JP3954044B2 - プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 - Google Patents
プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3954044B2 JP3954044B2 JP2004161615A JP2004161615A JP3954044B2 JP 3954044 B2 JP3954044 B2 JP 3954044B2 JP 2004161615 A JP2004161615 A JP 2004161615A JP 2004161615 A JP2004161615 A JP 2004161615A JP 3954044 B2 JP3954044 B2 JP 3954044B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- flow rate
- gas flow
- film
- current value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
プラズマアシスト蒸着装置の内壁に蒸着物質が付着すると、装置内の電磁場の状態が変化してしまう。プラズマの分布は、周囲の電磁場等の状態によって大きく影響されるため、成膜が進むにつれてプラズマの状態が変化すると、成膜している蒸着膜の性質(屈折率など)にも影響を与え、所望の膜質が得られないという問題があった。
プラズマアシスト蒸着装置1は、プラズマガン2、ルツボ3a及び3b、回転機構部4、基板ドーム5、防着板7、ビューポート8、抵抗9により構成される。
本実施形態では、SiO2とTiO2の2つの蒸着膜を交互に基板6上に成膜する場合について説明する。
プラズマアシスト蒸着装置1の下部には、プラズマガン2が設置される。プラズマアシスト蒸着装置1外のプラズマガン2内部では、Ar(アルゴン)ガスのプラズマが生成される。生成されたArプラズマは、プラズマアシスト蒸着装置1外のプラズマガン2内部のコイル、及び、プラズマアシスト蒸着装置1内のプラズマガン2内部のコイル2aを用いて磁場を制御することにより、アノード2bを介してプラズマアシスト蒸着装置1内に導かれる。
ルツボ(3a、3b)内の蒸着材料は、EB(Electron-Beam)ガン(図示省略)から発せられる電子により熱せられ、プラズマアシスト蒸着装置1内に蒸発して拡散していく。なお、ルツボ3a、3bの上部には、それぞれシャッタ3c、3dが設けられている。シャッタ3c、3dを開閉することによりルツボ3a、3b内の蒸着物質をプラズマアシスト蒸着装置1内に拡散させるかどうかを制御することができるようになっている。
なお、プラズマアシスト蒸着装置1の側面は、金属で形成されるが、蒸着膜を形成する際に蒸着物質がプラズマアシスト蒸着装置1の側壁に付着するという問題がある。この問題を解決するために、プラズマアシスト蒸着装置1の側壁には防着板7が取り付けられている。
また、プラズマアシスト蒸着装置1の側面であって、プラズマガン2のアノード2bの高さに相当する部分には、プラズマアシスト蒸着装置1内部におけるプラズマガン2のアノード2b付近の発光状態を観察するためのビューポート8が形成される。
なお、本実施形態では、ガス供給口からプラズマアシスト蒸着装置1に供給するコントロールガスとしてO2(酸素)を使用する場合について説明する。
基板6に成膜する際には、ガス供給口から供給される酸素と、プラズマガン2から放出されるArプラズマ中の電子とが反応して、プラズマアシスト蒸着装置1内では以下の(1)の生成式で示される反応が起こると考えられる。
なお、基板ドーム5はフローティング電位に保たれるとともに、プラズマアシスト蒸着装置1の内壁、プラズマガン2のアノード2bはアース電位に保たれる。
抵抗9に流れる電流の電流値は、電流計など(図示省略)を用いて測定することができる。抵抗9に流れる電流の電流値を測定し、その電流値に基づいてプラズマアシスト蒸着装置1内に供給するコントロールガスの流量を制御することにより、基板ドーム5付近の電子密度を制御することができる。
以下に、抵抗9に流れる電流の電流値を測定することにより、プラズマアシスト蒸着装置1内の基板ドーム5付近の電子密度を把握して、コントロールガス供給口から供給されるコントロールガスの流量を制御する方法について説明する。
なお、図3(A)、(B)の表に記載されているシャント電圧とは、プラズマアシスト蒸着装置1を用いて成膜する際に、抵抗9を流れる電流を電圧値として測定した値を意味する。
SiO2成膜時においては、SiO2の1層目を成膜する直前の抵抗9を流れる電流の電圧変換値であるシャント電圧と酸素流量を測定しておき、2〜4層目のSiO2を成膜する際に、1層目のSiO2成膜直前の抵抗9を流れる電流の電圧変換値であるシャント電圧と酸素流量のデータを参照して、式(2)を用いてそれぞれ酸素流量を算出し、制御を行う。
このように、SiO2膜とTiO2膜の成膜する際の酸素流量を、それぞれの膜の1層目成膜直前における条件を基準として算出することにより、1層目と同じ膜質の蒸着膜を形成することができ、各層で膜質にばらつきのない均質な膜を基板6上に成膜することが可能となる。
1層目をSiO2とする場合には、始めに、SiO2膜を成膜する直前の酸素供給口から供給される酸素流量、及び、抵抗9を流れる電流の電圧変換値であるシャント電圧を、それぞれ記録しておく(ステップS01)。
そして、図示していないEBガンによりルツボ3a内のSiO2成膜用の蒸着材料を蒸気化した後で、ルツボ3aのシャッタ3cを開くことにより、基板6上にSiO2膜の成膜を開始する(ステップS02)。
第1層目のSiO2膜を所定の膜厚に成膜した後で、SiO2成膜用の蒸着材料のルツボ3aのシャッタ3cを閉じる。
そして、EBガンによりルツボ3b内のTiO2成膜用の蒸着材料を蒸気化した後で、ルツボ3bのシャッタ3dを開くことにより、基板6上にTiO2膜の成膜を開始する(ステップS04)。
第1層目のTiO2膜を所定の膜厚に成膜した後で、TiO2成膜用の蒸着材料のルツボ3bのシャッタ3dを閉じる。
次に、成膜を終了するかの判断を行う(ステップS05)。成膜を終了する場合には、ステップS05において「YES」と判断され、プラズマアシスト蒸着装置1の運転を止め、成膜処理を終了する。一方、SiO2膜を複数積層する場合には、ステップS05において「NO」と判断され、ステップS06に進む。
ステップS06で決定した酸素流量をプラズマアシスト蒸着装置1内に流して基板ドーム5の近辺の電子密度を一定に保つことにより、1層目のSiO2膜と同質な膜質のSiO2膜を成膜する(ステップS07)。
成膜を続ける場合には、SiO2成膜用の蒸着材料が入っているルツボ3aのシャッタ3cを閉じ、再度EBガンによりルツボ3b内のTiO2成膜用の蒸着材料を蒸気化した後で、TiO2成膜用の蒸着材料が入っているルツボ3bのシャッタ3dを開き、基板6上にTiO2膜の成膜を開始する。この時、ステップS03で記録しておいた、1層目のTiO2膜を生成する直前の酸素流量と、抵抗9を流れる電流の電圧変換値であるシャント電圧のデータとを用いて、式(2)から2層目のTiO2膜を形成する際の酸素流量を決定する(ステップS09)。
以後、SiO2膜を成膜する工程(ステップS06、S07)と、TiO2膜を成膜する工程(ステップS09、S10)を繰り返す。基板6上に所望の多層膜が形成されたところで、ステップS05又はS08で「YES」と判定し、プラズマアシスト蒸着装置1による成膜処理を終了する。
また、コントロールガスの他に不活性ガスであるAr(アルゴン)、He(ヘリウム)、Kr(クリプトン)などをプラズマアシスト蒸着装置1内に供給することにより、コントロールガスの分圧を制御することもできる。
また、本実施形態では、プラズマアシスト蒸着装置1の防着板7に抵抗9を接続することにより、抵抗9を流れる電流を測定する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、プラズマアシスト蒸着装置1内の側壁に抵抗9を接続することにより、抵抗9を流れる電流の電流値を測定して、コントロールガスの流量を制御するようにしても構わない。
しかし、このような構成に限定されるものではない。例えば、以前に成膜した基板6の任意の層における蒸着膜を成膜する際の成膜条件(酸素流量、電流値)を記録しておき、その蒸着膜の成膜以降に基板ドーム5に取り付ける基板6に成膜する際に、その成膜条件を参照することもできる。
このような構成にすれば、プラズマアシスト蒸着装置1の基板ドーム5に基板6を取り付けて成膜を行った後、別の基板6を基板ドーム5に取り付けて成膜を行う場合であっても、基板6に成膜する蒸着膜の膜質を、前回基板6に成膜した蒸着膜の膜質と均一にすることが可能となる。
しかし、上記のように任意の成膜工程における成膜条件(酸素流量、電流値)を参照可能とすることにより、前回、前々回、あるいは更にそれ以前に基板6上に成膜する際の成膜条件を参照して他の基板6に蒸着膜を成膜することができるため、何度でも均一の膜質を有する蒸着膜を基板6上に成膜することができる。よって、以前のように、基板6上に均一な膜質の蒸着膜を成膜するために、頻繁にプラズマアシスト蒸着装置1内の防着板7等のクリーニングを行う必要がなくなる。
2・・・プラズマガン
2a・・・コイル
2b・・・アノード
3a、3b・・・ルツボ
3c、3d・・・シャッタ
4・・・回転機構部
5・・・基板ドーム
6・・・基板
7・・・防着板
8・・・ビューポート
9・・・抵抗
Claims (5)
- 蒸着物質が基板以外に蒸着するのを防止するために設置される防着板と、一方の端子が前記防着板に接続され他方の端子がアースに接続される抵抗と、前記抵抗を流れる電流の電流値を測定するための電流値測定手段を有するプラズマアシスト蒸着装置の制御方法であって、
前記基板上に第1の蒸着膜を成膜する前のコントロールガスのガス流量X、及び、前記電流値測定手段により前記抵抗に流れる電流の電流値aを測定するステップと、
前記第1の蒸着膜の成膜以降に成膜される第2の蒸着膜を成膜する前の前記抵抗に流れる電流の電流値bを前記電流値測定手段により測定するステップと、
前記第2の蒸着膜を成膜する際のコントロールガスのガス流量Yを、Y=(b/a)Xの式により求めるステップと、
求めたガス流量Yに基づいて、コントロールガス供給口を制御してガス流量を制御するステップと、
前記ガス流量Yにより基板上に前記第2の蒸着膜の成膜を行うステップと、
を有するプラズマアシスト蒸着装置の制御方法。 - 前記第1の蒸着膜が、前記基板上に成膜される1層目の蒸着膜であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマアシスト蒸着装置の制御方法。
- 前記コントロールガスとして酸素を使用することを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマアシスト蒸着装置の制御方法。
- 蒸着物質が基板以外に蒸着するのを防止するために設置される防着板と、一方の端子が前記防着板に接続され他方の端子がアースに接続される抵抗と、前記抵抗を流れる電流の電流値を測定するための電流値測定手段を有するプラズマアシスト蒸着装置の制御方法であって、
第1の蒸着物質の1層目を成膜する前のコントロールガスのガス流量X1と前記抵抗に流れる電流の電流値a1を前記電流値測定手段により測定するステップと、
第2の蒸着物質の1層目を成膜する前のコントロールガスのガス流量X2と前記抵抗に流れる電流の電流値a2を前記電流値測定手段により測定するステップと、
第1の蒸着物質のn1(n1は2以上の整数)層目を成膜する前の前記抵抗に流れる電流の電流値b1を前記電流値測定手段により測定するステップと、
第1の蒸着物質のn1層目を成膜する際のコントロールガスのガス流量Y1(n1)を、Y1(n1)=(b1/a1)X1の式により求めるステップと、
求めたガス流量Y1(n1)に基づいて、コントロールガス供給口を制御してガス流量を制御するステップと、
前記ガス流量Y1により基板上に第1の蒸着物質の成膜を行うステップと、
第2の蒸着物質のn2(n2は2以上の整数)層目を成膜する前の前記抵抗に流れる電流の電流値b2を前記電流値測定手段により測定するステップと、
第2の蒸着物質のn2層目を成膜する際のコントロールガスのガス流量Y2(n2)を、Y2(n2)=(b2/a2)X2の式により求めるステップと、
求めたガス流量Y2(n2)に基づいて、コントロールガス供給口を制御してガス流量を制御するステップと、
前記ガス流量Y2により基板上に第2の蒸着物質の成膜を行うステップと、
を有するプラズマアシスト蒸着装置の制御方法。 - 基板上に蒸着物質を蒸着するプラズマアシスト蒸着装置において、
前記蒸着物質が前記基板以外に蒸着するのを防止するために設置される防着板と、
一方の端子が前記防着板に接続され他方の端子がアースに接続される抵抗と、
前記基板上に形成される第1の蒸着膜を成膜する前のコントロールガスのガス流量Xを測定するガス流量測定手段と、
前記第1の蒸着膜を成膜する前の前記抵抗に流れる電流の電流値a、及び、前記第1の蒸着膜の成膜以降に形成される第2の蒸着膜を成膜する前の前記抵抗に流れる電流の電流値bを測定する電流値測定手段と、
前記電流値測定手段が測定した電流値a及びbと、前記ガス流量測定手段が測定したガス流量Xの値を用いて、前記第2の蒸着膜を成膜する際のコントロールガスのガス流量Yを求めるガス流量演算手段と、
前記ガス流量演算手段が求めたガス流量Yに基づいて、コントロールガス供給口を制御してガス流量を制御するガス流量制御手段と、
前記ガス流量制御手段が制御するガス流量Yにより、基板上に前記第2の蒸着膜の成膜を行う成膜手段と、を有することを特徴とするプラズマアシスト蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004161615A JP3954044B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004161615A JP3954044B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005344132A JP2005344132A (ja) | 2005-12-15 |
JP3954044B2 true JP3954044B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=35496781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004161615A Expired - Fee Related JP3954044B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3954044B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4030985B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2008-01-09 | 月島機械株式会社 | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 |
JP5418371B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-02-19 | 大日本印刷株式会社 | 真空成膜装置 |
-
2004
- 2004-05-31 JP JP2004161615A patent/JP3954044B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005344132A (ja) | 2005-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20200111669A1 (en) | Method for depositing oxide film by peald using nitrogen | |
JP5265547B2 (ja) | 滑らかで緻密な光学膜を製造する方法 | |
JP4168775B2 (ja) | 薄膜の製造方法 | |
JP6935667B2 (ja) | 成膜方法 | |
KR102067513B1 (ko) | 스퍼터링 방법으로 제조되는 저항변화층을 구비하는 저항변화 메모리 및 그의 제조 방법 | |
Chaker et al. | Topographically selective deposition | |
US20210164092A1 (en) | Device and method for producing layers with improved uniformity in coating systems with horizontally rotating substrate guiding | |
JP3954044B2 (ja) | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 | |
JP2018150590A (ja) | 反応性スパッタリングの成膜装置、および成膜方法 | |
JP4030985B2 (ja) | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 | |
JP2004045359A (ja) | 透過型電子顕微鏡用グリッドおよびグリッドホルダー | |
JP3954043B2 (ja) | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 | |
JP6586720B2 (ja) | 薄膜評価用構造体及び薄膜評価方法 | |
JP4807901B2 (ja) | 薄膜作製方法 | |
US7132346B2 (en) | Atomic layer deposition of titanium using batch type chamber and method for fabricating capacitor by using the same | |
JPH07109562A (ja) | Pzt薄膜の作製方法 | |
JP4170260B2 (ja) | プラズマアシスト蒸着装置及びその制御方法 | |
US9916976B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP4913401B2 (ja) | 白金薄膜の形成方法 | |
CN110534429B (zh) | 一种超导薄膜及其制备方法 | |
US9406439B2 (en) | Process for forming a ceramic oxide material with a pyrochlore structure having a high dielectric constant and implementation of this process for applications in microelectronics | |
JP4680752B2 (ja) | 白金薄膜の形成方法 | |
WO2013155432A2 (en) | Plasma enhanced atomic layer deposition method | |
JP2021141153A (ja) | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
AU7502098A (en) | Method of forming a silicon layer on a surface |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070327 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070417 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3954044 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511 Year of fee payment: 7 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |