JP3965571B2 - 硝酸イオンセンサー - Google Patents
硝酸イオンセンサー Download PDFInfo
- Publication number
- JP3965571B2 JP3965571B2 JP2002240838A JP2002240838A JP3965571B2 JP 3965571 B2 JP3965571 B2 JP 3965571B2 JP 2002240838 A JP2002240838 A JP 2002240838A JP 2002240838 A JP2002240838 A JP 2002240838A JP 3965571 B2 JP3965571 B2 JP 3965571B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- sensitive
- arsi
- aryl group
- nitrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、硝酸イオンセンサー用のイオン感応膜及び電極チップ並びにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】
以前、硝酸イオン感応物質であるバソクプロイン銅（I）硝酸塩錯体を表面に有する硝酸イオン電極チップの製造方法に関する特許出願（特願2002-161647）が出された。しかし、その生産において、液膜溶媒である2-ニトロフェニルオクチルエーテル及び溶媒のテトラヒドロフランの有害性が指摘される。そこで、環境にやさしい化学物質への変更を視野に入れた硝酸イオン感応膜、硝酸イオン電極及び硝酸イオン電極チップ、並びにそれらの製造方法を提供することが、本発明の目的である。また、より感度の良いイオンセンサーを提供することも、本発明の目的である。
【０００３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下の項１〜９の硝酸イオンセンサー用のイオン感応膜及び電極チップ並びにそれらの製造方法に関する。
項１． 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、及びマトリックス樹脂としてテトラアルコキシシラン類とArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）の縮合物を含むイオン感応膜。
項２． ArSi(O-G)3がフェニルトリエトキシシランである、項１に記載のイオン感応膜。
項３． テトラアルコキシシラン類がテトラエトキシシラン、ArSi(O-G)3がフェニルトリエトキシシランである、項１に記載のイオン感応膜。
項４． テトラアルコキシシラン類：ArSi(O-G)3のモル比が15〜40：85〜60である、項１に記載のイオン感応膜。
項５． テトラエトキシシラン：フェニルトリエトキシシランのモル比が30：70である、項３に記載のイオン感応膜。
項６． 項１〜５のいずれかに記載のイオン感応膜を含むイオン電極。
項７． 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、テトラアルコキシシラン類及びArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）を含む混合物を支持体に塗布し、乾燥させるイオン感応膜を製造する方法。
項８． 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、及びマトリックス樹脂としてテトラアルコキシシラン類とArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）の縮合物を含むイオン感応膜を有する電極チップ。
項９． 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、テトラアルコキシシラン類及びArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）を含む混合物を繊維状電極チップ支持体に塗布し、乾燥させ、イオン感応物質層を作る、電極チップの作製方法。
【０００４】
【発明の実施の形態】
本発明において、塩化ジメチルオクタデシル-3-トリメトキシシリルプロピルアンモニウムなどの第4級アンモニウム塩の硝酸イオン感応物質（0.1モル）、テトラアルコキシシラン類（0.5〜8モル）、ArSi(O-G)3（ここでArはフェニル基などのアリール基を表し、Gはメチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基又はフェニル基などのアリール基を表す。）（0.5〜8モル）、メタノール、水などの溶媒（1〜20モル）、並びに硫酸などの触媒（0.05〜0.5モル）を混合した混合物を乾燥させてイオン感応膜を製造する。
【０００５】
本発明におけるテトラアルコキシシラン類とArSi(O-G)3は加水分解縮合してマトリックス樹脂になる。従って、本発明におけるマトリックス樹脂は、下記の２つの単位構造を有する。テトラアルコキシシラン類：ArSi(O-G)3のモル比が15〜40：85〜60である。
【０００６】
【化１】
【０００７】
本発明におけるArSi(O-G)3として、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリフェノキシシランなどが挙げられ、特に好ましいのは、フェニルトリエトキシシランである。
【０００８】
本発明におけるテトラアルコキシシラン類には、単量体を用いるが、２量体や３量体などの部分縮合物を用いても良い。テトラアルコキシシラン類としては、例えば、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、ｎ−プロピルシリケート、ｎ−ブチルシリケートなどが挙げられる。
【０００９】
マトリックス樹脂の１例として、テトラエトキシシランとフェニルトリエトキシシランの縮合物があり、そのテトラエトキシシラン：フェニルトリエトキシシランのモル比は、約30：70が好ましい。
【００１０】
本発明によると、硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、テトラアルコキシシラン類及びArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）を含む混合物を、イオン感応膜を上に形成する従来の支持体に塗布し、乾燥させることにより、イオン感応膜を支持体上に形成し、これを従来のイオン電極中に用いることができる。
【００１１】
例えば、上記混合物を繊維状電極チップ支持体に塗布することにより、0.1〜3000μm、好ましくは10〜500μmの厚みのイオン感応物質層を有する電極チップを製造することができる。ここでいう、繊維状電極チップ支持体とは、銀などを繊維にメッキした導電性繊維の構造物（編物、不織布、織物など）をいう。
【００１２】
本発明における応答電位測定は、ガラス比較電極を基準電極として、硝酸ナトリウム水溶液のような硝酸イオンの水溶液に、本発明により作られたイオン電極又は電極チップを浸漬し（25℃）、その応答電位測定を行なう。
【００１３】
【実施例】
本発明の実施例及び比較例において使用される電極チップ支持体は、次のようにして作られた：１００dの銀メッキが施されたナイロン繊維を用いて１×１リブ編みで編物を作製し、5mm×80mmサイズにカットした後、スライドガラス6mm×60mmの2枚により、挟み込み、内部を接着剤にてシールした。感応電極部は5mm×5mmサイズである。
【００１４】
実施例１
硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩(信越化学工業（株）製LS-6985) 1100 mg（0.00088 mol）、テトラエトキシシラン（TEOS）1250 mg（0.0060 mol）及びフェニルトリエトキシシラン（PTEOS）3365 mg（0.0140 mol）、溶媒としてメタノール2950 mg及び水1000 mg、並びに触媒として硫酸50 mg（0.0005 mol）を混合し、上記電極チップ支持体に塗布することにより、25μm厚みのイオン感応物質層を有する電極チップを作製した。
【００１５】
ガラス比較電極を基準電極として硝酸ナトリウム水溶液(10-6〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲)に作製電極チップを浸漬し(25℃)、その測定された応答電位をプロットし、直線性(応答こう配)を求めた。
【００１６】
25℃、１価の陰イオンにおけるネルンストの式：
E = E0 + 2.303RT/ZF・log a = E0 − 0.059・logＣ
式中、
E0：２５℃における標準電極電位
R：気体定数
T：絶対温度
Z：イオンの価数
F：ファラデー定数
a：イオン活量
C：試料溶液中の硝酸イオン濃度（mol/l）
である；
の理論的な勾配-59 mVに非常に近い勾配-58.1 mVの直線が、10-5.5〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲において得られた（図１の■）。
【００１７】
比較例１
硝酸イオン感応物質であるバソクプロイン銅(I)硝酸塩を以下のように合成した。
【００１８】
分液漏斗に蒸留水、硝酸ナトリウム約2.5g、クロロホルム約20ml、バソクプロイン(同仁化学研究所製)200mg、塩化銅(Ｉ)30mgを入れて、よく振り混ぜ、バソクプロインの銅錯体を合成した。有機相を分離し、クロロホルム臭がなくなるまで、数日間自然乾燥した。さらに乾燥後の生成物中のバソクプロイン銅錯体の純度をあげるために、エタノール・蒸留水の混合溶媒で再結晶をおこない、硝酸イオン感応物質であるバソクプロイン銅(I)硝酸塩[Cu(bcp)2] NO3を得た。
【００１９】
得られたバソクプロイン銅(I)硝酸塩[Cu(bcp)2] NO315mg（0.00002 mol）とマトリックス樹脂としてPVC 90 mg、液膜溶媒としてNPOE 200 mg（0.0008 mol）、溶媒としてTHF 2 gを混合した。該混合物を、上記電極チップ支持体のスライドガラスに挟まれていない部分の、5mm×5mmサイズに塗布・乾燥を3度繰り返すことにより、25μm厚みのイオン感応物質層を有する電極チップを作製した。
【００２０】
応答電位測定方法は、ガラス比較電極を基準電極として硝酸ナトリウム水溶液(10-6〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲)に作製電極チップを浸漬し(25℃)、その応答電位をプロットし、直線性(応答こう配)を求めた。
【００２１】
応答勾配-52.5mVの直線が、10-4〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲において得られた（図１の＋）
比較例２
硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩(信越化学工業（株）製LS-6985) 770mg（0.00062 mol）、テトラエトキシシラン1250mg（0.0060 mol）及びアルコール可溶メトキシメチル化ポリアミド(帝国化学産業（株）製トレジン)6250mg、溶媒として、メタノール4500mg及び水500mg、触媒として硫酸50mg（0.0005 mol）を混合した。その混合液を、上記電極チップ支持体のスライドガラスに挟まれていない部分の、5mm×5mmサイズに塗布・乾燥を３度繰り返し、25μm厚みの硝酸イオン感応物質層を有する電極チップを作製した。
【００２２】
実施例１と同様に、直線性(応答こう配)を求めた。
【００２３】
応答勾配-55.9mVの直線が、10-5〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲において得られた（図１の◆）。
【００２４】
【発明の効果】
本発明では、マトリックス樹脂がテトラエトキシシランとアルコール可溶メトキシメチル化ポリアミドの混合物であるイオン電極（比較例２）よりも、硝酸イオン濃度のより広い範囲において、ネルンスト式に合う応答電位が得られ、より感度の良いイオン電極を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１及び比較例１における応答電位測定の結果を示す。図１において、横軸は硝酸イオン濃度[mol/l]の常用対数、縦軸は応答電位（mV）である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、硝酸イオンセンサー用のイオン感応膜及び電極チップ並びにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】
以前、硝酸イオン感応物質であるバソクプロイン銅（I）硝酸塩錯体を表面に有する硝酸イオン電極チップの製造方法に関する特許出願（特願2002-161647）が出された。しかし、その生産において、液膜溶媒である2-ニトロフェニルオクチルエーテル及び溶媒のテトラヒドロフランの有害性が指摘される。そこで、環境にやさしい化学物質への変更を視野に入れた硝酸イオン感応膜、硝酸イオン電極及び硝酸イオン電極チップ、並びにそれらの製造方法を提供することが、本発明の目的である。また、より感度の良いイオンセンサーを提供することも、本発明の目的である。
【０００３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下の項１〜９の硝酸イオンセンサー用のイオン感応膜及び電極チップ並びにそれらの製造方法に関する。
項１． 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、及びマトリックス樹脂としてテトラアルコキシシラン類とArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）の縮合物を含むイオン感応膜。
項２． ArSi(O-G)3がフェニルトリエトキシシランである、項１に記載のイオン感応膜。
項３． テトラアルコキシシラン類がテトラエトキシシラン、ArSi(O-G)3がフェニルトリエトキシシランである、項１に記載のイオン感応膜。
項４． テトラアルコキシシラン類：ArSi(O-G)3のモル比が15〜40：85〜60である、項１に記載のイオン感応膜。
項５． テトラエトキシシラン：フェニルトリエトキシシランのモル比が30：70である、項３に記載のイオン感応膜。
項６． 項１〜５のいずれかに記載のイオン感応膜を含むイオン電極。
項７． 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、テトラアルコキシシラン類及びArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）を含む混合物を支持体に塗布し、乾燥させるイオン感応膜を製造する方法。
項８． 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、及びマトリックス樹脂としてテトラアルコキシシラン類とArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）の縮合物を含むイオン感応膜を有する電極チップ。
項９． 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、テトラアルコキシシラン類及びArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）を含む混合物を繊維状電極チップ支持体に塗布し、乾燥させ、イオン感応物質層を作る、電極チップの作製方法。
【０００４】
【発明の実施の形態】
本発明において、塩化ジメチルオクタデシル-3-トリメトキシシリルプロピルアンモニウムなどの第4級アンモニウム塩の硝酸イオン感応物質（0.1モル）、テトラアルコキシシラン類（0.5〜8モル）、ArSi(O-G)3（ここでArはフェニル基などのアリール基を表し、Gはメチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基又はフェニル基などのアリール基を表す。）（0.5〜8モル）、メタノール、水などの溶媒（1〜20モル）、並びに硫酸などの触媒（0.05〜0.5モル）を混合した混合物を乾燥させてイオン感応膜を製造する。
【０００５】
本発明におけるテトラアルコキシシラン類とArSi(O-G)3は加水分解縮合してマトリックス樹脂になる。従って、本発明におけるマトリックス樹脂は、下記の２つの単位構造を有する。テトラアルコキシシラン類：ArSi(O-G)3のモル比が15〜40：85〜60である。
【０００６】
【化１】
本発明におけるArSi(O-G)3として、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリフェノキシシランなどが挙げられ、特に好ましいのは、フェニルトリエトキシシランである。
【０００８】
本発明におけるテトラアルコキシシラン類には、単量体を用いるが、２量体や３量体などの部分縮合物を用いても良い。テトラアルコキシシラン類としては、例えば、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、ｎ−プロピルシリケート、ｎ−ブチルシリケートなどが挙げられる。
【０００９】
マトリックス樹脂の１例として、テトラエトキシシランとフェニルトリエトキシシランの縮合物があり、そのテトラエトキシシラン：フェニルトリエトキシシランのモル比は、約30：70が好ましい。
【００１０】
本発明によると、硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、テトラアルコキシシラン類及びArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）を含む混合物を、イオン感応膜を上に形成する従来の支持体に塗布し、乾燥させることにより、イオン感応膜を支持体上に形成し、これを従来のイオン電極中に用いることができる。
【００１１】
例えば、上記混合物を繊維状電極チップ支持体に塗布することにより、0.1〜3000μm、好ましくは10〜500μmの厚みのイオン感応物質層を有する電極チップを製造することができる。ここでいう、繊維状電極チップ支持体とは、銀などを繊維にメッキした導電性繊維の構造物（編物、不織布、織物など）をいう。
【００１２】
本発明における応答電位測定は、ガラス比較電極を基準電極として、硝酸ナトリウム水溶液のような硝酸イオンの水溶液に、本発明により作られたイオン電極又は電極チップを浸漬し（25℃）、その応答電位測定を行なう。
【００１３】
【実施例】
本発明の実施例及び比較例において使用される電極チップ支持体は、次のようにして作られた：１００dの銀メッキが施されたナイロン繊維を用いて１×１リブ編みで編物を作製し、5mm×80mmサイズにカットした後、スライドガラス6mm×60mmの2枚により、挟み込み、内部を接着剤にてシールした。感応電極部は5mm×5mmサイズである。
【００１４】
実施例１
硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩(信越化学工業（株）製LS-6985) 1100 mg（0.00088 mol）、テトラエトキシシラン（TEOS）1250 mg（0.0060 mol）及びフェニルトリエトキシシラン（PTEOS）3365 mg（0.0140 mol）、溶媒としてメタノール2950 mg及び水1000 mg、並びに触媒として硫酸50 mg（0.0005 mol）を混合し、上記電極チップ支持体に塗布することにより、25μm厚みのイオン感応物質層を有する電極チップを作製した。
【００１５】
ガラス比較電極を基準電極として硝酸ナトリウム水溶液(10-6〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲)に作製電極チップを浸漬し(25℃)、その測定された応答電位をプロットし、直線性(応答こう配)を求めた。
【００１６】
25℃、１価の陰イオンにおけるネルンストの式：
E = E0 + 2.303RT/ZF・log a = E0 − 0.059・logＣ
式中、
E0：２５℃における標準電極電位
R：気体定数
T：絶対温度
Z：イオンの価数
F：ファラデー定数
a：イオン活量
C：試料溶液中の硝酸イオン濃度（mol/l）
である；
の理論的な勾配-59 mVに非常に近い勾配-58.1 mVの直線が、10-5.5〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲において得られた（図１の■）。
【００１７】
比較例１
硝酸イオン感応物質であるバソクプロイン銅(I)硝酸塩を以下のように合成した。
【００１８】
分液漏斗に蒸留水、硝酸ナトリウム約2.5g、クロロホルム約20ml、バソクプロイン(同仁化学研究所製)200mg、塩化銅(Ｉ)30mgを入れて、よく振り混ぜ、バソクプロインの銅錯体を合成した。有機相を分離し、クロロホルム臭がなくなるまで、数日間自然乾燥した。さらに乾燥後の生成物中のバソクプロイン銅錯体の純度をあげるために、エタノール・蒸留水の混合溶媒で再結晶をおこない、硝酸イオン感応物質であるバソクプロイン銅(I)硝酸塩[Cu(bcp)2] NO3を得た。
【００１９】
得られたバソクプロイン銅(I)硝酸塩[Cu(bcp)2] NO315mg（0.00002 mol）とマトリックス樹脂としてPVC 90 mg、液膜溶媒としてNPOE 200 mg（0.0008 mol）、溶媒としてTHF 2 gを混合した。該混合物を、上記電極チップ支持体のスライドガラスに挟まれていない部分の、5mm×5mmサイズに塗布・乾燥を3度繰り返すことにより、25μm厚みのイオン感応物質層を有する電極チップを作製した。
【００２０】
応答電位測定方法は、ガラス比較電極を基準電極として硝酸ナトリウム水溶液(10-6〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲)に作製電極チップを浸漬し(25℃)、その応答電位をプロットし、直線性(応答こう配)を求めた。
【００２１】
応答勾配-52.5mVの直線が、10-4〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲において得られた（図１の＋）
比較例２
硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩(信越化学工業（株）製LS-6985) 770mg（0.00062 mol）、テトラエトキシシラン1250mg（0.0060 mol）及びアルコール可溶メトキシメチル化ポリアミド(帝国化学産業（株）製トレジン)6250mg、溶媒として、メタノール4500mg及び水500mg、触媒として硫酸50mg（0.0005 mol）を混合した。その混合液を、上記電極チップ支持体のスライドガラスに挟まれていない部分の、5mm×5mmサイズに塗布・乾燥を３度繰り返し、25μm厚みの硝酸イオン感応物質層を有する電極チップを作製した。
【００２２】
実施例１と同様に、直線性(応答こう配)を求めた。
【００２３】
応答勾配-55.9mVの直線が、10-5〜10-1 mol/lの硝酸イオン濃度範囲において得られた（図１の◆）。
【００２４】
【発明の効果】
本発明では、マトリックス樹脂がテトラエトキシシランとアルコール可溶メトキシメチル化ポリアミドの混合物であるイオン電極（比較例２）よりも、硝酸イオン濃度のより広い範囲において、ネルンスト式に合う応答電位が得られ、より感度の良いイオン電極を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１及び比較例１における応答電位測定の結果を示す。図１において、横軸は硝酸イオン濃度[mol/l]の常用対数、縦軸は応答電位（mV）である。
Claims (9)
- 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、及びマトリックス樹脂としてテトラアルコキシシラン類とArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）の縮合物を含むイオン感応膜。
- ArSi(O-G)3がフェニルトリエトキシシランである、請求項１に記載のイオン感応膜。
- テトラアルコキシシラン類がテトラエトキシシラン、ArSi(O-G)3がフェニルトリエトキシシランである、請求項１に記載のイオン感応膜。
- テトラアルコキシシラン類：ArSi(O-G)3のモル比が15〜40：85〜60である、請求項１に記載のイオン感応膜。
- テトラエトキシシラン：フェニルトリエトキシシランのモル比が30：70である、請求項３に記載のイオン感応膜。
- 請求項１〜５のいずれかに記載のイオン感応膜を含むイオン電極。
- 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、テトラアルコキシシラン類及びArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）を含む混合物を支持体に塗布し、乾燥させるイオン感応膜を製造する方法。
- 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、及びマトリックス樹脂としてテトラアルコキシシラン類とArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）の縮合物を含むイオン感応膜を有する電極チップ。
- 硝酸イオン感応物質である第4級アンモニウム塩、テトラアルコキシシラン類及びArSi(O-G)3（ここでArはアリール基を表し、Gはアルキル基又はアリール基を表す）を含む混合物を繊維状電極チップ支持体に塗布し、乾燥させ、イオン感応物質層を作る、電極チップの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002240838A JP3965571B2 (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 硝酸イオンセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002240838A JP3965571B2 (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 硝酸イオンセンサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004077388A JP2004077388A (ja) | 2004-03-11 |
| JP3965571B2 true JP3965571B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=32023514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002240838A Expired - Fee Related JP3965571B2 (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 硝酸イオンセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3965571B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011099257A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | パナソニック株式会社 | 電極板とその製造方法およびそれを用いた電気集塵機 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450943A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Hitachi Ltd | Anion selecting electrode |
| JP2567895B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1996-12-25 | 株式会社トクヤマ | イオン感応膜 |
| JP2504513B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1996-06-05 | 株式会社トクヤマ | イオン感応膜 |
| JPH02231560A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｆｅｔ型硝酸イオンセンサおよびその感応膜形成法 |
| JP2516450B2 (ja) * | 1990-04-02 | 1996-07-24 | 株式会社堀場製作所 | イオン測定用シ―ト型電極 |
| JP2000121602A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Nof Corp | イオン活量測定用ゾル−ゲル感応膜および測定装置 |
| JP2000119284A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-25 | Nof Corp | アルコキシシリル化クラウンエーテル誘導体、製造方法および用途 |
| JP2000119291A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-25 | Nof Corp | アルコキシシリル化ホウ酸塩誘導体、製造方法および用途 |
| FR2792226B1 (fr) * | 1999-04-16 | 2001-10-05 | Univ Neuchatel | Procede de depot d'une couche adherente de pvc et electrode obtenue selon ce procede |
| JP4538867B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2010-09-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 高分子電解質複合膜 |
| JP3975086B2 (ja) * | 2002-01-22 | 2007-09-12 | 株式会社常光 | 陰イオン選択性電極用応答膜 |
-
2002
- 2002-08-21 JP JP2002240838A patent/JP3965571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004077388A (ja) | 2004-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106226370B (zh) | 一种草甘膦分子印迹电化学传感器的制备方法 | |
| Pawlak et al. | PVC‐Based Ion‐Selective Electrodes with Enhanced Biocompatibility by Surface Modification with “Click” Chemistry | |
| Do Carmo et al. | Electrochemical behavior of titanium (IV) silsesquioxane occluded in the MCM-41 cavity and their application in the electro-oxidation of sulphite and dipyrone compounds | |
| JP3965571B2 (ja) | 硝酸イオンセンサー | |
| Salikhov et al. | Effect of the morphology of films of polyaniline derivatives poly-2-[(2E)-1‑methyl-2‑butene-1‑yl] aniline and poly-2-(cyclohex-2‑en-1‑yl) aniline on sensory sensitivity to humidity and ammonia vapors | |
| Ghaedi et al. | Designing and synthesis of bis (2, 4-dihydroxybenzylidene)-1, 6-diaminohexane and its efficient application as neutral carrier for preparation of new copper selective electrode | |
| CN109596668A (zh) | 基于铜离子修饰增强气体传感的气敏材料及其制备和应用 | |
| Li et al. | A carbon paste electrode modified with a cobalt (II) coordination polymer for the direct voltammetric determination of tryptophan | |
| Faridbod et al. | All solid sate potentiometric sensors for the measurement of paroxetine in pharmaceutical formulation | |
| JPH06503641A (ja) | アルカリ土類種に対して敏感な電界効果性トランジスタから成る集積電気化学センサーの表面ゲートの製造方法及び得られたセンサー | |
| Chai et al. | Highly thiocyanate-selective membrane electrodes based on the N, N′-bis-(benzaldehyde)-glycine copper (II) complex as a neutral carrier | |
| Kulapina et al. | Ion-selective electrodes for the determination of nitrogen-containing medicinal substances | |
| Kelly et al. | Selective sensing of guanidinium and tetraalkylammonium ions using lipophilic cyclodextrins | |
| El-Beshlawy et al. | Modified Screen‐Printed Microchip for Potentiometric Detection of Terbinafine Drugs | |
| Singh et al. | Nickel pyrazolyl borate complexes: Synthesis, structure and analytical application in biological and environmental samples as anion selective sensors | |
| Saad et al. | ISE-potentiometric sensor for the determination of zolmitriptan: applications in plasma, pharmaceutical formulation and in vitro release profile | |
| Schazmann et al. | Robust, Bridge‐less Ion‐selective Electrodes with Significantly Reduced Need for Pre‐and Post‐application Handling | |
| El-Sayed | The use of calixarene as ionophores in potentiometric ion-selective electrodes of naftidrofuryl oxalate using microsized membrane sensors for kinetic study of naftidrofuryl (NFT) degradation | |
| JP6634805B2 (ja) | 塩素イオン選択性電極 | |
| JPH04238263A (ja) | 味覚センサおよびその製造方法 | |
| Al-Qahtani | Potentiometric determination of Duloxetine Hydrochloride using coated Wire Electrode in pure and Pharmaceutical preparations | |
| Huang et al. | Studies of the chlorpheniramine solid-state ion-selective electrode | |
| Nebsen et al. | Miniaturized Membrane Sensors for the Determination of Orphenadrine Citrate | |
| JP2000121602A (ja) | イオン活量測定用ゾル−ゲル感応膜および測定装置 | |
| JP2000119291A (ja) | アルコキシシリル化ホウ酸塩誘導体、製造方法および用途 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050408 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070418 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070425 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070515 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |