JPH061824B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH061824B2 JPH061824B2 JP59171889A JP17188984A JPH061824B2 JP H061824 B2 JPH061824 B2 JP H061824B2 JP 59171889 A JP59171889 A JP 59171889A JP 17188984 A JP17188984 A JP 17188984A JP H061824 B2 JPH061824 B2 JP H061824B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は固体カメラに用いることができる固体撮像装置
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、固体カメラは感度、解像度等の改善が図られてき
ている。とりわけ、固体撮像素子の前面に集光構造体を
取り付け、それらを改善する研究がさかんである（特開
昭５８−１１４６８４号公報）。
ている。とりわけ、固体撮像素子の前面に集光構造体を
取り付け、それらを改善する研究がさかんである（特開
昭５８−１１４６８４号公報）。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の集光
構造体の取付け方法について説明する。
構造体の取付け方法について説明する。
第１図は従来の集光構造体を取り付けた固体撮像素子の
断面構造図を示すものである。第１図において、１は透
光性ガラス基板（屈折率約1.5）である。２は遮光物質
層である。３はレンズ形状の集光構造体（屈折率約1.
5）、４は表面を保護するための保護膜（屈折率約1.5）
である。５は空気層で、６は固体撮像素子の光感知部で
あるホトダイオードである。なお、透光性ガラス基板１
は固体撮像素子のパッケージに固定されている。
断面構造図を示すものである。第１図において、１は透
光性ガラス基板（屈折率約1.5）である。２は遮光物質
層である。３はレンズ形状の集光構造体（屈折率約1.
5）、４は表面を保護するための保護膜（屈折率約1.5）
である。５は空気層で、６は固体撮像素子の光感知部で
あるホトダイオードである。なお、透光性ガラス基板１
は固体撮像素子のパッケージに固定されている。
以上のように構成された固体撮像素子について、以下そ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
まず、固体カメラのレンズを通過して来た入射光７は透
光性ガラス基板１、レンズ形状の集光構造体３、保護膜
４を通過するが、それらは全て屈折率が約1.5であるた
め、直進する。ところが次の空気層５との界面で屈折を
起し、撮像素子のホトダイオード６上で集光する。
光性ガラス基板１、レンズ形状の集光構造体３、保護膜
４を通過するが、それらは全て屈折率が約1.5であるた
め、直進する。ところが次の空気層５との界面で屈折を
起し、撮像素子のホトダイオード６上で集光する。
しかしながら、上記のような構成では、カメラレンズの
絞りを大きく開いた場合、斜めに入射して来た光は、直
進して来た光よりも集光位置がずれることになる。その
ため、空気層５の厚さによってはホトダイオード６に入
らない斜め入射光が存在し、受光量が減少する。また、
撮像素子の中心と、周辺とでは斜め入射光の状況が異な
るため、同様に、空気層５の厚さによっては、ホトダイ
オード６の受光量が場所によって異なるという欠点を有
していた。
絞りを大きく開いた場合、斜めに入射して来た光は、直
進して来た光よりも集光位置がずれることになる。その
ため、空気層５の厚さによってはホトダイオード６に入
らない斜め入射光が存在し、受光量が減少する。また、
撮像素子の中心と、周辺とでは斜め入射光の状況が異な
るため、同様に、空気層５の厚さによっては、ホトダイ
オード６の受光量が場所によって異なるという欠点を有
していた。
発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、各集光構造体を通過して来た
光が全て、対応するホトダイオードに入るようにするこ
とのできる固体撮像装置の製造方法を提供するものであ
る。
光が全て、対応するホトダイオードに入るようにするこ
とのできる固体撮像装置の製造方法を提供するものであ
る。
発明の構成 この目的を達成するために本発明の固体撮像装置の製造
方法は、一方の面に２次元的に配列された多数の集光構
造体と同集光構造体間に形成された遮光物質層とが形成
された透光性ガラス基板と、前記集光構造体に対応した
位置に画素を有する固体撮像素子とを光および熱反応性
樹脂を介して接合する第１の工程と、 前記透光性ガラス基板側から露光し、さらに加熱し、硬
化反応が完了する前に加熱をやめることにより、前記透
明ガラス基板と前記固体撮像素子とを接着させる第２の
工程とを含むとともに、 前記第２の工程において、前記光および熱反応性樹脂の
前記露光した時に光が通過する領域の屈折率を、光が通
過しない領域の屈折率よりも大きくすることを特徴とす
るものであり、これによって、各集光構造体を通過して
来た光を全て、対応するホトダイオードに入射させるこ
とのできる固体撮像装置を製造することができる。
方法は、一方の面に２次元的に配列された多数の集光構
造体と同集光構造体間に形成された遮光物質層とが形成
された透光性ガラス基板と、前記集光構造体に対応した
位置に画素を有する固体撮像素子とを光および熱反応性
樹脂を介して接合する第１の工程と、 前記透光性ガラス基板側から露光し、さらに加熱し、硬
化反応が完了する前に加熱をやめることにより、前記透
明ガラス基板と前記固体撮像素子とを接着させる第２の
工程とを含むとともに、 前記第２の工程において、前記光および熱反応性樹脂の
前記露光した時に光が通過する領域の屈折率を、光が通
過しない領域の屈折率よりも大きくすることを特徴とす
るものであり、これによって、各集光構造体を通過して
来た光を全て、対応するホトダイオードに入射させるこ
とのできる固体撮像装置を製造することができる。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第２図は本発明の実施例における固体撮像素子の作製方
法のプロセスを示すものである。
法のプロセスを示すものである。
第２図ａにおいて、１１は透光性ガラス基板（屈折率1.
5）、１２は遮光物質層、１３はレンズ状の集光構造体
（屈折率1.5）、１４は保護膜（屈折率1.5）、１５は未
硬化の光及び熱反応性樹脂層（屈折率1.3）、１６はホ
トダイオードである。ただし、光及び熱反応性樹脂層１
５の厚さを５０μとした。この状態で、透光性ガラス基
板１１側から垂直に入射光１９を入れる。入射光１９は
保護膜１４までは直進するが、樹脂層１５との界面で屈
折し、対応するホトダイオード１６まで行き、一部反射
する。ここで、樹脂層１５は光反応し硬化し始め、それ
と同時に屈折率も変化し始める（一般的に光及び熱反応
性樹脂では硬化とともに、屈折率が増大し始める）。そ
の後、光照射を止め、撮像素子全体を一時加熱する。た
だし、樹脂全体の硬化反応が完了する前に、加熱をやめ
る。この加熱によって、第２図ｂに示すように光及び、
熱反応性樹脂膜１５において屈折率ｎ１の領域１７と屈
折率ｎ２の領域１８とが形成される。何故なら、領域１
７では光及び熱により光及び熱反応性樹脂の硬化が進
み、領域１８では熱による硬化のみなので、硬化度及び
屈折率が異なる。本実施例ではｎ１−ｎ２＝0.5（ｎ１
＞ｎ２）となるように硬化条件を決めた。
5）、１２は遮光物質層、１３はレンズ状の集光構造体
（屈折率1.5）、１４は保護膜（屈折率1.5）、１５は未
硬化の光及び熱反応性樹脂層（屈折率1.3）、１６はホ
トダイオードである。ただし、光及び熱反応性樹脂層１
５の厚さを５０μとした。この状態で、透光性ガラス基
板１１側から垂直に入射光１９を入れる。入射光１９は
保護膜１４までは直進するが、樹脂層１５との界面で屈
折し、対応するホトダイオード１６まで行き、一部反射
する。ここで、樹脂層１５は光反応し硬化し始め、それ
と同時に屈折率も変化し始める（一般的に光及び熱反応
性樹脂では硬化とともに、屈折率が増大し始める）。そ
の後、光照射を止め、撮像素子全体を一時加熱する。た
だし、樹脂全体の硬化反応が完了する前に、加熱をやめ
る。この加熱によって、第２図ｂに示すように光及び、
熱反応性樹脂膜１５において屈折率ｎ１の領域１７と屈
折率ｎ２の領域１８とが形成される。何故なら、領域１
７では光及び熱により光及び熱反応性樹脂の硬化が進
み、領域１８では熱による硬化のみなので、硬化度及び
屈折率が異なる。本実施例ではｎ１−ｎ２＝0.5（ｎ１
＞ｎ２）となるように硬化条件を決めた。
このように作製した固体撮像素子に対して、レンズの絞
りをＦ１１〜Ｆ1.4まで変えて光を入射させたが、領域
１７が光導波路となり、入射光を全て対応するホトダイ
オード１６に入れることが出来た。
りをＦ１１〜Ｆ1.4まで変えて光を入射させたが、領域
１７が光導波路となり、入射光を全て対応するホトダイ
オード１６に入れることが出来た。
以上のように本実施例によれば、集光構造体と固体撮像
素子とを光及び熱反応性樹脂を介して、接合し、光照射
後さらに、熱を加えて前記光及び熱反応性樹脂を硬化す
ることにより、光導波路を作り、レンズ絞りがＦ１１〜
Ｆ1.4までの斜め入射光でも全て、対応するホトダイオ
ードに入れることが出来る。
素子とを光及び熱反応性樹脂を介して、接合し、光照射
後さらに、熱を加えて前記光及び熱反応性樹脂を硬化す
ることにより、光導波路を作り、レンズ絞りがＦ１１〜
Ｆ1.4までの斜め入射光でも全て、対応するホトダイオ
ードに入れることが出来る。
発明の効果 以上のように本発明は、一方の面に２次元的に配列した
多数の集光構造体を形成した透光性ガラス基板と前記集
光構造体に対応した画素ピッチを有する固体撮像素子と
を、光及び熱反応性樹脂を介して接合し、前記透光性ガ
ラス基板側から露光し、さらに熱を加えて前記光及び熱
反応性樹脂を硬化させることにより、光導波路を作り、
入射光を全て対応するホトダイオードに入れることがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
多数の集光構造体を形成した透光性ガラス基板と前記集
光構造体に対応した画素ピッチを有する固体撮像素子と
を、光及び熱反応性樹脂を介して接合し、前記透光性ガ
ラス基板側から露光し、さらに熱を加えて前記光及び熱
反応性樹脂を硬化させることにより、光導波路を作り、
入射光を全て対応するホトダイオードに入れることがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
第１図は従来の集光構造体を取付けた固体撮像素子の断
面図、第２図は本発明の実施例における固体撮像装置の
作製プロセスを示す図である。 １１……透光性ガラス基板、１２……遮光物質層、１３
……レンズ状の集光構造体、１４……保護膜、１５……
光及び熱反応性樹脂層、１６……ホトダイオード、１７
……光及び熱で硬化した樹脂領域、１８……熱で硬化し
た樹脂領域。
面図、第２図は本発明の実施例における固体撮像装置の
作製プロセスを示す図である。 １１……透光性ガラス基板、１２……遮光物質層、１３
……レンズ状の集光構造体、１４……保護膜、１５……
光及び熱反応性樹脂層、１６……ホトダイオード、１７
……光及び熱で硬化した樹脂領域、１８……熱で硬化し
た樹脂領域。
Claims (1)
- 【請求項１】一方の面に２次元的に配列された多数の集
光構造体と同集光構造体間に形成された遮光物質層とが
形成された透光性ガラス基板と、前記集光構造体に対応
した位置に画素を有する固体撮像素子とを光および熱反
応性樹脂を介して接合する第１の工程と、 前記透光性ガラス基板側から露光し、さらに加熱し、硬
化反応が完了する前に加熱をやめることにより、前記透
明ガラス基板と前記固体撮像素子とを接着させる第２の
工程とを含むとともに、 前記第２の工程において、前記光および熱反応性樹脂の
前記露光した時に光が通過する領域の屈折率を、光が通
過しない領域の屈折率よりも大きくすることを特徴とす
る固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171889A JPH061824B2 (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171889A JPH061824B2 (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149466A JPS6149466A (ja) | 1986-03-11 |
| JPH061824B2 true JPH061824B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=15931678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171889A Expired - Lifetime JPH061824B2 (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061824B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410665A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Sony Corp | Solid-state image sensing device |
| JPH04103923U (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-08 | 株式会社クボタ | 屋根パネルを使用した屋根の隅棟構造 |
| US6583438B1 (en) * | 1999-04-12 | 2003-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
| FR2829876B1 (fr) | 2001-09-18 | 2004-07-02 | St Microelectronics Sa | Cellule photosensible incorporant un guide de lumiere et matrice composee de telles cellules |
| US7126638B2 (en) * | 2002-05-09 | 2006-10-24 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple layers of dielectrics adjacent the photosensitive area for improved quantum efficiency |
| KR20050085579A (ko) | 2002-12-13 | 2005-08-29 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 |
| JP2008103757A (ja) * | 2002-12-25 | 2008-05-01 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP4556475B2 (ja) * | 2004-04-05 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2010161180A (ja) | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、カメラ |
| JP5182390B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2013-04-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、カメラ |
| JP5881925B1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-09 | 三菱電機株式会社 | 磁気センサ装置およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59171889A patent/JPH061824B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6149466A (ja) | 1986-03-11 |
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