JP3953147B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はLSI等の半導体集積回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
このような半導体集積回路装置では、電源系が1種類だけでなく、複数種類設けられる場合が多い。例えば、ディジタル回路とアナログ回路で別々の電源を用いたり、I/Oと内部のロジック回路でも別々の電源系を用いる。このように、複数種の電源系が存する場合、それらの静電ストレスに対する耐圧には差がある。LSI等では、何らかの素子を形成すると、寄生のダイオードや寄生のバイポーラトランジスタが形成され、それが静電破壊に対して良好に働くことが知られている。
【0003】
ところで、電源系では寄生のダイオードが充分形成されているものと、そうでないものとに分けられる。例えば、図9に示すように電源系の保護回路100に付加される寄生のダイオード部分は(イ)の電源系が一番多く、(ハ)の電源系は殆ど寄生のダイオードが存在しない。(ロ)はそれらの中間である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記図9の場合、静電ストレスに対しては、(イ)は充分であるが、(ハ)の電源系は不充分である。LSIでは、このように耐圧の低いものがあると、それが破壊すると、チップ全体が使用できなくなってしまう。そのため耐圧の低いものについて補強をすることが望まれるが、I/Oやロジック内にダイオードを形成すると、チップ面積が増大してしまうことになる。
【0005】
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、全体の面積を増大することなく電源系全体の静電耐圧を向上させた半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため本発明の半導体集積回路装置では、半導体集積回路チップと、前記半導体集積回路チップに形成される第一の電源系と、前記半導体集積回路チップに形成され、前記第一の電源系よりも静電ストレスに対する耐性の低い第二の電源系と、P領域とN領域とから成るストライプ状の複数のダイオード群を有し、前記半導体集積回路チップのコーナ部に設けられるダイオード形成領域と、前記第一の電源系に接続されるとともに前記ダイオード形成領域上を走らせるように形成されて前記複数のダイオード群に結合される第一の電源/グランド線のペアと、前記第二の電源系に接続されるとともに前記第一の電源/グランド線のペアよりも前記半導体集積回路チップのコーナ部の外側寄りを走るように形成されて前記ダイオード形成領域に結合されることにより前記複数のダイオード群との交差回数が多い第二の電源/グランド線のペアとを有することを特徴としている。
【0007】
このようにすると、半導体集積回路チップのコーナ部を有効に利用して静電保護用のダイオードを付加することができるので、電源系の静電耐圧が充分なものとなる。
【0008】
また、元々静電耐圧の弱い電源系に多くのダイオードを付加することができる。
【0009】
更に、前記ダイオード形成領域は、第一の方向に形成されたストライプ状の第一のダイオード群と、前記第一のダイオード群とは異なった方向に形成されたストライプ状の第二のダイオード群を有するとよい。このようにすると、静電耐圧の弱い電源系に、より多くのダイオードを付加することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1はLSIチップ1の概略を示している。2はコア部(ロジック回路部)であり、3A〜3DはI/O部である。4a〜4cはチップのコーナ部であり、一般的には、空きスペースとなっているが、本実施形態では後述するようにダイオード形成領域が設けられている。そして、これらのコーナ部4a〜4cの上には電源等の配線が走る。
【0011】
図5は前記コーナ部の断面を示している。P-基板10にN-層11が設けられ、更にそのN-層11内にN+のコンタクト層12が設けられる。13はP+のコンタクト層である。このP+ コンタクト層13はグランド線14に接続され、N+コンタクト層12は電源線15に接続される。16は図示の如く形成されたダイオードである。ここで、N-層11及びN-層11に隣接する基板部分はダイオード形成領域を成している。
【0012】
次に、図6はP-基板10内にNウエル21を形成し、そのNウエル21内に複数のN+コンタクト層12とP+コンタクト層13を設けている。図7は図5を平面的に見た場合を示しており、コンタクト層12、13はそれぞれ矩形状になっている。これらのコンタクト層12、13を介して第1層の配線17、18(図8参照)が結合される。
【0013】
尚、図8において、19は分離層である。また、14、15はそれぞれ第2層配線としてのグランド線と電源線である。これらのグランド線14と電源線15はペアで1つの電源系を形成している。第1層の配線17、18と第2層のグランド線14、電源線15はビアホール(図示せず)を介して任意に接続される。
【0014】
図3は図1に示すLSIチップ1のコーナ部4cについて配線構造を示している。ここでは、第1層の配線17、18がストライプ状で縦方向に交互に配置されており、3つの電源系の電源線とグランド線がL字状に並行に配置されている。電源系の電源線とグランド線は第2層配線であるが、第1層の配線17、18と交差する回数が多い程(即ち、沢山の配線17、18と交差する程)多くのダイオードと接続される(即ち多くのダイオードが付加される)機会が多くなる。
【0015】
従って、ロジック回路用の電源系のグランド線14Aと電源線15Aは前述したように、元々静電耐圧が高いので、コーナ部4cでのダイオード付加は必要がない、若しくは少なくてよいので、図示の如く配線17、18との交差回数が少ない内側に配置し、元々静電耐圧が低い電源系のグランド線14Cと電源線15Cは第1層配線17、18との交差回数が多い外側へ配するものとする。また、静電耐圧が中ぐらいの電源系のグランド線14Bと電源線15Bは中間の位置に配置している。
【0016】
尚、電源系(14B、15B)と電源系(14C、15C)の例を図2を参照して説明する。図2はI/O部3Bにおける1つのI/Oセル25を取り出して、その一部を示している。ここで、26はNMOS部分であり、27はPMOS部分である。PMOS部分27には、2つのトランジスタQ1、Q2がNウエル28を共用して形成されている。
【0017】
トランジスタQ1は電圧保持用で、トランジスタQ2はスイッチング用であるとする。この場合、Nウエル28のバックゲート電圧をトランジスタQ1側のソース電位でN+層29を介してとる。Nウエル28の周囲にはP-サブストレートが存在するので、寄生のダイオードDiが形成されている。このダイオードは小さなものであるが、数十個から数百個という数になると、比較的大きなものとなる。よって、トランジスタQ1の電源線は比較的充分な静電保護ダイオードを有するので、これを電源系(14B、15B)とする。
【0018】
一方、トランジスタQ2側では、Nウエルのバックゲート電圧はとらないので、ダイオードは寄生しない。従って、トランジスタQ2の電源系は14C、15Cとする。尚、トランジスタQ1、Q2ともソース(P+領域)が電源線14B、14Cにそれぞれ接続される。以上においてコーナ部4cについてのみ説明したが、他のコーナ部4a、4b、4dについても同様に構成される。
【0019】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体集積回路チップのコーナ部を有効に利用して静電保護用のダイオードを付加することができるので、チップ面積を増大させることなしに電源系の静電耐圧を向上させることができる。
【0020】
また、元々静電耐圧の弱い電源系に多くのダイオードを付加することができるとともに複数種の電源系全体の静電耐圧がバランスよくなる。
【0021】
更に、静電耐圧の弱い電源系に、より多くのダイオードを付加することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体集積回路装置の概略図。
【図2】そのI/Oセルを示す図。
【図3】本発明の第1実施形態における半導体集積回路チップのコーナ部の配線構造を示す図。
【図4】本発明の第2実施形態における半導体集積回路チップのコーナ部の配線構造を示す図。
【図5】本発明に従って前記コーナ部に設けられたダイーオード形成領域を示す断面構造図。
【図6】同じく前記コーナ部に設けられたダイーオード形成領域の他の例を示す断面構造図。
【図7】図5の一部平面図。
【図8】図5の構造に配線を施した状態を模式的に示す斜視図。
【図9】電源系とその寄生ダイオードの関係を示す図。
【符号の説明】
1 LSIチップ
2 コア部分
3A〜3D I/O部分
4a〜4d チップのコーナ部
14 グランド線
15 電源線
17、18 第1層配線
Claims (2)
- 半導体集積回路チップと、
前記半導体集積回路チップに形成される第一の電源系と、
前記半導体集積回路チップに形成され、前記第一の電源系よりも静電ストレスに対する耐性の低い第二の電源系と、
P領域とN領域とから成るストライプ状の複数のダイオード群を有し、前記半導体集積回路チップのコーナ部に設けられるダイオード形成領域と、
前記第一の電源系に接続されるとともに前記ダイオード形成領域上を走らせるように形成されて前記複数のダイオード群に結合される第一の電源/グランド線のペアと、
前記第二の電源系に接続されるとともに前記第一の電源/グランド線のペアよりも前記半導体集積回路チップのコーナ部の外側寄りを走るように形成されて前記ダイオード形成領域に結合されることにより前記複数のダイオード群との交差回数が多い第二の電源/グランド線のペアと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記ダイオード形成領域は、第一の方向に形成されたストライプ状の第一のダイオード群と、前記第一のダイオード群とは異なった方向に形成されたストライプ状の第二のダイオード群を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
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