JP3960652B2 - イオン打ち込み装置の走査効率改善装置及び方法 - Google Patents
イオン打ち込み装置の走査効率改善装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3960652B2 JP3960652B2 JP06354997A JP6354997A JP3960652B2 JP 3960652 B2 JP3960652 B2 JP 3960652B2 JP 06354997 A JP06354997 A JP 06354997A JP 6354997 A JP6354997 A JP 6354997A JP 3960652 B2 JP3960652 B2 JP 3960652B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- ion
- substrate
- implantation apparatus
- ion implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 14
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 213
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 124
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 36
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 141
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
- H01J2237/20228—Mechanical X-Y scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ターゲット基板にイオンを打ち込むためのイオン打ち込み装置に関し、より詳細には、イオン打ち込み中に、イオンビーム及びターゲット基板の少なくとも一方が、その他方に対して相対的に走査されるイオン打ち込み装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
イオン打ち込み装置は、半導体製品又は金属製品の製造に一般的に使用され、半導体基板又は金属基板にイオンを打ち込むことにより、所定の領域におけるかかる材料の導電率が変化するようになる。イオン打ち込み装置は、イオンビームを発生させるイオンビーム発生部と、イオンビーム中の特定のイオン種を選別する質量分析部と、イオンビームをターゲット基板上に向ける手段とを備えているのが一般的である。イオンビームの断面積は、ビームラインの形態、イオンビームに適用される集束角、ビームラインに沿ったガスの圧力、イオンビームのエネルギ及びイオンの質量のような因子に依存する。ターゲット基板におけるイオンビームの断面積は基板の表面積よりも小さく、ビームが基板全体に及ぶよう、1次元又は2次元走査で基板全体にわたってビームが通ることが必要とされることが多い。イオン打ち込みに一般的に使用される3つの2次元走査技術として、(i)静止した基板に対し、イオンビームを静電的及び/又は磁気的に偏向させること、(ii)静止したイオンビームに対してターゲット基板を機械的に走査させること、(iii)一の方向にイオンビームを静電的又は磁気的に偏向させ、一般的には一の方向に直交した他の方向にターゲット基板を機械的に走査させることを含むハイブリッド技術がある。
【0003】
半導体ウェハの製造における重要な目的は、処理時間を最小にし且つウェハのスループットを最大にすることである。イオン打ち込み処理における一般的な目的は、選別されたイオン種が正確なイオンのドーズ量でもってウェハに打ち込まれること、及び、ウェハ中のドーズ量が一様になることを確実にすることである。現在、半導体産業では、約1%又はそれより優れたドーズ量均一性が要求されているのが一般的である。
【0004】
走査によって、1つのウェハを処理するのにかかる合計時間のかなりの割合が費やされているのが一般的であり、したがって、走査処理中にイオンビームを効率的に使用することを確実にすることが重要である。このため、走査効率を改善するための多くの技術が提案されている。
【0005】
ロバートソン(Robertson)等による米国特許4,421,988号には、互いに直交した2対の電極を用いて静電的にビームを偏向させることにより、静止した単一のウェハの表面中をイオンビームを2次元で走査するための装置が開示されている。垂直方向すなわちy方向の走査の任意の位置から、水平方向すなわちx方向の走査における走査の長さが、ウェハの寸法に実質的に一致するよう制御されて、イオンビームがウェハの縁部をオーバ走査(overscan)する数量を最小にしている。x方向の走査は、周波数が走査の長さによって決定される三角波形を有する電圧を電極に印加することにより作り出される。y方向の走査は階段状に徐々に進行し、各x方向の走査の終わりには初期化され、ビームがウェハを通って一連のパラレル走査をするようになる。走査パターンは、三角波形の周波数を制御するROMに記憶されている。ROMは、種々のウェハの大きさに適した多くの走査パターンをもってプログラムされうるようになっている。
【0006】
ミロン(Miron)による米国特許4,736,107号及び米国特許4,761,559号には、イオンビームがx方向及びy方向に、同時に同じ速さで静電的に走査され、45゜に配向した走査線を作り出すイオン打ち込み装置用のイオンビーム走査装置が開示されている。走査パターンは、米国特許4,421,988号に開示されたものと同様であり、ウェハの大きさに応じた所定の走査パターンが、書き換え可能な読み取り専用メモリ(PROM)に記憶されている。走査電極制御電圧(scanning electrode control voltages)をCRTについての水平方向の掃引に適用し、ウェハに当たるイオンビームの電流を測定するファラデーカップセンサからの信号を垂直方向の掃引に適用することにより、イオンビーム電流はビーム位置の関数としてモニタされる。走査電極からウェハまでイオンビームが飛行する時間を許容するために、遅れが走査電極からの信号に導入される。CRTディスプレイにより、操作者がイオンビームを集束して調整し、また、走査の長さを調整してオーバ走査の数量を最小にするようにしている。
【0007】
さらに、バッカー(Bakker)による米国特許4,260,897号には、単一のウェハの全表面にわたってイオンビームを静電的に偏向させることを含んでいるイオン打ち込み装置用の走査装置が記載されており、この場合、上記参考文献に開示されるように、走査パターンにより、互いに一定の距離だけ離れた一連のパラレル走査線が描かれる。円形状のウェハの縁部を越えてイオンビームが走査する数量を制御するために、ウェハの縁部に近接して電気伝導性の弓状の帯状体が2つ配置されてビーム電流を検知している。イオンビームが弓状の帯状体の1つに衝突したときは、電圧パルスが発生してセットリセットフリップフロップに送られて状態が変化し、y方向の走査の増加又は減少が生じ、また、x方向の走査の向きも反転するようになる。同様に、直径方向に対向したセンサが、ウェハの最上縁部及び最下縁部に近接して配置され、さらに、ビーム電流を検出してy方向の走査の向きを制御している。
【0008】
トキグチ(Tokiguchi)等による米国特許4,633,138号とベリアン(Berrian)等による米国特許4,761,559号とには、ハイブリッド型の走査装置が開示されており、この場合、イオンビームが磁気的な偏向によりウェハを水平方向に通って走査され、また、ウェハは機械的に走査されて垂直方向にイオンビームが通っている。前者の参考文献では、機械的な走査装置は、複数のウェハが載置され、直線に沿ってイオンビーム内に連続的に導入される支持体を備えている。イオンビームの位置における円形状のウェハの幅は、ウェハの側部に配置されたLEDやフォトダイオードのアレイを使用して、対応する垂直方向の位置の直上のウェハの幅をモニタすることによりモニタされる。機械的走査における任意の垂直方向の位置では、ビームの掃引の幅が制御されて、上記光検出器によって発生した信号を読み取る信号変換器により、ウェハとほぼ同一の幅になる。機械的な走査装置は、ウェハの検出された幅に反比例して支持体の速度を変える支持体速度コントローラを備えている。
【0009】
後者の参考文献では、単一のウェハが垂直方向に機械的に走査され、水平方向には磁気的に走査されている走査装置が記載されている。ウェハを支持し支持体の一縁部に近接して、ファラデー検出器が配置されてイオンドーズ量をモニタし、ウェハ中で均一なドーズ量を得るよう、機械的な走査速度を制御するために使用されている。水平方向の高速走査では、ターゲットウェハの縁部に近接したドーズ量の正確さが確保されるために、おおよそビーム直径の半分の距離だけ、イオンビームがターゲットウェハの縁部を越えて走査される。イオンビームは、水平方向の走査回数よりも少ない頻度でもってファラデー検出器までオーバ走査されて、イオン打ち込み中にドーズ量をモニタする際、ビーム利用効率の減少を緩和するようにしている。機械的な走査により方向が反転するときの加速及び減速中の打ち込みにより、機械的な走査において、走査効率は増加してオーバ走査が減じられる。これは、垂直方向の走査におけるウェハの位置に対して、水平方向の走査速度を変えることにより達成される。
【0010】
ヒロカワ(Hirokawa)等による米国特許686,995号には、ウェハ基板が機械的に2次元で走査されて静止したイオンビームが通る走査装置が開示されている。走査装置には、複数のターゲットウェハが周縁部に近接して載置される円板が備えられて高速で回転して、ウェハが連続的に且つ繰り返して走査され、弓状の走査経路方向にしたがってイオンビームが通るようになっている。円板は支持アセンブリに取り付けられて垂直方向に動いて、ウェハが径方向にゆっくりと走査されるようになっている。ウェハ間の円板の領域は取り除かれ、円板の下流に設置されたファラデーカップによりイオンビームが検出されるようにしている。ビームのドーズ量は、イオン打ち込み中にファラデー検出器によりモニタされ、垂直方向のスピードはビーム電流に応じて変わって、ウェハを横切るイオンのドーズ量の均一性が確保される。
【0011】
アームストロング(Armstrong)等による米国特許4,672,210号には、回転円板を含む機械的な走査装置が開示されており、この場合、断面が長方形のイオンビームが、オーバ走査を減じると同時に縞を付ける(striping)のを回避するため、径方向の走査方向に対して斜めに向いている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、走査効率が改善された走査装置を提供することである。
【0013】
本発明によれば、イオンを基板に打ち込むためのイオン打ち込み装置が提供され、イオンビームを発生させるためのイオンビーム発生部と、ビームイオンでもって打ち込まれる一以上の基板を支持するための支持手段と、基板の少なくとも1つとイオンビームとを相関的に走査させ、所定の経路にしたがってビームが基板を通るようにする走査手段とを備えている。モニタリング手段が、基板に入射するイオンビームの断面積の大きさが変化するのを、イオンビームが基板に入射する走査の位置からイオンビームの一部もが基板に入射しない位置まで、イオンビームが基板の縁部を通っているときに、モニタするように配置されている。本発明は、モニタリング手段にしたがい、イオンビームが基板の縁部を横切って通るとき、基板に入射する断面積の大きさがゼロに達する時点を検出するための検出器と、かかる時点を検出する検出手段にしたがい、イオン打ち込み装置の後続の操作を行うための操作手段とを備えている。
【0014】
好適な実施形態では、モニタリング手段は、ファラデーカップのようなイオンビームをモニタリングする手段を備えている。
【0015】
操作手段は、走査方向の変化を制御するためのコントローラを備えてもよい。代わりに、又は上記に加えて、操作手段が、ビーム電流又はドーズ量のような測定されたイオンビームのパラメータを、電気的な記憶装置に記憶するための処理装置を備えてもよい。
【0016】
したがって、本発明の一態様では走査装置が提供され、この場合、イオンビームが基板の縁部を通って、イオンビームがターゲット基板から正に離れる時点に信号が発生し、その結果、走査の反転のようなイオン打ち込み装置のさらなる処理が開始されるようになる。都合のよいことに、この装置は、イオンビームが正に十分にウェハから離れる実際の時点を、従来技術の装置で必要とされるようなビームの幅、ウェハの寸法又はウェハの位置について仮定する必要なく、正確に決定するようにすることができる。したがって、この装置を用いて、基板縁部におけるイオンドーズ量の正確さが確保され、さもなければ、イオンドーズ量は、ウェハの寸法若しくは位置又はビームの幅についての不正確な仮定に由来するようになる。また、イオンビームがウェハから離れる時間を最小にし、ビームの利用効率を実質的に増すことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を、図面を参照して述べることとする。
【0018】
図1を参照すると、全体に符号1と付したイオン打ち込み装置が、イオンビームを発生させるためのイオンビーム発生部3、打ち込み用の特定のイオン種を選別するための質量分析部5(例えば、磁石)、及び、不要なイオン種を取り除く空間フィルタとイオンビームを集束させる手段とイオンビームのエネルギを制御する手段とを含むイオンビームコントローラ7を備えている。図1及び図3を参照すると、イオン打ち込み装置1には、ターゲット基板支持アセンブリ9が含まれ、複数のターゲット基板14、例えば半導体ウェハを支持するようになっている。支持アセンブリ9には回転ホィール11が備えられ、複数の基板支持体13が、各アーム部すなわちスポーク部17によって、中央ハブ部15から径方向に間隔を置いて配置され且つ中央ハブ部15に接続されている。スポーク型ホィール(spoked wheel)11は、回転可能に走査アーム19の一端部に取り付けられ、重心軸21の周りで自由に回転することができる。走査アーム19はほぼ直立し、その他端部が走査駆動アセンブリ23に回転可能に取り付けられ、走査アームが軸25の周りで回転するようになっている。
【0019】
ファラデーカップ(faraday cup)又はファラデー容器(faraday bucket)27が、回転ホィールの下流側に配置され、スポークホィール11を越えて通る全てのイオンビームを受容するようになっている。ビーム電流モニタ29がファラデーカップに接続されて、ビーム電流をモニタし、出力時にビーム電流振幅を指示する信号を発生するようになっている。走査コントローラ31がビーム電流モニタ29の信号を受容し、以下より詳細に述べるように、走査駆動部23を制御している。
【0020】
イオン打ち込み中は、ホィールを、例えば1200rpmのような比較的高速で回転させ、各ウェハを弓状の走査経路33に沿って連続的に且つ繰り返してイオンビームに導入する。同時に、走査アーム19を走査駆動部23によって駆動軸25の周りで回転させ、中心が軸25である弧35に沿ってホィール11を駆動してターゲット基板14を走査し、径方向37にイオンビームが通るようにしている。1回の打ち込み中、ウェハが端から端まで走査されてビームが径方向37に10〜200回又はそれ以上通るようにしている。打ち込みの終わりには、処理されたウェハをホィールから取り除き、新しいウェハをつぎの打ち込み処理のために供給する。
【0021】
イオン打ち込み中には、打ち込み累積ドーズ量をモニタし、打ち込み処理中に適切な測定をして、イオンが正確な最終ドーズ量まで打ち込まれるのが確保されることが重要である。累積ドーズ量は、各外向き走査の終わりに(すなわち、ホィール11が動いてビームから外れている)、ホィール11及び基板14がビームラインから完全に離れてからファラデーカップによって集められた全ビーム電流を測定することによってモニタすることができる。従来から、走査アームがいったん初期の走査位置に戻るとすぐに全ビーム電流が測定されて、この場合、ビームが考えられる最大の幅になっていても、ホィールがビームラインから十分に離れていることが確信をもって言われている。この方法では、ビーム電流を測定する前に、ホィールがビームから十分に離れてドーズ量が正確に測定されるのが確保され、ビームエネルギ、ビームラインのガス圧力、ビーム中の特定のイオン種及び集束角のような因子に依存するビームの幅を測定する困難性が無視されるようになる。光学的又は他の位置検出器が、初期の走査位置に走査アームが戻って走査駆動を止めるときを検出するために用いられる。このとき、ビーム電流を測定し、同時に、走査アームが初期の走査位置で静止してつぎの内向き走査が始まる前にビーム電流又は累積ドーズ量を記録する。
【0022】
さらに、図1及び図3に示される機械的な走査装置では、ウェハ基板の全幅にわたって、径方向の走査速度を正確に維持することが重要である。走査の方向を逆にするとき、ホィール及び走査アームの慣性により、有限の時間間隔(a finite interval of time)が必要とされる。したがって、走査の方向を逆にする前にホィールがイオンビームから完全に離れていることが確保されているのが重要である。もし、走査が予定よりとても早く反転した場合、すなわち、イオンビームがウェハの縁部にまだ当たっている場合、アームが減速するにつれて径方向の走査速度が正しい走査速度以下にまでに減じられ、ウェハの後ろ部分が本来より多くの時間をイオンビームに費やし、より多くのドーズ量を受容する。また、ビーム縁部の正確な位置を知るのは困難であるので、あらかじめ、考えられるビームの最大の幅だけ、ホィールがイオンビームから完全に離れているのが確信をもって言われている極限位置まで、ホィールを移動させる。しかしながら、上述したように、ビームの幅は、多くの異なるパラメータに依存し、基本的には1mm〜10cmまで変化することができる。したがって、最大値以外の全てのビーム幅の値について、各走査の終わりにはウェハが必要以上に多くの時間を費やしてビームから外れるようになる。本発明の一態様は、イオンビームの有効に使用するために走査の反転時間を減じていることに関する。
【0023】
本発明の一態様においては、イオンビームが基板縁部を横切って通るとき、基板に入射するイオンビームの断面積の大きさの変化をモニタするためのモニタと、モニタにしたがい、基板に入射するイオンビームの断面積の大きさがゼロに達する時点、すなわち、ウェハがビームとの当たりを正にさける時点又はその逆の時点を検出するための検出器とが使用されている。したがって、このような時点を検出器が検出することを用いて、イオン打ち込み装置のその後の操作が開始され、特に都合の良いことには、例えば、走査の反転が開始され、又は、ドーズ量測定やビーム安定性測定のためのビーム電流測定のようなイオンビームのパラメータの記録が開始される。
【0024】
本発明の他の一態様では、検出器が配置されて基板に入射するビームの断面積の大きさが最大値に達した時点を検出するようになっており、かかる状況では、イオンビームが基板の縁部に入射して基板の縁部にある時点の指示が与えられる。モニタはビーム電流を測定するための手段を備えているのが好適である。モニタは、基板に入射しないビームの電流を測定するように配置され、基板に入射するイオンビームの断面積の大きさの変化をモニタする主とした機能を果たしているだけでなく、ビーム電流を直接測定してドーズ量の計測・計算をするようになっているのが都合がよい。或いは、モニタが基板に入射するビームの電流をモニタするために配置されてもよい。他の実施形態では、モニタがイオンビームの存在に感応する手段、及び、イオンビーム断面積の変化に感応する手段を備えてもよい。
【0025】
図2には、イオンビームがターゲット基板から十分に且つ正に離れた時点を検出するための装置の実施形態が示されている。この装置には、ビームが基板の縁部を横切って通るとき、ターゲット基板に入射するビームの断面積の大きさが変化するのをモニタするモニタ29が備えられている。このようなモニタは29は、例えば、イオンビームを測定するために配置されてもよく、ターゲット基板に入射するイオンビーム又はターゲット基板に入射しないイオンビームを測定するために配置されてもよい。モニタ29は、検知されたビーム電流の大きさ示す出力信号を発生することができる。検出器39はモニタ29の出力部と結合し、ビームが基板の縁部を横切って通るときに、基板に入射するイオンビームの断面積がゼロに達する時点が検出されるようになっている。モニタ29は、ターゲット基板に入射しないビームの電流をモニタするために配置されている場合、基板に入射するビームの断面積の大きさがゼロに達する時点が、モニタされたビーム電流が最大値に達することを意味している。したがって、検出器は、モニタされたビーム電流が最大値に達する時点を検出するように配置されている。
【0026】
或いは、モニタ29がターゲット基板に入射するビームの電流をモニタするために配置されている場合、基板に入射するビームの電流の大きさがゼロに達するならば、その時点は、モニタされたビーム電流がゼロ又は最小値に達していることを意味している。この場合、検出器39は、モニタされたビーム電流が上述の値に達した時点を検出するように配置されている。
【0027】
ターゲット基板に入射するビームの電流がゼロに達する時点を検出すると、検出器39は、イオン打ち込み装置のその後の処理を制御したり又は開始したりすることができる出力信号を発生させる。図2に示される詳細な実施形態では、コントローラ41が検出器39の出力部に接続され、ビーム電流やビーム安定性のような種々のイオンパラメータの記録と走査とを制御している。したがって、走査駆動部43及びレコーダ45が動作可能にコントローラ41に結合している。レコーダ45は一以上の検出器47からの測定値を受け取り、イオン打ち込み装置におけるパラメータを測定するようになっている。
【0028】
図2に示された装置で具体化された原理は、走査を用いるあらゆるイオン打ち込み装置に適用され、それには、静止した又は動いているターゲット基板に対して、イオンビームを偏向することにより走査するイオン打ち込み装置、又は、静止したイオンビームに対して基板を走査するものが含まれている。
【0029】
再び図2を参照すると、その装置は、モニタ29からの出力信号をゲートで制御するゲート手段49を任意に備え、検出器39がモニタ29からの信号出力をより小さい連続ベース(continuous basis)で受け取るようにしている。ゲートの周波数は、イオン打ち込み装置の他のパラメータが制御してもよい。
【0030】
一の実施形態では、ゲート手段49は、参照位置に対してターゲット基板の位置を検知するための位置検出器51と、位置検出器51からの出力信号にしたがって、モニタ29の出力をサンプリングするサンプリング回路53とを備え、ターゲット基板が所定の位置にあるか又は所定の位置に達したかが示されるようになっている。都合の良いことに、本実施形態は、ターゲット基板が機械的に走査されてイオンビームが通るイオン打ち込み装置に組み込まれてもよく、詳細には、ターゲット基板が機械的に走査されて、イオンビームが比較的高速で第1の所定の経路に沿って通り、且つ、比較的低速で第2の所定の経路に沿って通るイオン打ち込み装置、例えば、図1に示される、径方向に走査される回転ホィール又は円板の装置に組み込まれてもよい。図2の装置が使用される上述のようなイオン打ち込み装置に使用される方法を、図3〜図15を参照して、以下述べる。
【0031】
詳細な実施形態において、走査装置には重心軸21の周りで比較的高速で回転するホィールが備えられ、比較的低速で弧を通ってホィールを並進運動させる走査アーム19に取り付けられている。円形状の複数の半導体ウェハ14がホィール11の周囲に取り付けられ、ホィールの回転のときにイオンビームに連続的且つ繰り返して導入される。同時に、半導体ウェハ14は、弧に沿って端から端まで ホィール11を動かす走査アーム19によって径方向に走査されてイオンビームが通っている。
【0032】
打ち込み処理の始まりには、走査アーム19をホィール11が十分にイオンビーム4から離れた位置にし、ホィール11を加速して、例えば、所要の打ち込みドーズ量に応じて選択された正しい回転速度に達するようにする。つぎに、走査アーム19を加速して、ウェハ14の外側縁部16にイオンビームを正に打ち込むときに必要とされる内向き径方向の初期走査速度までにする。ウェハ中で一様な打ち込みドーズ量が得られるよう、イオンビームとホィール11の回転軸21との間の距離の逆数(inverse distance)に比例する因子により、径方向の走査速度が増加し、イオンビームが通る任意の径方向の走査のイオンドーズ量が、その径方向の走査におけるホィールの位置に無関係となければならない。
【0033】
ウェハ14を完全に通過させてイオンビーム4が他側まで通った後は、走査アーム19を減速して方向を逆にし、そして、走査アーム19を加速して、ウェハ14の内側縁部18に衝突するイオンビームに適した外向き径方向の初期走査速度までにする。打ち込みドーズ量がウェハ14中で一様になるように変化する速度で、すなわち減速する速度でウェハ14を走査して、その内側縁部14から外側縁部16まで再び完全にビームを通す。ホィール11がイオンビーム4から全く離れた後は、径方向の走査においてホィール11を減速して方向を逆にし、そして、ホィール11を再び加速して、正しい内向きの径方向初期走査速度にし、ビーム4が通る3回目の通過を行う。所望の打ち込みドーズ量に達するまで、径方向の走査を上述したように端から端まで行う。
【0034】
図3及び図4を参照すると、ウェハ14の下流側にファラデー容器27が配置され、ターゲットウェハ14によって遮断されない全ビームの電流を集めるようにしている。
【0035】
図3〜図6には、ホィール11がイオンビーム4との当たりをさける前に、図2の装置を使用して全ビーム電流を測定して記録する方法の一例が示されている。図3及び図4には、イオンビーム4が隣り合う2つのウェハ基板A,B間の中間位置の付近にある回転走査中のホィールの位置が示されている。回転走査中でのホィールは、ウェハ基板A,Bが回転走査を通じて中間位置の付近にあるように位置している。隣り合う基板A,Bは、イオンビーム4が横切って通る最大寸法以下である最小距離だけ離れて配置され、最小寸法と同じ方向に測定され、その結果、このような走査位置では、イオンビームの一部が隣り合う基板A,Bの両方に当たり、同時に、図3にハッチングされた領域20,22で示されるように、イオンビーム4は上側ウェハAの下側部分と、下側ウェハのBの上側部分に当たるようになる。隣り合うウェハA,B間の間隙を通って流れ、ファラデー容器27の背面部28(ビームストップ部)に当たるイオンビームの断面積の大きさは、図4のハッチングされた領域30として示されている。ファラデー容器27は、ターゲット基板に入射しないビームの電流の大きさを示す電流を出力する。回転走査中にターゲット基板A,Bが同じ位置にある場合、イオンビームが流れる隣接基板間の間隙の形状は、ホィールが回転走査中に並進運動するにつれて変化し、したがって、ファラデー容器27の背面部30に当たるビームの電流も変化する。ホィール11が径方向の走査中に移動してイオンビームから外れた場合、例えば、図4の矢印32で示されるように右側に外れた場合には、回転走査中の位置が同じとき、ホィール11は、結果として、イオンビーム4が隣り合う2つのウェハA,Bの縁部24から正に離れた径方向の走査時の位置に達し、全イオンビーム電流はファラデー容器27に集められる。
【0036】
図2を参照すると、検出器39を配置して、隣り合う2つの基板A,Bに同時に入射するビームの断面積の大きさがゼロに達した時点を検出することができるようになっており、それから、コントローラ41がレコーダ45を制御してファラデー容器27によって集められるビーム電流を記録するようになっている。一の実施形態では、ファラデー容器27によってモニタされるビーム電流が、ウェハ基板14が位置検出器51によってモニタされながら、回転走査中において特定の位置にあるときのみ、サンプリングされてもよい。詳細には、図3〜図6に示されるように、検出器39に供給されるビーム電流信号は、選択された2つのターゲットが隣接し且つイオンビームの中心からほぼ等距離になっている回転走査の位置と同期している。モニタからのビーム電流信号は、ホィールの回転毎に1回以上、又は、ホィールが数回回転する毎に1回、サンプリングされる。
【0037】
都合のよいことには、たとえホィールが依然としてイオンビーム内にあるとしても、イオンビームがターゲット基板に入射しない時間又は回数を検出することにより、ホィールがビームから離れる前に、全ビーム電流が記録されてドーズ量が測定されるようになる。さらに、全てのイオンビームがファラデー容器によって「認識されうる」時点とホィールがイオンビームとの当たりを正にさける時点との間に、十分な時間間隔がある場合、全ビーム電流を複数回測定して、イオンビーム安定性の測定をすることができる。例えば、全ビーム電流を回転走査中の他の位置、例えば、ホィールが1回転するときに他の基板間でサンプリングしてもよく、ビーム電流を幾つか又は全ての基板間でサンプリングしてもよい。したがって、イオンドーズ量やイオンビーム安定性のようなビームパラメータを、各走査の終わりまでに測定することができ、その結果、そのような測定を行うのに必要とされる時間を、走査の反転中にホィールがビームから離れる期間から取り除くことができ、走査の反転時間が短縮され、ビームの利用効率が増す。
【0038】
図3〜図6に示されるように、ビームの断面積及びウェハが円形状になっている特定の幾何学的配置の場合、選択された回転走査の位置は、ホィールが径方向の走査にしたがって動くつれ、全ビーム電流がファラデー容器27によって最初に検出されるところである。言い換えると、この回転走査では、径方向の走査中に全ビーム電流を測定し記録する最先の機会が与えられる。基本的に、ビーム電流がモニタされる回転走査の位置は、径方向の走査中に全ビーム電流が最先の機会に受け入れられるように選択されるべきであるのが好適であるが、最適な回転位置は、種々のビーム及び基板の幾何学的配置に対して異なる場合がある。
【0039】
図7及び図8には、図2の装置を用いて、ホィールが外向きの径方向走査の終わりに、ビームとの当たりを正にさける時点を検出することができる方法が示されている。図7及び図8には、径方向の走査中のイオンビームに対し、ホィールの異なる3つの位置が示され、回転走査については2つの異なる位置がある。図7には、図3〜図6に示すように、隣り合う2つのウェハA,Bがビームの両側部に存在し、ビームの中心線から等間隔離れて配置されている回転走査の位置が示され、また、図8にも、単一のウェハがビームラインの軸線に最も近接している回転走査の位置が示されている。このような例では、ビームの断面はウェハの寸法よりも大きいが、実際には、ビームの断面はウェハの寸法よりも小さいのが基本的である。
【0040】
図7を参照すると、ホィール11が矢印32で示されるように右に移動するとき、ホィール11は、径方向の走査にしたがって並進運動して、イオンビームが隣り合う2つのウェハに同時に当たる位置53から、隣り合う2つのウェハA,Bがイオンビームから正に外れる中間位置55まで達し、これは、図5及び図6に示される位置に相当し、このとき、全ビーム電流を測定して記録することができる。
【0041】
図8を参照すると、ホィール11が径方向の走査中に右に並進運動するとき、ビームの軸線に最も近接したウェハAが動いて、イオンビーム4が実質的にウェハAに当たる位置53から、図7に示される径方向の走査の中間位置55に相当する中間位置55(このとき、全ビーム電流がファラデーカップにより検出されうる)を通って、イオンビーム4に最も近接したウェハAがビームから正に離れる位置57まで達する。
【0042】
図2に示される装置を配置して、ホィールがイオンビームとの当たりを正にさける離れる時点を、例えば、ファラデー容器27に当たるビームの電流をモニタすることにより検出してもよく、また、イオンビーム電流が回転走査によらずに最大値に達する時点を検出してもよい。或いは、ゲート回路49を用いて、ファラデー容器27からのビーム電流を、単一のウェハがイオンビームに最も近接する回転走査の位置で、好適には、図8に示されるように、ウェハAの外側縁部16上の極大点40が、ホィールの軸線21からイオンビームの縁部上の最近接点44まで延びたホィール11の径方向42上にある回転走査の位置でサンプリングし、ビーム電流が最大値に達するとすぐに、ウェハがビームから十分に離れるのを確保するようにしてもよい。このため、ホィールがビームとの当たりを正にさけるのを示す検出器39からの信号にしたがって、コントローラ41が走査の反転を開始する。したがって、この装置は、イオンビームの断面の形状又は幅に関わりなく、ホィールがビームから実際に離れた時点を積極的に(actively)検出し、走査の方向が反転した時点を正確に決定することができ、走査の反転時間が最小化される。或いは、図13及び図15を参照すると、図7及び図8に示される2つの回転走査位置を用いて、以下述べるように、ホィールがビームを離れる時点を検出することができるようになっている。
【0043】
図9及び図10には、複数の基板を支持するホィールの他の実施形態が示されており、外向きの径方向の走査の終わりにホィールがビームから正に離れる時点を検出するのに役立つよう、また、内向きの径方向の走査中に、ウェハの内側縁部がビームから離れる時点の検出を許容するよう、本実施形態は修正されている。本実施形態では、隣り合う2つのスポーク60,62間に配置されてマスク59がホィールに含まれ、ホィールが回転軸21の周りで回転しているとき、ウェハ14の外側縁部16上の極大点40で描かれた軌跡上に存在している外縁部61が備えられている。同様に、マスクには、ホィールが回転軸21の周りで回転しているとき、最も内側の点46によって描かれる軌跡上に存在している内縁部63が備えられている。
【0044】
図9には、隣り合う2つのウェハA,Bがイオンビームの両側部にある回転走査中の位置に対して、径方向の走査のホィールの2つの位置が示されている。ホィール11が外向きの径方向の走査にしたがって動くとき、ホィールは依然としてビームの内部にあるが、全イオンビームが隣り合う2つのウェハA,B間を通る第1の位置53に、ホィール11が達している。この位置53は、全ビーム電流が最初に測定可能となる図5及び図6に示される位置に相当する。
【0045】
さらに、図10には、ホィールの軸線21に最も近接したイオンビーム4の縁部上の点44と隣接しているホィールの径方向42上に、マスク59が存在している回転走査中の位置以外で、径方向の走査のホィールの2つの位置が示されている。イオンビームに最も近接しすなわちイオンビーム4の縁部と隣接した最も短いホィールの径方向42上に、マスク59が存在する回転走査の一以上の位置で、ビーム電流がモニタされることにより、ホィール11がビームから正に離れる時点を、図2の装置は検出することができる。マスク59は、ホィールが回転するときにウェハによって描かれる円形状の経路にしたがって、ウェハの最外縁部の長さを効率的に増すのに役立ち、その結果、マスクが動いてビームが通るときにイオンビーム電流がモニタされる回転位置は、あまり重要ではなくなり、ファラデーカップによって集められるイオンビームの電流は、長期間にわたって一定に保たれ、ウェハが回転しているときに、明確に認識される鋭いビーム電流の最小値が与えられる。さらに、図1に示されるように、ウェハの縁部は突出して各支持体の縁部を越えているのが好適であるが、支持体は、把持装置(clamping arrangement)や簡単な緩衝体を、ホィールの径方向の先端部においてウェハの縁部を越えて配置してもよく、それによって、ホィールによって描かれる円状の経路のうちの最外縁部が、ウェハの縁部によってではなく、把持装置又は緩衝装置によって画成されるようになる。かかる場合、マスクがウェハの実際の外側縁部を画成するとき、ウェハがビームとの当たりを正にさける時点は、「ウェハ」の位置よりむしろ、「マスク」の位置におけるビーム電流を正確にモニタすることにより(すなわち、この場合、ウェハよりもマスクがイオンビームに近接している)、一層正確に決定することができる。
【0046】
一以上の他のマスクが他のスポーク19間に付け足され、ビーム電流を他の回転位置においてもモニタし、ホィールがイオンビームから完全に離れる時点を検出することができるようになる。図9及び図10に示される実施形態では、付加的な(one further)マスク65が、第1のマスク59と径方向で対向してさらに付け足され、ホィール11をバランスさせるのにも役立っている。しかしながら、ホィールに対するマスクの領域は最小に維持し、イオンビームがマスク材料を汚染させるのを回避するのが好ましい。したがって、マスクを1つだけ使用して、ウェハに近接したホィールの表面積を増加させることなく、ホィールを修正することにより、ホィールのつり合いをとるようにするのが好適である。
【0047】
図11及び図12には、径方向の走査の種々の位置にあるホィール11が示され、この場合、ホィール11の回転軸21が矢印34に示されるように左側に移動してイオンビーム4の方に向かうとき、ホィール11が内向きに移動してイオンビームが通っている。図11及び図12に示される装置では、ビームの断面積は十分に小さく、また、隣り合う2つのスポーク間の間隔は大きくなって、全イオンビームの領域が収容されるようになっている。ホィールが径方向の走査中に左に移動するとき、位置67に達しており、この場合、図11に示されるように、イオンビームが実質的に2つのウェハA,B間の中間位置にある回転走査時の位置において、イオンビームが2つのウェハA,Bの縁部から正に離れて、全ビーム電流がファラデー容器27に当たるようになる、図2の検出装置は、図11に示される回転走査の位置に対して、隣り合う2つのウェハA,Bに同時に入射するビームの断面積の大きさがゼロに達する時点を検出することができ、その結果、ウェハ14の内側縁部18がビームから完全に離れる前に、全ビーム電流を測定し且つ記録することができる。もちろん、イオンビームの断面がとても大きく、スポーク間を通ることができない場合には、全ビーム電流を同時に検出することは不可能となる。
【0048】
図12には、マスク59を使用して、ウェハ14の内側縁部18がビームとの当たりを正にさける時点を検出する方法が示されている。ホィール11が動き続けて、イオンビームが内向き径方向の走査にしたがって通るとき、ホィールは位置69に達しており、この場合、マスク59の内縁部63がイオンビームから正に離れ、全イオンビームが隣り合う2つのスポーク間を通っている。ウェハに入射するイオンビームの断面積の大きさがゼロに達した時点は、ファラデー容器27で測定されたビーム電流が最大値に達することを意味する。例えば図12に示されるように、マスク59がイオンビーム4に最も近接しすなわちビームの縁部上の最外点70に隣接したホィールの径方向42上に存在している回転走査の位置において、図2の検出装置は、ファラデー検出器でビーム電流をサンプリングすることができる。
【0049】
或いは、内向きの径方向の走査時に、ウェハ14の内側縁部18がビーム4から離れる位置にホィール11が達した時点は、イオンビームの外縁部72がマスク59の外縁部61と一致している時点を検出することによって、すなわち、ファラデー容器27に入射するビームの電流がゼロに達する時点を検出することによって測定することができる。ホィール11が内向きの径方向の走査にしたがって、ウェハの幅に等しい距離だけ動くのに必要とされる時間が、径方向の走査時のホィールの運動学から計算されるとき、ウェハの内側縁部がビームの縁部から正に離れる時点を予測することができる。しかしながら、この方法の正確さは、径方向の走査にしたがったホィールの速度及び加速度を記述するウェハの直径及び運動パラメータに関し、一定の仮定にしたがっており、このことにより誤差が導入される。したがって、上述した直接検出する方法が好ましい。
【0050】
たとえ、イオンビームが大きくて一対の隣り合うスポーク間を通ることができない場合であっても、イオンビームがウェハの最内縁部から正に離れる時点が、ビームの寸法にかかわらず測定可能となる。このことは、回転走査時の異なる2つの位置、上述したように、一方がマスクがビームに最も近接した位置にあり、他方が例えば近接したウェハ間の間隙がビームラインに近接しているときのビームのモニタ出力信号を比較することによって達成されうる。
【0051】
図13には、図2の検出装置の実施形態が示され、詳細には、上述した機械的走査装置について設計されたものが示されている。装置101には、ビーム電流をモニタするためのモニタ103が備えられており、モニタ103にはファラデー容器105が含まれ、ファラデー容器105からの電流出力を変換して電圧出力ににするための電流変換器107に接続されている。固定された参照点(例えば、イオンビーム断面上の点)に対するホィール11上の点の位置を検出するための位置検出器109には、ホィールエンコーダ(図示せず)が備えられて、ホィール11の角位置に対応する出力信号を発生するようにしている。ホィールエンコーダは、例えば、光学的な位置検出器又はレゾルバ(resolver)が備えられ、ホィールの角位置を示すアナログ又はディジタル信号を発生させている。一実施形態では、ホィールエンコーダには、光源からの光を検出するための、例えばLEDのような光源のアレイ、対向した光検出器のアレイ及び対向した光検出器のアレイが備えられて、ホィールに対して静止位置で固定されている。光学的に符号化された円板が、ホィールの回転時にホィールと共に回転して光源アレイ間や光検出器のアレイ間を通るように配置されている。ホィール11が回転するとき、選択された光検出器が、光学的に符号化された円板の位置にしたがう光を受け入れて、ディジタルコード、例えば交番2進コードを発生させる。そのようなコードは2進変換器(binary converter)へ送られ、交番2進コード又は他のコードが例えば12ビットから16ビットまでの2進コードに変換され、走査アーム19に対するホィールの位置が示される。なお、2進変換器111は、2進コードをオフセットし、コードが特定のホィールの位置に較正されるようにしてもよい。
【0052】
ホィール11が径方向の走査中に走査位置間を端から端まで動くとき、走査アームは、基本的には約20゜の弧を通って掃引され、イオンビームのような固定された参照点に対するホィールの位置は、走査アームに対するホィールの角位置に依存するだけでなく、走査アームの位置自身にも依存する。したがって、固定された参照点に対するホィール上の点の位置を正確に決定する際には、走査アームの位置を考慮しなければならない。位置検出器が走査アームの位置を測定して、固定された参照点に対するアームの位置を示す信号を発生させる。位置検出器109にはEPROM112が備えられ、径方向の走査中の一連の走査アームの位置に対して、ホィールの位置のデータを固定テーブル(lock-up table)の形で記憶している。さらに、走査アームの位置検出器によって生じた信号はEPROM112に送られ、任意の走査アームの位置に対する適当な固定テーブルが選択される。EPROM112はプログラムされて、固定された点に対する任意のホィールの位置に対する信号を発生させるようになっている。
【0053】
本実施形態では、ホィールが径方向の走査中に動くときにビーム電流をサンプリングし、イオンビームに対して、回転走査時のウェハの位置が識別されるようになっている。ホィール回転走査装置では、ビーム電流が隣り合う2つのウェハに同時に入射するイオンビームの電流が、径方向の走査時にゼロに達して、全ビーム電流を径方向の走査の終わる前に測定することができる時点を検出するため、図3〜図6に示されるように、隣り合う2つのウェハ間の中間位置にビームの軸線がある回転走査中の位置において、ビーム電流をサンプリングしている。ウェハの最外縁部がビームとの当たりを正にさけて、走査の反転を開始する時点が決定されるよう、図8に示されるように、単一のウェハがイオンビームに最も近接した回転走査時の位置において、すなわち、単一のウェハの最外縁部が、ホィールの回転軸線21に最も近接したイオンビームの縁部の点を横切るホィールの径方向上にある回転走査時の位置において、最外縁部ビーム電流をモニタしてもよい。或いは、図10に示されるように、隣り合うスポーク間に設置されたマスクがホィールに含まれて、ウェハの最外縁部及び最内縁部が画成されている実施形態では、マスク59がイオンビームに最も近接する回転走査時の位置において、すなわち、ビームの縁部に近接した最も短い径方向をマスク59が横切る回転走査時の位置において、ビーム電流をモニタしてもよい。また、回転走査時のマスクに関する後者の位置を用いて、図12に示されるように、ウェハの最内縁部がビームから正に離れる時点が決定されるようになる。
【0054】
図13に戻ると、EPROM112はプログラムされて、ビームに最も接近した任意の2つの隣り合うウェハがほぼ等距離だけ離れてビームラインの両側部上にある回転走査時の位置において、出力信号が発生するようになっており、「半同期(half sync)」と呼ばれている。
【0055】
サンプリング回路113には、2つのサンプルホールド装置115,117が備えられていている。電流変換器107の出力部は、ビーム電流信号からの望ましくない高周波成分を弱めたり又は取り除いたりするスルーレート制限器(slew rate limiter)119及び低域通過フィルタ121を介して、各サンプルホールド装置115,117の入力部に接続されている。一方のサンプルホールド装置115は、EPROM112の半同期信号の信号出力に接続され、他方のサンプルホールド装置117は、EPROM112の全同期(full sync)信号に接続されている。サンプルホールド装置115,117は、EPROM112からの半同期及び全同期の制御信号に応じた電流変換器107からのビーム電流信号と、後述する回転走査の位置におけるビーム電流の振幅に相当する各出力信号A,Bとをサンプリングする。アナログ又はディジタルのマルチプレクサ123が、サンプルホールド装置115,117からの出力信号A,Bを受け取り、さらに、電流変換器107から、生の(すなわちフィルタされていない)出力信号を受け取っている。また、サンプルホールド回路115,117からのビーム電流信号A,Bは、差動増幅器125の入力部に送られ、差信号(A−B)が発生する。差信号及びサンプルホールド回路117からの全同期位置における瞬時(instantaneous)ビーム電流信号Bは、アナログ除算器127の入力部に供給され、ここでは、差信号(A−B)が、全同期信号の位置におけるビーム電流信号Bによって正規化され(normalised)、演算信号(resulting signal)が絶対的な(absolute)ビーム電流の振幅と無関係になる。したがって、除算器の出力は、2つのサンプリングされた位置間の差の割合又は比率を表し、ビームレベルに無関係である。アナログ除算器127からの出力は、低域通過フィルタ131及び例えば8ビットA/D変換器であるA/D変換器133を介して、処理装置129を備える検出器128に供給される。さらに、生のビーム電流と半同期及び全同期の位置における信号A,Bとが、A/D変換器130を介して、マルチプレクサから処理装置129に送られる。マルチプレクサからの出力は、処理装置129によって制御されている。処理装置129はプログラムされて、以下詳細に述べるように、全ビーム電流が径方向の走査時に最初に検知される時点が検出され、検知される時点に応じたイオンビームのパラメータの記録が制御され、また、ウェハの外側縁部及び内側縁部が、内向き及び外向きの径方向の走査の反転時において、ビームから正に離れる時点が検出され、そして、それに応じた走査の反転が制御されるようになっている。処理装置は、径方向の走査の終わりを検出するときに走査コントローラ137に信号を発生させて送り出し、走査駆動装置139が走査を反転するように制御されている。また、処理装置129は、径方向の走査の終点で他の装置を制御するための他の信号を発生してもよい。電流変換器107からの生のビーム電流信号と、マルチプレクサ123を介した、半同期及び全同期の位置における瞬時ビーム電流信号A,Bと、アナログ除算器127からの正規化された差信号(A−B)/Bとが、陰極線オシロスコープ(CRO)のような表示装置135に供給され、そのような信号を直接モニタすることができるようになっている。
【0056】
図14には、半同期の回転走査の位置において測定された瞬時ビーム電流信号Aについて、オシロスコープの記録(trace)Hが示されている。さらに、図14には、同時にモニタされる電流変換器107からの生のビーム電流信号の出力の記録Vが示されている。記録H,Vの左側は、イオンビームがウェハの内側縁部に近接した径方向走査時の位置に相当し、記録H,Vの左側は、イオンビームがウェハの外側縁部に近接した径方向走査時の位置に相当する。半同期の位置のビーム電流の記録Hを参照すると、ホィールが径方向の走査にわたって動くにつれて、イオンビームが通る隣り合う任意の2つウェハ間の間隙の面積が、最小値に達するとき、ファラデー容器27に当たるイオンビームの電流は、最小値まで確実に減少する。そして、イオンビームが通るウェハ間の間隙の面積が、ホィールがビームから離れるにつれて大きくなるとき、半同期のビーム電流信号が増加し、ビーム電流信号が時刻T1においては最大値に達しており、この時刻T1は、ホィールがイオンビームから出てくるときに、隣り合うウェハ間の間隙を通って、全ビーム電流を最初に認識することができる時点に相当し、例えば、図5や図6に示される位置、及び、図7に示されるような中間位置55に相当し、このとき、隣り合う2つのウェハの縁部がイオンビームに最も接近した状態で、ビームの縁部から正に離れる。
【0057】
記録Vには、、ウェハ基板が回転及び径方向走査中に移動するとき、ファラデー容器によって測定されたイオンビーム電流信号が、ウェハ基板によって変調されたまま変化しているのが表されている。ウェハが回転走査中に動くことによって高周波の変調が生じており、最大振幅は、径方向走査時、すなわちビームラインが2つのウェハ間の中間位置にあるときの定められた位置に対する最大ビーム電流に相当する。したがって、これらの最大振幅は、半同期の位置の記録上の点に相当する。他方、高周波の最小値は、径方向走査時の定められた位置に対して、ウェハに当たるビームの断面積の大きさが最小値になる回転走査時の位置に相当しており、この位置は、任意の基板がイオンビームに最も接近する、すなわち、任意の基板がイオンビームと整列する位置にほぼ相当する。ホィールが径方向の走査にわたって外向きに移動するとき、変調したビーム電流信号が最小値を通って、つぎに、時刻T2において達する固定された最大値まで増加する。これは、例えば、図7、図8、図9及び図10の位置57で示されるように、ホィールがイオンビームの縁部から正に離れる時点に相当する。
【0058】
図14に示される特定の例においては、隣り合う2つのウェハ間で、全ビーム電流が最初に測定される時点T1は、ホィールが完全にイオンビームから離れる時点T2よりも0.43秒前に生じる。ビーム電流が最大値に達する時点T1は、全ビーム電流が時点的にファラデー容器に当たっていることを示し、図13に示される処理装置129によって検出され、ドーズ量の測定のためのビーム電流の記録が開始されるようになる。T1とT2との間の期間中は、ホィールの回転毎に1回以上、又は、ホィールが数回回転する毎に1回、複数のビーム電流が測定され、ビーム安定性を決定するのに用いられる。T1とT2との間の期間には、種々のビームパラメータ及びイオンドーズ量の記録が行われ、ホィールがビームから離れる前に測定値が記録されるようになり、また、これらの測定値を記録するのに必要とされる時間は、走査の反転に必要とされる時間の一部を形成しない。
【0059】
図15には、ホィールが径方向の走査によって外向きに動いて、ビームがウェハの内側縁部に近接した位置からホィールがビームから離れる位置まで達するときにおいて、アナログ除算器127からの正規化された差信号(A−B)/Bの記録が示されている。また、電流変換器107の出力部での生のビーム電流信号が、比較として示されている。ホィールが径方向の走査によって動いて、ビームがウェハの外側縁部を横切るとき、正規化された差信号は、ホィールが正にビームから離れているのを示している時刻T2において達せられるゼロまで確実に減少する。さらに、ホィールがビームから正に離れる時点を、連続的にサンプリングされたビーム電流の記録Vから、及び、そのとき信号が固定された最大値に達する電流変換器107から認識することができる。正規化された差信号(A−B)/Bは処理装置129に送られ、差信号が1/2%のような所定の値と比較されるようになる。差信号が、(ホィールが正にビームから離れていることを示す)所定の値に達したり又はこの所定の値まで減少するとすぐに、処理装置が制御信号を発生して走査駆動装置に送り出し、走査の反転を開始する。走査駆動装置は応答して、走査アームを直ちに減速し、反転し、そして所要の初期速度まで加速し、走査の反転時間(turn-around time)が最小化される。
【0060】
さらに、走査の他の終点において、ウェハの内側縁部がイオンビームから正に離れる時点を、正規化された差信号を用いて測定することができる。この場合、ビーム電流信号Aは、例えば図11に示される半同期の位置でサンプリングされており、また、ビーム電流信号Bは、例えば図12に示されるように、マスク39がイオンビームと最も接近した状態で、又は、マスク39がイオンビームと整列した状態でホィールが配置されたビーム電流をサンプリングすることによって、取り出される。例えば図11に示される半同期の位置でサンプリングされたビーム電流信号Aは、ビーム電流信号Bが例えば図12に示される全同期の位置でサンプリングされる前に、最大値に達する傾向にある。しかしながら、マスク59の内縁部がイオンビームを通って内向きに移動して右側に達したとき、2つの信号A,B間の差は減少し、そして、マスクの内縁部はウェハの内側縁部から正に離れるようになり、このとき、2つの同期したビーム電流信号A,Bは、等しくなって、その差はゼロになる。一方、ホィールが径方向の走査にしたがって、内向きに動くときに差信号がゼロに達する時点を、処理装置129が検出し、適当な信号を発生して走査駆動装置に送り出し、走査を反転させている。
【0061】
図11及び図12に示されるように、イオンビームの断面積及び隣り合うスポーク間の間隙は、全イオンビーム電流をホィールを通ってファラデー容器に流れるようにするのに十分であるけれども、差信号を用いて、ビームの寸法にかかわらず内向き走査の終点で、ウェハの内側縁部がビームから正に離れる時点を検出することもできる。例えば、ビームの断面積が十分に大きくなって、内向き走査時に、全ビーム電流がホィールを流れるところがない場合は、ビーム電流の一部が一以上のスポークにいつも当たっている。しかしながら、イオンビームが通過するスポーク間の間隙の領域が、マスクの内縁部がイオンビームから正に離れる径方向の走査時の位置に対して、異なる2対のスポーク間と同じであれば、差信号はゼロにまで減少し、このときかかる条件に達する。
【0062】
上述したように、イオンビームの断面積が十分に小さくなって、スポーク間ウェハの内側縁部が、内向きの径方向の走査時にイオンビームから十分に離れる場合には、外向き走査中にビームパラメータを測定することに関して、上述したような図13に示される装置によって、内向き走査の終点前にビームパラメータを測定して記録することができる。
【0063】
他の実施形態では、ビーム電流の最大又は最小をモニタし、最大及び最小の値を所定の値と比較したり、或いは、連続した最大及び/又は最小の振幅を比較して、例えば、振幅が変化しなかったり、所定の限界を越えて変化しなかったりすることにより、ビームがターゲット基板から正に離れる時点を測定してもよい。
【0064】
他の実施形態では、イオンビームに対してウェハを走査するための別の手段が備えられてもよく、例えば、ウェハが直線状の経路にしたがってイオンビームに導入され、また、イオンビームは静電的又は磁気的な手段によって、直線状の経路を横断して偏向されてもよい。或いは、2次元のウェハ中至る所でイオンビームを、静電的又は磁気的な偏向手段が再び走査する場合、個別的にウェハを処理してもよい。
【0065】
基板に入射するイオンビームの断面積の変化を直接測定するとき、あらゆる形状又は寸法のターゲット基板に対して、例えば円形状、正方形及び長方形等の形状のターゲット基板に対して、また、あらゆる断面積又は形状、例えば円形状、楕円状、正方形、長方形等の形状寸法の荷電粒子ビームを用いて、走査検出装置を使用することができる。
【0066】
本明細書で述べた本実施形態に対するそれ以上の修正は、当業者にとって明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態にしたがったイオン打ち込み装置の概略平面図である。
【図2】走査検出装置の実施形態を示すブロック図である。
【図3】走査装置の正面図である。
【図4】図3に示された走査装置の概略斜視図である。
【図5】図3に示された装置の正面図であって、イオンビームが隣り合う2つのターゲット基板の縁部に接している。
【図6】図5に示された走査位置の概略斜視図である。
【図7】スポークホィール型の走査装置がビームラインに対して異なる3つの水平方向の走査位置を示す正面図である。
【図8】図7に示されたスポークホィール型の走査装置の異なる位置を示した正面図である。
【図9】スポークホィール型の走査装置の他の実施形態の正面図である。
【図10】異なる走査の位置に置かれている図9のスポークホィール型の走査装置の正面図である。
【図11】図9に示されるスポークホィール型がビームラインに対して異なる2つの位置にある走査装置の正面図である。
【図12】図9のスポークホィール型の走査装置がビームラインに対して別の位置で回転しているのを示した正面図である。
【図13】モニタ回路の実施形態のブロック回路図である。
【図14】隣り合う2つのターゲット基板間のビーム電流をサンプリングしたとき、図13のモニタ回路の出力の変化を示すグラフ図である。
【図15】走査で2つの異なる位置でサンプリングされたビーム電流に関し、図13の回路の異なる出力を示したグラフ図である。
【符号の説明】
1…イオン打ち込み装置、3…イオンビーム発生部、5…質量分析部、7…イオンビームコントローラ、9…ターゲット基板支持アセンブリ、11…スポーク型ホィール、14…ターゲット基板、19…走査アーム、23…走査駆動アセンブリ、27…ファラデー容器。
Claims (31)
- イオンを基板に打ち込むためのイオン打ち込み装置であって、
イオンビームを発生させるためのイオンビーム発生部、
ビームイオンでもって打ち込まれる基板を支持するための支持手段、
前記基板と前記イオンビームとの少なくとも一方をその他方に対して相対的に走査させ、前記ビームが所定の経路にしたがって前記基板を通るようにする走査手段、
前記基板に入射するイオンビームの断面積の大きさが変化するのを、前記大きさが有限である走査の位置から前記大きさがゼロである走査の位置まで、イオンビームが前記基板の縁部を通るときに、モニタするように配置されるモニタリング手段、
前記モニタリング手段にしたがい、前記イオンビーム及び/又は基板が前記所定の経路にしたがって動くとき、前記大きさが有限の値からゼロに達する時点を検出するための検出手段、及び、
前記時点を検出する前記検出手段にしたがい、当該イオン打ち込み装置の操作を行うための操作手段と、
を備え、
前記モニタリング手段が、全てのイオンビームの断面を前記時点と同時にサンプリングするように配置されていることを特徴とするイオン打ち込み装置。 - 前記イオンビームのパラメータの値を測定するための測定手段を備え、且つ、
前記操作手段が、前記時点を検出する前記検出手段にしたがって前記パラメータの前記値を記録するように配置されている記録手段を備えている、
ことを特徴とする請求項1に記載のイオン打ち込み装置。 - 前記操作手段が、前記時点を検出する前記検出手段にしたがって、前記走査の方向の変化を制御するように配置される制御手段を備えていることを特徴とする請求項1に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記イオンビーム及び/又は基板が所定の前記経路にしたがって動くとき、前記大きさが最大値に達する時点を検出するための別の検出手段を備え、且つ、
前記操作手段が、前記大きさが最大値に達する時点を検出する前記別の検出手段にしたがって、当該イオン打ち込み装置の以降の操作を行なうようにすることを特徴とする請求項1に記載のイオン打ち込み装置。 - 前記所定の経路に沿う位置であって前記大きさがゼロに達する該位置に前記イオンビームが達する時点を、前記大きさが最大値に達する位置に前記イオンビームが達する時点を検出し、前記イオンビームが前記所定の経路に沿って前記基板の幅に等しい距離を動くのに要する、計算された時間を用いることによって、予測するための予測手段を、更に備える、請求項4に記載のイオン打ち込み装置。
- イオンビームを発生させるためのイオンビーム発生部、
複数の基板を支持するようになっている支持手段、
前記複数の基板と前記イオンビームとの少なくとも一方を、第1の所定の経路にしたがって、その他方に対して相対的に走査する走査手段、
前記イオンビームを通って動いている隣り合う2つの基板に同時に入射するイオンビームの断面積の大きさの変化をモニタするようになっているモニタリング手段、及び、
前記ビームが隣り合う2つの基板に同時に入射する前記走査の位置から、前記イオンビームが基板を通るときに、前記大きさがゼロに達する時点を検出するようになっている検出手段、
を備え、
前記支持手段により支持された複数の基板のうち隣り合っているもの同士が、前記イオンビームの断面を通る最大距離以下の最小距離だけ離れており、該最大距離は該最小距離と同一方向に測定されるものであり、且つ、
前記支持手段が、前記第1の所定の経路とは異なる第2の所定の経路にしたがって、連続的に前記基板を前記イオンビームに導入するようになっている、
ことを特徴とするイオン打ち込み装置。 - 前記モニタリング手段が、イオンビーム電流をモニタリングするための手段を備えていることを特徴とする請求項6に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記モニタリング手段が、前記基板に入射しない前記イオンビームの断面の少なくとも一部をサンプリングするように配置されていることを特徴とする請求項7に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記モニタリング手段が、ほぼ全てのイオンビームの断面を前記時点とほぼ同時にサンプリングするように配置されていることを特徴とする請求項8に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記時点を検出するための前記検出手段にしたがい、当該イオン打ち込み装置の以降の操作を行うための前記操作手段を備えることを特徴とする請求項6に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記イオンビームのパラメータの値を測定するための測定手段を備え、且つ、
前記操作手段が、前記時点を検出する前記検出手段にしたがって前記パラメータの前記値を記録するように配置されている記録手段を備えている、
ことを特徴とする請求項10に記載のイオン打ち込み装置。 - イオンビームが一の基板から隣り合う基板までを通って、前記各基板が前記第2の所定の経路にしたがって動くとき、前記測定手段が、前記大きさのゼロとなる期間の少なくとも1回、ビームの全断面をサンプリングするように配置されていることを特徴とする請求項11に記載のイオン打ち込み装置。
- イオンビーム及び/又は前記基板が、前記第1の所定の経路にしたがって走査されるとき、前記時点の後であって、前記大きさの値がゼロに達して前記第2の所定の経路上の基板の位置に無関係となる前に、前記記録手段が、前記パラメータの値を記録するように配置されていることを特徴とする請求項11に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記記録手段が電気的な記憶装置を備えていることを特徴とする請求項11に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記第2の所定の経路上の前記基板の前記位置を検知するための位置検知手段を備え、
前記第2の所定の経路上の所定の位置に基板が達することを検知する前記位置検知手段にしたがって、前記モニタリング手段が前記大きさをサンプリングするように配置されていることを特徴とする請求項6に記載のイオン打ち込み装置。 - 隣り合う2つの基板が前記イオンビームの対向する側部上に置かれて、前記大きさが、前記第1の所定の経路上の任意の位置に対してほぼ最小値を有するようになるとき、前記モニタリング手段が、前記大きさをサンプリングするように配置されていることを特徴とする請求項15に記載のイオン打ち込み装置。
- イオンビームを発生させるためのイオンビーム発生部、
複数の基板を支持するようになっており、第1の所定の経路とは異なる第2の所定の経路にしたがって、連続的に前記基板を前記イオンビームに導入するようになっている支持手段、
前記複数の基板と前記イオンビームとの少なくとも一方を、前記第1の所定の経路にしたがって、その他方に対して相対的に走査する走査手段、
前記第2の所定の経路にしたがって動く基板によって描かれる経路上に入射するイオンビームの断面積の大きさの変化をモニタするようになっているモニタリング手段、及び、
前記ビームが前記経路に入射する走査の位置から前記経路を横切るときに、前記大きさがゼロになる時点を検出するようになっている検出手段、
を備えることを特徴とするイオン打ち込み装置。 - 前記モニタリング手段が、イオンビーム電流をモニタリングするための手段を備えていることを特徴とする請求項17に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記モニタリング手段が、前記経路に入射しない前記イオンビームの断面の少なくとも一部をサンプリングするように配置されていることを特徴とする請求項18に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記モニタリング手段が、ほぼ全てのイオンビームの断面を前記時点とほぼ同時にサンプリングするように配置されていることを特徴とする請求項19に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記時点を検出する前記検出手段にしたがい、当該イオン打ち込み装置の以降の操作を行う操作手段を備えることを特徴とする請求項17に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記操作手段が、前記時点を検出する前記検出手段にしたがって、前記走査の方向の変化を制御するように配置される制御手段を備えることを特徴とする請求項21に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記イオンビーム発生部と前記モニタリング手段との間に配設され、前記イオンビームを遮蔽して、前記第2の所定の経路にしたがって前記基板が動くことにより描かれる前記経路の2つの縁部のうち少なくとも1つを画成しているマスク手段を備えていることを特徴とする請求項17に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記マスク手段が隣り合う2つの基板間に置かれて、前記基板と一致して前記第2の所定の経路にしたがって動くようになることを特徴とする請求項23に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記支持手段が、中央ハブ部及び径方向に延在している複数の不連続で離散的な基板支持体を有する回転ホィールを備え、且つ、
前記マスク手段が、隣り合う2つの基板支持体間の間隙に配設されている、
ことを特徴とする請求項24に記載のイオン打ち込み装置。 - 前記第2の所定の経路上の基板の位置を検出するための位置検出手段を備え、且つ、
前記第2の所定の経路上の所定の位置に基板が達したことを検出する前記位置検出手段にしたがって、前記モニタリング手段が前記大きさをサンプリングするように配置されていることを特徴とする請求項17に記載のイオン打ち込み装置。 - 前記モニタリング手段が、前記イオンビームに単一の基板がほぼ最接近する位置において、前記大きさをサンプリングするように配置されていることを特徴とする請求項26に記載のイオン打ち込み装置。
- 前記第2の所定の経路上における前記マスク手段の位置を検知するための位置検知手段を備え、且つ、
前記マスク手段が、前記第2の所定の経路上の位置において前記イオンビームにほぼ最も接近することを検出する前記位置検出手段にしたがって、前記大きさをサンプリングするように、前記モニタリング手段が配置されていることを特徴とする請求項23に記載のイオン打ち込み装置。 - 前記基板に入射しないビームの断面積の大きさを示す信号を発生させて、前記第2の所定の経路上の単一の基板が前記イオンビームにほぼ最接近する第1の位置において、及び、隣り合う2つの基板が前記イオンビームの対向した側部上に置かれる前記第2の所定の経路上の第2の位置において、前記大きさをサンプリングするように、前記モニタリング手段が配置されており、且つ、
前記第1の位置及び前記第2の位置において、前記大きさをモニタリングする前記モニタリング手段によって発生する前記信号が、ほぼ等しくなる時点を検出するように、前記検出手段が配置されている、
ことを特徴とする請求項17に記載のイオン打ち込み装置。 - 前記基板又は前記マスク手段に入射しないビームの断面積の大きさを示す信号を発生させて、前記マスク手段が前記イオンビームにほぼ最接近する第1の位置において、及び、隣り合う2つの基板が前記イオンビームの対向した側部上に置かれる前記第2の所定の経路上の第2の位置において、前記大きさをサンプリングするように、前記モニタリング手段が配置されており、且つ、
前記第1の位置及び前記第2の位置において、前記大きさをモニタリングする前記モニタリング手段によって発生した前記信号がほぼ等しくなる時点を検出するように、前記検出手段が配置されている、
ことを特徴とする請求項23に記載のイオン打ち込み装置。 - 前記第2の所定の経路上の2つの位置で発生した2つの信号を、前記信号のいずれか一つで割り算するための除算手段を備えることを特徴とする請求項29又は30に記載のイオン打ち込み装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US61765296A | 1996-03-15 | 1996-03-15 | |
US08/617652 | 1996-03-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1012179A JPH1012179A (ja) | 1998-01-16 |
JP3960652B2 true JP3960652B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=24474475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06354997A Expired - Lifetime JP3960652B2 (ja) | 1996-03-15 | 1997-03-17 | イオン打ち込み装置の走査効率改善装置及び方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0795888B1 (ja) |
JP (1) | JP3960652B2 (ja) |
DE (1) | DE69724310T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5981961A (en) * | 1996-03-15 | 1999-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter |
GB2337360A (en) * | 1998-05-13 | 1999-11-17 | Tadamoto Tamai | Ion implanter |
GB2382716B (en) * | 1998-07-21 | 2003-09-03 | Applied Materials Inc | Ion Implantation Beam Monitor |
US7160742B2 (en) | 2003-07-21 | 2007-01-09 | Qc Solutions, Inc. | Methods for integrated implant monitoring |
US6953942B1 (en) * | 2004-09-20 | 2005-10-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam utilization during scanned ion implantation |
JP2007123056A (ja) | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオン注入装置とそのイオン注入制御方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59103262A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハへのイオン注入装置 |
JP3125384B2 (ja) * | 1991-11-14 | 2001-01-15 | 日本電気株式会社 | イオン注入装置 |
-
1997
- 1997-03-11 EP EP19970301621 patent/EP0795888B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-11 DE DE1997624310 patent/DE69724310T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-17 JP JP06354997A patent/JP3960652B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0795888A2 (en) | 1997-09-17 |
DE69724310T2 (de) | 2004-07-01 |
JPH1012179A (ja) | 1998-01-16 |
EP0795888A3 (en) | 1998-01-28 |
EP0795888B1 (en) | 2003-08-27 |
DE69724310D1 (de) | 2003-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1016118B1 (en) | Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter | |
JP3374857B2 (ja) | イオン注入装置における高効率走査のための方法及び装置 | |
US6965116B1 (en) | Method of determining dose uniformity of a scanning ion implanter | |
JP2008507812A5 (ja) | ||
KR100326365B1 (ko) | 이온주입장치및방법 | |
TWI434359B (zh) | 離子束監控配置 | |
JP3153784B2 (ja) | イオンビーム走査方法および装置 | |
JP5294873B2 (ja) | イオンビーム角度測定システム、及びイオン注入システムにおける方法 | |
US6646276B1 (en) | Ion implantation beam monitor | |
US4628209A (en) | Particle implantation apparatus and method | |
US7476876B2 (en) | Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems | |
JP3960652B2 (ja) | イオン打ち込み装置の走査効率改善装置及び方法 | |
US5525807A (en) | Ion implantation device | |
JP2005502174A (ja) | イオン注入器を調整する方法および装置 | |
JPS6283772A (ja) | X線像形成装置 | |
JP3456318B2 (ja) | ビーム走査波形整形方法 | |
EP0686995A1 (en) | An ion implantation device | |
JPH02123656A (ja) | イオン注入装置 | |
JPH025350A (ja) | イオン注入装置 | |
JPH11329333A (ja) | イオン注入装置 | |
JPS59139540A (ja) | イオン注入装置 | |
JPH06103956A (ja) | イオン注入装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070123 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070417 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |