JP2001223077A - Film forming equipment and manufacturing method of light emitting equipment using it - Google Patents

Film forming equipment and manufacturing method of light emitting equipment using it

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利光 小沼
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株式会社半導体エネルギー研究所
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    • H01L51/0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
    • H01L51/0003Deposition of organic semiconductor materials on a substrate using liquid deposition, e.g. spin coating

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming equipment which can form a highly reliable EL element.
SOLUTION: An oxidization cell 205 which contains an oxidizer 209 consisting of an element belonging to the group I or the group II of the periodic table is provided in an interior of a film forming furnace of a liquid-phase film forming furnace 109, such as a spin coating equipment. And an oxygen concentration in an atmosphere can be decreased to 1 ppb or below because oxygen in the atmosphere is consumed by oxidizing the oxidizer 209. Then the EL element can be formed in almost a non-oxygen state and is improved in reliability.
COPYRIGHT: (C)2001,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、陽極、陰極及びそれらの間にEL(Electro Luminescence)が得られる発光性材料、特に発光性有機材料(以下、有機EL材料という)を挟んだ構造でなるEL素子の作製に用いる薄膜形成装置及びそれを用いた発光装置の作製方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention comprises an anode, luminescent materials cathode and EL therebetween (Electro Luminescence) is obtained, in particular light-emitting organic material (hereinafter, referred to as organic EL material) made of a sandwiched structure a process for fabricating a light-emitting device using the thin film forming apparatus and its use in the fabrication of EL devices.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、有機EL材料のEL現象を利用した自発光素子としてEL素子を用いた表示装置(EL表示装置)の開発が進んでいる。 In recent years, it has been developed for display devices using EL elements as self-light-emitting elements using an EL phenomenon of an organic EL material (EL display device). EL表示装置は自発光型であるため、液晶表示装置のようなバックライトが不要であり、さらに視野角が広いため、屋外で使用する携帯型機器の表示部として有望視されている。 Since the EL display device is a self-luminous type, it is unnecessary to backlight such as a liquid crystal display device, further for wide viewing angle, is promising as a display portion of a portable equipment used outdoors.

【0003】EL表示装置にはパッシブ型(単純マトリクス型)とアクティブ型(アクティブマトリクス型)の二種類があり、どちらも盛んに開発が行われている。 [0003] The EL display device There are two types of passive type (simple matrix type) and an active type (active matrix type), which have also been carried out actively developed. 特に現在はアクティブマトリクス型EL表示装置が注目されている。 In particular, currently has an active matrix type EL display device has attracted attention. また、EL素子の発光層となるEL材料は、 Further, EL materials becomes an emission layer of EL element,
有機材料と無機材料があり、さらに有機材料は低分子系(モノマー系)有機EL材料と高分子系(ポリマー系) There are organic and inorganic materials, further organic materials low molecular weight (monomer) organic EL materials and high molecular (polymer)
有機EL材料とに分けられる。 It is divided into an organic EL material. 両者ともに盛んに研究されているが、低分子系有機EL材料よりも取り扱いが容易で耐熱性の高いポリマー系有機EL材料が注目されている。 Are actively studied Both, but polymer type organic EL materials high easy and heat-resistant to handle than the low molecular organic EL materials have been attracting attention.

【0004】ところが、有機EL材料は酸化することで容易に分子構造が変化してしまい、発光能力を失ってしまう。 [0004] However, organic EL materials end up with different readily molecular structure by oxidation, lose their light generating capability. 即ち、有機EL材料からなる発光層が酸化することによってEL素子が発光能力を失い劣化する。 That, EL element is deteriorated loses light generating capability by the light-emitting layer made of an organic EL material from oxidizing. 従って、有機EL材料を成膜した後は、有機EL材料の酸化を促進する酸素(O 2 )を極力排除することが、信頼性の高いEL素子を形成するためには必要である。 Thus, after forming the organic EL material as much as possible exclude oxygen (O 2) to promote the oxidation of the organic EL material is required in order to form a highly reliable EL element.

【0005】低分子系有機EL材料の場合、真空下での蒸着法により成膜が行われるため素子中への酸素の混入は殆ど問題とならない。 In the case of low molecular weight organic EL materials, incorporation of oxygen into the device for film formation is performed by evaporation under vacuum is not a little problem. また、有機EL材料を形成したあとは、大気解放しないで密閉空間に封入してしまうため、成膜工程から一貫して外気(大気)に触れさせることなくEL素子を完成させることができる。 Also, after forming the organic EL material, for thus sealed in a closed space without exposure to the atmosphere, it is possible to complete the EL element without being exposed consistently from the film forming step to the outside air (atmosphere).

【0006】ところが、高分子系有機EL材料の場合、 [0006] However, in the case of polymer-based organic EL material,
真空中での成膜が困難であるため、窒素または希ガスといった不活性ガス中でインクジェット法、スピンコート法または印刷法を用いて行われる。 For deposition in vacuum it is difficult, an inkjet method in a nitrogen or a noble gas such as inert gas, is carried out by spin coating or a printing method. また、高分子系有機EL材料は特に酸素に弱く、僅かな酸素の存在によって容易に酸化し、劣化してしまう。 The polymer-based organic EL materials are particularly vulnerable to oxygen, easily oxidized by the presence of a slight oxygen deteriorates. 不活性ガス中の酸素濃度を1ppm以下とすることでほぼ問題のないレベルにまで劣化を抑制することは可能であるが、さらに長期の信頼性を確保するには問題がある。 Although it is possible to suppress deterioration until the oxygen concentration in the inert gas to a level no substantially problem by a 1ppm or less, further to ensure long-term reliability is problematic.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、発光生材料を用いた発光装置の信頼性をさらに高めるための方法を提供することを課題とする。 [0008] The present invention has been made in consideration of the above situation, and aims to provide a method for further enhancing the reliability of the light emitting device using a light emitting raw material. また、そのような信頼性の高い発光装置を形成するための成膜装置を提供することを課題とする。 Further, it is an object to provide a film forming apparatus for forming such a highly reliable light-emitting device.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】本発明では、EL材料(特に有機EL材料)を成膜するに先だって、成膜室の内部で周期表の1族または2族に属する元素(アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素)を酸化させ、成膜室の内部の酸素を除去することを特徴とする。 In the present invention SUMMARY OF THE INVENTION Prior to the formation of the EL material (especially organic EL material), Group 1 or Group 2 element belonging to the periodic table inside the deposition chamber (alkali metal element or oxidizing the alkaline earth metal element), and removing the internal oxygen deposition chamber. 即ち、 In other words,
アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の非常に酸化し易い性質を利用し、化学的に酸素を除去する(ゲッタリングする)ことを特徴とする。 Using highly oxidizable nature of the alkali metal element or an alkaline earth metal element, chemically remove oxygen (gettered) be characterized.

【0009】具体的には、成膜室の内部に設けられた酸化用セルに周期表の1族または2族に属する元素を設置し、前記酸化用セルにて周期表の1族または2族に属する元素を酸化させる。 [0009] Specifically, established a Group 1 or Group 2 element belonging to the periodic table in the oxidation cell provided inside of the deposition chamber, Group 1 or Group 2 of the periodic table in the oxide cell to oxidize the elements belonging to. このとき、室温で酸化しない元素を用いる場合は酸化用セルを加熱すれば良い。 In this case, it is sufficient to heat the cell for oxidation in the case of using an element which does not oxidize at room temperature. また、室温で酸化する元素を用いる場合はアルコールで保存したりして酸素の供給を絶ったまま酸化用セル内に密閉し、 Further, it sealed into the cell for oxidation while broke off the supply of oxygen or save an alcohol in the case of using the element for oxidizing at room temperature,
成膜室に搬入してから酸化させる。 It is oxidized from the carried into the deposition chamber.

【0010】本発明を実施した場合、周期表の1族または2族に属する元素が酸化している間、成膜室の内部に存在する酸素は周期表の1族または2族に属する元素との酸化反応により消費される。 [0010] When the present invention was carried out, while the elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table are oxidized, oxygen present in the interior of the deposition chamber and the element belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table It is consumed by the oxidation reaction. 即ち、周期表の1族または2族に属する元素が酸素をゲッタリングすると考えても良い。 That is, group 1 or 2 element belonging to the periodic table may be considered to getter oxygen.

【0011】本発明は、特に高分子系有機EL材料を液相法(インクジェット法、スピンコート法、印刷法またはディスペンス法)により成膜する際の前処理として実施することが有効であるが、低分子系有機EL材料を気相法(蒸着法またはスパッタ法)により成膜する際の前処理として行うことも可能である。 [0011] The present invention is particularly liquid-phase polymer-based organic EL material, but it is effective to be implemented as a pretreatment when forming by (inkjet method, a spin coating method, a printing method or a dispensing method), it is also possible to carry out as a pretreatment in forming by vapor a low molecular weight organic EL material phase (vapor deposition or sputtering).

【0012】以上のように、EL材料を成膜する前処理として、成膜室内において周期表の1族または2族に属する元素と酸素との酸化反応を利用する。 [0012] As described above, as pretreatment for forming the EL material, based on the oxidation of an element and oxygen belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table in the deposition chamber. これにより成膜室内の酸素濃度を1ppb以下(好ましくは0.1p Thus the following 1ppb oxygen concentration in the deposition chamber (preferably 0.1p
pb以下)にすることが可能となる。 It becomes possible to pb below). その結果、酸素濃度が1ppb以下(好ましくは0.1ppb以下)の不活性雰囲気でEL材料を成膜することが可能となる。 As a result, the oxygen concentration is 1ppb or less (preferably 0.1ppb or less) it is possible to form the EL material in an inert atmosphere. 即ち、無酸素に近い状態でEL素子を形成することが可能となり、従来以上に信頼性の高いEL表示装置が得られる。 That is, it is possible to in a state close to an oxygen-free form the EL element, high EL display device reliability can be obtained than conventional.

【0013】 [0013]

【発明の実施の形態】本発明の成膜装置について図1、 Figure 1 The film deposition apparatus of the embodiment of the present invention,
図2を用いて説明する。 It will be described with reference to FIG. 図1において、101は搬送室(A)であり、搬送室(A)101には搬送機構(A) 1, reference numeral 101 denotes a transportation chamber (A), the transport mechanism for the transport chamber (A) 101 (A)
102が備えられ、基板103の搬送が行われる。 102 is provided, the transport of the substrate 103 is performed. 搬送室(A)101は減圧雰囲気にされており、各処理室とはゲートによって遮断されている。 Transfer chamber (A) 101 is in a reduced pressure atmosphere, and is blocked by the gate to the respective processing chambers. 各処理室への基板の受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構(A)102 Transferring the substrate to each processing chamber, conveying mechanism when opening the gate (A) 102
によって行われる。 It is carried out by. また、搬送室(A)101を減圧するには、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、 Further, the depressurizing the transfer chamber (A) 101, the oil-sealed rotary pump, mechanical booster pump,
ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプを用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なクライオポンプが好ましい。 Although it is possible to use an exhaust pump such as a turbo molecular pump or a cryopump, effective cryopump in removing moisture is preferable.

【0014】図1の成膜装置では、搬送室(A)101 [0014] In the film deposition apparatus shown in FIG. 1, the transport chamber (A) 101
の側面に排気ポート104が設けられ、その下に排気ポンプが設置される。 Side exhaust port 104 is provided in the exhaust pump is disposed below it. このような構造とすると排気ポンプのメンテナンスが容易になるという利点がある。 There is an advantage that maintenance of the exhaust pump and such a structure is facilitated.

【0015】以下に、各処理室についての説明を行う。 [0015] In the following, description will be made of each processing chamber.
なお、搬送室(A)101は減圧雰囲気となるので、搬送室(A)101に直接的に連結された処理室には全て排気ポンプ(図示せず)が備えられている。 Incidentally, the transport chamber (A) 101 because the reduced pressure atmosphere, all directly linked processing chamber to the transfer chamber (A) 101 is an exhaust pump (not shown) is provided. 排気ポンプとしては上述の油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いられる。 Above oil rotary pump as an exhaust pump, a mechanical booster pump, a turbo molecular pump or cryopump is used.

【0016】まず、105は基板のセッティング(設置)を行うストック室であり、ロードロック室とも呼ばれる。 [0016] First, 105 is a stock chamber for the setting of the board (installed), is also called a load lock chamber. ストック室105はゲート100aにより搬送室(A)101と遮断され、ここに基板103をセットしたキャリア(図示せず)が配置される。 Stock chamber 105 is isolated from the transfer chamber (A) 101 by a gate 100a, here (not shown) a carrier equipped with a substrate 103 is disposed. なお、ストック室105は基板搬入用と基板搬出用とで部屋が区別されていても良い。 It should be noted that the stock chamber 105 and the room may be distinguished by for and the substrate carrying-out the substrate loading. また、ストック室105は上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導入するためのパージラインを備えている。 Also, the stock chamber 105 is provided with a purge line for introducing the aforementioned exhaust pump and a high purity nitrogen gas or noble gas.

【0017】また、本実施例では基板103を、素子形成面を下向きにしてキャリアにセットする。 Further, the substrate 103 in this embodiment, to set the carrier to the element formation surface facing downward. これは後に気相成膜(スパッタまたは蒸着による成膜)を行う際に、フェイスダウン方式(デポアップ方式ともいう)を行いやすくするためである。 This is when performing vapor deposition (deposition by sputtering or vapor deposition) after, in order to facilitate the face-down method (also referred to as Depoappu method). フェイスダウン方式とは、 The face-down method,
基板の素子形成面が下を向いた状態で成膜する方式をいい、この方式によればゴミの付着などを抑えることができる。 Refers to a method of forming a film in a state where the element formation surface of the substrate faces downward, it is possible to suppress such adhesion of dust According to this scheme.

【0018】次に、106は搬送室(B)であり、ストック室105とはゲート100bを介して連結され、搬送機構(B)107を備えている。 Next, 106 is a transfer chamber (B), the stock chamber 105 is connected through the gate 100b, and a conveyor mechanism (B) 107. また、108は焼成室(ベーク室)であり、ゲート100cを介して搬送室(B)106と連結している。 Also, 108 is a baking chamber (bake chamber), are connected to the transport chamber (B) 106 through a gate 100c. なお、焼成室108は基板の面の上下を反転させる機構を有する。 The firing chamber 108 has a mechanism for inverting the upper and lower surfaces of the substrate. 即ち、フェイスダウン方式で搬送されてきた基板はここで一旦フェイスアップ方式に切り替わる。 That is, the substrate that has been transported in a face-down system is switched on once the face-up system here. これは次の液相成膜室10 This next of liquid is phase film deposition chamber 10
9での処理がフェイスアップ方式で行えるようにするためである。 Treatment with 9 is order to allow in a face-up manner. また逆に、液相成膜室109で処理を終えた基板は再び焼成室108に戻ってきて焼成され、再び上下を反転させてフェイスダウン方式に切り替わり、ストック室105へ戻る。 Conversely, the substrate having been subjected to treatment in the liquid phase film deposition chamber 109 is fired to come back again to the baking chamber 108, it switches to the face-down method by inverting the upper and lower returns again to the stock chamber 105.

【0019】ところで液相成膜室109はゲート100 [0019] By the way liquid phase film deposition chamber 109 is gate 100
dを介して搬送室(B)106と連結している。 Linked to the transport chamber (B) 106 through a d. 液相成膜室109はEL材料を含む溶液を基板上に塗布することでEL材料を含む膜を形成する成膜室であり、本発明では液相成膜室109で高分子系(ポリマー系)有機E Liquid phase film deposition chamber 109 is a deposition chamber for forming a film containing an EL material by applying a solution containing an EL material onto a substrate, the present invention liquid phase polymer system with membrane chamber 109 (polymer ) organic E
L材料を成膜する。 The formation of the L material. なお、成膜されるEL材料は、発光層として用いるものだけでなく、電荷注入層または電荷輸送層をも含む。 Incidentally, EL material to be deposited is not limited to use as a luminescent layer, including a charge injection layer or charge transport layer. また、公知の如何なる高分子系有機E Also, any known high molecular weight organic E
L材料を用いても良い。 L material may be used.

【0020】発光層となる代表的な有機EL材料としては、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)誘導体、P [0020] Representative organic EL material as an emission layer, PPV (polyparaphenylene vinylene) derivative, P
VK(ポリビニルカルバゾール)誘導体またはポリフルオレン誘導体が挙げられる。 VK (polyvinyl carbazole) derivative or polyfluorene derivatives. これはπ共役ポリマーとも呼ばれる。 This is also referred to as a π-conjugated polymer. また、電荷注入層としては、PEDOT(ポリチオフェン)またはPAni(ポリアニリン)が挙げられる。 As the charge injection layer, PEDOT (polythiophene) or PAni (polyaniline) can be mentioned.

【0021】ここで液相成膜室109の詳細な説明を、 [0021] A detailed description of where the liquid phase film deposition chamber 109,
図2を用いて行う。 Performed with reference to FIG. なお、本実施形態では液相成膜室1 In the present embodiment the liquid phase film chamber 1
09としてスピンコータ室を用いた例を示す。 An example of using a spin coater chamber as 09. 但し、スピンコータに限定する必要はなく、液相成膜室はディスペンサー、印刷またはインクジェットを用いた成膜室であっても構わない。 However, not limited to the spin coater, the liquid phase film deposition chamber may be a deposition chamber using a dispenser, print or ink jet.

【0022】図2(A)は液相成膜室109を上面から見た図である。 [0022] 2 (A) is a view of the liquid phase film deposition chamber 109 from the upper surface. 201は塗布カップであり、その中心にチャック202が設けられ、搬送されてきた基板203 201 is a coating cup, a substrate 203 chuck 202 at its center is provided, it has been transported
はチャック202に支持される。 It is supported on the chuck 202. また、204は塗布ノズルであり、先端部から有機EL材料が吐出される。 Also, 204 is a coating nozzle, the organic EL material is discharged from the tip.

【0023】さらに、本発明では液相成膜室109に酸化セル(酸化室)205が設けられている。 Furthermore, in the present invention the liquid phase film deposition chamber 109 to the oxidation cell (oxidation chamber) 205 is provided. 本発明では、この酸化セル205内で周期表の1族または2族に属する元素からなる固体(以下、酸化剤という)を酸化(燃焼)させ、液相成膜室109の内部の酸素をゲッタリング(捕獲)する。 In the present invention, a solid consisting of Group 1 or 2 element belonging to the periodic table in the oxide cell 205 (hereinafter, referred to as an oxidizing agent) was oxidized (burned), the interior of the oxygen in the liquid phase film deposition chamber 109 getter rings (capture). このとき、ゲート100dを閉めておけば液相成膜室109は密閉空間となるため、効率良く酸素をゲッタリングすることができる。 At this time, if closed gate 100d liquid phase film deposition chamber 109 is to become a closed space, the oxygen efficiently can be gettered.

【0024】また、図2(B)は液相成膜室109を、 Further, FIG. 2 (B) the liquid phase film deposition chamber 109,
図2(A)のA−A'で切断した断面を見た図である。 It is a view of the section taken along A-A 'in FIG. 2 (A).
チャック202は回転軸206に連結しており、回転軸206は軸受けとなる制御機構207によって駆動される。 Chuck 202 is connected to the rotary shaft 206, the rotary shaft 206 is driven by a control mechanism 207 serving as a bearing. また、酸化セル205の下にはヒータ208が設置され、酸化セル205内に設けられた酸化剤209は、 Further, under the oxidation cell 205 is installed the heater 208, the oxidizing agent 209 provided in the oxidation cell 205,
ヒータ208によって加熱されて酸化する。 Oxidized is heated by the heater 208. なお、酸化セル205自体に電流を流して抵抗加熱により酸化剤2 Incidentally, oxidation by resistance heating by passing a current to the oxidation cell 205 itself agent 2
09を酸化させても良い。 09 may be oxidized.

【0025】また、酸化セル205の入り口に密閉可能な蓋を設け、その蓋を開閉することで酸化剤209の酸化する時間を調節することもできる。 Further, a sealable lid provided at the entrance of the oxidation cell 205, it is also possible to adjust the time for the oxidation of the oxidative agent 209 by opening and closing the lid. このような方式は室温で自然発火するような元素(代表的にはナトリウム)を用いる場合に有効な手法である。 Such method is an effective method in the case of using an element (sodium typically) such that pyrophoric at room temperature. 即ち、有機EL That is, the organic EL
材料を成膜する前に所定の時間だけ酸化剤209を酸化させ、蓋を閉めて酸化セル205を密閉して酸素の供給を断つことで酸化を強制的に終了させる。 Material is oxidized only oxidizing agent 209 a predetermined time before the deposition of the forces an end oxidized by cutting off the supply of oxygen to seal the oxide cell 205 closes the lid. そして、再び基板が搬送されてきたら蓋を開け、酸化剤209を酸化させる。 Then, open the lid If you have been transported board again, to oxidize the oxidizing agent 209. この繰り返しにより複数枚の基板を酸化剤の交換なしで処理することが可能となり、製造スループットを向上させることができる。 This repetition makes it possible to process a plurality of substrates without replacing the oxidizing agent, it is possible to improve the manufacturing throughput.

【0026】以上のように、図1に示した成膜装置は液相成膜室109に酸化セル205が備えられており、防塵板210で液相成膜室109を密閉空間とすることができる。 [0026] As described above, the film forming apparatus shown in FIG. 1 is an oxidation cell 205 provided in the liquid phase film deposition chamber 109, to be a sealed space a liquid phase film deposition chamber 109 in the dust-proof plate 210 it can. そのため、酸化セル205内で周期表の1族または2族に属する元素を酸化させることで容易に成膜雰囲気中の酸素を除去することができる。 Therefore, it is possible to easily remove the oxygen in the deposition atmosphere that oxidizes the Group 1 or elements belonging to Group 2 of the periodic table in the oxide cell 205. 即ち、酸素濃度が1ppb以下(好ましくは0.1ppb以下)の不活性雰囲気中で有機EL材料を成膜することが可能となる。 That is, the oxygen concentration is 1ppb or less (preferably 0.1ppb or less) it is possible to form the organic EL material in an inert atmosphere.

【0027】また、このような不活性雰囲気を与圧(好ましくは2〜3気圧)としておくことで液相成膜室10 Further, such an inert atmosphere pressurized (preferably 2 to 3 atm) and a liquid by keep phase film chamber 10
9内の圧力を高め、酸素の混入を極力防ぐ手段をとっても良い。 Increasing the pressure in the 9, it may take as much as possible preventing means mixing of oxygen.

【0028】次に、110で示されるのはEL素子の画素電極となる陰極もしくは陽極の表面を処理する処理室(以下、前処理室という)であり、前処理室110はゲート100eにより搬送室(A)101と遮断される。 Next, processing for an the surface of the cathode or anode which becomes a pixel electrode of the EL element is shown by 110 chamber (hereinafter, referred to as pre-treatment chamber) and, pre-treatment chamber 110 transfer chamber by a gate 100e (a) is blocked with 101.
前処理室はEL素子の作製プロセスによって様々に変えることができるが、本実施例では画素電極の表面に紫外光を照射しつつ100〜120℃で加熱できるようにする。 Preprocessing chamber can be changed variously by the manufacturing process of the EL element, but in the present embodiment to be heated at 100 to 120 ° C. while irradiating ultraviolet light on the surface of the pixel electrode. このような前処理は、EL素子の陽極表面を処理する際に有効である。 Such pretreatment is effective when processing the anode surface of the EL element.

【0029】次に、111は蒸着法またはスパッタ法により導電膜または有機EL材料を形成するための気相成膜室であり、ゲート100fを介して搬送室(A)10 [0029] Next, numeral 111 denotes a vapor deposition chamber for forming a conductive film or an organic EL material by evaporation or sputtering, transfer chamber via a gate 100f (A) 10
1に連結される。 It is connected to the 1. 本実施形態では気相成膜室111として蒸着室を設けており、内部に複数の蒸着源を設置できる。 In the present embodiment has provided the deposition chamber as a film chamber 111-phase gas, you can install a plurality of deposition source therein. また、抵抗加熱または電子ビームにより蒸着源を蒸発させ、成膜を行うことができる。 Further, by resistance heating or electron beam evaporation of the evaporation source, it is possible to form a film.

【0030】この気相成膜室111で形成される導電膜はEL素子の陰極側の電極として設けられる導電膜であり、仕事関数の小さい金属、代表的には周期表の1族もしくは2族に属する元素(代表的にはリチウム、マグネシウム、セシウム、カルシウム、カリウム、バリウム、 The conductive film is formed with a film chamber 111-phase the gas is a conductive film provided as the cathode electrode of the EL element, a metal having a small work function, Group 1 or Group 2 of the representative of the Periodic Table elements belonging to the (typically lithium, magnesium, cesium, calcium, potassium, barium,
ナトリウムもしくはベリリウム)またはそれらに近い仕事関数をもつ金属を蒸着できる。 Metal can deposition with sodium or beryllium), or a work function close to their. また、低抵抗な導電膜としてアルミニウム、銅もしくは銀を蒸着することもできる。 It is also possible to deposit aluminum, copper or silver as a low-resistance conductive film. さらに、透明導電膜として酸化インジウムと酸化スズとの化合物からなる導電膜や酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物からなる導電膜を蒸着法により形成することも可能である。 Furthermore, it is also possible to form by evaporation of the conductive film made of a compound of the conductive film and indium oxide and zinc oxide made of a compound of indium oxide and tin oxide as a transparent conductive film.

【0031】また、気相成膜室111では公知のあらゆるEL材料(特に低分子系有機EL材料)を形成することが可能である。 Further, it is possible to form the In vapor phase film chamber 111, any known EL materials (in particular low-molecular organic EL material). 発光層の代表例としてはAlq 3 (トリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体)もしくはD Alq 3 as a representative example of a light-emitting layer (tris-8-quinolinolato aluminum complex) or D
SA(ジスチルアリーレン誘導体)があり、電荷注入層の代表例としてはCuPc(銅フタロシアニン)、Li SA (di still arylene derivative) may, CuPc (copper phthalocyanine) Representative examples of the charge injection layer, Li
F(フッ化リチウム)もしくはacacK(カリウムアセチルアセトネート)があり、電荷輸送層の代表例としてはTPD(トリフェニルアミン誘導体)もしくはNP F has (lithium fluoride) or ACAck (potassium acetylacetonate), TPD (triphenylamine derivative) Representative examples of the charge transport layer or NP
D(アントラセン誘導体)が挙げられる。 D (anthracene derivatives).

【0032】また、上記EL材料と蛍光物質(代表的には、クマリン6、ルブレン、ナイルレッド、DCM、キナクリドン等)とを共蒸着することも可能である。 Further, (typically, coumarin 6, rubrene, Nile red, DCM, quinacridone, etc.) the EL material and a fluorescent substance can also be co-evaporation of. 蛍光物質としては公知の如何なる材料を用いても良い。 The fluorescent substance may be used any known material. また、EL材料と周期表の1族または2族に属する元素とを共蒸着して発光層の一部に電荷輸送層または電荷注入層としての役割をもたせることも可能である。 It is also possible to have a role as a charge transport layer or a charge injection layer and an element belonging to Group 1 or 2 in a part of the co-deposition to the light emitting layer of the EL material and the periodic table. なお、共蒸着とは、同時に蒸着源を加熱し、成膜段階で異なる物質を混合する蒸着法をいう。 Note that the co-evaporation, by heating the deposition source simultaneously, refers to a vapor deposition method for mixing the different substances with film-forming step.

【0033】いずれにしてもゲート100fによって搬送室(A)101と遮断され、真空下で有機EL材料または導電膜の成膜が行われる。 [0033] is isolated from the transfer chamber (A) 101 by a gate 100f Anyway, the organic EL material or the conductive film of the film is carried out under vacuum. なお、成膜はフェイスダウン方式(デポアップ方式)で行われる。 The deposition is carried out in a face-down method (Depoappu method).

【0034】次に、112は封止室(封入室またはグローブボックスともいう)であり、ゲート100gを介して搬送室(A)101に連結されている。 Next, 112 is a sealing chamber (also referred to as a filled chamber or a glove box), which is connected to the transfer chamber (A) 101 through a gate 100 g. 封止室112 The sealing chamber 112
では、最終的にEL素子を密閉空間に封入するための処理が行われる。 In finally process for encapsulating EL element into a closed space is performed. この処理は形成されたEL素子を酸素や水分から保護するための処理であり、シーリング材で機械的に封入する、又は熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で封入するといった手段を用いる。 This process is a process for protecting an EL element formed from oxygen and moisture, mechanically sealed with sealing material, or using a means such as encapsulating with a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.

【0035】シーリング材としては、ガラス、セラミックス、金属などの材料を用いることができるが、シーリング材側に光を出射する場合は透光性でなければならない。 [0035] As the sealing material, glass, ceramics, can be used materials such as metal, to emit light to the sealing material side should have a light-transmitting property. また、シーリング材と上記EL素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて密閉空間を形成する。 Further, the substrate sealing member and the EL element is formed are bonded with a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin, a sealed space is formed and the resin is cured by heat treatment or ultraviolet light irradiation treatment. この密閉空間の中に酸化バリウム等の乾燥剤を設けることも有効である。 It is also effective to provide a drying agent such as barium oxide in the sealed space.

【0036】また、シーリング材とEL素子の形成された基板との空間を熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で充填することも可能である。 [0036] It is also possible to fill the space between substrates formed of the sealing material and the EL element with a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin. この場合、熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂の中に酸化バリウム等の乾燥剤を添加しておくことは有効である。 In this case, it is effective to add a drying agent such as barium oxide in the thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.

【0037】図1に示した成膜装置では、封止室112 [0037] In the film forming apparatus shown in FIG. 1, the sealing chamber 112
の内部に紫外光を照射するための機構(以下、紫外光照射機構という)113が設けられており、この紫外光照射機構113から発した紫外光によって紫外光硬化性樹脂を硬化させる構成となっている。 Is the internal mechanism for irradiating ultraviolet light (hereinafter, referred to as an ultraviolet light irradiation mechanism) and 113 are provided, configured to cure the ultraviolet curable resin by ultraviolet light emitted from this ultraviolet light irradiation mechanism 113 ing. なお、封止室112 In addition, the sealing chamber 112
内の作業は、グローブを用いた手作業であっても構わないが、コンピュータ制御により機械的に行われるような構造となっていることが好ましい。 Working of the inner, although may be a manual operation using a glove, it is preferable that a structure, such as mechanically performed by the computer control. シーリング材を用いる場合には、液晶のセル組み工程で用いられるようなシール剤(ここでは熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂)を塗布する機構と、基板を貼り合わせる機構と、シール剤を硬化させる機構とが組み込まれていることが好ましい。 When using a sealing material, a mechanism for applying the liquid crystal sealing agent as used in the cell assembling step (here, thermosetting resin or the ultraviolet curable resin), a mechanism for bonding substrates, the sealant it is preferable that a mechanism for curing are incorporated.

【0038】また、封止室112の内部は排気ポンプを取り付けることで減圧することも可能である。 Further, inside of the sealing chamber 112 is also possible to vacuum by attaching an exhaust pump. 上記封入工程をロボット操作で機械的に行う場合には、減圧下で行うことで酸素や水分の混入を防ぐことができる。 When the mechanically performing the above sealing step the robot operation can prevent contamination of oxygen and moisture by carried out under reduced pressure. また、逆に封止室112の内部を与圧とすることも可能である。 It is also possible to pressurized the interior of the sealing chamber 112 to reverse. この場合、高純度な窒素ガスや希ガスでパージしつつ与圧とし、外気から酸素等が侵入することを防ぐ。 In this case, the pressurized while purging with high purity nitrogen gas or noble gas prevents oxygen or the like from the outside air from entering.

【0039】次に、封止室112には受渡室(パスボックス)114が連結される。 Next, delivery chamber (pass box) 114 is connected to the sealing chamber 112. 受渡室114には搬送機構(C)115が設けられ、封止室112でEL素子の封入が完了した基板を受渡室114へと搬送する。 The transport mechanism (C) 115 provided in the delivery chamber 114 transfers the substrate to the encapsulation of the EL element is completed in the sealing chamber 112 to the delivery chamber 114. 受渡室114も排気ポンプを取り付けることで減圧することが可能である。 Passing chamber 114 also may be vacuum by installing a vacuum pump. この受渡室114は封止室112を直接外気に晒さないようにするための設備であり、ここから基板を取り出す。 The delivery chamber 114 is equipment for preventing exposure to outside air sealing chamber 112 directly out the substrate from here.

【0040】以上のように、図1に示した成膜装置を用いることで完全にEL素子を密閉空間に封入するまで外気に晒さずに済む。 [0040] As described above, we need not exposed to the air until sealed in a completely closed space an EL device using the film deposition apparatus shown in FIG. さらに、液相成膜室109では、酸素濃度が1ppb以下の不活性雰囲気にて有機EL材料の成膜を行うため、殆ど酸素のない状態での成膜が可能となる。 Further, in the liquid phase film deposition chamber 109, an oxygen concentration for forming a film of an organic EL material by the following inert atmosphere 1 ppb, it is possible to most film in an oxygen-free state. 以上のことから従来以上に信頼性の高いEL表示装置を作製することが可能となる。 It is possible to manufacture a highly reliable EL display devices than ever from the above.

【0041】 [0041]

【実施例】〔実施例1〕本実施例では、図1に示した液相成膜室109とは異なる構造の液相成膜室を設けた例について図3を用いて説明する。 [Embodiment] [Embodiment 1] This embodiment will be described with reference to FIG. 3 for an example in which a liquid phase film deposition chamber having a structure different from that of the liquid phase film deposition chamber 109 shown in FIG. 図3(A)は液相成膜室301の上面図であり、塗布カップ201、チャック202、基板203及び塗布ノズル204は図2と同様である。 3 (A) is a top view of a liquid phase film deposition chamber 301, application cup 201, chuck 202, substrate 203 and the coating nozzle 204 is the same as that shown in FIG. 図3に示した成膜装置の特徴は、図2の酸化セル205の代わりに酸化炉302を成膜装置の外部に設け、配管303により液相成膜室301と酸化炉302 Features of the film forming apparatus shown in FIG. 3, provided outside of the oxidation furnace 302 film deposition apparatus in place of the oxidation cell 205 of FIG. 2, a liquid phase film formation chamber 301 through a pipe 303 oxidation furnace 302
とを連結している点にある。 It lies in linking the door.

【0042】即ち、図3(B)に示すように防塵フード310の一部に配管303の一方の口(吸気口)が取り付けられ、配管303のもう一方の口(排気口)が酸化炉302に取り付けられている。 [0042] That is, one of the mouth (inlet) is mounted in part to the pipe 303 of the dust-proof hood 310 as shown in FIG. 3 (B), the other mouth (outlet) of the pipe 303 is oxidized furnace 302 It is attached to.

【0043】また、図3(C)に示すように酸化炉30 [0043] Moreover, oxidizing furnace 30 as shown in FIG. 3 (C)
2は酸化セル304、ヒータ305を有し、酸化セル3 2 has an oxidation cell 304, the heater 305, oxide cell 3
04の内部には周期表の1族または2族に属する元素からなる酸化剤306が設置される。 Inside the 04 oxidizer 306 consisting of elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table is installed. また、本実施例では酸化セル304への酸素の供給を遮断するシャッタ30 Further, in the present embodiment cuts off the supply of oxygen to the oxidation cell 304 shutter 30
7も設けられている。 7 is also provided.

【0044】本実施例では、酸化炉302の内部で酸化剤306が酸化(燃焼)する。 [0044] In this example, internally oxidizing agent 306 of the oxidation furnace 302 is oxidized (burned). そのとき、消費された酸素は配管303を通じて液相成膜室301から供給され、その結果、液相成膜室301の内部の酸素濃度が減少する。 Then, oxygen consumed is supplied from a liquid phase film deposition chamber 301 through the pipe 303, thereby decreasing the oxygen concentration inside the liquid phase film deposition chamber 301. 図1の成膜装置と根本的に異なる点は、成膜装置の近くに熱源を備えなくて済む点が挙げられる。 Of the film forming apparatus and fundamentally differs from Figure 1, it includes that need not comprise a heat source near the film deposition apparatus. 液相成膜室301で成膜される高分子系有機EL材料は有機溶媒に溶かして塗布されるため、熱源が遠い方が管理は容易である。 Since the polymer organic EL material is deposited by liquid phase deposition chamber 301 is applied dissolved in an organic solvent, it heat source is far management is easy.

【0045】なお、本実施例の液相成膜室301は図1 [0045] The liquid of the present embodiment phase film deposition chamber 301 Figure 1
に示した成膜装置の成膜室の一つとして用いることが可能である。 It can be used as one of the film forming chamber deposition apparatus shown in.

【0046】〔実施例2〕本実施例では、図1の成膜装置において液相成膜室として赤色、緑色及び青色の発光層をストライプ状に形成する液相成膜室を設けた例を示す。 [0046] Example 2 In this example, an example in which a liquid phase film deposition chamber to form red, green and blue light-emitting layer in a stripe shape as a liquid phase film formation chamber in the film forming apparatus of FIG. 1 show. 本実施例の液相成膜室について図4を用いて説明する。 Will be described with reference to FIG liquid phase film deposition chamber of the present embodiment.

【0047】図4(A)は本実施例の液相成膜室400 [0047] FIG. 4 (A) solution of the present embodiment phase film chamber 400
を側面からみた外観図であり、図4(B)は前面からみた外観図である。 The is an external view seen from the side, FIG. 4 (B) is an external view seen from the front. 図4(A)において、401は支持台、402は搬送ステージであり、その上に基板403 In FIG. 4 (A), the support base 401, 402 is the carrier stage, the substrate 403 thereon
が固定される。 There are fixed. 搬送ステージ402はX方向(横方向) Transfer stage 402 are the X direction (lateral direction)
またはY方向(縦方向)に移動が可能である。 Or it can move in the Y direction (vertical direction).

【0048】支持台401には支持柱404、ホルダー405が取り付けられ、搬送ステージ402の上方に塗布ユニット406が設置される。 [0048] supported by a support table 401 column 404, the holder 405 is attached, the coating unit 406 is disposed above the transfer stage 402. 塗布ユニット406は有機EL材料を含む溶液を基板上に塗布するための機構を備えた装置であり、ヘッド部407に圧縮ガス(加圧された不活性ガス)を送ったり、有機EL材料を含む溶液を供給する装置である。 Coating unit 406 is a device having a mechanism for applying a solution containing an organic EL material onto a substrate, send the compressed gas (pressurized inert gas) to a head portion 407 includes an organic EL material the solution is a device for supplying. このとき、塗布ユニット40 At this time, the coating unit 40
6にはサックバック機構(サックバックバルブまたはエアオペレーションバルブを備えた機構)を設けることが好ましい。 It is preferable to provide a suck back mechanism (mechanism provided with a suck back valve or air operation valve) to 6. サックバック機構とは、ダイヤフラムゲージ等を用いた容積変化を利用して配管内の圧力を下げることにより、配管等のノズル口に溜まった液滴をノズル内に引き込むための機構である。 The suck back mechanism, by utilizing a volume change with a diaphragm gauge or the like lowers the pressure in the pipe, a mechanism for retracting the accumulated droplets in the nozzle port of the piping in the nozzle.

【0049】また、上記塗布ユニット等は支持台401 [0049] Further, the coating unit such as the support base 401
に取り付けられた防塵フード408に覆われている。 Covered with dustproof hood 408 attached to. 防塵フード408には基板を搬送するための入り口が設けられているが、その部分にはゲートが設けられ、支持台401と防塵フード408とで密閉空間が形成される。 Although the dustproof hood 408 has inlet is provided for conveying the substrate, a gate is provided in that portion, the sealed space is formed between the support base 401 and the dust-proof hood 408.

【0050】そして、支持台401には酸化セル40 [0050] Then, the support base 401 is oxidation cell 40
9、ヒータ410及び酸化剤411が設けられ、有機E 9, the heater 410 and the oxidant 411 is provided, an organic E
L材料を成膜する前に酸化剤411の酸化が行われる。 Oxidizing the oxidizer 411 is performed before forming the L material.

【0051】また、図4の液相成膜室400ではヘッド部407が固定され、基板403を載せた搬送ステージ402がX方向またはY方向へと移動する。 [0051] The head portion 407 in the liquid phase film deposition chamber 400 Figure 4 are fixed, the transfer stage 402 carrying the substrate 403 is moved in the X or Y direction. 即ち、搬送ステージが移動することにより相対的にヘッド部407 That is, relatively head portion 407 by the conveying stage moves
が基板403上を移動するような機構となっている。 There has been a mechanism that moves on the substrate 403. 勿論、ヘッド部407の方を移動させるような機構とすることも可能であるが、基板側を移動させた方が安定性は良い。 Of course, it is also possible to mechanism to move towards the head portion 407, stability is better to move the substrate side.

【0052】以上の構成の液相成膜室400は、有機E [0052] liquid of the above configuration phase film deposition chamber 400, organic E
L材料(厳密には有機EL材料を溶媒に溶かした混合物)の供給口となるノズルを備えたヘッド部407が基板403上を移動することにより、基板の必要箇所へ有機EL材料を塗布していく。 By L material head portion 407 (strictly, the mixture was dissolved organic EL material in a solvent) with a nozzle serving as a supply port is moved over substrate 403, an organic EL material is applied to the necessary portions of the substrate go. ここでヘッド部407により有機EL材料を塗布していく過程を以下に説明する。 Here will be described the course of coating an organic EL material by the head portion 407 below.

【0053】図5(A)に示したのは、本発明を実施してπ共役系ポリマーでなる有機EL材料を成膜する様子を模式的に示す図である。 [0053] Figure 5 to that shown (A) is a state of forming an organic EL material made in practice to π-conjugated polymers of the present invention is a diagram schematically showing. 図5(A)において、510 In FIG. 5 (A), 510
は基板であり、基板510上には画素部511、ソース側駆動回路512、ゲート側駆動回路513がTFTにより形成されている。 Is a substrate, a pixel portion 511 on the substrate 510, the source side driver circuit 512, a gate side driver circuit 513 is formed by TFT. ソース側駆動回路512に接続された複数のソース配線とゲート側駆動回路513に接続された複数のゲート配線とで囲まれた領域が画素であり、画素内にはTFTと該TFTに電気的に接続されたEL素子が形成される。 Region surrounded by a plurality of gate lines connected to a plurality of source lines and the gate side driver circuit 513 which is connected to the source side driver circuit 512 are pixels, electrically to TFT and the TFT in the pixel connected EL element is formed. 画素部511はこのような画素がマトリクス状の配列されて形成されている。 Pixel unit such pixels 511 are formed in a matrix-like arrangement.

【0054】ここで514aは電圧を加えることで赤色に発光する有機EL材料(以下、有機EL材料(R)という)と溶媒との混合物(以下、塗布液(R)という)、514bは電圧を加えることで緑色に発光する有機EL材料(以下、有機EL材料(G)という)と溶媒との混合物(以下、塗布液(G)という)、514cは電圧を加えることで青色に発光する有機EL材料(以下、有機EL材料(B)という)と溶媒との混合物(以下、塗布液(B)という)である。 [0054] Here, 514a organic EL material (hereinafter, organic EL material (R) hereinafter) that emits red light by applying a voltage mixture of a solvent (hereinafter, the coating liquid (R) called), 514b is a voltage organic EL material (hereinafter, organic EL material (G) hereinafter) that emits green light by addition of a mixture of a solvent (hereinafter, the coating liquid (G) hereinafter), 514c organic EL which emits blue light by applying a voltage material (hereinafter, organic EL material (B) hereinafter) mixture of a solvent (hereinafter, the coating solution (B) hereinafter) is.

【0055】なお、これらの有機EL材料はポリマー重合したものを直接溶媒に溶かして塗布する方法と、モノマーを溶媒に溶かしたものを成膜した後に加熱重合させてポリマーとする方法とがあるが、本発明はどちらでも構わない。 [0055] Although these organic EL materials and a method of the method of coating dissolved in a direct solvent those polymers polymerized by a monomer is thermally polymerized after forming those dissolved in a solvent and the polymer , the present invention does not matter either. ここではポリマーとなった有機EL材料を溶媒に溶かして塗布した例を示す。 Here, an example in which coating is dissolved organic EL materials becomes polymer in the solvent.

【0056】本発明の場合、図4に示したヘッド部40 [0056] For the present invention, a head portion 40 shown in FIG. 4
7からは塗布液(R)514a、塗布液(G)514b、 The coating liquid from the 7 (R) 514a, the coating liquid (G) 514b,
塗布液(B)514cが別々に塗布され、矢印の方向に向かって塗布される。 Coating Solution (B) 514c are separately applied to be applied in the direction of the arrow. 即ち、赤色に発光すべき画素列、 That is, the pixel row to be emitted red,
緑色に発光すべき画素列及び青色に発光すべき画素列に、同時にストライプ状の発光層(厳密には発光層の前駆体)が形成される。 Pixel column to be emitted to the pixel columns and blue to be emitted in green, it is formed striped light-emitting layer (precursor strictly emission layer) at the same time.

【0057】なお、ここでいう画素列とはバンク521 [0057] In addition, the bank is the pixel column referred to herein 521
に仕切られた画素の列を指し、バンク521はソース配線の上方に形成されている。 Refers to columns of pixels which are partitioned in the bank 521 is formed over the source wiring. 即ち、ソース配線に沿って複数の画素が直列に並んだ列を画素列と呼んでいる。 That is, call sequence in which a plurality of pixels is arranged in series along the source wiring and pixel columns. 但し、ここではバンク521がソース配線の上方に形成された場合を説明したが、ゲート配線の上方に設けられていても良い。 However, here it is described the case where the bank 521 is formed over the source wiring may be provided above the gate wiring. この場合は、ゲート配線に沿って複数の画素が直列に並んだ列を画素列と呼ぶ。 In this case, I called the column in which a plurality of pixels is arranged in series along the gate wiring and pixel columns.

【0058】従って、画素部511は、複数のソース配線もしくは複数のゲート配線の上方に設けられたストライプ状のバンクにより分割された複数の画素列の集合体として見ることができる。 [0058] Thus, the pixel portion 511 can be seen as a collection of a plurality of pixel rows divided by the stripe-shaped banks provided over a plurality of source wirings or the plurality of gate wirings. そのようにして見た場合、画素部511は、赤色に発光するストライプ状の発光層が形成された画素列、緑色に発光するストライプ状の発光層が形成された画素列及び青色に発光するストライプ状の発光層が形成された画素列からなるとも言える。 When viewed in this way, the pixel portion 511, stripe that emits a stripe-shaped luminescent layer is a pixel row formed, pixel columns and blue stripes of the light-emitting layer is formed that emits green light that emits red light It can be said to consist Jo pixel columns emitting layer is formed of.

【0059】また、上記ストライプ状のバンクは、複数のソース配線もしくは複数のゲート配線の上方に設けられているため、実質的に画素部511は、複数のソース配線もしくは複数のゲート配線により分割された複数の画素列の集合体と見ることもできる。 [0059] Also, the stripe-shaped banks, because it is provided above the plurality of source wirings or the plurality of gate wirings, substantially pixel portion 511 is divided by the plurality of source wirings or the plurality of gate wirings multiple can also be viewed as a collection of pixel columns were.

【0060】次に、図5(A)に示したヘッド部(塗布部と言っても良い)407の様子を拡大して図5(B) Next, FIG an enlarged manner in Figure 5 the head portion shown in (A) (may be referred to as a coating portion) 407 5 (B)
に示す。 To show.

【0061】ヘッド部407には赤色用ノズル516 [0061] Red nozzle 516 in the head portion 407
a、緑色用ノズル516b、青色用ノズル516cが取り付けられている。 a, green nozzle 516b, the blue nozzles 516c is attached. また各々のノズルの内部には塗布液(R)514a、塗布液(G)514b、塗布液(B)5 The coating solution within each of the nozzles (R) 514a, the coating liquid (G) 514b, the coating liquid (B) 5
14cが蓄えられている。 14c is stored. これらの塗布液は、配管51 These coating liquid, the pipe 51
7内に充填された圧縮ガスにより加圧されて画素部51 Pressurized pixel portion by the compressed gas filled in the 7 51
1上に押し出される。 It is pushed out on the 1. このようなヘッド部407が紙面に垂直な方向に沿って手前方向に移動することで図5 5 by moving the front direction such head unit 407 along a direction perpendicular to the plane
(A)に示したような塗布工程が行われる。 (A) coating step as shown in is performed.

【0062】ここで518で示される塗布部付近の拡大図を図5(C)に示す。 [0062] The enlarged view in the vicinity of the coating portion shown here in 518 shown in FIG. 5 (C). 基板510上に設けられた画素部511は、複数のTFT519a〜519cと画素電極520a〜520cとでなる複数の画素の集合体である。 Pixels provided on the substrate 510 portion 511 is an aggregate of a plurality of pixels consisting of a plurality of TFT519a~519c the pixel electrode 520A~520c.
図5(B)のノズル516a〜516cに圧縮ガスにより圧力がかかると、その圧力により塗布液514a〜51 When FIG. 5 (B) is the pressure exerted on the nozzle 516a~516c by compressed gas, the coating liquid 514a~51 by the pressure
4cが押し出される。 4c is pushed out.

【0063】なお、画素間には樹脂材料で形成されたバンク521が設けられており、隣接する画素間で塗布液が混合されてしまうことを防いでいる。 [0063] Note that the inter-pixel is provided with a bank 521 made of a resin material, which prevents the coating liquid between adjacent pixels from being mixed. この構造ではバンク521の幅(フォトリソグラフィの解像度で決まる)を狭くすることで画素部の集積度が向上し、高精細な画像を得ることができる。 In this structure it is possible to improve the degree of integration of the pixel portion by narrowing the width of the bank 521 (determined by the resolution of photolithography) to obtain a high-definition image. 特に塗布液の粘性が1〜3 In particular, the viscosity of the coating solution is 1 to 3
0cpの場合に有効である。 It is effective in the case of 0cp.

【0064】但し、塗布液の粘性が30cp以上またはゾル状もしくはゲル状であればバンクを用いないことも可能である。 [0064] However, it is also possible to the viscosity of the coating solution without a bank if more or sol or gel 30 cp. 即ち、塗布後の塗布液と塗布面との接触角が十分に大きければ必要以上に塗布液が広がることもないので、バンクで堰き止めておく必要もなくなる。 That is, since the contact angle between the coating liquid and the coated surface after application nor the coating liquid spreads more than necessary if sufficiently large, there is no need to be dammed by the bank. その場合は、最終的に発光層が長円形状(長径と短径の比が2以上の細長い楕円形状)、典型的には画素部の一端から他端にまで及ぶ細長い楕円状で形成されることになる。 In that case, the final light-emitting layer is formed by oblong (2 or more elongate elliptical ratio of the major axis and the minor axis), typically ranging from one end to the other end of the pixel portion is an elongated elliptical shape It will be.

【0065】また、バンク521を形成しうる樹脂材料としてはアクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミドを用いることができる。 [0065] The resin material capable of forming a bank 521 can be used acrylic, polyimide, polyamide, polyimide amide. この樹脂材料に予めカーボンや黒色顔料等を設けて樹脂材料を黒色化しておくと、バンク521を画素間の遮光膜として用いることも可能となる。 When the resin material is provided in advance a carbon or black pigment or the like in advance a resin material and blackened, it becomes possible to use the bank 521 as a light shielding film between pixels.

【0066】また、ノズル516a、516bまたは51 [0066] The nozzle 516a, 516b, or 51
6cのいずれかの先端付近に光反射を用いたセンサーを取り付ければ、塗布面とノズルとの距離を常に一定に保つように調節することも可能である。 By attaching a sensor using light reflection near either the distal end of 6c, it is also possible to adjust the distance between the application surface and the nozzle always kept constant. さらに、画素ピッチ(画素間の距離)に応じてノズル516a〜516cの間隔を調節する機構を備えることで、どのような画素ピッチのEL表示装置にも対応することが可能である。 Furthermore, by providing a mechanism for adjusting the spacing of the nozzle 516a~516c in accordance with the pixel pitch (distance between pixels), it is possible also corresponding to the EL display device of any pixel pitch.

【0067】こうしてノズル516a〜516cから塗布された塗布液514a〜514cは各々画素電極520a [0067] coating solution 514a~514c coated from the nozzle 516a~516c thus each pixel electrode 520a
〜520cを覆うようにして塗布される。 It is applied so as to cover the ~520C. なお、以上のようなヘッド部407の動作は電気的な信号により制御される。 The operation of the head portion 407 as described above is controlled by electrical signals.

【0068】塗布液514a〜514cを塗布したら真空中で加熱処理(ベーク処理または焼成処理)することにより塗布液514a〜514cに含まれる有機溶媒を揮発させ、有機EL材料でなる発光層を形成する。 [0068] to volatilize the organic solvent contained in the coating liquid 514a~514c by heating in a vacuum After the coating solution 514a~514c coated (baked or sintered) to form a light emitting layer made of an organic EL material . このため、有機溶媒は有機EL材料のガラス転移温度(Tg) Therefore, the organic solvent is the glass transition temperature of the organic EL material (Tg)
よりも低い温度で揮発するものを用いる。 It used those which volatilize at a lower temperature than. また、有機E In addition, the organic E
L材料の粘度により最終的に形成される発光層の膜厚が決まる。 The thickness of the light-emitting layer that is finally formed by the viscosity of the L material is determined. この場合、有機溶媒の選定または添加物により粘度を調節することができるが、粘度は1〜50cp In this case, although the viscosity can be adjusted by the selection or addition of organic solvents, viscosity 1~50cp
(好ましくは5〜20cp)とするのが好ましい。 (Preferably 5~20Cp) preferably with.

【0069】以上のような液相成膜室を用いることにより、赤、緑、青の各色に発光する三種類の発光層を同時に形成することができるため、高いスループットでポリマー系有機EL材料でなる発光層を形成することができる。 [0069] By using the above liquid such as phase film deposition chamber, red, green, it is possible to simultaneously form three kinds of light-emitting layer emitting blue colors, a polymer-based organic EL materials with a high throughput it is possible to form a light emitting layer composed. さらに、インクジェット方式と異なり、一つの画素列では切れ間なくストライプ状に塗布していくことができるため、非常にスループットが高い。 Further, unlike the ink jet system, since in one pixel row can go applied to rift no stripes, very high throughput.

【0070】また、本実施例の液相成膜室を用いる場合においても、本発明により酸素をゲッタリングしておくことで信頼性の高いEL素子を形成することができる。 [0070] Also, in the case of using a liquid phase film deposition chamber of the present embodiment also, it is possible to form a highly reliable EL device that you gettering oxygen by the present invention.
なお、本実施例の液相成膜室は実施例1に示した液相成膜室(スピンコータ室)と併用して用いることも可能である。 The liquid phase film deposition chamber of this embodiment can also be used in combination with the liquid phase film deposition chamber as shown in Example 1 (spin coater chamber).

【0071】〔実施例3〕本実施例では、実施例2の図5に示した液相成膜室のヘッド部の構造を異なるものとした液相成膜室について説明する。 [0071] In Example 3 This example describes the liquid phase film deposition chamber and structures different from those of the head portion of the liquid phase film deposition chamber shown in Figure 5 of the second embodiment. なお、図5と同一の符号を用いている部分に関する記載は実施例2を参照すれば良い。 Note that description of portions which are designated by the same reference numerals as in FIG. 5 may be referred to Example 2.

【0072】図6(A)は本実施例の液相成膜室のヘッド部を示している。 [0072] FIG. 6 (A) shows the head portion of the liquid phase film deposition chamber embodiment. ノズル601a〜601cの内部には、各々ノズルと同軸のロッド602a〜602cが設けられている。 Inside the nozzle 601A~601c, each nozzle coaxial rod 602a~602c is provided. さらに、ノズル601a〜601cの内部には、塗布液(R)603a、塗布液(G)603b、塗布液(B)603cが蓄えられている。 Further, inside the nozzle 601A~601c, the coating liquid (R) 603a, the coating liquid (G) 603b, the coating liquid (B) 603c are stored. このロッド602a The rod 602a
〜602cを設けることにより、塗布液の固化によるノズルの目詰まりを抑制することができる。 By providing ~602C, it is possible to suppress the clogging of the nozzle due to solidification of the coating solution.

【0073】このとき、ノズル601a〜601cの内壁は塗布液に対して疎水性とし、ロッド602a〜602c [0073] At this time, the inner wall of the nozzle 601a~601c is hydrophobic relative to the coating solution, the rod 602a~602c
の表面は塗布液に対して親水性とすると良い。 The surface may be hydrophilic with respect to the coating solution. ノズル6 Nozzle 6
01a〜601cの内壁を疎水性とするには形成材料として疎水性を示す材料を用いれば良く、代表的にはテフロン(登録商標)、PVDF(ポリビニリデンフロライド)または金属(代表的にはステンレス、アルミニウム、ジルコニウム)とすれば良い。 The inner wall of 01a~601c to hydrophobic may be used a material exhibits hydrophobicity as a forming material, typically Teflon (registered trademark), PVDF (polyvinylidene fluoride) or metal (typically, stainless steel , it may be aluminum, zirconium) and. また、ロッド602 In addition, the rod 602
a〜602cの表面を親水性とするには形成材料として親水性を示す材料を用いれば良く、代表的にはナイロンまたはPVA(ポリビニルアルコール)とすれば良い。 The surface of a~602c to hydrophilic may be used a material exhibits hydrophilicity as the material, typically it may be a nylon or PVA (polyvinyl alcohol).

【0074】また、ノズル601a〜601cを金属で形成し、ノズル601a〜601cに超音波をかけることで、塗布液(R)603a、塗布液(G)603b、塗布液(B)603cの固化を抑制することも可能である。 [0074] Further, the nozzle 601A~601c made of metal, by applying an ultrasonic wave to the nozzle 601A~601c, the coating liquid (R) 603a, the coating liquid (G) 603b, the solidification of the coating liquid (B) 603c it is also possible to suppress.

【0075】ところで、塗布液(R)603a、塗布液(G)603b、塗布液(B)603cの塗布はロッド6 [0075] Incidentally, the coating liquid (R) 603a, the coating liquid (G) 603b, the coating of the coating liquid (B) 603c rod 6
02a〜602cが被成膜面(本実施例では画素電極52 02a~602c is the deposition surface (pixel electrode 52 in this embodiment
0a〜520cの表面)に接した状態で行われる。 It is performed in a state in contact with the surface) of 0A~520c. ロッド602a〜602cは非常に柔らかい材料で形成され、被成膜面をなぞるように移動する。 Rod 602a~602c is formed with a very soft material, it moves to trace the deposition surface. この様子を図6(B) Figure 6 This state (B)
に示す。 To show.

【0076】矢印の方向はノズル601aの移動方向であり、ロッド602aは画素電極520aに接している。 [0076] The direction of the arrow a direction of movement of the nozzle 601a, the rod 602a is in contact with the pixel electrode 520a.
即ち、塗布液(R)603aはロッド602aを伝って画素電極520aの表面に塗布される。 That is, the coating liquid (R) 603a is applied to the surface of the pixel electrode 520a along the rod 602a. 従って、インクジェット法のように塗布液を飛ばす必要がなく、塗布時の位置ずれといった問題を生じない。 Therefore, there is no need to skip the coating solution for the ink-jet method, it does not cause problems such as positional deviation at the time of application.

【0077】以上のように、本実施例のヘッド部を設けた液相成膜室はノズルの目詰まりといった問題を解消しつつ、細かいパターンにも対応して有機EL材料を成膜することが可能である。 [0077] As described above, the liquid phase film deposition chamber provided with a head portion of the present embodiment while eliminating the problem of clogging of the nozzle, is possible to form the organic EL material also supports a fine pattern possible it is. また、本発明と組み合わせることで、信頼性の高いEL素子を形成することができる。 When combined with the present invention, it is possible to form a highly reliable EL element.

【0078】なお、本実施例の構成は実施例2に示した液相成膜室のヘッド部として用いることが可能であり、 [0078] Incidentally, the structure of this embodiment it is possible to use as a head portion of the liquid phase film deposition chamber as shown in Example 2,
図1の液相成膜室として用いることが可能である。 It can be used as the liquid phase film deposition chamber 1. また、実施例1の液相成膜室と併用しても構わない。 Further, it may be combined with the liquid phase film deposition chamber Example 1.

【0079】〔実施例4〕本実施例では、実施例3に示したノズルの構造をとは異なる構造のノズルを有した液相成膜室について説明する。 [0079] In Example 4 This example describes film chamber-phase liquid having a nozzle structure different from that of the structure of the nozzle shown in Example 3. なお、図7(A)は塗布前後の待機状態を示しており、図7(B)は塗布時の状態を示している。 Incidentally, FIG. 7 (A) shows the standby state before and after coating, FIG. 7 (B) shows a state during the coating. また、図7(C)、(D)はノズルの断面を上から見た図を示している。 Further, FIG. 7 (C), the shows a view from above (D) is the cross section of the nozzle.

【0080】図7(A)において、701はノズル、7 [0080] In FIG. 7 (A), 701 is a nozzle, 7
02はロッド、703は塗布液である。 02 rod 703 is the coating liquid. 各々の材料は実施例2、実施例3を参照すれば良い。 Each material Example 2, may be referred to Example 3. また、ノズル70 In addition, the nozzle 70
1の内壁を塗布液に対して疎水性にし、ロッド702を親水性にしても良い。 1 of the inner wall is hydrophobic relative to the coating solution may be a rod 702 hydrophilic.

【0081】本実施例のノズル701は内壁にロッドストッパ部704a、704bを有し、ロッドストッパ部7 [0081] nozzle 701 of this embodiment has a rod stopper portion 704a, 704b on the inner wall, a rod stopper 7
04aは中央に塗布液を通すための孔が設けられている。 04a is a hole for passing the coating fluid in the center is provided. また、ロッド702はストッパ部705を有し、ストッパ部705の直径はロッドストッパ部704aに設けられた孔の直径よりも大きい。 Further, rod 702 has a stopper portion 705, the diameter of the stopper portion 705 is larger than the diameter of the hole provided in the rod stopper portion 704a.

【0082】即ち、図7(A)に示すようにストッパ部705はロッドストッパ部704に引っかかるようになっており、塗布前後の待機状態では塗布液703の移動経路が封じられるような仕組みになっている。 [0082] That is, the stopper portion 705 as shown in FIG. 7 (A) is adapted to caught by the rod stopper unit 704, it is a mechanism such as the movement path of the coating liquid 703 is sealed in the standby state before and after coating ing. その結果、待機状態では塗布液703がノズルの先端から流出しない。 As a result, the coating liquid 703 does not flow out from the tip of the nozzle in the standby state.

【0083】また、図7(B)に示すように、塗布液を塗布する際はロッド702の先端部706が被成膜面7 [0083] Further, as shown in FIG. 7 (B), the tip portion 706 is a deposition surface 7 of the rod 702 when applying the coating solution
07に接し、ロッド702がノズル701の内部に押し込まれる。 07 in contact, the rod 702 is pushed into the interior of the nozzle 701. そして、ストッパ部705がロッドストッパ部704bに接した状態でロッド702が止まる。 Then, the rod 702 stops in a state where the stopper portion 705 is in contact with the rod stopper portion 704b. この状態で、塗布液703はロッド702を伝ってノズルから流出し、被成膜面707に塗布される。 In this state, the coating liquid 703 flows out from a nozzle along the rod 702, is applied to the deposition surface 707.

【0084】このとき、ロッドの先端部706は球状としておくことが望ましい。 [0084] At this time, the tip portion 706 of the rod it is desirable to spherical. こうすることで被成膜面70 Deposition target in this way the film surface 70
7を傷つけることを防ぐことができる。 It is possible to prevent the damage to the 7.

【0085】以上の構造のノズルを有した本実施例の液相成膜室は、実施例2で説明したサックバック機構を設けなくても塗布液の流出を防ぐことができる。 [0085] liquid of the present embodiment having the nozzle of the above construction phase film deposition chamber can not be provided a suck-back mechanism described in Example 2 to prevent the outflow of the coating solution. また、本発明と組み合わせることで、信頼性の高いEL素子を形成することができる。 When combined with the present invention, it is possible to form a highly reliable EL element. なお、本実施例の構成は実施例2 The structure of this embodiment is Example 2
に示した液相成膜室のヘッド部として用いることが可能であり、図1の液相成膜室として用いることが可能である。 It is possible to use as a head portion of the liquid phase film deposition chamber as shown in, it can be used as the liquid phase film deposition chamber 1. また、実施例1の液相成膜室と併用しても構わない。 Further, it may be combined with the liquid phase film deposition chamber Example 1.

【0086】〔実施例5〕本実施例では、図1の成膜装置において前処理室110にプラズマ処理を行う機構を備える例を示す。 [0086] In Example 5 This embodiment shows an example of a mechanism for performing a plasma treatment in the pretreatment chamber 110 in the film forming apparatus of FIG. EL素子の陰極表面に前処理を行う場合、金属からなる陰極表面の自然酸化物を除去することが望ましい。 If preprocessing is performed on the cathode surface of the EL element, it is desirable to remove the native oxide of the cathode surface made of metal. 本実施例では、フッ素または塩素を含むガスを用いて陰極表面にプラズマ処理を行い、自然酸化物を除去する機構を有する。 In this embodiment, plasma treatment is performed on the cathode surface by using a gas containing fluorine or chlorine, it has a mechanism for removing the natural oxide.

【0087】なお、本実施例の構成は、実施例1〜実施例3に示したいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。 [0087] The constitution of this embodiment can be freely implemented in combination of any configurations shown in Embodiments 1 to 3.

【0088】〔実施例6〕本実施例では、図1の成膜装置において前処理室110にスパッタ処理を行う機構を備える例を示す。 [0088] In Example 6 This embodiment shows an example of a mechanism for performing a sputtering treatment to the pretreatment chamber 110 in the film forming apparatus of FIG. EL素子の陰極表面に前処理を行う場合、金属からなる陰極表面の自然酸化物を除去することが望ましい。 If preprocessing is performed on the cathode surface of the EL element, it is desirable to remove the native oxide of the cathode surface made of metal. 本実施例では、希ガスや窒素等の不活性ガスを用いて陰極表面に対してスパッタ処理を行い、自然酸化物を除去する機構を有する。 In this embodiment, it performs a sputtering process on the cathode surface using an inert gas of a rare gas or nitrogen, and has a mechanism to remove the natural oxide.

【0089】なお、本実施例の構成は、実施例1〜実施例3に示したいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。 [0089] The constitution of this embodiment can be freely implemented in combination of any configurations shown in Embodiments 1 to 3.

【0090】〔実施例7〕本実施例では、図1に示した成膜装置を用いて発光装置(具体的にはEL表示装置) [0090] In Example 7 In the present Example, the light emitting device using the film deposition apparatus shown in FIG. 1 (specifically EL display device)
を作製する例を示す。 An example of manufacturing a.

【0091】まず、基板上に公知の技術によりTFTを作製し、画素部及び駆動回路部とを形成する。 [0091] First, a TFT by known techniques on a substrate to form a pixel portion and the driver circuit portion. 本実施例では本出願人による特開平5−107561号公報に記載の技術を用いて同一基板上に画素部及び駆動回路部を形成する。 Forming a pixel portion and a driver circuit section on the same substrate using the techniques described in JP-A-5-107561 discloses by the present applicant in the present embodiment. なお、画素部に設けられる画素TFTには透明導電膜からなる画素電極が電気的に接続され、この画素電極がEL素子の陽極となる。 The pixel electrode made of a transparent conductive film on the pixel TFT provided in a pixel portion are electrically connected, the pixel electrode becomes the anode of the EL element.

【0092】TFT及び画素電極の形成までを終えた基板(以下、アクティブマトリクス基板という)が完成したら、そのアクティブマトリクス基板を図1のストック室105に設置する。 [0092] substrate having been subjected to up to formation of the TFT and the pixel electrode (hereinafter, active referred matrix substrate) When is completed, placing the active matrix substrate stock chamber 105 in FIG.

【0093】次に、前処理室110へアクティブマトリクス基板を搬送し、画素電極の表面に対して前処理を行う。 [0093] Next, conveying the active matrix substrate to the pretreatment chamber 110, performs pre-processing on the surface of the pixel electrode. 本実施例では、オゾン雰囲気において紫外光を照射することで画素電極の表面状態を改善する。 In this embodiment, to improve the surface state of the pixel electrode by irradiating ultraviolet light in an ozone atmosphere.

【0094】次に、気相成膜室111にアクティブマトリクス基板を搬送し、正孔注入層として銅フタロシアニン膜を蒸着法により形成する。 [0094] Next, conveying the active matrix substrate in vapor phase film chamber 111, a copper phthalocyanine film formed by evaporation as a hole injection layer. 本実施例では、膜厚を2 In this embodiment, the thickness 2
0nmとするが特に限定はない。 And 0nm but not particularly limited.

【0095】次に一旦アクティブマトリクス基板をストック室105に戻し、そのアクティブマトリクス基板を搬送機構(B)107により焼成室108へと搬送する。 [0095] Then once returned to the active matrix substrate stock chamber 105, transports the active matrix substrate to the baking chamber 108 by a transport mechanism (B) 107. このとき、焼成室ではアクティブマトリクス基板を反転させ、TFTを形成した面が上を向くようにする。 At this time, to reverse the active matrix substrate in the baking chamber, a surface forming a TFT is facing up.

【0096】次に、反転させたアクティブマトリクス基板を図2に示される構造の液相成膜室109へ搬送する。 [0096] Next, conveyance of the structures shown an active matrix substrate is inverted in FIG. 2 liquid phase to the membrane chamber 109. なお、液相成膜室109は実施例1〜4のいずれの構造を有していても良い。 The liquid phase film deposition chamber 109 may have any structure of Examples 1 to 4. そして、まず酸化セル205 And, first oxide cell 205
内にて酸化剤(本実施例ではマグネシウム)を酸化させ、液相成膜室109の内部の酸素濃度を1ppb以下にまで低減する。 Oxidizing agent at an inner oxidizes (magnesium in this embodiment), to reduce oxygen concentration within the liquid phase film deposition chamber 109 to less than 1 ppb. その後、スピンコート法によりジクロロメタンに溶解させたポリフェニレンビニレンの前駆体を塗布する。 Then, applying a precursor of the polyphenylene vinylene is dissolved in dichloromethane by spin coating.

【0097】次に、上記前駆体を塗布したアクティブマトリクス基板を焼成室108へ搬送し、ポリフェニレンビニレンの前駆体を焼成する。 [0097] Next, conveying the active matrix substrate coated with the precursor to the baking chamber 108, firing a precursor of polyphenylene vinylene. こうして前駆体が重合してポリマー化し、ポリフェニレンビニレン膜からなる発光層が形成される。 Thus the precursor is polymerized by polymerization, the light emitting layer composed of polyphenylene vinylene film is formed. 焼成処理が終了したら再度アクティブマトリクス基板を反転させてストック室105へ戻す。 Baking process is reversed again active matrix substrate when finished to return to the stock chamber 105.

【0098】次に、アクティブマトリクス基板を気相成膜室111に搬送し、膜厚400nmのアルミニウム膜を蒸着する。 Next, it transported to the deposition chamber 111-phase care active matrix substrate, depositing an aluminum film having a thickness of 400 nm. このアルミニウム膜がEL素子の陰極として機能する。 The aluminum film functions as a cathode of the EL element. なお、本実施例で用いるアルミニウム膜はチタン、スカンジウムもしくはシリコンを含むアルミニウム合金膜であっても良い。 Incidentally, the aluminum film used in this embodiment may be an aluminum alloy film containing titanium, scandium or silicon. また、アルミニウム膜の代わりに銅もしくは銅合金または銀からなる導電膜を形成しても良い。 The conductive film made of copper or a copper alloy, or silver may be formed in place of the aluminum film.

【0099】次に、アクティブマトリクス基板を不活性ガス(窒素ガスまたは希ガス)で充填された封止室11 [0099] Next, the sealing chamber 11 where the active matrix substrate is filled with an inert gas (nitrogen gas or a rare gas)
2へ搬送する。 It conveyed to 2. ここではアクティブマトリクス基板上にシール材を形成し、EL素子が形成された面を覆うようにカバー材を貼り合わせる。 Here the sealing material is formed on the active matrix substrate is combined to bond the cover material to cover a surface EL element is formed. そのため、EL素子が不活性ガスの充填された密閉空間に封入され、完全に外気と遮断される。 Therefore, EL element is sealed filled sealed space of the inert gas is completely isolated from the atmosphere. なお、密閉空間に吸湿性物質(好ましくは酸化バリウム)を設けることは有効である。 Incidentally, the hygroscopic material in the closed space (preferably barium oxide) is effective to provide a. また、不活性ガスの代わりに樹脂を充填することも可能である。 It is also possible to fill the resin in place of the inert gas. その場合も、樹脂中に吸湿性物質を設けることは有効である。 In that case also, the provision of the hygroscopic substance in the resin is effective.

【0100】こうしてアクティブマトリクス基板及びカバー材をシール材により張り合わせたら、紫外光照射機構113を用いてシール材に紫外光を照射し硬化させる。 [0100] After thus bonding the active matrix substrate and the cover member with a sealing material, it is irradiated to cure the ultraviolet light to the sealing material using an ultraviolet light irradiation mechanism 113. 以上のようにしてEL素子の封入処理が終了したら、受渡室114へ封入後のアクティブマトリクス基板を搬送する。 When finished encapsulation process of the EL element as described above, to convey the active matrix substrate after encapsulation into delivery chamber 114.

【0101】以上のように、本発明の成膜装置を用いることで極力酸素を排除した環境でEL素子が形成され、 [0102] As described above, EL elements are formed a film formation apparatus of the present invention in an environment as much as possible exclusion of oxygen by using,
完全に外気と遮断された状態となるまでのプロセスを一貫して行うことが可能である。 Completely it is possible to perform the process until a state of being isolated from the atmosphere consistently.

【0102】なお、本実施例ではアクティブマトリクス型EL表示装置の作製工程の例を示しているが、本実施例はパッシブマトリクス型EL表示装置の作製工程に対しても実施できる。 [0102] Incidentally, although this embodiment shows an example of a manufacturing process of an active matrix type EL display device, the present embodiment can also be carried out with respect to manufacturing process of a passive matrix type EL display device. また、本実施例はバックライト等に用いられる発光装置の作製工程に対しても実施できる。 Further, this embodiment may be practiced with respect to manufacturing process of a light-emitting device used for a backlight or the like.

【0103】〔実施例8〕本実施例では、図1に示した成膜装置を用いて実施例7とは異なる構造の発光装置を作製する例を示す。 [0103] In Example 8 In the present Example, an example of manufacturing a light emitting device having a structure different from that of the Example 7 using the film deposition apparatus shown in FIG. なお、本実施例ではアクティブマトリクス型EL表示装置を例にとって説明する。 In the present embodiment illustrating the active matrix type EL display device as an example.

【0104】まず、基板上に特開平5−107561号公報に記載の技術を用いて画素部及び駆動回路部を形成する。 [0104] First, a pixel portion and a driver circuit portion using the techniques described in JP-A-5-107561 discloses a substrate. なお、本実施例では画素電極としてアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる導電膜を用いる。 In this embodiment, a conductive film made of aluminum or aluminum alloy as the pixel electrode. 即ち、本実施例では画素電極がEL素子の陰極となる。 That is, the pixel electrode is a cathode of the EL element in this embodiment.

【0105】アクティブマトリクス基板が完成したら、 [0105] When the active matrix substrate is completed,
そのアクティブマトリクス基板を図1のストック室10 Stock chamber 10 in FIG. 1 the active matrix substrate
5に設置する。 5 to be installed.

【0106】次に、前処理室110へアクティブマトリクス基板を搬送し、画素電極の表面に対して前処理を行う。 [0106] Next, conveying the active matrix substrate to the pretreatment chamber 110, performs pre-processing on the surface of the pixel electrode. 本実施例では、フッ素または塩素を含むガスを用いて画素電極の表面に対してプラズマ処理を行い、自然酸化物を除去する。 In this embodiment, plasma treatment is performed to the surface of the pixel electrode using a gas containing fluorine or chlorine, to remove native oxide.

【0107】次に、気相成膜室111にアクティブマトリクス基板を搬送し、電子注入層としてフッ化リチウム膜を蒸着法により形成する。 [0107] Next, conveying the active matrix substrate in vapor phase film chamber 111, formed by evaporation of lithium fluoride film as an electron injection layer. 本実施例では、膜厚を20 In this embodiment, the thickness 20
nmとするが特に限定はない。 nm that is not particularly limited.

【0108】次に一旦アクティブマトリクス基板をストック室105に戻し、そのアクティブマトリクス基板を搬送機構(B)107により焼成室108へと搬送する。 [0108] Then once returned to the active matrix substrate stock chamber 105, transports the active matrix substrate to the baking chamber 108 by a transport mechanism (B) 107. 次いでアクティブマトリクス基板を反転させる。 Then reversing the active matrix substrate.

【0109】次に、反転させたアクティブマトリクス基板を図4に示される構造の液相成膜室109へ搬送する。 [0109] Next, conveyance of the structures shown an active matrix substrate is inverted in FIG liquid phase to the membrane chamber 109. そして、まず酸化セル409内にて酸化剤(本実施例ではナトリウム)を酸化させ、液相成膜室109の内部の酸素濃度を1ppb以下にまで低減する。 Then, the first oxidizing the oxidizing agent (sodium in the present embodiment) in the oxidation cell 409 to reduce the oxygen concentration within the liquid phase film deposition chamber 109 to less than 1 ppb. その後、 after that,
図5に示した塗布法によりトルエンに溶解させたポリビニルカルバゾールの前駆体を塗布する。 Applying a precursor of polyvinylcarbazole dissolved in toluene by the coating method shown in FIG.

【0110】次に、上記前駆体を塗布したアクティブマトリクス基板を焼成室108へ搬送し、ポリビニルカルバゾールの前駆体を焼成する。 [0110] Next, conveying the active matrix substrate coated with the precursor to the baking chamber 108, firing a precursor of polyvinyl carbazole. こうして前駆体が重合してポリマー化し、ポリビニルカルバゾール膜からなる発光層が形成される。 Thus precursor polymerized by polymerization, the light emitting layer comprising a polyvinyl carbazole film is formed. 焼成処理が終了したら再度アクティブマトリクス基板を反転させてストック室105へ戻す。 Baking process is reversed again active matrix substrate when finished to return to the stock chamber 105.

【0111】次に、アクティブマトリクス基板を気相成膜室111に搬送し、膜厚20nmの銅フタロシアニン膜を蒸着し、さらに膜厚200nm透明導電膜(具体的には酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物膜)を蒸着する。 Next, transported to the deposition chamber 111-phase care active matrix substrate, the thickness of 20nm copper phthalocyanine film is deposited, further thickness 200nm transparent conductive film (specifically, the indium oxide and zinc compound film) is deposited. この透明導電膜がEL素子の陽極として機能する。 The transparent conductive film functions as an anode of the EL element.
なお、本実施例で用いる透明導電膜は酸化インジウムと酸化スズとの化合物膜であっても良い。 The transparent conductive film used in this embodiment may be a compound film of indium oxide and tin oxide.

【0112】次に、アクティブマトリクス基板を不活性ガス(窒素ガスまたは希ガス)で充填された封止室11 [0112] Next, the sealing chamber 11 where the active matrix substrate is filled with an inert gas (nitrogen gas or a rare gas)
2へ搬送する。 It conveyed to 2. ここではアクティブマトリクス基板上にシール材を形成し、EL素子が形成された面を覆うようにカバー材を貼り合わせる。 Here the sealing material is formed on the active matrix substrate is combined to bond the cover material to cover a surface EL element is formed. そのため、EL素子が不活性ガスの充填された密閉空間に封入され、完全に外気と遮断される。 Therefore, EL element is sealed filled sealed space of the inert gas is completely isolated from the atmosphere. なお、密閉空間に吸湿性物質(好ましくは酸化バリウム)を設けることは有効である。 Incidentally, the hygroscopic material in the closed space (preferably barium oxide) is effective to provide a. また、不活性ガスの代わりに樹脂を充填することも可能である。 It is also possible to fill the resin in place of the inert gas. その場合も、樹脂中に吸湿性物質を設けることは有効である。 In that case also, the provision of the hygroscopic substance in the resin is effective.

【0113】こうしてアクティブマトリクス基板及びカバー材をシール材により張り合わせたら、紫外光照射機構113を用いてシール材に紫外光を照射し硬化させる。 [0113] After thus bonding the active matrix substrate and the cover member with a sealing material, it is irradiated to cure the ultraviolet light to the sealing material using an ultraviolet light irradiation mechanism 113. 以上のようにしてEL素子の封入処理が終了したら、受渡室114へ封入後のアクティブマトリクス基板を搬送する。 When finished encapsulation process of the EL element as described above, to convey the active matrix substrate after encapsulation into delivery chamber 114.

【0114】以上のように、本発明の成膜装置を用いることで極力酸素を排除した環境でEL素子が形成され、 [0114] As described above, EL elements are formed a film formation apparatus of the present invention in an environment as much as possible exclusion of oxygen by using,
完全に外気と遮断された状態となるまでのプロセスを一貫して行うことが可能である。 Completely it is possible to perform the process until a state of being isolated from the atmosphere consistently.

【0115】〔実施例9〕本実施例では、本発明を用いて作製したアクティブマトリクス型EL表示装置について図8(A)、(B)を用いて説明する。 [0115] In Example 9 In the present Example, an active matrix type EL display device manufactured using the present invention FIG. 8 (A), described with reference to (B). 図8(A) Figure 8 (A)
は、EL素子の形成されたアクティブマトリクス基板において、EL素子の封入まで行った状態を示す上面図である。 Includes, in the active matrix substrate formed of EL elements, is a top view showing a state in which went to encapsulation of the EL element. 点線で示された801はソース側駆動回路、80 801 indicated by a dotted line denotes a source side driver circuit, 80
2はゲート側駆動回路、803は画素部である。 2 denotes a gate side driver circuit, 803 denotes a pixel portion. また、 Also,
804はカバー材、805は第1シール材、806は第2シール材であり、第1シール材805で囲まれた内側のカバー材とアクティブマトリクス基板との間には充填材807(図8(B)参照)が設けられる。 804 the cover material, the first sealing material 805, 806 is a second seal member, between the inner cover member and the active matrix substrate surrounded by the first sealing material 805 filling material 807 (Fig. 8 ( B) reference) is provided.

【0116】なお、808はソース側駆動回路801、 [0116] Incidentally, 808 source side driver circuit 801,
ゲート側駆動回路802及び画素部803に入力される信号を伝達するための接続配線であり、外部機器との接続端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)809からビデオ信号やクロック信号を受け取る。 A connection wiring for transmitting signals input to the gate side driver circuit 802 and the pixel portion 803, an external input terminal FPC (flexible printed circuit) 809 serving as a connection terminal with external devices.

【0117】ここで、図8(A)をA−A'で切断した断面に相当する断面図を図8(B)に示す。 [0117] Here, shown in FIG. 8 (B) a sectional view corresponding Fig. 8 (A) is a cross section taken along the A-A '. なお、図8 It should be noted that, as shown in FIG. 8
(A)、(B)では同一の部位に同一の符号を用いている。 (A), it is designated by the same reference numerals to the same parts in (B).

【0118】図8(B)に示すように、基板800上には画素部803、ソース側駆動回路801が形成されており、画素部803はEL素子に流れる電流を制御するためのTFT(以下、電流制御用TFTという)851 [0118] As shown in FIG. 8 (B), the pixel portion 803 on the substrate 800 are formed the source side driver circuit 801, TFT for a pixel portion 803 for controlling a current flowing through the EL element (hereinafter , that the current controlling TFT) 851
とそのドレインに電気的に接続された画素電極852を含む複数の画素により形成される。 It is formed of a plurality of pixels including a pixel electrode 852 which is electrically connected to its drain. 本実施例では電流制御用TFT851をpチャネル型TFTとする。 In this embodiment the current control TFT851 and p-channel type TFT. また、 Also,
ソース側駆動回路801はnチャネル型TFT853とpチャネル型TFT854とを相補的に組み合わせたC C source side driver circuit 801 which is a combination of an n-channel type TFT853 and p-channel type TFT854 complementary
MOS回路を用いて形成される。 It is formed using a MOS circuit.

【0119】各画素は画素電極の下にカラーフィルタ(R)855、カラーフィルタ(G)856及びカラーフィルタ(B)(図示せず)を有している。 [0119] and a color filter (R) 855 under each pixel is a pixel electrode, a color filter (G) 856 and a color filter (B) (not shown). ここでカラーフィルタ(R)とは赤色光を抽出するカラーフィルタであり、カラーフィルタ(G)は緑色光を抽出するカラーフィルタ、カラーフィルタ(B)は青色光を抽出するカラーフィルタである。 Here, the color filter (R) is a color filter for extracting red light, the color filter (G) is a color filter for extracting green light, a color filter (B) is a color filter for extracting blue light. なお、カラーフィルタ(R)8 It should be noted that the color filter (R) 8
55は赤色発光の画素に、カラーフィルタ(G)856 55 to the pixel of red light emission, the color filter (G) 856
は緑色発光の画素に、カラーフィルタ(B)は青色発光の画素に設けられる。 The pixel of green light emission, a color filter (B) is provided in a pixel of blue light emission.

【0120】これらのカラーフィルタを設けた場合の効果としては、まず発光色の色純度が向上する点が挙げられる。 [0120] The effect of the case of providing these color filters, and the like that is first increased color purity of the emission color. 例えば赤色発光の画素からはEL素子から赤色光が放射される(本実施例では画素電極側に向かって放射される)が、この赤色光を、赤色光を抽出するカラーフィルタに通すことにより赤色の純度を向上させることができる。 Red for example, red light is emitted from the EL element from the red light emitting pixel (in this embodiment is radiated toward the pixel electrode side), the red light, by passing through a color filter for extracting red light it is possible to improve the purity of the. このことは、他の緑色光、青色光の場合においても同様である。 This is another green light is the same in the case of the blue light.

【0121】また、従来のカラーフィルタを用いない構造ではEL表示装置の外部から侵入した可視光がEL素子の発光層を励起させてしまい、所望の発色が得られない問題が起こりうる。 [0121] In the structure without using a conventional color filter visible light entering from the outside of the EL display device will excite the light emitting layer of the EL element may occur a problem that a desired color can not be obtained. しかしながら、本実施例のようにカラーフィルタを設けることでEL素子には特定の波長の光しか入らないようになる。 However, the only insert light of a specific wavelength in the EL element by providing the color filters as in this embodiment. 即ち、外部からの光によりEL素子が励起されてしまうような不具合を防ぐことが可能である。 That is, it is possible to prevent inconvenience such as EL elements from being excited by the light from the outside.

【0122】なお、カラーフィルタを設ける構造は従来提案されているが、EL素子は白色発光のものを用いていた。 [0122] The structure of providing a color filter is conventionally proposed, but, EL element was used as the white light. この場合、赤色光を抽出するには他の波長の光をカットしていたため、輝度の低下を招いていた。 In this case, since to extract the red light was cut other wavelengths of light, resulting in decrease in brightness. しかしながら、本実施例では、例えばEL素子から発した赤色光を、赤色光を抽出するカラーフィルタに通すため、輝度の低下を招くようなことがない。 However, in this embodiment, for example, red light emitted from the EL element, for passing a color filter for extracting red light, there is no such thing as lowering the brightness.

【0123】次に、画素電極852は透明導電膜で形成され、EL素子の陽極として機能する。 [0123] Next, the pixel electrode 852 is formed of a transparent conductive film, which functions as an anode of the EL element. また、画素電極852の両端には絶縁膜857が形成され、さらに赤色に発光する発光層858、緑色に発光する発光層859 Further, both ends of the pixel electrode 852 is an insulating film 857 is formed, the light-emitting layer 858 further emits red light emitting layer emitting green light 859
が形成される。 There is formed. なお、図示しないが隣接する画素には青色に発光する発光層を設けられ、赤、緑及び青に対応した画素によりカラー表示が行われる。 Although not shown in the pixel adjacent provided a light-emitting layer that emits blue light, the red, the color display is performed by the pixel corresponding to green and blue. 勿論、青色の発光層が設けられた画素は青色を抽出するカラーフィルタが設けられている。 Of course, the pixels blue light emitting layer is provided a color filter is provided for extracting blue.

【0124】なお、発光層858、859の成膜方法は図1に示した成膜装置を用いて行われる。 [0124] The deposition method of the light-emitting layer 858,859 is carried out using the film deposition apparatus shown in FIG. また、実際に発光層を成膜する液相成膜室は実施例1〜4のいずれの構成を有する液相成膜室であっても良い。 Further, actually the liquid phase deposition chamber for forming the light emitting layer may be a liquid phase film formation chamber having any structure described in Embodiments 1-4. また、材料として有機材料だけでなく無機材料を用いることができる。 Further, it is possible to use an inorganic material not only an organic material as a material. また、発光層だけでなく電子注入層、電子輸送層、 The electron injection layer as well light-emitting layer, electron transporting layer,
正孔輸送層または正孔注入層を組み合わせた積層構造としても良い。 It may have a stacked structure in which a combination of a hole transport layer or a hole injection layer.

【0125】また、各発光層の上にはEL素子の陰極8 [0125] The cathode 8 of the EL element on each light-emitting layer
60が遮光性を有する導電膜でもって形成される。 60 is formed with a conductive film having a light shielding property. この陰極860は全ての画素に共通であり、接続配線808 This cathode 860 is common to all the pixels, the connection wiring 808
を経由してFPC809に電気的に接続されている。 It is electrically connected to FPC809 via the.

【0126】次に、第1シール材805をディスペンサー等で形成し、スペーサ(図示せず)を撒布してカバー材804を貼り合わせる。 [0126] Next, the first sealing member 805 is formed by a dispenser or the like, attaching the cover material 804 and sprayed spacers (not shown). そして、アクティブマトリクス基板、カバー材804及び第1シール材805で囲まれた領域内に充填材807を真空注入法により充填する。 Then, filling the filler 807 by a vacuum injection method on an active matrix substrate, the cover member 804 and the area surrounded by the first sealing material 805.

【0127】また、本実施例では充填材807に予め吸湿性物質861として酸化バリウムを添加しておく。 [0127] Further, before addition to the barium oxide as previously hygroscopic substance 861 to the filler 807 in the present embodiment. なお、本実施例では吸湿性物質を充填材に添加して用いるが、塊状に分散させて充填材中に封入することもできる。 While this embodiment used by adding a hygroscopic material in the filler can also be encapsulated in the filler is dispersed in bulk. また、図示されていないがスペーサの材料として吸湿性物質を用いることも可能である。 Further, although not shown it is also possible to use a hygroscopic material as a material of the spacer.

【0128】次に、充填材807を紫外線照射または加熱により硬化させた後、第1シール材805に形成された開口部(図示せず)を塞ぐ。 [0128] Next, blocked after the filler 807 is hardened by ultraviolet irradiation or heating, an opening portion formed in the first sealing member 805 (not shown). 第1シール材805の開口部を塞いだら、導電性材料862を用いて接続配線8 Once closing the opening of the first seal member 805, connecting wires using a conductive material 862 8
08及びFPC809を電気的に接続させる。 08 and FPC809 are electrically connected. さらに、 further,
第1シール材805の露呈部及びFPC809の一部を覆うように第2シール材806を設ける。 So as to cover a portion of the exposed portion and the FPC809 of the first sealing member 805 providing a second sealing member 806. 第2シール材806は第1シール材807と同様の材料を用いれば良い。 The second sealing member 806 may be used the same material as the first sealing member 807.

【0129】以上のような方式を用いてEL素子を充填材807に封入することにより、EL素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機材料の酸化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。 [0129] By encapsulating the filler 807 EL element using the method described above, it is possible to completely shut off the EL element from the outside, prompting the oxidation of organic materials such as moisture or oxygen from the outside material There can be prevented from entering. 従って、信頼性の高いEL表示装置を作製することができる。 Therefore, it is possible to manufacture a highly reliable EL display device.

【0130】また、本発明を用いることで既存の液晶表示装置用の製造ラインを転用させることができるため、 [0130] Further, since it is possible to divert the existing manufacturing line for liquid crystal display device by using the present invention,
整備投資の費用が大幅に削減可能であり、歩留まりの高いプロセスで1枚の基板から複数の発光装置を生産することができるため、大幅に製造コストを低減しうる。 Maintenance costs of investment are significantly be reduced, since it is possible to produce a plurality of light emitting device from one substrate with a high yield process, may reduce significantly the manufacturing cost.

【0131】なお、本実施例のEL表示装置は実施例1 [0131] Incidentally, EL display devices of this embodiment Example 1
〜7のいずれの構成を組み合わせた成膜装置を用いても作製することができる。 It can also be produced by using a film forming apparatus that combines the constitution of any of to 7.

【0132】〔実施例10〕本実施例では、実施例9に示したEL表示装置において、EL素子から発する光の放射方向とカラーフィルタの配置を異ならせた場合の例について示す。 [0132] In Example 10 This example, in the EL display device shown in Embodiment 9, shows an example where having different arrangement of the radial and the color filter of the light emitted from the EL element. 説明には図9を用いるが、基本的な構造は図8(B)と同様であるので変更部分に新しい符号を付して説明する。 The description is made with reference to FIG 9, the basic structure will be denoted the new code to the changed portions are the same as in FIG. 8 (B).

【0133】本実施例では画素部901には電流制御用TFT902としてnチャネル型TFTが用いられている。 [0133] In the pixel portion 901 in this embodiment an n-channel type TFT is used as the current control TFT 902. また、電流制御用TFT902のドレインには画素電極903が電気的に接続され、この画素電極903は遮光性を有する導電膜で形成されている。 The pixel electrode 903 is electrically connected to the drain of the current controlling TFT 902, the pixel electrode 903 is formed of a light-blocking conductive film. 本実施例では画素電極903がEL素子の陰極となる。 Pixel electrode 903 becomes a cathode of the EL element in this embodiment.

【0134】また、本発明を用いて形成された赤色に発光する発光層858、緑色に発光する発光層859の上には各画素に共通な透明導電膜904が形成される。 [0134] The light emitting layer 858 that emits red light, which is formed by using the present invention, a common transparent conductive film 904 to each pixel on the light-emitting layer 859 that emits green light is formed. この透明導電膜904はEL素子の陽極となる。 The transparent conductive film 904 becomes an anode of the EL element.

【0135】さらに、本実施例ではカラーフィルタ(R)905、カラーフィルタ(G)906及びカラーフィルタ(B)(図示せず)がカバー材804に形成されている点に特徴がある。 [0135] Further, in the present embodiment is characterized in that the color filter (R) 905, a color filter (G) 906 and a color filter (B) (not shown) is formed in the cover member 804. 本実施例のEL素子の構造とした場合、発光層から発した光の放射方向がカバー材側に向かうため、図9の構造とすればその光の経路にカラーフィルタを設置することができる。 If the structure of the EL element of the present embodiment, since the radiation direction of light emitted from the light emitting layer is directed toward the cover material side, it is possible to install a color filter in the path of the light when the structure of FIG.

【0136】本実施例のようにカラーフィルタ(R)9 [0136] The color filter as in the present embodiment (R) 9
05、カラーフィルタ(G)906及びカラーフィルタ(B)(図示せず)をカバー材804に設けると、アクティブマトリクス基板の工程を少なくすることができ、 05, providing the color filter (G) 906 and a color filter (B) (not shown) on the cover member 804, it is possible to reduce the active matrix substrate process,
歩留まり及びスループットの向上を図ることができるという利点がある。 There is an advantage that it is possible to improve the yield and throughput.

【0137】なお、本実施例のEL表示装置は実施例1 [0137] Incidentally, EL display devices of this embodiment Example 1
〜8のいずれの構成を組み合わせた成膜装置を用いても作製することができる。 It can also be produced by using a film forming apparatus that combines the constitution of any of 8.

【0138】 [0138]

【発明の効果】本発明の成膜装置を用いることで、EL [Effect of the Invention] By using the film formation apparatus of the present invention, EL
材料からなる発光層の劣化を最小限に抑制することができ、EL素子の信頼性を高めることができる。 The deterioration of the light-emitting layer made of a material can be minimized, it is possible to improve the reliability of the EL element. 従って、 Therefore,
EL素子を用いた発光装置の信頼性を大幅に向上させることが可能となる。 The reliability of the light emitting device using an EL element can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 成膜装置の構造を示す図。 FIG. 1 shows the structure of a film formation apparatus.

【図2】 液相成膜室の構造を示す図。 [Figure 2] solution-phase diagram showing the structure of the membrane chamber.

【図3】 液相成膜室の構造を示す図。 [Figure 3] solution-phase diagram showing the structure of the membrane chamber.

【図4】 液相成膜室の構造を示す図。 [4] solution-phase diagram showing the structure of the membrane chamber.

【図5】 液相成膜室に備えられたヘッド部の構成を示す図。 [5] liquid-phase diagram showing the structure of a head portion provided in the deposition chamber.

【図6】 液相成膜室に備えられたヘッド部の構成を示す図。 [6] solution-phase diagram showing the structure of a head portion provided in the deposition chamber.

【図7】 液相成膜室に備えられたヘッド部の構成を示す図。 [7] liquid-phase diagram showing the structure of a head portion provided in the deposition chamber.

【図8】 EL表示装置の断面構造を示す図。 8 shows a cross sectional structure of the EL display device.

【図9】 EL表示装置の断面構造を示す図。 9 is a diagram showing a sectional structure of the EL display device.

Claims (10)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】基板の搬入または搬出を行うストック室、 1. A stock chamber for loading or unloading of the substrate,
    前記基板を搬送する機構を含む搬送室及び前記搬送室にゲートを介して連結された液相成膜室を有し、前記液相成膜室には周期表の1族または2族に属する元素を酸化させる機構が備えられていることを特徴とする成膜装置。 Transfer chamber and having a liquid phase film deposition chamber connected via the gate into the conveying chamber, belonging to Group 1 or 2 of the periodic table in the liquid phase film chamber element including a mechanism for transporting the substrate deposition apparatus characterized by being equipped with a mechanism to oxidize.
  2. 【請求項2】基板の搬入または搬出を行うストック室、 2. A stock chamber for loading or unloading of the substrate,
    前記基板を搬送する機構を含む搬送室及び前記搬送室にゲートを介して連結された液相成膜室を有し、前記液相成膜室には周期表の1族または2族に属する元素を酸化させる機構が配管を介して備えられていることを特徴とする成膜装置。 Transfer chamber and having a liquid phase film deposition chamber connected via the gate into the conveying chamber, belonging to Group 1 or 2 of the periodic table in the liquid phase film chamber element including a mechanism for transporting the substrate mechanism of oxidizing the film forming apparatus characterized by is provided through a pipe.
  3. 【請求項3】基板の搬入または搬出を行うストック室、 3. A stock chamber for loading or unloading of the substrate,
    前記ストック室にゲートを介して連結された二つの搬送室、前記二つの搬送室の一方にゲートを介して連結された気相成膜室及び前記二つの搬送室の他方にゲートを介して連結された液相成膜室を有し、前記液相成膜室には周期表の1族または2族に属する元素を酸化させる機構が備えられていることを特徴とする成膜装置。 The stock chamber two conveying chamber is connected through a gate, connected through a gate to the other of the one feel linked via the gate of the two transfer chambers phase film deposition chamber and the two transfer chamber has been liquid phase has a membrane chamber, the liquid-phase deposition apparatus characterized by being provided with a mechanism for oxidizing an element belonging to group 1 or group 2 of the periodic table in the membrane chamber.
  4. 【請求項4】基板の搬入または搬出を行うストック室、 4. A stock chamber for loading or unloading of the substrate,
    前記ストック室にゲートを介して連結された二つの搬送室、前記二つの搬送室の一方にゲートを介して連結された気相成膜室及び前記二つの搬送室の他方にゲートを介して連結された液相成膜室を有し、前記液相成膜室には周期表の1族または2族に属する元素を酸化させる機構が配管を介して備えられていることを特徴とする成膜装置。 The stock chamber two conveying chamber is connected through a gate, connected through a gate to the other of the one feel linked via the gate of the two transfer chambers phase film deposition chamber and the two transfer chamber has been liquid phase film deposition chamber, the deposition, characterized in that the liquid-phase mechanism for oxidizing an element belonging to group 1 or group 2 of the periodic table in the membrane chamber is provided via a pipe apparatus.
  5. 【請求項5】請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記搬送室は減圧に保持され、前記液相成膜室は不活性ガスを充填した大気圧または与圧に保持されることを特徴とする成膜装置。 5. A any one of claims 1 to 4, wherein the transport chamber is held at a reduced pressure, the liquid phase film chambers to be maintained at atmospheric pressure or pressurized and filled with an inert gas film-forming apparatus according to claim.
  6. 【請求項6】請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記液相成膜室が連結された搬送室にはゲートを介して焼成室が連結され、該焼成室は前記基板の面の上下を反転させる機構を備えていることを特徴とする成膜装置。 6. A any one of claims 1 to 4, the transport chamber in which the liquid phase film chambers are connected is connected firing chamber through a gate, 該焼 Narushitsu the surface of the substrate deposition apparatus characterized by comprising a mechanism for inverting the top and bottom.
  7. 【請求項7】画素電極の形成された基板を液相成膜室へ搬送し、前記液相成膜室を密閉して周期表の1族または2族に属する元素を酸化させた後、前記基板に有機EL 7. conveying the substrate having the pixel electrodes to the liquid phase film deposition chamber, after oxidizing the Group 1 or elements belonging to Group 2 of the periodic table to seal the liquid phase film chamber, the substrate in an organic EL
    材料を含む膜を形成するプロセスを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 The method for manufacturing a light emitting device which comprises a process of forming a film containing a material.
  8. 【請求項8】画素電極の形成された基板を液相成膜室へ搬送し、前記液相成膜室を密閉して周期表の1族または2族に属する元素を酸化させた後、前記基板に有機EL 8. conveying the substrate having the pixel electrodes to the liquid phase film deposition chamber, after oxidizing the Group 1 or elements belonging to Group 2 of the periodic table to seal the liquid phase film chamber, the substrate in an organic EL
    材料を含む膜を形成し、前記有機EL材料を含む膜を形成した基板を気相成膜室へ搬送して導電膜を形成するプロセスを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 The method for manufacturing a light emitting device film is formed containing material, characterized in that it comprises a process of forming the organic conductive film by transporting the substrate with the film containing an EL material to vapor deposition chamber.
  9. 【請求項9】請求項7または請求項8において、前記有機EL材料を含む膜を形成する際に、スピンコート法、 9. The method of claim 7 or claim 8, in forming a film containing the organic EL material, a spin coating method,
    印刷法、インクジェット法またはディスペンス法を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。 The method for manufacturing a light emitting device, which comprises using a printing method, an inkjet method or a dispensing method.
  10. 【請求項10】請求項7または請求項8において、前記有機EL材料を含む膜は酸素濃度が1ppb以下の雰囲気で行われることを特徴とする発光装置の作製方法。 10. The method of claim 7 or claim 8, a method for manufacturing a light emitting device film containing the organic EL material, characterized in that the oxygen concentration is performed in the following atmosphere 1 ppb.
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