JP2003272847A - Chamber device, electrooptical device equipped with the same, and organic el device - Google Patents

Chamber device, electrooptical device equipped with the same, and organic el device

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JP2003272847A
JP2003272847A JP2002078723A JP2002078723A JP2003272847A JP 2003272847 A JP2003272847 A JP 2003272847A JP 2002078723 A JP2002078723 A JP 2002078723A JP 2002078723 A JP2002078723 A JP 2002078723A JP 2003272847 A JP2003272847 A JP 2003272847A
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gas
chamber
valve
chamber room
exhaust
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Takayuki Hayashi
高之 林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chamber device preventing a person entered into a chamber room from a state of oxygen defect, and to provide an electrooptical device equipped with the same, and an organic EL device. <P>SOLUTION: The chamber device 3, forming a fresh inert gas atmosphere in the chamber room by continuously supplying and exhausting the inert gas to and from the chamber room, capable of taking the outside air in the chamber room by stopping the supply and exhaust of the inert gas, comprises an oxygen density measuring means 191 measuring the oxygen density in the chamber room, a detachable panel body 113, 114 arranged to an opening of the chamber room, an electromagnetic locking mechanism 129 closing and locking the detachable panel body, and a lock control means 271 controlling the lock/unlock of the electromagnetic locking mechanism. When the measured value of the oxygen density measuring means exceeds a prescribed value while taking the outside air in the chamber room, the lock control means controls the lock/unlock of the electromagnetic locking mechanism. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ガス供給源から導
入した不活性ガスをチャンバルームに対し連続させて補
給および排気することで、チャンバルーム内に不活性ガ
スの新鮮な雰囲気を構成すると共に、不活性ガスの補給
を停止した状態でチャンバルーム内に外気を導入可能な
チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機E
L装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention forms a fresh atmosphere of an inert gas in a chamber room by continuously supplying and exhausting an inert gas introduced from a gas supply source to the chamber room. , A chamber apparatus capable of introducing outside air into a chamber room in a state where supply of an inert gas is stopped, an electro-optical apparatus including the chamber apparatus, and an organic E
It relates to the L device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気
中で行う半導体製造装置等に用いられるチャンバ装置
(チャンバルーム)では、メンテナンスやワークの出し
入れ等における作業者の安全を考慮し(酸欠の防止
等)、チャンバルーム内の不活性ガスの雰囲気を大気と
置換するようにしている。通常、チャンバルーム内にお
ける不活性ガスと大気との置換は、チャンバルーム内の
不活性ガスを真空吸引することにより行われ、置換完了
後、作業者が入室し、作業を開始する。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a chamber apparatus (chamber room) used for a semiconductor manufacturing apparatus or the like in which work processing is performed in an atmosphere of an inert gas, the safety of workers in maintenance, work loading and unloading, etc. is considered (oxygen deficiency). The atmosphere of the inert gas in the chamber room is replaced with the atmosphere. Usually, the replacement of the inert gas in the chamber room with the atmosphere is performed by vacuum suction of the inert gas in the chamber room, and after the replacement is completed, the worker enters the room and starts the work.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来のチャンバ装置では、吸引機の故障等、何らかの原
因により不活性ガスがチャンバルーム内に残留してしま
った場合、入室した作業者が酸欠を起こしてしまう危険
性があった。
However, in such a conventional chamber apparatus, when the inert gas remains in the chamber room due to some cause such as a failure of the suction device, the worker who enters the chamber receives an acid. There was a risk of causing a gap.

【0004】本発明は、チャンバルーム内に入室する作
業者の酸欠を確実に防止することができるチャンバ装
置、これを備えた電気光学装置および有機EL装置を提
供することを課題としている。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a chamber device capable of surely preventing an oxygen deficiency of an operator entering a chamber room, an electro-optical device and an organic EL device having the chamber device.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明のチャンバ装置
は、ガス供給源から導入した不活性ガスをチャンバルー
ムに対し連続させて補給および排気することで、チャン
バルーム内に不活性ガスの新鮮な雰囲気を構成すると共
に、不活性ガスの補給を停止した状態でチャンバルーム
内に外気を導入可能なチャンバ装置であって、チャンバ
ルーム内に不活性ガスを補給すると共にガスダンパーを
介設したガス供給流路と、チャンバルーム内の雰囲気を
排気すると共に排気ダンパーを介設した排気流路と、チ
ャンバルーム内の酸素濃度を計測する酸素濃度計測手段
と、チャンバルームの開口部に装着された着脱パネル体
と、着脱パネル体を閉塞ロックする電磁ロック機構と、
電磁ロック機構のロック・アンロックを制御するロック
制御手段と、を備え、ロック制御手段は、外気導入時に
おいて、酸素濃度計測手段の計測結果が所定値を超えた
とき、電磁ロック機構をアンロック制御することを特徴
とする。
In the chamber apparatus of the present invention, the inert gas introduced from the gas supply source is continuously supplied to and exhausted from the chamber room so that the inert gas in the chamber room is refreshed. A chamber device that configures the atmosphere and is capable of introducing outside air into the chamber room while the supply of the inert gas is stopped. The chamber device supplies the inert gas to the chamber room and supplies gas through a gas damper. A flow passage, an exhaust flow passage through which an atmosphere in the chamber room is exhausted and an exhaust damper is interposed, an oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room, and a removable panel attached to the opening of the chamber room. An electromagnetic lock mechanism that locks the body and the detachable panel body by blocking.
Lock control means for controlling locking / unlocking of the electromagnetic lock mechanism, and the lock control means unlocks the electromagnetic lock mechanism when the measurement result of the oxygen concentration measuring means exceeds a predetermined value during introduction of outside air. It is characterized by controlling.

【0006】このチャンバ装置は、チャンバルーム内の
酸素濃度が所定値を超えたとき、電磁ロック機構をアン
ロック制御するように制御されている。すなわち、外気
を導入させてチャンバルーム内の不活性ガスを排気する
ことで大気置換(外気導入)を行うが、この大気置換時
において、チャンバルーム内の雰囲気が所定の酸素濃度
を超えたとき、着脱パネル体の取り外しが可能となる。
したがって、チャンバルーム内が不活性ガスで満たされ
ている場合は元より、大気置換時に排気不良等で不活性
ガスが残留している場合に、着脱パネル体がロック制御
されているため、誤って着脱パネル体が開放されてしま
うのを防止することができ、ひいては作業者の酸欠を確
実に防止することができる。なお、所定酸素濃度とは、
通常、人間が呼吸できる程度の酸素濃度(20%程度)
をいうものである。
This chamber device is controlled to unlock the electromagnetic lock mechanism when the oxygen concentration in the chamber room exceeds a predetermined value. That is, the atmosphere is replaced by introducing the outside air and exhausting the inert gas in the chamber room (the outside air is introduced). At the time of this atmosphere replacement, when the atmosphere in the chamber room exceeds a predetermined oxygen concentration, The detachable panel body can be removed.
Therefore, not only when the chamber room is filled with an inert gas, but when the inert gas remains due to exhaust failure etc. when replacing the atmosphere, the detachable panel body is locked, so It is possible to prevent the detachable panel body from being opened, and thus it is possible to reliably prevent oxygen deficiency of the operator. The predetermined oxygen concentration is
Normally, oxygen concentration that humans can breathe (about 20%)
Is meant.

【0007】この場合、ガスダンパーを制御するダンパ
ー制御手段と、着脱パネル体の装着および未装着を検出
するパネルセンサと、を更に備え、ダンパー制御手段
は、パネルセンサにより着脱パネル体の未装着が検出さ
れた場合に、ガスダンパーを閉塞制御することが好まし
い。
In this case, a damper control means for controlling the gas damper and a panel sensor for detecting attachment / detachment of the detachable panel body are further provided, and the damper control means uses the panel sensor to confirm that the detachable panel body is not attached. It is preferable to control the gas damper to be closed when detected.

【0008】この構成によれば、パネルセンサにより着
脱パネル体の未装着が検出された場合に、ガスダンパー
を閉塞制御するため、着脱パネル体が開放された状態で
不活性ガスが導入されることがない。したがって、大気
中への不活性ガスの漏出を防ぐことができる。
According to this structure, when the panel sensor detects that the detachable panel body is not mounted, the gas damper is controlled to be closed, so that the inert gas is introduced with the detachable panel body open. There is no. Therefore, leakage of the inert gas into the atmosphere can be prevented.

【0009】この場合、外気導入時において酸素濃度計
測手段の計測結果が所定値以下であるとき、および不活
性ガス供給時に、パネルセンサにより着脱パネル体の未
装着が検出された場合、エラー報知を行うエラー報知手
段を、更に備えることが好ましい。
In this case, when the measurement result of the oxygen concentration measuring means is less than a predetermined value when the outside air is introduced, and when the panel sensor detects that the detachable panel body is not attached when the inert gas is supplied, an error notification is given. It is preferable to further include an error notifying unit for performing.

【0010】この構成によれば、外気導入時において酸
素濃度が所定値以下であるとき、および不活性ガス供給
時に、着脱パネル体の未装着が検出された場合、エラー
報知を行うため、チャンバルーム内に不活性ガスが充満
している状態で、作業者が誤ってチャンバルーム内に入
室することがない。すなわち、電磁ロック機構とパネル
センサの二重インターロックにより、より確実に作業者
の酸欠を防止することができる。
According to this structure, when the oxygen concentration is below a predetermined value when the outside air is introduced, and when it is detected that the detachable panel is not attached at the time of supplying the inert gas, an error is notified, so that the chamber room An operator does not accidentally enter the chamber room when the inside is filled with the inert gas. That is, due to the double interlock between the electromagnetic lock mechanism and the panel sensor, it is possible to more reliably prevent the worker from being deficient in oxygen.

【0011】これらの場合、パネルセンサが近接センサ
であることが好ましい。
In these cases, the panel sensor is preferably a proximity sensor.

【0012】この構成によれば、単純な装置構成で、且
つ確実に、着脱パネル体の装着および未装着を検出する
ことができる。
According to this structure, it is possible to reliably detect whether the removable panel body is mounted or not mounted with a simple device structure.

【0013】これらの場合、着脱パネル体は、空隙を存
して対峙する外パネルおよび内パネルで構成されている
ことが好ましい。
In these cases, it is preferable that the detachable panel body is composed of an outer panel and an inner panel that face each other with a gap.

【0014】この構成によれば、着脱パネル体を、外パ
ネルおよび内パネルの二重構造とすることにより、不活
性ガスのリークを極力防止することができる。
According to this structure, the removable panel body has a double structure of the outer panel and the inner panel, so that the leak of the inert gas can be prevented as much as possible.

【0015】この場合、一方の端部が内外両パネルの空
隙に連通すると共に、他方の端部が排気ダンパーの上流
側の排気流路に連通するパネル体排気流路と、パネル体
排気流路に介設したパネル体排気ダンパーとを、更に備
えることが好ましい。
In this case, one end communicates with the gap between the inner and outer panels, and the other end communicates with the upstream exhaust passage of the exhaust damper, and the panel exhaust passage. It is preferable to further include a panel body exhaust damper provided in the above.

【0016】この構成によれば、内パネルから不活性ガ
スがリークして外パネルとの間の空隙に溜まることがあ
っても、このリークした不活性ガスは、大気置換時にパ
ネル体排気流路を介して排気流路に流れるため、内外両
パネルの空隙においても不活性ガスの残留を防止するこ
とができる。
According to this structure, even if the inert gas leaks from the inner panel and collects in the gap between the inner panel and the outer panel, the leaked inert gas is discharged through the panel exhaust passage when the atmosphere is replaced. Since it flows to the exhaust flow path via, it is possible to prevent the inert gas from remaining in the voids of both the inner and outer panels.

【0017】本発明の他のチャンバ装置は、ガス供給源
から導入した不活性ガスをチャンバルームに対し連続さ
せて補給および排気することで、チャンバルーム内に不
活性ガスの新鮮な雰囲気を構成するチャンバ装置であっ
て、チャンバルーム内に不活性ガスを補給すると共にガ
スダンパーを介設したガス供給流路と、チャンバルーム
内の雰囲気を排気すると共に排気ダンパーを介設した排
気流路と、ガス供給流路および排気流路にそれぞれ配設
された風速計測手段と、2つの風速計測手段の計測結果
の差が所定値を超えたときに、エラー報知を行うエラー
報知手段と、を備えたことを特徴とする。
In another chamber apparatus of the present invention, a fresh atmosphere of the inert gas is formed in the chamber room by continuously supplying and exhausting the inert gas introduced from the gas supply source to the chamber room. A chamber apparatus, in which an inert gas is replenished in the chamber room and a gas supply flow path having a gas damper interposed therebetween, an exhaust gas flow path for exhausting an atmosphere in the chamber room and an exhaust damper interposed therebetween, and a gas Wind speed measuring means respectively arranged in the supply flow path and the exhaust flow path, and an error notifying means for notifying an error when the difference between the measurement results of the two wind speed measuring means exceeds a predetermined value. Is characterized by.

【0018】この構成によれば、ガス供給流路および排
気流路にそれぞれ配設された2つの風速計測手段によっ
て計測された風力差が所定値を超えたときに、エラー報
知を行うことで、不活性ガスのリーク等を確認すること
ができる。
According to this structure, when the difference in the wind force measured by the two wind speed measuring means respectively arranged in the gas supply passage and the exhaust passage exceeds a predetermined value, an error notification is given. It is possible to confirm a leak of inert gas.

【0019】この場合、ガスダンパーおよび排気ダンパ
ーを制御するダンパー制御手段と、チャンバルーム内の
圧力を検出する圧力検出手段と、を更に備え、ダンパー
制御手段は、排気ダンパーを制御し、圧力検出手段の検
出結果が所定値となるように排気流量を制御することが
好ましい。
In this case, a damper control means for controlling the gas damper and the exhaust damper, and a pressure detection means for detecting the pressure in the chamber room are further provided, and the damper control means controls the exhaust damper and the pressure detection means. It is preferable to control the exhaust gas flow rate so that the detection result of 1 becomes a predetermined value.

【0020】この構成によれば、圧力検出手段の検出結
果が所定値となるように、排気ダンパーによって排気流
量を制御する、すなわち、常にチャンバルーム内が大気
圧に対して幾分正圧になるように制御するため、チャン
バルーム内への外気の侵入を確実に防止することができ
る。
According to this structure, the exhaust flow rate is controlled by the exhaust damper so that the detection result of the pressure detecting means becomes a predetermined value, that is, the chamber room is always at a somewhat positive pressure with respect to the atmospheric pressure. Since such control is performed, it is possible to reliably prevent the outside air from entering the chamber room.

【0021】この場合、チャンバルーム内の酸素濃度を
計測する酸素濃度計測手段を更に備え、ダンパー制御手
段は、ガスダンパーを制御し、酸素濃度計測手段の検出
結果が所定値となるように補給流量を制御することが好
ましい。
In this case, an oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room is further provided, and the damper control means controls the gas damper so that the replenishment flow rate is adjusted so that the detection result of the oxygen concentration measuring means becomes a predetermined value. Is preferably controlled.

【0022】この構成によれば、酸素濃度計測手段の検
出結果が所定値となるように、ガスダンパーによって補
給流量を制御するため、チャンバルーム内の雰囲気を安
定した酸素濃度に保つことができる。
According to this structure, since the replenishment flow rate is controlled by the gas damper so that the detection result of the oxygen concentration measuring means becomes a predetermined value, the atmosphere in the chamber room can be kept at a stable oxygen concentration.

【0023】本発明の他のチャンバ装置は、チャンバル
ームとガス精製装置との間で不活性ガスを循環させるこ
とで、チャンバルーム内に不活性ガスの新鮮な雰囲気を
構成するチャンバ装置であって、ガス精製装置とチャン
バルームとを連通するガス往路およびガス返路と、ガス
往路およびガス返路にそれぞれ介設したガス往路バルブ
およびガス返路バルブと、ガス往路バルブの上流側とガ
ス返路バルブの下流側とを連通すると共に開閉バルブを
介設したバイパス流路と、を備えたことを特徴とする。
Another chamber apparatus according to the present invention is a chamber apparatus which forms a fresh atmosphere of an inert gas in the chamber room by circulating an inert gas between the chamber room and the gas purifying apparatus. , A gas outflow path and a gas return path connecting the gas purifier and the chamber room, a gas outflow path valve and a gas return path valve provided in the gas outflow path and the gas return path, respectively, and an upstream side of the gas outflow path and a gas return path And a bypass passage communicating with a downstream side of the valve and having an opening / closing valve interposed therebetween.

【0024】この構成によれば、チャンバルームとガス
精製装置との間で不活性ガスを循環させるため、連続さ
せて補給および排気を行う場合と比較して、少量の不活
性ガスでチャンバルーム内に新鮮な雰囲気を構成するこ
とができる。また、ガス往路バルブの上流側とガス返路
バルブの下流側とを連通すると共に開閉バルブを介設し
たバイパス流路を備えているため、チャンバルームへの
不活性ガスの供給を停止する場合、ガス往路バルブおよ
びガス返路バルブを閉塞させて、開閉バルブを開放させ
ることで、ガス精製装置により精製された不活性ガスを
循環させることができる。これにより、ガス精製装置内
が、精製した不活性ガスの貯留によって正圧になるのを
防止することができる。したがって、ガス精製装置に負
担をかけることなく、チャンバルームへの不活性ガスの
供給を停止させることができる。
According to this structure, since the inert gas is circulated between the chamber room and the gas purifying apparatus, a small amount of the inert gas in the chamber room can be used as compared with the case of continuously supplying and exhausting gas. It can compose a fresh atmosphere. Further, since the upstream side of the gas outward valve and the downstream side of the gas return valve are connected to each other and the bypass channel is provided through the opening / closing valve, when the supply of the inert gas to the chamber room is stopped, By closing the gas outward valve and the gas return valve and opening the open / close valve, the inert gas purified by the gas purifier can be circulated. As a result, it is possible to prevent the inside of the gas purification device from having a positive pressure due to the storage of the purified inert gas. Therefore, the supply of the inert gas to the chamber room can be stopped without imposing a burden on the gas purifier.

【0025】この場合、圧縮エアーをチャンバルームに
供給すると共にエアー供給バルブを介設したエアー供給
流路と、チャンバルームからの雰囲気を排気すると共に
排気バルブを介設した排気流路と、を更に備えることが
好ましい。
In this case, the compressed air is supplied to the chamber room and an air supply passage provided with an air supply valve, and an exhaust passage provided with an exhaust valve for exhausting the atmosphere from the chamber room are further provided. It is preferable to provide.

【0026】この構成によれば、排気バルブにより排気
流路を開放した状態で、エアー供給バルブを開放させ、
チャンバルームに圧縮エアーを供給することで、大気置
換を行うことができる。また、圧縮エアーを供給するこ
とで、チャンバルーム内の不活性ガスを排気流路に押し
出すように作用するため、大気置換を迅速且つ効率良く
行うことができる。
According to this structure, the air supply valve is opened while the exhaust passage is opened by the exhaust valve,
By supplying compressed air to the chamber room, the atmosphere can be replaced. Further, by supplying the compressed air, the inert gas in the chamber room is pushed out to the exhaust passage, so that the atmosphere replacement can be performed quickly and efficiently.

【0027】この場合、エアー供給バルブおよび排気バ
ルブを制御するバルブ制御手段を更に備え、バルブ制御
手段は、不活性ガス導入時には、両バルブを閉塞制御
し、圧縮エアー供給時には、両バルブを開放制御するこ
とが好ましい。
In this case, a valve control means for controlling the air supply valve and the exhaust valve is further provided, and the valve control means controls both valves when the inert gas is introduced, and controls both valves when the compressed air is supplied. Preferably.

【0028】この構成によれば、不活性ガス導入時に
は、エアー供給バルブおよび排気バルブを閉塞制御し
て、チャンバルーム内に不活性ガスのみを導入するよう
にしているため、迅速に不活性ガスの雰囲気を構成する
ことができる。また、エアー供給時には、エアー供給バ
ルブおよび排気バルブを開放制御するようにしているた
め、大気置換を迅速且つ効率良く行うことができる。
According to this structure, when the inert gas is introduced, the air supply valve and the exhaust valve are controlled to be closed so that only the inert gas is introduced into the chamber room. The atmosphere can be configured. Further, when the air is supplied, the air supply valve and the exhaust valve are controlled to be opened, so that the atmosphere replacement can be performed quickly and efficiently.

【0029】この場合、チャンバルーム内の酸素濃度を
計測する酸素濃度計測手段を更に備え、バルブ制御手段
は、酸素濃度計測手段の計測結果が所定値を超えたとき
に、エアー供給バルブを閉塞制御することが好ましい。
In this case, an oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room is further provided, and the valve control means controls the air supply valve to be closed when the measurement result of the oxygen concentration measuring means exceeds a predetermined value. Preferably.

【0030】この構成によれば、酸素濃度が所定値を超
えたときに、エアー供給バルブを閉塞制御するため、チ
ャンバルームへの過剰なエアー供給を防ぐことができ
る。
According to this structure, the air supply valve is controlled to be closed when the oxygen concentration exceeds a predetermined value, so that it is possible to prevent excessive air supply to the chamber room.

【0031】この場合、酸素濃度計測手段は、チャンバ
ルームに連なる循環流路に介設されていることが好まし
い。
In this case, it is preferable that the oxygen concentration measuring means is provided in a circulation flow path connected to the chamber room.

【0032】この構成によれば、酸素濃度計測手段は、
チャンバルームに連なる循環流路に介設されているた
め、チャンバルーム内に収容する処理装置の構成の自由
度を損なうことがない。また、チャンバルーム内の雰囲
気を循環させることで酸素濃度を計測するため、収容し
た処理装置に影響されず、安定した計測を行うことがで
きる。
According to this structure, the oxygen concentration measuring means is
Since it is provided in the circulation flow path connected to the chamber room, the degree of freedom in the configuration of the processing apparatus housed in the chamber room is not impaired. Moreover, since the oxygen concentration is measured by circulating the atmosphere in the chamber room, stable measurement can be performed without being affected by the processing apparatus housed therein.

【0033】この場合、循環流路の循環往路および循環
返路にそれぞれ介設した往路バルブおよび返路バルブ
と、往路バルブおよび返路バルブを制御する酸素計測バ
ルブ制御手段と、を更に備え、酸素計測バルブ制御手段
は、圧縮エアー供給時に、往路バルブおよび返路バルブ
を開放制御することが好ましい。
In this case, there is further provided an outward valve and a return valve respectively provided in the circulation outward path and the circulation return path of the circulation flow path, and oxygen measuring valve control means for controlling the outward path valve and the return path valve. The measurement valve control means preferably controls the opening of the outward valve and the return valve when the compressed air is supplied.

【0034】この構成によれば、エアー供給時、すなわ
ち酸素濃度測定の必要が生じたときに、往路バルブおよ
び返路バルブを開放制御させて酸素濃度の計測を行うこ
とができる。すなわち、酸素濃度を計測する必要がない
場合は、これらを閉塞させて、チャンバルーム内の雰囲
気の循環を停止させることで、酸素濃度測定のための無
駄な電力消費を抑えることができる。
According to this structure, when air is supplied, that is, when it becomes necessary to measure the oxygen concentration, the outward valve and the return valve can be controlled to be opened to measure the oxygen concentration. That is, when it is not necessary to measure the oxygen concentration, by closing them and stopping the circulation of the atmosphere in the chamber room, it is possible to suppress unnecessary power consumption for the oxygen concentration measurement.

【0035】これらの場合、不活性ガス導入時におい
て、ガス精製装置からの排気ガスを排気すると共にガス
排気バルブを介設したガス排気流路を更に備え、ガス排
気バルブは、バルブ制御手段により制御されることが好
ましい。
In these cases, when the inert gas is introduced, the exhaust gas from the gas purifier is exhausted and a gas exhaust passage having a gas exhaust valve is further provided, and the gas exhaust valve is controlled by the valve control means. Preferably.

【0036】この構成によれば、不活性ガス導入時にお
いて、ガス精製装置からの排気ガスを適宜排気させるこ
とで、効率良く且つ安全に、チャンバルームとガス精製
装置との間で不活性ガスを循環させることができる。
According to this structure, when the inert gas is introduced, the exhaust gas from the gas purification device is appropriately exhausted, so that the inert gas can be efficiently and safely provided between the chamber room and the gas purification device. Can be circulated.

【0037】この場合、チャンバルームとガス精製装置
とを直接連通すると共にチャンバルーム内の圧力を検出
する第一圧力検出手段を介設した副ガス流路を更に備
え、バルブ制御手段は、不活性ガス導入時において、第
一圧力検出手段による検出結果が所定値以上の場合、ガ
ス排気バルブを開放制御することが好ましい。
In this case, the chamber room and the gas purifying device are directly communicated with each other, and a sub gas flow path provided with a first pressure detecting means for detecting the pressure in the chamber room is further provided, and the valve control means is inactive. At the time of introducing gas, when the detection result by the first pressure detecting means is equal to or more than a predetermined value, it is preferable to control the opening of the gas exhaust valve.

【0038】この構成によれば、不活性ガス導入時にお
いて、チャンバルーム内圧が所定値以上の場合、ガス排
気バルブを開放制御することで、チャンバルーム内の雰
囲気を副ガス流路を介してガス排気流路に排気させるこ
とができる。すなわち、不活性ガス導入時における、チ
ャンバルーム内の過剰な圧力上昇を抑えることができ
る。
According to this structure, when the pressure in the chamber room is equal to or higher than a predetermined value when the inert gas is introduced, the gas exhaust valve is controlled to open so that the atmosphere in the chamber room is discharged through the sub gas passage. It can be exhausted to the exhaust passage. That is, it is possible to suppress an excessive increase in pressure in the chamber room when the inert gas is introduced.

【0039】これらの場合、チャンバルーム内の圧力を
検出する第二圧力検出手段を更に備え、バルブ制御手段
は、圧縮エアー供給時において、第二圧力検出手段によ
る検出結果が所定値以上の場合、エアー供給バルブを閉
塞制御することが好ましい。
In these cases, a second pressure detecting means for detecting the pressure in the chamber room is further provided, and the valve control means, when the detection result by the second pressure detecting means is a predetermined value or more when the compressed air is supplied, It is preferable to control the air supply valve to be closed.

【0040】この構成によれば、エアー供給時におい
て、チャンバルーム内圧が所定値以上の場合、エアー供
給バルブを閉塞制御するため、チャンバルーム内の過剰
な圧力上昇を抑えることができる。
According to this structure, when the internal pressure of the chamber room is equal to or higher than the predetermined value during the air supply, the air supply valve is controlled to be closed, so that the excessive pressure rise in the chamber room can be suppressed.

【0041】これらの場合、チャンバルーム内の圧力が
所定圧力値以上になった場合に、チャンバルーム内の雰
囲気を外部に放出するオイルバブラーを更に備えること
が好ましい。
In these cases, it is preferable to further include an oil bubbler for releasing the atmosphere in the chamber room to the outside when the pressure in the chamber room exceeds a predetermined pressure value.

【0042】この構成によれば、オイルバブラーによる
液面管理により、所定圧力値以上になるとチャンバルー
ム内の雰囲気外部に放出させることができる。すなわ
ち、簡単な制御により、チャンバルーム内の過剰な圧力
上昇を抑えることができる。
According to this structure, by controlling the liquid level by the oil bubbler, it is possible to release the liquid to the outside of the atmosphere in the chamber when the pressure exceeds a predetermined pressure value. That is, it is possible to suppress an excessive increase in pressure in the chamber by simple control.

【0043】これらの場合、圧縮エアー供給時におい
て、酸素濃度計測手段による計測値が下がった場合、エ
ラー報知を行うエラー報知手段を、更に備えることが好
ましい。
In these cases, it is preferable to further include error notifying means for notifying an error when the value measured by the oxygen concentration measuring means is lowered during the supply of compressed air.

【0044】この構成によれば、圧縮エアー供給時にお
いて、チャンバルーム内の酸素濃度が下がった場合、エ
ラー報知を行うため、酸素濃度が十分に上昇していない
状態(不活性ガスが残留した状態)で作業者が入室する
ことがない。したがって、作業者の酸欠を確実に防止す
ることができる。
According to this structure, when the oxygen concentration in the chamber room is lowered during compressed air supply, an error is notified, so that the oxygen concentration is not sufficiently increased (state in which inert gas remains). ) Does not allow workers to enter the room. Therefore, it is possible to reliably prevent oxygen deficiency of the worker.

【0045】これらの場合、エアー供給バルブおよび排
気バルブの開放制御時間をカウントするタイマーを、更
に備え、バルブ制御手段は、圧縮エアー供給時におい
て、タイマーにより一定時間がカウントされた後、エア
ー供給バルブおよび排気バルブを閉塞制御することが好
ましい。
In these cases, a timer for counting the opening control time of the air supply valve and the exhaust valve is further provided, and the valve control means, when the compressed air is supplied, after the constant time is counted by the timer, the air supply valve Also, it is preferable to control the exhaust valve to be closed.

【0046】この構成によれば、圧縮エアー供給時にお
いて、エアー供給バルブおよび排気バルブが、一定時間
は必ず開放制御されるようになっている。すなわち、酸
素濃度計測手段が正常に作動しない場合でも、酸素濃度
が十分な濃度まで上昇すると想定される時間は、エアー
の供給および不活性ガスの排気が為されるため、確実に
大気置換を行うことができる。したがって、作業者の酸
欠をより確実に防止することができる。
According to this structure, when the compressed air is supplied, the air supply valve and the exhaust valve are controlled to be opened for a certain period of time. That is, even when the oxygen concentration measuring means does not operate normally, the air is supplied and the inert gas is exhausted during the time when the oxygen concentration is expected to rise to a sufficient concentration, so that the atmosphere is reliably replaced. be able to. Therefore, it is possible to more reliably prevent oxygen deficiency of the worker.

【0047】これらの場合、ワーク処理を不活性ガスの
雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置を、メンテ
ナンス可能に収容することが好ましい。
In these cases, it is preferable to accommodate a work processing apparatus that requires the work processing in an atmosphere of an inert gas in a maintainable manner.

【0048】本発明の電気光学装置は、上記のいずれか
に記載のチャンバ装置と、チャンバ装置に収容したワー
ク処理装置と、を備えたことを特徴とする。
An electro-optical device of the present invention is characterized by including the chamber apparatus described in any one of the above and a work processing apparatus housed in the chamber apparatus.

【0049】この構成によれば、良好な不活性ガスの雰
囲気中でワーク処理を行うことができ、且つ安全な大気
の雰囲気中でワーク処理装置のメンテナンス等を行うこ
とができる。
With this configuration, the work processing can be performed in a good inert gas atmosphere, and the work processing apparatus can be maintained in a safe atmosphere.

【0050】この場合、ワーク処理装置が、有機EL装
置の製造装置であることが好ましい。
In this case, it is preferable that the work processing device is a device for manufacturing an organic EL device.

【0051】この構成によれば、不活性ガスの導入およ
びエアー供給を迅速に行うことができるため、タクトタ
イム(ワーク処理)への影響を極力少なくすることがで
きる。
According to this structure, the introduction of the inert gas and the air supply can be carried out quickly, so that the influence on the takt time (work processing) can be minimized.

【0052】この場合、有機EL装置の製造装置が、ワ
ークである基板に対し、発光機能材料を導入した機能液
滴吐出ヘッドを相対的に走査し、発光機能材料を選択的
に吐出して基板上の多数の画素領域に有機EL機能層を
形成する液滴吐出装置を有していることが好ましい。
In this case, the manufacturing apparatus of the organic EL device relatively scans the functional liquid droplet ejection head into which the light emitting functional material is introduced, with respect to the substrate which is the work, and selectively ejects the light emitting functional material. It is preferable to have a droplet discharge device that forms an organic EL functional layer in a large number of pixel regions above.

【0053】この構成によれば、発光機能材料を吐出し
て有機EL機能層を形成する工程を、良好な不活性ガス
の雰囲気中で行うことができるため、発光機能材料の変
質や損傷を有効に防止することができる。また、確実に
大気置換を行うことができるため、液滴吐出装置のメン
テナンス性を損なうことがない。
According to this structure, the step of ejecting the light-emitting functional material to form the organic EL functional layer can be performed in a good inert gas atmosphere, so that the deterioration and damage of the light-emitting functional material are effective. Can be prevented. Further, since the atmosphere replacement can be performed reliably, the maintainability of the droplet discharge device is not impaired.

【0054】これらの場合、不活性ガスが、窒素、二酸
化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノンおよびラドンのいずれかであることが好ましい。
In these cases, the inert gas is preferably nitrogen, carbon dioxide, helium, neon, argon, krypton, xenon or radon.

【0055】この構成によれば、収容するワーク処理装
置の処理内容に応じて、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、
ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドン
等による雰囲気をチャンバルーム内に構成することがで
きる。
According to this structure, nitrogen, carbon dioxide, helium,
An atmosphere of neon, argon, krypton, xenon, radon, etc. can be formed in the chamber room.

【0056】本発明の有機EL装置は、上記のいずれか
に記載の電気光学装置により製造されたことを特徴とす
る。
The organic EL device of the present invention is characterized by being manufactured by any one of the electro-optical devices described above.

【0057】この構成によれば、高い品質と高い歩留ま
りの有機EL装置を、低コストで提供することができ
る。
With this structure, it is possible to provide an organic EL device having high quality and high yield at low cost.

【0058】[0058]

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して、本
発明の実施形態について説明する。インクジェットプリ
ンタのインクジェットヘッド(機能液滴吐出ヘッド)
は、微小なインク滴(液滴)をドット状に精度良く吐出
することができることから、例えば機能液滴(吐出対象
液)に特殊なインクや、発光性或いは感光性の樹脂等を
用いることにより、各種部品の製造分野への応用が期待
されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Inkjet head of inkjet printer (Functional droplet discharge head)
Is capable of accurately ejecting minute ink droplets (droplets) in a dot shape. Therefore, for example, by using a special ink, a light emitting or photosensitive resin, or the like for the functional droplets (ejection target liquid). It is expected to be applied to the manufacturing field of various parts.

【0059】本実施形態の電気光学装置は、例えば有機
EL装置等の、いわゆるフラットディスプレイの製造装
置に適用され、不活性ガスの雰囲気中において、その複
数の機能液滴吐出ヘッドから発光材料等の機能液を吐出
して(インクジェット方式)、有機EL装置の発光機能
を為す各画素のEL発光層および正孔注入層を形成する
ものである。
The electro-optical device according to the present embodiment is applied to a so-called flat display manufacturing device such as an organic EL device, and a plurality of functional liquid droplet ejection heads emit light-emitting materials or the like in an inert gas atmosphere. A functional liquid is ejected (inkjet method) to form an EL light emitting layer and a hole injecting layer of each pixel having a light emitting function of the organic EL device.

【0060】そこで、本実施形態では、有機EL装置の
製造装置に適用した電気光学装置について説明すると共
に、これにより製造される有機EL装置の構造および製
造方法(製造プロセス)について説明する。
Therefore, in the present embodiment, the electro-optical device applied to the manufacturing apparatus of the organic EL device will be described, and the structure and manufacturing method (manufacturing process) of the organic EL device manufactured by the electro-optical device will be described.

【0061】図1に示すように、実施形態の電気光学装
置1は、描画装置2と描画装置2を収容するチャンバ装
置3から成り、描画装置2に搭載した機能液滴吐出ヘッ
ド4により、発光材料を吐出して有機EL装置のEL発
光層および正孔注入層を形成する一方、この機能液滴吐
出ヘッド4の吐出動作を含む一連の製造工程を、チャン
バ装置3で構成する不活性ガス(窒素ガス)の雰囲気中
で行うようにしている。
As shown in FIG. 1, the electro-optical device 1 of the embodiment comprises a drawing device 2 and a chamber device 3 for accommodating the drawing device 2, and a functional liquid droplet ejection head 4 mounted on the drawing device 2 emits light. While the material is discharged to form the EL light emitting layer and the hole injection layer of the organic EL device, a series of manufacturing steps including the discharge operation of the functional liquid droplet discharge head 4 is performed by the inert gas ( It is done in an atmosphere of (nitrogen gas).

【0062】詳細は後述するが、描画装置2は、液滴吐
出装置6とこれに付随する各種の装置から成る付帯装置
7とを備えている。チャンバ装置3は、チャンバルーム
11に、電気室12および機械室13を併設した、いわ
ゆるクリーンルームの形態を有している。チャンバルー
ム11には、不活性ガスである窒素ガスが導入され、こ
れに収容した上記の液滴吐出装置6および付帯装置7
は、全体として窒素ガスの雰囲気に曝され、窒素ガスの
雰囲気中で稼動する。
As will be described in detail later, the drawing device 2 is provided with a droplet discharge device 6 and an accessory device 7 including various devices associated therewith. The chamber device 3 has a so-called clean room configuration in which a chamber room 11 is provided with an electric room 12 and a machine room 13. A nitrogen gas, which is an inert gas, is introduced into the chamber room 11, and the droplet discharge device 6 and the auxiliary device 7 accommodated therein are stored.
Are exposed to the atmosphere of nitrogen gas as a whole and operate in the atmosphere of nitrogen gas.

【0063】図2ないし図5に示すように、液滴吐出装
置6は、床上に設置した架台15と、架台15上に設置
した石定盤16と、石定盤16上に設置したX軸テーブ
ル17およびこれに直交するY軸テーブル18と、Y軸
テーブル18に吊設するように設けたメインキャリッジ
19と、メインキャリッジ19に搭載したヘッドユニッ
ト20とを有している。
As shown in FIGS. 2 to 5, the droplet discharge device 6 includes a pedestal 15 installed on the floor, a stone surface plate 16 installed on the frame 15, and an X-axis installed on the stone surface plate 16. The table 17 and a Y-axis table 18 orthogonal to the table 17 are provided, a main carriage 19 suspended from the Y-axis table 18, and a head unit 20 mounted on the main carriage 19.

【0064】X軸テーブル17は、X軸方向の駆動系が
構成するX軸エアースライダ22およびX軸リニアモー
タ23を有し、これにθテーブル24および基板Wをエ
アー吸引する吸着テーブル25を搭載して、構成されて
いる。また、Y軸テーブル18は、Y軸方向の駆動系を
構成する一対のY軸スライダ27,27、Y軸ボールね
じ28およびY軸モータ(サーボモータ)29を有し、
これに上記のメインキャリッジ19を吊設するブリッジ
プレート30を搭載して、構成されている。
The X-axis table 17 has an X-axis air slider 22 and an X-axis linear motor 23 which constitute a drive system in the X-axis direction, on which a θ table 24 and a suction table 25 for sucking the substrate W by air are mounted. And then configured. Further, the Y-axis table 18 has a pair of Y-axis sliders 27, 27, a Y-axis ball screw 28 and a Y-axis motor (servo motor) 29 that constitute a Y-axis direction drive system.
The bridge plate 30 for suspending the above-mentioned main carriage 19 is mounted on this structure.

【0065】そして、メインキャリッジ19に搭載した
ヘッドユニット20には、サブキャリッジを介して、複
数の機能液滴吐出ヘッド4が搭載されている。特に詳細
は図示しないが、サブキャリッジには、12個の機能液
滴吐出ヘッド4が搭載されており、これら機能液滴吐出
ヘッド4は、6個づつ上下に二分され、主走査方向に対
し所定の角度傾けて配設されている(図6参照)。
A plurality of functional liquid droplet ejection heads 4 are mounted on the head unit 20 mounted on the main carriage 19 via the sub-carriage. Although not shown in detail in particular, twelve functional liquid droplet ejection heads 4 are mounted on the sub-carriage, and these functional liquid droplet ejection heads 4 are divided into six upper and lower halves, which are predetermined in the main scanning direction. Are tilted by an angle (see FIG. 6).

【0066】本実施形態の液滴吐出装置6では、機能液
滴吐出ヘッド4の駆動(機能液滴の選択的吐出)に同期
して基板Wが移動する構成であり、機能液滴吐出ヘッド
4のいわゆる主走査は、X軸テーブル17のX軸方向へ
の往復動作により行われる。また、これに対応して、い
わゆる副走査は、Y軸テーブル18により機能液滴吐出
ヘッド4のY軸方向への往動動作により行われる。
In the droplet discharge device 6 of this embodiment, the substrate W moves in synchronization with the driving of the functional droplet discharge head 4 (selective discharge of functional droplets). The so-called main scanning is performed by reciprocating the X-axis table 17 in the X-axis direction. Correspondingly, so-called sub-scanning is performed by the Y-axis table 18 by the forward movement of the functional liquid droplet ejection head 4 in the Y-axis direction.

【0067】一方、ヘッドユニット20のホーム位置
は、図1における後側の位置となっており、且つこの液
滴吐出装置6の後方からヘッドユニット20の運び込み
或いは交換が行われる(詳細は後述する)。また、同図
示の左側には、基板搬送装置(図示省略)が臨んでお
り、基板Wはこの左方から搬入・搬出される。そして、
この液滴吐出装置6の同図手前側には、上記付帯装置7
の主な構成装置が、一体的に添設されている。
On the other hand, the home position of the head unit 20 is the rear position in FIG. 1, and the head unit 20 is carried in or replaced from the rear of the droplet discharge device 6 (details will be described later). ). A substrate transfer device (not shown) faces the left side of the figure, and the substrate W is loaded and unloaded from the left side. And
The auxiliary device 7 is provided on the front side of the droplet discharge device 6 in the figure.
The main components of the above are integrally attached.

【0068】付帯装置7は、上記の架台15および石定
盤16に隣接するように配置したキャビネット形式の共
通機台32と、共通機台32内の一方の半部に収容した
エアー供給装置33および真空吸引装置34と、共通機
台32内の一方の半部に主要装置を収容した機能液供給
回収装置35と、共通機台32上に主要装置を収容した
メンテナンス装置36とを備えている。なお、図中の符
号37は、メインタンク(図示省略)とヘッドユニット
20との間の機能液流路に介設した、機能液供給回収装
置35の中間タンクである。
The accessory device 7 is a cabinet-type common machine base 32 arranged so as to be adjacent to the pedestal 15 and the stone surface plate 16, and an air supply device 33 housed in one half of the common machine base 32. And a vacuum suction device 34, a functional liquid supply / recovery device 35 that accommodates the main device in one half of the common machine base 32, and a maintenance device 36 that accommodates the main device on the common machine base 32. . Reference numeral 37 in the figure is an intermediate tank of the functional liquid supply / recovery device 35 provided in the functional liquid flow path between the main tank (not shown) and the head unit 20.

【0069】エアー供給装置33、機能液供給回収装置
35の圧力供給源を構成すると共に、メンテナンス装置
36等におけるエアー圧アクチュエータの駆動源として
用いられる。真空吸引装置34は、上記の吸着テーブル
25に接続され、基板Wをエアー吸引により吸着セット
する。機能液供給回収装置35は、機能液滴吐出ヘッド
4に機能液を供給すると共に、メンテナンス装置36等
から不要となった機能液を回収する。
The air supply device 33 and the functional liquid supply / recovery device 35 constitute pressure supply sources and are used as a drive source for the air pressure actuator in the maintenance device 36 and the like. The vacuum suction device 34 is connected to the suction table 25, and suction-sets the substrate W by air suction. The functional liquid supply / recovery device 35 supplies the functional liquid to the functional liquid droplet ejection head 4 and recovers the unnecessary functional liquid from the maintenance device 36 and the like.

【0070】メンテナンス装置36は、機能液滴吐出ヘ
ッド4の定期的なフラッシング(全吐出ノズルからの機
能液の捨て吐出)を受けるフラッシングユニット41
と、機能液滴吐出ヘッド4の機能液吸引および保管を行
うクリーニングユニット42と、機能液滴吐出ヘッド4
のノズル形成面をワイピングするワイピングユニット4
3とを有している。クリーニングユニット42およびワ
イピングユニット43は、上記の共通機台32上に配設
され、フラッシングユニット41は、基板Wの近傍にお
いて、X軸テーブル(θテーブル24)17上に搭載さ
れている。
The maintenance device 36 includes a flushing unit 41 that receives the regular flushing of the functional liquid droplet ejection head 4 (discharging and ejecting the functional liquid from all the ejection nozzles).
A cleaning unit 42 for sucking and storing the functional liquid discharge head 4 and the functional liquid discharge head 4.
Wiping unit 4 for wiping the nozzle formation surface of
3 and 3. The cleaning unit 42 and the wiping unit 43 are arranged on the common machine base 32, and the flushing unit 41 is mounted on the X-axis table (θ table 24) 17 near the substrate W.

【0071】ここで、図6の模式図を参照して、チャン
バ装置3内において窒素ガスの雰囲気中で稼動する描画
装置2の一連の動作を簡単に説明する。先ず、準備段階
として、ヘッドユニット20が液滴吐出装置6に運び込
まれ、これがメインキャリッジ19にセットされる。ヘ
ッドユニット20がメインキャリッジ19にセットされ
ると、Y軸テーブル18がヘッドユニット20を図外の
ヘッド認識カメラの位置に移動させ、ヘッドユニット2
0の位置認識が行われる。ここで、この認識結果に基づ
いて、ヘッドユニット20がθ補正され、且つヘッドユ
ニット20のX軸方向およびY軸方向の位置補正がデー
タ上で行われる。位置補正後、ヘッドユニット(メイン
キャリッジ19)20はホーム位置に戻る。
Now, with reference to the schematic view of FIG. 6, a series of operations of the drawing apparatus 2 operating in the atmosphere of the nitrogen gas in the chamber apparatus 3 will be briefly described. First, as a preparation step, the head unit 20 is carried into the droplet discharge device 6 and set on the main carriage 19. When the head unit 20 is set on the main carriage 19, the Y-axis table 18 moves the head unit 20 to the position of the head recognition camera (not shown), and the head unit 2
Position recognition of 0 is performed. Here, based on this recognition result, the head unit 20 is θ-corrected, and the position correction of the head unit 20 in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed on the data. After the position correction, the head unit (main carriage 19) 20 returns to the home position.

【0072】一方、X軸テーブル17の吸着テーブル2
5上に基板(この場合は、導入される基板毎)Wが導入
されると、導入位置において図外の基板認識カメラが基
板Wを位置認識する。ここで、この認識結果に基づい
て、吸着テーブル25を支持するθテーブル24により
基板Wがθ補正され、且つ基板WのX軸方向およびY軸
方向の位置補正がデータ上で行われる。
On the other hand, the suction table 2 of the X-axis table 17
When a substrate (in this case, each substrate to be introduced) W is introduced onto the substrate 5, a substrate recognition camera (not shown) recognizes the position of the substrate W at the introduction position. Here, based on the recognition result, the θ of the substrate W is θ-corrected by the θ-table 24 supporting the suction table 25, and the position correction of the substrate W in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed on the data.

【0073】このようにして準備が完了すると、実際の
液滴吐出作業では、先ずX軸テーブル17が駆動し、基
板Wを主走査方向に往復動させると共に複数の機能液滴
吐出ヘッド4を駆動して、機能液滴の基板Wへの選択的
な吐出動作が行われる。基板Wが復動した後、こんどは
Y軸テーブル18が駆動し、ヘッドユニット20を1ピ
ッチ分、副走査方向に移動させ、再度基板Wの主走査方
向への往復移動と機能液滴吐出ヘッド4の駆動が行われ
る。そしてこれを、数回繰り返すことで、基板Wの端か
ら端まで(全領域)液滴吐出が行われる。これにより、
有機EL装置の発光層等が形成される。
When the preparation is completed in this way, in the actual droplet discharge work, first, the X-axis table 17 is driven to reciprocate the substrate W in the main scanning direction and at the same time drive a plurality of functional droplet discharge heads 4. Then, the selective discharge operation of the functional liquid droplets to the substrate W is performed. After the substrate W has returned, the Y-axis table 18 is driven, the head unit 20 is moved by one pitch in the sub-scanning direction, and the substrate W is reciprocated in the main-scanning direction and the functional liquid droplet ejection head. 4 is driven. Then, by repeating this several times, the liquid droplets are ejected from the edge of the substrate W (the entire area). This allows
The light emitting layer of the organic EL device is formed.

【0074】一方、上記の動作に並行し、液滴吐出装置
6のヘッドユニット(機能液滴吐出ヘッド4)20に
は、エアー供給装置33を圧力供給源として機能液供給
回収装置35から機能液が連続的に供給され、また吸着
テーブル25では、基板Wを吸着すべく、真空吸引装置
34によりエアー吸引が行われる。また、液滴吐出作業
の直前には、ヘッドユニット20がクリーニングユニッ
ト42およびワイピングユニット43に臨んで、機能液
滴吐出ヘッド4の全吐出ノズルからの機能液吸引と、こ
れに続くノズル形成面の拭取りが行われる。液滴吐出作
業中には、適宜ヘッドユニット20がフラッシングユニ
ット41に臨んで、機能液滴吐出ヘッド4のフラッシン
グが行われる。
On the other hand, in parallel with the above operation, the head unit (functional liquid droplet ejection head 4) 20 of the liquid droplet ejecting device 6 uses the air supply device 33 as a pressure source to supply the functional liquid from the functional liquid supplying and collecting device 35. Are continuously supplied, and in the suction table 25, the vacuum suction device 34 sucks air in order to suck the substrate W. Immediately before the droplet discharge work, the head unit 20 faces the cleaning unit 42 and the wiping unit 43 to suck the functional liquid from all the discharge nozzles of the functional droplet discharge head 4 and the subsequent nozzle formation surface. Wiping is done. During the droplet discharge operation, the head unit 20 appropriately faces the flushing unit 41, and the functional droplet discharge head 4 is flushed.

【0075】なお、本実施形態では、ヘッドユニット2
0に対し、その吐出対象物である基板Wを主走査方向
(X軸方向)に移動させるようにしているが、ヘッドユ
ニット20を主走査方向に移動させる構成であってもよ
い。また、ヘッドユニット20を固定とし、基板Wを主
走査方向および副走査方向に移動させる構成であっても
よい。
In this embodiment, the head unit 2
In contrast to 0, the substrate W which is the ejection target is moved in the main scanning direction (X-axis direction), but the head unit 20 may be moved in the main scanning direction. Further, the head unit 20 may be fixed and the substrate W may be moved in the main scanning direction and the sub scanning direction.

【0076】次に、図7の系統図、および図8ないし図
13の構造図を参照して、本発明の第一実施形態に係る
チャンバ装置3について説明する。なお、チャンバ装置
の説明では、図8における紙面の下側を「前」、上側
「後」、左側を「左」、右側を「右」して説明する。
Next, the chamber apparatus 3 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the system diagram of FIG. 7 and the structural diagrams of FIGS. In the description of the chamber device, the lower side of the paper surface in FIG. 8 is described as “front”, the upper side is “rear”, the left side is “left”, and the right side is “right”.

【0077】チャンバ装置3は、上記の描画装置2を収
容するチャンバルーム11と、チャンバルーム11の右
前部に併設した電気室12と、チャンバルーム11の右
後部に併設した機械室13とを備えている。なお、チャ
ンバルーム11に充填する不活性ガスとしては、窒素、
二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプト
ン、キセノンおよびラドンのいずれかを用いることが好
ましいが、本実施形態では、コストおよび安全性を考慮
し窒素(窒素ガス)を用いている。
The chamber device 3 comprises a chamber room 11 for accommodating the drawing device 2, an electric room 12 provided in front of the chamber room 11 on the right front side, and a machine room 13 installed in the right rear portion of the chamber room 11. ing. In addition, as the inert gas with which the chamber room 11 is filled, nitrogen,
It is preferable to use any one of carbon dioxide, helium, neon, argon, krypton, xenon, and radon, but in this embodiment, nitrogen (nitrogen gas) is used in consideration of cost and safety.

【0078】不活性ガス(窒素ガス)は、図外のガス製
造装置からガス導入ユニット101を介して機械室13
に導入され、ここで調和処理されてチャンバルーム11
に導入される。また、チャンバルーム11内の不活性ガ
スは、チャンバルーム11の左前部に添設した排気ダク
ト(排気流路)102から適宜排気され、図外のガス処
理装置に送られる。実際の運転では、チャンバルーム1
1に対し、不活性ガスの補給と排気とが連続して行わ
れ、わずかに流れる不活性ガスにより、チャンバルーム
11内の雰囲気が構成されるようになっている。
The inert gas (nitrogen gas) is supplied from the gas producing apparatus (not shown) through the gas introduction unit 101 to the machine room 13
Is introduced into the chamber room 11 and is conditioned here.
Will be introduced to. Further, the inert gas in the chamber room 11 is appropriately exhausted from an exhaust duct (exhaust flow path) 102 attached to the left front part of the chamber room 11 and sent to a gas treatment device (not shown). In actual operation, chamber room 1
On the other hand, the supply of the inert gas and the exhaust of the same are continuously performed, and the atmosphere in the chamber room 11 is constituted by the slightly flowing inert gas.

【0079】チャンバルーム11は、左側壁111、右
側壁112、前部着脱パネルユニット113、後部着脱
パネルユニット114、床壁115および天壁116
を、エアータイト材で相互にシールして組み上げたプレ
ハブ形式のものである。一方、チャンバルーム11の内
部に収容される液滴吐出装置6は、前後方向をY軸方向
とし、左右方向をX軸方向とした姿勢で収容されている
(図1参照)。すなわち、メンテナンス等を考慮して、
描画装置2の付帯装置7は前部着脱パネルユニット11
3に面し、ヘッドユニット20の運び込み等を考慮し
て、ヘッドユニット20のホーム位置側が後部着脱パネ
ルユニット114に面している。また、左側壁111に
は、基板Wの搬入搬出を行うためのシャッタ付き受渡し
開口117が形成されている(図11参照)。
The chamber room 11 includes a left side wall 111, a right side wall 112, a front removable panel unit 113, a rear removable panel unit 114, a floor wall 115 and a ceiling wall 116.
Is a prefabricated type that is assembled by mutually sealing with an airtight material. On the other hand, the droplet discharge device 6 housed inside the chamber room 11 is housed in a posture in which the front-rear direction is the Y-axis direction and the left-right direction is the X-axis direction (see FIG. 1). That is, considering maintenance etc.,
The accessory device 7 of the drawing device 2 is a front detachable panel unit 11
3, the home position side of the head unit 20 faces the rear removable panel unit 114 in consideration of carrying in the head unit 20 and the like. In addition, a delivery opening 117 with a shutter for loading and unloading the substrate W is formed on the left side wall 111 (see FIG. 11).

【0080】前部着脱パネルユニット113および後部
着脱パネルユニット114は、いずれも内パネルユニッ
ト121および外パネルユニット122の二重構造を有
している。内パネルユニット121は、左右の中間に縦
枠123aを有する枠体123と、縦枠123aにより
構成した左右の開口部(メンテナンス開口)にそれぞれ
着脱自在に装着した窓付きの一対の内パネル124,1
24とで構成されている(図13参照)。各内パネル1
24には、左右のハンドルの他、複数のロックレバーが
設けられており(いずれも図示省略)、内パネル124
は、けんどん形式で枠体123に当てがわれ且つこの複
数のロックレバーにより枠体123に気密に装着されて
いる。
The front detachable panel unit 113 and the rear detachable panel unit 114 each have a double structure of an inner panel unit 121 and an outer panel unit 122. The inner panel unit 121 includes a frame 123 having a vertical frame 123a in the middle between the left and right, and a pair of inner panels 124 with windows detachably attached to the left and right openings (maintenance openings) formed by the vertical frame 123a. 1
24 and 24 (see FIG. 13). Each inner panel 1
The left and right handles 24 are provided with a plurality of lock levers (all are not shown), and the inner panel 124
Is applied to the frame body 123 in the form of a kendo and is hermetically attached to the frame body 123 by the plurality of lock levers.

【0081】同様に、外パネルユニット122は、左右
の中間に縦枠125aを有する枠体125と、縦枠12
5aにより構成した左右の開口部(メンテナンス開口)
にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の外パネル
126,126とで構成されている(図13参照)。各
外パネル126には、左右のハンドル127,127の
他、複数のロックレバー128が設けられており、この
場合も外パネル126は、けんどん形式で枠体に当てが
われ且つこの複数のロックレバー128により枠体12
5に気密に装着されている。そして、外パネルユニット
122は、内パネルユニット121より幾分幅広に且つ
幾分丈が長く形成されていて、内外両パネル121,1
22の着脱作業に支障を生じないようになっている(図
13参照)。
Similarly, the outer panel unit 122 includes a frame body 125 having a vertical frame 125a in the middle between the left and right, and a vertical frame 12a.
Left and right openings composed of 5a (maintenance openings)
And a pair of outer panels 126 and 126 each having a window detachably attached thereto (see FIG. 13). Each outer panel 126 is provided with a plurality of lock levers 128 in addition to the left and right handles 127 and 127, and in this case also, the outer panel 126 is applied to the frame body in a kendon style and the plurality of locks are provided. Frame 12 by lever 128
It is attached airtightly to 5. The outer panel unit 122 is formed to be slightly wider and slightly longer than the inner panel unit 121, so that both the inner and outer panels 121, 1 are formed.
It does not interfere with the work of attaching and detaching 22 (see FIG. 13).

【0082】また、内外各パネル124,126には、
その上側に複数の電磁ロック装置129が組み込まれて
おり、チャンバルーム11内の酸素濃度に応じて、内外
各パネル124,126をロック・アンロックできるよ
うになっている。また、内外各パネル124,126に
近接して、両パネル124,126の装着および未装着
を検出する複数のパネルセンサ(近接センサ)211が
設けられている(図27参照)。各パネルセンサ211
による検出結果は、ディスプレイ251上に表示され、
作業者が確認できるようになっている。さらに、不活性
ガスを導入する通常運転時、および大気置換時において
チャンバルーム11内が所定酸素濃度(通常、20%程
度の酸素濃度を設定する)以下のときに、パネルセンサ
211が各パネル124,126の未装着を検出した場
合は、ディスプレイ251上にエラー表示が為されると
共に、表示灯252によって警告が為される。なお、こ
のとき、同時に警告音が発されると共にガス開閉ダンパ
ー144が閉塞制御され、ガスの供給が停止される。
In addition, the inner and outer panels 124 and 126 include
A plurality of electromagnetic lock devices 129 are incorporated on the upper side of the chambers so that the inner and outer panels 124 and 126 can be locked / unlocked according to the oxygen concentration in the chamber room 11. In addition, a plurality of panel sensors (proximity sensors) 211 that detect whether or not both the panels 124 and 126 are mounted are provided near the inner and outer panels 124 and 126 (see FIG. 27). Each panel sensor 211
The detection result by is displayed on the display 251.
It can be confirmed by the operator. Further, when the inside of the chamber room 11 has a predetermined oxygen concentration (usually, an oxygen concentration of about 20% is set) or less during the normal operation of introducing an inert gas and during the atmosphere replacement, the panel sensor 211 causes each panel 124 to operate. , 126 is not mounted, an error is displayed on the display 251 and a warning is given by the indicator lamp 252. At this time, at the same time, a warning sound is emitted and the gas opening / closing damper 144 is controlled to be closed, so that the gas supply is stopped.

【0083】このように、ディスプレイ表示や表示灯2
52等でエラー報知を行うことで、作業者は、内外各パ
ネル124,126の未装着を確認することができるた
め、ガスが大気中に漏出するのを防ぐことができる。ま
た、これにより、チャンバルーム11内に不活性ガスが
充満している状態で、作業者が誤って入室することがな
いため、確実に作業者の酸欠を防止することができる。
すなわち、上述の通り、前部着脱パネルユニット113
および後部着脱パネルユニット114は、電磁ロック装
置129およびパネルセンサ211により二重にインタ
ーロックされている。
In this way, the display display and the indicator lamp 2 are
By issuing an error notification at 52 or the like, the operator can confirm that the inner and outer panels 124, 126 are not mounted, and thus gas can be prevented from leaking to the atmosphere. Further, this prevents the worker from accidentally entering the chamber room 11 in a state where the chamber room 11 is filled with the inert gas, so that the worker can be surely prevented from being deficient in oxygen.
That is, as described above, the front removable panel unit 113
The rear removable panel unit 114 is doubly interlocked by the electromagnetic lock device 129 and the panel sensor 211.

【0084】右側壁112の後上部には、機械室13に
連なる送気口131が形成され、これに対応して左側壁
111の前下部には、排気ダクト102に連なる排気口
132が形成されている。また、チャンバルーム11の
天井部分には、送気口131に連なるフィルタチャンバ
133が形成されている。フィルタチャンバ133は、
天井部分を格子状のフィルタ装着枠134で水平に仕切
って構成され、このフィルタ装着枠134に複数(4
つ)のフィルタ(HEPAフィルタ)135が装着され
ている(図8参照)。
An air supply port 131 connected to the machine chamber 13 is formed in the upper rear part of the right side wall 112, and an exhaust port 132 connected to the exhaust duct 102 is formed in the front lower part of the left side wall 111 correspondingly. ing. Further, a filter chamber 133 connected to the air supply port 131 is formed in the ceiling portion of the chamber room 11. The filter chamber 133 is
The ceiling portion is horizontally divided by a lattice-shaped filter mounting frame 134, and a plurality of (4
One filter (HEPA filter) 135 is attached (see FIG. 8).

【0085】送気口131から流入した不活性ガスはフ
ィルタチャンバ133に流入し、複数のフィルタ135
を通過して液滴吐出装置6の上部に流入する。この場
合、送気口131から流入した不活性ガスは、フィルタ
(フィルタチャンバ133)135を通過するものの、
その気流の主体は、チャンバルーム11内をほぼ対角方
向に流れて排気口132に至るようになっている。そし
て、この対角方向の気流の主流路上には、液滴吐出装置
6の液滴吐出動作を行う領域、すなわち吐出エリアが臨
んでいる。
The inert gas flowing in from the air supply port 131 flows into the filter chamber 133 and a plurality of filters 135
And flows into the upper portion of the droplet discharge device 6. In this case, although the inert gas flowing from the air supply port 131 passes through the filter (filter chamber 133) 135,
The main body of the airflow flows in the chamber room 11 in a substantially diagonal direction to reach the exhaust port 132. The main flow path of the airflow in the diagonal direction faces the area where the droplet discharge operation of the droplet discharge device 6 is performed, that is, the discharge area.

【0086】すなわち、チャンバルーム11内では、不
活性ガスの主気流が吐出エリアを包み込むように流れ、
且つ気流全体としはフィルタからダウンフローした後、
排気口132に向かって流れる。これにより、吐出エリ
アは、常に新鮮な不活性ガスの雰囲気に曝されることに
なる。なお、この場合の気流の流速は、機能液滴吐出ヘ
ッド4から吐出した機能液滴に飛行曲がりが生じない程
度に調整されていることは、言うまでもない。
That is, in the chamber room 11, the main flow of the inert gas flows so as to surround the discharge area,
And after downflowing from the filter as the whole air flow,
It flows toward the exhaust port 132. As a result, the discharge area is always exposed to the atmosphere of fresh inert gas. Needless to say, the flow velocity of the airflow in this case is adjusted to such an extent that the functional liquid droplets ejected from the functional liquid droplet ejection head 4 do not cause flight bending.

【0087】機械室13の上部には、図外のガス製造装
置に連なるガス導入ユニット101が設けられており、
また機械室11の内部は、適宜隔壁137で仕切られ、
ガス導入ユニット101から上記の送気口131に至る
ガス流路138が形成されている。すなわち、機械室1
3の内部には、ガス流路138となるダクトが一体的に
形成されている。
At the upper part of the machine room 13, there is provided a gas introduction unit 101 connected to a gas production apparatus (not shown).
Further, the inside of the machine room 11 is appropriately partitioned by a partition wall 137,
A gas flow path 138 is formed from the gas introduction unit 101 to the air supply port 131. That is, machine room 1
A duct serving as the gas flow path 138 is integrally formed inside the unit 3.

【0088】ガス導入ユニット101には、上流側から
順に、ガス開閉バルブ(電磁弁)142、ガス調整ダン
パー(電動弁:高気密モータダンパー)143およびガ
ス開閉ダンパー(高気密モータダンパー)144から成
るガスダンパーユニット141が組み込まれている(図
7参照)。上述したように、実施形態のチャンバ装置3
では、不活性ガスの補給と排気とを連続して行う運転形
態をとっており、ガス開閉バルブ142およびガス開閉
ダンパー144を「開」とした状態で、ガス調整ダンパ
ー143により不活性ガスの補給流量が調整される。ま
た、後述する大気置換運転では、ガス開閉バルブ14
2、ガス調整ダンパー143およびガス開閉ダンパー1
44は、いずれも「閉」に制御される。
The gas introduction unit 101 is composed of a gas opening / closing valve (electromagnetic valve) 142, a gas adjusting damper (electric valve: high airtight motor damper) 143, and a gas opening / closing damper (high airtight motor damper) 144 in this order from the upstream side. The gas damper unit 141 is incorporated (see FIG. 7). As described above, the chamber device 3 of the embodiment
In the operation mode in which the supply and exhaust of the inert gas are continuously performed, the supply of the inert gas is performed by the gas adjustment damper 143 with the gas opening / closing valve 142 and the gas opening / closing damper 144 being “open”. The flow rate is adjusted. In the atmosphere replacement operation described later, the gas opening / closing valve 14
2. Gas adjustment damper 143 and gas opening / closing damper 1
All of 44 are controlled to be “closed”.

【0089】機械室13の内部に構成したガス流路13
8は、ガス導入ユニット101から機械室13の下部ま
で延び、ここでUターンして上部の送気口131に至る
ようになっている。そして、このガス流路138のう
ち、上方に向かう流路部分に、後述するガス調和機器1
55が組み込まれている。
Gas channel 13 formed inside machine room 13
Numeral 8 extends from the gas introduction unit 101 to the lower part of the machine room 13, where it makes a U-turn to reach the upper air supply port 131. Then, in the gas flow path 138, a flow path portion directed upward is provided with a gas conditioner 1 described later.
55 is installed.

【0090】また、ガス流路138は、図7に示すよう
に、ガス導入ユニット101の下流側で分岐しており、
ガス導入ユニット101からガス調和機器155を通過
して送気口131に至る一方の主ガス流路147と、ガ
ス導入ユニット101から直接送気口131に至る他方
のバイパス流路148とで構成されている。主ガス流路
147およびバイパス流路148には、それぞれ流路切
替え用の手動ダンパー149,150が設けられてお
り、この両手動ダンパー149,150は、チャンバ装
置3を設置した初期調整時にのみ調整される。
As shown in FIG. 7, the gas flow path 138 is branched on the downstream side of the gas introduction unit 101,
It is composed of one main gas passage 147 passing from the gas introduction unit 101 through the gas conditioning apparatus 155 to the air supply port 131, and the other bypass flow passage 148 leading from the gas introduction unit 101 directly to the air supply port 131. ing. The main gas flow passage 147 and the bypass flow passage 148 are respectively provided with manual dampers 149 and 150 for switching the flow passages. These both manual dampers 149 and 150 are adjusted only at the initial adjustment when the chamber device 3 is installed. To be done.

【0091】なお、図7にのみ示すが、チャンバルーム
11にはリターン流路(リターン口)151が形成され
ており、チャンバルーム11のリターンガスは、このリ
ターン流路151を介して機械室13に戻され、ガス調
和機器155の上流側において主ガス流路147に合流
する。但し、このリターンは予備的なものであり、通常
運転時にはリターン運転は行わない。
As shown only in FIG. 7, a return passage (return port) 151 is formed in the chamber room 11, and the return gas of the chamber room 11 passes through the return passage 151 and the machine room 13 is returned. And is joined to the main gas flow path 147 on the upstream side of the gas conditioner 155. However, this return is preliminary and the return operation is not performed during normal operation.

【0092】主ガス流路147には、クーラ(チーリン
グユニット)156、ヒータ(電気ヒータ)157およ
び2台のファン(シロッコファン)158,158から
成るガス調和機器155が介設されている。クーラ15
6およびヒータ157は、機械室の上下中間位置に隣接
して配置されており、温度調節装置を構成している。こ
れにより、チャンバルーム11内の不活性ガスの雰囲気
が、所定の温度、例えば実施形態のものでは20℃±
0.5℃に維持されるようになっている。
The main gas passage 147 is provided with a gas conditioner 155 including a cooler (cheering unit) 156, a heater (electric heater) 157, and two fans (sirocco fans) 158 and 158. Cooler 15
The heater 6 and the heater 157 are arranged adjacent to each other in the upper and lower intermediate positions of the machine room and constitute a temperature adjusting device. As a result, the atmosphere of the inert gas in the chamber room 11 is kept at a predetermined temperature, for example, 20 ° C. ±
It is designed to be maintained at 0.5 ° C.

【0093】ファン158は、機械室13の上部にあっ
て、送気口131に近接して設けられている。ガス導入
ユニット101から導入した不活性ガスは、このファン
158により、送気口131を介してチャンバルーム1
1内に強制的に送気される。そして、このファン158
により、チャンバルーム11内への不活性ガスの補給量
およびチャンバルーム11内の気流の流速等が制御され
る。
The fan 158 is provided in the upper part of the machine room 13 and is provided close to the air supply port 131. The inert gas introduced from the gas introduction unit 101 is supplied to the chamber room 1 via the air supply port 131 by the fan 158.
It is forcibly insufflated into 1. And this fan 158
Thus, the supply amount of the inert gas to the chamber room 11 and the flow velocity of the airflow in the chamber room 11 are controlled.

【0094】排気流路を構成する排気ダクト102は、
排気口132の近傍に排気チャンバ161を有してお
り、この排気チャンバ161から立ち上がり、さらにチ
ャンバルーム11の上面に沿って水平に延在している。
排気ダクト102の下流側(チャンバルーム11の上面
に位置する部分)には、排気調整ダンパー163および
排気開閉ダンパー164から成る排気ダンパーユニット
162が介設され(図7参照)、この排気調整ダンパー
163により排気流量が調整される。
The exhaust duct 102 constituting the exhaust flow path is
An exhaust chamber 161 is provided in the vicinity of the exhaust port 132, stands up from the exhaust chamber 161, and further extends horizontally along the upper surface of the chamber room 11.
An exhaust damper unit 162 including an exhaust adjusting damper 163 and an exhaust opening / closing damper 164 is provided downstream of the exhaust duct 102 (a portion located on the upper surface of the chamber room 11) (see FIG. 7). The exhaust flow rate is adjusted by.

【0095】また、排気チャンバ161には、上記の前
部着脱パネルユニット113および後部着脱パネルユニ
ット114からそれぞれ延びる2本の排気パイプ(パネ
ル体排気流路)166,166が接続されている(図
8、図9および図11参照)。各排気パイプの上流端
は、内パネルユニット121と外パネルユニット122
との間の空隙130に連通しており、また各排気パイプ
166には排気バルブ(パネル体排気ダンパー)167
が介設されている。これにより、内外両パネルユニット
113,114の空隙130部分にリークした不活性ガ
スを排気できるようになっている(詳細は後述する)。
Further, two exhaust pipes (panel exhaust passages) 166 and 166 extending from the front detachable panel unit 113 and the rear detachable panel unit 114 are connected to the exhaust chamber 161 (Fig. 8, FIG. 9 and FIG. 11). The upstream end of each exhaust pipe has an inner panel unit 121 and an outer panel unit 122.
And an exhaust valve (panel exhaust damper) 167 in each exhaust pipe 166.
Is installed. As a result, the inert gas leaked into the gaps 130 of the inner and outer panel units 113 and 114 can be exhausted (details will be described later).

【0096】一方、ガス調和機器155の上流側におい
て主ガス流路147には、隔壁137により機械室内1
3に構成した外気流路171が合流している(図7参
照)。外気流路171の外気取入れ口172は、機械室
13の下部側面に開口しており、外気流路171の下流
端は、クーラ156の上流側で主ガス流路147に合流
している。また、外気流路171には、外気取入れ口1
72側から順に、外気開閉ダンパー174、外気調整ダ
ンパー175および外気開閉バルブ176から成る外気
ダンパーユニット173が介設されている。
On the other hand, in the main gas flow passage 147 on the upstream side of the gas conditioner 155, a partition wall 137 is provided between the machine room 1 and the main gas passage 147.
The outside air flow paths 171 configured in No. 3 join (see FIG. 7). The outside air intake port 172 of the outside air passage 171 is open to the lower side surface of the machine room 13, and the downstream end of the outside air passage 171 joins the main gas passage 147 on the upstream side of the cooler 156. In addition, the outside air flow path 171 includes the outside air intake port 1
An outside air damper unit 173 including an outside air opening / closing damper 174, an outside air adjusting damper 175, and an outside air opening / closing valve 176 is provided in order from the 72 side.

【0097】この場合、外気開閉ダンパー174および
外気調整ダンパー175は高気密ダンパーで構成され、
外気開閉バルブ176は電磁弁(電動二方弁)で構成さ
れている。詳細は後述するが、外気置換運転を行う場合
には、外気開閉ダンパー174、外気調整ダンパー17
5および外気開閉バルブ176はいずれも「開」に制御
され、外気調整ダンパー175により外気の流量調整が
行われる。また通常運電時には、これらダンパー17
4,175およびバルブ176はいずれも「閉」に制御
され、これらの高気密性と個数とにより、外気の侵入を
確実に遮断する。
In this case, the outside air opening / closing damper 174 and the outside air adjusting damper 175 are high airtight dampers,
The outside air opening / closing valve 176 is composed of a solenoid valve (motorized two-way valve). Although the details will be described later, when the outside air replacement operation is performed, the outside air opening / closing damper 174 and the outside air adjusting damper 17 are used.
5 and the outside air opening / closing valve 176 are both controlled to be “open”, and the outside air adjusting damper 175 adjusts the flow rate of the outside air. Also, during normal power transmission, these dampers 17
4, 175 and the valve 176 are all controlled to be "closed", and the high airtightness and the number of these elements reliably block the entry of outside air.

【0098】次に、チャンバ装置3の制御構成について
簡単に説明する。図27のブロック図に示すように、チ
ャンバ装置3は、温度調節計189、酸素濃度計18
2,191、圧力計187、水分計183、風速モニタ
ー188a,188bおよびパネルセンサ211を有し
て各種検出を行う検出部210と、電磁ロック装置12
9を有して着脱パネルユニット113,114をロック
・アンロックするパネル部220と、ガスダンパーユニ
ット141、外気ダンパーユニット173および排気ダ
ンパーユニット162を有して各ダンパーの開閉や調整
を行うダンパーユニット部230と、クーラ156、ヒ
ータ157およびファン158を有して温度調節や気流
調節を行うガス調和部240(ガス調和機器155)
と、ディスプレイ251および表示灯252を有して各
種検出器の検出結果やエラー表示を行う表示部250
と、各種ドライバやヒータ157に接続されるリレー1
90を有して各部回路を駆動する駆動部260と、チャ
ンバ装置3の各部を制御する制御部270と、チャンバ
装置3の各部に電源を供給する電源部280とを備えて
いる。
Next, the control configuration of the chamber device 3 will be briefly described. As shown in the block diagram of FIG. 27, the chamber device 3 includes a temperature controller 189 and an oxygen concentration meter 18
2, 191, a pressure gauge 187, a moisture gauge 183, wind speed monitors 188a and 188b, and a panel sensor 211, and a detection unit 210 for performing various detections, and an electromagnetic lock device 12.
A panel unit 220 having 9 to lock / unlock the detachable panel units 113 and 114, and a damper unit having a gas damper unit 141, an outside air damper unit 173, and an exhaust damper unit 162 to open / close and adjust each damper. A gas conditioning unit 240 (gas conditioning device 155) that has a unit 230, a cooler 156, a heater 157, and a fan 158 to control temperature and air flow.
And a display unit 250 having a display 251 and an indicator lamp 252 for displaying detection results of various detectors and error display
And relay 1 connected to various drivers and heaters 157
A driving unit 260 having 90 to drive each circuit, a control unit 270 that controls each unit of the chamber apparatus 3, and a power supply unit 280 that supplies power to each unit of the chamber apparatus 3.

【0099】制御部270は、CPU271と、ROM
272と、RAM273と、IOC(入出力制御回路)
274とを有し、互いに内部バス275によって接続さ
れている。ROM272は、CPU271で処理する制
御プログラムの他、各部を制御するための制御データを
記憶している。RAM273は、各種フラグ等として使
用されるレジスタ群や、各検出器により検出・計測した
計測値等を記憶するデータ領域を有し、制御処理のため
の作業領域として使用される。
The control section 270 includes a CPU 271 and a ROM.
272, RAM 273, IOC (input / output control circuit)
274 and are connected to each other by an internal bus 275. The ROM 272 stores a control program processed by the CPU 271, as well as control data for controlling each unit. The RAM 273 has a register group used as various flags and the like, and a data area for storing measurement values detected and measured by each detector, and is used as a work area for control processing.

【0100】またIOC274は、CPU271の機能
を補うと共に各種周辺回路とのインターフェイス信号を
取り扱うための論理回路が組み込まれており、検出部2
10からの検出信号などをそのままあるいは加工して内
部バス275に取り込むと共に、CPU271と連動し
て、CPU271等から内部バス275に出力されたデ
ータや制御信号をそのままあるいは加工して駆動部26
0に出力する。そして、CPU271は、上記の構成に
より、ROM272内の制御プログラムにしたがって、
IOC274を介してチャンバ装置3の各部からの各種
信号・データ等を入力し、IOC274を介してチャン
バ装置3の各部に各種信号・データを出力することによ
り、着脱パネルユニット113,114のロック・アン
ロックや、各ダンパーの開閉など、チャンバ装置3全体
を制御している。
The IOC 274 has a built-in logic circuit for complementing the function of the CPU 271 and for handling interface signals with various peripheral circuits.
The detection signal or the like from 10 is directly or processed and taken into the internal bus 275, and in cooperation with the CPU 271, the data or control signal output from the CPU 271 or the like to the internal bus 275 is directly or processed and is driven 26.
Output to 0. Then, the CPU 271 has the above-described configuration according to the control program stored in the ROM 272.
By inputting various signals and data from each part of the chamber apparatus 3 via the IOC 274 and outputting various signals and data to each part of the chamber apparatus 3 via the IOC 274, lock / unlock of the removable panel units 113 and 114 is performed. The chamber device 3 as a whole is controlled by locking and opening / closing each damper.

【0101】次に、チャンバ装置3の運転方法について
簡単に説明する。チャンバルーム11に不活性ガスを導
入する通常運転時では、外気ダンパーユニット173を
「閉」とした状態で、ガスダンパーユニット141およ
び排気ダンパーユニット162を「開」とし、ファン1
58により、チャンバルーム11内に不活性ガスの補給
および排気を行って、その雰囲気を構成する。
Next, a method of operating the chamber device 3 will be briefly described. During normal operation in which the inert gas is introduced into the chamber room 11, the outside air damper unit 173 is “closed”, the gas damper unit 141 and the exhaust damper unit 162 are “open”, and the fan 1
58, the inert gas is replenished and exhausted into the chamber room 11 to form the atmosphere.

【0102】ガス調整ダンパー143には、コントロー
ラ181を介して、チャンバルーム11内に設けた酸素
濃度計(低濃度)182および水分計183が接続され
ており、これらの計測結果に基づいて、不活性ガスの補
給流量が調整される。より具体的には、ガス調整ダンパ
ー143により、チャンバルーム11内の酸素濃度およ
び水分濃度がいずれも10ppm以下に維持されるよう
に、制御される。なお、図中の符号184は、酸素濃度
を表示するスケーリングメータである。
An oxygen concentration meter (low concentration) 182 and a moisture meter 183 provided in the chamber room 11 are connected to the gas adjustment damper 143 via the controller 181, and based on these measurement results, the The supply flow rate of the active gas is adjusted. More specifically, the gas adjustment damper 143 controls so that both the oxygen concentration and the water concentration in the chamber room 11 are maintained at 10 ppm or less. Reference numeral 184 in the drawing is a scaling meter that displays the oxygen concentration.

【0103】一方、排気調整ダンパー163には、コン
トローラ186を介して圧力計187が接続されてお
り、圧力計187の検出結果に基づいて、不活性ガスの
排気流量が調整される。すなわち、排気調整ダンパー1
63により、大気圧に対しチャンバルーム11内が幾分
正圧になるように、制御される。これにより、チャンバ
ルーム11から不活性ガスが漏れることはあっても、外
気の侵入は防止される。また、ガスダンパーユニット1
41の下流側近傍、および排気ダンパーユニット162
の上流側近傍には、それぞれ風速モニター188a,1
88bが設けられており、この風速モニター188a,
188bの風力差の変化により、ファン158の故障や
不活性ガスのリークが確認できるようになっている。
On the other hand, a pressure gauge 187 is connected to the exhaust adjustment damper 163 via a controller 186, and the exhaust flow rate of the inert gas is adjusted based on the detection result of the pressure gauge 187. That is, the exhaust adjustment damper 1
By 63, control is performed so that the inside of the chamber room 11 becomes a somewhat positive pressure with respect to the atmospheric pressure. As a result, invasion of outside air is prevented even though the inert gas may leak from the chamber room 11. Also, the gas damper unit 1
41 near the downstream side and the exhaust damper unit 162
Near the upstream side of the wind speed monitors 188a, 1
88b is provided, and this wind speed monitor 188a,
Due to the change in the wind force difference of 188b, the failure of the fan 158 and the leak of the inert gas can be confirmed.

【0104】さらに、チャンバルーム11内には、温度
調節計(温度計)189が設けられており、温度調節計
189は、リレー190を介してヒータ157に接続さ
れている。この場合、温度調節装置のクーラ156は常
時定格運転となっており、ヒータ157により、チャン
バルーム11内が20℃±0.5℃になるように制御さ
れる。
Further, a temperature controller (thermometer) 189 is provided in the chamber room 11, and the temperature controller 189 is connected to the heater 157 via a relay 190. In this case, the cooler 156 of the temperature control device is always in rated operation, and the heater 157 controls the inside of the chamber room 11 to be 20 ° C. ± 0.5 ° C.

【0105】一方、チャンバルーム11内の不活性ガス
を追い出して外気を導入する大気置換運転では、ガスダ
ンパーユニット141を「閉」とし、外気ダンパーユニ
ット173および排気ダンパーユニット162を「開」
として、ファン158により、チャンバルーム11内に
外気を強制的に導入する。すなわち、チャンバルーム1
1内に外気を強制送気し、チャンバルーム11内の不活
性ガスを押し出すようにする。また、両排気バルブ16
7,167を「開」とし、内外両パネルユニット12
1,122の空隙130部分にリークした不活性ガスも
排気する。
On the other hand, in the atmosphere replacement operation for expelling the inert gas in the chamber room 11 to introduce the outside air, the gas damper unit 141 is closed and the outside air damper unit 173 and the exhaust damper unit 162 are opened.
As a result, the outside air is forcibly introduced into the chamber room 11 by the fan 158. That is, chamber room 1
The outside air is forcibly sent into the chamber 1 to push out the inert gas in the chamber room 11. Also, both exhaust valves 16
7 and 167 are set to “open”, and both inner and outer panel units 12
The inert gas leaked into the voids 130 of 1,122 is also exhausted.

【0106】描画装置2のメンテナンス(着脱パネルユ
ニット113,114の開放)を前提とする大気置換運
転では、ヒータ157をOFFとすると共に、外気調整
ダンパー175および排気調整ダンパー163を「全
開」として、流量調整は行わない。これにより、最短時
間で大気置換が行われる。そして、チャンバルーム11
内に設けた酸素濃度計(高濃度)191の計測結果に基
づいて、大気置換の完了が確認され、且つ上記の電磁ロ
ック装置129のロック状態が解除される。これによ
り、前後両着脱パネルユニット113,114が開放可
能状態となる。
In the atmosphere replacement operation premised on the maintenance of the drawing apparatus 2 (opening of the detachable panel units 113 and 114), the heater 157 is turned off, and the outside air adjustment damper 175 and the exhaust adjustment damper 163 are set to "fully open". The flow rate is not adjusted. As a result, the atmosphere replacement is performed in the shortest time. And chamber room 11
Based on the measurement result of the oxygen concentration meter (high concentration) 191 provided inside, the completion of the atmosphere replacement is confirmed, and the locked state of the electromagnetic lock device 129 is released. As a result, both the front and rear detachable panel units 113 and 114 can be opened.

【0107】また、描画装置(液滴吐出装置6)2の精
度確認に関する試験運転を前提とする大気置換運転で
は、ヒータ157をONとすると共に、外気調整ダンパ
ー175および排気調整ダンパー163が流量調整さ
れ、チャンバルーム11内が所望の温度(20℃±0.
5℃)の雰囲気(大気)に置換される。
Further, in the atmosphere replacement operation premised on the test operation for checking the accuracy of the drawing device (droplet ejection device 6) 2, the heater 157 is turned on and the outside air adjusting damper 175 and the exhaust adjusting damper 163 adjust the flow rate. Then, the inside of the chamber room 11 has a desired temperature (20 ° C. ± 0.
The atmosphere (atmosphere) of 5 ° C.) is replaced.

【0108】なお、温度異常や圧力異常など、チャンバ
装置3に異常が発生した場合は、ガス開閉バルブ14
2、ガス調整ダンパー143およびガス開閉ダンパー1
44は、いずれも「閉」に制御され、排気調整ダンパー
163、排気開閉ダンパー164、外気開閉ダンパー1
74、外気調整ダンパー175および外気開閉バルブ1
76は、いずれも「開」に制御される。そして、その
後、チャンバ装置3の電源がOFFされる。
When an abnormality such as a temperature abnormality or a pressure abnormality occurs in the chamber device 3, the gas opening / closing valve 14
2. Gas adjustment damper 143 and gas opening / closing damper 1
All of 44 are controlled to be “closed”, and an exhaust adjustment damper 163, an exhaust opening / closing damper 164, and an outside air opening / closing damper 1 are provided.
74, outside air adjustment damper 175 and outside air open / close valve 1
Both 76 are controlled to be “open”. Then, after that, the power of the chamber device 3 is turned off.

【0109】以上の通り、チャンバ装置3は、描画装置
2をチャンバルーム11に収容し、液滴吐出装置6によ
る液滴吐出作業を新鮮な不活性ガスの雰囲気中で行うよ
うにしているため、基板W上に着弾した機能液滴(発光
材料)が変質したり損傷したりすることがなく、有機E
L装置を安定に製造することができる。また、大気置換
を行う場合に、ファン158を用いて外気をチャンバル
ーム11内に強制的に送り込むようにしているため、短
時間で外気置換を行うことができる共に、不活性ガスの
残留を極力防止することができる。
As described above, in the chamber apparatus 3, since the drawing apparatus 2 is housed in the chamber room 11 and the droplet discharge operation by the droplet discharge apparatus 6 is performed in a fresh inert gas atmosphere, The functional liquid droplets (light emitting material) landed on the substrate W are not altered or damaged, and the organic E
The L device can be manufactured stably. Further, when performing the atmosphere replacement, the outside air is forcibly sent into the chamber room 11 by using the fan 158, so that the outside air can be replaced in a short time and the residual inert gas is minimized. Can be prevented.

【0110】さらに、チャンバ装置3は、大気置換時に
おいて、チャンバルーム11内の雰囲気が所定の酸素濃
度を超えたときに、電磁ロック装置129がアンロック
制御され、着脱パネル体124,126の取り外しが可
能となる。すなわち、チャンバルーム11内が不活性ガ
スで満たされている場合は元より、大気置換時に排気不
良等で不活性ガスが残留している場合は、着脱パネル体
124,126をロック制御しているため、誤って着脱
パネル体124,126が開放されてしまうのを確実に
防止し、ひいては作業者の酸欠を防止することができ
る。
Further, in the chamber device 3, when the atmosphere in the chamber room 11 exceeds a predetermined oxygen concentration during the atmosphere replacement, the electromagnetic lock device 129 is unlocked and the detachable panel bodies 124 and 126 are removed. Is possible. That is, when the chamber room 11 is filled with the inert gas, the detachable panel bodies 124 and 126 are locked and controlled when the chamber room 11 is filled with the inert gas due to exhaust failure or the like when the atmosphere is replaced. Therefore, it is possible to reliably prevent the detachable panel bodies 124 and 126 from being accidentally opened, and thus prevent the worker from being deficient in oxygen.

【0111】次に、本発明の第二実施形態に係るチャン
バ装置3について説明する。本実施形態に係るチャンバ
装置3は、チャンバルーム11とガス精製装置310と
の間で不活性ガスを循環させることで、チャンバルーム
11内に不活性ガスの新鮮な雰囲気を構成するものであ
る。図28の系統図に示すように、チャンバ装置3は、
不活性ガスを導入・循環させるガス部320と、圧縮エ
アーを供給するエアー供給部330と、チャンバルーム
11内の雰囲気を排気する排気部340と、チャンバル
ーム11内の酸素濃度を計測する酸素計測部350と、
チャンバルーム11内圧を検出する圧力検出部360と
を備えている。
Next, the chamber device 3 according to the second embodiment of the present invention will be described. The chamber device 3 according to the present embodiment constitutes a fresh atmosphere of the inert gas in the chamber room 11 by circulating the inert gas between the chamber room 11 and the gas purification device 310. As shown in the system diagram of FIG. 28, the chamber device 3 is
A gas part 320 for introducing and circulating an inert gas, an air supply part 330 for supplying compressed air, an exhaust part 340 for exhausting the atmosphere in the chamber room 11, and an oxygen measurement for measuring the oxygen concentration in the chamber room 11. Part 350,
The chamber room 11 is provided with a pressure detection unit 360.

【0112】ガス部320は、ガス製造装置321と、
これにより不活性ガスが供給されると共に不活性ガスの
精製を行うガス精製装置310と、ガス精製装置310
とチャンバルーム11とを連通すると共にガス往路バル
ブ322を介設したガス往路323と、チャンバルーム
11とガス精製装置310とを連通すると共にガス返路
バルブ324を介設したガス返路325と、ガス往路バ
ルブ322の上流側とガス返路バルブ324の下流側と
を連通すると共に開閉バルブ326を介設したバイパス
流路327と、不活性ガス導入時において、ガス精製装
置310からの排気ガスを排気するガス排気流路328
と、排気された不活性ガスを処理するガス処理装置32
9とにより構成されている。
The gas section 320 includes a gas producing device 321 and
As a result, an inert gas is supplied and a gas purifying device 310 for purifying the inert gas, and a gas purifying device 310.
A gas outward path 323 that connects the chamber room 11 to the chamber room 11, and a gas outgoing path valve 322, and a gas return path 325 that communicates the chamber room 11 and the gas purification device 310 and a gas return path valve 324. A bypass passage 327 that connects the upstream side of the gas outward valve 322 and the downstream side of the gas return valve 324 and has an opening / closing valve 326 interposed between the bypass passage 327 and the exhaust gas from the gas purification device 310 when the inert gas is introduced. Exhaust gas exhaust passage 328
And a gas treatment device 32 for treating the exhausted inert gas
9 and 9.

【0113】ガス製造装置321とガス精製装置310
との間には、ガスレギュレータ311が介設されてお
り、供給される不活性ガスの圧力を一定(通常6kg/
cm2)に調節している。また、ガス往路バルブ322
およびガス返路バルブ324は、作業者が手動で開閉す
るものであり、ガス精製装置310の運転開始時に開放
され、停止時に閉塞される。一方、開閉バルブ326
も、作業者が手動で開閉するものであり、ガス精製装置
310の運転開始時に閉塞され、停止時に開放される。
また、ガス精製装置310置内には、ガス往路323を
開放するガス供給バルブ312と、ガス排気流路328
を開放するガス排気バルブ313とが、それぞれの流路
の端に取り付けられている。
Gas production apparatus 321 and gas purification apparatus 310
A gas regulator 311 is provided between the pressure regulator and the pressure regulator, and the pressure of the inert gas supplied is constant (usually 6 kg /
cm 2 ). In addition, the gas outward valve 322
The gas return valve 324 is opened and closed manually by an operator, and is opened when the gas refining apparatus 310 starts operating and closed when it is stopped. On the other hand, the open / close valve 326
Also, the operator manually opens and closes the gas purifier 310, which is closed when the gas refining apparatus 310 starts to operate and opened when the gas purifier 310 is stopped.
Further, in the gas purifying device 310, a gas supply valve 312 that opens the gas outward path 323 and a gas exhaust flow path 328.
A gas exhaust valve 313 for opening the valve is attached to the end of each flow path.

【0114】エアー供給部330は、エアー製造装置3
31と、これにより製造された圧縮エアーをチャンバル
ーム11に供給すると共にエアー供給バルブ332を介
設したエアー供給流路333とにより構成されている。
エアー製造装置331とエアー供給バルブ332との間
には、エアーレギュレータ334が介設されており、供
給される圧縮エアーの圧力を一定(通常1〜2kg/c
2)に調節している。また、エアー供給バルブ332
は、電磁弁により構成され、通常運転時は閉塞し、エア
ー供給時(大気置換時)に開放するように制御される。
The air supply unit 330 is used in the air manufacturing apparatus 3
31 and an air supply flow path 333 which supplies compressed air produced thereby to the chamber room 11 and is provided with an air supply valve 332.
An air regulator 334 is provided between the air manufacturing device 331 and the air supply valve 332, and the pressure of the compressed air supplied is constant (usually 1 to 2 kg / c).
m 2 ). Also, the air supply valve 332
Is constituted by a solenoid valve and is controlled so as to be closed during normal operation and opened during air supply (atmosphere replacement).

【0115】排気部340は、チャンバルーム11から
の雰囲気を排気すると共に排気バルブ341を介設した
排気流路342と、排気を処理する排気処理装置343
とにより構成されている。排気バルブ341は、電磁弁
により構成され、通常運転時は閉塞し、エアー供給時に
開放するように制御される。
The exhaust unit 340 exhausts the atmosphere from the chamber room 11 and an exhaust passage 342 having an exhaust valve 341, and an exhaust treatment device 343 for treating the exhaust.
It is composed of and. The exhaust valve 341 is constituted by an electromagnetic valve and is controlled so as to be closed during normal operation and open during air supply.

【0116】酸素計測部350は、チャンバルーム11
内の酸素濃度を計測する酸素濃度計351と、チャンバ
ルーム11と酸素濃度計351とを連通すると共に往路
バルブ352を介設した循環往路353と、酸素濃度計
351とチャンバルーム11とを連通すると共に返路バ
ルブ354を介設した循環返路355とにより構成され
ている。酸素濃度計351は、0〜25%の酸素濃度を
計測可能に構成されている。また、往路バルブ352お
よび返路バルブ354は、電磁弁により構成され、エア
ー供給時に開放するように制御される。
The oxygen measuring section 350 is provided in the chamber room 11
The oxygen concentration meter 351 for measuring the oxygen concentration in the chamber, the chamber room 11 and the oxygen concentration meter 351 are communicated with each other, and the circulation outward path 353 having the outward valve 352 is communicated with the oxygen concentration meter 351 and the chamber room 11. And a circulation return passage 355 provided with a return passage valve 354. The oxygen concentration meter 351 is configured to measure an oxygen concentration of 0 to 25%. The outward valve 352 and the return valve 354 are electromagnetic valves, and are controlled to open when air is supplied.

【0117】圧力検出部360は、通常運転時にチャン
バルーム内圧を検出する第一圧力センサ361と、エア
ー供給時にチャンバルーム内圧を検出する第二圧力セン
サ362と、チャンバルーム11内に配設され、常時チ
ャンバルーム内圧を検出するオイルバブラー363とに
より構成されている。第一圧力センサ361は、チャン
バルーム11とガス精製装置310とを直接連通する副
ガス流路364に介設され、±20mbarの範囲内で
ある接点をとり、これを超えた圧力値を検出した場合
は、ガス精製装置310内のガス排気バルブ313を開
放させ、副ガス流路364を介してチャンバルーム11
内の雰囲気(不活性ガス)をガス処理装置329へ排気
するように制御される。一方、第二圧力センサ362に
よって、±20mbarの範囲を超えた圧力値を検出し
た場合は、エアー供給バルブ332を閉塞するように制
御される。また、オイルバブラー363は、液面管理に
よって、チャンバルーム内圧が一定圧以上になるとチャ
ンバルーム11内の雰囲気を室外へ放出させる。
The pressure detecting section 360 is provided in the chamber room 11 with a first pressure sensor 361 for detecting the chamber room internal pressure during normal operation, a second pressure sensor 362 for detecting the chamber room internal pressure during air supply, It is constituted by an oil bubbler 363 that constantly detects the internal pressure of the chamber room. The first pressure sensor 361 is provided in the sub gas flow path 364 that directly connects the chamber room 11 and the gas purifying device 310, makes a contact within a range of ± 20 mbar, and detects a pressure value exceeding this. In this case, the gas exhaust valve 313 in the gas purifier 310 is opened and the chamber room 11 is opened via the sub gas passage 364.
The atmosphere inside (inert gas) is controlled to be exhausted to the gas processing device 329. On the other hand, when the second pressure sensor 362 detects a pressure value exceeding the range of ± 20 mbar, the air supply valve 332 is controlled to be closed. Further, the oil bubbler 363 discharges the atmosphere in the chamber room 11 to the outside when the chamber room internal pressure becomes equal to or higher than a certain pressure by the liquid level management.

【0118】ここで、チャンバ装置3の運転方法につい
て簡単に説明する。チャンバルーム11に不活性ガスを
導入する通常運転時では、ガス精製装置310の電源が
ONにされると、ガス精製装置310内のガス供給バル
ブ312およびガス排気バルブ313が「開」となると
共に、ディスプレイ251上にバルブの切替指示(ガス
往路バルブ322およびガス返路バルブ324は
「開」、開閉バルブ326は「閉」)が為される。これ
に基づいて、作業者は手動により、各バルブを切り替え
る。そしてこれにより、ガス製造装置321からガスレ
ギュレータ311を介して供給された不活性ガスが、ガ
ス精製装置310により精製されてチャンバルーム11
に供給される。このとき、エアー供給バルブ332およ
び排気バルブ341は「閉」に制御され、往路バルブ3
52および返路バルブ354は「開」に制御されてい
る。
Here, a method of operating the chamber device 3 will be briefly described. During the normal operation of introducing the inert gas into the chamber room 11, when the power of the gas purification device 310 is turned on, the gas supply valve 312 and the gas exhaust valve 313 in the gas purification device 310 become “open”. An instruction to switch the valves is issued on the display 251 (the gas outward valve 322 and the gas return valve 324 are “open”, and the open / close valve 326 is “closed”). Based on this, the operator manually switches each valve. As a result, the inert gas supplied from the gas production device 321 via the gas regulator 311 is purified by the gas purification device 310, and the chamber room 11
Is supplied to. At this time, the air supply valve 332 and the exhaust valve 341 are controlled to be “closed”, and the forward valve 3
52 and return valve 354 are controlled to "open".

【0119】その後、図示しないガス精製装置310内
の酸素濃度計(ガス返路325の端に介設されている)
により、200ppmまで酸素濃度が下がったことが計
測されると、ガス精製装置310内のガス供給バルブ3
12およびガス排気バルブ313が「閉」に制御され、
ガス精製装置310とチャンバルーム11との間で不活
性ガスを循環させて、チャンバルーム11内の酸素濃度
を10ppmまで下げる。
After that, an oxygen concentration meter (which is provided at the end of the gas return passage 325) in the gas purifying device 310 (not shown).
When it is measured that the oxygen concentration has dropped to 200 ppm, the gas supply valve 3 in the gas purification device 310
12 and the gas exhaust valve 313 are controlled to be “closed”,
An inert gas is circulated between the gas purifier 310 and the chamber room 11 to reduce the oxygen concentration in the chamber room 11 to 10 ppm.

【0120】一方、エアー供給時(大気置換時)は、デ
ィスプレイ251上にガス精製装置310の電源をOF
Fにするよう指示が為され、これに基づいて作業者がガ
ス精製装置310の電源を切断する。すると、更にディ
スプレイ251上にバルブの切替指示(ガス往路バルブ
322およびガス返路バルブ324は「閉」、開閉バル
ブ326は「開」)が為され、作業者はこれに基づき、
手動によって、各バルブを切り替える。このとき、往路
バルブ352および返路バルブ354は「開」のまま
で、エアー供給バルブ332および排気バルブ341は
「開」に制御される。そしてこれにより、エアー製造装
置331から供給された圧縮エアーがチャンバルーム1
1に供給され、チャンバルーム11内の不活性ガスが排
気流路342に押し出されることで、大気置換が行われ
る。そして、大気置換は、酸素濃度計351により酸素
濃度が20%になるまで継続され、酸素濃度が20%に
なった時点で、エアー供給バルブ332および排気バル
ブ341は「閉」に制御される。
On the other hand, when air is supplied (atmosphere replacement), the power of the gas purification device 310 is turned off on the display 251.
It is instructed to set to F, and the worker turns off the power of the gas purifier 310 based on the instruction. Then, an instruction to switch the valves is further issued on the display 251 (the gas outward path valve 322 and the gas return path valve 324 are “closed”, and the opening / closing valve 326 is “open”).
Manually switch each valve. At this time, the outward valve 352 and the return valve 354 remain “open”, and the air supply valve 332 and the exhaust valve 341 are controlled to “open”. As a result, the compressed air supplied from the air manufacturing apparatus 331 is transferred to the chamber room 1
1, and the inert gas in the chamber room 11 is pushed out to the exhaust flow path 342, whereby the atmosphere is replaced. Then, the atmosphere replacement is continued until the oxygen concentration becomes 20% by the oxygen concentration meter 351, and when the oxygen concentration becomes 20%, the air supply valve 332 and the exhaust valve 341 are controlled to be “closed”.

【0121】次に、各バルブのインターロックについて
簡単に説明する。まず、エアー供給バルブ332の開放
は、往路バルブ352および返路バルブ354が開放制
御されていること、ガス精製装置310からのガス供給
が為されていないこと、第二圧力センサ362の検出値
が予め設定された最大値を超えていないこと、排気バル
ブ341が開放制御されていることが、条件となる。ま
た、排気バルブ341の開放は、往路バルブ352およ
び返路バルブ354が開放制御されていること、ガス精
製装置310からのガス供給が為されていないこと、第
二圧力センサ362の検出値が予め設定された最小値以
下となっていないことが条件となる。
Next, the interlock of each valve will be briefly described. First, when the air supply valve 332 is opened, the forward passage valve 352 and the return passage valve 354 are controlled to be opened, the gas is not supplied from the gas purification device 310, and the detection value of the second pressure sensor 362 is The conditions are that the maximum value set in advance is not exceeded and the exhaust valve 341 is controlled to be opened. In addition, when the exhaust valve 341 is opened, the forward passage valve 352 and the return passage valve 354 are controlled to be opened, the gas is not supplied from the gas purification device 310, and the detection value of the second pressure sensor 362 is set in advance. The condition is that it is not less than the set minimum value.

【0122】また、作業者の酸欠防止対策として、圧縮
エアー供給時において、ガス精製装置310からのガス
供給が為されていないにも関わらず、酸素濃度計351
の測定値が下がった場合は、ディスプレイ251上また
は表示灯252にてエラー報知を行うと共に警告音を発
する。
Further, as a measure for preventing oxygen deficiency of the worker, the oxygen concentration meter 351 is not supplied from the gas refining device 310 when compressed air is supplied.
When the measured value of 1 has decreased, an error notification is given on the display 251 or the indicator lamp 252 and a warning sound is emitted.

【0123】さらに、大気置換時のエアー供給バルブ3
32および排気バルブ341が開放制御されている時間
は、図外のタイマーによって測定され、酸素濃度計35
1による計測結果に関わらず、一定時間は必ず開放制御
されるようになっている。これにより、酸素濃度計35
1が正常に作動しない場合でも、酸素濃度が十分な濃度
まで上昇すると想定される時間は、エアーの供給および
不活性ガスの排気が為されるため、確実に大気置換を行
うことができる。
Further, the air supply valve 3 when replacing the atmosphere
The time during which the valve 32 and the exhaust valve 341 are controlled to be opened is measured by a timer (not shown), and the oxygen concentration meter 35
Regardless of the measurement result of 1, the opening control is always performed for a certain period of time. As a result, the oxygen concentration meter 35
Even when 1 does not operate normally, the air is supplied and the inert gas is exhausted during the time when the oxygen concentration is expected to rise to a sufficient concentration, so that the atmosphere can be reliably replaced.

【0124】以上の通り、本発明の第二実施形態に係る
チャンバ装置3は、チャンバルーム11とガス精製装置
310との間で不活性ガスを循環させるため、連続させ
て補給および排気を行う場合と比較して、少量の不活性
ガスでチャンバルーム11内に新鮮な雰囲気を構成する
ことができる。また、チャンバルーム11への不活性ガ
スの供給を停止する場合、ガス往路バルブ322および
ガス返路バルブ324を閉塞させて、開閉バルブ326
を開放させることで、ガス精製装置310により精製さ
れた不活性ガスを循環させることができる。これによ
り、ガス精製装置310内が、精製した不活性ガスの貯
留によって正圧になるのを防止することができる。すな
わち、ガス精製装置310に負担をかけることなく、チ
ャンバルームへ11の不活性ガスの供給を停止させるこ
とができる。また、圧縮エアーを供給して大気置換を行
うことで、チャンバルーム11内の不活性ガスを排気流
路342に押し出すように作用するため、大気置換を迅
速且つ効率良く行うことができる。
As described above, in the chamber device 3 according to the second embodiment of the present invention, since the inert gas is circulated between the chamber room 11 and the gas purifying device 310, continuous replenishment and exhaust are performed. In comparison with the above, a fresh atmosphere can be formed in the chamber room 11 with a small amount of inert gas. Further, when the supply of the inert gas to the chamber room 11 is stopped, the gas outward valve 322 and the gas return valve 324 are closed, and the opening / closing valve 326 is opened.
Is opened, the inert gas purified by the gas purifier 310 can be circulated. As a result, it is possible to prevent the inside of the gas purification device 310 from becoming a positive pressure due to the storage of the purified inert gas. That is, the supply of the inert gas to the chamber room 11 can be stopped without imposing a burden on the gas purifier 310. Further, by supplying compressed air to replace the atmosphere, the inert gas in the chamber room 11 acts to be pushed out to the exhaust passage 342, so that the atmosphere can be replaced quickly and efficiently.

【0125】次に、上記実施形態の電気光学装置1を用
いた有機EL装置の製造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing an organic EL device using the electro-optical device 1 of the above embodiment will be described.

【0126】図14ないし図26は、有機EL装置の製
造プロセスと共にその構造を表している。この製造プロ
セスは、バンク部形成工程と、プラズマ処理工程と、正
孔注入/輸送層形成工程及び発光層形成工程からなる発
光素子形成工程と、対向電極形成工程と、封止工程とを
具備して構成されている。
14 to 26 show the manufacturing process of the organic EL device and its structure. This manufacturing process includes a bank portion forming step, a plasma processing step, a light emitting element forming step including a hole injecting / transporting layer forming step and a light emitting layer forming step, a counter electrode forming step, and a sealing step. Is configured.

【0127】バンク部形成工程では、基板501に予め
形成した回路素子部502上及び電極511(画素電極
ともいう)上の所定の位置に、無機物バンク層512a
と有機物バンク層512bを積層することにより、開口
部512gを有するバンク部512を形成する。このよ
うに、バンク部形成工程には、電極511の一部に、無
機物バンク層512aを形成する工程と、無機物バンク
層の上に有機物バンク層512bを形成する工程が含ま
れる。
In the bank portion forming step, the inorganic bank layer 512a is formed on the circuit element portion 502 previously formed on the substrate 501 and on the electrode 511 (also referred to as a pixel electrode) at predetermined positions.
By stacking the organic material bank layer 512b with the organic material bank layer 512b, a bank portion 512 having an opening 512g is formed. As described above, the bank portion forming step includes a step of forming the inorganic bank layer 512a on a part of the electrode 511 and a step of forming the organic bank layer 512b on the inorganic bank layer.

【0128】まず無機物バンク層512aを形成する工
程では、図14に示すように、回路素子部502の第2
層間絶縁膜544b上及び画素電極511上に、無機物
バンク層512aを形成する。無機物バンク層512a
を、例えばCVD法、コート法、スパッタ法、蒸着法等
によって層間絶縁層514及び画素電極511の全面に
SiO2、TiO2等の無機物膜を形成する。
First, in the step of forming the inorganic bank layer 512a, as shown in FIG.
An inorganic bank layer 512a is formed on the interlayer insulating film 544b and the pixel electrode 511. Inorganic bank layer 512a
An inorganic film such as SiO 2 or TiO 2 is formed on the entire surfaces of the interlayer insulating layer 514 and the pixel electrode 511 by, for example, the CVD method, the coating method, the sputtering method, the vapor deposition method, or the like.

【0129】次にこの無機物膜をエッチング等によりパ
ターニングして、電極511の電極面511aの形成位
置に対応する下部開口部512cを設ける。このとき、
無機物バンク層512aを電極511の周縁部と重なる
ように形成しておく必要がある。このように、電極51
1の周縁部(一部)と無機物バンク層512aとが重な
るように無機物バンク層512aを形成することによ
り、発光層510の発光領域を制御することができる。
Next, this inorganic film is patterned by etching or the like to form a lower opening portion 512c corresponding to the formation position of the electrode surface 511a of the electrode 511. At this time,
It is necessary to form the inorganic bank layer 512a so as to overlap the peripheral portion of the electrode 511. Thus, the electrode 51
The light emitting region of the light emitting layer 510 can be controlled by forming the inorganic bank layer 512a so that the peripheral portion (a part) of No. 1 and the inorganic bank layer 512a overlap.

【0130】次に有機物バンク層512bを形成する工
程では、図15に示すように、無機物バンク層512a
上に有機物バンク層512bを形成する。有機物バンク
層512bをフォトリソグラフィ技術等によりエッチン
グして、有機物バンク層512bの上部開口部512d
を形成する。上部開口部512dは、電極面511a及
び下部開口部512cに対応する位置に設けられる。
Next, in the step of forming the organic bank layer 512b, as shown in FIG. 15, the inorganic bank layer 512a is formed.
An organic bank layer 512b is formed on top. The organic bank layer 512b is etched by a photolithography technique or the like to form an upper opening 512d of the organic bank layer 512b.
To form. The upper opening 512d is provided at a position corresponding to the electrode surface 511a and the lower opening 512c.

【0131】上部開口部512dは、図15に示すよう
に、下部開口部512cより広く、電極面511aより
狭く形成することが好ましい。これにより、無機物バン
ク層512aの下部開口部512cを囲む第1積層部5
12eが、有機物バンク層512bよりも電極511の
中央側に延出された形になる。このようにして、上部開
口部512d、下部開口部512cを連通させることに
より、無機物バンク層512a及び有機物バンク層51
2bを貫通する開口部512gが形成される。
As shown in FIG. 15, the upper opening 512d is preferably formed wider than the lower opening 512c and narrower than the electrode surface 511a. Accordingly, the first stacked unit 5 surrounding the lower opening 512c of the inorganic bank layer 512a.
12e is extended to the center side of the electrode 511 with respect to the organic bank layer 512b. By connecting the upper opening 512d and the lower opening 512c in this manner, the inorganic bank layer 512a and the organic bank layer 51 are formed.
An opening 512g penetrating 2b is formed.

【0132】次にプラズマ処理工程では、バンク部51
2の表面と画素電極の表面511aに、親インク性を示
す領域と、撥インク性を示す領域を形成する。このプラ
ズマ処理工程は、予備加熱工程と、バンク部512の上
面(512f)及び開口部512gの壁面並びに画素電
極511の電極面511aを親インク性を有するように
加工する親インク化工程と、有機物バンク層512bの
上面512f及び上部開口部512dの壁面を、撥イン
ク性を有するように加工する撥インク化工程と、冷却工
程とに大別される。
Next, in the plasma processing step, the bank portion 51
A region showing ink affinity and a region showing ink repellency are formed on the second surface and the surface 511a of the pixel electrode. This plasma treatment step includes a preliminary heating step, an ink-philic step of processing the upper surface (512f) of the bank portion 512 and the wall surface of the opening 512g, and the electrode surface 511a of the pixel electrode 511 to have an ink-philic property, and an organic substance. The upper surface 512f of the bank layer 512b and the wall surface of the upper opening 512d are roughly classified into an ink repellent step of processing to have ink repellency and a cooling step.

【0133】まず、予備加熱工程では、バンク部512
を含む基板501を所定の温度まで加熱する。加熱は、
例えば基板501を載せるステージにヒータを取り付
け、このヒータで当該ステージごと基板501を加熱す
ることにより行う。具体的には、基板501の予備加熱
温度を、例えば70〜80℃の範囲とすることが好まし
い。
First, in the preheating step, the bank portion 512
Substrate 501 containing is heated to a predetermined temperature. Heating
For example, a heater is attached to a stage on which the substrate 501 is placed, and the heater is used to heat the substrate 501 together with the stage. Specifically, it is preferable to set the preheating temperature of the substrate 501 in the range of 70 to 80 ° C., for example.

【0134】つぎに、親インク化工程では、大気雰囲気
中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理(O2プラズマ
処理)を行う。このO2プラズマ処理により、図16に
示すように、画素電極511の電極面511a、無機物
バンク層512aの第1積層部512e及び有機物バン
ク層512bの上部開口部512dの壁面ならびに上面
512fが親インク処理される。この親インク処理によ
り、これらの各面に水酸基が導入されて親インク性が付
与される。図16では、親インク処理された部分を一点
鎖線で示している。
Next, in the ink-philic step, plasma treatment (O 2 plasma treatment) using oxygen as a treatment gas is performed in the atmosphere. By this O 2 plasma treatment, as shown in FIG. 16, the wall surface of the electrode surface 511a of the pixel electrode 511, the first stacked portion 512e of the inorganic bank layer 512a, and the upper opening 512d of the organic bank layer 512b and the upper surface 512f are ink-philic. It is processed. By this lyophilic treatment, hydroxyl groups are introduced into each of these surfaces to impart lyophilicity. In FIG. 16, the portion subjected to the ink-affinity process is indicated by a dashed line.

【0135】つぎに、撥インク化工程では、大気雰囲気
中で4フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理(C
4プラズマ処理)を行う。CF4プラズマ処理により、
図17に示すように、上部開口部512d壁面及び有機
物バンク層の上面512fが撥インク処理される。この
撥インク処理により、これらの各面にフッ素基が導入さ
れて撥インク性が付与される。図17では、撥インク性
を示す領域を一点鎖線で示している。
Next, in the ink repellent process, a plasma treatment (C) using methane tetrafluoride as a treatment gas in the air atmosphere (C
F 4 plasma treatment). CF 4 plasma treatment
As shown in FIG. 17, the wall surface of the upper opening 512d and the upper surface 512f of the organic bank layer are subjected to ink repellent treatment. By this ink repellent treatment, a fluorine group is introduced into each of these surfaces to impart ink repellency. In FIG. 17, the area showing the ink repellency is indicated by a dashed line.

【0136】次に、冷却工程では、プラズマ処理のため
に加熱された基板501を室温、またはインクジェット
工程(液滴吐出工程)の管理温度まで冷却する。プラズ
マ処理後の基板501を室温、または所定の温度(例え
ばインクジェット工程を行う管理温度)まで冷却するこ
とにより、次の正孔注入/輸送層形成工程を一定の温度
で行うことができる。
Next, in the cooling step, the substrate 501 heated for the plasma processing is cooled to room temperature or the control temperature of the inkjet step (droplet discharging step). By cooling the substrate 501 after the plasma treatment to room temperature or a predetermined temperature (for example, a control temperature at which the inkjet process is performed), the next hole injection / transport layer forming process can be performed at a constant temperature.

【0137】次に発光素子形成工程では、画素電極51
1上に正孔注入/輸送層及び発光層を形成することによ
り発光素子を形成する。発光素子形成工程には、4つの
工程が含まれる。即ち、正孔注入/輸送層を形成するた
めの第1組成物を各前記画素電極上に吐出する第1液滴
吐出工程と、吐出された前記第1組成物を乾燥させて前
記画素電極上に正孔注入/輸送層を形成する正孔注入/
輸送層形成工程と、発光層を形成するための第2組成物
を前記正孔注入/輸送層の上に吐出する第2液滴吐出工
程と、吐出された前記第2組成物を乾燥させて前記正孔
注入/輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程とが
含まれる。
Next, in the light emitting element forming step, the pixel electrode 51 is formed.
A light emitting element is formed by forming a hole injecting / transporting layer and a light emitting layer on 1. The light emitting element forming step includes four steps. That is, a first droplet discharging step of discharging a first composition for forming a hole injecting / transporting layer onto each of the pixel electrodes, and drying the discharged first composition onto the pixel electrodes. Hole injection / hole injection to form a transport layer /
A transport layer forming step, a second droplet discharging step of discharging a second composition for forming a light emitting layer onto the hole injecting / transporting layer, and drying the discharged second composition. And a light emitting layer forming step of forming a light emitting layer on the hole injecting / transporting layer.

【0138】まず、第1液滴吐出工程では、インクジェ
ット法(液滴吐出法)により、正孔注入/輸送層形成材
料を含む第1組成物を電極面511a上に吐出する。な
お、この第1液滴吐出工程以降は、水、酸素の無い窒素
雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うこ
とが好ましい。(なお、画素電極上にのみ正孔注入/輸
送層を形成する場合は、有機物バンク層に隣接して形成
される正孔注入/輸送層は形成されない)
First, in the first droplet discharge step, the first composition containing the hole injection / transport layer forming material is discharged onto the electrode surface 511a by the ink jet method (droplet discharge method). It should be noted that, after the first droplet discharge step, it is preferable to carry out in an inert gas atmosphere such as water, a nitrogen atmosphere without oxygen, or an argon atmosphere. (Note that when the hole injection / transport layer is formed only on the pixel electrode, the hole injection / transport layer formed adjacent to the organic bank layer is not formed.)

【0139】図18に示すように、インクジェットヘッ
ド(機能液滴吐出ヘッド)Hに正孔注入/輸送層形成材
料を含む第1組成物を充填し、インクジェットヘッドH
の吐出ノズルを下部開口部512c内に位置する電極面
511aに対向させ、インクジェットヘッドHと基板5
01とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当た
りの液量が制御された第1組成物滴510cを電極面5
11a上に吐出する。
As shown in FIG. 18, the ink jet head (functional liquid droplet ejection head) H was filled with the first composition containing the hole injecting / transporting layer forming material, and the ink jet head H was obtained.
The discharge nozzle of the ink jet head H and the substrate 5 by facing the electrode surface 511a located in the lower opening 512c.
01 is relatively moved, the first composition droplet 510c whose liquid amount per droplet is controlled is discharged from the discharge nozzle to the electrode surface 5
It discharges on 11a.

【0140】ここで用いる第1組成物としては、例え
ば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の
混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることが
できる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアル
コール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクト
ン、N−メチルピロリドン(NMP)、1,3−ジメチル−
2−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト
−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグ
リコールエーテル類等を挙げることができる。なお、正
孔注入/輸送層形成材料は、R・G・Bの各発光層51
0bに対して同じ材料を用いても良く、発光層毎に変え
ても良い。
As the first composition used here, for example, a composition obtained by dissolving a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) in a polar solvent is used. it can. Examples of the polar solvent include isopropyl alcohol (IPA), normal butanol, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone (NMP), 1,3-dimethyl-
Examples thereof include 2-imidazolidinone (DMI) and its derivatives, glycol ethers such as carbitol acetate and butyl carbitol acetate. The material for forming the hole injecting / transporting layer is the light emitting layer 51 of each of R, G, and B.
The same material may be used for 0b and may be changed for each light emitting layer.

【0141】図18に示すように、吐出された第1組成
物滴510cは、親インク処理された電極面511a及
び第1積層部512e上に広がり、下部、上部開口部5
12c、512d内に満たされる。電極面511a上に
吐出する第1組成物量は、下部、上部開口部512c、
512dの大きさ、形成しようとする正孔注入/輸送層
の厚さ、第1組成物中の正孔注入/輸送層形成材料の濃
度等により決定される。また、第1組成物滴510cは
1回のみならず、数回に分けて同一の電極面511a上
に吐出しても良い。
As shown in FIG. 18, the ejected first composition droplet 510c spreads over the ink-philic treated electrode surface 511a and the first laminated portion 512e, and the lower and upper openings 5 are formed.
12c and 512d are filled. The amount of the first composition discharged onto the electrode surface 511a is as follows.
It is determined by the size of 512d, the thickness of the hole injection / transport layer to be formed, the concentration of the hole injection / transport layer forming material in the first composition, and the like. Further, the first composition droplets 510c may be discharged not only once but also several times onto the same electrode surface 511a.

【0142】次に正孔注入/輸送層形成工程では、図1
9に示すように、吐出後の第1組成物を乾燥処理及び熱
処理して第1組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させるこ
とにより、電極面511a上に正孔注入/輸送層510
aを形成する。乾燥処理を行うと、第1組成物滴510
cに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層5
12a及び有機物バンク層512bに近いところで起
き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入/輸送層形成材料
が濃縮されて析出する。
Next, in the hole injecting / transporting layer forming step, as shown in FIG.
As shown in FIG. 9, the hole injecting / transporting layer 510 is formed on the electrode surface 511 a by drying and heat treating the discharged first composition to evaporate the polar solvent contained in the first composition.
a is formed. The first composition drops 510 when dried.
The evaporation of the polar solvent contained in c is mainly caused by the inorganic bank layer 5
It occurs near 12a and the organic bank layer 512b, and the hole injection / transport layer forming material is concentrated and deposited along with the evaporation of the polar solvent.

【0143】これにより図19に示すように、乾燥処理
によって電極面511a上でも極性溶媒の蒸発が起き、
これにより電極面511a上に正孔注入/輸送層形成材
料からなる平坦部510aが形成される。電極面511
a上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正
孔注入/輸送層の形成材料が電極面511a上で均一に
濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部510aが形
成される。
As a result, as shown in FIG. 19, the polar solvent evaporates on the electrode surface 511a due to the drying treatment.
As a result, the flat portion 510a made of the hole injection / transport layer forming material is formed on the electrode surface 511a. Electrode surface 511
Since the evaporation rate of the polar solvent is substantially uniform on a, the material for forming the hole injecting / transporting layer is uniformly concentrated on the electrode surface 511a, thereby forming the flat portion 510a having a uniform thickness.

【0144】次に第2液滴吐出工程では、インクジェッ
ト法(液滴吐出法)により、発光層形成材料を含む第2
組成物を正孔注入/輸送層510a上に吐出する。この
第2液滴吐出工程では、正孔注入/輸送層510aの再
溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第2組
成物の溶媒として、正孔注入/輸送層510aに対して
不溶な非極性溶媒を用いる。
Next, in the second droplet discharging step, the second layer containing the light emitting layer forming material is formed by the ink jet method (droplet discharging method).
The composition is discharged onto the hole injection / transport layer 510a. In the second droplet discharging step, in order to prevent the redissolving of the hole injecting / transporting layer 510a, the hole injecting / transporting layer 510a is used as a solvent of the second composition used in forming the light emitting layer. An insoluble non-polar solvent is used.

【0145】しかしその一方で正孔注入/輸送層510
aは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶
媒を含む第2組成物を正孔注入/輸送層510a上に吐
出しても、正孔注入/輸送層510aと発光層510b
とを密着させることができなくなるか、あるいは発光層
510bを均一に塗布できないおそれがある。そこで、
非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入/
輸送層510aの表面の親和性を高めるために、発光層
を形成する前に表面改質工程を行うことが好ましい。
However, on the other hand, the hole injection / transport layer 510
Since a has a low affinity for the nonpolar solvent, even if the second composition containing the nonpolar solvent is ejected onto the hole injecting / transporting layer 510a, the hole injecting / transporting layer 510a and the light emitting layer 510b.
May not be able to be adhered to each other, or the light emitting layer 510b may not be uniformly applied. Therefore,
Hole injection into non-polar solvent and light emitting layer forming material /
In order to increase the affinity of the surface of the transport layer 510a, it is preferable to perform a surface modification step before forming the light emitting layer.

【0146】そこでまず、表面改質工程について説明す
る。表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第1組成
物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒であ
る表面改質用溶媒を、インクジェット法(液滴吐出
法)、スピンコート法またはディップ法により正孔注入
/輸送層510a上に塗布した後に乾燥することにより
行う。
Therefore, first, the surface modification step will be described. In the surface modification step, a surface modification solvent, which is the same solvent as the nonpolar solvent of the first composition used for forming the light emitting layer or a solvent similar thereto, is subjected to an inkjet method (droplet discharging method) or a spin coating method. Alternatively, it is applied by coating on the hole injecting / transporting layer 510a by a dipping method and then drying.

【0147】例えば、インクジェット法による塗布は、
図20に示すように、インクジェットヘッドHに、表面
改質用溶媒を充填し、インクジェットヘッドHの吐出ノ
ズルを基板(すなわち、正孔注入/輸送層510aが形
成された基板)に対向させ、インクジェットヘッドHと
基板501とを相対移動させながら、吐出ノズルHから
表面改質用溶媒510dを正孔注入/輸送層510a上
に吐出することにより行う。そして、図21に示すよう
に、表面改質用溶媒510dを乾燥させる。
For example, coating by the ink jet method
As shown in FIG. 20, the inkjet head H is filled with the surface-modifying solvent, the ejection nozzle of the inkjet head H is made to face the substrate (that is, the substrate on which the hole injection / transport layer 510a is formed), and the inkjet is performed. This is performed by ejecting the surface modification solvent 510d from the ejection nozzle H onto the hole injection / transport layer 510a while moving the head H and the substrate 501 relative to each other. Then, as shown in FIG. 21, the surface modification solvent 510d is dried.

【0148】次に第2液滴吐出工程では、インクジェッ
ト法(液滴吐出法)により、発光層形成材料を含む第2
組成物を正孔注入/輸送層510a上に吐出する。図2
2に示すように、インクジェットヘッドHに、青色
(B)発光層形成材料を含有する第2組成物を充填し、
インクジェットヘッドHの吐出ノズルを下部、上部開口
部512c、512d内に位置する正孔注入/輸送層5
10aに対向させ、インクジェットヘッドHと基板50
1とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たり
の液量が制御された第2組成物滴510eとして吐出
し、この第2組成物滴510eを正孔注入/輸送層51
0a上に吐出する。
Next, in the second droplet discharge step, the second layer containing the light emitting layer forming material is formed by the ink jet method (droplet discharge method).
The composition is discharged onto the hole injection / transport layer 510a. Figure 2
2, the inkjet head H is filled with the second composition containing the blue (B) light emitting layer forming material,
The hole injection / transport layer 5 in which the ejection nozzles of the inkjet head H are located in the lower and upper openings 512c and 512d.
10a, and the inkjet head H and the substrate 50.
1 is ejected from the ejection nozzle as a second composition drop 510e in which the amount of liquid per droplet is controlled, and this second composition drop 510e is ejected from the ejection nozzle.
Discharge above 0a.

【0149】発光層形成材料としては、ポリフルオレン
系高分子誘導体や、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘
導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾー
ル、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン
系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機
EL材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブ
レン、ペリレン、9,10-ジフェニルアントラセン、
テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン
6、キナクリドン等をドープすることにより用いること
ができる。
As the material for forming the light emitting layer, a polyfluorene polymer derivative, a (poly) paraphenylene vinylene derivative, a polyphenylene derivative, polyvinylcarbazole, a polythiophene derivative, a perylene dye, a coumarin dye, a rhodamine dye, or the above It is possible to use by doping the molecule with an organic EL material. For example, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene,
It can be used by doping with tetraphenyl butadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone and the like.

【0150】非極性溶媒としては、正孔注入/輸送層5
10aに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロ
へキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチ
ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることがで
きる。このような非極性溶媒を発光層510bの第2組
成物に用いることにより、正孔注入/輸送層510aを
再溶解させることなく第2組成物を塗布できる。
As the non-polar solvent, the hole injecting / transporting layer 5 is used.
Those which are insoluble in 10a are preferable, and for example, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like can be used. By using such a non-polar solvent for the second composition of the light emitting layer 510b, the second composition can be applied without redissolving the hole injection / transport layer 510a.

【0151】図22に示すように、吐出された第2組成
物510eは、正孔注入/輸送層510a上に広がって
下部、上部開口部512c、512d内に満たされる。
第2組成物510eは1回のみならず、数回に分けて同
一の正孔注入/輸送層510a上に吐出しても良い。こ
の場合、各回における第2組成物の量は同一でも良く、
各回毎に第2組成物量を変えても良い。
As shown in FIG. 22, the ejected second composition 510e spreads over the hole injecting / transporting layer 510a and is filled in the lower and upper openings 512c, 512d.
The second composition 510e may be discharged onto the same hole injecting / transporting layer 510a not only once but also several times. In this case, the amount of the second composition in each time may be the same,
The amount of the second composition may be changed each time.

【0152】次に発光層形成工程では、第2組成物を吐
出した後に乾燥処理及び熱処理を施して、正孔注入/輸
送層510a上に発光層510bを形成する。乾燥処理
は、吐出後の第2組成物を乾燥処理することにより第2
組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発して、図23に示す
ような青色(B)発光層510bを形成する。
Next, in the light emitting layer forming step, after the second composition is discharged, a drying process and a heat treatment are performed to form a light emitting layer 510b on the hole injecting / transporting layer 510a. The drying treatment is performed by subjecting the second composition after being discharged to the second treatment.
The non-polar solvent contained in the composition is evaporated to form a blue (B) light emitting layer 510b as shown in FIG.

【0153】続けて、図24に示すように、青色(B)
発光層510bの場合と同様にして、赤色(R)発光層
510bを形成し、最後に緑色(G)発光層510bを
形成する。なお、発光層510bの形成順序は、前述の
順序に限られるものではなく、どのような順番で形成し
ても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順
番を決める事も可能である。
Continuing, as shown in FIG. 24, blue (B)
Similar to the case of the light emitting layer 510b, the red (R) light emitting layer 510b is formed, and finally the green (G) light emitting layer 510b is formed. The order of forming the light emitting layer 510b is not limited to the order described above, and may be formed in any order. For example, it is possible to determine the order of formation according to the light emitting layer forming material.

【0154】次に対向電極形成工程では、図25に示す
ように、発光層510b及び有機物バンク層512bの
全面に陰極503(対向電極)を形成する。なお,陰極
503は複数の材料を積層して形成しても良い。例え
ば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成す
ることが好ましく、例えばCa、Ba等を用いることが
可能であり、また材料によっては下層にLiF等を薄く
形成した方が良い場合もある。また、上部側(封止側)
には下部側よりも仕事関数が高いものが好ましい。これ
らの陰極(陰極層)503は、例えば蒸着法、スパッタ
法、CVD法等で形成することが好ましく、特に蒸着法
で形成することが、発光層510bの熱による損傷を防
止できる点で好ましい。
Next, in the counter electrode forming step, as shown in FIG. 25, a cathode 503 (counter electrode) is formed on the entire surface of the light emitting layer 510b and the organic bank layer 512b. Note that the cathode 503 may be formed by stacking a plurality of materials. For example, it is preferable to form a material having a small work function on the side close to the light emitting layer, and for example, Ca, Ba or the like can be used, and depending on the material, it is better to form LiF or the like thinly in the lower layer. There is also. Also, the upper side (sealing side)
Is preferable to have a higher work function than the lower side. The cathode (cathode layer) 503 is preferably formed by, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or the like, and particularly preferably formed by a vapor deposition method in terms of preventing damage to the light emitting layer 510b due to heat.

【0155】また、フッ化リチウムは、発光層510b
上のみに形成しても良く、更に青色(B)発光層510
b上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色(R)
発光層及び緑色(G)発光層510b、510bには、
LiFからなる上部陰極層503bが接することとな
る。また陰極12の上部には、蒸着法、スパッタ法、C
VD法等により形成したAl膜、Ag膜等を用いること
が好ましい。また、陰極503上に、酸化防止のために
SiO2、SiN等の保護層を設けても良い。
Also, lithium fluoride is used as the light emitting layer 510b.
The blue (B) light emitting layer 510 may be formed only on the top.
It may be formed only on b. In this case, the other red (R)
The light emitting layers and the green (G) light emitting layers 510b and 510b include
The upper cathode layer 503b made of LiF is in contact with it. In addition, a vapor deposition method, a sputtering method, a C
It is preferable to use an Al film, an Ag film, or the like formed by the VD method or the like. Further, a protective layer such as SiO 2 or SiN may be provided on the cathode 503 to prevent oxidation.

【0156】最後に、図26に示す封止工程では、窒
素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で、有
機EL素子504上に封止用基板505を積層する。封
止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰
囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極50
3にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部
分から水や酸素等が陰極503に侵入して陰極503が
酸化されるおそれがあるので好ましくない。そして最後
に、フレキシブル基板の配線に陰極503を接続すると
ともに、駆動ICに回路素子部502の配線を接続する
ことにより、本実施形態の有機EL装置500が得られ
る。
Finally, in the sealing step shown in FIG. 26, a sealing substrate 505 is laminated on the organic EL element 504 in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen, argon or helium. The sealing step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon or helium. When performed in air, the cathode 50
When a defect such as a pinhole is generated in No. 3, water, oxygen or the like may enter the cathode 503 from this defective portion and the cathode 503 may be oxidized, which is not preferable. Finally, by connecting the cathode 503 to the wiring of the flexible substrate and connecting the wiring of the circuit element section 502 to the drive IC, the organic EL device 500 of this embodiment is obtained.

【0157】[0157]

【発明の効果】以上のように、本発明のチャンバ装置に
よれば、チャンバルーム内が不活性ガスで満たされてい
る場合は元より、大気置換時に排気不良等で不活性ガス
が残留している場合は、着脱パネル体がロック制御され
ているため、誤って着脱パネル体が開放されてしまうの
を確実に防止し、ひいては作業者の酸欠を防止すること
ができる。
As described above, according to the chamber device of the present invention, when the chamber room is filled with the inert gas, the inert gas remains due to exhaust failure or the like when the atmosphere is replaced. When the detachable panel body is locked, the detachable panel body is locked, so that the detachable panel body can be surely prevented from being accidentally opened, and eventually the worker can be prevented from lacking oxygen.

【0158】また、本発明の電気光学装置および有機E
L装置によれば、良好な不活性ガスの雰囲気中でワーク
処理を行うことができ、且つ安全な大気の雰囲気中でワ
ーク処理装置のメンテナンス等を行うことができる。ま
た、大気置換を短時間で行うことができる。さらに、高
品質で且つ信頼性の高い有機EL装置を、低コストで提
供することができる。
In addition, the electro-optical device and the organic E of the present invention
According to the L apparatus, the work processing can be performed in a good inert gas atmosphere, and the work processing apparatus can be maintained in a safe atmosphere atmosphere. Further, the atmosphere replacement can be performed in a short time. Furthermore, a high-quality and highly reliable organic EL device can be provided at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る電気光学装置の外観斜
視図である。
FIG. 1 is an external perspective view of an electro-optical device according to an embodiment of the invention.

【図2】実施形態に係る描画装置の外観斜視図である。FIG. 2 is an external perspective view of the drawing apparatus according to the embodiment.

【図3】実施形態に係る描画装置の外観正面図である。FIG. 3 is an external front view of the drawing apparatus according to the embodiment.

【図4】実施形態に係る描画装置の外観側面図である。FIG. 4 is a side view of the appearance of the drawing apparatus according to the embodiment.

【図5】実施形態に係る描画装置の外観平面図である。FIG. 5 is an external plan view of the drawing apparatus according to the embodiment.

【図6】実施形態に係る描画装置の液滴吐出装置の模式
図である。
FIG. 6 is a schematic view of a droplet discharge device of the drawing device according to the embodiment.

【図7】実施形態に係るチャンバ装置のシステム系統図
である。
FIG. 7 is a system diagram of a chamber device according to an embodiment.

【図8】実施形態に係るチャンバ装置の平面図である。FIG. 8 is a plan view of the chamber device according to the embodiment.

【図9】実施形態に係るチャンバ装置の正面図である。FIG. 9 is a front view of the chamber apparatus according to the embodiment.

【図10】実施形態に係るチャンバ装置の右側面図であ
る。
FIG. 10 is a right side view of the chamber device according to the embodiment.

【図11】実施形態に係るチャンバ装置の左側面図であ
る。
FIG. 11 is a left side view of the chamber device according to the embodiment.

【図12】実施形態に係るチャンバ装置の背面図であ
る。
FIG. 12 is a rear view of the chamber apparatus according to the embodiment.

【図13】実施形態に係るチャンバ装置の着脱パネルユ
ニットの横断面図(a)および横断面図(b)である。
13A and 13B are a cross-sectional view (a) and a cross-sectional view (b) of a removable panel unit of the chamber apparatus according to the embodiment.

【図14】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
けるバンク部形成工程(無機物バンク)の断面図であ
る。
FIG. 14 is a cross-sectional view of a bank portion forming step (inorganic bank) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図15】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
けるバンク部形成工程(有機物バンク)の断面図であ
る。
FIG. 15 is a cross-sectional view of a bank portion forming step (organic bank) in the method of manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図16】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
けるプラズマ処理工程(親水化処理)の断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view of a plasma treatment step (hydrophilization treatment) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図17】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
けるプラズマ処理工程(撥水化処理)の断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view of a plasma treatment step (water repellent treatment) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図18】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
ける正孔注入層形成工程(液滴吐出)の断面図である。
FIG. 18 is a cross-sectional view of the hole injection layer forming step (droplet ejection) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図19】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
ける正孔注入層形成工程(乾燥)の断面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view of the hole injection layer forming step (drying) in the method of manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図20】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
ける表面改質工程(液滴吐出)の断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view of a surface modification step (droplet ejection) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図21】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
ける表面改質工程(乾燥)の断面図である。
FIG. 21 is a cross-sectional view of the surface modification step (drying) in the method of manufacturing the organic EL device according to the embodiment.

【図22】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
けるB発光層形成工程(液滴吐出)の断面図である。
FIG. 22 is a cross-sectional view of a B light emitting layer forming step (droplet ejection) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図23】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
けるB発光層形成工程(乾燥)の断面図である。
FIG. 23 is a sectional view of a B light emitting layer forming step (drying) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図24】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
けるR・G・B発光層形成工程の断面図である。
FIG. 24 is a cross-sectional view of an R / G / B light emitting layer forming step in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図25】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
ける対向電極形成工程の断面図である。
FIG. 25 is a cross-sectional view of a counter electrode forming step in the method of manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図26】実施形態に係る有機EL装置の製造方法にお
ける封止工程の断面図である。
FIG. 26 is a cross-sectional view of a sealing step in the method of manufacturing an organic EL device according to the embodiment.

【図27】実施形態に係るチャンバ装置の制御系のブロ
ック図である。
FIG. 27 is a block diagram of a control system of the chamber apparatus according to the embodiment.

【図28】第二実施形態に係るチャンバ装置のシステム
系統図である。
FIG. 28 is a system diagram of the chamber device according to the second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電気光学装置 2 描画装置 3 チャンバ装置 4 機能液滴
吐出ヘッド 6 液滴吐出装置 11 チャンバ
ルーム 12 電気室 13 機械室 17 X軸テーブル 18 Y軸テ
ーブル 20 ヘッドユニット 101 ガス導
入ユニット 102 排気ダクト 113 前部
着脱パネルユニット 114 後部着脱パネルユニット 121 内パ
ネルユニット 122 外パネルユニット 124 内パ
ネル 126 外パネル 129 電磁
ロック装置 130 空隙 131 送気
口 132 排気口 133 フィ
ルタチャンバ 135 フィルタ 137 隔壁 138 ガス流路 141 ガス
ダンパーユニット 142 ガス開閉バルブ 143 ガス
調整ダンパー 144 ガス開閉ダンパー 147 主ガ
ス流路 155 ガス調和機器 156 クー
ラ 157 ヒータ 158 ファ
ン 161 排気チャンバ 162 排気
ダンパーユニット 163 排気調整ダンパー 164 排気
開閉ダンパー 166 排気パイプ 167 排気
バルブ 171 外気流路 172 外気
取入れ口 173 外気ダンパーユニット 174 外気
開閉ダンパー 175 外気調整ダンパー 176 外気
開閉バルブ 310 ガス精製装置 320 ガス
部 322 ガス往路バルブ 324 ガス
返路バルブ 330 エアー供給部 340 排気
部 350 酸素計測部 351 酸素
濃度計 360 圧力検出部 361 第一
圧力センサ 362 第二圧力センサ 363 オイ
ルバブラー 500 有機EL装置 501 基板 504 有機EL素子 510a 正孔
注入/輸送層 510b 発光層 W 基
1 Electro-Optical Device 2 Drawing Device 3 Chamber Device 4 Functional Droplet Ejecting Head 6 Droplet Ejecting Device 11 Chamber Room 12 Electrical Room 13 Machine Room 17 X-Axis Table 18 Y-Axis Table 20 Head Unit 101 Gas Introducing Unit 102 Exhaust Duct 113 Front Part detachable panel unit 114 Rear detachable panel unit 121 Inner panel unit 122 Outer panel unit 124 Inner panel 126 Outer panel 129 Electromagnetic locking device 130 Gap 131 Air supply port 132 Exhaust port 133 Filter chamber 135 Filter 137 Partition wall 138 Gas flow path 141 Gas damper Unit 142 Gas open / close valve 143 Gas adjustment damper 144 Gas open / close damper 147 Main gas flow path 155 Gas conditioner 156 Cooler 157 Heater 158 Fan 161 Exhaust chamber 162 Exhaust Damper unit 163 exhaust adjustment damper 164 exhaust opening / closing damper 166 exhaust pipe 167 exhaust valve 171 outside air flow passage 172 outside air intake 173 outside air damper unit 174 outside air opening / closing damper 175 outside air adjusting damper 176 outside air opening / closing valve 310 gas purification device 320 gas part 322 gas forward path Valve 324 Gas return valve 330 Air supply part 340 Exhaust part 350 Oxygen measurement part 351 Oxygen concentration meter 360 Pressure detection part 361 First pressure sensor 362 Second pressure sensor 363 Oil bubbler 500 Organic EL device 501 Substrate 504 Organic EL element 510a Positive Hole injection / transport layer 510b Light emitting layer W Substrate

Claims (27)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガス供給源から導入した不活性ガスをチ
ャンバルームに対し連続させて補給および排気すること
で、前記チャンバルーム内に不活性ガスの新鮮な雰囲気
を構成すると共に、前記不活性ガスの補給を停止した状
態で前記チャンバルーム内に外気を導入可能なチャンバ
装置であって、 前記チャンバルーム内に不活性ガスを補給すると共にガ
スダンパーを介設したガス供給流路と、 前記チャンバルーム内の雰囲気を排気すると共に排気ダ
ンパーを介設した排気流路と、 前記チャンバルーム内の酸素濃度を計測する酸素濃度計
測手段と、 前記チャンバルームの開口部に装着された着脱パネル体
と、 前記着脱パネル体を閉塞ロックする電磁ロック機構と、 前記電磁ロック機構のロック・アンロックを制御するロ
ック制御手段と、を備え、 前記ロック制御手段は、外気導入時において、前記酸素
濃度計測手段の計測結果が所定値を超えたとき、前記電
磁ロック機構をアンロック制御することを特徴とするチ
ャンバ装置。
1. A fresh atmosphere of the inert gas is formed in the chamber room by continuously supplying and exhausting the inert gas introduced from a gas supply source to the chamber room, and the inert gas is also provided. A chamber device capable of introducing outside air into the chamber room in a state in which replenishment of gas is stopped, and a gas supply flow path in which an inert gas is replenished in the chamber room and a gas damper is interposed, An exhaust flow path through which an atmosphere inside is exhausted and an exhaust damper is interposed; an oxygen concentration measuring unit that measures an oxygen concentration in the chamber room; a detachable panel body attached to an opening of the chamber room; An electromagnetic lock mechanism for closing and locking the detachable panel body, and a lock control means for controlling lock / unlock of the electromagnetic lock mechanism. The chamber apparatus, wherein the lock control means unlocks the electromagnetic lock mechanism when the measurement result of the oxygen concentration measuring means exceeds a predetermined value during introduction of outside air.
【請求項2】 前記ガスダンパーを制御するダンパー制
御手段と、前記着脱パネル体の装着および未装着を検出
するパネルセンサと、を更に備え、 前記ダンパー制御手段は、前記パネルセンサにより前記
着脱パネル体の未装着が検出された場合に、前記ガスダ
ンパーを閉塞制御することを特徴とする請求項1に記載
のチャンバ装置。
2. A damper control means for controlling the gas damper, and a panel sensor for detecting attachment / detachment of the removable panel body, wherein the damper control means uses the panel sensor for the removable panel body. The chamber apparatus according to claim 1, wherein the gas damper is controlled to be closed when it is detected that the gas damper has not been mounted.
【請求項3】 外気導入時において前記酸素濃度計測手
段の計測結果が所定値以下であるとき、および不活性ガ
ス供給時に、前記パネルセンサにより前記着脱パネル体
の未装着が検出された場合、エラー報知を行うエラー報
知手段を、更に備えたことを特徴とする請求項2に記載
のチャンバ装置。
3. An error occurs when the measurement result of the oxygen concentration measuring means is equal to or less than a predetermined value when the outside air is introduced, or when the panel sensor detects that the detachable panel body is not attached when an inert gas is supplied. The chamber apparatus according to claim 2, further comprising an error notifying unit for notifying.
【請求項4】 前記パネルセンサが近接センサであるこ
とを特徴とする請求項2または3に記載のチャンバ装
置。
4. The chamber apparatus according to claim 2, wherein the panel sensor is a proximity sensor.
【請求項5】 前記着脱パネル体は、空隙を存して対峙
する外パネルおよび内パネルで構成されていることを特
徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のチャンバ
装置。
5. The chamber apparatus according to claim 1, wherein the detachable panel body is composed of an outer panel and an inner panel that face each other with a gap.
【請求項6】 一方の端部が前記内外両パネルの前記空
隙に連通すると共に、他方の端部が前記排気ダンパーの
上流側の前記排気流路に連通するパネル体排気流路と、 前記パネル体排気流路に介設したパネル体排気ダンパー
とを、更に備えたことを特徴とする請求項5に記載のチ
ャンバ装置。
6. A panel exhaust passage, one end of which communicates with the air gap of both the inner and outer panels, and the other end of which communicates with the exhaust passage on the upstream side of the exhaust damper; The chamber apparatus according to claim 5, further comprising a panel body exhaust damper provided in the body exhaust passage.
【請求項7】 ガス供給源から導入した不活性ガスをチ
ャンバルームに対し連続させて補給および排気すること
で、前記チャンバルーム内に不活性ガスの新鮮な雰囲気
を構成するチャンバ装置であって、 前記チャンバルーム内に不活性ガスを補給すると共にガ
スダンパーを介設したガス供給流路と、 前記チャンバルーム内の雰囲気を排気すると共に排気ダ
ンパーを介設した排気流路と、 前記ガス供給流路および前記排気流路にそれぞれ配設さ
れた風速計測手段と、 前記2つの風速計測手段の計測結果の差が所定値を超え
たときに、エラー報知を行うエラー報知手段と、を備え
たことを特徴とするチャンバ装置。
7. A chamber apparatus for forming a fresh atmosphere of inert gas in the chamber room by continuously supplying and exhausting the inert gas introduced from a gas supply source to the chamber room, A gas supply channel for supplying an inert gas to the chamber room and having a gas damper interposed; an exhaust channel for exhausting the atmosphere in the chamber room and having an exhaust damper; and the gas supply channel And wind speed measuring means respectively arranged in the exhaust flow path, and error notifying means for notifying an error when the difference between the measurement results of the two wind speed measuring means exceeds a predetermined value. A characteristic chamber device.
【請求項8】 前記ガスダンパーおよび前記排気ダンパ
ーを制御するダンパー制御手段と、前記チャンバルーム
内の圧力を検出する圧力検出手段と、を更に備え、 前記ダンパー制御手段は、前記排気ダンパーを制御し、
前記圧力検出手段の検出結果が所定値となるように排気
流量を制御することを特徴とする請求項7に記載のチャ
ンバ装置。
8. A damper control means for controlling the gas damper and the exhaust damper, and a pressure detection means for detecting a pressure in the chamber room are further provided, and the damper control means controls the exhaust damper. ,
8. The chamber apparatus according to claim 7, wherein the exhaust gas flow rate is controlled so that the detection result of the pressure detection unit becomes a predetermined value.
【請求項9】 前記チャンバルーム内の酸素濃度を計測
する酸素濃度計測手段を更に備え、 前記ダンパー制御手段は、前記ガスダンパーを制御し、
前記酸素濃度計測手段の検出結果が所定値となるように
補給流量を制御することを特徴とする請求項8に記載の
チャンバ装置。
9. An oxygen concentration measuring unit for measuring an oxygen concentration in the chamber room is further provided, wherein the damper control unit controls the gas damper,
9. The chamber apparatus according to claim 8, wherein the replenishment flow rate is controlled so that the detection result of the oxygen concentration measuring means becomes a predetermined value.
【請求項10】 チャンバルームとガス精製装置との間
で不活性ガスを循環させることで、前記チャンバルーム
内に不活性ガスの新鮮な雰囲気を構成するチャンバ装置
であって、 前記ガス精製装置と前記チャンバルームとを連通するガ
ス往路およびガス返路と、 前記ガス往路および前記ガス返路にそれぞれ介設したガ
ス往路バルブおよびガス返路バルブと、 前記ガス往路バルブの上流側と前記ガス返路バルブの下
流側とを連通すると共に開閉バルブを介設したバイパス
流路と、を備えたことを特徴とするチャンバ装置。
10. A chamber apparatus for forming a fresh atmosphere of an inert gas in the chamber room by circulating an inert gas between the chamber room and the gas purifying apparatus, A gas outward path and a gas return path communicating with the chamber room, a gas outward path valve and a gas return path valve respectively provided in the gas outward path and the gas return path, and an upstream side of the gas outward path valve and the gas return path A bypass device that communicates with a downstream side of the valve and has a bypass flow path provided with an opening / closing valve.
【請求項11】 圧縮エアーを前記チャンバルームに供
給すると共にエアー供給バルブを介設したエアー供給流
路と、 前記チャンバルームからの雰囲気を排気すると共に排気
バルブを介設した排気流路と、を更に備えたことを特徴
とする請求項10に記載のチャンバ装置。
11. An air supply passage for supplying compressed air to the chamber room and having an air supply valve interposed therebetween, and an exhaust passage for exhausting an atmosphere from the chamber room and having an exhaust valve interposed therebetween. The chamber apparatus according to claim 10, further comprising:
【請求項12】 前記エアー供給バルブおよび前記排気
バルブを制御するバルブ制御手段を更に備え、 前記バルブ制御手段は、不活性ガス導入時には、前記両
バルブを閉塞制御し、圧縮エアー供給時には、前記両バ
ルブを開放制御することを特徴とする請求項11に記載
のチャンバ装置。
12. A valve control means for controlling the air supply valve and the exhaust valve is further provided, wherein the valve control means controls the both valves to be closed when an inert gas is introduced, and to supply the compressed air to the both valves. The chamber device according to claim 11, wherein the valve is controlled to be opened.
【請求項13】 前記チャンバルーム内の酸素濃度を計
測する酸素濃度計測手段を更に備え、 前記バルブ制御手段は、前記酸素濃度計測手段の計測結
果が所定値を超えたときに、前記エアー供給バルブを閉
塞制御することを特徴とする請求項12に記載のチャン
バ装置。
13. The air supply valve further comprising oxygen concentration measuring means for measuring the oxygen concentration in the chamber room, wherein the valve control means controls the air supply valve when the measurement result of the oxygen concentration measuring means exceeds a predetermined value. 13. The chamber apparatus according to claim 12, wherein the chamber is closed.
【請求項14】 前記酸素濃度計測手段は、前記チャン
バルームに連なる循環流路に介設されていることを特徴
とする請求項13に記載のチャンバ装置。
14. The chamber apparatus according to claim 13, wherein the oxygen concentration measuring means is provided in a circulation flow path that communicates with the chamber room.
【請求項15】 前記循環流路の循環往路および循環返
路にそれぞれ介設した往路バルブおよび返路バルブと、 前記往路バルブおよび前記返路バルブを制御する酸素計
測バルブ制御手段と、を更に備え、 前記酸素計測バルブ制御手段は、圧縮エアー供給時に、
前記往路バルブおよび前記返路バルブを開放制御するこ
とを特徴とする請求項14に記載のチャンバ装置。
15. A forward valve and a return valve respectively provided in a circulation forward path and a circulation return path of the circulation flow path, and oxygen measuring valve control means for controlling the forward path valve and the return path valve. The oxygen measuring valve control means, when supplying compressed air,
The chamber apparatus according to claim 14, wherein the outward valve and the return valve are controlled to be opened.
【請求項16】 不活性ガス導入時において、前記ガス
精製装置からの排気ガスを排気すると共にガス排気バル
ブを介設したガス排気流路を更に備え、 前記ガス排気バルブは、前記バルブ制御手段により制御
されることを特徴とする請求項12ないし15のいずれ
かに記載のチャンバ装置。
16. When introducing an inert gas, the exhaust gas from the gas purification device is exhausted, and a gas exhaust passage having a gas exhaust valve is further provided, wherein the gas exhaust valve is controlled by the valve control means. The chamber device according to any one of claims 12 to 15, wherein the chamber device is controlled.
【請求項17】 前記チャンバルームと前記ガス精製装
置とを直接連通すると共に前記チャンバルーム内の圧力
を検出する第一圧力検出手段を介設した副ガス流路を更
に備え、 前記バルブ制御手段は、不活性ガス導入時において、前
記第一圧力検出手段による検出結果が所定値以上の場
合、前記ガス排気バルブを開放制御することを特徴とす
る請求項16に記載のチャンバ装置。
17. A sub-gas flow path, which directly connects the chamber room and the gas purification device, and further includes a sub-gas flow path provided with a first pressure detecting means for detecting the pressure in the chamber room, wherein the valve control means is provided. 17. The chamber apparatus according to claim 16, wherein the gas exhaust valve is controlled to be opened when the detection result of the first pressure detecting means is equal to or more than a predetermined value when the inert gas is introduced.
【請求項18】 前記チャンバルーム内の圧力を検出す
る第二圧力検出手段を更に備え、 前記バルブ制御手段は、圧縮エアー供給時において、前
記第二圧力検出手段による検出結果が所定値以上の場
合、前記エアー供給バルブを閉塞制御することを特徴と
する請求項12ないし17のいずれかに記載のチャンバ
装置。
18. A second pressure detecting means for detecting the pressure in the chamber room is further provided, and the valve control means, when the compressed air is supplied, the detection result of the second pressure detecting means is equal to or more than a predetermined value. The chamber apparatus according to any one of claims 12 to 17, wherein the air supply valve is controlled to be closed.
【請求項19】 前記チャンバルーム内の圧力が所定圧
力値以上になった場合に、前記チャンバルーム内の雰囲
気を外部に放出するオイルバブラーを更に備えたことを
特徴とする請求項10ないし18のいずれかに記載のチ
ャンバ装置。
19. The oil bubbler according to claim 10, further comprising an oil bubbler for releasing the atmosphere in the chamber room to the outside when the pressure in the chamber room exceeds a predetermined pressure value. Chamber apparatus in any one.
【請求項20】 圧縮エアー供給時において、前記酸素
濃度計測手段による計測値が下がった場合、エラー報知
を行うエラー報知手段を、更に備えたことを特徴とする
請求項13ないし19のいずれかに記載のチャンバ装
置。
20. The method according to claim 13, further comprising error notifying means for notifying an error when the measured value by the oxygen concentration measuring means is lowered during the supply of compressed air. Chamber apparatus as described.
【請求項21】 前記エアー供給バルブおよび前記排気
バルブの開放制御時間をカウントするタイマーを、更に
備え、 前記バルブ制御手段は、圧縮エアー供給時において、前
記タイマーにより一定時間がカウントされた後、前記エ
アー供給バルブおよび前記排気バルブを閉塞制御するこ
とを特徴とする請求項12ないし20のいずれかに記載
のチャンバ装置。
21. A timer for counting the opening control time of the air supply valve and the exhaust valve is further provided, and the valve control means, when compressed air is supplied, after the predetermined time is counted by the timer, 21. The chamber apparatus according to claim 12, wherein the air supply valve and the exhaust valve are controlled to be closed.
【請求項22】 ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で
行うことを要するワーク処理装置を、メンテナンス可能
に収容したことを特徴とする請求項1ないし21のいず
れかに記載のチャンバ装置。
22. The chamber apparatus according to claim 1, further comprising a work processing apparatus that requires the work processing in an atmosphere of an inert gas, which is accommodated in a maintainable manner.
【請求項23】 請求項1ないし22のいずれかに記載
のチャンバ装置と、前記チャンバ装置に収容した前記ワ
ーク処理装置と、を備えたことを特徴とする電気光学装
置。
23. An electro-optical device comprising: the chamber device according to claim 1; and the work processing device housed in the chamber device.
【請求項24】 前記ワーク処理装置が、有機EL装置
の製造装置であることを特徴とする請求項23に記載の
電気光学装置。
24. The electro-optical device according to claim 23, wherein the work processing device is a device for manufacturing an organic EL device.
【請求項25】 前記有機EL装置の製造装置が、ワー
クである基板に対し、発光機能材料を導入した機能液滴
吐出ヘッドを相対的に走査し、前記発光機能材料を選択
的に吐出して前記基板上の多数の画素領域に有機EL機
能層を形成する液滴吐出装置を有していることを特徴と
する請求項24に記載の電気光学装置。
25. The organic EL device manufacturing apparatus relatively scans a functional liquid droplet ejection head, into which a light emitting functional material is introduced, with respect to a substrate which is a work, and selectively ejects the light emitting functional material. The electro-optical device according to claim 24, further comprising a droplet discharge device that forms an organic EL functional layer in a large number of pixel regions on the substrate.
【請求項26】 前記不活性ガスが、窒素、二酸化炭
素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノ
ンおよびラドンのいずれかであることを特徴とする請求
項23、24または25に記載の電気光学装置。
26. The electro-optical device according to claim 23, 24 or 25, wherein the inert gas is any one of nitrogen, carbon dioxide, helium, neon, argon, krypton, xenon and radon. .
【請求項27】 請求項23ないし26のいずれかに記
載の電気光学装置により製造されたことを特徴とする有
機EL装置。
27. An organic EL device manufactured by the electro-optical device according to claim 23.
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