JP3907620B2 - セラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
セラミックス回路接合面側を機械加工する際は、放熱面側の様な反り加工を行う必要はなく平面研削でも構わない。アルミニウム−炭化珪素質複合体のセラミックス回路接合面側の加工を行った後、セラミックス回路基板との接合を行い、その後に、放熱面側を機械加工する。
長軸は、平板の形状が四角形の場合は対角線を、円の場合は直径を、楕円の場合は長軸を、その他の形状の場合は最大長の軸をそれぞれ表す。
実施例1で得られたSiCプリフォームを厚み4.2mmに加工した後、溶湯が流入できる湯口のついた185×135×5.4mmの鉄製枠に入れ、両主面に185mm×135mm×0.6mmの高純度アルミニウム板(4N材)を配し、両面をカーボンコートしたSUS板で挟んで一体としたものを電気炉で600℃に予備加熱した。次にそれをあらかじめ加熱しておいた内径300mmのプレス型内に収め、シリコンを12質量%、マグネシウムを0.5質量%含有するアルミニウム合金の溶湯を注ぎ、100MPaの圧力で20分間加圧して炭化珪素質多孔体にアルミニウム合金を含浸させた。室温まで冷却した後、湿式バンドソーにて鉄枠等を切断し、挟んだSUS板をはがした後、含浸時の歪み除去のために530℃の温度で3時間アニール処理を行い、アルミニウム−炭化珪素質複合体を得た。
Claims (9)
- 炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸し、表面がその金属で被覆されてなる平板状複合体の一主面にセラミックス回路基板を一体化してなり、他の主面の反り量が200mmあたり400μm以下で、且つ、その形状が曲率半径12.5m以上の球面であることを特徴とするセラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体。
- 金属の被覆厚みの平均が0.1mm以上で、しかも、一主面の金属被覆厚みと他の主面の金属被覆厚みの厚みの差が、厚い方の金属被覆厚みの50%以内であることを特徴とする請求項1記載のセラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体。
- アルミニウム−炭化珪素質複合体の熱伝導率が180W/mK以上、25℃から150℃の線熱膨張係数が10×10−6/K以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のセラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体。
- セラミックス回路基板のセラミックスが、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナセラミックスから選ばれることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか一項記載のセラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体
- セラミックス回路基板の回路が、アルミニウムを主成分とする金属からなることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか一項記載のセラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体。
- 炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸し、表面がその金属で被覆されてなるアルミニウム−炭化珪素質複合体とセラミックス回路基板を一体化し、その後、放熱面の表面金属層を加工して、放熱面の反り量が200mmあたり400μm以下で、且つ、その形状が曲率半径12.5m以上の球面とすることを特徴とするセラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。
- セラミックス回路基板のセラミックスが、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナセラミックスから選ばれることを特徴とする請求項6記載のセラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。
- アルミニウム−炭化珪素質複合体とセラミックス回路基板を、活性金属ろう材を用いて400℃以上の温度で接合することを特徴とする請求項6又は7記載のセラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。
- セラミックス回路基板の回路が、アルミニウムを主成分とする金属からなることを特徴とする請求項6〜8のうちいずれか一項記載のセラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。
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