JP3954373B2 - 撮像装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は撮像装置に関し、より詳細には指紋などのように測定対象物の表面に存在する凹凸パターンを検出するのに好適な撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
かかる撮像装置として、例えば特開平7−174947号公報(以下、文献1という)には、複数の光ファイバを一体化してなるファイバ光学プレートと、CCD(電荷結合素子)イメージセンサなどの固体撮像素子とを接合してなる指紋検出装置が開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した文献1に開示の撮像装置では、固体撮像素子にファイバ光学プレートを接合して構成されていたため、装置全体としての重量が重たく、また薄型化も十分でなかった。
【0004】
そこで本発明は、軽量、薄型でかつ撮像特性に優れた撮像装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る撮像装置は、半導体基板の主面上に2次元状に配列形成された光電変換部を有する固体撮像素子と、固体撮像素子上に設けられており、所定間隙をおいて2次元状に配列形成された透光性を有する材料からなる導光部及び該導光部の間に設けられた吸光部を有する導光膜と、を備える。
【0006】
この撮像装置では、導光膜に入射した光は、導光部に案内され固体撮像素子の光電変換部に受光される。このように、ファイバ光学プレートと比べて非常に薄い導光膜により、指向性を持って固体撮像素子に光を案内して受光させることができるため、良好な画像が得られると共に、撮像装置の軽量化、薄型化が図られる。
【0007】
本発明に係る撮像装置では、導光膜の導光部の光軸は、固体撮像素子の主面と平行でなく且つ垂直でない所定の角度で傾斜している。このように導光部の光軸を傾斜させることで、空気中から導光部に直接入射する光の影響を低減することができる。
【0008】
また本発明に係る撮像装置では、導光膜の導光部は、固体撮像素子の光電変換部に対応して設けられていてもよい。このようにすれば、導光部に案内された光がそれぞれ光電変換部に受光される。
【0009】
また本発明に係る撮像装置では、固体撮像素子と導光膜との間にはマイクロレンズが設けられていてもよい。マイクロレンズは、固体撮像素子の平坦化層の上に設けられていてもよい。このようにすれば、導光部に案内されて固体撮像素子に受光される光の利用効率が高まり、よりコントラストの高い良好な画像を得ることが可能となる。
【0010】
また本発明に係る撮像装置では、導光膜の厚みは1μm〜100μmであると好ましい。このようにすれば、導光膜の厚みは非常に薄く、撮像装置の軽量化、薄型化がより一層図られる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る撮像装置の好適な実施形態について説明する。なお、図面において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0012】
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る撮像装置としての指紋検出装置の構成を示す図である。図1に示すように、指紋検出装置10は、固体撮像素子11と導光膜21とを備えている。
【0013】
固体撮像素子11は、半導体基板の主面上に2次元状に配列形成された光電変換部を有している。かかる固体撮像素子としては、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサなどが挙げられる。本実施形態では、固体撮像素子としてインターライン転送方式CCDイメージセンサ(ITCCD)について説明する。
【0014】
固体撮像素子11としてのITCCDでは、半導体基板12の主面13上に光電変換部14が2次元状に配列形成されている。光電変換部14それぞれの間には、該光電変換部14に蓄積された信号電荷を垂直方向及び水平方向に転送する垂直CCD15及び水平CCD(図示しない)が形成されており、その上部には遮光膜16が設けられている。これにより、遮光膜16の間を通り光電変換部14で受光された光は、光電変換されて信号電荷として蓄積される。そして、この信号電荷が垂直CCD15及び水平CCD(図示しない)により転送され、図示しない出力部から画像処理系に向けて出力される。
【0015】
この固体撮像素子11では、遮光膜16の上に保護膜17が設けられている。そして、この保護膜17や光電変換部14の上から半導体基板12の主面13の全面に、透明樹脂により平坦化層18が形成されている。
【0016】
導光膜21は、固体撮像素子11の平坦化層18上に設けられている。この導光膜21は、所定間隙をおいて2次元状に配列形成された導光部22と導光部22同士の隙間を埋めるように設けられた吸光部23とを有している。導光膜21の厚みは1μm〜100μm程度であり、互いに略平行な光入射面24と光出射面25とを有している。
【0017】
導光部22は、透光性を有する材料から形成されている。ここで、「透光性」とは、可視光及び近赤外光領域における透光性を意味する。かかる透光性を有する材料としては、例えばアクリル酸エステル系ポリマー等の樹脂、ホウ素リン・シリケートガラス(BPSG)等のガラスが挙げられる。この導光部22の屈折率は1.46〜1.58程度が好ましい。一方、吸光部23は、光を吸収する部材、例えば黒色フィルタなどから形成されている。この黒色フィルタは、例えば黒色に染色されたゼラチン薄膜、黒色のポリイミドなどから形成することができる。この吸光部23は、導光部22に入射した光が導光部22の外部へ進行すると光を吸収し、隣接する導光部22への導光を抑制する。なお、吸光部23の可視光領域における透過率は、0.1%以下であると好ましい。
【0018】
ここで、導光部22の光軸と固体撮像素子11の主面13とのなす傾斜角θ1は、主面13と平行でなく垂直でない所定の角度θ1を有すると好ましい。より好ましくは、傾斜角θ1は、空気中から導光部22に入射した光が、直接固体撮像素子11の光電変換部14に受光されないような角度に設定されていると好ましい。例えば、導光部22の屈折率が1.5のときは、傾斜角θ1を48.1°以下の角度に設定すると好ましい。このようにすれば、空気中から導光部22へ入射した光が導光膜21の光出射面25から出射されることなく、光入斜面24に接触した物を通じて導光部22へ入射された光のみが光出射面25から出射されることとなり、不要な光による影響を抑えて撮像特性の向上が図られる。
【0019】
この指紋検出装置10では、導光膜21の導光部22は固体撮像素子11の光電変換部14と対応するように設けられており、導光部22のピッチと光電変換部14のピッチは3μm〜25μmで一致している。ただし、必ずしも一致の必要はない。
【0020】
次に、上記した構成の指紋検出装置10の製造方法の一例について説明する。
【0021】
まず図2(a)に示すように、固体撮像素子11を準備する。固体撮像素子11の主面13が平坦化されていないときは、透明樹脂材料により平坦化を行う。次に、図2(b)に示すように、無色のゼラチンを用いてゼラチン薄膜31を固体撮像素子11の平坦化層18上に形成する。ゼラチン薄膜31の厚みは、1μm〜100μm程度が好ましい。
【0022】
次に、図3(a)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いてゼラチン薄膜31のパターニングを行い、導光部22を形成すべき部分のゼラチン薄膜31を所望の傾斜角θ1で除去する。そして、図3(b)に示すように、残存するゼラチン薄膜31を酸性染料を用いて黒色に染色し、吸光部23を形成する。このとき、酸性染料のpHを調節して染色の度合いを調整する。
【0023】
その後、図3(b)に示す吸光部23の間にアクリル酸エステル系ポリマーなどの透明樹脂を埋め込み、導光部22を形成する。このようにして、図1に示すように、固体撮像素子11の上に導光部22と吸光部23とを有する導光膜21が形成された指紋検出装置10の製造を終了する。
【0024】
なお、予め黒色のレジストを用いて固体撮像素子11の平坦化層13上に黒色のレジスト膜を形成し、これをパターニングすることで吸光部23を形成するようにしてもよい。
【0025】
次に、本実施形態に係る指紋検出装置10の作用及び効果について説明する。
【0026】
本実施形態に係る指紋検出装置10では、導光膜21に入射した光は、導光部22に案内され固体撮像素子11の光電変換部14に受光される。このように、ファイバ光学プレートと比べて非常に薄い導光膜21により、指向性を持って固体撮像素子11に光を案内して受光させることができる。これにより、良好な画像が得られると共に、装置の軽量化、薄型化を図ることが可能となる。
【0027】
また、本実施形態に係る指紋検出装置10では、高価なファイバ光学プレートを使用することがないため、製造コストの抑制を図ることが可能となる。
【0028】
また、本実施形態に係る指紋検出装置10では、固体撮像素子11と導光膜21とを一体化して製造することができるため、接着工程が省け製造作業の効率化が図られると共に、指紋検出装置10の取り扱いが容易になる。
【0029】
(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る撮像装置としての指紋検出装置について説明する。なお、第1実施形態に係る指紋検出装置と同一の要素には同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【0030】
図4は、第2実施形態に係る撮像装置としての指紋検出装置の構成を示す図である。図4に示すように、指紋検出装置10は、固体撮像素子11と導光膜41とを備えている。固体撮像素子11は、第1実施形態において説明したものと同じ構成のものであり、説明を省略する。
【0031】
導光膜41は、固体撮像素子11の平坦化層18上に設けられている。この導光膜41は、所定間隙をおいて2次元状に配列形成された導光部42と導光部42同士の隙間を埋めるように設けられた吸光部43とを有している。導光膜41の厚みは1μm〜100μm程度であり、互いに略平行な光入射面44と光出射面45とを有している。
【0032】
導光部42は、透光性を有する材料から形成されている。ここで、「透光性」とは、可視光及び赤外光領域における透光性を意味する。かかる透光性を有する材料としては、例えばアクリル酸エステル系ポリマー等の樹脂、ホウ素リン・シリケートガラス(BPSG)等のガラスが挙げられる。この導光部42の屈折率は1.46〜1.58程度が好ましい。一方、吸光部43は、吸光体46と透光体47とが交互に積層されて形成されている。吸光体43は、光を吸収する部材、例えば黒色フィルタなどから形成されている。この黒色フィルタは、例えば黒色に染色されたゼラチン薄膜、黒色のポリイミドなどから形成することができる。透光体47は、導光部42と同じ透光性を有する樹脂から形成することができる。
【0033】
この吸光部43は、導光部42に入射した光が導光部42の外部へ進行すると光を吸収し、隣接する導光部42への導光を抑制する。なお、吸光部43の吸光体46の可視光領域における透過率は、0.1%以下であると好ましい。
【0034】
ここで、導光部42の光軸と固体撮像素子11の主面13とのなす傾斜角θ1は、主面13と平行でなく垂直でない所定の角度θ1を有すると好ましい。より好ましくは、傾斜角θ1は、空気中から導光部42に入射した光が、直接固体撮像素子11の光電変換部14に受光されないような角度に設定されていると好ましい。例えば、導光部42の屈折率が1.5のときは、傾斜角θ1を48.1°以下の角度に設定すると好ましい。このようにすれば、空気中から導光部42へ入射した光が導光膜42の光出射面45から出射されることなく、光入射面44に接触した物を通じて導光部42へ入射された光のみが光出射面45から出射されることとなり、不要な光による影響を抑えて撮像特性の向上が図られる。
【0035】
この指紋検出装置10では、導光膜41の導光部42は固体撮像素子11の光電変換部14と対応するように設けられており、導光部42のピッチと光電変換部24のピッチは3μm〜25μmで一致している。ただし、必ずしも一致の必要はない。
【0036】
次に、上記した構成の指紋検出装置10の製造方法の一例について説明する。
【0037】
まず図5(a)に示すように、固体撮像素子11を準備する。固体撮像素子11の主面が平坦化されていないときは、透明樹脂材料により平坦化を行う。次に、図5(b)に示すように、予め黒色のレジストを用いて固体撮像素子11の平坦化層18上に黒色のレジスト膜51を形成する。レジスト膜51の厚みは、1μm〜30μm程度が好ましい。
【0038】
次に、図5(c)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜51のパターニングを行い、導光部42を形成すべき部分のレジスト膜51を除去し、下段の吸光体46を形成する。次に、図6(a)に示すように、吸光体46の上から平坦化層18の全面にアクリル酸エステル系ポリマーなどの透明樹脂を塗布する。透明樹脂52の厚みは、平坦化層18上面から1μm〜50μm程度が好ましい。
【0039】
さらに、図6(b)に示すように、塗布された透明樹脂52の上に予め黒色のレジストを用いてレジスト膜53を形成する。このレジスト膜53の厚みは、1μm〜30μm程度が好ましい。そして、図7(a)に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜53のパターニングを行い、導光部42を形成すべき部分のレジスト膜53を除去して上段の吸光体46を形成する。このとき、上段の吸光体46は、下段の吸光体46と比べて所定量だけ位相をずらして形成する。位相のずれ量は、後述する導光部42と半導体基板12の主面13とのなす角度が、所定の傾斜角θ1となるように設定する。
【0040】
最後に、上段の吸光体46の上から全面にアクリル酸エステル系ポリマーなどの透明樹脂54を塗布する。このようにして、導光部42と吸光部43とを有する導光膜41が固体撮像素子11の上に形成された指紋検出装置10の製造を終了する。
【0041】
なお、第1実施形態と同様に無色のゼラチンを用いてゼラチン薄膜を形成し、これをパターニングして除去した後、黒色に染色することで吸光体46を形成するようにしてもよい。
【0042】
次に、本実施形態に係る指紋検出装置10の作用及び効果について説明する。
【0043】
本実施形態に係る指紋検出装置10では、導光膜41に入射した光は、導光部42に案内され固体撮像素子11の光電変換部14に受光される。このように、ファイバ光学プレートと比べて非常に薄い導光膜41により、指向性を持って固体撮像素子11に光を案内して受光させることができる。これにより、良好な画像が得られると共に、装置の軽量化、薄型化を図ることが可能となる。
【0044】
特に、本実施形態に係る指紋検出装置10では、複数の層を積み上げて形成することで導光部42が長く形成されているため、その分、導光膜41の光出射面45から出射される光の指向性が高められ、より鮮明な画像を得ることが可能となる。
【0045】
また、本実施形態に係る指紋検出装置10では、高価なファイバ光学プレートを使用することがないため、製造コストの抑制を図ることが可能となる。
【0046】
また、本実施形態に係る指紋検出装置10では、固体撮像素子11と導光膜41とを一体化して製造することができるため、製造作業の効率化が図られると共に、指紋検出装置10の取り扱いが容易になる。
【0047】
なお、本実施形態に係る指紋検出装置10では、吸光部43の吸光体46の積層段数は2段に限られず、3段以上積層してもよい。このようにすれば、導光部42をより長く形成することができるため、その分、導光膜41の光出射面45から出射される光の指向性が高められ、より鮮明な画像を得ることが可能となる。
【0048】
(第3実施形態)
次に、第3実施形態に係る撮像装置としての指紋検出装置について説明する。なお、第1実施形態に係る指紋検出装置と同一の要素には同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【0049】
図8は、第3実施形態に係る撮像装置としての指紋検出装置の構成を示す図である。図8に示すように、指紋検出装置10は、固体撮像素子11と導光膜21と、これら固体撮像素子11と導光膜21との間に設けられたマイクロレンズ61とを備えている。固体撮像素子11及び導光膜21は、第1実施形態において説明したものと同じ構成のものであり、説明を省略する。
【0050】
マイクロレンズ61は、固体撮像素子11の平坦化層18の上に設けられている。マイクロレンズ61のピッチと光電変換部14のピッチは、3μm〜25μmで一致している。マイクロレンズ61上には、透明樹脂により平坦化層62が形成されている。そして、この平坦化層62の上に、導光膜21が形成されている。なお、導光膜21は第2実施形態で説明した構成を用いてもよい。
【0051】
本実施形態に係る指紋検出装置10は、第1実施形態に係る指紋検出装置と同様の作用効果を奏し得ると共に、特に、マイクロレンズ61を備えることで、導光膜21の導光部22に案内されて固体撮像素子11に受光される光の利用効率が高まり、よりコントラストの高い良好な画像を得ることが可能となる。
【0052】
【発明の効果】
本発明によれば、軽量、薄型でかつ撮像特性に優れた撮像装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る撮像装置としての指紋検出装置の構成を示す図である。
【図2】第1実施形態に係る指紋検出装置の製造工程を示す図である。
【図3】第1実施形態に係る指紋検出装置の製造工程を示す図である。
【図4】第2実施形態に係る撮像装置としての指紋検出装置の構成を示す図である。
【図5】第2実施形態に係る指紋検出装置の製造工程を示す図である。
【図6】第2実施形態に係る指紋検出装置の製造工程を示す図である。
【図7】第2実施形態に係る指紋検出装置の製造工程を示す図である。
【図8】第3実施形態に係る撮像装置としての指紋検出装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
10…指紋検出装置、11…固体撮像素子、12…半導体基板、13…主面、14…光電変換部、21…導光膜、22…導光部、23…吸光部、41…導光膜、42…導光部、43…吸光部、46…吸光体、47…透光体、61…マイクロレンズ。

Claims (5)

  1. 半導体基板の主面上に2次元状に配列形成された光電変換部を有する固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子上に設けられており、所定間隙をおいて2次元状に配列形成された透光性を有する材料からなる導光部及び該導光部の間に設けられた吸光部を有する導光膜と、を備え、
    前記導光膜の前記導光部の光軸は、前記固体撮像素子の前記主面と平行でなく且つ垂直でない所定の角度で傾斜している撮像装置。
  2. 前記固体撮像素子と前記導光膜との間に設けられたマイクロレンズを備え、前記マイクロレンズは、前記固体撮像素子の平坦化層の上に設けられている請求項1に記載の撮像装置。
  3. 半導体基板の主面上に2次元状に配列形成された光電変換部を有する固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子上に設けられており、所定間隙をおいて2次元状に配列形成された透光性を有する材料からなる導光部及び該導光部の間に設けられた吸光部を有する導光膜と、
    前記固体撮像素子と前記導光膜との間に設けられたマイクロレンズと、を備え、
    前記マイクロレンズは、前記固体撮像素子の平坦化層の上に設けられている撮像装置。
  4. 前記導光膜の前記導光部は、前記固体撮像素子の前記光電変換部に対応して設けられている請求項1〜3のいずれかに記載の撮像装置。
  5. 前記導光膜の厚みは1μm〜100μmである請求項1〜4のいずれかに記載の撮像装置。
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