JP3966565B2 - フタロシアニン化合物、その製造方法及び中間体 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なフタロシアニン化合物に関する。特に、透明基板上に、少なくとも色素を含有する記録層および反射層を有する光記録媒体で、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長のレーザー光で再生または記録再生が可能な光記録媒体の記録層材料に適したフタロシアニン化合物に関するものであり、更に、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長のレーザー光で再生または記録再生が出来る記録可能コンパクトディスク（以下ＣＤ-Ｒと称する）の記録層材料となるフタロシアニン化合物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
色素を記録層とし、且つ、反射率を大きくするため、記録層の上に金属の反射層を設け、更にこの上に保護層を設けた単板型の記録可能な光記録媒体は、例えば、Optical Data Storage 1989,Technical Digest Series Vol.1 45(1989)に開示されている。又、このような媒体の記録層に、シアニン色素や本発明に用いられるフタロシアニン色素を用いた媒体は、記録可能コンパクトディスク媒体（以下ＣＤ-Ｒ媒体と称する）として市場に供されている。かかる光記録媒体は、基本的に、基板上に、記録層、反射層、保護層をこの順に形成したものである。この光記録媒体の記録層に半導体レーザー等のレーザー光を高パワーで照射すると、記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの形で情報を記録する。形成されたピットに低パワーのレーザー光を照射し、反射光を検出することによりピットの情報を再生することが出来る。
【０００３】
ＣＤ-Ｒ媒体はオレンジブック規格に準拠しており、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長（λ1）の光に対して６５％以上の反射率を有し、且つ、このλ1の光を吸収する。それ故、７８０ｎｍの半導体レーザーで記録することが出来、且つ、７８０ｎｍの半導体レーザーを搭載している市販のＣＤプレーヤーやＣＤ-ＲＯＭプレーヤーで再生できるという特徴を有する。
【０００４】
一方、現在の光記録媒体は６５０ＭＢの容量しか持たず、デジタル動画のような大容量の情報を記録するには記録時間が１５分以下と短い。また、機器の小型化が進む中で、従来の記録密度では媒体を小型化にすると容量が不足する。
【０００５】
最近、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の半導体レーザーが開発され、高密度の記録及び又は再生が可能となりつつある。この半導体レーザーを用いて、従来の媒体の５〜８倍の記録容量を有する高密度記録媒体や、この高密度記録媒体を再生することができる高密度記録媒体対応のプレーヤーの開発が検討されている。特に、映画をデジタルで２時間以上収録できるシステムはＤＶＤ（degital video disk）として、その再生専用の媒体及び再生プレーヤーの上市が目前に迫っている。
【０００６】
この高密度記録媒体の１つとして、従来のＣＤやＣＤ-ＲＯＭ媒体と同じように、基板形成時にピットを形成し、アルミ反射層を設けた再生専用媒体が挙げられる。この再生専用高密度記録媒体は７０％以上の反射率を有する。それ故、この高密度記録媒体を再生できる高密度対応プレーヤーは、７０％以上の高反射率を有する前記再生専用媒体が再生できるように設計されている。そして、例えば、従来のＣＤ、ＣＤ-ＲＯＭやＣＤ-Ｒ等の媒体も、該高密度対応プレーヤーで再生できることが望まれている。
【０００７】
従来のＣＤやＣＤ-ＲＯＭ媒体は再生専用であり、その製法は前記再生専用高密度記録媒体と同じであって、７０％以上の高い反射率を有するので高密度対応プレーヤーでも容易に再生が可能である。
【０００８】
一方、現在市場に供されているＣＤ-Ｒ媒体は確かに７８０ｎｍ前後の光に対する反射率は６５％以上有し、市販のＣＤやＣＤ-ＲＯＭプレーヤーで再生できるが、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の光で再生しようとした場合、反射率が１０％以下と非常に小さいことが問題となる。また、変調度も小さく、且つ、記録部の反射率が未記録部より大きくなる、いわゆる、ｌｏｗ ｔｏｈｉｇｈ記録となり、通常のＣＤ等（ｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗ記録）とは極性が逆になり好ましくない。更に、記録波形に大きな歪みが観察される。このような数々の欠点のために従来のＣＤ-Ｒ媒体は６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）のレーザーを搭載した高密度対応プレーヤーで再生することは困難であった。
【０００９】
例えば、米国特許第５０９０００９号明細書には、色素を含む記録層、反射層、保護層を基板上に順次積層したＣＤ-Ｒ媒体、及びこの媒体の基板と記録層の間や、記録層と反射層の間に、干渉層を設けた媒体が開示されている。そして、ＣＤの規格（レッドブック）を満足するためや、記録を可能とするための記録層の光学定数や膜厚が開示されている。確かにここで開示されている媒体は、ＣＤに用いられている７８０ｎｍの光の一部を吸収すると共に反射率が７０％以上得られ、この波長の光で記録及び再生ができる。しかしながら、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の光での記録及び／又は再生を目的としてはおらず、該波長の光に対する反射率や記録層の光学定数、更に干渉層の光路長に関しては何も開示されていない。該特許には記録層にインドジカルボシアニン色素を用い、干渉層を有しない媒体、及び無機化合物やポリマーからなる干渉層を有した媒体の実施例が多数開示されている。しかしながら、この記録層にインドジカルボシアニン色素を用いた媒体は、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長の光に対する反射率が１０％以下であり、且つ、記録部の反射率が未記録部より大きくなるｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈ記録となり好ましくない。反射率が小さくなる理由は、ＣＤ-Ｒ媒体に用いられる色素は光学特性の波長依存性が大きく、前記したインドジカルボシアニン色素は記録膜で測定すると６００〜７５０ｎｍに非常に大きな吸収を有すると共に、ＣＤ-Ｒ媒体は７８０ｎｍ前後の光に対して反射率が大きくなるように記録層の膜厚や光学定数（屈折率、消衰係数）が設計されているために、６２０〜６９０ｎｍでの反射率が小さくなる。また、該特許の実施例８や１４には本発明の記録層に用いられるフタロシアニン色素とは異なるｔ-ブチル置換フタロシアニン色素を記録層とし、ポリマーや無機化合物からなる干渉層を有する媒体が開示されている。しかしながら、これらの媒体は、反射率や変調度はＣＤの規格を満足するが、ＣＤと同じパルス幅変調（pulse width modulation）により記録された信号を６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の光で再生した場合、再生波形には大きな歪みが観察され、エラーレートやジッターが大きく、高密度対応プレーヤーでは再生できない。
【００１０】
ＥＰ-１９３２９には、ＶＯ−フタロシアニン色素を記録層とし、該記録層の上にセルロースからなる３００ｎｍ干渉層を設けた媒体が開示されている。しかしながら、該特許も特定の１つの波長に対する反射率と記録感度を改良することを目的としたものであり、本発明の様に７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長（λ1）の光と６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の２つの光で記録及び再生が出来るように最適化されていない。更に、この媒体もＣＤと同じpulse width modulationにより記録された信号を６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の光で再生した場合、再生波形には大きな歪みが観察され、エラーレートやジッターが大きく、高密度対応プレーヤーでは再生できない。
【００１１】
米国特許第５１２４０６７号明細書には、本発明の記録層に用いられる色素と同じような色素及び該色素を用いた媒体が多数開示されている。しかしながら、例えばその実施例９８、１００、１０２に開示された媒体は、ＣＤの規格は満足するものの、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の光で再生した場合、記録モードはｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈとなり、且つ、反射率は１０％以下と小さく、更に、ＣＤと同じpulse width modulationにより記録された信号の再生波形には歪みが観察され、エラーレートやジッターが大きく、高密度対応プレーヤーでは再生できない。
【００１２】
更に、特開平３-２８１２８７には、７８０ｎｍに吸収曲線の長波長側端部を有し、７８０ｎｍでの複素屈折率(complex refractive index)の虚数部(imaginary part)の絶対値が０.２以下を有する色素（Ａ）と、該色素の吸収極大波長よりも短波長側に極大吸収を有するトリメチンシアニン色素（Ｂ）の混合物を記録層とする媒体が開示されている。この媒体は耐久性に優れ、且つ、ＣＤ規格を満足する。しかしながら、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の光で再生が出来るように最適化されていない。実施例からも明らかなように、トリメチンシアニン色素の使用割合が５０ｗｔ％、ペンタメチンシアニン色素が５０ｗｔ％であり、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の光に対する吸収が大きすぎて、反射率が１５％未満となって、高密度対応プレーヤーによる再生は難しい。
【００１３】
特開平６-３３６０８６には、特定の構造のトリメチンシアニン色素とペンタメチンシアニン色素の混合物を記録層とする媒体が開示されている。この媒体は、７８０ｎｍ及び４８８ｎｍの光で記録及び再生を目的とし、トリメチンシアニン色素とペンタメチンシアニン色素の割合が１：１０である。このように、ペンタメチンシアニン色素の使用割合が多いと６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の光に対する吸収が大きすぎて、反射率が１５％未満となって、高密度対応プレーヤーによる再生は難しい。
【００１４】
特開平６-４０１６２には、記録層にトリメチンシアニン色素を用いた媒体が開示されている。この媒体は、６３０ｎｍの光での記録及び再生を目的としており、記録層が７８０ｎｍの光に対する吸収を有しないために７８０ｎｍの光では記録が出来ない。
【００１５】
特開平３-２９０８３５には、記録層とアルミ合金からなる反射層との間に低分子有機物からなる干渉層を設けた媒体が開示されている。該媒体は、７８０ｎｍに於ける反射率を７０％以上にするため、反射層に高価な金の代わりにアルミ合金を用いて干渉層を設けたものであり、確かに７８０ｎｍに於ける反射率は７０％以上得られるものの、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）の光に対する反射率は小さく、高密度媒体対応プレーヤーでは再生できない。
【００１６】
前記したように、少なくとも色素を含有する記録層、反射層を有する光記録媒体で、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長（λ1）レーザー光に対する反射率が６５％以上得られ、高感度であり、記録特性に優れ、市販のＣＤプレーヤーやＣＤ-ＲＯＭプレーヤーで再生することが出来、且つ、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長（λ2）のレーザーを搭載した高密度記録媒体対応のプレーヤーで再生出来る媒体はない。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長のレーザー光で再生または記録再生が可能であり、更に、現行のＣＤ-Ｒ媒体の規格であるオレンジブック（７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長の光に対する反射率が６５％以上で、該光で記録再生が可能）を満足する光記録媒体の記録層材料に適した新規なフタロシアニン化合物を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題の解決を目的として鋭意検討し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、
(1) 一般式（Ｉ）で表されるフタロシアニン化合物、
【００１９】
【化１２】

（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基を示し、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又はアルキルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属又は３価或いは４価の金属誘導体を示す。但しＲ₁とＲ₂の組み合わせ、Ｒ₃とＲ₄の組み合わせ、Ｒ₅とＲ₆の組み合わせ及びＲ₇とＲ₈の組み合わせにおいて、両者が同時にアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合を除く。また、Ｒ ₁ とＲ ₂ の組み合わせ、Ｒ ₃ とＲ ₄ の組み合わせ、Ｒ ₅ とＲ ₆ の組み合わせ及びＲ ₇ とＲ ₈ の組み合わせにおいて、両者が同時にアルコキシアルキル基又はアルコキシアルコキシアルキル基である場合、また、一方がアルコキシアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合、Ｘはハロゲン以外の基を示す。）
【００２０】
【化１３】

【００２１】
(2) Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈が炭素数１〜１５のアルキル基、総炭素数２〜１５のアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基であり、Ｘが水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１０のアルキルチオ基（但し、Ｒ ₁ とＲ ₂ の組み合わせ、Ｒ ₃ とＲ ₄ の組み合わせ、Ｒ ₅ とＲ ₆ の組み合わせ及びＲ ₇ とＲ ₈ の組み合わせにおいて、両者が同時にアルコキシアルキル基である場合、Ｘはハロゲン以外の基を示す。）である (1)のフタロシアニン化合物。
【００２２】
【化１４】

【００２５】
(3) 一般式（IV）で表わされるフタロニトリル化合物、
【００２６】
【化１６】

（式中、Ｒ₉，Ｒ₁₀はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基を示し、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又はアルキルチオ基を示す。但し、Ｒ₉とＲ₁₀の両者が同時にアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合を除く。また、Ｒ ₉ とＲ ₁₀ が同時にアルコキシアルキル基又はアルコキシアルコキシアルキル基である場合、また、一方がアルコキシアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合、Ｘはハロゲン以外の基を示す。）
【００２７】
【化１７】

【００２８】
(4) 前記一般式（IV）で表わされるフタロニトリル化合物と金属又は金属誘導体を反応させることを特徴とする、前記一般式（Ｉ）のフタロシアニン化合物の製造方法、に関するものである。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明の一般式（Ｉ）で表わされるフタロシアニン化合物について下記に説明する。
【００３６】
【化２１】

（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基を示し、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又はアルキルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属又は３価或いは４価の金属誘導体を示す。但しＲ₁とＲ₂の組み合わせ、Ｒ₃とＲ₄の組み合わせ、Ｒ₅とＲ₆の組み合わせ及びＲ₇とＲ₈の組み合わせにおいて、両者が同時にアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合を除く。また、Ｒ ₁ とＲ ₂ の組み合わせ、Ｒ ₃ とＲ ₄ の組み合わせ、Ｒ ₅ とＲ ₆ の組み合わせ及びＲ ₇ とＲ ₈ の組み合わせにおいて、両者が同時にアルコキシアルキル基又はアルコキシアルコキシアルキル基である場合、また、一方がアルコキシアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合、Ｘはハロゲン以外の基を示す。）
【００３７】
【化２２】

【００３８】
一般式（Ｉ）で示されるフタロシアニン化合物において、Ｒ₁〜Ｒ₈がアルキル基である場合は炭素数１〜１５の直鎖または分岐アルキル基が好ましく、炭素数１〜８の直鎖または分岐アルキル基が特に好ましい。例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２−メチル−２−ヘキシル基、２，４−ジメチル−３−ペンチル基等が挙げられる。
【００３９】
Ｒ₁〜Ｒ₈がアルコキシアルキル基の場合は総炭素数２〜１５のアルコキシアルキル基が好ましく、特に総炭素数３〜６のアルコキシアルキル基が好ましい。例としてメトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｉｓｏ−プロポキシエチル基、１−メトキシ−２−プロピル基、２−エトキシ−２−プロピル基等が挙げられる。
【００４０】
Ｒ₁〜Ｒ₈がアルコキシアルコキシアルキル基の場合は総炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルキル基が好ましい。例として（２−メトキシエトキシ）メチル基、（２−エトキシエトキシ）メチル基、２−（２−メトキシエトキシ）エチル基、２−（１−メトキシエトキシ）エチル基、２−（２−エトキシエトキシ）エチル基、２−（２−プロポキシエトキシ）エチル基、３−（２−メトキシエトキシ）プロピル基、３−（２−エトキシエトキシ）プロピル基等が挙げられる。
【００４４】
なお、Ｒ₁とＲ₂の組み合わせ、Ｒ₃とＲ₄の組み合わせ、Ｒ₅とＲ₆の組み合わせ、Ｒ₇とＲ₈の組み合わせにおいて、両者がアルキル基である化合物、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルキル基である化合物、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルコキシ基である化合物は、本発明の化合物に比較して、光記録媒体の記録層を塗布法で形成する場合に使用される各種溶媒に対する溶解度が低くなる。これらの溶媒としてはアルコール系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒があるが、特にアルコール系溶媒に対する溶解度が低くなる。
【００４５】
Ｘは水素原子、ハロゲン原子、アルキルチオ基であるが、Ｘがハロゲン原子の例としては塩素、臭素、沸素が挙げられる。
【００４６】
Ｘがアルキルチオ基である場合は炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状アルキルチオ基が好ましく、炭素数１〜４の直鎖又は分岐アルキルチオ基が特に好ましい。例としてメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−オクチルチオ基等が挙げられる。
【００４７】
Ｍは金属、金属誘導体であるが、Ｍが２価の金属であるものとしては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｂ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく、Ｍが金属誘導体としては金属の塩化物、水酸化物、酸化物が好ましく、３価或いは４価の金属誘導体としては、ＡｌＣｌ、ＩｎＣｌ、ＦｅＣｌ、ＭｎＯＨ、ＳｉＣｌ₂、ＳｎＣｌ₂、ＧｅＣｌ₂、Ｓｉ（ＯＨ）₂、Ｓｎ（ＯＨ）₂、Ｇｅ（ＯＨ）₂、ＶＯ、ＴｉＯが挙げられる。ＭとしてはとりわけＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｌ、Ｚｎ、ＶＯ、Ｐｄ、ＭｎＯＨが好ましい。
【００４８】
本発明のフタロシアニン化合物の好ましい具体例を表−１に示す。但し表−１においてＲ₁＝（Ｒ₃，Ｒ₄のいずれか一方）＝（Ｒ₅，Ｒ₆のいずれか一方）＝（Ｒ₇，Ｒ₈のいずれか一方）であり、かつＲ₂＝（Ｒ₃，Ｒ₄のもう一方）＝（Ｒ₅，Ｒ₆のもう一方）＝（Ｒ₇，Ｒ₈のもう一方）である。化合物（２）、（７）、（１０）、（１７）、（２２）、（２４）、（２７）、（３１）、（３５）、（３８）、（４１）は参考例を示す。
【００４９】
【表１】

【００５０】
【表２】

【００５１】
【表３】

【００５２】
【表４】

【００５３】
【表５】

【００５４】
【表６】

【００５５】
本発明の一般式（Ｉ）で表わされるフタロシアニン化合物は、前記一般式(IV)のフタロニトリル化合物と金属または金属誘導体とを、好ましくは溶媒中で反応させることにより得られる。
【００５６】
金属又は金属誘導体としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ及びこれらのハロゲン化物、カルボン酸塩、硫酸塩、硝酸塩、カルボニル化合物、酸化物、錯体等が好ましい。特に上記金属のハロゲン化物またはカルボン酸塩が好ましい。これらの例としては塩化銅、臭化銅、沃化銅、塩化ニッケル、臭化ニッケル、酢酸ニッケル、塩化コバルト、臭化コバルト、酢酸コバルト、塩化鉄、塩化亜鉛、臭化亜鉛、沃化亜鉛、酢酸亜鉛、塩化バナジウム、オキシ三塩化バナジウム、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、塩化アルミニウム、塩化マンガン、酢酸マンガン、アセチルアセトンマンガン、塩化マンガン、塩化鉛、酢酸鉛、塩化インジウム、塩化チタン、塩化スズ等が挙げられる。
【００５７】
金属又は金属誘導体の使用量は、一般式（IV）のフタロニトリル化合物の０.２〜０.６倍モル、好ましくは０.２５〜０.４倍モルである。
【００５８】
反応温度は８０〜３００℃、好ましくは１００〜２５０℃である。反応温度が８０℃より低い場合、反応速度が極めて遅く、３００℃より高い場合、生成したフタロシアニン化合物の分解が促進される。
【００５９】
溶媒としては沸点１００℃以上、好ましくは１３０℃以上の有機溶媒が用いられる。例えば、ｎ−アミルアルコール、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、１−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、エトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキシエタノール、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール等のアルコール溶媒、トリクロロベンゼン、クロロナフタレン、スルフォラン、ニトロベンゼン、尿素等の高沸点溶媒がある。
【００６０】
溶媒の使用量は、一般式（IV）のフタロニトリル化合物に対して１〜１００重量倍、好ましくは５〜２０重量倍である。
【００６１】
反応において触媒としてモリブデン酸アンモニウム、或いはＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン等を添加しても良い。触媒の添加量は一般式（IV）のフタロニトリル化合物に対して、０．１〜１０倍モル、好ましくは０．５〜２倍モルである。
【００６２】
反応後、反応液より溶媒を留去するか、又は反応液をフタロシアニン化合物に対する貧溶媒に排出し、析出物をろ取することにより目的とするフタロシアニン化合物の粗製物が得られる。また必要に応じこの粗製物を再結晶或いはカラムクロマトグラフィーにより精製することにより高純度の目的物を得ることができる。
【００６３】
本発明のフタロシアニン化合物は記録媒体の記録層を塗布法により形成する場合に使用される前記溶媒に対する溶解度が高く、特に２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のアルコール系溶媒に対する溶解度が高い。
【００６４】
本発明の一般式（IV）で表わされるフタロニトリル化合物について以下に説明する。
【００６５】
【化２５】

（式中、Ｒ₉，Ｒ₁₀はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基を示し、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又はアルキルチオ基を示す。但し、Ｒ₉とＲ₁₀の両者が同時にアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合を除く。また、Ｒ ₉ とＲ ₁₀ が同時にアルコキシアルキル基又はアルコキシアルコキシアルキル基である場合、また、一方がアルコキシアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合、Ｘはハロゲン以外の基を示す。）
【００６６】
【化２６】

【００６７】
一般式（IV）で示されるフタロニトリル化合物において、Ｒ₉，Ｒ₁₀がアルキル基である場合は炭素数１〜１５の直鎖または分岐アルキル基が好ましく、炭素数１〜８の直鎖または分岐アルキル基が特に好ましい。例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２−メチル−２−ヘキシル基、２，４−ジメチル−３−ペンチル基等が挙げられる。
【００６８】
Ｒ₉，Ｒ₁₀がアルコキシアルキル基の場合は総炭素数２〜１５のアルコキシアルキル基が好ましく、特に総炭素数３〜６のアルコキシアルキル基が好ましい。例としてメトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｉｓｏ−プロポキシエチル基、１−メトキシ−２−プロピル基、２−エトキシ−２−プロピル基等が挙げられる。
【００６９】
Ｒ₉，Ｒ₁₀がアルコキシアルコキシアルキル基の場合は総炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルキル基が好ましい。例として（２−メトキシエトキシ）メチル基、（２−エトキシエトキシ）メチル基、２−（２−メトキシエトキシ）エチル基、２−（１−メトキシエトキシ）エチル基、２−（２−エトキシエトキシ）エチル基、２−（２−プロポキシエトキシ）エチル基、３−（２−メトキシエトキシ）プロピル基、３−（２−エトキシエトキシ）プロピル基等が挙げられる。
【００７３】
一般式（IV）で表わされる本発明のフタロニトリル化合物の好ましい例を以下に示す。
３，６−ビス（２−メトキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（２−メトキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジメチルチオ−３，６−ビス（２−メトキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ−３，６−ビス（２−メトキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｎ−オクチルチオ−３，６−ビス（２−メトキシエトキシ）フタロニトリル
３，６−ビス（３−メトキシプロポキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（３−メトキシプロポキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｓｅｃ−ブチルチオ−３，６−ビス（３−メトキシプロポキシ）フタロニトリル
４，５−ジシクロヘキシルチオ−３，６−ビス（３−メトキシプロポキシ）フタロニトリル
【００７４】
３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジメチルチオ−３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ−３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジオクチルチオ−３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３−（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）−６−（２−ｉｓｏ−プロポキシエトキシ）フタロニトリル
３−（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）−６−（２−ｉｓｏ−プロポキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（３−メトキシブトキシ）フタロニトリル
３，６−ビス（３−メトキシブトキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｎ−プロピルチオ−３，６−ビス（３−メトキシブトキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｉｓｏ−ヘキシルチオ−３，６−ビス（３−メトキシブトキシ）フタロニトリル
３−（３−メトキシブトキシ）−６−（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３−（３−メトキシブトキシ）−６−（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル
【００７５】
３，６−ビス（１−メトキシブタン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（１−メトキシブタン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジメチルチオ−３，６−ビス（１−メトキシブタン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ−３，６−ビス（１−メトキシブタン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（２−エトキシエトキシ）フタロニトリル
３，６−ビス（２−エトキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｎ−ヘキシルチオ−３，６−ビス（２−エトキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジシクロヘキシルチオ−３，６−ビス（２−エトキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（３−エトキシプロポキシ）フタロニトリル
３，６−ビス（３−エトキシプロポキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｓｅｃ−ブチルチオ−３，６−ビス（３−エトキシプロポキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｎ−ヘプチルチオ−３，６−ビス（３−エトキシプロポキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス［２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ］フタロニトリル
３，６−ビス［２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ］フタロニトリル
４，５−ジエチルチオ−３，６−ビス［２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ］フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３−（２−エトキシエトキシ）−６−［２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ］フタロニトリル
３−［２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ］−６−（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジメチルチオ−３−（２−ｉｓｏ−プロポキシエトキシ）−６−［２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ］フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（２−ｉｓｏ−プロポキシエトキシ）フタロニトリル
【００７６】
３，６−ビス（２−ｉｓｏ−プロポキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｉｓｏ−ヘキシルチオ−３，６−ビス（２−ｉｓｏ−プロポキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｓｅｃ−ブチルチオ−３，６−ビス（２−ｉｓｏ−プロポキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリル
３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリル
４，５−ジメチルチオ−３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）−６−（４−メチルペンタンー２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジメチルチオ−３−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）−６−（４−メチルペンタンー２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）−６−（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）−６−（２−ｉｓｏ−プロポキシエトキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（１，３−ジオキソラン−２−イルメトキシ）フタロニトリル
【００７７】
３，６−ビス（１，３−ジオキソラン−２−イルメトキシ）フタロニトリル
４，５−ジ−ｉｓｏ−ペンチルチオ−３，６−ビス（１，３−ジオキソラン−２−イルメトキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３−（１，３−ジオキソラン−２−イルメトキシ）−６−（２，４−ジメチルペンタン−３−イルオキシ）フタロニトリル
３，６−ビス［２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エトキシ］フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス［２−（１，３−ジオキソラン−２−イル）エトキシ］フタロニトリル
３，６−［２−（２−メチル−１，３−ジオキソラン−２−イル）エトキシ］フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス［２−（２−メチル−１，３−ジオキソラン−２−イル）エトキシ］フタロニトリル
３，６−ビス［２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エトキシ］フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス［２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エトキシ］フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（３−メチルオキセタン−３−イルメトキシ）フタロニトリル
３，６−ビス（３−メチルオキセタン−３−イルメトキシ）フタロニトリル
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（１，４−ベンゾジオキサン−２−イルメトキシ）フタロニトリル
３，６−ビス（１，４−ベンゾジオキサン−２−イルメトキシ）フタロニトリル
【００７８】
一般式（IV）で表わされるフタロニトリル化合物においてＸがアルキルチオ基である場合は、一般式（Ｖ）のフタロニトリル化合物と一般式（VI）で表わされるメルカプト化合物を塩基の存在下に反応させて製造することができる。
【００７９】
【化２９】

（式中、Ｒ₉，Ｒ₁₀はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基を示す。但し、Ｒ₉とＲ₁₀の両者が同時にアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合を除く。）
【００８０】
【化３０】

【００８１】
Ｒ₁₁−ＳＨ （VI）
（式中、Ｒ₁₁はアルキル基を示す。）
【００８２】
メルカプト化合物としてはメチルメルカプタン、エチルメルカプタン、ｎ−プロピルメルカプタン、ｉｓｏ−プロピルメルカプタン、ｎ−ブチルメルカプタン、ｓｅｃ−ブチルメルカプタン、ｔｅｒｔ−ブチルメルカプタン、ｎ−アミルメルカプタン、ｉｓｏ−アミルメルカプタン、ｎ−ヘキシルメルカプタン、シクロヘキシルメルカプタン、ｎ−ヘプチルメルカプタン、ｎ−オクチルメルカプタン等が用いられる。
【００８３】
メルカプト化合物の使用量は前記一般式（Ｖ）のフタロニトリル化合物に対し２〜３倍モル、好ましくは２〜２．５倍モルである。
【００８４】
塩基としては水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、酢酸ナトリウム等が用いられる。特に好ましくは炭酸カリウム或いは炭酸ナトリムが用いられる。塩基の使用量は前記一般式（Ｖ）のフタロニトリル化合物に対し、２〜３倍モル、好ましくは２〜２．５倍モルである。
【００８５】
反応に用いられる溶媒の例としては、メタノール、エタノール等のアルコール系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。これらは単独または水との混合系で用いることができ、混合系における混合割合は水が２０％以下が好ましい。また水との混合系ではアセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒も使用することができる。使用する溶媒の量は前記一般式（Ｖ）のフタロニトリル化合物に対し１〜３０倍重量、好ましくは２〜１５倍重量である。
【００８６】
反応温度は０℃〜溶媒の還流温度であり、好ましくは１０℃〜溶媒の還流温度である。
【００８７】
反応時間は３０分〜２０時間が好ましい。
【００８８】
反応後、水に排出し、濾取或いはトルエン等の芳香族系溶媒にて抽出、濃縮して前記一般式（IV）のフタロニトリル化合物を得る。またこうして得られた粗製物は再結晶或いはカラムクロマトグラフィーにて更に精製しても良い。
【００８９】
一般式（IV）のフタロニトリル化合物は一般式（VII）又は（VIII）で表わされるフタロニトリルと一般式（IX）で表わされる化合物とを塩基の存在下に反応させて製造することができる。
【００９０】
【化３１】

（式中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又はアルキルチオ基を示す。）
【００９１】
【化３２】

（式中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又はアルキルチオ基を示し、Ｒ₁₂はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基を示す。）
【００９２】
【化３３】

【００９３】
Ｒ₁₃−Ｄ （IX）
（式中、Ｒ₁₃は一般式（VIII）に於けるＲ₁₂と同じものを示し、Ｄはハロゲン原子、トリルオキシ基又はメシルオキシ基を示す。但し、Ｒ₁₂とＲ₁₃の両者が同時にアルキル基であること、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルキル基であること、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基であることはない。）
【００９４】
前記一般式（IX）で表わされる化合物としてはハロゲン化アルキル又はｐ−トルエンスルフォン酸或いはメタンスルフォン酸のエステルが挙げられるが、ハロゲン化アルキルとしては、好ましくは、１−ヨードメタン、１−ブロモエタン、１−ヨードエタン、１−ブロモプロパン、２−ブロモプロパン、１−ヨードプロパン、１−クロロプロパン、１−ブロモブタン、２−ブロモブタン、１−ブロモペンタン、２−ブロモペンタン、１−ブロモ−３−メチルブタン、１−ブロモヘキサン、２−ブロモヘキサン、３−ブロモヘキサン、１−ブロモヘプタン、３−ブロモヘプタン、２−ブロモエチルメチルエーテル、２−ブロモエチルエチルエーテル、３−ブロモプロピルエチルエーテル、２−ブロモメチル−１，３−ジオキソラン、２−（２−ブロモエチル）−１，３−ジオキソラン、２−（２−ブロモエチル）−２−メチル−１，３−ジオキソラン、２−クロロメチル−１，４−ベンゾジオキサンが、又、ｐ−トルエンスルフォン酸或いはメタンスルフォン酸のエステルとしては、好ましくはメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、イソペンタノールｎ−ヘキサノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、２，４−ジメチル−３−ペンタノール、２−メトキシエタノール、３−メトキシプロパノール、３−メトキシ−２−プロパノール、３−メトキシ−２−ブタノール、２−メトキシ−１−ブタノール、２−エトキシエタノール、２−エトキシ２−プロパノール、２−エトキシ−１−プロパノール、２−ｉｓｏ−プロポキシエタノール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−メタノール、３−メチル−３−オキセタンメタノールとｐ−トルエンスルフォン酸或いはメタンスルフォン酸のエステルが挙げられる。
【００９５】
反応に使用される前記一般式（IX）の化合物の量は前記一般式（VII）又は（VIII）のフタロニトリル化合物に対して、０.５〜２０倍モル、好ましくは１.０〜５.０倍モルである。
【００９６】
塩基としては、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水素化ナトリム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、酢酸ナトリム等が挙げられる。
【００９７】
塩基の使用量は一般式（VII）又は（VIII）のフタロニトリル化合物に対して、０.５〜２０倍モル、好ましくは１.０〜５.０倍モルである。
【００９８】
前記一般式（IV）のフタロニトリルの製造に用いられる溶媒の例としては、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）等の非プロトン性極性溶媒、メタノール、エタノール等のアルコール系溶媒が挙げられる。
【００９９】
溶媒の使用量は前記一般式（VII）又は（VIII）のフタロニトリル化合物に対して、１〜３０倍重量、好ましくは２〜１５倍重量である。
【０１００】
反応温度は０℃〜反応溶媒の還流温度の範囲であり、好ましくは１５〜９０℃の範囲である。
【０１０１】
反応後、水に排出し、濾取或いはトルエン等の芳香族系溶媒にて抽出、濃縮して前記一般式（IV）のフタロニトリル化合物を得る。またこうして得られた粗製物は再結晶或いはカラムクロマトグラフィーにて更に精製しても良い。
【０１０２】
本発明の記録層中に前記一般式（Ｉ）のフタロシアニン化合物を含有する光記録媒体について下記に説明する。
【０１０３】
本発明の光記録媒体は、基板上に、記録層および反射層を有する。光記録媒体とは、予め情報を記録されている再生専用の光再生専用媒体、及び、情報を記録して再生のできる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層及び保護層をこの順で形成した光記録媒体に関して説明する。この光記録媒体は、図１に示すような４層構造を有している。即ち、基板１上に記録層２が形成されており、その上に密着して反射層３が設けられており、さらにその上に保護層４が反射層３を覆っている。
【０１０４】
基板の材質としては、基本的には記録光及び再生光の波長で透明なものであればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により円盤上に基板に成形される。必要に応じて、基板表面に溝を形成することもある。
【０１０５】
本発明において、記録層中に一般式（Ｉ）のフタロシアニン化合物とともに含有される波長６３０ｎｍ未満に吸収極大を有する化合物としては、ペンタメチンシアニン系色素、スクワリリウム系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、ポルフィリン系色素、アゾ系色素などが挙げられる。中でも波長６３０ｎｍ未満に吸収極大を有する化合物として好ましいのは、一般式（Ｘ）で表されるアゾ化合物と金属とのアゾ金属錯体化合物である。
【０１０６】
【化３４】

（式中、Ｅは、それが結合している窒素原子及び炭素原子と一緒になって複素環を形成する残基を表し、Ｆは、それが結合している２つの炭素原子と一緒になって芳香環を形成する残基を表し、Ｚは活性水素を有する基を表す。）
【０１０７】
上記式中、Ｅはそれが結合している窒素原子及び炭素原子と一緒になって複素環を形成する残基の具体例としては、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ピリドベンゾチアゾール環、ベンゾピリドチアゾール環、ピリドチアゾール環、ピリジン環、キノリン環、チアジアゾール環、イミダゾール環等を形成する残基が挙げられる。これらの含窒素複素環は、置換基を有してもよく、かかる置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カルバモイル基、アシル基、アシルアミノ基、スルファモイル基、スルホンアミド基、アミノ基、ヒドロキシル基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙げられ、これらの置換基は更に置換基を有してもよい。含窒素複素環上の置換基の中で好ましいものとしては、置換基を有してもよい炭素数１〜２５のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜２５のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有してもよい炭素数１〜２５のアルキルスルファモイル基、置換基を有してもよいフェニルアゾ基、置換基を有してもよいピリジノアゾ基、炭素数２〜２６のエステル基、炭素数２〜２６のカルバモイル基、炭素数２〜２６のアシル基、炭素数１〜２５のアシルアミノ基、炭素数１〜２５のスルホンアミド基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
【０１０８】
Ｆは、それが結合している２つの炭素原子と一緒になって芳香環を形成する残基の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリドン環、テトラヒドキノリン環またはピラゾール環等を形成する残基が挙げられる。これらの芳香環または複素環は、置換基を有してもよく、かかる置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カルバモイル基、アシル基、アシルアミノ基、スルファモイル基、スルホンアミド基、アミノ基、ヒドロキシル基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙げられ、これらの置換基は更に置換基を有してもよい。含窒素複素環上の置換基の中で好ましいものとしては、置換基を有してもよい炭素数１〜２５のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜２５のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有してもよい炭素数１〜２５のアルキルスルファモイル基、置換基を有してもよいフェニルアゾ基、置換基を有してもよいピリジノアゾ基、炭素数２〜２６のエステル基、炭素数２〜２６のカルバモイル基、炭素数２〜２６のアシル基、炭素数１〜２５のアシルアミノ基、炭素数１〜２５のスルホンアミド基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
【０１０９】
Ｚとしては活性水素を有する基であれば特に制限されないが、好ましいものとしては、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン酸基等が挙げられる。
【０１１０】
前記アゾ化合物と一緒に錯体化合物を形成する金属としては、一般にアゾ化合物と一緒に錯体化合物を形成する金属であれば特に制限されないが、ニッケル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウム、イリジウム、白金等の遷移金属が好ましい。
【０１１１】
本発明に用いられるアゾ化合物の金属錯体の中で、特に好ましい具体例としては、下記に挙げられるアゾ化合物の金属錯体が挙げられる。
【０１１２】
【化３５】

上記式（ａ）において、次に示される置換基を有する化合物と下記金属との錯体。
【０１１３】
【表７】

【０１１４】
【化３６】

上記式（ｂ）において、次に示される置換基を有する化合物と下記金属との錯体。
【０１１５】
【表８】

【０１１６】
本発明の記録層には、耐久性向上が要求されるような場合には、消光剤や紫外線吸収剤等の添加剤を混合してもよい。また、そのような効果を呈する官能基を、式（Ｉ）の化合物に置換基として導入して使用することも可能である。
添加剤としては、例えば、以下の一般式（１）〜（５）で示されるものが挙げられる。
【０１１７】
【化３７】

【０１１８】
これらの式において、Ｇ、Ｇ´はベンゼン環或いは置換ベンゼン環を形成するか、またはナフタレン環或いは置換ナフタレン環を形成する原子群であり、同種であっても異種であっても良く、また、これらの環はハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリル基、アルキルカルボキシル基、アルキルアルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フェニルエチレン基等の置換基で置換されていてもよい。Ｒ₁₆〜Ｒ₂₈は、ハロゲン原子、置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリル基、アルキルカルボキシル基、アルキルアルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フェニルエチレン基等を表す。Ｑは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔ等の遷移金属を表し、Ｑは電荷を持ち、カチオンと塩構造をとってもよい。ａ´はイオン体の電荷数を表し、０を含む正の整数である。ｄはカチオンを示し、ａ´=ｂ´×ｃ´であり、ａ´=０の時、ｂ´×ｃ´=０でｄは存在せず、化合物は非イオン性である。
【０１１９】
これらの色素を含有する記録層は、スピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法、真空蒸着法等によって基板上に厚さ５０〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの厚さに形成される。特に塗布法においては色素を溶解或いは分散させた塗布溶媒を用いるが、この際溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、メタノール等のアルコール系溶媒、ヘキサンやオクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン等の環状炭化水素系溶媒、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、アセトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒等を１種或いは複種混合して用いる。また、記録層は１層だけでなく複数の色素を多層形成させたり、色素を高分子薄膜等に、例えば、好ましくは５０％程度以上分散して用いたりすることもできる。また、基板にダメージを与えない溶媒を選択出来ない場合はスパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法等が有効である。
【０１２０】
次に記録層の上に、厚さ５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ及びＰｄの金属を、単独或いは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕやＡｌは反射率が高く反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外に、下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、ＲｕＷ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属等である。また、Ａｕを主成分としているものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねで多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【０１２１】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法等が挙げられる。また、反射率を高めるためや密着性をよくするために記録層と反射層の間に、それぞれ反射増幅層や接着層を設けることもできる。
【０１２２】
このようにして得られる本発明の光記録媒体は、基板上に記録層及び反射層が形成された媒体で、６２０〜６９０ｎｍ、好ましくは６３０〜６９０ｎｍの範囲から選ばれた波長の光に対する基板側からの反射率が１５％以上、好ましくは２０％以上、更に好ましくは４０％以上ある。また、７７０〜８３０ｎｍの範囲から選ばれた波長の光に対する基板側からの反射率が６５％以上、好ましくは７０％以上あるもので、レッドブック（ＣＤ）規格及びオレンジブック（ＣＤ-Ｒ）規格の反射率を満足すれものである。これらの規格を満足すれば、従来より市販されているＣＤプレーヤーでも良好に再生することができる。
【０１２３】
更に、本発明の光記録媒体においては、反射層の上に保護層を形成させることもできる。保護層の材料としては、反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができ、中でもＵＶ硬化性樹脂が好ましい。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等は適当な溶剤に溶解して塗布液とし、この塗布液を塗布し、乾燥することによって、保護層を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調整した後に、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって、保護層を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリレート樹脂を用いることが出来る。これらの材料は単独で用いても、或いは、混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても一向に差し支えない。
【０１２４】
保護層の形成の方法としては、記録層の場合と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でも、スピンコート法が好ましい。
【０１２５】
本発明の光記録媒体は、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザーで少なくとも再生可能であり、再生または記録再生が可能である。さらにまた、７７０〜８３０ｎｍから選ばれた近赤外レーザーで少なくとも再生可能であり、再生または記録再生が可能である。赤色レーザーとしては、６２０〜６９０ｎｍの波長のレーザーであれば何でもよく、例えば、可視領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや、波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波長６３５ｎｍや６８０ｎｍの高出力半導体レーザー等があるが、装置に搭載することを考えると半導体レーザーが好適である。また、近赤外レーザーとしては、７７０〜８３０ｎｍの波長のレーザーであれば何でも良く、市販のＣＤプレーヤーやＣＤレコーダーに用いられている半導体レーザーが適している。
【０１２６】
【実施例】
以下に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものでない。なお、以下の実施例２，８は参考例を示す。
【０１２７】
［実施例１］
３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリルの合成
窒素気流下、ジメチルアセトアミド１００ｍＬに３，６−ジヒドロキシフタロニトリル８．０ｇを溶解し、炭酸カリウム２７．６ｇを加えて６０℃に昇温した。この溶液にメタンスルフォン酸−（３−メトキシプロパン−２−イル）エステル２８．９ｇを内温６０〜７０℃で２８分間を要して滴下し、次いで７５〜８０℃で２０時間攪拌した。冷却後、反応液を水１０００ｍＬに排出し、トルエン１０００ｍＬにて抽出した。トルエン層を分取、水洗、濾過し、溶媒を留去した。残渣に８０％ＩＰＡ水溶液を加え、析出した結晶を濾取、乾燥して白色結晶５．９ｇを得た。得られた化合物の融点は９０．２〜９１．７℃であった。
下記分析結果より目的物であることを確認した。また得られた化合物のＩＲスペクトルを図２に示す。
【０１２８】
【表９】
元素分析値（Ｃ₁₆Ｈ₂₀Ｎ₂Ｏ₄）：

【０１２９】
［実施例２］
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリルの合成
窒素気流下、ジメチルアセトアミド５００ｍＬに４，５−ジクロロ−３，６−ジヒドロキシフタロニトリル５７．３ｇを溶解し、炭酸カリウム１３８．２ｇを加えて６０℃に昇温した。この溶液にｐ−トルエンスルフォン酸−（３−メトキシプロパン−２−イル）エステル１３４．４ｇを内温６０〜７０℃で２５分間を要して滴下し、次いで７５〜８０℃で２７時間攪拌した。冷却後、反応液を水３０００ｍＬに排出し、トルエン１０００ｍＬにて抽出した。トルエン層を分取、水洗、濾過し、溶媒を留去した。残渣にｎ−ヘキサン４００ｍＬを加えて粉末化し、濾取、乾燥して白色粉末３２．７ｇを得た。得られた化合物の融点は１０５．８〜１０６．３℃であった。
下記分析結果より目的物であることを確認した。また得られた化合物のＩＲスペクトルを図３に示す。
【０１３０】
【表１０】
元素分析値（Ｃ₁₆Ｈ₁₈Ｎ₂Ｏ₄Ｃｌ₂）：

【０１３１】
［実施例３］
３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリルの合成
窒素気流下、ジメチルアセトアミド５０ｍＬに３，６−ジヒドロキシフタロニトリル１０．０ｇ、炭酸カリウム２１．６ｇ及びｐ−トルエンスルフォン酸−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルエステル４８．２ｇを加えて７０〜７５℃で２５時間攪拌した。冷却後、反応液を水３００ｍＬに排出し、析出物を濾取、水洗、トルエン１００ｍＬ、８０％イソプロピルアルコール水溶液１００ｍＬにて順次洗浄後、乾燥して白色結晶１６．３ｇを得た。得られた化合物の融点は１７３〜１７４．５℃であった。
下記分析結果より目的物であることを確認した。また得られた化合物のＩＲスペクトルを図４に示す。
【０１３２】
【表１１】
元素分析値（Ｃ₂₀Ｈ₂₄Ｎ₂Ｏ₆）：

【０１３３】
［実施例４］
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリルの合成
窒素気流下、ジメチルアセトアミド２００ｍＬに４，５−ジクロロ−３，６−ジヒドロキシフタロニトリル５０．０ｇ、炭酸カリウム７５．４ｇ及びｐ−トルエンスルフォン酸−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルエステル１６３．４ｇを加えて８０〜８５℃で２５時間攪拌した。冷却後、反応液を５％ＮａＯＨ水溶液１０００ｍＬに排出し、トルエン８００ｍＬにて抽出した。トルエン層を分取、水洗、濾過し、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／（エタノール：トルエン＝２：１００））にて精製し白色結晶３１．９ｇを得た。得られた化合物の融点は１１５〜１２３．５℃であった。
【０１３４】
下記分析結果より目的物であることを確認した。また得られた化合物のＩＲスペクトルを図５に示す。
【０１３５】
【表１２】
元素分析値（Ｃ₂₀Ｈ₂₂Ｎ₂Ｏ₆Ｃｌ₂）：

【０１３６】
［実施例５］
４，５−ジメチルチオ−３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリルの合成
窒素気流下、アセトン８０ｍＬに４，５−ジクロロ−３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリル８．０ｇ、１５％ＣＨ３ＳＮａ水溶液１６．３ｇを加えて２０〜２５℃にて１時間攪拌した。反応液を２０％食塩水１０００ｍＬに排出し、トルエン３００ｍＬにて抽出した。トルエン層を分取、水洗、濾過し、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／（エタノール：トルエン＝１：１００））にて精製し白色結晶８．１ｇを得た。得られた化合物の融点は７４．５〜７９．５℃であった。
下記分析結果より目的物であることを確認した。また得られた化合物のＩＲスペクトルを図６に示す。
【０１３７】
【表１３】
元素分析値（Ｃ₂₂Ｈ₂₈Ｎ₂Ｏ₆Ｓ₂）：

【０１３８】
［実施例６］
４，５−ジクロロ−３−（４−メチルペンタン−２−イルオキシ）−６−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリルの合成
窒素気流下、ジメチルアセトアミド３０ｍＬに４，５−ジクロロ−３−（４−メチルペンタン−２−イルオキシ）−６−ヒドロキシフタロニトリル１０．０ｇ、炭酸カリウム５．３ｇを加えて７０℃に昇温した。この溶液にｐ−トルエンスルフォン酸−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルエステル１１ｇを添加し、７０〜８０℃で１５０時間攪拌した。冷却後、反応液を水３００ｍＬに排出し、トルエン３００ｍＬにて抽出した。トルエン層を分取、水洗、濾過し、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／トルエン）にて精製し淡黄色オイル９．０ｇを得た。
下記分析結果より目的物であることを確認した。また得られた化合物のＩＲスペクトルを図７に示す。
【０１３９】
【表１４】
元素分析値（Ｃ₂₀Ｈ₂₄Ｎ₂Ｏ₄Ｃｌ₂）：

【０１４０】
［実施例７］ フタロシアニン化合物の合成
３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル１９．５ｇ、塩化パラジウム（II）４．３ｇ、ＤＢＵ１４．３ｇ、ｎ−オクチルアルコール１７５ｍＬを混合した後、１８０〜１８５℃にて２２時間攪拌した。冷却後、減圧下ｎ−オクチルアルコールを留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／（メタノール：トルエン＝５：１００））にて精製し、緑色粉末７．４ｇの下記構造式（Ｉ−１）で示されるフタロシアニン化合物を得た。
【０１４１】
【化３８】

【０１４２】
下記分析結果より目的物であることを確認した。なお、本実施例及び以下の実施例において、金属の確認には原子吸光法を用いた。
【０１４３】
【表１５】
元素分析値（Ｃ₆₄Ｈ₈₀Ｎ₈Ｏ₁₆Ｐｄ）：

このようにして得られた化合物はトルエン溶液中において７２４ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は１．３５×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。
【０１４４】
［実施例８］ フタロシアニン化合物の合成
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリル７．２ｇ、塩化パラジウム（II）１．３ｇ、ＤＢＵ４．３ｇ、ｎ−ペンチルアルコール５０ｍＬを混合した後、１３５〜１３８℃にて１８時間攪拌した。冷却後、減圧下ｎ−ペンチルアルコールを留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／（メタノール：トルエン＝５：１００））にて精製し、緑色粉末２．３ｇの下記構造式（Ｉ−２）で示されるフタロシアニン化合物を得た。
【０１４５】
【化３９】

下記分析結果より目的物であることを確認した。
【０１４６】
【表１６】
元素分析値（Ｃ₆₄Ｈ₇₂Ｎ₈Ｏ₁₆Ｃｌ₈Ｐｄ）：

【０１４７】
このようにして得られた化合物はトルエン溶液中において７２９ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は１．１４×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。
【０１４８】
［実施例９］ フタロシアニン化合物の合成
３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリル７．０ｇ、塩化パラジウム（II）０．８ｇ、ＤＢＵ４．１ｇ、ｎ−ペンチルアルコール３５ｍＬを混合した後、１３５〜１３８℃にて２１時間攪拌した。冷却後、減圧下ｎ−ペンチルアルコールを留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／（エタノール：トルエン=２：１００））にて精製し、緑色粉末１．９ｇの下記構造式（Ｉ−３）で示されるフタロシアニン化合物を得た。
【０１４９】
【化４０】

【０１５０】
下記分析結果より目的物であることを確認した。得られた化合物のＩＲスペクトルを図８に示す。
【０１５１】
【表１７】
元素分析値（Ｃ₈₀Ｈ₉₆Ｎ₈Ｏ₂₄Ｐｄ）：

【０１５２】
このようにして得られた化合物はトルエン溶液中において７２０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は１．２８×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。
【０１５３】
［実施例１０］ フタロシアニン化合物の合成
４，５−ジクロロ−３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリル９．０ｇ、塩化パラジウム（II）１．１ｇ、ＤＢＵ３．０ｇ、ｎ−ペンチルアルコール３５ｍＬを混合した後、１３５〜１３８℃にて１．５時間攪拌した。冷却後、減圧下ｎ−ペンチルアルコールを留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／（ジオキサン：トルエン=２：１００））にて精製し、緑色粉末２．４ｇの下記構造式（Ｉ−４）で示されるフタロシアニン化合物を得た。
【０１５４】
【化４１】

【０１５５】
下記分析結果より目的物であることを確認した。得られた化合物のＩＲスペクトルを図９に示す。
【０１５６】
【表１８】
元素分析値（Ｃ₈₀Ｈ₈₈Ｎ₈Ｏ₂₄Ｃｌ₈Ｐｄ）：

【０１５７】
このようにして得られた化合物はトルエン溶液中において７１９ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は１．１９×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。
【０１５８】
［実施例１１］ フタロシアニン化合物の合成
４，５−ジメチルチオ−３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリル７．８ｇ、塩化パラジウム（II）０．９ｇ、ＤＢＵ２．５ｇ、ｎ−ペンチルアルコール４０ｍＬを混合した後、１３５〜１３８℃にて１５時間攪拌した。冷却後、減圧下ｎ−ペンチルアルコールを留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／（ジオキサン：トルエン=４：１００））にて精製し、緑色粉末３．０ｇの下記構造式（Ｉ−５）で示されるフタロシアニン化合物を得た。
【０１５９】
【化４２】

【０１６０】
下記分析結果より目的物であることを確認した。得られた化合物のＩＲスペクトルを図１０に示す。
【０１６１】
【表１９】
元素分析値（Ｃ₈₈Ｈ₁₁₂Ｎ₈Ｏ₂₄Ｓ₈Ｐｄ）：

【０１６２】
このようにして得られた化合物はトルエン溶液中において７４６ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は１．０４×１０⁵ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。
【０１６３】
［実施例１２］フタロシアニンの合成
５，６−ジクロロ−４−（４−メチルペンタン−２−イルオキシ）−７−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルメトキシ）フタロニトリル２．１ｇ、塩化パラジウム（II）０．３ｇ、ＤＢＵ０．８ｇ、ｎ−ペンチルアルコール２０ｍＬを混合した後、１３５〜１３８℃にて２８時間攪拌した。冷却後、減圧下ｎ−ペンチルアルコールを留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／（酢酸エチル：トルエン=５：９５）にて精製し、緑色粉末０．８ｇの下記構造式（Ｉ−６）で示されるフタロシアニン化合物及びその異性体を得た。
【０１６４】
【化４３】

下記分析結果より目的物であることを確認した。
【０１６５】
【表２０】
元素分析値（Ｃ₈₀Ｈ₉₆Ｎ₈Ｏ₁₆Ｃｌ₈Ｐｄ）：

【０１６６】
このようにして得られた化合物はトルエン溶液中において７１９ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は９．５３×１０⁴ｍＬ／ｇ・ｃｍであった。
【０１６７】
［実施例１３］
一般式（I）で表されるフタロシアニン化合物のうち、前記構造式（I−３）のフタロシアニン化合物の２，２，３，３-テトラフルオロプロパノール溶液（１０ｇ／Ｌ）を調製した。
【０１６８】
基板としては、連続した案内溝（トラックピッチ：１.６μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ１.２ｍｍの円盤状のもの（ポリカーボネート樹脂製）用いた。
この基板上に、色素溶液を回転数１０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で２時間乾燥して、記録層を形成した。この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ-９００）を用いて、Ａｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガス圧１.０×１０^-2Ｔｏｒｒで行った。
【０１６９】
更に、反射層の上に、紫外線硬化樹脂ＳＤ-１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成し、ＣＤ-Ｒ媒体を作製した。
【０１７０】
この媒体の反射率は７１％（７７５〜７９０ｎｍ）であり、７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線速１.３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を５.５ｍＷのパワーで書き込むことができ、その時のエラーレートは１０未満であった。
【０１７１】
［実施例１４］
一般式（Ｉ）で表されるフタロシアニン化合物のうち、前記構造式（I−４）のフタロシアニン化合物０.２ｇと、アゾ化合物の金属錯体（ａ−１）０.０２ｇを、２，２，３，３-テトラフルオロプロパノール１０ｍＬに溶解し、色素溶液を調製した。
【０１７２】
基板としては、連続した案内溝（トラックピッチ：１.６μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ１.２ｍｍの円盤状のもの（ポリカーボネート樹脂製）用いた。
【０１７３】
この基板上に、色素溶液を回転数１５００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で２時間乾燥して、記録層を形成した。この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ-９００）を用いて、Ａｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガス圧１.０×１０^-2Ｔｏｒｒで行った。
【０１７４】
更に、反射層の上に、紫外線硬化樹脂ＳＤ-１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成した。
この光記録媒体を７８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライター（ＣＤ-５２１）を用いて、線速２.８ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷでＦＥＭ信号を記録した。記録後、市販ＣＤプレーヤー（ＹＡＭＡＨＡ ＣＤＸ-１０５０、レーザー波長７８６ｎｍ）を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を測定した。いずれもオレンジブック規格を満足した良好な値を示した。次にこの記録した媒体を６８０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ-１０００）を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を測定した。いずれも良好な値を示した。
【０１７５】
次にこの媒体を６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ-１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速５.６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、６８０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を測定した。いずれも良好な値を示した。この記録した媒体を、市販ＣＤプレーヤー（ＹＡＭＡＨＡＣＤＸ-１０５０、レーザー波長７８６ｎｍ）を用いて、前記６８０ｎｍのドライブ（ＤＤＵ-１０００）で記録した信号の再生を行い、反射率、エラーレート及び変調度を測定した。いずれもオレンジブック規格を満足した良好な値であった。
【０１７６】
このように、この媒体は複数のレーザー波長で記録及び再生を良好に行うことが出来た。
【０１７７】
尚、エラーレートはケンウッド社製ＣＤデコーダー（ＤＲ３５５２）を用いて計測し、変調度は以下の式により求めた。
変調度=｛（信号の最大強度）−（信号の最小強度）｝／（信号の最大強度）
【０１７８】
［実施例１５〜２４］
フタロシアニン化合物と、アゾ化合物の金属錯体を組み合わせて用いること以外は、実施例１４に準じて光記録媒体を作製した。
【０１７９】
作製した媒体を実施例１４と同様に７８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライターと６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ-１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて記録した。記録後、実施例１６と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性を示した。
【０１８０】
以上の各媒体を７８０及び６８０ｎｍで記録した各々の場合で、７８６、６８０、６３５ｎｍでの再生時の反射率、エラーレート、変調度を、表２、表３にまとめて示す。
【０１８１】
［比較例１］
実施例１４において、記録層にアゾ化合物の金属錯体（ａ-１）のみ用いること以外は、実施例１４に準じて光記録媒体を作製した。
【０１８２】
作製した媒体を実施例１４と同様に７８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライターと６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ-１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて記録することを試みたが、７８０ｎｍでは記録ができず、６８０ｎｍでも感度が低くきれいに記録することができなかった。
【０１８３】
［比較例２］
実施例１４において、記録層に、ＵＳＰ-５１２４０６７の実施例９８に開示された下記構造のフタロシアニン化合物のｎ-オクタン溶液を用いること以外は、実施例１６に準じて光記録媒体を作製した。
【０１８４】
【化４４】

【０１８５】
作製した媒体を実施例１６と同様に７８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライターと６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ-１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて記録した。記録後、実施例１６と同様の測定を行った結果、波形が歪み６３５、６８０ｎｍでの反射率が低かった。
【０１８６】
以上の各媒体を７８０及び６８０ｎｍで記録した各々の場合で、７８６、６８０、６３５ｎｍでの再生時の反射率、エラーレート、変調度を表−２にまとめて示す。
【０１８７】
【表２１】

【０１８８】
【表２２】

【０１８９】
【発明の効果】
本発明によれば、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波長のレーザー光で再生または記録再生が可能であり、更に、現行のＣＤ-Ｒ媒体の規格であるオレンジブック（７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長の光に対する反射率が６５％以上で、該光で記録再生が可能）を満足する光記録媒体及びこれに好適に使用されるフタロシアニン化合物を提供することが出来た。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の一実施態様を説明する断面構造図である。
【図２】実施例１で合成した３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリルの赤外吸収スペクトルである。
【図３】実施例２で合成した４，５−ジクロロ−３，６−ビス（３−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フタロニトリルの赤外吸収スペクトルである。
【図４】実施例３で合成した３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルオキシ）フタロニトリルの赤外吸収スペクトルである。
【図５】実施例４で合成した４，５−ジクロロ−３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルオキシ）フタロニトリルの赤外吸収スペクトルである。
【図６】実施例５で合成した４，５−ジメチルチオ−３，６−ビス（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルオキシ）フタロニトリルの赤外吸収スペクトルである。
【図７】実施例６で合成した４，５−ジクロロ−３−（４−メチルペンタン−２−イルオキシ）−６−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イルオキシ）フタロニトリルの赤外吸収スペクトルである。
【図８】実施例９で合成したフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルである。
【図９】実施例１０で合成したフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルである。
【図１０】実施例１１で合成したフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルである。

Claims (4)

1. 一般式（Ｉ）で表されるフタロシアニン化合物。
   

   

   （式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基を示し、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又はアルキルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属又は３価或いは４価の金属誘導体を示す。但しＲ₁とＲ₂の組み合わせ、Ｒ₃とＲ₄の組み合わせ、Ｒ₅とＲ₆の組み合わせ及びＲ₇とＲ₈の組み合わせにおいて、両者が同時にアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合を除く。また、Ｒ ₁ とＲ ₂ の組み合わせ、Ｒ ₃ とＲ ₄ の組み合わせ、Ｒ ₅ とＲ ₆ の組み合わせ及びＲ ₇ とＲ ₈ の組み合わせにおいて、両者が同時にアルコキシアルキル基又はアルコキシアルコキシアルキル基である場合、また、一方がアルコキシアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合、Ｘはハロゲン以外の基を示す。）
   

   
2. Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，Ｒ₆，Ｒ₇，Ｒ₈が炭素数１〜１５のアルキル基、総炭素数２〜１５のアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基であり、Ｘが水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１０のアルキルチオ基（但し、Ｒ ₁ とＲ ₂ の組み合わせ、Ｒ ₃ とＲ ₄ の組み合わせ、Ｒ ₅ とＲ ₆ の組み合わせ及びＲ ₇ とＲ ₈ の組み合わせにおいて、両者が同時にアルコキシアルキル基である場合、Ｘはハロゲン以外の基を示す。）である請求項１のフタロシアニン化合物。
   

   
3. 一般式（IV）で表わされるフタロニトリル化合物。
   

   

   （式中、Ｒ₉，Ｒ₁₀はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基又は下記構造式で表わされる置換基を示し、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又はアルキルチオ基を示す。但し、Ｒ₉とＲ₁₀の両者が同時にアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルキル基である場合、一方がアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合を除く。また、Ｒ ₉ とＲ ₁₀ が同時にアルコキシアルキル基又はアルコキシアルコキシアルキル基である場合、また、一方がアルコキシアルキル基で他方がアルコキシアルコキシアルキル基である場合、Ｘはハロゲン以外の基を示す。）
   

   
4. 請求項３のフタロニトリル化合物と金属又は金属誘導体を反応させることを特徴とする、請求項１のフタロシアニン化合物の製造方法。

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