JP3930904B2 - 電気デバイス - Google Patents
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Description
発明の分野
本発明は、導電性ポリマー組成物を有して成る電気デバイス、およびそのようなデバイスの製造方法に関する。
従来の技術
導電性ポリマー組成物を有して成る電気デバイスは既知である。そのような組成物は、ポリマー成分、およびその中に分散された、カーボンブラックまたは金属のような粒状導電性充填剤を含んで成る。導電性ポリマー組成物は、米国特許第4237441号(van Konynenburgら)、第4388607号(Toyら)、第4534889号(van Konynenburgら)、第4545926号(Foutsら)、第4560498号(Horsmaら)、第4591700号(Sopory)、第4724417号(Auら)、第4774024号(Deepら)、第4935156号(van Konynenburgら)、第5049850号(Evansら)、第5250228号(Baigrieら)、第5378407号(Chandlerら)および第5451919号(Chuら)、米国特許出願第08/408769号(Wartenburgら、1995年3月22日出願)、ならびに国際出願第PCT/US95/07925号(Raychem Corporation、1995年6月7日出願)に開示されている。これらの組成物は、正の温度係数(positive temperature coefficient)(PTC)挙動を示す、即ち、一般に比較的狭い温度範囲において、温度増加に応答して抵抗率が増す、ことが多い。抵抗率におけるこの増加の大きさは、PTC変態高さ(anomaly height)である。PTC導電性ポリマー組成物は、周囲温度および/または電流条件の変化に応答する回路保護デバイスのような電気デバイスに使用するのに特に適している。通常の条件下において、回路保護デバイスは、電気回路における負荷(load)に直列して、低温、低抵抗状態を維持する。しかし、過電流または過温度条件に曝されると、デバイスは、抵抗が増加し、回路中の負荷への電流を効率的に遮断する。多くの用途に関して、デバイスが、可能な限り低い抵抗を有し、可能な限り高いPTC変態を有することが望ましい。低抵抗とは、通常操作の間に、電気回路の抵抗にほとんど寄与しないことを意味する。高PTC変態は、加えられた電圧にデバイスが耐えられるようにする。低抵抗デバイスは、寸法を変更することによって、即ち、電極間の距離をを非常に狭くする、またはデバイス面積を非常に広くすることによって、製造することができるが、最も一般的な方法は、低い抵抗を有する組成物を使用することである。導電性ポリマー組成物の抵抗は、より多くの導電性充填剤を添加することによって減少させることができるが、一般にこれはPTC変態を減少させる。PTC変態の減少は、より多くの導電性ポリマーの添加が、(a)PTC変態に寄与する結晶性ポリマーの量を減少させるからである、または(b)ポリマー成分を物理的に強化し、それによって溶融温度における膨張が減少するからである、と説明することができる。したがって、低抵抗および高PTC変態の両方を達成することは困難である場合が多い。
発明の要旨
低抵抗組成物を製造したとしても、回路保護デバイスを製造するのに必要な多数の工程段階が、デバイス抵抗の増加に寄与する場合が多い。デバイスの電気安定性を向上させるために用いられる工程、例えば、導電性ポリマーの架橋または熱処理が、抵抗を増加させることが多い。デバイスを製造する1つの一般的方法は、金属電極を積層された導電性ポリマーのシートから、デバイスをパンチングする、またはカットすることである。米国特許第5303115号(Nayarら)において、特定の厚さの、高度に架橋されたデバイスの縁における意図的に誘導された損傷(damage)が、Underwriter's Laboratory Standard 1459(1990年6月5日および1991年12月13日)に記載のような厳しい電気試験の必須条件を満たすのに有用であることが開示されているが、比較的薄いデバイスにおける通常のパンチング工程でも、損傷、例えば、デバイスの周囲における顕微鏡的亀裂を誘導できることを我々は見い出した。この損傷はPTC変態高さを減少させ、電気的性能に悪影響を及ぼす。従って、パンチングおよび加工後に、低い抵抗および高いPTC変態を維持し、良好な電気安定性を示すデバイスが必要とされている。
本発明者は、低い抵抗、高いPTC変態、良好な電気安定性、および再現性を有する電気デバイスを、特定の製造方法によって製造することができることを見いだした。第一の要旨において、本発明は電気デバイスを開示するが、このデバイスは、
(A)(1)少なくとも20%の結晶度、および融点Tmを有するポリマー成分、および、
(2)ポリマー成分中に分散された粒状導電性充填剤、
を含んで成る導電性ポリマー組成物から成る抵抗要素(resistive element)、および、
(B)(i)抵抗要素に取り付けられ、(ii)金属箔を有して成り、および(iii)電源に接続することができる、2つの電極、
を有して成り;
このデバイスは、
(a)2つの金属箔の間に位置する導電性ポリマー組成物を有して成る積層物からデバイスをカットする工程、
(b)カット工程後に、Tmよりも高い温度Ttにおいて、デバイスを熱処理にかける工程、および、
(c)熱処理工程後に、導電性ポリマー組成物を架橋する工程、
を含んで成る方法によって製造され;
このデバイスは、下記特性:
(i)多くとも0.51mmの抵抗要素厚み、
(ii)1〜20Mrads相当の架橋度、
(iii)単一工程で行われた架橋、
(iv)多くとも1.0Ωの20℃における抵抗、R20、および、
(v)多くとも2.0Ω・cmの20℃における抵抗率、ρ20、
の少なくとも1つを有するデバイスである。
第二の要旨において、本発明は電気デバイスを開示するが、このデバイスは、
(A)(i)多くとも0.51mmの厚さを有し、(ii)少なくとも2Mrads相当に架橋され、および、
(iii)(1)少なくとも20%の結晶度、および融点Tmを有するポリマー成分、および
(2)ポリマー成分中に分散された粒状導電性充填剤、
を含んで成る導電性ポリマー組成物から成る、抵抗要素;ならびに、
(B)(i)抵抗要素に取り付けられ、(ii)金属箔を有して成り、および(iii)電源に接続することができる、2つの電極;
を有して成り;
このデバイスは、
(a)多くとも1.0Ωの20℃における抵抗、R20、を有し、
(b)多くとも2.0Ω・cmの20℃における抵抗率、ρ20、を有し、
(c)少なくとも105の20℃から(Tm+5℃)のPTC変態、PTC、を有し、ならびに、
(d)(1)カッティング工程において、2つの金属箔の間に位置する導電性ポリマー組成物を有して成る積層物からデバイスをカットし、および
(2)カッティング工程後、および架橋工程前に、Tmよりも高い温度Ttにおいて、デバイスを熱処理にかける、
方法によって製造されるデバイスである。
第三の要旨において、本発明は電気デバイスの製造方法を開示するが、このデバイスは、
(A)(i)多くとも0.51mmの厚さを有し、(ii)少なくとも2Mrads相当に架橋され、および、
(iii)(1)少なくとも20%の結晶度、および融点Tmを有するポリマー成分、および
(2)ポリマー成分中に分散された粒状導電性充填剤、
を含んで成る導電性ポリマー組成物から成る、抵抗要素;ならびに、
(B)(i)抵抗要素に取り付けられ、(ii)金属箔を有して成り、および(iii)電源に接続することができる、2つの電極;
を有して成るデバイスであり;
その製造方法は、
(a)2つの金属箔の間に位置する導電性ポリマー組成物を有してなる積層物を準備し、
(b)積層物からデバイスをカットし、
(c)Tmよりも高い温度Ttにおいて、デバイスを熱処理にかけ、
(d)デバイスを冷却し、および
(e)デバイスを架橋する、
ことを含んで成る方法である。
【図面の簡単な説明】
本発明を図面によって例示する。図1は、本発明の電気デバイスの平面図である
図2は、本発明のデバイスを製造することができる積層物の平面図である。
図3は、従来の方法および本発明の方法によって製造されるデバイスにおける、温度の関数としての抵抗率を示す。
図4は、従来の方法および本発明の方法によって製造されるデバイスにおける、温度の関数としての抵抗を示す。
発明の詳細な説明
本発明の電気デバイスは、導電性ポリマー組成物から成る抵抗要素を有して成る。この組成物は、1種またはそれ以上の結晶性ポリマーを含んで成るポリマー成分を含んで成る。このポリマー成分は、示差走査熱量計(DSC)によって測定して、少なくとも20%、好ましくは少なくとも30%、特に少なくとも40%の結晶度を有する。ポリマー成分が、ポリエチレン、例えば、高密度ポリメチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、または線状低密度ポリエチレン;エチレンコポリマーまたはターポリマー、例えば、エチレン/アクリル酸コポリマー(EAA)、エチレン/エチルアクリレート(EEA)、エチレン/ブチルアクリレート(EBA)、あるいは国際出願第PCT/US95/07925号(Raychem Corporation,1995年6月7日出願)に記載のような他のコポリマー;フルオロポリマー、例えば、ポリビニリデンフロリド(PVDE);またはこれらのポリマーの2種またはそれ以上の混合物;を含んで成るのが好ましい。少なくとも0.94g/cm3、一般に0.95〜0.97g/cm3の密度を有する高密度ポリエチレンが特に好ましい。ある種の用途に関しては、結晶性ポリマーを1種またはそれ以上の追加ポリマー、例えば、エラストマーまたは非晶質熱可塑性ポリマー、とブレンドして、特定の物理的性質または熱的性質、例えば、可撓性または最高曝露温度、を得るのが望ましい場合がある。ポリマー成分は一般に、組成物の総容量の40〜80容量%、好ましくは45〜75容量%、特に50〜70容量%を占める。20℃において、多くとも2.0Ω・cmの抵抗率を有する回路保護デバイスにおいて組成物を使用することを意図する場合、ポリマー成分が、組成物の総容量の多くとも70容量%、好ましくは多くとも66容量%、特に多くとも64容量%、とりわけ多くとも62容量%を占めるのが好ましい。ポリマー成分は、示差走査熱量計の吸熱のピークによって求められる溶融温度Tmを有する。2つ以上のピークが存在する場合、Tmは最も高い温度ピークの温度であるとして定義される。
粒状導電性充填剤がポリマー成分中に分散される。好適な導電性充填剤は、カーボンブラック、グラファイト、金属、例えばニッケル、メタルオキシド、導電性被覆ガラスまたはセラミックビーズ、粒状導電性ポリマー、またはこれらの組み合わせを包含する。そのような粒状導電性充填剤は、粉末、ビーズ、フレーク、またはファイバーの形態であることができる。導電性充填剤がカーボンブラックを含んで成るのが好ましく、回路保護デバイスに使用される組成物に関しては、カーボンブラックが、60〜120cm3/100g、好ましくは60〜100cm3/100g、特に60〜90cm3/100g、とりわけ65〜85cm3/100gのDBP数を有するのが特に好ましい。DBP数は、カーボンブラックの構造の量の指標であり、カーボンブラックの単位質量によって吸収されるn−ジブチルフタレート(DBP)の容量によって求められる。この試験は、ASTM D2414-93に記載されている。必要とされる導電性充填剤の量は、必要とされる組成物の抵抗率、および導電性充填剤自体の抵抗率に基づく。一般に、粒状導電性充填剤は、組成物の総容量の20〜60容量%、好ましくは25〜55容量%、特に30〜50容量%を占める。20℃において、多くとも2.0Ω・cmの抵抗率を有する回路保護デバイスにおいて組成物を使用することを意図する場合、導電性充填剤が、組成物の総容量の少なくとも30容量%、特に少なくとも34容量%、とりわけ少なくとも36容量%、最も好ましくは少なくとも38容量%を占めるのが好ましい。
導電性ポリマー組成物は、酸化防止剤、不活性充填剤、不導性充填剤、放射線架橋剤(プロラド(prorads)または架橋促進剤(crosslinking enhancers)と呼ばれることが多い)、安定剤、分散剤、カップリング剤、酸掃去剤(例えば、CaCO3)、または他の成分、を包含する追加成分を含んで成ってもよい。これらの成分は一般に、組成物の総容量の多くとも20容量%を占める。
組成物は、正の温度係数(PTC)挙動を示す、即ち、比較的狭い温度範囲の温度で、抵抗率の急激な増加を示す。「PTC」という語は、少なくとも2.5のR14値、および/または少なくとも10のR100値を有する組成物またはデバイスを意味するために使用され、組成物またはデバイスは少なくとも6のR30値を有するのが好ましく、R14は14℃範囲の初めと終わりの抵抗率の比であり、R100は100℃範囲の初めと終わりの抵抗率の比であり、R30は30℃範囲の初めと終わりの抵抗率の比である。本発明のデバイスに使用される組成物は、20℃〜(Tm+5℃)の範囲において、少なくとも104、好ましくは少なくとも104.5、特に少なくとも105、とりわけ少なくとも105.5のPTC変態を示す、即ち、log[((Tm+5℃)における抵抗)/(20℃における抵抗)]が少なくとも4.0、好ましくは少なくとも4.5、特に少なくとも5.0、とりわけ少なくとも5.5である。(Tm+5℃)未満の温度Txにおいて最大抵抗が得られる場合、PTC変態は、log(Txにおける抵抗/20℃における抵抗)によって求められる。処理および熱履歴の影響を確実に消すために、20℃から(Tm+5℃)へ向かい、20℃にもどる少なくとも1つの熱サイクルを、PTC変態を求める前に実施しなければならない。
導電性ポリマーおよび他の成分のポリマー成分中への分散は、溶媒混合を包含するいずれかの適切な混合手段によって行うことができ、Brabender、Moriyama、およびBanburyのような製造業者によって製造されるミキサー、および同時回転および逆回転ツインスクリュー押出器のような連続配合装置を包含する溶融加工装置を用いて、組成物を溶融加工するのが好ましい。混合の前に、Henschel(登録商標)ブレンダーのようなブレンダーで組成物の成分を混合して、混合装置に装填される混合物の均質性を向上させることができる。組成物は、単一の溶融混合段階によって製造することができるが、米国出願第08/408769号(Wartenbergら、1995年3月22日出願)に記載のような2つまたはそれ以上の混合工程が存在する方法によって、組成物を製造するのが有益であることが多い。各混合工程の間に、比エネルギー消費(SEC)、即ち、混合工程の間に組成物に入れられる仕事量の合計(total amount of work)(MJ/kg)が記録される。2つまたはそれ以上の段階で混合された組成物の合計SECは、各段階の合計である。本発明のある種のデバイス、即ち回路保護デバイス、に使用するのに適している多段混合法によって製造された組成物は、粒状充填剤およびポリマー成分の量に依存して、比較的低い抵抗率、即ち、10Ω・cm未満、好ましくは5Ω・cm未満、特に1Ω・cm未満の抵抗率を有する一方で、適切な高さのPTC変態、即ち少なくとも4decades、好ましくは少なくとも4.5decadesのPTC変態を維持する。
混合の後、例えば、溶融押出、射出成形、圧縮成形、および焼結のような適切な方法のいずれかによって組成物を溶融成形して、抵抗要素を製造することができる。抵抗要素はどのような形であってもよく、例えば、長方形、正方形、円形、または環状であってもよい。多くの用途に関しては、組成物をシートの形態に押し出すのが望ましく、そのシートから抵抗要素が、カット、ダイシング、または取り出し(remove)される。本発明の1つの要旨においては、抵抗要素が、多くとも0.51mm(0.020インチ)、好ましくは多くとも0.38mm(0.015インチ)、特に多くとも0.25mm(0.010インチ)、とりわけ多くとも0.18mm(0.007インチ)の厚さを有する。
本発明の電気デバイスは、抵抗要素が、電源に抵抗要素を接続するのに適している少なくとも1つの電極と物理的および電気的に接触している、回路保護デバイス、ヒーター、センサー、または抵抗器を含む。電極の種類は抵抗要素の形状に依存し、例えば、中実ワイヤまたは撚りワイヤ(stranded wire)、金属箔、金属メッシュ、あるいは金属インキ層であってもよい。本発明の電気デバイスはどのような形状であってもよく、例えば、平面(planar)、軸的(axial)、またはドッグボーン(dogbone)形であってもよいが、特に有用なデバイスは、2つの層状電極、好ましくは金属箔電極を有して成り、導電性ポリマー抵抗要素がそれらの間に挟まれている。特に好ましい金属箔電極は、電着された少なくとも1つの表面、好ましくは、電着されたニッケルまたは銅の少なくとも1つの表面を有する。適切な電極が、米国特許第4689475号(Matthiesen)、第4800253号(Kleinerら)、および国際出願第PCT/US95/07888号(Raychem Corporation、1995年6月7日出願)に開示されている。圧縮成形、ニップ積層、またはいずれかの他の適切な方法によって、電極を抵抗要素に取り付けることができる。例えばワイヤまたはストラップの形態の追加の金属リード線を、金属箔電極に取り付けて、回路への電気的接続を可能にすることができる。さらに、デバイスの熱発生(thermal output)を制御する要素、例えば1つまたはそれ以上の伝導性端子を使用することができる。これらの端子は、直接的にあるいはハンダまたは導電性接着剤のような中間層によって電極に取り付けられる金属プレートの形態、例えば、スチール、銅、または黄銅、あるいはフィンであってもよい。例えば、米国特許第5089801号(Chanら)および第5436609号(Chanら)を参照できる。ある種の用途に関しては、デバイスを回路板に直接取り付けるのが好ましい。そのような取り付け方法の例が、国際出願第PCT/US93/06480号(Raychem Corporation,1993年7月8日出願)、PCT/US94/10137号(Raychem Corporation,1994年9月13日出願)、およびPCT/US95/05567号(Raychem Corporation,1995年5月4日出願)に記載されている。
デバイスの電気安定性を向上させるために、電極の取り付け前および/または後に、成形に続いて、抵抗要素を種々の処理方法、例えば、架橋および/または熱処理に付すことが一般に必要である。架橋は、化学的手段または照射(特に放射線)によって、例えば電子線またはCo60γ照射源を用いて、行うことができる。架橋のレベルは、組成物に必要とされる用途に依存するが、一般に200Mrads未満相当であり、好ましくはそれよりもかなり低く、即ち1〜20Mrads、好ましくは1〜15Mradsであり、特に低電圧用途(即ち、60ボルト未満)に関しては2〜10Mradsである。30ボルト未満の用途の有用な回路保護デバイスは、少なくとも2Mrads、多くとも10Mradsにデバイスを照射することによって製造することができる。
2つの金属箔の間に位置する導電性ポリマー組成物を有して成る積層物からデバイスをカットした後に、導電性ポリマー組成物の架橋を行う前にデバイスを熱処理にかけることによって、実質的に向上した電気安定性およびPTC変態が得られることを我々は見い出した。最初に、カッティング工程においてデバイスが積層物からカットされる。本明細書においては、「カッティング」という語は、積層物からデバイスの抵抗要素の単離(isolating)または分離(separating)するいかなる方法をも包含し、例えば、国際出願第PCT/US95/07420(Raychem Corporation、1995年6月8日出願)に記載のような、ダイシング、パンチング、シェアリング(shearing)、カッティング、エッチング、および/またはブレーキングを包含する。
熱処理は、Tmよりも高い温度Tt、好ましくは少なくとも(Tm+20℃)、特に少なくとも(Tm+50℃)、とりわけ少なくとも(Tm+70℃)にデバイスを曝すことを必要とする。熱曝露時間は非常に短くてもよいが、抵抗要素中の導電性ポリマー全体が少なくとも(Tm+5℃)の温度に達するのに充分な長さである。Ttにおける熱曝露は、少なくとも0.5秒間、好ましくは少なくとも1.0秒間、特に少なくとも1.5秒間、とりわけ少なくとも2.0秒間である。約240℃〜245℃の温度、即ちTmよりも少なくとも100℃高い温度に加熱したハンダ浴に、デバイスを1.5秒〜2.5秒間浸漬することによって、高密度ポリエチレンまたはエチレン/ブチルアクリレートコポリマーから製造されるデバイスの適切な熱処理を行うことができることを我々は見い出した。または、デバイスをベルト上の炉に通し、Tmよりも少なくとも100℃高い温度にデバイスを3秒間曝露することによって、良好な結果が得られた。これらの方法のいずれか一つの方法の間に、電気リード線を、ハンダによって電極に取り付けることができる。
熱処理にかけた後に、デバイスが、Tm未満の温度、即ち、高くとも(Tm−30℃)、好ましくは高くとも(Tm−50℃)、特に高くとも(Tm−70℃)の温度に冷却される。導電性ポリマー組成物がその最大結晶化の90%を達成した温度にまで、デバイスを冷却するのが特に好ましい。室温、特に20℃に冷却するのが特に好ましい。冷却されたデバイスを次に、好ましくは照射(特に放射線)によって、架橋させる。
本発明のデバイスは一般に、20℃における抵抗、R20が、100Ω未満、好ましくは20Ω未満、特に10Ω未満、とりわけ5Ω未満、最も好ましくは1Ω未満の、回路保護デバイスであるのが好ましい。デバイスが、多くとも1.0Ω、好ましくは多くとも0.50Ω、特に多くとも0.10Ω、例えば0.001〜0.100Ωの抵抗を有するのが特に好ましい。抵抗は、20℃〜(Tm+5℃)〜20℃の1つの熱サイクルの後に測定される。ヒーターは一般に、少なくとも100Ω、好ましくは少なくとも250Ω、特に少なくとも500Ωの抵抗を有する。
回路保護デバイスの形態である場合には、デバイスの20℃における抵抗率、ρ20は、多くとも10Ω・cm、好ましくは多くとも2.0Ω・cm、特に多くとも1.5Ω・cm、より好ましくは多くとも1.0Ω・cm、とりわけ多くとも0.9Ω・cm、最も好ましくは多くとも0.8Ω・cmである。電気デバイスがヒーターである場合には、導電性ポリマー組成物の抵抗率は一般に、回路保護デバイスの抵抗率よりもかなり高く、例えば102〜105Ω・cm、好ましくは102〜104Ω・cmである。
本発明の方法によって製造されるデバイスは、デバイスがカットされる前に積層物が架橋される従来の方法によって製造されるデバイスよりも、PTC変態において向上している。従って、標準デバイスとは、標準デバイスに関しては積層物がカッティング段階前に架橋されていることを除いては、本発明のデバイスと同じ組成物から同じ手順によって製造されるデバイスである。本発明のデバイスの抵抗率、ρ20は、1.20ρ20c未満、好ましくは1.15ρ20c未満、特に1.10ρ20c未満であり、ρ20cは、20℃〜(Tm+5℃)〜20℃の1つの熱サイクルに続いて測定された標準デバイスの20℃における抵抗率である。さらに、本発明のデバイスのPTC変態は、少なくとも1.15PTCc、好ましくは少なくとも1.20PTCc、特に少なくとも1.25PTCc、とりわけ少なくとも1.30PTCcであり、PTCcは、20℃〜(Tm+5℃)〜20℃の1つの熱サイクルに続いて測定された標準デバイスの20℃から(Tm+5℃)のPTC変態である。本発明のデバイスは、20℃における抵抗率の比較的小さい、即ち20%未満の増加と共に、PTC変態高さの40%を越える増加を示すことが多い。ρ20に対する抵抗率の差、Δρ20は、式[(本発明のデバイスのρ20−標準デバイスのρ20)/(本発明のデバイスのρ20)]から求められる。PTC変態の向上、ΔPTCは、式[(本発明のデバイスのPTC−標準デバイスのPTC)/(本発明のデバイスのPTC)]から求められる。
本発明のデバイスは電気試験における性能の向上をも示し、例えば、サイクル寿命、即ち、高抵抗、高温状態にデバイスを切り替える一連の電気試験にかけたときの経時におけるデバイスの安定性、および、トリップ耐久性、即ち、電力を供給して高抵抗、高温状態にしたときの経時におけるデバイスの安定性を示す。
本発明を図面によって例示する。図1は、本発明の電気デバイス1を示す。導電性ポリマー組成物から成る抵抗要素3が、2つの金属箔電極5、7の間に挟まれている。
図2は、導電性ポリマー組成物3が、第一および第二金属箔電極5、7に積層された積層物9を示す。個々の電気デバイス1は、点線に沿って積層物9からカッティングまたはパンチングされる。
本発明を下記の例によって示すが、下記の例の中で、実施例1、および方法A、C、E、およびGによって製造されるデバイスは、比較例である。
実施例1(比較例)
60容量%の粉末高密度ポリエチレン(約135℃の融点を有するPetrothene(登録商標)LB832、USIから入手;HDPE)を、40容量%のカーボンブラックビーズ(82nmの粒子寸法、80cm3/100gの構造(DBP)、および34m2/gの表面積を有するRaven(登録商標)430、Columbian Chemicalsから入手;CB)と共に、Henschel(登録商標)ブレンダーでプレブレンドし、次に、ブレンドを3.0リットルMoriyama(登録商標)ミキサーで、185℃で、4分間で混合した。混合物を冷却し、粒状化し、16分間の合計混合期間中に3回、再混合した。次に、混合物を圧縮成形して厚さ0.18mm(0.007インチ)のシートを得た。このシートを、200℃に設定したプレスを用いて、厚さ約0.033mm(0.0013インチ)の電着ニッケル箔(Fukudaから入手)の2つの層の間に積層した。この積層物を、3.0MeV電子線を用いて10Mradsに照射し、直径12.7mm(0.5インチ)のチップを積層物からパンチングした。245℃に加熱した63%鉛/37%錫のハンダ配合物に約2.0〜3.0秒間チップを浸漬し、デバイスを空気冷却することによって、20AWG錫被覆銅リード線を各金属箔にハンダ付けすることによって、デバイスを各チップから形成した。デバイスの中央と端との間のPTC変態高さの差を求めるために、塩化第二鉄のエッチング剤を用いて、中央6.25mm(0.25インチ)直径部分または外側3.175mm(0.125インチ)周囲のいずれかから金属箔を取り除いた。デバイスを炉に入れ、20℃〜160℃〜20℃の温度範囲において時間の間隔を開けて、抵抗を測定することによって、デバイスの温度に対する抵抗の特性を求めた。2回の温度サイクルを行った。PTC変態高さを、第二サイクルのlog(140℃における抵抗/20℃における抵抗)として求め、PTC2として記録した。結果を表Iに示す。
実施例2
10Mradsにデバイスを照射する前に、チップを積層物からパンチングし、ハンダ浸漬によってリード線を付着させたことを除いては、実施例1の手順によってデバイスを製造した。表Iに示す結果は、照射の前にハンダ付けし、ハンダ付けの間にポリマーの溶融温度よりも高い温度に曝露したデバイスが、中央領域および端領域の両方において、より高いPTC変態を有していたことを示す。
実施例3
エッチングの前にデバイスを再びパンチングして、8.9mm(0.35インチ)の直径を得ることを除いては、実施例2の手順によってデバイスを製造した。次に、6.25mm(0.25インチ)中央、または外側1.27mm(0.05インチ)周囲のいずれかに関してエッチングを行った。表Iに示す結果は、熱処理は中央における良好なPTC変態高さを与えたが、続くパンチングはPTC変態高さを減少させる縁損傷を生じたことを示す。
実施例4および5
60容量%のPetrothene LB832を、40容量%のRaven 430と共にプレブレンドし、次に、ブレンドを、60cm3Brabender(登録商標)ミキサーで16分間で混合した。混合物を粒状化し、次に粒子を圧縮成形して、表IIに示される厚さを有するシートを得た。プレスを用いて、実施例1のように、押出物を電着ニッケル箔の2つの層の間に積層した。次に、従来法(方法A)または本発明の方法(方法B)のどちらかを用いてデバイスを製造した。実施例1に記載した手順によって、PTC変態を求め、20℃における抵抗率、ρ20を計算した。表IIに示される結果は、方法Bを用いたPTC変態が、方法Aを用いた場合よりもかなり高いことを示す。さらに、方法Aおよび方法Bによって製造したデバイスの、ρ20値とPTC変態との差を求めた。ρ20の差、Δρ20は、式[(方法Bのρ20−方法Aのρ20)/(方法Bのρ20)]から求めた。PTC変態の差、ΔPTCは、式[(方法BのPTC−方法AのPTC)/(方法BのPTC)]から求めた。
方法A(従来法)
3.0MeV電子線を用いて、積層物を10Mradsに照射し、直径12.7mm(0.5インチ)のチップを積層物からパンチングした。245℃に加熱した63%鉛/37%錫のハンダ配合物に約3.0秒間チップを浸漬し、デバイスを空気冷却することによって、20AWG錫被覆銅リード線を各金属箔にハンダ付けすることによって、デバイスを各チップから形成した。
方法B
直径12.7mm(0.5インチ)のチップを積層物からパンチングし、20AWG錫被覆銅リード線を各金属箔にハンダ付けすることによって、リード線を付着させてデバイスを形成した。ハンダ付けは、245℃に加熱した63%鉛/37%錫のハンダ配合物に約3.0秒間チップを浸漬し、デバイスを空気冷却することによって行った。デバイスを次に、3.0MeV電子線を用いて10Mradsに照射した。
実施例6〜9
種々の厚さの積層物を、実記例1の方法によって製造した。デバイスを方法AまたはBによって製造した。図3は、従来法A、および本発明の方法Bによって製造した実施例6のデバイスの、温度に対する抵抗率を示す。
実施例10〜12
65容量%のPetrothene LB832を、35容量%のLampblack(登録商標)101(95nmの粒子寸法、100cm3/100gのDBP、20m2/gの表面積を有するカーボンブラック、Degussaから入手)と共にプレブレンドし、このブレンドを次に、Moriyamaミキサーで16分間で混合した。組成物を押し出し、方法Aまたは方法Bによってデバイスを製造した。
実施例13〜15
70mm(2.75インチ)Buss(登録商標)ニーダーで混合することによって、実施例10〜12の組成物を製造した。組成物を圧縮成形し、方法Aまたは方法Bによってデバイスを製造した。
実施例16〜22
粉末Petrothene LB832(HDPE)を、表IIIに示した容量%のRaven 430と共に、Henschelブレンダーでプレブレンドすることによって、種々の量のカーボンブラックを含有するデバイスを熱処理にかけることの効果を調べた。次に、ブレンドを70mm(2.75インチ)Bussニーダーを用いて混合して、ペレットを形成した。実施例21に関しては、実施例20のペレットを2度目でBussニーダーに通した。実施例22に関しては、実施例21のペレットを、3度目でBussニーダーに通した。配合工程の間に使用される合計仕事量、即ち、比エネルギー消費(SEC)(MJ/kg)を、記録した。各組成物に関して、ペレットをシート押出ダイから押し出して、厚さ0.25mm(0.010インチ)のシートを得た。押し出したシートを実施例1と同様に積層した。次に、方法C(従来法)または方法D(本発明の方法)のいずれかによって、デバイスを製造した。
方法C(従来法)
3.0MeV電子線を用いて、積層物を5Mradsに照射し、直径12.7mm(0.5インチ)のチップを積層物からパンチングした。245℃に加熱した63%鉛/37%錫のハンダ配合物に約1.5秒間チップを浸漬し、デバイスを空気冷却することによって、20AWG錫被覆銅リード線を各金属箔にハンダ付けすることによって、デバイスを各チップから形成した。
方法D
直径12.7mm(0.5インチ)のチップを積層物からパンチングし、20AWG錫被覆銅リード線を各金属箔にハンダ付けすることによって、リード線を付着させてデバイスを形成した。ハンダ付けは、245℃に加熱した63%鉛/37%錫のハンダ配合物に約1.5秒間チップを浸漬し、デバイスを空気冷却することによって行った。デバイスを次に、3.0MeV電子線を用いて5Mradsに照射した。
デバイスの温度に対する抵抗を、実施例1の手順によって求めた。第一および第二サイクルに関して20℃において記録した抵抗、それぞれρ1およびρ2から、抵抗率値を計算した。第一および第二サイクルに関して、log(140℃における抵抗/20℃における抵抗)として、PTC変態の高さを求め、それぞれPTC1およびPTC2として、decadesで記録した。方法Cおよび方法Dによって製造したデバイスに関して、第一および第二サイクルに関する抵抗率値とPTC変態との差も計算した。第一サイクルに関する20℃における抵抗率の差、Δρ1は、式[(方法Dのρ1−方法Cのρ1)/(方法Dのρ1)]から求めた。第二サイクルに関する20℃における抵抗率の差、Δρ2は、式[(方法Dのρ2−方法Cのρ2)/(方法Dのρ1)]から求めた。第一サイクルに関するPTC変態の差、ΔPTC1は、式[(方法DのPTC1−方法CのPTC1)/(方法DのPTC1)]から求めた。第二サイクルに関するPTC変態の差、ΔPTC2は、式[(方法DのPTC2−方法CのPTC2)/(方法DのPTC2)]から求めた。表IIIに示す結果は、第一および第二熱サイクルの両方において、本発明の方法、即ち方法Dによって製造したデバイスの方が、従来法、即ち方法Cによって製造したデバイスよりも、各組成物のPTC変態が大きいことを示している。第二熱サイクルに関して、差が特に顕著であった。第二熱サイクルに関しては、方法Dによって製造したデバイスの方が抵抗率がより高かったが、抵抗率の増加は、PTC変態における増加よりもかなり少なかった。
実施例23〜26
実施例21の手順によって、61容量%のPetrothene LB832(HDPE)を、39容量%のRaven 430と混合した。組成物を押し出して、0.30mm(0.012インチ)厚のシートを得、このシートを電着ニッケル−銅箔(Type 31、厚さ0.043mm(0.0013インチ)、Fukudaから入手)の2つ層と共にニップ積層して、積層物を製造した。次に、方法E(従来法)または方法F(本発明の方法)のいずれかによってデバイスを製造した。
方法E(従来法)
3.0MeV電子線を用いて、積層物を10Mradsに照射し、5.1x5.1mm(0.2x0.2インチ)または20x20mm(0.8x0.8インチ)の寸法のチップを、積層物から剪断した。245℃に加熱した63%鉛/37%錫のハンダ配合物に約2.5秒間チップを浸漬し、デバイスを空気冷却することによって、20AWG錫被覆銅リード線を各金属箔にハンダ付けすることによって、デバイスを各チップから形成した。Hysol(登録商標)DK18-05粉末エポキシ(30〜60重量%の溶融シリカ、2重量%の三酸化アンチモン、5〜10重量%のベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、および30〜60重量%のビスAエポキシ樹脂を含有する、The Dexter Corporationから入手可能なエポキシ樹脂無水配合物)に浸漬することによって、デバイスを封入した(encapsulated)。粉末を155℃で2時間で硬化させた。次に、各サイクルが、−40℃および85℃において30分間の停止時間を有し、5℃/分の速度で−40℃〜85℃〜−40℃である熱サイクルに、デバイスを6回かけた。
方法F
5.1x5.1mm(0.2x0.2インチ)または20x20mm(0.8x0.8インチ)の寸法のチップを、積層物から剪断した(sheared)。次に、温度が、11秒間で20℃から240℃に上昇し、240℃で3秒間維持され、次に65秒間で20℃に下降する熱プロフィールを用いて、チップを熱処理にかけた。次に、方法Eと同様に、チップを照射し、リード線を取り付け、封入し、熱サイクルにかけた。
2つのサイクルの20℃〜140℃の範囲に関して、温度に対する抵抗の特性を求めた。PTC変態を、両方のサイクルに関して、log(140℃における抵抗/20℃における抵抗)として求め、第一サイクルに関してはPTC1、および第二のサイクルに関してはPTC2として記録した。表IVに示す結果は、従来法によって製造したデバイスが、本発明の方法によって製造したデバイスよりも、かなり低いPTC変態を有していたことを示す。下記に記載のように、サイクル寿命およびトリップ耐久性に関して試験することによって、電気安定性を求めた。結果は、一般に、本発明の方法で製造したデバイスが向上した抵抗安定性を有することを示した。
サイクル寿命
スイッチ、16ボルト、24ボルト、または30ボルトのDC電源、および初期電流を100Aに制限する固定抵抗体に直列したデバイスから成る回路において、デバイスを試験した。各サイクルは、回路に電力を6秒間供給してデバイスを高抵抗状態にし、次に、電源を120秒間切ることから成った。時間の間隔を開けて、電圧を除去し、デバイスを1時間冷やし、20℃における抵抗を測定した。標準化した抵抗、RN、即ち(各間隔において測定した20℃における抵抗/20℃における初期抵抗)を記載した。
トリップ耐久性
スイッチ、16ボルトまたは30ボルトのDC電源、および初期電流を40Aに制限する固定抵抗体に直列したデバイスから成る回路において、デバイスを試験した。デバイスを高抵抗状態にトリップさせ、定期的に除去した。各間隔後に、デバイスを1時間冷やし、20℃における抵抗を測定した。標準化した抵抗、RNを記載した。
実施例27および28
64容量%のエチレン/n−ブチルアクリレートコポリマー(Enathene(登録商標)EA 705-009、5%n−ブチルアクリレート含有、メルトインデックス3.0g/10分、溶融温度105℃、Quantum Chemical Corporationから入手)を、36容量%のRaven 430と共にプレブレンドし、次に、ブレンドを、175℃に加熱された350cm3Brabender mixerで12分間で混合した。混合物を粒状化し、粒子をシートに押し出し、シートをプレスでType 31箔の2つの層の間に積層した。実施例27のデバイスを、方法G(従来法)によって製造し、実施例28のデバイスを方法H(本発明の方法)によって製造した。
方法G(従来法)
3.0MeV電子線を用いて、積層物を10Mradsに照射し、5.1x12.1x0.23mm(0.2x0.475x0.009インチ)の寸法のチップを、積層物からカットした。方法Eと同様に、20AWGリード線をハンダ付けすることによって、デバイスを形成した。20℃におけるデバイス抵抗は0.071Ωであった。
方法H
5.1x12.1x0.23mm(0.2x0.475x0.009インチ)の寸法のチップを、積層物からカットした。方法Eと同様に、リード線を取り付け、次に、デバイスを還流炉(reflow oven)に約3.5秒間で290℃に曝露することによって熱処理した。室温に冷やした後、3MeV電子線を用いて、デバイスを10Mradsに照射した。20℃におけるデバイス抵抗は0.096Ωであった。
図4は、実施例27および28に関する、温度の関数としての抵抗(Ω)の曲線を示す。本発明の方法によって製造したデバイスが、従来の方法によって製造したデバイスよりも、かなり高いPTC変態を有することが明らかである。
Claims (9)
- 電気デバイスであって、
(A)(1)少なくとも20%の結晶度、および融点Tmを有するポリマー成分、および、
(2)ポリマー成分中に分散された粒状導電性充填剤、
を含んで成る導電性ポリマー組成物から成る抵抗要素、および、
(B)(i)抵抗要素に取り付けられ、(ii)金属箔を有して成り、および(iii)電源に接続することができる、2つの電極、
を有して成り;
(a)2つの金属箔の間に位置する導電性ポリマー組成物を有して成る積層物からデバイスをカットする工程、
(b)カット工程後に、Tmよりも高い温度Ttにおいて、デバイスを熱処理にかける工程、および、
(c)熱処理工程後に、導電性ポリマー組成物を架橋する工程、
を含んで成る方法によって製造され;
下記特性:
(i)多くとも0.51mm、好ましくは多くとも0.25mmの抵抗要素厚み、
(ii)1〜20Mrads、好ましくは2〜10Mradsに相当する架橋度、
(iii)単一工程で、好ましくは照射によって、行われた架橋、
(iv)多くとも1.0Ω、好ましくは多くとも0.100Ωである20℃における抵抗R20、および、
(v)多くとも2.0Ω・cm、好ましくは多くとも1.0Ω・cmである20℃における抵抗率ρ20、
の少なくとも1つを有する電気デバイス。 - 20℃から(Tm+5℃)のPTC変態が、少なくとも104.0、好ましくは少なくとも104.5である請求項1に記載のデバイス。
- ポリマー成分が、ポリエチレン、エチレンコポリマー、またはフルオロポリマーを含んで成る請求項1または2に記載のデバイス。
- ポリマー成分が、高密度ポリエチレンまたはエチレン/ブチルアクリレートコポリマーを含んで成る請求項3に記載のデバイス。
- 導電性充填剤が、カーボンブラックを含んで成る請求項1〜4のいずれか1つに記載のデバイス。
- ρ20が1.2ρ20cより低く、PTCが少なくとも1.15PTCcである請求項1に記載のデバイス[但し、ρ20cは、標準デバイスの20℃における抵抗率であり、PTCcは、標準デバイスの20℃から(Tm+5℃)のPTC変態であり、該標準デバイスは、カット工程前に積層物が架橋される方法によって製造されたデバイスである。]。
- 抵抗要素が(i)多くとも0.51mmの厚さを有し、(ii)少なくとも2Mradsに相当して架橋されており、デバイスが、
(a)20℃における抵抗、R20が、多くとも1.0Ωであり
(b)20℃における抵抗率、ρ20が、多くとも2.0Ω・cmであり、および
(c)20℃から(Tm+5℃)のPTC変態、PTCが、少なくとも105である、
請求項1、3、または5に記載のデバイス。 - (A)(i)多くとも0.51mmの厚さを有し、(ii)少なくとも2Mradsに相当して架橋され、および、(iii)
(1)少なくとも20%の結晶度、および融点Tmを有するポリマー成分、および
(2)ポリマー成分中に分散された粒状導電性充填剤、
を含んで成る導電性ポリマー組成物から成る、抵抗要素;および、
(B)(i)抵抗要素に取り付けられ、(ii)金属箔を有して成り、および(iii)電源に接続することができる、2つの電極;
を有して成る電気デバイスの製造方法であって、該方法が、
(a)2つの金属箔の間に位置する導電性ポリマー組成物を有してなる積層物を準備し、
(b)積層物からデバイスをカットし、
(c)Tmよりも高い温度、好ましくは少なくとも(Tm+20℃)である温度、Ttにおいて、デバイスを熱処理にかけ、
(d)デバイスを冷却し、および
(e)デバイスを架橋する、
ことを含んで成り、工程(c)の間に、電気リード線を、好ましくはハンダによって、電極に付着させる方法。 - 架橋を照射によって行う請求項8に記載の方法。
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