参照）。
【００８５】
送気口１３１から流入した不活性ガスはフィルタチャンバ１３３に流入し、複数のフィルタ１３５を通過して液滴吐出装置６の上部に流入する。この場合、送気口１３１から流入した不活性ガスは、フィルタ（フィルタチャンバ１３３）１３５を通過するものの、その気流の主体は、チャンバルーム１１内をほぼ対角方向に流れて排気口１３２に至るようになっている。そして、この対角方向の気流の主流路上には、液滴吐出装置６の液滴吐出動作を行う領域、すなわち吐出エリアが臨んでいる。
【００８６】
すなわち、チャンバルーム１１内では、不活性ガスの主気流が吐出エリアを包み込むように流れ、且つ気流全体としはフィルタからダウンフローした後、排気口１３２に向かって流れる。これにより、吐出エリアは、常に新鮮な不活性ガスの雰囲気に曝されることになる。なお、この場合の気流の流速は、機能液滴吐出ヘッド４から吐出した機能液滴に飛行曲がりが生じない程度に調整されていることは、言うまでもない。
【００８７】
機械室１３の上部には、図外のガス製造装置に連なるガス導入ユニット１０１が設けられており、また機械室１１の内部は、適宜隔壁１３７で仕切られ、ガス導入ユニット１０１から上記の送気口１３１に至るガス流路１３８が形成されている。すなわち、機械室１３の内部には、ガス流路１３８となるダクトが一体的に形成されている。
【００８８】
ガス導入ユニット１０１には、上流側から順に、ガス開閉バルブ（電磁弁）１４２、ガス調整ダンパー（電動弁：高気密モータダンパー）１４３およびガス開閉ダンパー（高気密モータダンパー）１４４から成るガスダンパーユニット１４１が組み込まれている（図７参照）。上述したように、実施形態のチャンバ装置３では、不活性ガスの補給と排気とを連続して行う運転形態をとっており、ガス開閉バルブ１４２およびガス開閉ダンパー１４４を「開」とした状態で、ガス調整ダンパー１４３により不活性ガスの補給流量が調整される。また、後述する大気置換運転では、ガス開閉バルブ１４２、ガス調整ダンパー１４３およびガス開閉ダンパー１４４は、いずれも「閉」に制御される。
【００８９】
機械室１３の内部に構成したガス流路１３８は、ガス導入ユニット１０１から機械室１３の下部まで延び、ここでＵターンして上部の送気口１３１に至るようになっている。そして、このガス流路１３８のうち、上方に向かう流路部分に、後述するガス調和機器１５５が組み込まれている。
【００９０】
また、ガス流路１３８は、図７に示すように、ガス導入ユニット１０１の下流側で分岐しており、ガス導入ユニット１０１からガス調和機器１５５を通過して送気口１３１に至る一方の主ガス流路１４７と、ガス導入ユニット１０１から直接送気口１３１に至る他方のバイパス流路１４８とで構成されている。主ガス流路１４７およびバイパス流路１４８には、それぞれ流路切替え用の手動ダンパー１４９，１５０が設けられており、この両手動ダンパー１４９，１５０は、チャンバ装置３を設置した初期調整時にのみ調整される。
【００９１】
なお、図７にのみ示すが、チャンバルーム１１にはリターン流路（リターン口）１５１が形成されており、チャンバルーム１１のリターンガスは、このリターン流路１５１を介して機械室１３に戻され、ガス調和機器１５５の上流側において主ガス流路１４７に合流する。但し、このリターンは予備的なものであり、通常運転時にはリターン運転は行わない。
【００９２】
主ガス流路１４７には、クーラ（チーリングユニット）１５６、ヒータ（電気ヒータ）１５７および２台のファン（シロッコファン）１５８，１５８から成るガス調和機器１５５が介設されている。クーラ１５６およびヒータ１５７は、機械室の上下中間位置に隣接して配置されており、温度調節装置を構成している。これにより、チャンバルーム１１内の不活性ガスの雰囲気が、所定の温度、例えば実施形態のものでは２０℃±０．５℃に維持されるようになっている。
【００９３】
ファン１５８は、機械室１３の上部にあって、送気口１３１に近接して設けられている。ガス導入ユニット１０１から導入した不活性ガスは、このファン１５８により、送気口１３１を介してチャンバルーム１１内に強制的に送気される。そして、このファン１５８により、チャンバルーム１１内への不活性ガスの補給量およびチャンバルーム１１内の気流の流速等が制御される。
【００９４】
排気流路を構成する排気ダクト１０２は、排気口１３２の近傍に排気チャンバ１６１を有しており、この排気チャンバ１６１から立ち上がり、さらにチャンバルーム１１の上面に沿って水平に延在している。排気ダクト１０２の下流側（チャンバルーム１１の上面に位置する部分）には、排気調整ダンパー１６３および排気開閉ダンパー１６４から成る排気ダンパーユニット１６２が介設され（図７参照）、この排気調整ダンパー１６３により排気流量が調整される。
【００９５】
また、排気チャンバ１６１には、上記の前部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット１１４からそれぞれ延びる２本の排気パイプ（パネル体排気流路）１６６，１６６が接続されている（図８、図９および図１１参照）。各排気パイプの上流端は、内パネルユニット１２１と外パネルユニット１２２との間の空隙１３０に連通しており、また各排気パイプ１６６には排気バルブ（パネル体排気ダンパー）１６７が介設されている。これにより、内外両パネルユニット１１３，１１４の空隙１３０部分にリークした不活性ガスを排気できるようになっている（詳細は後述する）。
【００９６】
一方、ガス調和機器１５５の上流側において主ガス流路１４７には、隔壁１３７により機械室内１３に構成した外気流路１７１が合流している（図７参照）。外気流路１７１の外気取入れ口１７２は、機械室１３の下部側面に開口しており、外気流路１７１の下流端は、クーラ１５６の上流側で主ガス流路１４７に合流している。また、外気流路１７１には、外気取入れ口１７２側から順に、外気開閉ダンパー１７４、外気調整ダンパー１７５および外気開閉バルブ１７６から成る外気ダンパーユニット１７３が介設されている。
【００９７】
この場合、外気開閉ダンパー１７４および外気調整ダンパー１７５は高気密ダンパーで構成され、外気開閉バルブ１７６は電磁弁（電動二方弁）で構成されている。詳細は後述するが、外気置換運転を行う場合には、外気開閉ダンパー１７４、外気調整ダンパー１７５および外気開閉バルブ１７６はいずれも「開」に制御され、外気調整ダンパー１７５により外気の流量調整が行われる。また通常運電時には、これらダンパー１７４，１７５およびバルブ１７６はいずれも「閉」に制御され、これらの高気密性と個数とにより、外気の侵入を確実に遮断する。
【００９８】
次に、チャンバ装置３の制御構成について簡単に説明する。図２７のブロック図に示すように、チャンバ装置３は、温度調節計１８９、酸素濃度計１８２，１９１、圧力計１８７、水分計１８３、風速モニター１８８ａ，１８８ｂおよびパネルセンサ２１１を有して各種検出を行う検出部２１０と、電磁ロック装置１２９を有して着脱パネルユニット１１３，１１４をロック・アンロックするパネル部２２０と、ガスダンパーユニット１４１、外気ダンパーユニット１７３および排気ダンパーユニット１６２を有して各ダンパーの開閉や調整を行うダンパーユニット部２３０と、クーラ１５６、ヒータ１５７およびファン１５８を有して温度調節や気流調節を行うガス調和部２４０（ガス調和機器１５５）と、ディスプレイ２５１および表示灯２５２を有して各種検出器の検出結果やエラー表示を行う表示部２５０と、各種ドライバやヒータ１５７に接続されるリレー１９０を有して各部回路を駆動する駆動部２６０と、チャンバ装置３の各部を制御する制御部２７０と、チャンバ装置３の各部に電源を供給する電源部２８０とを備えている。
【００９９】
制御部２７０は、ＣＰＵ２７１と、ＲＯＭ２７２と、ＲＡＭ２７３と、ＩＯＣ（入出力制御回路）２７４とを有し、互いに内部バス２７５によって接続されている。ＲＯＭ２７２は、ＣＰＵ２７１で処理する制御プログラムの他、各部を制御するための制御データを記憶している。ＲＡＭ２７３は、各種フラグ等として使用されるレジスタ群や、各検出器により検出・計測した計測値等を記憶するデータ領域を有し、制御処理のための作業領域として使用される。
【０１００】
またＩＯＣ２７４は、ＣＰＵ２７１の機能を補うと共に各種周辺回路とのインターフェイス信号を取り扱うための論理回路が組み込まれており、検出部２１０からの検出信号などをそのままあるいは加工して内部バス２７５に取り込むと共に、ＣＰＵ２７１と連動して、ＣＰＵ２７１等から内部バス２７５に出力されたデータや制御信号をそのままあるいは加工して駆動部２６０に出力する。そして、ＣＰＵ２７１は、上記の構成により、ＲＯＭ２７２内の制御プログラムにしたがって、ＩＯＣ２７４を介してチャンバ装置３の各部からの各種信号・データ等を入力し、ＩＯＣ２７４を介してチャンバ装置３の各部に各種信号・データを出力することにより、着脱パネルユニット１１３，１１４のロック・アンロックや、各ダンパーの開閉など、チャンバ装置３全体を制御している。
【０１０１】
次に、チャンバ装置３の運転方法について簡単に説明する。チャンバルーム１１に不活性ガスを導入する通常運転時では、外気ダンパーユニット１７３を「閉」とした状態で、ガスダンパーユニット１４１および排気ダンパーユニット１６２を「開」とし、ファン１５８により、チャンバルーム１１内に不活性ガスの補給および排気を行って、その雰囲気を構成する。
【０１０２】
ガス調整ダンパー１４３には、コントローラ１８１を介して、チャンバルーム１１内に設けた酸素濃度計（低濃度）１８２および水分計１８３が接続されており、これらの計測結果に基づいて、不活性ガスの補給流量が調整される。より具体的には、ガス調整ダンパー１４３により、チャンバルーム１１内の酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下に維持されるように、制御される。なお、図中の符号１８４は、酸素濃度を表示するスケーリングメータである。
【０１０３】
一方、排気調整ダンパー１６３には、コントローラ１８６を介して圧力計１８７が接続されており、圧力計１８７の検出結果に基づいて、不活性ガスの排気流量が調整される。すなわち、排気調整ダンパー１６３により、大気圧に対しチャンバルーム１１内が幾分正圧になるように、制御される。これにより、チャンバルーム１１から不活性ガスが漏れることはあっても、外気の侵入は防止される。また、ガスダンパーユニット１４１の下流側近傍、および排気ダンパーユニット１６２の上流側近傍には、それぞれ風速モニター１８８ａ，１８８ｂが設けられており、この風速モニター１８８ａ，１８８ｂの風力差の変化により、ファン１５８の故障や不活性ガスのリークが確認できるようになっている。
【０１０４】
さらに、チャンバルーム１１内には、温度調節計（温度計）１８９が設けられており、温度調節計１８９は、リレー１９０を介してヒータ１５７に接続されている。この場合、温度調節装置のクーラ１５６は常時定格運転となっており、ヒータ１５７により、チャンバルーム１１内が２０℃±０．５℃になるように制御される。
【０１０５】
一方、チャンバルーム１１内の不活性ガスを追い出して外気を導入する大気置換運転では、ガスダンパーユニット１４１を「閉」とし、外気ダンパーユニット１７３および排気ダンパーユニット１６２を「開」として、ファン１５８により、チャンバルーム１１内に外気を強制的に導入する。すなわち、チャンバルーム１１内に外気を強制送気し、チャンバルーム１１内の不活性ガスを押し出すようにする。また、両排気バルブ１６７，１６７を「開」とし、内外両パネルユニット１２１，１２２の空隙１３０部分にリークした不活性ガスも排気する。
【０１０６】
描画装置２のメンテナンス（着脱パネルユニット１１３，１１４の開放）を前提とする大気置換運転では、ヒータ１５７をＯＦＦとすると共に、外気調整ダンパー１７５および排気調整ダンパー１６３を「全開」として、流量調整は行わない。これにより、最短時間で大気置換が行われる。そして、チャンバルーム１１内に設けた酸素濃度計（高濃度）１９１の計測結果に基づいて、大気置換の完了が確認され、且つ上記の電磁ロック装置１２９のロック状態が解除される。これにより、前後両着脱パネルユニット１１３，１１４が開放可能状態となる。
【０１０７】
また、描画装置（液滴吐出装置６）２の精度確認に関する試験運転を前提とする大気置換運転では、ヒータ１５７をＯＮとすると共に、外気調整ダンパー１７５および排気調整ダンパー１６３が流量調整され、チャンバルーム１１内が所望の温度（２０℃±０．５℃）の雰囲気（大気）に置換される。
【０１０８】
なお、温度異常や圧力異常など、チャンバ装置３に異常が発生した場合は、ガス開閉バルブ１４２、ガス調整ダンパー１４３およびガス開閉ダンパー１４４は、いずれも「閉」に制御され、排気調整ダンパー１６３、排気開閉ダンパー１６４、外気開閉ダンパー１７４、外気調整ダンパー１７５および外気開閉バルブ１７６は、いずれも「開」に制御される。そして、その後、チャンバ装置３の電源がＯＦＦされる。
【０１０９】
以上の通り、チャンバ装置３は、描画装置２をチャンバルーム１１に収容し、液滴吐出装置６による液滴吐出作業を新鮮な不活性ガスの雰囲気中で行うようにしているため、基板Ｗ上に着弾した機能液滴（発光材料）が変質したり損傷したりすることがなく、有機ＥＬ装置を安定に製造することができる。また、大気置換を行う場合に、ファン１５８を用いて外気をチャンバルーム１１内に強制的に送り込むようにしているため、短時間で外気置換を行うことができる共に、不活性ガスの残留を極力防止することができる。
【０１１０】
さらに、チャンバ装置３は、大気置換時において、チャンバルーム１１内の雰囲気が所定の酸素濃度を超えたときに、電磁ロック装置１２９がアンロック制御され、着脱パネル体１２４，１２６の取り外しが可能となる。すなわち、チャンバルーム１１内が不活性ガスで満たされている場合は元より、大気置換時に排気不良等で不活性ガスが残留している場合は、着脱パネル体１２４，１２６をロック制御しているため、誤って着脱パネル体１２４，１２６が開放されてしまうのを確実に防止し、ひいては作業者の酸欠を防止することができる。
【０１１１】
次に、本発明の第二実施形態に係るチャンバ装置３について説明する。本実施形態に係るチャンバ装置３は、チャンバルーム１１とガス精製装置３１０との間で不活性ガスを循環させることで、チャンバルーム１１内に不活性ガスの新鮮な雰囲気を構成するものである。図２８の系統図に示すように、チャンバ装置３は、不活性ガスを導入・循環させるガス部３２０と、圧縮エアーを供給するエアー供給部３３０と、チャンバルーム１１内の雰囲気を排気する排気部３４０と、チャンバルーム１１内の酸素濃度を計測する酸素計測部３５０と、チャンバルーム１１内圧を検出する圧力検出部３６０とを備えている。
【０１１２】
ガス部３２０は、ガス製造装置３２１と、これにより不活性ガスが供給されると共に不活性ガスの精製を行うガス精製装置３１０と、ガス精製装置３１０とチャンバルーム１１とを連通すると共にガス往路バルブ３２２を介設したガス往路３２３と、チャンバルーム１１とガス精製装置３１０とを連通すると共にガス返路バルブ３２４を介設したガス返路３２５と、ガス往路バルブ３２２の上流側とガス返路バルブ３２４の下流側とを連通すると共に開閉バルブ３２６を介設したバイパス流路３２７と、不活性ガス導入時において、ガス精製装置３１０からの排気ガスを排気するガス排気流路３２８と、排気された不活性ガスを処理するガス処理装置３２９とにより構成されている。
【０１１３】
ガス製造装置３２１とガス精製装置３１０との間には、ガスレギュレータ３１１が介設されており、供給される不活性ガスの圧力を一定（通常６ｋｇ／ｃｍ²）に調節している。また、ガス往路バルブ３２２およびガス返路バルブ３２４は、作業者が手動で開閉するものであり、ガス精製装置３１０の運転開始時に開放され、停止時に閉塞される。一方、開閉バルブ３２６も、作業者が手動で開閉するものであり、ガス精製装置３１０の運転開始時に閉塞され、停止時に開放される。また、ガス精製装置３１０置内には、ガス往路３２３を開放するガス供給バルブ３１２と、ガス排気流路３２８を開放するガス排気バルブ３１３とが、それぞれの流路の端に取り付けられている。
【０１１４】
エアー供給部３３０は、エアー製造装置３３１と、これにより製造された圧縮エアーをチャンバルーム１１に供給すると共にエアー供給バルブ３３２を介設したエアー供給流路３３３とにより構成されている。エアー製造装置３３１とエアー供給バルブ３３２との間には、エアーレギュレータ３３４が介設されており、供給される圧縮エアーの圧力を一定（通常１〜２ｋｇ／ｃｍ²）に調節している。また、エアー供給バルブ３３２は、電磁弁により構成され、通常運転時は閉塞し、エアー供給時（大気置換時）に開放するように制御される。
【０１１５】
排気部３４０は、チャンバルーム１１からの雰囲気を排気すると共に排気バルブ３４１を介設した排気流路３４２と、排気を処理する排気処理装置３４３とにより構成されている。排気バルブ３４１は、電磁弁により構成され、通常運転時は閉塞し、エアー供給時に開放するように制御される。
【０１１６】
酸素計測部３５０は、チャンバルーム１１内の酸素濃度を計測する酸素濃度計３５１と、チャンバルーム１１と酸素濃度計３５１とを連通すると共に往路バルブ３５２を介設した循環往路３５３と、酸素濃度計３５１とチャンバルーム１１とを連通すると共に返路バルブ３５４を介設した循環返路３５５とにより構成されている。酸素濃度計３５１は、０〜２５％の酸素濃度を計測可能に構成されている。また、往路バルブ３５２および返路バルブ３５４は、電磁弁により構成され、エアー供給時に開放するように制御される。
【０１１７】
圧力検出部３６０は、通常運転時にチャンバルーム内圧を検出する第一圧力センサ３６１と、エアー供給時にチャンバルーム内圧を検出する第二圧力センサ３６２と、チャンバルーム１１内に配設され、常時チャンバルーム内圧を検出するオイルバブラー３６３とにより構成されている。第一圧力センサ３６１は、チャンバルーム１１とガス精製装置３１０とを直接連通する副ガス流路３６４に介設され、±２０ｍｂａｒの範囲内である接点をとり、これを超えた圧力値を検出した場合は、ガス精製装置３１０内のガス排気バルブ３１３を開放させ、副ガス流路３６４を介してチャンバルーム１１内の雰囲気（不活性ガス）をガス処理装置３２９へ排気するように制御される。一方、第二圧力センサ３６２によって、±２０ｍｂａｒの範囲を超えた圧力値を検出した場合は、エアー供給バルブ３３２を閉塞するように制御される。また、オイルバブラー３６３は、液面管理によって、チャンバルーム内圧が一定圧以上になるとチャンバルーム１１内の雰囲気を室外へ放出させる。
【０１１８】
ここで、チャンバ装置３の運転方法について簡単に説明する。チャンバルーム１１に不活性ガスを導入する通常運転時では、ガス精製装置３１０の電源がＯＮにされると、ガス精製装置３１０内のガス供給バルブ３１２およびガス排気バルブ３１３が「開」となると共に、ディスプレイ２５１上にバルブの切替指示（ガス往路バルブ３２２およびガス返路バルブ３２４は「開」、開閉バルブ３２６は「閉」）が為される。これに基づいて、作業者は手動により、各バルブを切り替える。そしてこれにより、ガス製造装置３２１からガスレギュレータ３１１を介して供給された不活性ガスが、ガス精製装置３１０により精製されてチャンバルーム１１に供給される。このとき、エアー供給バルブ３３２および排気バルブ３４１は「閉」に制御され、往路バルブ３５２および返路バルブ３５４は「開」に制御されている。
【０１１９】
その後、図示しないガス精製装置３１０内の酸素濃度計（ガス返路３２５の端に介設されている）により、２００ｐｐｍまで酸素濃度が下がったことが計測されると、ガス精製装置３１０内のガス供給バルブ３１２およびガス排気バルブ３１３が「閉」に制御され、ガス精製装置３１０とチャンバルーム１１との間で不活性ガスを循環させて、チャンバルーム１１内の酸素濃度を１０ｐｐｍまで下げる。
【０１２０】
一方、エアー供給時（大気置換時）は、ディスプレイ２５１上にガス精製装置３１０の電源をＯＦＦにするよう指示が為され、これに基づいて作業者がガス精製装置３１０の電源を切断する。すると、更にディスプレイ２５１上にバルブの切替指示（ガス往路バルブ３２２およびガス返路バルブ３２４は「閉」、開閉バルブ３２６は「開」）が為され、作業者はこれに基づき、手動によって、各バルブを切り替える。このとき、往路バルブ３５２および返路バルブ３５４は「開」のままで、エアー供給バルブ３３２および排気バルブ３４１は「開」に制御される。そしてこれにより、エアー製造装置３３１から供給された圧縮エアーがチャンバルーム１１に供給され、チャンバルーム１１内の不活性ガスが排気流路３４２に押し出されることで、大気置換が行われる。そして、大気置換は、酸素濃度計３５１により酸素濃度が２０％になるまで継続され、酸素濃度が２０％になった時点で、エアー供給バルブ３３２および排気バルブ３４１は「閉」に制御される。
【０１２１】
次に、各バルブのインターロックについて簡単に説明する。まず、エアー供給バルブ３３２の開放は、往路バルブ３５２および返路バルブ３５４が開放制御されていること、ガス精製装置３１０からのガス供給が為されていないこと、第二圧力センサ３６２の検出値が予め設定された最大値を超えていないこと、排気バルブ３４１が開放制御されていることが、条件となる。また、排気バルブ３４１の開放は、往路バルブ３５２および返路バルブ３５４が開放制御されていること、ガス精製装置３１０からのガス供給が為されていないこと、第二圧力センサ３６２の検出値が予め設定された最小値以下となっていないことが条件となる。
【０１２２】
また、作業者の酸欠防止対策として、圧縮エアー供給時において、ガス精製装置３１０からのガス供給が為されていないにも関わらず、酸素濃度計３５１の測定値が下がった場合は、ディスプレイ２５１上または表示灯２５２にてエラー報知を行うと共に警告音を発する。
【０１２３】
さらに、大気置換時のエアー供給バルブ３３２および排気バルブ３４１が開放制御されている時間は、図外のタイマーによって測定され、酸素濃度計３５１による計測結果に関わらず、一定時間は必ず開放制御されるようになっている。これにより、酸素濃度計３５１が正常に作動しない場合でも、酸素濃度が十分な濃度まで上昇すると想定される時間は、エアーの供給および不活性ガスの排気が為されるため、確実に大気置換を行うことができる。
【０１２４】
以上の通り、本発明の第二実施形態に係るチャンバ装置３は、チャンバルーム１１とガス精製装置３１０との間で不活性ガスを循環させるため、連続させて補給および排気を行う場合と比較して、少量の不活性ガスでチャンバルーム１１内に新鮮な雰囲気を構成することができる。また、チャンバルーム１１への不活性ガスの供給を停止する場合、ガス往路バルブ３２２およびガス返路バルブ３２４を閉塞させて、開閉バルブ３２６を開放させることで、ガス精製装置３１０により精製された不活性ガスを循環させることができる。これにより、ガス精製装置３１０内が、精製した不活性ガスの貯留によって正圧になるのを防止することができる。すなわち、ガス精製装置３１０に負担をかけることなく、チャンバルームへ１１の不活性ガスの供給を停止させることができる。また、圧縮エアーを供給して大気置換を行うことで、チャンバルーム１１内の不活性ガスを排気流路３４２に押し出すように作用するため、大気置換を迅速且つ効率良く行うことができる。
【０１２５】
次に、上記実施形態の電気光学装置１を用いた有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
【０１２６】
図１４ないし図２６は、有機ＥＬ装置の製造プロセスと共にその構造を表している。この製造プロセスは、バンク部形成工程と、プラズマ処理工程と、正孔注入／輸送層形成工程及び発光層形成工程からなる発光素子形成工程と、対向電極形成工程と、封止工程とを具備して構成されている。
【０１２７】
バンク部形成工程では、基板５０１に予め形成した回路素子部５０２上及び電極５１１（画素電極ともいう）上の所定の位置に、無機物バンク層５１２ａと有機物バンク層５１２ｂを積層することにより、開口部５１２ｇを有するバンク部５１２を形成する。このように、バンク部形成工程には、電極５１１の一部に、無機物バンク層５１２ａを形成する工程と、無機物バンク層の上に有機物バンク層５１２ｂを形成する工程が含まれる。
【０１２８】
まず無機物バンク層５１２ａを形成する工程では、図１４に示すように、回路素子部５０２の第２層間絶縁膜５４４ｂ上及び画素電極５１１上に、無機物バンク層５１２ａを形成する。無機物バンク層５１２ａを、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって層間絶縁層５１４及び画素電極５１１の全面にＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機物膜を形成する。
【０１２９】
次にこの無機物膜をエッチング等によりパターニングして、電極５１１の電極面５１１ａの形成位置に対応する下部開口部５１２ｃを設ける。このとき、無機物バンク層５１２ａを電極５１１の周縁部と重なるように形成しておく必要がある。このように、電極５１１の周縁部（一部）と無機物バンク層５１２ａとが重なるように無機物バンク層５１２ａを形成することにより、発光層５１０の発光領域を制御することができる。
【０１３０】
次に有機物バンク層５１２ｂを形成する工程では、図１５に示すように、無機物バンク層５１２ａ上に有機物バンク層５１２ｂを形成する。有機物バンク層５１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりエッチングして、有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄを形成する。上部開口部５１２ｄは、電極面５１１ａ及び下部開口部５１２ｃに対応する位置に設けられる。
【０１３１】
上部開口部５１２ｄは、図１５に示すように、下部開口部５１２ｃより広く、電極面５１１ａより狭く形成することが好ましい。これにより、無機物バンク層５１２ａの下部開口部５１２ｃを囲む第１積層部５１２ｅが、有機物バンク層５１２ｂよりも電極５１１の中央側に延出された形になる。このようにして、上部開口部５１２ｄ、下部開口部５１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層５１２ａ及び有機物バンク層５１２ｂを貫通する開口部５１２ｇが形成される。
【０１３２】
次にプラズマ処理工程では、バンク部５１２の表面と画素電極の表面５１１ａに、親インク性を示す領域と、撥インク性を示す領域を形成する。このプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、バンク部５１２の上面（５１２ｆ）及び開口部５１２ｇの壁面並びに画素電極５１１の電極面５１１ａを親インク性を有するように加工する親インク化工程と、有機物バンク層５１２ｂの上面５１２ｆ及び上部開口部５１２ｄの壁面を、撥インク性を有するように加工する撥インク化工程と、冷却工程とに大別される。
【０１３３】
まず、予備加熱工程では、バンク部５１２を含む基板５０１を所定の温度まで加熱する。加熱は、例えば基板５０１を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基板５０１を加熱することにより行う。具体的には、基板５０１の予備加熱温度を、例えば７０〜８０℃の範囲とすることが好ましい。
【０１３４】
つぎに、親インク化工程では、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処理）を行う。このＯ₂プラズマ処理により、図１６に示すように、画素電極５１１の電極面５１１ａ、無機物バンク層５１２ａの第１積層部５１２ｅ及び有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄの壁面ならびに上面５１２ｆが親インク処理される。この親インク処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親インク性が付与される。図１６では、親インク処理された部分を一点鎖線で示している。
【０１３５】
つぎに、撥インク化工程では、大気雰囲気中で４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ₄プラズマ処理）を行う。ＣＦ₄プラズマ処理により、図１７に示すように、上部開口部５１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上面５１２ｆが撥インク処理される。この撥インク処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥インク性が付与される。図１７では、撥インク性を示す領域を一点鎖線で示している。
【０１３６】
次に、冷却工程では、プラズマ処理のために加熱された基板５０１を室温、またはインクジェット工程（液滴吐出工程）の管理温度まで冷却する。プラズマ処理後の基板５０１を室温、または所定の温度（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程を一定の温度で行うことができる。
【０１３７】
次に発光素子形成工程では、画素電極５１１上に正孔注入／輸送層及び発光層を形成することにより発光素子を形成する。発光素子形成工程には、４つの工程が含まれる。即ち、正孔注入／輸送層を形成するための第１組成物を各前記画素電極上に吐出する第１液滴吐出工程と、吐出された前記第１組成物を乾燥させて前記画素電極上に正孔注入／輸送層を形成する正孔注入／輸送層形成工程と、発光層を形成するための第２組成物を前記正孔注入／輸送層の上に吐出する第２液滴吐出工程と、吐出された前記第２組成物を乾燥させて前記正孔注入／輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程とが含まれる。
【０１３８】
まず、第１液滴吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を電極面５１１ａ上に吐出する。なお、この第１液滴吐出工程以降は、水、酸素の無い窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。（なお、画素電極上にのみ正孔注入／輸送層を形成する場合は、有機物バンク層に隣接して形成される正孔注入／輸送層は形成されない）
【０１３９】
図１８に示すように、インクジェットヘッド（機能液滴吐出ヘッド）Ｈに正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを下部開口部５１２ｃ内に位置する電極面５１１ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された第１組成物滴５１０ｃを電極面５１１ａ上に吐出する。
【０１４０】
ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、Ｒ・Ｇ・Ｂの各発光層５１０ｂに対して同じ材料を用いても良く、発光層毎に変えても良い。
【０１４１】
図１８に示すように、吐出された第１組成物滴５１０ｃは、親インク処理された電極面５１１ａ及び第１積層部５１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。電極面５１１ａ上に吐出する第１組成物量は、下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、第１組成物滴５１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面５１１ａ上に吐出しても良い。
【０１４２】
次に正孔注入／輸送層形成工程では、図１９に示すように、吐出後の第１組成物を乾燥処理及び熱処理して第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層５１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、第１組成物滴５１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層５１２ａ及び有機物バンク層５１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
【０１４３】
これにより図１９に示すように、乾燥処理によって電極面５１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部５１０ａが形成される。電極面５１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面５１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部５１０ａが形成される。
【０１４４】
次に第２液滴吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。この第２液滴吐出工程では、正孔注入／輸送層５１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層５１０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
【０１４５】
しかしその一方で正孔注入／輸送層５１０ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層５１０ａと発光層５１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層５１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。そこで、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層５１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層を形成する前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【０１４６】
そこでまず、表面改質工程について説明する。表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質用溶媒を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層５１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
【０１４７】
例えば、インクジェット法による塗布は、図２０に示すように、インクジェットヘッドＨに、表面改質用溶媒を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを基板（すなわち、正孔注入／輸送層５１０ａが形成された基板）に対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルＨから表面改質用溶媒５１０ｄを正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出することにより行う。そして、図２１に示すように、表面改質用溶媒５１０ｄを乾燥させる。
【０１４８】
次に第２液滴吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。図２２に示すように、インクジェットヘッドＨに、青色（Ｂ）発光層形成材料を含有する第２組成物を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層５１０ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された第２組成物滴５１０ｅとして吐出し、この第２組成物滴５１０ｅを正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。
【０１４９】
発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
【０１５０】
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層５１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。このような非極性溶媒を発光層５１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層５１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【０１５１】
図２２に示すように、吐出された第２組成物５１０ｅは、正孔注入／輸送層５１０ａ上に広がって下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。第２組成物５１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、各回毎に第２組成物量を変えても良い。
【０１５２】
次に発光層形成工程では、第２組成物を吐出した後に乾燥処理及び熱処理を施して、正孔注入／輸送層５１０ａ上に発光層５１０ｂを形成する。乾燥処理は、吐出後の第２組成物を乾燥処理することにより第２組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発して、図２３に示すような青色（Ｂ）発光層５１０ｂを形成する。
【０１５３】
続けて、図２４に示すように、青色（Ｂ）発光層５１０ｂの場合と同様にして、赤色（Ｒ）発光層５１０ｂを形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層５１０ｂを形成する。なお、発光層５１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
【０１５４】
次に対向電極形成工程では、図２５に示すように、発光層５１０ｂ及び有機物バンク層５１２ｂの全面に陰極５０３（対向電極）を形成する。なお，陰極５０３は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高いものが好ましい。これらの陰極（陰極層）５０３は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、発光層５１０ｂの熱による損傷を防止できる点で好ましい。
【０１５５】
また、フッ化リチウムは、発光層５１０ｂ上のみに形成しても良く、更に青色（Ｂ）発光層５１０ｂ上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層５１０ｂ、５１０ｂには、ＬｉＦからなる上部陰極層５０３ｂが接することとなる。また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、陰極５０３上に、酸化防止のためにＳｉＯ₂、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１５６】
最後に、図２６に示す封止工程では、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で、有機ＥＬ素子５０４上に封止用基板５０５を積層する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極５０３にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極５０３に侵入して陰極５０３が酸化されるおそれがあるので好ましくない。そして最後に、フレキシブル基板の配線に陰極５０３を接続するとともに、駆動ＩＣに回路素子部５０２の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置５００が得られる。
【０１５７】
【発明の効果】
以上のように、本発明のチャンバ装置によれば、チャンバルーム内が不活性ガスで満たされている場合は元より、大気置換時に排気不良等で不活性ガスが残留している場合は、着脱パネル体がロック制御されているため、誤って着脱パネル体が開放されてしまうのを確実に防止し、ひいては作業者の酸欠を防止することができる。
【０１５８】
また、本発明の電気光学装置および有機ＥＬ装置によれば、良好な不活性ガスの雰囲気中でワーク処理を行うことができ、且つ安全な大気の雰囲気中でワーク処理装置のメンテナンス等を行うことができる。また、大気置換を短時間で行うことができる。さらに、高品質で且つ信頼性の高い有機ＥＬ装置を、低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の外観斜視図である。
【図２】実施形態に係る描画装置の外観斜視図である。
【図３】実施形態に係る描画装置の外観正面図である。
【図４】実施形態に係る描画装置の外観側面図である。
【図５】実施形態に係る描画装置の外観平面図である。
【図６】実施形態に係る描画装置の液滴吐出装置の模式図である。
【図７】実施形態に係るチャンバ装置のシステム系統図である。
【図８】実施形態に係るチャンバ装置の平面図である。
【図９】実施形態に係るチャンバ装置の正面図である。
【図１０】実施形態に係るチャンバ装置の右側面図である。
【図１１】実施形態に係るチャンバ装置の左側面図である。
【図１２】実施形態に係るチャンバ装置の背面図である。
【図１３】実施形態に係るチャンバ装置の着脱パネルユニットの横断面図（ａ）および横断面図（ｂ）である。
【図１４】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるバンク部形成工程（無機物バンク）の断面図である。
【図１５】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるバンク部形成工程（有機物バンク）の断面図である。
【図１６】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるプラズマ処理工程（親水化処理）の断面図である。
【図１７】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるプラズマ処理工程（撥水化処理）の断面図である。
【図１８】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における正孔注入層形成工程（液滴吐出）の断面図である。
【図１９】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における正孔注入層形成工程（乾燥）の断面図である。
【図２０】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における表面改質工程（液滴吐出）の断面図である。
【図２１】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における表面改質工程（乾燥）の断面図である。
【図２２】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるＢ発光層形成工程（液滴吐出）の断面図である。
【図２３】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるＢ発光層形成工程（乾燥）の断面図である。
【図２４】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるＲ・Ｇ・Ｂ発光層形成工程の断面図である。
【図２５】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における対向電極形成工程の断面図である。
【図２６】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における封止工程の断面図である。
【図２７】実施形態に係るチャンバ装置の制御系のブロック図である。
【図２８】第二実施形態に係るチャンバ装置のシステム系統図である。
【符号の説明】
１電気光学装置２描画装置
３チャンバ装置４機能液滴吐出ヘッド
６液滴吐出装置１１チャンバルーム
１２電気室１３機械室
１７Ｘ軸テーブル１８Ｙ軸テーブル
２０ヘッドユニット１０１ガス導入ユニット
１０２排気ダクト１１３前部着脱パネルユニット
１１４後部着脱パネルユニット１２１内パネルユニット
１２２外パネルユニット１２４内パネル
１２６外パネル１２９電磁ロック装置
１３０空隙１３１送気口
１３２排気口１３３フィルタチャンバ
１３５フィルタ１３７隔壁
１３８ガス流路１４１ガスダンパーユニット
１４２ガス開閉バルブ１４３ガス調整ダンパー
１４４ガス開閉ダンパー１４７主ガス流路
１５５ガス調和機器１５６クーラ
１５７ヒータ１５８ファン
１６１排気チャンバ１６２排気ダンパーユニット
１６３排気調整ダンパー１６４排気開閉ダンパー
１６６排気パイプ１６７排気バルブ
１７１外気流路１７２外気取入れ口
１７３外気ダンパーユニット１７４外気開閉ダンパー
１７５外気調整ダンパー１７６外気開閉バルブ
３１０ガス精製装置３２０ガス部
３２２ガス往路バルブ３２４ガス返路バルブ
３３０エアー供給部３４０排気部
３５０酸素計測部３５１酸素濃度計
３６０圧力検出部３６１第一圧力センサ
３６２第二圧力センサ３６３オイルバブラー
５００有機ＥＬ装置５０１基板
５０４有機ＥＬ素子５１０ａ正孔注入／輸送層
５１０ｂ発光層Ｗ基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the present invention, the inert gas introduced from the gas supply source is continuously replenished and exhausted to and from the chamber room, thereby forming a fresh atmosphere of the inert gas in the chamber room and supplying the inert gas. The present invention relates to a chamber device capable of introducing outside air into a chamber room in a stopped state, an electro-optical device and an organic EL device including the chamber device.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a chamber apparatus (chamber room) used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like that performs workpiece processing in an inert gas atmosphere, considering the safety of workers in maintenance and loading / unloading of the workpiece (prevention of lack of oxygen, etc.) The atmosphere of the inert gas in the chamber room is replaced with air. Usually, the replacement of the inert gas and the atmosphere in the chamber room is performed by vacuuming the inert gas in the chamber room. After the replacement is completed, the operator enters the room and starts the operation.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in such a conventional chamber apparatus, if the inert gas remains in the chamber room for some reason such as a malfunction of the suction machine, there is a risk that the worker who entered the room will run out of oxygen. It was.
[0004]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chamber device that can reliably prevent an oxygen deficiency of an operator entering the chamber room, an electro-optical device and an organic EL device including the chamber device.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In the chamber apparatus of the present invention, the inert gas introduced from the gas supply source is continuously replenished and exhausted to and from the chamber room, thereby forming a fresh atmosphere of the inert gas in the chamber room and the inert gas. A chamber apparatus capable of introducing outside air into the chamber room in a state in which replenishment of air is stopped, and which accommodates an ink jet drawing apparatus and has a clean room configuration, replenishes the chamber room with an inert gas. And a gas supply channel provided with a gas damper, an exhaust channel provided with an exhaust damper while exhausting the atmosphere in the chamber room, an oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room, and the chamber room A detachable panel body mounted in the opening of the hood, an electromagnetic lock mechanism for locking the detachable panel body, and an electromagnetic lock. Lock control means for controlling locking / unlocking of the mechanism, and the lock control means unlocks the electromagnetic lock mechanism when the measurement result of the oxygen concentration measurement means exceeds a predetermined value when the outside air is introduced. It is characterized by that.
[0006]
This chamber apparatus is controlled to unlock the electromagnetic lock mechanism when the oxygen concentration in the chamber room exceeds a predetermined value. That is, the atmosphere is replaced by introducing the outside air and exhausting the inert gas in the chamber room (outside air introduction). At the time of this atmosphere replacement, when the atmosphere in the chamber room exceeds a predetermined oxygen concentration, The detachable panel body can be removed. Therefore, if the inside of the chamber room is filled with inert gas, the detachable panel body is locked when the inert gas remains due to poor exhaust during atmospheric replacement, etc. It is possible to prevent the detachable panel body from being opened, and thus it is possible to reliably prevent the operator from lacking oxygen.
The predetermined oxygen concentration usually means an oxygen concentration (about 20%) that allows humans to breathe.
[0007]
In this case, a damper control means for controlling the gas damper and a panel sensor for detecting whether the detachable panel body is attached or not are further provided, and the damper control means detects that the detachable panel body is not attached by the panel sensor. In this case, it is preferable to control the closing of the gas damper.
[0008]
According to this configuration, when the detachable panel body is not attached by the panel sensor, the gas damper is controlled to be closed, so that the inert gas is not introduced in a state where the detachable panel body is opened. Therefore, leakage of the inert gas into the atmosphere can be prevented.
[0009]
In this case, if the measurement result of the oxygen concentration measuring means is less than a predetermined value when the outside air is introduced, and if the panel sensor detects that the detachable panel body is not attached at the time of supplying the inert gas, an error notification that performs error notification is performed. Preferably, the means further includes.
[0010]
According to this configuration, when the oxygen concentration is equal to or lower than the predetermined value when the outside air is introduced, and when the attachment of the detachable panel body is detected during the supply of the inert gas, an error notification is performed, so that there is no error in the chamber room. An operator does not accidentally enter the chamber room while being filled with the active gas. That is, it is possible to more reliably prevent the operator from lacking oxygen by the double interlock of the electromagnetic lock mechanism and the panel sensor.
[0011]
In these cases, the panel sensor is preferably a proximity sensor.
[0012]
According to this configuration, it is possible to reliably detect the mounting and non-mounting of the detachable panel body with a simple device configuration.
[0013]
In these cases, the detachable panel body is preferably composed of an outer panel and an inner panel that face each other with a gap.
[0014]
According to this configuration, by making the detachable panel body a double structure of the outer panel and the inner panel, it is possible to prevent leakage of the inert gas as much as possible.
[0015]
In this case, one end portion communicates with the gap between the inner and outer panels, and the other end portion communicates with the exhaust passage on the upstream side of the exhaust damper and the panel body exhaust passage. It is preferable to further include the panel body exhaust damper.
[0016]
According to this configuration, even if the inert gas leaks from the inner panel and accumulates in the gap between the outer panel, the leaked inert gas passes through the panel body exhaust passage during atmospheric replacement. Since it flows through the exhaust passage, it is possible to prevent the inert gas from remaining in the gap between the inner and outer panels.
[0017]
Another chamber apparatus of the present invention is a chamber apparatus that constitutes a fresh atmosphere of inert gas in the chamber room by continuously supplying and exhausting the inert gas introduced from the gas supply source to the chamber room. A gas supply passage that replenishes the chamber room with an inert gas and that is provided with a gas damper; an exhaust passage that exhausts the atmosphere in the chamber room and is provided with an exhaust damper; and a gas supply passage. And wind speed measuring means respectively disposed in the exhaust flow path, and error notifying means for notifying an error when the difference between the measurement results of the two wind speed measuring means exceeds a predetermined value. To do.
[0018]
According to this configuration, when the difference in wind force measured by the two wind speed measuring means respectively disposed in the gas supply flow path and the exhaust flow path exceeds a predetermined value, error notification is performed, whereby the inert gas Can be confirmed.
[0019]
In this case, a damper control means for controlling the gas damper and the exhaust damper, and a pressure detection means for detecting the pressure in the chamber room are further provided. The damper control means controls the exhaust damper, and the detection result of the pressure detection means. It is preferable to control the exhaust flow rate so that becomes a predetermined value.
[0020]
According to this configuration, the exhaust flow rate is controlled by the exhaust damper so that the detection result of the pressure detection means becomes a predetermined value, that is, the chamber room is always controlled to be somewhat positive with respect to the atmospheric pressure. Therefore, it is possible to reliably prevent the outside air from entering the chamber room.
[0021]
In this case, oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room is further provided, and the damper control means controls the gas damper and controls the replenishment flow rate so that the detection result of the oxygen concentration measuring means becomes a predetermined value. It is preferable.
[0022]
According to this configuration, since the replenishment flow rate is controlled by the gas damper so that the detection result of the oxygen concentration measuring means becomes a predetermined value, the atmosphere in the chamber room can be kept at a stable oxygen concentration.
[0023]
Another chamber apparatus of the present invention is a chamber apparatus that forms a fresh atmosphere of an inert gas in the chamber room by circulating an inert gas between the chamber room and the gas purification apparatus. Gas forward path and gas return path communicating with the device and the chamber room, gas forward valve and gas return valve respectively provided in the gas forward path and gas return path, upstream of the gas forward valve and downstream of the gas return valve And a bypass passage having an open / close valve and communicating with the side.
[0024]
According to this configuration, the inert gas is circulated between the chamber room and the gas purifier, so that a small amount of inert gas is used in the chamber room as compared with the case where continuous replenishment and exhaustion are performed. An atmosphere can be configured. In addition, since it has a bypass flow path that connects the upstream side of the gas forward valve and the downstream side of the gas return valve and is provided with an open / close valve, when stopping the supply of inert gas to the chamber room, The inert gas purified by the gas purifier can be circulated by closing the gas forward valve and the gas return valve and opening the open / close valve. Thereby, it can prevent that the inside of a gas purification apparatus becomes a positive pressure by storage of the refined inert gas. Therefore, the supply of the inert gas to the chamber room can be stopped without imposing a burden on the gas purification apparatus.
[0025]
In this case, the apparatus may further include an air supply flow path that supplies compressed air to the chamber room and includes an air supply valve, and an exhaust flow path that exhausts the atmosphere from the chamber room and includes an exhaust valve. preferable.
[0026]
According to this configuration, air replacement can be performed by opening the air supply valve and supplying compressed air to the chamber room in a state where the exhaust passage is opened by the exhaust valve. Further, by supplying the compressed air, the inert gas in the chamber room acts to be pushed out to the exhaust passage, so that the air replacement can be performed quickly and efficiently.
[0027]
In this case, valve control means for controlling the air supply valve and the exhaust valve is further provided. The valve control means controls both valves when the inert gas is introduced, and controls both valves when the compressed air is supplied. preferable.
[0028]
According to this configuration, when the inert gas is introduced, the air supply valve and the exhaust valve are closed and controlled so that only the inert gas is introduced into the chamber room. can do. In addition, when the air is supplied, the air supply valve and the exhaust valve are controlled to be opened, so that the air replacement can be performed quickly and efficiently.
[0029]
In this case, oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room is further provided, and the valve control means can control to close the air supply valve when the measurement result of the oxygen concentration measuring means exceeds a predetermined value. preferable.
[0030]
According to this configuration, since the air supply valve is controlled to be closed when the oxygen concentration exceeds a predetermined value, excessive air supply to the chamber room can be prevented.
[0031]
In this case, it is preferable that the oxygen concentration measuring means is interposed in a circulation flow path that is continuous with the chamber room.
[0032]
According to this configuration, since the oxygen concentration measuring means is interposed in the circulation flow path connected to the chamber room, the degree of freedom of the configuration of the processing apparatus accommodated in the chamber room is not impaired. Further, since the oxygen concentration is measured by circulating the atmosphere in the chamber room, stable measurement can be performed without being affected by the accommodated processing apparatus.
[0033]
In this case, it further comprises an outward valve and a return valve respectively provided in the circulation forward path and the circulation return path of the circulation flow path, and an oxygen measurement valve control means for controlling the forward path valve and the return valve, and oxygen measurement valve control It is preferable that the means controls opening of the forward valve and the return valve when compressed air is supplied.
[0034]
According to this configuration, the oxygen concentration can be measured by controlling the opening of the forward valve and the return valve when the air is supplied, that is, when it is necessary to measure the oxygen concentration. That is, when there is no need to measure the oxygen concentration, these are closed and the circulation of the atmosphere in the chamber room is stopped, so that wasteful power consumption for measuring the oxygen concentration can be suppressed.
[0035]
In these cases, when introducing the inert gas, the exhaust gas from the gas purifier is exhausted and a gas exhaust passage having a gas exhaust valve is further provided, and the gas exhaust valve is controlled by the valve control means. Is preferred.
[0036]
According to this configuration, when the inert gas is introduced, the inert gas is circulated between the chamber room and the gas purification device efficiently and safely by appropriately exhausting the exhaust gas from the gas purification device. Can do.
[0037]
In this case, the chamber room and the gas purifier are directly connected to each other, and further provided with a sub-gas flow path provided with a first pressure detecting means for detecting the pressure in the chamber room, the valve control means is provided when the inert gas is introduced. When the detection result by the first pressure detection means is equal to or greater than a predetermined value, it is preferable to control the opening of the gas exhaust valve.
[0038]
According to this configuration, when the inert gas is introduced, if the pressure in the chamber room is equal to or higher than a predetermined value, the gas exhaust valve is controlled to be opened so that the atmosphere in the chamber room can be changed to the gas exhaust flow path via the sub gas flow path. Can be exhausted. That is, it is possible to suppress an excessive pressure increase in the chamber room when introducing the inert gas.
[0039]
In these cases, second pressure detection means for detecting the pressure in the chamber room is further provided, and the valve control means is configured to supply an air supply valve when the detection result by the second pressure detection means is equal to or greater than a predetermined value when compressed air is supplied. It is preferable to control occlusion.
[0040]
According to this configuration, when the air pressure is supplied and the chamber room internal pressure is equal to or higher than a predetermined value, the air supply valve is controlled to be closed, so that an excessive pressure increase in the chamber room can be suppressed.
[0041]
In these cases, it is preferable to further include an oil bubbler that discharges the atmosphere in the chamber room to the outside when the pressure in the chamber room reaches a predetermined pressure value or more.
[0042]
According to this configuration, the liquid level management by the oil bubbler can be discharged to the outside of the atmosphere in the chamber room when a predetermined pressure value is exceeded. That is, an excessive pressure rise in the chamber room can be suppressed by simple control.
[0043]
In these cases, it is preferable to further include an error notification unit that performs error notification when the measured value by the oxygen concentration measurement unit decreases during the supply of compressed air.
[0044]
According to this configuration, when supplying compressed air, if the oxygen concentration in the chamber room decreases, an error notification is given, so that the oxygen concentration is not sufficiently increased (the inert gas remains). No one enters the room. Therefore, it is possible to reliably prevent the operator from lacking oxygen.
[0045]
In these cases, a timer for counting the opening control time of the air supply valve and the exhaust valve is further provided, and the valve control means is configured to supply the compressed air and the air supply valve and the exhaust valve after a predetermined time is counted by the timer. It is preferable to control occlusion.
[0046]
According to this configuration, when supplying compressed air, the air supply valve and the exhaust valve are always controlled to be opened for a certain period of time. That is, even when the oxygen concentration measuring means does not operate normally, the air supply and the exhaust of the inert gas are performed during the time when the oxygen concentration is assumed to rise to a sufficient concentration, so that the atmosphere is surely replaced. be able to. Therefore, it is possible to more reliably prevent the operator from lacking oxygen.
[0048]
An electro-optical device according to the present invention includes any one of the chamber devices described above and a drawing device accommodated in the chamber device.
[0049]
According to this configuration, the drawing process can be performed in a good inert gas atmosphere, and the drawing apparatus can be maintained in a safe air atmosphere.
[0050]
In this case, it is preferable that the drawing apparatus is an apparatus for manufacturing an organic EL device.
[0051]
According to this configuration, since the introduction of the inert gas and the air supply can be performed quickly, the influence on the tact time (work processing) can be minimized.
[0052]
In this case, the organic EL device manufacturing apparatus relatively scans the functional liquid droplet ejection head into which the light emitting functional material is introduced with respect to the substrate, which is a workpiece, and selectively ejects the light emitting functional material, so that a large number on the substrate. It is preferable to have a droplet discharge device that forms an organic EL functional layer in the pixel region.
[0053]
According to this configuration, since the step of forming the organic EL functional layer by discharging the light emitting functional material can be performed in a good inert gas atmosphere, the light emitting functional material is effectively prevented from being altered or damaged. be able to. In addition, since the atmosphere can be reliably replaced, the maintainability of the droplet discharge device is not impaired.
[0054]
In these cases, the inert gas is preferably nitrogen, carbon dioxide, helium, neon, argon, krypton, xenon, or radon.
[0055]
According to this configuration, an atmosphere of nitrogen, carbon dioxide, helium, neon, argon, krypton, xenon, radon, or the like can be configured in the chamber room according to the processing content of the drawing apparatus to be accommodated.
[0056]
The organic EL device of the present invention is manufactured by any one of the electro-optical devices described above.
[0057]
According to this configuration, an organic EL device with high quality and high yield can be provided at low cost.
[0058]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Inkjet heads (functional droplet ejection heads) of inkjet printers can eject minute ink droplets (droplets) with high accuracy in the form of dots. For example, special ink for functional droplets (ejection target liquid) By using a light-emitting or photosensitive resin, etc., application to the field of manufacturing various parts is expected.
[0059]
The electro-optical device according to the present embodiment is applied to a so-called flat display manufacturing device such as an organic EL device, for example. In an inert gas atmosphere, a functional liquid such as a luminescent material is discharged from the plurality of functional liquid droplet ejection heads. By discharging (inkjet method), an EL light emitting layer and a hole injection layer of each pixel that perform the light emitting function of the organic EL device are formed.
[0060]
Therefore, in the present embodiment, an electro-optical device applied to an organic EL device manufacturing apparatus will be described, and the structure and manufacturing method (manufacturing process) of the organic EL device manufactured thereby will be described.
[0061]
As shown in FIG. 1, the electro-optical device 1 according to the embodiment includes a drawing device 2 and a chamber device 3 that houses the drawing device 2, and discharges a luminescent material by a functional liquid droplet discharge head 4 mounted on the drawing device 2. Then, while forming the EL light emitting layer and the hole injection layer of the organic EL device, a series of manufacturing processes including the discharge operation of the functional liquid droplet discharge head 4 is performed by an inert gas (nitrogen gas) configured in the chamber device 3. I try to do it in the atmosphere.
[0062]
As will be described in detail later, the drawing device 2 includes a droplet discharge device 6 and an accompanying device 7 including various devices associated therewith. The chamber apparatus 3 has a so-called clean room configuration in which an electric room 12 and a machine room 13 are provided in the chamber room 11. Nitrogen gas, which is an inert gas, is introduced into the chamber room 11, and the droplet discharge device 6 and the auxiliary device 7 accommodated therein are exposed to an atmosphere of nitrogen gas as a whole. Operate.
[0063]
As shown in FIGS. 2 to 5, the droplet discharge device 6 includes a pedestal 15 installed on the floor, a stone surface plate 16 installed on the gantry 15, an X-axis table 17 installed on the stone surface plate 16, and A Y-axis table 18 orthogonal to this, a main carriage 19 provided so as to be suspended from the Y-axis table 18, and a head unit 20 mounted on the main carriage 19 are provided.
[0064]
The X-axis table 17 includes an X-axis air slider 22 and an X-axis linear motor 23 that constitute a drive system in the X-axis direction, and a θ table 24 and a suction table 25 that sucks the substrate W into air are mounted on the X-axis table 17. It is configured. The Y-axis table 18 includes a pair of Y-axis sliders 27 and 27, a Y-axis ball screw 28, and a Y-axis motor (servo motor) 29 that constitute a drive system in the Y-axis direction. A bridge plate 30 for suspending 19 is mounted and configured.
[0065]
A plurality of functional liquid droplet ejection heads 4 are mounted on the head unit 20 mounted on the main carriage 19 via the sub-carriage. Although not particularly shown in detail, the sub-carriage is equipped with twelve functional liquid droplet ejection heads 4, and each of these six functional liquid droplet ejection heads 4 is vertically divided into two, and is predetermined in the main scanning direction. The angle is inclined (see FIG. 6).
[0066]
In the droplet discharge device 6 of the present embodiment, the substrate W moves in synchronization with the drive of the functional droplet discharge head 4 (selective discharge of the functional droplet). Scanning is performed by a reciprocating motion of the X-axis table 17 in the X-axis direction. Correspondingly, so-called sub-scanning is performed by the forward movement operation of the functional liquid droplet ejection head 4 in the Y-axis direction by the Y-axis table 18.
[0067]
On the other hand, the home position of the head unit 20 is the rear position in FIG. 1, and the head unit 20 is carried or replaced from behind the droplet discharge device 6 (details will be described later). A substrate transfer device (not shown) faces the left side of the drawing, and the substrate W is loaded and unloaded from the left side. The main constituent devices of the accessory device 7 are integrally attached to the front side of the droplet discharge device 6 in the figure.
[0068]
The accessory device 7 includes a cabinet-type common machine base 32 arranged so as to be adjacent to the mount 15 and the stone surface plate 16, an air supply device 33 housed in one half of the common machine base 32, and a vacuum suction. A device 34, a functional liquid supply / recovery device 35 that houses the main device in one half of the common machine base 32, and a maintenance device 36 that houses the main device on the common machine stand 32 are provided. Reference numeral 37 in the figure denotes an intermediate tank of the functional liquid supply / recovery device 35 provided in the functional liquid flow path between the main tank (not shown) and the head unit 20.
[0069]
The pressure supply source of the air supply device 33 and the functional liquid supply / recovery device 35 is configured and used as a drive source of an air pressure actuator in the maintenance device 36 or the like. The vacuum suction device 34 is connected to the suction table 25 and sucks and sets the substrate W by air suction. The functional liquid supply / recovery device 35 supplies the functional liquid to the functional liquid droplet ejection head 4 and recovers the unnecessary functional liquid from the maintenance device 36 or the like.
[0070]
The maintenance device 36 includes a flushing unit 41 that receives periodic flushing of the functional liquid droplet ejection head 4 (discarding and ejecting functional liquid from all ejection nozzles), and a cleaning that performs functional liquid suction and storage of the functional liquid droplet ejection head 4. A unit 42 and a wiping unit 43 for wiping the nozzle forming surface of the functional liquid droplet ejection head 4 are provided. The cleaning unit 42 and the wiping unit 43 are disposed on the common machine base 32, and the flushing unit 41 is mounted on the X-axis table (θ table 24) 17 in the vicinity of the substrate W.
[0071]
Here, with reference to the schematic diagram of FIG. 6, a series of operation | movement of the drawing apparatus 2 which operate | moves in the atmosphere of nitrogen gas in the chamber apparatus 3 is demonstrated easily. First, as a preparation stage, the head unit 20 is carried into the droplet discharge device 6 and set on the main carriage 19. When the head unit 20 is set on the main carriage 19, the Y-axis table 18 moves the head unit 20 to the position of the head recognition camera (not shown), and the position of the head unit 20 is recognized. Here, based on the recognition result, the head unit 20 is θ-corrected, and the position correction of the head unit 20 in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed on the data. After the position correction, the head unit (main carriage 19) 20 returns to the home position.
[0072]
On the other hand, when a substrate (in this case, each introduced substrate) W is introduced onto the suction table 25 of the X-axis table 17, a substrate recognition camera (not shown) recognizes the position of the substrate W at the introduction position. Here, based on the recognition result, the substrate W is θ-corrected by the θ table 24 that supports the suction table 25, and the position correction of the substrate W in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed on the data.
[0073]
When the preparation is completed in this way, in the actual droplet discharge operation, first, the X-axis table 17 is driven, the substrate W is reciprocated in the main scanning direction, and the plurality of functional droplet discharge heads 4 are driven. A selective discharge operation of functional droplets onto the substrate W is performed. After the substrate W is moved back, the Y-axis table 18 is driven, the head unit 20 is moved in the sub-scanning direction by one pitch, the substrate W is reciprocated in the main scanning direction, and the functional liquid droplet ejection head is again moved. 4 is performed. By repeating this several times, droplet discharge is performed from end to end (entire area) of the substrate W. Thereby, the light emitting layer of the organic EL device is formed.
[0074]
On the other hand, in parallel with the above operation, the functional liquid is continuously supplied from the functional liquid supply / recovery device 35 to the head unit (functional liquid droplet ejection head 4) 20 of the liquid droplet ejection device 6 using the air supply device 33 as a pressure supply source. In the suction table 25, air suction is performed by the vacuum suction device 34 in order to suck the substrate W. Further, immediately before the droplet discharge operation, the head unit 20 faces the cleaning unit 42 and the wiping unit 43 to suck the functional liquid from all the discharge nozzles of the functional droplet discharge head 4 and the subsequent nozzle formation surface. Wiping is performed. During the droplet discharge operation, the head unit 20 appropriately faces the flushing unit 41 and the functional droplet discharge head 4 is flushed.
[0075]
In the present embodiment, the substrate W, which is an ejection target, is moved with respect to the head unit 20 in the main scanning direction (X-axis direction). However, the head unit 20 is moved in the main scanning direction. It may be. Alternatively, the head unit 20 may be fixed and the substrate W may be moved in the main scanning direction and the sub-scanning direction.
[0076]
Next, the chamber apparatus 3 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the system diagram of FIG. 7 and the structural diagrams of FIGS. 8 to 13. In the description of the chamber apparatus, the lower side in FIG. 8 is “front”, the upper side is “rear”, the left side is “left”, and the right side is “right”.
[0077]
The chamber apparatus 3 includes a chamber room 11 that accommodates the drawing apparatus 2, an electric room 12 that is provided at the right front of the chamber room 11, and a machine room 13 that is provided at the right rear of the chamber room 11. As the inert gas filled in the chamber room 11, it is preferable to use any one of nitrogen, carbon dioxide, helium, neon, argon, krypton, xenon and radon, but in this embodiment, cost and safety are reduced. Nitrogen (nitrogen gas) is used in consideration.
[0078]
Inert gas (nitrogen gas) is introduced into the machine room 13 from a gas production apparatus (not shown) via the gas introduction unit 101, where it is conditioned and introduced into the chamber room 11. Further, the inert gas in the chamber room 11 is appropriately exhausted from an exhaust duct (exhaust flow path) 102 attached to the left front portion of the chamber room 11 and sent to a gas processing apparatus (not shown). In actual operation, the chamber room 11 is continuously supplied and exhausted with an inert gas, and the atmosphere in the chamber room 11 is constituted by the slightly flowing inert gas.
[0079]
The chamber room 11 is a prefabricated type in which the left side wall 111, the right side wall 112, the front detachable panel unit 113, the rear detachable panel unit 114, the floor wall 115 and the top wall 116 are assembled and sealed together with an air tight material. It is. On the other hand, the droplet discharge device 6 accommodated in the chamber room 11 is accommodated in a posture in which the front-rear direction is the Y-axis direction and the left-right direction is the X-axis direction (see FIG. 1). That is, in consideration of maintenance or the like, the accessory device 7 of the drawing apparatus 2 faces the front detachable panel unit 113, and the home position side of the head unit 20 is located on the rear detachable panel unit 114 in consideration of carrying of the head unit 20 or the like. Facing. Further, a delivery opening 117 with a shutter for carrying in / out the substrate W is formed in the left side wall 111 (see FIG. 11).
[0080]
Each of the front detachable panel unit 113 and the rear detachable panel unit 114 has a double structure of an inner panel unit 121 and an outer panel unit 122. The inner panel unit 121 includes a frame 123 having a vertical frame 123a in the middle between the left and right, and a pair of inner panels 124 with windows that are detachably attached to left and right openings (maintenance openings) formed by the vertical frame 123a. 124 (see FIG. 13). In addition to the left and right handles, each inner panel 124 is provided with a plurality of lock levers (all of which are not shown). The inner panel 124 is applied to the frame 123 in a steadily manner, and the plurality of locks. The lever is airtightly attached to the frame body 123.
[0081]
Similarly, the outer panel unit 122 has a pair of outer panels with windows that are detachably attached to a frame body 125 having a vertical frame 125a in the middle of the left and right, and left and right openings (maintenance openings) formed by the vertical frame 125a. It consists of panels 126 and 126 (see FIG. 13). Each outer panel 126 is provided with a plurality of lock levers 128 in addition to the left and right handles 127, 127. In this case as well, the outer panel 126 is applied to the frame body in a steadily manner and the plurality of lock levers 128 are provided. The lever 128 is airtightly attached to the frame body 125. The outer panel unit 122 is formed to be somewhat wider and somewhat longer than the inner panel unit 121 so that it does not interfere with the attaching and detaching operations of the inner and outer panels 121 and 122 (FIG. 13). reference).
[0082]
In addition, a plurality of electromagnetic locking devices 129 are incorporated in the upper and lower panels 124 and 126 so that the inner and outer panels 124 and 126 can be locked and unlocked according to the oxygen concentration in the chamber room 11. It has become. In addition, a plurality of panel sensors (proximity sensors) 211 for detecting whether or not both panels 124 and 126 are mounted are provided in proximity to the inner and outer panels 124 and 126 (see FIG. 27). The detection result by each panel sensor 211 is displayed on the display 251 so that the operator can check it. Further, when the inside of the chamber room 11 is below a predetermined oxygen concentration (usually, an oxygen concentration of about 20% is set) during normal operation for introducing an inert gas and during atmospheric substitution, the panel sensor 211 detects each panel 124. 126 is detected, an error is displayed on the display 251 and a warning is given by the indicator lamp 252. At this time, a warning sound is simultaneously emitted and the gas opening / closing damper 144 is closed and the gas supply is stopped.
[0083]
In this way, by notifying the error by the display display, the indicator lamp 252 and the like, the operator can confirm that the inner and outer panels 124 and 126 are not installed, and thus gas is prevented from leaking into the atmosphere. be able to. In addition, this prevents the worker from accidentally entering the chamber room 11 in a state where the inert gas is filled in the chamber room 11, so that the worker's oxygen deficiency can be reliably prevented. That is, as described above, the front detachable panel unit 113 and the rear detachable panel unit 114 are double-interlocked by the electromagnetic lock device 129 and the panel sensor 211.
[0084]
An air supply port 131 connected to the machine room 13 is formed in the rear upper part of the right side wall 112, and an exhaust port 132 connected to the exhaust duct 102 is formed in the front lower part of the left side wall 111 correspondingly. Further, a filter chamber 133 connected to the air supply port 131 is formed in the ceiling portion of the chamber room 11. The filter chamber 133 is configured by horizontally partitioning the ceiling portion with a grid-like filter mounting frame 134, and a plurality (four) of filters (HEPA filters) 135 are mounted on the filter mounting frame 134 (see FIG. 8). ).
[0085]
The inert gas flowing in from the air supply port 131 flows into the filter chamber 133, passes through the plurality of filters 135, and flows into the upper part of the droplet discharge device 6. In this case, the inert gas flowing in from the air supply port 131 passes through the filter (filter chamber 133) 135, but the main body of the airflow flows almost diagonally in the chamber room 11 and reaches the exhaust port 132. It is like that. An area in which the droplet discharge device 6 performs a droplet discharge operation, that is, a discharge area, faces the main flow path of the diagonal airflow.
[0086]
That is, in the chamber room 11, the main flow of inert gas flows so as to wrap around the discharge area, and the entire air flow flows down from the filter and then flows toward the exhaust port 132. As a result, the discharge area is always exposed to a fresh inert gas atmosphere. Needless to say, the flow velocity of the airflow in this case is adjusted to such an extent that the flight of the functional liquid droplets ejected from the functional liquid droplet ejection head 4 does not occur.
[0087]
A gas introduction unit 101 connected to a gas production apparatus (not shown) is provided at the upper part of the machine room 13, and the interior of the machine room 11 is appropriately partitioned by a partition wall 137, and the above-described air supply unit 101 A gas flow path 138 reaching the port 131 is formed. That is, a duct serving as a gas flow path 138 is integrally formed in the machine chamber 13.
[0088]
The gas introduction unit 101 includes, in order from the upstream side, a gas damper unit including a gas opening / closing valve (electromagnetic valve) 142, a gas adjustment damper (electric valve: high airtight motor damper) 143, and a gas opening / closing damper (high airtight motor damper) 144. 141 is incorporated (see FIG. 7). As described above, the chamber apparatus 3 according to the embodiment has an operation mode in which replenishment and exhaust of the inert gas are continuously performed, and the gas on-off valve 142 and the gas on-off damper 144 are in an “open” state. The replenishment flow rate of the inert gas is adjusted by the gas adjustment damper 143. Further, in the atmosphere replacement operation described later, the gas on-off valve 142, the gas adjustment damper 143, and the gas on-off damper 144 are all controlled to be “closed”.
[0089]
A gas flow path 138 configured inside the machine room 13 extends from the gas introduction unit 101 to the lower part of the machine room 13, and makes a U-turn to reach the upper air supply port 131. And the gas harmony device 155 mentioned later is integrated in the flow path part which goes upwards among this gas flow path 138. As shown in FIG.
[0090]
Further, as shown in FIG. 7, the gas flow path 138 is branched on the downstream side of the gas introduction unit 101, and passes through the gas conditioner 155 from the gas introduction unit 101 to the air supply port 131. The gas flow path 147 and the other bypass flow path 148 from the gas introduction unit 101 directly to the air supply port 131 are configured. The main gas flow path 147 and the bypass flow path 148 are respectively provided with manual dampers 149 and 150 for switching the flow paths, and these manual dampers 149 and 150 are adjusted only at the time of initial adjustment when the chamber apparatus 3 is installed. Is done.
[0091]
Although only shown in FIG. 7, a return flow path (return port) 151 is formed in the chamber room 11, and the return gas in the chamber room 11 is returned to the machine room 13 through the return flow path 151. , It joins the main gas flow path 147 on the upstream side of the gas conditioner 155. However, this return is preliminary and no return operation is performed during normal operation.
[0092]
A gas conditioner 155 including a cooler (chilling unit) 156, a heater (electric heater) 157, and two fans (sirocco fans) 158 and 158 is interposed in the main gas flow path 147. The cooler 156 and the heater 157 are disposed adjacent to the upper and lower intermediate positions of the machine room, and constitute a temperature adjusting device. Thereby, the atmosphere of the inert gas in the chamber room 11 is maintained at a predetermined temperature, for example, 20 ° C. ± 0.5 ° C. in the embodiment.
[0093]
The fan 158 is provided in the upper part of the machine room 13 and close to the air supply port 131. The inert gas introduced from the gas introduction unit 101 is forcibly supplied into the chamber room 11 through the air supply port 131 by the fan 158. The fan 158 controls the replenishment amount of the inert gas into the chamber room 11 and the flow velocity of the airflow in the chamber room 11.
[0094]
The exhaust duct 102 constituting the exhaust passage has an exhaust chamber 161 in the vicinity of the exhaust port 132, rises from the exhaust chamber 161, and further extends horizontally along the upper surface of the chamber room 11. An exhaust damper unit 162 including an exhaust adjustment damper 163 and an exhaust opening / closing damper 164 is interposed downstream of the exhaust duct 102 (portion located on the upper surface of the chamber room 11) (see FIG. 7). Thus, the exhaust flow rate is adjusted.
[0095]
The exhaust chamber 161 is connected to two exhaust pipes (panel body exhaust passages) 166 and 166 extending from the front detachable panel unit 113 and the rear detachable panel unit 114 (FIGS. 8 and 8). 9 and FIG. 11). An upstream end of each exhaust pipe communicates with a gap 130 between the inner panel unit 121 and the outer panel unit 122, and an exhaust valve (panel body exhaust damper) 167 is interposed in each exhaust pipe 166. Yes. As a result, the inert gas leaking into the gap 130 of both the inner and outer panel units 113 and 114 can be exhausted (details will be described later).
[0096]
On the other hand, on the upstream side of the gas conditioner 155, the main gas flow path 147 is joined by an outside air flow path 171 configured in the machine room 13 by a partition wall 137 (see FIG. 7). The outside air inlet 172 of the outside air channel 171 is open on the lower side surface of the machine room 13, and the downstream end of the outside air channel 171 joins the main gas channel 147 on the upstream side of the cooler 156. In addition, an outside air damper unit 173 including an outside air opening / closing damper 174, an outside air adjusting damper 175, and an outside air opening / closing valve 176 is interposed in the outside air flow path 171 in order from the outside air intake port 172 side.
[0097]
In this case, the outside air opening / closing damper 174 and the outside air adjusting damper 175 are constituted by high airtight dampers, and the outside air opening / closing valve 176 is constituted by an electromagnetic valve (electric two-way valve). As will be described in detail later, when the outside air replacement operation is performed, the outside air opening / closing damper 174, the outside air adjusting damper 175, and the outside air opening / closing valve 176 are all controlled to be “open”, and the outside air adjusting damper 175 adjusts the flow rate of outside air. Is called. Further, during normal power transfer, the dampers 174 and 175 and the valve 176 are all controlled to be “closed”, and the entry of outside air is surely blocked by their high airtightness and number.
[0098]
Next, the control configuration of the chamber apparatus 3 will be briefly described. As shown in the block diagram of FIG. 27, the chamber device 3 includes a temperature controller 189, an oxygen concentration meter 182, 191, a pressure gauge 187, a moisture meter 183, wind speed monitors 188a and 188b, and a panel sensor 211, and performs various detections. A detection unit 210 that performs the above operation, a panel unit 220 that has an electromagnetic locking device 129 and locks / unlocks the detachable panel units 113 and 114, a gas damper unit 141, an outside air damper unit 173, and an exhaust damper unit 162. A damper unit 230 that opens / closes and adjusts each damper, a gas conditioner 240 (gas conditioner 155) that has a cooler 156, a heater 157, and a fan 158 to adjust temperature and airflow, a display 251, and an indicator light 252 for displaying detection results and errors of various detectors A display unit 250, a drive unit 260 that has a relay 190 connected to various drivers and heaters 157, drives each circuit, a control unit 270 that controls each unit of the chamber apparatus 3, and a power supply to each unit of the chamber apparatus 3 And a power supply unit 280 for supplying power.
[0099]
The control unit 270 includes a CPU 271, a ROM 272, a RAM 273, and an IOC (input / output control circuit) 274, which are connected to each other via an internal bus 275. The ROM 272 stores control data for controlling each unit in addition to a control program processed by the CPU 271. The RAM 273 includes a register group used as various flags and the like, a data area for storing measurement values detected and measured by each detector, and is used as a work area for control processing.
[0100]
The IOC 274 supplements the function of the CPU 271 and incorporates a logic circuit for handling interface signals with various peripheral circuits. The detection signal from the detection unit 210 or the like is taken into the internal bus 275 as it is, In conjunction with the CPU 271, the data and control signals output from the CPU 271 and the like to the internal bus 275 are output to the drive unit 260 as they are or after being processed. The CPU 271 inputs various signals and data from each part of the chamber apparatus 3 through the IOC 274 according to the control program in the ROM 272, and inputs various signals to each part of the chamber apparatus 3 through the IOC 274. By outputting data, the entire chamber apparatus 3 is controlled such as locking / unlocking of the detachable panel units 113 and 114 and opening / closing of each damper.
[0101]
Next, a method for operating the chamber device 3 will be briefly described. During normal operation for introducing an inert gas into the chamber room 11, the gas damper unit 141 and the exhaust damper unit 162 are opened while the outside air damper unit 173 is “closed”, and the fan 158 causes the chamber room 11 to be opened. The atmosphere is constituted by supplying and exhausting an inert gas.
[0102]
An oxygen concentration meter (low concentration) 182 and a moisture meter 183 provided in the chamber room 11 are connected to the gas adjustment damper 143 via the controller 181, and based on these measurement results, the inert gas concentration The replenishment flow rate is adjusted. More specifically, the gas adjustment damper 143 controls the oxygen concentration and the moisture concentration in the chamber room 11 to be maintained at 10 ppm or less. In addition, the code | symbol 184 in a figure is a scaling meter which displays oxygen concentration.
[0103]
On the other hand, a pressure gauge 187 is connected to the exhaust adjustment damper 163 via a controller 186, and the exhaust gas flow rate of the inert gas is adjusted based on the detection result of the pressure gauge 187. That is, the exhaust adjustment damper 163 controls the chamber room 11 so as to be somewhat positive with respect to the atmospheric pressure. Thereby, even if an inert gas leaks from the chamber room 11, intrusion of outside air is prevented. Further, wind speed monitors 188a and 188b are provided in the vicinity of the downstream side of the gas damper unit 141 and the upstream side of the exhaust damper unit 162, respectively. It is now possible to check for malfunctions and inert gas leaks.
[0104]
Further, a temperature controller (thermometer) 189 is provided in the chamber room 11, and the temperature controller 189 is connected to the heater 157 via a relay 190. In this case, the cooler 156 of the temperature control device is always in rated operation, and is controlled by the heater 157 so that the inside of the chamber room 11 becomes 20 ° C. ± 0.5 ° C.
[0105]
On the other hand, in the atmospheric replacement operation in which the inert gas in the chamber room 11 is expelled and outside air is introduced, the gas damper unit 141 is “closed”, the outside air damper unit 173 and the exhaust damper unit 162 are “open”, and the fan 158 The outside air is forcibly introduced into the chamber room 11. That is, outside air is forcibly supplied into the chamber room 11 to push out the inert gas in the chamber room 11. Further, both the exhaust valves 167 and 167 are set to “open”, and the inert gas leaking into the gap 130 of both the inner and outer panel units 121 and 122 is also exhausted.
[0106]
In the atmosphere replacement operation based on the maintenance of the drawing apparatus 2 (opening of the detachable panel units 113 and 114), the heater 157 is turned off, the outside air adjustment damper 175 and the exhaust adjustment damper 163 are set to “fully open”, and the flow rate adjustment is performed. Not performed. Thereby, atmospheric substitution is performed in the shortest time. Then, based on the measurement result of the oxygen concentration meter (high concentration) 191 provided in the chamber room 11, the completion of the atmospheric replacement is confirmed, and the lock state of the electromagnetic lock device 129 is released. As a result, both the front and rear detachable panel units 113 and 114 become openable.
[0107]
Further, in the atmosphere replacement operation based on the test operation related to the accuracy check of the drawing device (droplet discharge device 6) 2, the heater 157 is turned on, the outside air adjustment damper 175 and the exhaust adjustment damper 163 are adjusted in flow rate, and the chamber The inside of the room 11 is replaced with an atmosphere (atmosphere) at a desired temperature (20 ° C. ± 0.5 ° C.).
[0108]
When an abnormality occurs in the chamber device 3 such as a temperature abnormality or a pressure abnormality, the gas opening / closing valve 142, the gas adjustment damper 143, and the gas opening / closing damper 144 are all controlled to be “closed”, and the exhaust adjustment damper 163, The exhaust opening / closing damper 164, the outside air opening / closing damper 174, the outside air adjusting damper 175, and the outside air opening / closing valve 176 are all controlled to be “open”. Thereafter, the power source of the chamber device 3 is turned off.
[0109]
As described above, the chamber device 3 accommodates the drawing device 2 in the chamber room 11 and performs the droplet discharge operation by the droplet discharge device 6 in a fresh inert gas atmosphere. The organic EL device can be stably manufactured without deteriorating or damaging the functional droplet (light emitting material) that has landed on the substrate. In addition, since the outside air is forcibly sent into the chamber room 11 using the fan 158 when the atmosphere is replaced, the outside air can be replaced in a short time and the remaining inert gas is minimized. Can be prevented.
[0110]
Further, in the chamber apparatus 3, when the atmosphere in the chamber room 11 exceeds a predetermined oxygen concentration at the time of atmospheric replacement, the electromagnetic lock device 129 is unlocked and the detachable panel bodies 124 and 126 can be removed. Become. That is, when the inside of the chamber room 11 is filled with an inert gas, the detachable panel bodies 124 and 126 are controlled to be locked when the inert gas remains due to defective exhaust or the like during atmospheric replacement. Therefore, it is possible to reliably prevent the detachable panel bodies 124 and 126 from being opened by mistake, and to prevent the operator from lacking oxygen.
[0111]
Next, the chamber apparatus 3 which concerns on 2nd embodiment of this invention is demonstrated. The chamber apparatus 3 according to the present embodiment constitutes a fresh atmosphere of an inert gas in the chamber room 11 by circulating an inert gas between the chamber room 11 and the gas purification apparatus 310. As shown in the system diagram of FIG. 28, the chamber device 3 includes a gas unit 320 for introducing and circulating an inert gas, an air supply unit 330 for supplying compressed air, and an exhaust unit for exhausting the atmosphere in the chamber room 11. 340, an oxygen measurement unit 350 that measures the oxygen concentration in the chamber room 11, and a pressure detection unit 360 that detects the internal pressure of the chamber room 11.
[0112]
The gas unit 320 communicates the gas production device 321, the gas purification device 310 that is supplied with the inert gas and purifies the inert gas, the gas purification device 310 and the chamber room 11, and the gas forward valve. A gas return path 323 provided with a gas return path 323, a gas return path 325 provided with a gas return path valve 324, and a gas return path valve. A bypass passage 327 communicating with the downstream side of 324 and having an opening / closing valve 326, a gas exhaust passage 328 for exhausting exhaust gas from the gas purifier 310 when the inert gas is introduced, and It comprises a gas processing device 329 for processing an inert gas.
[0113]
A gas regulator 311 is interposed between the gas production device 321 and the gas purification device 310, and the pressure of the supplied inert gas is constant (usually 6 kg / cm). ² ) Is adjusted. In addition, the gas forward valve 322 and the gas return valve 324 are manually opened and closed by an operator, and are opened when the gas purification apparatus 310 is started and closed when stopped. On the other hand, the opening / closing valve 326 is also manually opened and closed by the operator, and is closed when the gas purification apparatus 310 starts operation and opened when the gas purification apparatus 310 is stopped. Further, in the gas purifier 310, a gas supply valve 312 for opening the gas forward path 323 and a gas exhaust valve 313 for opening the gas exhaust path 328 are attached to the ends of the respective paths.
[0114]
The air supply unit 330 includes an air manufacturing apparatus 331 and an air supply flow path 333 that supplies the compressed air manufactured thereby to the chamber room 11 and is provided with an air supply valve 332. An air regulator 334 is interposed between the air production apparatus 331 and the air supply valve 332, and the pressure of the supplied compressed air is constant (usually 1-2 kg / cm). ² ) Is adjusted. The air supply valve 332 is constituted by an electromagnetic valve, and is controlled to be closed during normal operation and to be opened when air is supplied (at the time of atmospheric replacement).
[0115]
The exhaust unit 340 includes an exhaust passage 342 that exhausts the atmosphere from the chamber room 11 and is provided with an exhaust valve 341, and an exhaust processing device 343 that processes the exhaust. The exhaust valve 341 is configured by an electromagnetic valve, and is controlled to close during normal operation and open when air is supplied.
[0116]
The oxygen measuring unit 350 includes an oxygen concentration meter 351 that measures the oxygen concentration in the chamber room 11, a circulation path 353 that communicates the chamber room 11 and the oxygen concentration meter 351, and is provided with a forward valve 352, and an oxygen concentration meter. 351 and the chamber room 11 communicate with each other and a circulation return path 355 having a return valve 354 interposed therebetween. The oxygen concentration meter 351 is configured to be able to measure an oxygen concentration of 0 to 25%. Further, the forward valve 352 and the return valve 354 are constituted by electromagnetic valves and are controlled to be opened when air is supplied.
[0117]
The pressure detection unit 360 is disposed in the chamber room 11 and the first pressure sensor 361 that detects the chamber room internal pressure during normal operation, the second pressure sensor 362 that detects the chamber room internal pressure during air supply, and is always in the chamber room. An oil bubbler 363 that detects the internal pressure is used. The first pressure sensor 361 is interposed in the auxiliary gas flow path 364 that directly communicates the chamber room 11 and the gas purification device 310, takes a contact point within a range of ± 20 mbar, and detects a pressure value exceeding the contact point. In this case, the gas exhaust valve 313 in the gas purification device 310 is opened, and the atmosphere (inert gas) in the chamber room 11 is controlled to be exhausted to the gas processing device 329 via the sub gas flow path 364. On the other hand, when the second pressure sensor 362 detects a pressure value exceeding the range of ± 20 mbar, the air supply valve 332 is controlled to be closed. In addition, the oil bubbler 363 releases the atmosphere in the chamber room 11 to the outside when the internal pressure of the chamber room becomes equal to or higher than a predetermined pressure by liquid level management.
[0118]
Here, the operation method of the chamber apparatus 3 will be briefly described. In a normal operation in which an inert gas is introduced into the chamber room 11, when the gas purification device 310 is turned on, the gas supply valve 312 and the gas exhaust valve 313 in the gas purification device 310 are opened. Then, a valve switching instruction (the gas forward valve 322 and the gas return valve 324 are “open” and the open / close valve 326 is “closed”) is given on the display 251. Based on this, the operator manually switches each valve. As a result, the inert gas supplied from the gas production device 321 via the gas regulator 311 is purified by the gas purification device 310 and supplied to the chamber room 11. At this time, the air supply valve 332 and the exhaust valve 341 are controlled to be “closed”, and the forward valve 352 and the return valve 354 are controlled to be “open”.
[0119]
Thereafter, when the oxygen concentration meter in the gas purification device 310 (not shown) (installed at the end of the gas return path 325) measures that the oxygen concentration has dropped to 200 ppm, the gas in the gas purification device 310 The supply valve 312 and the gas exhaust valve 313 are controlled to be “closed”, and the inert gas is circulated between the gas purification device 310 and the chamber room 11 to lower the oxygen concentration in the chamber room 11 to 10 ppm.
[0120]
On the other hand, at the time of air supply (atmosphere replacement), an instruction is given on the display 251 to turn off the power of the gas purifier 310, and based on this, the operator cuts off the power of the gas purifier 310. Then, a valve switching instruction (the gas forward valve 322 and the gas return valve 324 are “closed” and the open / close valve 326 is “opened”) is further given on the display 251, and the operator manually controls each of them. Switch the valve. At this time, the forward valve 352 and the return valve 354 remain “open”, and the air supply valve 332 and the exhaust valve 341 are controlled to be “open”. As a result, compressed air supplied from the air manufacturing apparatus 331 is supplied to the chamber room 11, and the inert gas in the chamber room 11 is pushed out to the exhaust passage 342, so that atmospheric substitution is performed. The atmospheric replacement is continued until the oxygen concentration reaches 20% by the oxygen concentration meter 351, and when the oxygen concentration reaches 20%, the air supply valve 332 and the exhaust valve 341 are controlled to be “closed”.
[0121]
Next, the interlock of each valve will be briefly described. First, the air supply valve 332 is opened when the forward valve 352 and the return valve 354 are controlled to open, the gas supply from the gas purifier 310 is not performed, and the detection value of the second pressure sensor 362 is The condition is that the preset maximum value is not exceeded and the exhaust valve 341 is controlled to be opened. In addition, the exhaust valve 341 is opened when the forward valve 352 and the return valve 354 are controlled to open, the gas supply from the gas purifier 310 is not performed, and the detection value of the second pressure sensor 362 is set in advance. The condition is that it is not less than the set minimum value.
[0122]
In addition, as a measure for preventing oxygen deficiency of the operator, when the measured value of the oxygen concentration meter 351 is lowered when the compressed air is supplied but the gas is not supplied from the gas purifier 310, the display 251 is displayed. An error notification is made at the top or the indicator lamp 252 and a warning sound is emitted.
[0123]
Further, the time during which the air supply valve 332 and the exhaust valve 341 are controlled to be opened at the time of atmospheric replacement is measured by a timer (not shown), and is always controlled to open for a certain time regardless of the measurement result by the oximeter 351. It is like that. As a result, even when the oxygen concentration meter 351 does not operate normally, the time during which the oxygen concentration is assumed to rise to a sufficient concentration is supplied with air and exhausted with inert gas. It can be carried out.
[0124]
As described above, the chamber apparatus 3 according to the second embodiment of the present invention circulates the inert gas between the chamber room 11 and the gas purification apparatus 310, so that it is compared with the case where replenishment and exhaustion are continuously performed. Thus, a fresh atmosphere can be formed in the chamber room 11 with a small amount of inert gas. In addition, when the supply of the inert gas to the chamber room 11 is stopped, the gas forward valve 322 and the gas return valve 324 are closed, and the open / close valve 326 is opened, so that the gas purified by the gas purifier 310 is opened. The active gas can be circulated. Thereby, it can prevent that the inside of the gas purification apparatus 310 becomes a positive pressure by storage of the refined inert gas. That is, the supply of the inert gas 11 to the chamber room can be stopped without imposing a burden on the gas purification device 310. In addition, by supplying compressed air and performing atmospheric substitution, the inert gas in the chamber room 11 acts to be pushed out to the exhaust passage 342, so that atmospheric substitution can be performed quickly and efficiently.
[0125]
Next, a method for manufacturing an organic EL device using the electro-optical device 1 of the above embodiment will be described.
[0126]
14 to 26 show the structure of the organic EL device along with its manufacturing process. This manufacturing process includes a bank part forming step, a plasma processing step, a light emitting element forming step comprising a hole injection / transport layer forming step and a light emitting layer forming step, a counter electrode forming step, and a sealing step. Configured.
[0127]
In the bank portion forming step, the inorganic bank layer 512a and the organic bank layer 512b are stacked at predetermined positions on the circuit element portion 502 and the electrode 511 (also referred to as pixel electrodes) formed in advance on the substrate 501, thereby opening the opening portion. A bank part 512 having 512 g is formed. Thus, the bank part forming step includes a step of forming the inorganic bank layer 512a on a part of the electrode 511 and a step of forming the organic bank layer 512b on the inorganic bank layer.
[0128]
First, in the step of forming the inorganic bank layer 512a, as shown in FIG. 14, the inorganic bank layer 512a is formed on the second interlayer insulating film 544b and the pixel electrode 511 of the circuit element portion 502. The inorganic bank layer 512a is formed on the entire surface of the interlayer insulating layer 514 and the pixel electrode 511 by, for example, CVD, coating, sputtering, vapor deposition, or the like. ₂ TiO ₂ An inorganic film such as is formed.
[0129]
Next, this inorganic film is patterned by etching or the like to provide a lower opening 512c corresponding to the position where the electrode surface 511a of the electrode 511 is formed. At this time, it is necessary to form the inorganic bank layer 512 a so as to overlap with the peripheral edge of the electrode 511. In this manner, the light emitting region of the light emitting layer 510 can be controlled by forming the inorganic bank layer 512a so that the peripheral portion (part) of the electrode 511 and the inorganic bank layer 512a overlap.
[0130]
Next, in the step of forming the organic bank layer 512b, as shown in FIG. 15, the organic bank layer 512b is formed on the inorganic bank layer 512a. The organic bank layer 512b is etched by a photolithography technique or the like to form an upper opening 512d of the organic bank layer 512b. The upper opening 512d is provided at a position corresponding to the electrode surface 511a and the lower opening 512c.
[0131]
As shown in FIG. 15, the upper opening 512d is preferably wider than the lower opening 512c and narrower than the electrode surface 511a. Accordingly, the first stacked portion 512e surrounding the lower opening portion 512c of the inorganic bank layer 512a is extended to the center side of the electrode 511 from the organic bank layer 512b. In this manner, the opening 512g penetrating the inorganic bank layer 512a and the organic bank layer 512b is formed by communicating the upper opening 512d and the lower opening 512c.
[0132]
Next, in the plasma processing step, a region showing ink affinity and a region showing ink repellency are formed on the surface of the bank portion 512 and the surface 511a of the pixel electrode. The plasma treatment process includes a preheating process, an ink affinity process for processing the upper surface (512f) of the bank portion 512, the wall surface of the opening 512g, and the electrode surface 511a of the pixel electrode 511 to have ink affinity, and an organic substance. The upper surface 512f of the bank layer 512b and the wall surface of the upper opening portion 512d are roughly divided into an ink repellent process and a cooling process.
[0133]
First, in the preheating step, the substrate 501 including the bank unit 512 is heated to a predetermined temperature. For example, heating is performed by attaching a heater to a stage on which the substrate 501 is placed, and heating the substrate 501 together with the stage. Specifically, it is preferable to set the preheating temperature of the substrate 501 within a range of 70 to 80 ° C., for example.
[0134]
Next, in the ink-philic process, plasma treatment (O ₂ Plasma treatment) is performed. This O ₂ As shown in FIG. 16, the plasma treatment causes the ink surface to be applied to the electrode surface 511a of the pixel electrode 511, the wall surface of the first stacked portion 512e of the inorganic bank layer 512a, and the upper opening 512d of the organic bank layer 512b and the upper surface 512f. . By this ink affinity treatment, hydroxyl groups are introduced into these surfaces to impart ink affinity. In FIG. 16, the portion subjected to the parent ink process is indicated by a one-dot chain line.
[0135]
Next, in the ink repellent process, plasma treatment (CF _Four Plasma treatment) is performed. CF _Four By the plasma treatment, as shown in FIG. 17, the wall surface of the upper opening 512d and the upper surface 512f of the organic bank layer are subjected to ink repellent treatment. By this ink repellent treatment, fluorine groups are introduced into each of these surfaces to impart ink repellency. In FIG. 17, a region showing ink repellency is indicated by a one-dot chain line.
[0136]
Next, in the cooling process, the substrate 501 heated for the plasma treatment is cooled to room temperature or a management temperature of the ink jet process (droplet discharge process). By cooling the substrate 501 after the plasma treatment to room temperature or a predetermined temperature (for example, a management temperature for performing the ink jet process), the next hole injection / transport layer forming process can be performed at a constant temperature.
[0137]
Next, in the light emitting element formation step, a light emitting element is formed by forming a hole injection / transport layer and a light emitting layer on the pixel electrode 511. The light emitting element forming step includes four steps. That is, a first droplet discharge step of discharging a first composition for forming a hole injection / transport layer onto each of the pixel electrodes, and drying the discharged first composition on the pixel electrodes. Hole injection / transport layer forming step for forming a hole injection / transport layer on the substrate, and a second droplet discharge step for discharging a second composition for forming a light emitting layer onto the hole injection / transport layer And a light emitting layer forming step of drying the discharged second composition to form a light emitting layer on the hole injection / transport layer.
[0138]
First, in the first droplet discharge step, a first composition containing a hole injection / transport layer forming material is discharged onto the electrode surface 511a by an inkjet method (droplet discharge method). In addition, after this 1st droplet discharge process, it is preferable to carry out in inert gas atmospheres, such as nitrogen atmosphere without water, oxygen, and argon atmosphere. (In addition, when the hole injection / transport layer is formed only on the pixel electrode, the hole injection / transport layer formed adjacent to the organic bank layer is not formed.)
[0139]
As shown in FIG. 18, an inkjet head (functional droplet ejection head) H is filled with a first composition containing a hole injection / transport layer forming material, and the ejection nozzle of the inkjet head H is positioned in the lower opening 512c. The first composition droplet 510c, whose liquid amount per droplet is controlled, is ejected from the ejection nozzle onto the electrode surface 511a while the inkjet head H and the substrate 501 are relatively moved so as to face the electrode surface 511a.
[0140]
As the first composition used here, for example, a composition obtained by dissolving a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrenesulfonic acid (PSS) in a polar solvent can be used. Examples of the polar solvent include isopropyl alcohol (IPA), normal butanol, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) and its derivatives, carbitol acetate And glycol ethers such as butyl carbitol acetate. As the hole injection / transport layer forming material, the same material may be used for each of the R, G, and B light emitting layers 510b, or may be changed for each light emitting layer.
[0141]
As shown in FIG. 18, the discharged first composition droplet 510c spreads on the electrode surface 511a and the first laminated portion 512e that have been subjected to the ink-philic treatment, and fills the lower and upper openings 512c and 512d. The amount of the first composition discharged onto the electrode surface 511a is the size of the lower and upper openings 512c and 512d, the thickness of the hole injection / transport layer to be formed, and the hole injection / transport in the first composition. It is determined by the concentration of the layer forming material. Further, the first composition droplet 510c may be discharged not only once but also several times on the same electrode surface 511a.
[0142]
Next, in the hole injecting / transporting layer forming step, as shown in FIG. 19, the first composition after discharge is dried and heat-treated to evaporate the polar solvent contained in the first composition. A hole injection / transport layer 510a is formed over 511a. When the drying process is performed, the evaporation of the polar solvent contained in the first composition droplet 510c mainly occurs near the inorganic bank layer 512a and the organic bank layer 512b, and the hole injection / transport layer is combined with the evaporation of the polar solvent. The forming material is concentrated and deposited.
[0143]
As a result, as shown in FIG. 19, evaporation of the polar solvent also occurs on the electrode surface 511a by the drying process, thereby forming a flat portion 510a made of the hole injection / transport layer forming material on the electrode surface 511a. Since the evaporation rate of the polar solvent is substantially uniform on the electrode surface 511a, the material for forming the hole injection / transport layer is uniformly concentrated on the electrode surface 511a, thereby forming a flat portion 510a having a uniform thickness. The
[0144]
Next, in the second droplet discharge step, the second composition containing the light emitting layer forming material is discharged onto the hole injection / transport layer 510a by an inkjet method (droplet discharge method). In this second droplet discharge step, as a solvent for the second composition used in forming the light emitting layer, the hole injection / transport layer 510a is used as a solvent for the second composition to prevent re-dissolution of the hole injection / transport layer 510a. An insoluble nonpolar solvent is used.
[0145]
On the other hand, since the hole injection / transport layer 510a has a low affinity for the nonpolar solvent, the hole injection / transport layer 510a is injected even when the second composition containing the nonpolar solvent is discharged onto the hole injection / transport layer 510a. / There is a possibility that the transport layer 510a and the light emitting layer 510b cannot be adhered to each other or the light emitting layer 510b cannot be applied uniformly. Therefore, in order to increase the affinity of the surface of the hole injection / transport layer 510a for the nonpolar solvent and the light emitting layer forming material, it is preferable to perform a surface modification step before forming the light emitting layer.
[0146]
First, the surface modification step will be described. In the surface modification step, a surface modification solvent, which is the same solvent as the non-polar solvent of the first composition used in forming the light emitting layer or a similar solvent, is applied to the ink jet method (droplet discharge method), spin coating method. Alternatively, it is performed by applying the film on the hole injection / transport layer 510a by the dipping method and then drying.
[0147]
For example, as shown in FIG. 20, the application by the inkjet method is performed by filling the inkjet head H with a surface modifying solvent, and forming a discharge nozzle of the inkjet head H as a substrate (that is, the hole injection / transport layer 510a is formed. The surface modification solvent 510d is ejected from the ejection nozzle H onto the hole injection / transport layer 510a while the inkjet head H and the substrate 501 are moved relative to each other. Then, as shown in FIG. 21, the surface modifying solvent 510d is dried.
[0148]
Next, in the second droplet discharge step, the second composition containing the light emitting layer forming material is discharged onto the hole injection / transport layer 510a by an inkjet method (droplet discharge method). As shown in FIG. 22, the inkjet head H is filled with the second composition containing the blue (B) light emitting layer forming material, and the ejection nozzle of the inkjet head H is positioned in the lower and upper openings 512c and 512d. The second composition droplet 510e having a controlled liquid amount per droplet is ejected from the ejection nozzle while the inkjet head H and the substrate 501 are relatively moved so as to face the hole injection / transport layer 510a. The composition droplet 510e is discharged onto the hole injection / transport layer 510a.
[0149]
Examples of the light emitting layer forming material include polyfluorene polymer derivatives, (poly) paraphenylene vinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyvinyl carbazole, polythiophene derivatives, perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, and organic polymers described above. An EL material can be used after being doped. For example, it can be used by doping rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone and the like.
[0150]
As the nonpolar solvent, those insoluble in the hole injection / transport layer 510a are preferable. For example, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like can be used. By using such a nonpolar solvent for the second composition of the light emitting layer 510b, the second composition can be applied without re-dissolving the hole injection / transport layer 510a.
[0151]
As shown in FIG. 22, the discharged second composition 510e spreads on the hole injection / transport layer 510a and fills the lower and upper openings 512c and 512d. The second composition 510e may be discharged not only once but also several times on the same hole injection / transport layer 510a. In this case, the amount of the second composition at each time may be the same, and the amount of the second composition may be changed every time.
[0152]
Next, in the light emitting layer forming step, after the second composition is discharged, drying treatment and heat treatment are performed to form the light emitting layer 510b on the hole injection / transport layer 510a. In the drying process, the non-polar solvent contained in the second composition is evaporated by drying the discharged second composition to form a blue (B) light emitting layer 510b as shown in FIG.
[0153]
Subsequently, as shown in FIG. 24, the red (R) light emitting layer 510b is formed in the same manner as the blue (B) light emitting layer 510b, and finally the green (G) light emitting layer 510b is formed. Note that the order of forming the light emitting layers 510b is not limited to the order described above, and any order may be used. For example, the order of formation can be determined according to the light emitting layer forming material.
[0154]
Next, in the counter electrode forming step, as shown in FIG. 25, a cathode 503 (counter electrode) is formed on the entire surface of the light emitting layer 510b and the organic bank layer 512b. Note that the cathode 503 may be formed by stacking a plurality of materials. For example, it is preferable to form a material with a small work function on the side close to the light emitting layer, for example, Ca, Ba, etc. can be used, and depending on the material, it is better to form a thin layer of LiF, etc. There is also. Further, the upper side (sealing side) preferably has a higher work function than the lower side. These cathodes (cathode layers) 503 are preferably formed by, for example, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like, and particularly preferably formed by an evaporation method from the viewpoint that damage to the light emitting layer 510b due to heat can be prevented.
[0155]
Further, lithium fluoride may be formed only on the light emitting layer 510b, and may be formed only on the blue (B) light emitting layer 510b. In this case, the upper cathode layer 503b made of LiF is in contact with the other red (R) light emitting layers and green (G) light emitting layers 510b and 510b. Further, an Al film, an Ag film, or the like formed by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like is preferably used on the cathode 12. In addition, on the cathode 503, SiO is added to prevent oxidation. ₂ A protective layer such as SiN may be provided.
[0156]
Finally, in the sealing step shown in FIG. 26, a sealing substrate 505 is stacked on the organic EL element 504 in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. The sealing step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. It is not preferable to perform in the atmosphere since defects such as pinholes are generated in the cathode 503 because water or oxygen may enter the cathode 503 from the defective portion and the cathode 503 may be oxidized. Finally, the cathode 503 is connected to the wiring of the flexible substrate, and the wiring of the circuit element unit 502 is connected to the driving IC, whereby the organic EL device 500 of this embodiment is obtained.
[0157]
【The invention's effect】
As described above, according to the chamber apparatus of the present invention, when the inside of the chamber room is filled with the inert gas, it is attached / detached when the inert gas remains due to defective exhaust during atmospheric substitution. Since the panel body is controlled to be locked, it is possible to reliably prevent the detachable panel body from being accidentally opened, thereby preventing the operator from lacking oxygen.
[0158]
Further, according to the electro-optical device and the organic EL device of the present invention, it is possible to perform work processing in a good inert gas atmosphere, and to perform maintenance of the work processing device in a safe air atmosphere. Can do. Moreover, atmospheric substitution can be performed in a short time. Furthermore, a high-quality and highly reliable organic EL device can be provided at low cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an external perspective view of an electro-optical device according to an embodiment of the invention.
FIG. 2 is an external perspective view of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 3 is an external front view of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 4 is an external side view of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 5 is an external plan view of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 6 is a schematic diagram of a droplet discharge device of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 7 is a system diagram of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 8 is a plan view of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 9 is a front view of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 10 is a right side view of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 11 is a left side view of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 12 is a rear view of the chamber apparatus according to the embodiment.
13A and 13B are a cross-sectional view (a) and a cross-sectional view (b) of the detachable panel unit of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 14 is a cross-sectional view of a bank part forming step (inorganic bank) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 15 is a cross-sectional view of a bank part forming step (organic bank) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 16 is a cross-sectional view of a plasma treatment step (hydrophilization treatment) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 17 is a cross-sectional view of a plasma treatment process (water repellency treatment) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 18 is a cross-sectional view of a hole injection layer forming step (droplet discharge) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 19 is a cross-sectional view of a hole injection layer forming step (drying) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 20 is a cross-sectional view of a surface modification step (droplet discharge) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 21 is a cross-sectional view of a surface modification step (drying) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 22 is a cross-sectional view of a B light emitting layer forming step (droplet ejection) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 23 is a cross-sectional view of a B light emitting layer forming step (drying) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 24 is a cross-sectional view of an R / G / B light emitting layer forming step in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment;
FIG. 25 is a cross-sectional view of a counter electrode forming step in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 26 is a cross-sectional view of a sealing step in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 27 is a block diagram of a control system of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 28 is a system diagram of a chamber apparatus according to the second embodiment.
[Explanation of symbols]
1 Electro-optical device 2 Drawing device
3 Chamber device 4 Function droplet discharge head
6 Droplet ejector 11 Chamber room
12 Electrical room 13 Machine room
17 X-axis table 18 Y-axis table
20 Head unit 101 Gas introduction unit
102 Exhaust duct 113 Front detachable panel unit
114 Rear detachable panel unit 121 Inner panel unit
122 Outer panel unit 124 Inner panel
126 Outer panel 129 Electromagnetic lock device
130 Air gap 131 Air supply port
132 Exhaust port 133 Filter chamber
135 Filter 137 Bulkhead
138 Gas flow path 141 Gas damper unit
142 Gas open / close valve 143 Gas adjustment damper
144 Gas opening / closing damper 147 Main gas flow path
155 Gas conditioner 156 Cooler
157 Heater 158 Fan
161 Exhaust chamber 162 Exhaust damper unit
163 Exhaust adjustment damper 164 Exhaust opening / closing damper
166 Exhaust pipe 167 Exhaust valve
171 Outside air flow path 172 Outside air intake
173 Outside air damper unit 174 Outside air opening / closing damper
175 Outside air adjustment damper 176 Outside air opening / closing valve
310 Gas purifier 320 Gas section
322 Gas forward valve 324 Gas return valve
330 Air supply unit 340 Exhaust unit
350 Oxygen Measuring Unit 351 Oxygen Analyzer
360 Pressure Detection Unit 361 First Pressure Sensor
362 Second pressure sensor 363 Oil bubbler
500 Organic EL device 501 Substrate
504 Organic EL element 510a Hole injection / transport layer
510b Light emitting layer W substrate

Claims

By supplying and exhausting the inert gas introduced from the gas supply source continuously to the chamber room, a fresh atmosphere of the inert gas is formed in the chamber room and the supply of the inert gas is stopped. A chamber apparatus capable of introducing outside air into the chamber room in a state,
While containing an inkjet drawing apparatus and having a clean room form,
A gas supply passage for replenishing the chamber room with an inert gas and interposing a gas damper;
An exhaust passage that exhausts the atmosphere in the chamber room and is provided with an exhaust damper;
Oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room;
A detachable panel attached to the opening of the chamber room;
An electromagnetic lock mechanism for closing and locking the detachable panel body;
Lock control means for controlling lock / unlock of the electromagnetic lock mechanism, and
The chamber control device according to claim 1, wherein when the outside air is introduced, when the measurement result of the oxygen concentration measurement unit exceeds a predetermined value, the lock control unit unlocks the electromagnetic lock mechanism.

Damper control means for controlling the gas damper; and a panel sensor for detecting whether the detachable panel body is mounted or not mounted.
2. The chamber apparatus according to claim 1, wherein the damper control means controls the gas damper to be closed when the panel sensor detects that the detachable panel body is not attached.

An error notification for performing an error notification when the measurement result of the oxygen concentration measuring means is less than a predetermined value when the outside air is introduced, and when the panel sensor detects that the detachable panel body is not mounted when the inert gas is supplied The chamber apparatus according to claim 2, further comprising means.

The chamber apparatus according to claim 2, wherein the panel sensor is a proximity sensor.

The chamber apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the detachable panel body includes an outer panel and an inner panel that face each other with a gap.

A panel body exhaust flow path with one end communicating with the gap between the inner and outer panels and the other end communicating with the exhaust flow path upstream of the exhaust damper;
The chamber apparatus according to claim 5, further comprising a panel body exhaust damper interposed in the panel body exhaust passage.

A chamber apparatus that constitutes a fresh atmosphere of inert gas in the chamber room by continuously supplying and exhausting the inert gas introduced from the gas supply source to the chamber room,
A gas supply passage for replenishing the chamber room with an inert gas and interposing a gas damper;
An exhaust passage that exhausts the atmosphere in the chamber room and is provided with an exhaust damper;
Wind speed measuring means respectively disposed in the gas supply channel and the exhaust channel;
Error notification means for performing error notification when a difference between measurement results of the two wind speed measurement means exceeds a predetermined value;
A chamber apparatus comprising:

Damper control means for controlling the gas damper and the exhaust damper, and pressure detection means for detecting the pressure in the chamber room,
The chamber apparatus according to claim 7, wherein the damper control unit controls the exhaust damper and controls an exhaust flow rate so that a detection result of the pressure detection unit becomes a predetermined value.

An oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room;
The chamber apparatus according to claim 8, wherein the damper control unit controls the gas damper to control a replenishment flow rate so that a detection result of the oxygen concentration measurement unit becomes a predetermined value.

A chamber apparatus that circulates an inert gas between a chamber room and a gas purification device to form a fresh atmosphere of the inert gas in the chamber room,
A gas forward path and a gas return path communicating the gas purification apparatus and the chamber room;
A gas forward valve and a gas return valve respectively interposed in the gas forward path and the gas return path;
A bypass flow path communicating with the upstream side of the gas forward valve and the downstream side of the gas return valve and having an open / close valve;
A chamber apparatus comprising:

An air supply flow path for supplying compressed air to the chamber room and interposing an air supply valve;
An exhaust passage that exhausts the atmosphere from the chamber room and is provided with an exhaust valve;
The chamber apparatus according to claim 10, further comprising:

Further comprising valve control means for controlling the air supply valve and the exhaust valve;
12. The chamber apparatus according to claim 11, wherein the valve control means controls closing of both valves when introducing an inert gas, and controls opening of both valves when supplying compressed air.

An oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room;
13. The chamber apparatus according to claim 12, wherein the valve control unit controls the air supply valve to be closed when a measurement result of the oxygen concentration measurement unit exceeds a predetermined value.

The chamber apparatus according to claim 13, wherein the oxygen concentration measuring means is interposed in a circulation flow path that is continuous with the chamber room.

A forward valve and a return valve respectively interposed in a circulation forward path and a circulation return path of the circulation flow path;
Oxygen measuring valve control means for controlling the forward valve and the return valve, and
15. The chamber apparatus according to claim 14, wherein the oxygen measuring valve control means controls opening of the forward valve and the return valve when compressed air is supplied.

At the time of introducing the inert gas, the exhaust gas from the gas purification device is exhausted and further provided with a gas exhaust passage having a gas exhaust valve interposed therebetween,
16. The chamber apparatus according to claim 12, wherein the gas exhaust valve is controlled by the valve control means.

And further comprising a secondary gas flow path that directly communicates the chamber room and the gas purifier and includes first pressure detection means for detecting the pressure in the chamber room,
The chamber apparatus according to claim 16, wherein the valve control means controls the opening of the gas exhaust valve when a detection result by the first pressure detection means is equal to or greater than a predetermined value at the time of introduction of the inert gas. .

A second pressure detecting means for detecting the pressure in the chamber room;
18. The valve control unit according to claim 12, wherein when the compressed air is supplied, the air supply valve is controlled to be closed when a detection result by the second pressure detection unit is a predetermined value or more. The chamber apparatus as described.

The oil bubbler according to any one of claims 10 to 18, further comprising an oil bubbler that discharges the atmosphere in the chamber room to the outside when the pressure in the chamber room reaches or exceeds a predetermined pressure value. Chamber device.

20. The chamber apparatus according to claim 13, further comprising error notifying means for notifying an error when a measured value by the oxygen concentration measuring means is lowered when compressed air is supplied.

A timer for counting an opening control time of the air supply valve and the exhaust valve,
21. The valve control unit according to claim 12, wherein when the compressed air is supplied, the air supply valve and the exhaust valve are closed and controlled after a predetermined time is counted by the timer. Chamber equipment.

An electro-optical device comprising: the chamber device according to any one of claims 1 to 21; and the drawing device accommodated in the chamber device.

The electro-optical device according to claim 22, wherein the drawing device is a manufacturing device of an organic EL device.

The organic EL device manufacturing apparatus relatively scans a functional liquid droplet ejection head into which a light emitting functional material is introduced with respect to a substrate which is a workpiece, and selectively ejects the light emitting functional material so that a large number on the substrate. 24. The electro-optical device according to claim 23, further comprising a droplet discharge device that forms an organic EL functional layer in the pixel region.

25. The electro-optical device according to claim 22, 23, or 24, wherein the inert gas is any one of nitrogen, carbon dioxide, helium, neon, argon, krypton, xenon, and radon.

An organic EL device manufactured by the electro-optical device according to any one of claims 22 to 25.