JP3925281B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、円偏波を用いた高周波加熱装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電波伝搬は、垂直偏波と円偏波とに大別できる。垂直偏波は特定位置での電界強度が時間的に変化するのに対し、円偏波は電界強度は時間的に変化せず電界ベクトルの方向が変化する。
【0003】
従来の高周波加熱装置は、垂直偏波が用いられ加熱空間に生じた定在波の影響を受けて被加熱物には加熱ムラが生じる。この加熱ムラの抑制対策として、被加熱物を回転移動させたり、回転アンテナを用いて電波の放射方向を時間的に変化させたりしている。
【0004】
一方、円偏波を利用する高周波加熱装置として、特開平10−134955号公報、特開平11−3774号公報、特開2000−48946号公報などの先行技術がある。特開平10−134955号公報は導波管内部に実効波長λgに対してλg/4の長さの仕切板を設けて直線偏波を円偏波に変換させるものが示されており、変換した円偏波を被加熱物に供給することで、被加熱物自身が内部に有する電気双極子の方向に関係なく被加熱物を均一に加熱することができることを謳っている。
【0005】
また、特開平11−3774号公報は、2つの導波管のH面がそれぞれ直交するように接続した接続部に加熱室を形成したものである。この公報の場合、それぞれの導波管に個別に高周波発生手段を設けている。
【0006】
また、特開2000−48946号公報は、スパイラル形状の給電口や放射アンテナによって直線偏波を円偏波に変換するものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の円偏波を利用した高周波加熱技術およびその装置において、特開平10−134955号公報に開示されたものは、導波管内部で直線偏波を円偏波に変換する技術は公知であり、特開2000−48946号公報をも併せて、閉じた空間である加熱室の構造に何らかの工夫を凝らさなければ円偏波による加熱が実行できるとは言いがたい。また特開平11−3774号公報は、それぞれの導波管に個別に高周波発生手段を備えた構成であり、高周波発生手段の位相を制御するには高価で大型の構造が必要であり、そのような構造を付帯しない場合、直交接続部でのそれぞれの高周波を位相差90度で結合させ円偏波を発生させることに大変な困難さを有していた。
【0008】
また、従来の技術は、円偏波による加熱の実態を直線偏波による加熱実態と比較してその差を明確化させたものとは言いがたく、実用上の効果と特長が不明確であった。
【0009】
本発明は上記課題を解決するもので、円偏波の供給構成とそれを授受する被加熱物に円偏波加熱の実用的効果を与えることができる加熱空間を備えた高周波加熱装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波加熱装置は上記課題を解決するために、高周波発生手段が発生する高周波電力を2分配する分配手段と、分配したそれぞれの高周波を伝搬する導波手段と、前記それぞれの導波手段の高周波を位相差略90度で略直交放射する加熱空間とを備え、前記それぞれの導波手段の終端と前記加熱空間の中心との距離は前記それぞれの導波手段の伝搬波長の略1/4とした構成としている。
【0011】
上記発明によれば、分配手段は高周波電力を確実に2分配するとともに分配したそれぞれの高周波の位相差を0度あるいは180度に規定することができる。そしてこの分配したそれぞれの高周波に対してそれぞれの高周波が伝搬する経路の長さを規定することでそれぞれの放射位置において位相差略90度を確実に形成できる。これにより、ほぼ等量でかつ位相差90度の高周波による円偏波を確実に発生させることができる。そして、この円偏波を利用して高周波エネルギの利用効率を高めるとともに加熱の均一化を促進することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
請求項1に記載の発明は、高周波発生手段が発生する高周波電力を2分配する分配手段と、分配したそれぞれの高周波を伝搬する導波手段と、前記それぞれの導波手段の高周波を位相差略90度で略直交放射する加熱空間とを備え、前記それぞれの導波手段の終端と前記加熱空間の中心との距離は前記それぞれの導波手段の伝搬波長の略1/4としたものであり、分配手段は高周波電力を確実に2分配するとともに分配したそれぞれの高周波の位相差を0度あるいは180度に規定することができる。そしてこの分配したそれぞれの高周波に対してそれぞれの高周波が伝搬する経路の長さを規定することでそれぞれの放射位置において位相差略90度を確実に形成できる。これにより、ほぼ等量でかつ位相差90度の高周波による円偏波を確実に発生させることができる。
【0013】
請求項2に記載の発明は、高周波によって加熱される発熱手段を収納した加熱空間と、前記加熱空間に直交して設けた第一および第二の放射手段と、高周波発生手段と、前記高周波発生手段が発生する高周波電力を2分配する分配手段と、分配したそれぞれの高周波を位相差略90度で前記第一および第二の放射手段に供給する導波手段とを備え、前記それぞれの導波手段の終端と前記加熱空間の中心との距離は前記それぞれの導波手段の伝搬波長の略1/4としたものであり、分配手段は高周波電力を確実に2分配するとともに分配したそれぞれの高周波の位相差を0度あるいは180度に規定することができる。そしてこの分配したそれぞれの高周波に対してそれぞれの高周波が伝搬する経路の長さを規定した導波手段によって第一および第二の放射手段に供給する高周波は位相差略90度を確実に形成できる。そして第一および第二の放射手段は直交させているので円偏波が確実に発生する。
【0014】
また、加熱空間に収納した発熱手段は円偏波にて伝搬する高周波を効率よく吸収するので加熱空間を飛び交う高周波は極めて少なく、放射された高周波は自由空間に放射されたごとくに確実に円偏波伝搬をする。これにより、発熱手段は発熱手段の全体が均一に加熱されるとともに高周波エネルギを有効に吸収するので、発熱手段自体が熱応力の発生に伴う機械的な破損を抑制された状態で短時間に数百℃の高温に加熱される。
【0015】
請求項3に記載の発明は、特に、請求項2記載の発熱手段を多孔質に構成したものであり、これにより発熱手段の熱容量を小さくして加熱に伴う温度上昇速度をより速めることができる。
【0016】
請求項4に記載の発明は、特に、請求項2記載の発熱手段に通風する送風手段を付加したものであり、これにより発熱手段の発生熱を適当な場所に送ることができる。また、送風することにより、導波手段の構造物を冷却でき構造自体のコンパクト化が図れるとともに本装置をユニットとし他の装置への実装性を高めることができる。
【0017】
請求項5に記載の発明は、貯水手段を配した加熱空間と、前記加熱空間に直交して設けた第一および第二の放射手段と、高周波発生手段と、前記高周波発生手段が発生する高周波電力を2分配する分配手段と、分配したそれぞれの高周波を位相差略90度で前記第一および第二の放射手段に供給する導波手段とを備え、前記それぞれの導波手段の終端と前記加熱空間の中心との距離は前記それぞれの導波手段の伝搬波長の略1/4としたものであり、分配手段と導波手段とによって第一および第二の放射手段に供給する高周波は位相差略90度を確実に形成できる。そして第一および第二の放射手段は直交させているので円偏波が確実に発生する。
【0018】
また、加熱空間に収納した貯水手段は円偏波にて伝搬する高周波を効率よく吸収するので加熱空間を飛び交う高周波は極めて少なく、放射された高周波は自由空間に放射されたごとくに確実に円偏波伝搬をする。これにより、貯水手段の中の水は全体が均一に加熱されるとともに高周波エネルギを有効に吸収するので、短時間に昇温するとともにすばやく蒸気化させることもできる。
【0019】
請求項6に記載の発明は、特に、請求項5記載の貯水手段は高周波によって加熱される発熱手段で構成したものであり、発熱手段は蓄熱手段として作用し、高周波の断続供給に対しても水の連続的な蒸発を促進できる。
【0020】
請求項7の発明は、特に、請求項2または5記載の高周波発生手段は、ISM帯のひとつである5800MHz帯を用いたものであり、分配手段あるいは導波手段をコンパクトに構成できるとともに、高い周波数を使うことで加熱の均一化を促進するとともに少ない高周波電力で所望の発熱あるいは加熱性能を達成することができる。
【0021】
請求項8に記載の発明は、被加熱物を収納する加熱室と、高周波発生手段と、前記加熱室の底壁面の略中央部に底壁面に対する相対位置角度がに対して略45度で設けかつ互いが直交配置の第一および第二の放射手段と、前記高周波発生手段が発生する高周波を位相差略90度で前記第一および第二の放射手段に供給する導波手段と、被加熱物を前記第一および第二の放射手段の上方に載置する載置台とを備えたものであり、二つの放射手段に位相差略90度の高周波を供給することで生じた円偏波を加熱室内に確実に放射することができる。これにより、被加熱物の加熱に寄与するエネルギ利用効率を高めるとともに加熱室内の定在波発生を解消することで被加熱物の加熱の均一化を図ることができる。
【0022】
【実施例】
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
【0023】
(実施例1)
本発明の実施例1を図1〜図4を用いて説明する。図1は本発明の実施例1を示す高周波加熱装置の外観構成図、図2(a)、(b)はそれぞれ図1および従来の高周波加熱装置の比較構成図、図3は図2の各高周波加熱装置の加熱分布の比較特性図、図4は図2の各高周波加熱装置の加熱電力の比較特性図である。
【0024】
図1および図2(a)において、10は高周波発生手段(図示していない)を装着する結合穴11を有する導波管、12は高周波発生手段が発生した高周波を2分配する分配手段であるE面T分岐分配部、13および14はそれぞれ2分配された高周波を伝搬する導波手段、15は加熱空間である。加熱空間15は各導波手段13、14を直交させた領域に構成している。
【0025】
また、各導波手段13、14は加熱空間15を通してさらに延長させた領域16、17を有する。この領域16、17の終端と加熱空間15の中心との距離は導波手段の伝搬波長の略1/4の長さとしている。また各導波手段13、14のE面T分岐分配部12から加熱空間15に至る長さは導波手段の伝搬波長の略1/4の長さの差としている。
【0026】
これにより、高周波発生手段が発生した高周波は、電力的には2分配され、位相的には略90度の位相差となって直交状態にて加熱空間15に導かれる。
【0027】
一方、図2(b)は従来の導波管構成を示す。すなわち、高周波発生手段(図示していない)を装着する導波管20と、その導波管に接続した断面形状が同一の導波手段21とで構成している。導波手段21の終端22から導波手段の伝搬波長の略1/4の長さの位置を中心として加熱空間23を設けている。
【0028】
また、導波手段13、14および21の中には高周波発生手段が発生する高周波を加熱空間15および23に対して効率よく伝送させるための整合手段18、19および24を設けている。
【0029】
次に本発明の実施例1の加熱特性の実態を図3および図4を用いて従来構成との比較の説明をする。図3は被加熱物としてアドヘア合成糊を用い加熱分布特性を比較したものである。
【0030】
なお、図3は、左から右に向かって加熱時間を長くした場合の加熱進行状態を示している。図3より、ほぼ等量の電力でかつ位相差略90度の高周波を直交給電した場合(図3(a))、導波管の両端側から加熱が始まり、その後中心部も加熱されて被加熱物のほぼ全域が高周波によって加熱されることが認められる。一方、従来構成の場合(図3(b))、導波管の中心部が加熱されるだけで、その熱の伝導が導波管の両端側に伝わっている。この場合、加熱領域が中央だけであり、加熱ムラは大変大きい。
【0031】
また、図4は、被加熱物として水を用いた時の水温上昇値から加熱電力を算出した特性を示す。容器はアクリル材を用いた。ほぼ等量の電力でかつ位相差略90度の高周波を直交給電した場合の特性を実線で示し、従来構成の特性を破線で示す。直交給電の場合、従来比の130%程度の加熱効率向上が認められた。
【0032】
以上のように導波管を直交させた構成と、その直交領域を加熱空間としこの加熱空間にほぼ等量の電力および位相差90度の高周波を直交供給する構成により、円偏波を確実に発生させることができるとともに加熱分布の均一化や加熱効率のアップを図ることができた。すなわち、高周波発生手段を一つとして、分配手段および導波手段を配することで電力の2分配および加熱空間への位相差略90度の供給を確実に行うことができる。
【0033】
(実施例2)
次に、本発明の実施例2について、図5を用いて説明する。図5において、高周波を伝送する導波管30は、伝送方向の途中から導波管30の高さ方向を略2等分する仕切板31を設け、二つの導波路32、33を形成している。導波路32には被加熱物である高周波によって加熱する発熱手段34を配設している。この発熱手段34が当接あるいは対面する仕切板31の位置には開口部35を設けている。仕切板31の始まり位置から発熱材料34の壁面までの距離は、導波路32と導波路33とで位相差90度を形成するための構成を導波路33に設けている。すなわち、延長導波路36により、導波路33の実効距離を導波管を伝送する高周波の波長の略1/4の長さ分だけ延長させている。
【0034】
また、各導波路32、33の終端は、発熱材料の中心からの距離が導波管を伝送する高周波の波長の略1/4の長さとし、導波路32の終端には通風穴37を設けている。
【0035】
38は高周波発生手段(図示していない)の出力アンテナを挿入して高周波発生手段を導波管30に装着させる結合穴である。また導波管30の結合穴38側の終端にも通風穴39を配設している。
【0036】
以上の構成からなる実施例2の高周波加熱装置によれば、高周波発生手段から発生した高周波は仕切板31によって導波路32と導波路33とに電力2等分され、それぞれの導波路を伝送する。各導波路の長さの差を導波路内の伝搬波長の1/4の長さとすることで、発熱手段34に供給するそれぞれの高周波は位相差略90度となる。これにより、発熱材料34は全体が均一に加熱されるとともに高周波エネルギを有効に吸収するので、熱応力の発生に伴う発熱材料の機械的な破損が抑制された状態で短時間に数百℃の高温に加熱することができる。
【0037】
この装置において、発熱材料34を多孔質で構成し、送風手段(図示していない)を付加して通風穴39を流入側とし通風穴37を排出側とすることで高温の空気流を発生する装置に展開できる。この場合、多孔質とすることで発熱材料の熱容量を小さくして加熱に伴う温度上昇速度をよく速めることができる。
【0038】
なお、この場合の発熱材料としては、数百℃の発熱が可能な材料として、ポーラスSiCや無機材料をベースとし蜂の巣状の穴を構成した基材に酸化スズとか金属酸化物を蒸着させたものを用いることができる。そして、このような高温発熱する発熱材料34に対して導波管内に空気を送風することで導波管の構成部材を冷却することができ、構造自体のコンパクト化が図れるとともに本装置をユニットとし他の装置への実装性を高めることができる。
【0039】
また、高周波発生手段は、ISM帯(工業・科学・医療用に利用が許可された周波数帯)のひとつである5800MHz帯を出力するもの用いれば、分配手段あるいは導波手段をさらにコンパクトに構成できるとともに、高い周波数を使うことで加熱の均一化を促進でき、さらには少ない高周波電力で所望の発熱あるいは加熱性能を達成することができる。
【0040】
(実施例3)
次に、本発明の実施例3について図6を用いて説明する。実施例3が実施例2と相違する点は、被加熱物を貯水手段40としたことである。高周波伝送に関する動作および作用は実施例2と同様であるので説明は省略する。
【0041】
図6において、貯水手段40は、高周波を透過させる材料で構成している。またこの貯水手段40に注水するための注水用穴41を導波管壁面に付帯させている。
【0042】
貯水手段40内に注水された水は広範囲に加熱が促進され短時間に昇温するとともにすばやく蒸気化させることができる。
【0043】
実施例2と同様に導波路32の終端に通風穴37を設けることで、蒸気を導波管外に噴出させることができる。
【0044】
また、貯水手段40を高周波によって加熱する発熱材料で構成することで、発熱手段を蓄熱手段として作用させ、高周波の断続供給の下でも水の連続的な蒸発を促進させることができる。
【0045】
実施例3においても、高周波発生手段は、ISM帯のひとつである5800MHz帯を出力することで実施例2にて説明したことと同様の作用効果をえることができる。
【0046】
(実施例4)
次に、本発明の実施例4について図7を用いて説明する。実施例4は、実施例2や実施例3で示した高周波加熱装置を熱風発生ユニットや蒸気発生ユニットとして使用するものである。すなわち、図7において、高周波加熱装置50は、被加熱物を収納する加熱室51、被加熱物を載置する載置台52、加熱室50内に供給する高周波を発生する高周波発生手段53、高周波発生手段53が発生した高周波を伝送する導波管54、高周波を加熱室50に放射する回転式のアンテナ55、アンテナ55を回転駆動するモータ56、および熱風発生ユニット(あるいは蒸気発生ユニット)57を備えている。58は熱風あるいは蒸気を加熱室51内に導くガイドである。
【0047】
このような構成により、被加熱物を高周波発生手段53が発生する高周波によって高周波加熱することに加えて、高周波発生手段59を動作させることによって生じる熱風による乾燥あるいはオーブン調理、さらには蒸気による調理などを実現させることができる。このような装置において、高周波発生手段53、59を駆動する電源部を共用化できるのでコンパクトな構成が採れるとともに商用電源の容量限界内での自由な制御が可能である。
【0048】
なお、高周波発生手段53および59は、ISM帯のひとつである5800MHzを出力するものを用いることができる。
【0049】
(実施例5)
次に、本発明の実施例5について図8を用いて説明する。実施例5は空間容積が被加熱物の大きさに対して略10倍以上の広さを有する閉空間の加熱室に対して被加熱物を効果的に円偏波によって加熱する実用構成を示すものである。
【0050】
図8において、被加熱物を収納する加熱室60の底壁面61の略中央部に円偏波放射部62を設けている。この円偏波放射部62は、加熱室の底壁面61に対する相対位置角度が略45度で、互いが直交配置の第一および第二の放射手段63、64とで構成している。
【0051】
また、それぞれの放射手段63、64に高周波を供給する導波手段は、導波管65の中に導波管高さ方向の略中央部を仕切る仕切板66を設け、二つの導波路67と導波路68とを形成している。導波路67は、高周波発生手段69から略直線上の伝送経路であり、導波路68は、導波管65の終端部で折返して放射手段64に至る伝送経路である。これら導波路67、68は導波路の長さの差が導波管を伝搬する高周波の伝搬波長の1/4の長さ分としている。そして、高周波発生手段69が発生する高周波を電力的には2等分し位相的には略90度の差として第一および第二の放射手段63、64に供給している。これにより、円偏波を確実に発生させることができる。70は被加熱物を載置する載置台である。被加熱物は円偏波放射部62の上方に収納する構成としたことにより、放射部62から伝搬する円偏波を被加熱物が効率的に吸収し、被加熱物の全体が効率的に加熱されることになる。
【0052】
実施例5においても、高周波発生手段は、ISM帯のひとつである5800MHz帯を出力することで上述したことと同様の作用効果を得ることができる。
【0053】
なお、以上の説明において導波路の長さは位相差略90度を形成させるように構成するものであり、上述した伝搬波長の1/4の長さの差に限らずたとえば、伝搬波長の3/4、5/4などの長さの差であっても構わない。この場合、円偏波での回転方向が右旋回か左旋回かに変化するだけで加熱性能は同様である。
【0054】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、高周波発生手段が発生する高周波電力を2分配する分配手段と、分配したそれぞれの高周波を位相差略90度で直交放射する放射手段とを備えた構成とすることにより、ほぼ等量でかつ位相差90度の高周波によって円偏波を確実に発生させることができる。そして、被加熱物の高周波加熱においてこの円偏波を利用することで、高周波エネルギの利用効率を高めるとともに加熱の均一化を促進することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1の高周波加熱装置の外観構成図
【図2】 (a)同高周波加熱装置の平面構成図
(b)従来の高周波加熱装置の平面構成図
【図3】 図2(a)、(b)に示す高周波加熱装置の加熱分布の比較特性図
【図4】 図2(a)、(b)に示す高周波加熱装置の加熱電力の比較特性図
【図5】 本発明の実施例2の高周波加熱装置の断面構成図
【図6】 本発明の実施例3の高周波加熱装置の断面構成図
【図7】 本発明の実施例4の高周波加熱装置の断面構成図
【図8】 本発明の実施例5の高周波加熱装置の断面構成図
【符号の説明】
12 E面T分岐部(分配手段)
13、14、32、33、67、68 導波手段
15 加熱空間
31、66 仕切板(分配手段)
34 発熱手段(多孔質の発熱手段)
37、39 通風穴
40 貯水手段(発熱手段で構成)
51、60 加熱室
53、59、69 高周波発生手段(5800MHz帯)
61 加熱室の底壁面
63、64 第一および第二の放射手段

Claims (8)

  1. 高周波発生手段が発生する高周波電力を2分配する分配手段と、分配したそれぞれの高周波を伝搬する導波手段と、前記それぞれの導波手段の高周波を位相差略90度で略直交放射する加熱空間とを備え、前記それぞれの導波手段の終端と前記加熱空間の中心との距離は前記それぞれの導波手段の伝搬波長の略1/4とした高周波加熱装置。
  2. 高周波によって加熱される発熱手段を収納した加熱空間と、前記加熱空間に直交して設けた第一および第二の放射手段と、高周波発生手段と、前記高周波発生手段が発生する高周波電力を2分配する分配手段と、分配したそれぞれの高周波を位相差略90度で前記第一および第二の放射手段に供給する導波手段とを備え、前記それぞれの導波手段の終端と前記加熱空間の中心との距離は前記それぞれの導波手段の伝搬波長の略1/4とした高周波加熱装置。
  3. 発熱手段は多孔質に構成した請求項2記載の高周波加熱装置。
  4. 発熱手段に通風する送風手段を付加した請求項2記載の高周波加熱装置。
  5. 貯水手段を配した加熱空間と、前記加熱空間に直交して設けた第一および第二の放射手段と、高周波発生手段と、前記高周波発生手段が発生する高周波電力を2分配する分配手段と、分配したそれぞれの高周波を位相差略90度で前記第一および第二の放射手段に供給する導波手段とを備え、前記それぞれの導波手段の終端と前記加熱空間の中心との距離は前記それぞれの導波手段の伝搬波長の略1/4とした高周波加熱装置。
  6. 貯水手段は高周波によって加熱される発熱手段で構成した請求項5記載の高周波加熱装置。
  7. 高周波発生手段は、ISM帯のひとつである5800MHz帯を用いた請求項2または5記載の高周波加熱装置。
  8. 被加熱物を収納する加熱室と、高周波発生手段と、前記加熱室の底壁面の略中央部に底壁面に対する相対位置角度が略45度で設けかつ互いが直交配置の第一および第二の放射手段と、前記高周波発生手段が発生する高周波を位相差略90度で前記第一および第二の放射手段に供給する導波手段と、被加熱物を前記第一および第二の放射手段の上方に載置する載置台とを備えた高周波加熱装置。
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