JP3901439B2 - ワイパ制御装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車用のワイパを制御するワイパ制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ワイパモータを半導体スイッチ素子によって制御するようにしたワイパ制御装置が知られている。例えば、特開平5−58250号公報は、2つの電界効果トランジスタ(FET)を用いてワイパモータを制御する「ワイパ制御装置」を開示している。このワイパ制御装置の構成を図11に示す。
【0003】
このワイパ制御装置は、高速作動端子及び低速作動端子を備えたワイパモータ12、並びにワイパスイッチ回路17を備え、このワイパスイッチ回路17は、高速走査モード(HI)が設定されると、ワイパモータ12の高速作動端子に+B電源を接続する。間欠走査モード(INT)が選択されたときは、ワイパスイッチ回路17からの指令に応答して動作するFET駆動回路20が第1のFET21を動作させ、ワイパモータ12を間欠走査を実現するように制御する。高速走査モードが設定された場合、ワイパモータ12の低速動作端子に逆起電力による電流が出力されるが、この電流の第1のFET21への流入は、逆流阻止用のダイオードD1及びD2によって阻止され、第1のFET21を破壊から防止する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に開示されたワイパ制御装置は、以下のような問題を有する。即ち、第2のFET22をオンにしてブレーキ動作を行うとき、その第2のFET22の下流(ソース側)に挿入されているダイオードD3のために電圧降下が発生し、ブレーキ効率が悪くなる。
【0005】
また、ワイパモータ12がロックした状態で第1のFET21がオフすると、それまで流れていた大電流(ワイパモータによって異なるが、5〜30A程度)が急激に遮断されるので、ワイパモータ12のインダクタンスLによる逆起電力V(=−L(di/dt))が発生し、サージとなって現れる。その結果、第2のFET22の下流に挿入されたダイオードD3及び第1のFET21がアバランシェ破壊を起こす可能性がある。
【0006】
なお、ダイオードD1〜D3は、バッテリのプラスとマイナスとが逆に接続されるという異常事態が発生した時に、第1のFET21及び第2のFETにそれぞれ内蔵されたツェナーダイオードZ1及びZ2を経由して電流が流れるのを防ぐ働きもある。
【0007】
また、バッテリ14のプラス端子から第1のFET21を経てワイパモータ12へ至る主電流経路にダイオードD1及びD2が挿入されているので、電圧降下が生じてワイパモータ12の駆動電圧が低下する。また、ワイパスイッチ回路17の状態が間欠走査モード(INT)及び低速走査モード(LO)の低速回転中は常にダイオードD1及びD2をモータ電流が流れることから、ダイオードD1及びD2での発熱が多く、放熱板、送風機構等が必要になる。更に、十分な電流容量をもたせるために大型の電力用ダイオードD1及びD2が必要になる。同様に、低速連続動作時のワイパモータへの電流供給を第1のFET21によって行っているので、第1のFET21にも連続電流に耐えるだけの電流容量及び放熱性を持たせなければならず、装置が大型化する。
【0008】
本発明は、上述した諸問題を解消するためになされたものであり、半導体スイッチ素子を用いた小型で信頼性が高く動作が確実なワイパ制御装置を提供することを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、請求項1に記載の発明は、ワイパを動かすためのワイパモータと、前記ワイパの1走査毎に反転する信号を出力する切換スイッチと、前記ワイパの動作を指示するコンビネーションスイッチと、前記ワイパモータを駆動する第1半導体スイッチ素子と、前記コンビネーションスイッチで間欠ワイパ動作が指示された場合に、前記切換スイッチからの信号に基づいて前記第1半導体スイッチ素子を間欠的にオン及びオフさせるコントローラと、前記第1半導体スイッチ素子に直列に接続され、電源電圧によりオンにされるとともに、前記ワイパモータがロックされかつ前記第1半導体スイッチ素子がオフされた場合に前記コンビネーションスイッチを介して前記ワイパモータに並列に接続され前記ワイパモータにより発生する逆起電力を還流させる第2半導体スイッチ素子とを備えたことを特徴とする。
【0010】
この請求項1に記載の発明によれば、コンビネーションスイッチで間欠ワイパ動作が指示された場合に、ワイパの1走査毎に反転する信号を出力する切換スイッチからの信号に基づいて第1半導体スイッチ素子を間欠的にオン及びオフさせ、ワイパを動かすためのワイパモータを駆動する。この場合、第2半導体スイッチ素子が電源電圧によりオンにされるようになっているので、バッテリ逆接続時の電流の流れを阻止できると共に、ワイパモータがロックされかつ第1半導体スイッチ素子がオフされた場合にコンビネーションスイッチを介してワイパモータに並列に接続されワイパモータにより発生する逆起電力を還流させることにより、モータロック時のサージを吸収できるのでワイパ制御装置の信頼性を高めることができる。
【0011】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第2半導体スイッチ素子に直列に接続され、前記ワイパモータにブレーキをかけるための第3半導体スイッチ素子を更に備え、前記コントローラは、前記第1半導体スイッチ素子をオフにした後に、前記第3半導体スイッチ素子をオンにすることにより前記ワイパモータに逆電流を流すための閉回路を形成せしめ、前記ワイパモータにブレーキをかけることを特徴とする。
【0012】
この請求項2に記載の発明によれば、第3半導体スイッチ素子にはモータ停止動作時の小さなブレーキ電流のみが短時間流れるだけであるので、第3半導体スイッチ素子の小型化、低コスト化が可能であり、ひいてはワイパ制御装置の更なる小型・低コスト化が可能になっている。また、第3半導体スイッチ素子には従来のようにダイオードが挿入されていないので、ブレーキ効率がよく、その分ワイパ制御装置を小型化できる。
【0013】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発明において、前記コントローラは、前記切換スイッチからの信号が所定時間切り替わらない場合に前記第1半導体スイッチ素子をオフにすることを特徴とする。
【0014】
この請求項3に記載の発明によれば、モータロックによる異常電圧が流れ続ける場合は切換スイッチからの信号が所定時間切り替わらないので、コントローラはこれを検出して電流を遮断して電界効果トランジスタを保護する。その結果、電界効果トランジスタの電流定格を大きくする必要がなくなり小型化及び低コスト化が可能になる。
【0015】
また、請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3の何れか1項に記載の発明において、前記ワイパモータは、高速で回転させるための高速作動端子と低速で回転させるための低速作動端子とを備え、前記コンビネーションスイッチで高速動作が指示された場合に、前記ワイパモータの前記高速動作端子が直接電源に接続されて駆動され、前記コンビネーションスイッチで低速動作が指示された場合に、前記ワイパモータの前記低速動作端子が直接電源に接続されて駆動されることを特徴とする。
【0016】
この請求項4に記載の発明によれば、上述した間欠ワイパ動作の他に、高速動作及び低速動作をさせることができるので、高速作動端子及び低速作動端子を備えたワイパモータを用いて高度なワイパ動作が可能なワイパ制御装置を実現できる。
【0017】
また、請求項5に記載の発明は、請求項1乃至3の何れか1項に記載の発明において、前記ワイパモータは、所定速度で回転させるための1つの電源端子を備え、前記コンビネーションスイッチで回転動作が指示された場合に、前記ワイパモータの前記電源端子が直接電源に接続されて駆動されることを特徴とする。
【0018】
この請求項5に記載の発明によれば、上述した間欠ワイパ動作の他に、所定速度でのワイパ動作をさせるワイパモータが使用されるので、安価なワイパ制御装置を実現できる。
【0019】
また、請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5の何れか1項に記載の発明において、前記第1半導体スイッチ素子は、前記ワイパモータと電源との間に設けられていることを特徴とする。また、請求項7に記載の発明は、請求項1乃至5の何れか1項に記載の発明において、前記第1半導体スイッチ素子は、前記ワイパモータとグランドとの間に設けられていることを特徴とする。
【0020】
これら請求項6及び7に記載の発明によれば、第1〜第3半導体スイッチ素子としてPチャンネル型及びNチャンネル型を適宜組み合わせてワイパ制御装置を構成できるので、設計の自由度が広がる。
【0021】
更に、請求項8に記載の発明は、請求項1乃至7の何れか1項に記載の発明において、第2ワイパを動かすための第2ワイパモータと、前記第2ワイパの1走査毎に反転する信号を出力する第2切換スイッチと、前記第2ワイパの動作を指示する第2コンビネーションスイッチと、前記第2ワイパモータを駆動するリレーとを更に備え、前記コントローラは、前記第2コンビネーションスイッチの指示に応答して前記リレーを制御し、前記第2ワイパモータを駆動することを特徴とする。
【0022】
この請求項8に記載の発明によれば、電界効果トランジスタを用いたワイパ制御部とリレーを用いたワイパ制御部とを有するワイパ制御装置を実現できるので、応用範囲が広がる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係るワイパ制御装置を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下で参照する各図面において同一及び相当部分には同一符号を付して説明する。
【0024】
(第1の実施の形態)
この第1の実施の形態に係るワイパ制御装置は、ハイサイドスイッチ駆動で2スピードのワイパモータを駆動する。図1はこの第1の実施の形態に係るワイパ制御装置の構成を示すブロック図である。
【0025】
このワイパ駆動装置は、ヒューズ50、ワイパスイッチ回路51、ワイパモータ52、切換スイッチ53、ウオッシャモータ54、コントローラ55、Pチャンネル電界効果トランジスタFET−b(以下、単に「FET−b」という)、Nチャンネル電界効果トランジスタFET−a1(以下、単に「FET−a1」という)、Nチャンネル電界効果トランジスタFET−a2(以下、単に「FET−a2」という)、抵抗R1、抵抗R2、ツェナーダイオードZ1、ツェナーダイオードZ2及び可変抵抗VRから構成されている。
【0026】
このワイパ制御装置には、バッテリからイグニッションスイッチ(何れも図示を省略する)を介して電力が供給される。この電力はヒューズ50を介してワイパ制御装置の各部に供給される。この各部に供給される電力を、IGN電源という。
【0027】
ワイパスイッチ回路51は、ワイパ操作子として設けられているコンビネーションスイッチを構成する回路である。このワイパ制御装置で使用されるコンビネーションスイッチは、高速走査モード(hi)、低速走査モード(lo)、間欠走査モード(int)、オフモード(off)及びウオッシュモード(wash)といった5つの動作モードの何れかを設定するために使用される。このワイパスイッチ回路51は、IGN端子、HI端子、LO端子、FET端子、INT端子、WASH端子、GND端子及びVR端子を備えている。IGN端子は、IGN電源に接続されており、GND端子は接地されている。
【0028】
このワイパスイッチ回路51は、上記各端子を、設定された動作モードに応じて接続する。即ち、高速走査モード(hi)では、IGN端子とHI端子とが接続される。低速走査モード(lo)では、IGN端子とLO端子とが接続される。間欠走査モード(int)では、LO端子とFET端子及びINT端子とGND端子とが接続される。オフモード(off)では、LO端子とFET端子とが接続される。ウオッシュモード(wash)では、WASH端子とGND端子とが接続される。
【0029】
ワイパモータ52は、高速作動端子M1、低速作動端子M2及び共通端子M3を備えている。高速作動端子M1は、ワイパスイッチ回路51のHI端子に、低速作動端子M2は、ワイパスイッチ回路51のLO端子に、共通端子M3はワイパスイッチ回路51のGND端子に、それぞれ接続されている。
【0030】
切換スイッチ53は、ワイパが1走査を終了する毎に切り換えられるスイッチである。この切換スイッチ53のB入力端子はIGN電源に接続されており、A入力端子はワイパスイッチ回路51のGND端子接続されている。また、共通端子CMは、コントローラ55のAS端子(後述する)に接続されている。この切換スイッチ53の共通端子CMは、通常は、A入力端子に接続されており、1走査毎に切り換えられる。
【0031】
ウオッシャモータ54は、ウオッシャ液を吐出するために使用される。このウオッシャモータ54の一方の端子はIGN電源に接続され、他方の端子はワイパスイッチ回路51のWASH端子に接続されている。このウオッシャモータ54は、ワイパスイッチ回路51によってウオッシュモード(wash)にされた時に、WASH端子が接地されることにより駆動される。
【0032】
可変抵抗VRは、ワイパを間欠走査モード(int)で動作させる場合の、動作間隔を設定するために使用される。この可変抵抗VRの一端は接地され、他端はコントローラ55のVR端子に接続されている。
【0033】
FET−bは本発明の第1半導体スイッチ素子に対応する。このFET−bはワイパモータ駆動用であり、間欠走査モード(int)及びオフモード(off)でワイパモータ52に供給する電力を制御する。このFET−bのソースはIGN電源に、ドレインはワイパスイッチ回路51のFET端子に接続、ゲートは、コントローラ55のFET−b端子に、それぞれ接続されている。
【0034】
また、このFET−bのソース−ドレイン間には、製造時にダイオードD1が形成されている。このFET−bは、コントローラ55のFET−b端子から供給される信号に従ってオン及びオフが制御され、IGN電源をワイパスイッチ回路51のLO端子を介してワイパモータ52の低速作動端子M2に供給する。
【0035】
このFET−bは、モータロックによる異常電流が流れた時にコントローラ55により速やかにオフにされる。従って、異常電流に基づく発熱による故障が回避されるので電流定格を大きくする必要がない。その結果、FET−bの小型化、低コスト化が可能であり、ひいてはワイパ制御装置の小型・低コスト化が可能になっている。
【0036】
FET−a1は本発明の第3半導体スイッチ素子に対応する。このFET−a1はブレーキ動作用である。このFET−a1のソースは接地されており、ドレインはFET−a2のドレインに、ゲートはコントローラ55のFET−a端子にそれぞれ接続されている。また、このFET−a1のソース−ドレイン間には、製造時にダイオードD2が形成されている。このFET−a1は、コントローラ55のFET−a端子から供給される信号に従ってオン及びオフが制御され、以てモータ停止動作時のブレーキ電流の流れを制御する。
【0037】
このFET−a1にはモータ停止動作時のブレーキ電流のみが流れるように構成されている。ブレーキ電流は数十〜数百ミリ秒の短時間流れるだけであるので、RDSon定格をFET−bの2〜20倍と大きくすることができる。その結果、FET−a1の小型化、低コスト化が可能であり、ひいてはワイパ制御装置の更なる小型・低コスト化が可能になっている。
【0038】
FET−a2は本発明の第2半導体スイッチ素子に対応する。このFET−a2は、バッテリ逆接続時の電流阻止及びモータロック時のサージ吸収用である。このFET−a2のソースはFET−bのドレインに接続されており、ドレインはFET−a1のドレインにそれぞれ接続されている。また、ゲートは抵抗R1を介してIGN電源に接続されると共に、抵抗R2を介してFET−a2のソースに接続されている。また、このFET−a2のソース−ドレイン間には、製造時にダイオードD3が形成されている。
【0039】
上記の構成により、FET−a2のゲートには、IGN電源の電圧を抵抗R1及びR2で分圧した電圧が常時加えられる。また、FET−a2のゲート−ソース間に挿入されている逆直列接続されたツェナーダイオードZ1及びZ2は、このFET−a2のゲート保護用である。ゲート耐圧及びESD耐性が十分あるときは、これらの抵抗R1及びR2並びにツェナーダイオードZ1及びZ2を省略することができる。
【0040】
このFET−a2は、「バッテリ電圧<FET−a2のVdss≦FET−a1のVdss」の範囲の定格電圧を有するように選択される。従って、小電流容量で済むためFET−a1と同程度のRDSon定格でよく、FET−a1よりも更に小型にすることができる。
【0041】
コントローラ55は、FET−a1及びFET−bのゲートを駆動し、間欠ワイパ動作及びウオッシャ後拭き動作を行わせる。このコントローラ55の詳細な構成を図2に示す。このコントローラ55は、5Vレギュレータ60、入力回路61、レベルシフト回路62、VR変換回路63、リセット回路64、発振回路65、MOS−FETゲートドライブ回路66及びデジタル制御部67から構成されている。
【0042】
5Vレギュレータ60は、このコントローラ55のIG端子を介してIGN電源に接続されている。即ち、IG端子に供給されるIGN電源を、ダイオードD並びに抵抗R及びキャパシタCで構成されるフィルタを介して入力し、5Vの電力を生成する。この5Vレギュレータ60で生成された5Vの電力は、デジタル制御部67に供給される。
【0043】
入力回路61は、このコントローラ55のINT端子を介してワイパスイッチ回路51のINT端子に接続されている。この入力回路61は、ワイパスイッチ回路51のINT端子に電流を流すことにより該ワイパスイッチ回路51の接点のオン/オフを検出し、間欠走査モード(INT)に設定されているかどうかを検出する。
【0044】
レベルシフト回路62は、このコントローラ55のWS端子を介してワイパスイッチ回路51のWASHに接続されると共に、AS端子を介して切換スイッチ53の共通端子CMに接続されている。このレベルシフト回路62は、WS端子及びAS端子から入力されるバッテリ電圧(Typ13.5V)を有する信号を5Vに変化し、デジタル制御部67に供給する。
【0045】
VR変換回路63は、このコントローラ55のVR端子を介してワイパスイッチ回路51のVR端子に接続されている。このVR変換回路63は、ワイパスイッチ回路51のVR端子から送られてくる、ワイパの動作間隔を表す信号を5Vの信号に変換し、デジタル制御部67に供給する。
【0046】
リセット回路64は、IG端子にIGN電源が供給された時にデジタル制御部67を初期化する。発振回路65は、デジタル制御部67を動作させるためのクロックを生成する。MOS−FETゲートドライブ回路66は、デジタル制御部67で生成された信号をMOS−FETの動作レベルに合致するように変換し、FET−a端子及びFET−b端子から出力する。
【0047】
デジタル制御部67は、入力回路61、レベルシフト回路62及びVR変換回路からの信号を処理することにより、FET−a1及びFET−bのゲートに供給する信号を生成する。このコントローラ55は以下の機能を有する。
【0048】
上記のように構成されるコントローラ55は以下の機能を有する。
【0049】
(イ)FET−a1とFET−bとに時間差tdを設けて動作信号を送る機能。
【0050】
(ロ)ワイパの動作途中でコンビネーションスイッチを切ったときなどワイパがパーク位置に戻るまでFET−bへの信号を出力し続ける機能。
【0051】
(ハ)コンビネーションスイッチでウオッシュを設定した後の後拭きを回数で正確に規定する機能。
【0052】
(ニ)コンビネーションスイッチでウオッシュを設定した後の後拭き時にコンビネーションスイッチをオンからオフに切り換えた場合でも、後拭き回数を正確に規定する機能。
【0053】
(ホ)ワイパモータ52の異常時に出力を遮断し異常が解除された後に元の状態に復帰させる機能。
【0054】
なお、この第1の実施の形態に係るワイパ制御装置では、従来の技術の欄で説明したワイパ制御装置と異なり、FET−bからワイパモータ52の低速作動端子M2に電流を供給するのは間欠走査時とウオッシャ後拭き動作時のみである。(従来のワイパ制御装置では、連続低速走査時にもFETからワイパモータに電流を供給している)。
【0055】
次に、上記のように構成されるワイパ制御装置の動作を、通常時の動作と異常時の動作とに分けて説明する。
【0056】
(1)通常時の動作
(1−1)間欠ワイパ動作
先ず、通常時の間欠ワイパ動作を、図1に示したブロック図及び図3に示したタイミングチャートを参照しながら説明する。
【0057】
図示しないイグニッションスイッチがオンにされることにより、図3(A)に示すように、IGN電源が供給されている状態において、最初はワイパがパーク位置に存在するためワイパモータ52に連動する切換スイッチ53の共通端子CMは、A入力端子側に接続されている。従って、切換スイッチ53の共通端子CMからの信号は、図3(B)に示すように、低レベル(以下、「Lレベル」という)になっている。
【0058】
また、コントローラ55のFET−b端子から出力される信号は、図3(D)に示すように高レベル(以下、「Hレベル」という)になっており、FET−bはオフになっている。また、コントローラ55のFET−a1端子から出力される信号は、図3(E)に示すようにLレベルになっており、FET−a1はオフになっている。
【0059】
FET−a1はNチャンネル型であるので、Hレベルがゲートに入力されるとオンになってドレイン−ソース間に電流が流れ、Lレベルがゲートに入力されるとオフになる。これに対し、FET−bはPチャンネル型であるので、Lレベルがゲートに入力されるとオンになり、Hレベルがゲートに入力されるとオフになる。Hレベル及びLレベルの信号はそれぞれのMOS−FETの動作しきい値より十分に高い及び低いものとする。
【0060】
コンビネーションスイッチがINTポジションにされることにより間欠走査モード(int)にされると、図3(B)に示すように、コントローラ55のINT端子に入力される信号がHレベルに変化する。これに応答して、コントローラ55は、直ちにFET−b端子からLレベルの信号を出力し、FET−bのゲートに供給する。これにより、FET−bがオンにされ、「IGN電源→FET−b→ワイパスイッチ回路51のFET端子→ワイパスイッチ回路51のLO端子→ワイパモータ52→グランド」の経路で電流が流れ、ワイパモータ52は回転を始める。
【0061】
ワイパモータ52の回転によってワイパの1走査が終了すると、ワイパモータ52の回転に同期している切換スイッチ53は、A入力端子側からB入力端子側に切り替わる。これにより、切換スイッチ53の共通端子CMからコントローラ55のAS端子に供給される信号は、図4(C)に示すように、Hレベルに変わる。
【0062】
この状態でワイパモータ52が回転を続け、ワイパがウインドシールドガラス上を1往復するとワイパはパーク位置に戻る。このとき、切換スイッチ53の共通端子CMはA入力端子に接続されるように戻り、コントローラ55のAS端子にはLレベルが再度入力される。
【0063】
コントローラ55のAS端子にLレベルが再入力されると、コントローラ55は、直ちにFET−b端子からHレベルの信号を出力し、FET−bのゲートに供給する。これにより、FET−bがオフにされる。そして、コントローラ55は、時間tdの後にFET−a1端子から期間tbの間Hレベルの信号を出力し、FET−a1のゲートに供給する。これにより、FET−a1は期間tbの間オンにされる。時間tdはFET−bとFET−a1とが同時にオン状態になって貫通電流が流れるのを防ぐために設けられており、MOS−FETの応答時間よりも十分長い時間とすればよい。
【0064】
この際、ワイパモータ52は慣性で回転を続けようとするが、FET−a1がオンにされるので、「ワイパモータ52の低速作動端子M2→ワイパスイッチ回路51のLO端子→ワイパスイッチ回路51のFET端子→FET−a2→FET−a1→ワイパモータ52の共通端子M3」の閉回路が形成される。そのため逆電流(「ブレーキ電流」ともいう)が急激に流れて電力を消費するので、ワイパモータ52は急速に停止し、ワイパはパーク位置からはみ出ることなく停止する。
【0065】
ここで、FET−a2のゲートには常にIGN電圧を適当に分圧した電圧が印加されているので、FET−bがオフになっている間、厳密にはFET−a2のソース電圧がそのゲート電圧よりも該FET−a2の動作しきい値電圧以上低い間は、該FET−a2はオン状態を維持する。そのため、ブレーキ電流が流れた時の電圧降下は、従来のワイパ制御装置におけるダイオードによる電圧降下よりも小さくなり、電力損失も少なくなる。
【0066】
コントローラ55は、FET−aをオフにしてから可変抵抗VRにより設定された時間t_INTをカウントした後、上記動作を繰り返す。このようにして、間欠ワイパ動作が行われる。
【0067】
コンビネーションスイッチがINTポジションからOFFポジションに切り換えられることによりオフモード(off)にされると、コントローラ55のINT端子にはLレベルの信号が入力される。このときワイパがウインドシールドガラス上にあり、AS端子に入力される信号がHレベルであると、コントローラ55はFET−b端子から出力される信号をLレベルのままに保つ。
【0068】
ワイパモータ52が回連を続けワイパがパーク位置まで戻り、AS端子にLレベルの信号が入力されると、コントローラ55はFET−b端子からHレベルの信号を出力した後、FET−a1からHレベルを出力し、ワイパモータ52の回転を止める。コンビネーションスイッチがINTポジションからOFFポジションに切り換えられることによりオフモード(off)にされた時に、コントローラ55はAS端子から出力される信号がHレベルの場合は直ちに上述したブレーキ動作に移る。このようにして、コンビスイッチをオフする段階でワイパがどの位置にあっても、イグニッションスイッチがオンされている限り必ずワイパはパーク位置で停止する。
【0069】
(1−2)連続ワイパ動作(低速回転)
コンビネーションスイッチがINTポジションからLOポジションに切り換えられると、ワイパモータ52の低速作動端子M2はFET−bのドレインから切り離されると共にIGN電源に接続される。そのため、「IGN電源→ワイパスイッチ回路51のIGN端子→ワイパスイッチ回路51のLO端子→ワイパモータ52の低速作動端子M2→グランド」の経路で電流が流れ、ワイパモータ52は低速で連続回転する。
【0070】
(1−3)連続ワイパ動作(高速回転)
コンビネーションスイッチがINTポジションからHIポジションに切り換えられると、ワイパモータ52の低速作動端子M2はFET−bのドレインからから切り離されると共に、高速作動端子M1がIGN電源に接続される。そのため、「IGN電源→ワイパスイッチ回路51のIGN端子→ワイパスイッチ回路51のHI端子→ワイパモータ52の高速作動端子M1→グランド」の経路で電流が流れ、ワイパモータ52は高速で連続回転する。このときワイパモータ52の低速作動端子M2はコンビネーションスイッチでの操作によってFET−bのドレインと切り離されているので、逆起電力がFET−bにかかることはない。
【0071】
(1−4)ウオッシャ後拭き動作
ウオッシャ後拭き動作を図4に示したタイミングチャートを参照しながら説明する。コンビネーションスイッチがOFFポジション又はINTポジションにある時に、図4(C)に示すように、ワイパスイッチ回路51のWASH端子からコントローラ55のWS端子にLレベルの信号が入力されると、コントローラ55は、AS端子から規定された回数だけHレベル→Lレベルを繰り返す信号が入力されるまで、コントローラ55のFET−b端子から出力される信号をLレベル(オン)にする。
【0072】
これにより、ワイパモータ52は回転を続け、規定回数の走査が完了するまでワイパは動作する。また、ウオッシャモータ54は、図4(C)に示すように、Lレベル(オン)の期間は回転を続け、ウオッシャ液を吐出する。そして、規定回数の走査が完了することにより、コントローラ55は、FET−b端子から出力される信号をHレベル(オフ)にする。その後の動作は、上述した間欠ワイパ動作と同じである。なお、図4に示したタイミングチャートは、INTがオフの場合の例としている。
【0073】
(2)異常時の動作
(2−1)モータロック時
コンビネーションスイッチがOFFポジションからINTポジション又はLOポジションに切り換えられると、コントローラ55は、FET−b端子からLレベルの信号を出力することによりFET−bをオンにし、ワイパモータ52への通電を開始する。このとき、ワイパモータ52の回転が外部からの強制力等によって止められてロック状態になると、ワイパモータ52の特性により大電流が流れ続ける。
【0074】
この場合、ワイパモータ52は回転していないので、切換スイッチ53からコントローラ55のAS端子に供給される信号はLレベル又はHレベルのままである。コントローラ55は、AS端子に入力される信号の時間経過をカウントしており、通常ワイパが1往復してパーク位置に戻るまでにかかる時間よりも十分長い時間AS端子に入力される信号が変化しなかったならばFET−b端子からHレベル(オフ)の信号を出力する。
【0075】
このとき、ワイパモータ52のインダクタンスにより逆起電力を生じるが、FET−a2がオンになっているので、「ワイパモータ52の共通端子M3→FET−a1の内蔵ダイオードD2→FET−a2→ワイパスイッチ回路51のFET端子→ワイパスイッチ回路51のLO端子→ワイパモータ52の低速作動端子M2」の経路で電流は消費される。そのため、サージ電圧は吸収され、アバランシェ破壊等の故障が起こることはない。
【0076】
その後、ロック原因が取り除かれてロック状態が解除されると、コンビネーションスイッチのポジションの切り換えによりコントローラ55の出力停止状態はリセットされ、その切り換え後のモードの動作を行う。
【0077】
(2−2)バッテリ逆接続時
ユーザによる接続ミス等により、バッテリのプラス端子とマイナス端子とが逆に接続された場合、仮にFET−a2が存在しないとすれば、FET−a1の内蔵ダイオードD2とFET−bの内蔵ダイオードD1を経由して破壊的な電流が流れてしまう。
【0078】
しかし、上記の場合はFET−a2のゲートにはLレベルの電圧が印加されるので、FET−a2はオフになる。その結果、コンビネーションスイッチの設定状態によっては、「ワイパモータ52→ワイパスイッチ回路51→FET−b」の経路で電流が流れるケースが発生するが、ワイパモータ52によって電流が制限され、通常動作電流を越えた大きさの電流が流れることがない。従って、FET−a1及びFET−bが破壊されることはない。
【0079】
以上説明した第1の実施の形態によれば、FET−a2の耐圧を、「バッテリ電圧<FET−a2のVdss≦FET−a1のVdss」とすることによりFET−a2を小型化できる。また、ブレーキ動作時の電圧降下が小さいのでブレーキ効率がよく、その分ワイパ制御装置を小型化できる。また、FET−a2のゲートを制御するための回路が抵抗のみで構成されており、コントローラで制御する必要がないので、コントローラの回路規模を小さくできる。
【0080】
また、FET−a2が常時オンしていることによりモータロック時のサージ電圧が発生しないので、ワイパ制御装置の信頼性を高めることができる。
【0081】
また、間欠動作及びウオッシャ後拭き動作時のみ電界効果トランジスタによりワイパモータを駆動し、モータロックによる異常電圧が流れ続けたときは電流を遮断して電界効果トランジスタを保護するので、電界効果トランジスタの電流定格を大きくする必要がなくなり小型化及び低コスト化が可能である。また、駆動回路やモータを含めたワイパ制御装置全体の信頼性を高めることができる。
【0082】
更に、低速連続及び高速連続動作時はコンビネーションスイッチの接点を手動により変更することで、電界効果トランジスタとワイパモータと切り離すことにより、ワイパモータのコイル起電力の影響を受けないようにすることができるので、保護素子等を追加する必要がない。
【0083】
(第2の実施の形態)
この第2の実施の形態に係るワイパ制御装置は、ハイサイドスイッチ駆動で単一スピードのワイパモータを駆動する。図5はこの第2の実施の形態に係るワイパ制御装置の構成を示すブロック図である。第1の実施の形態に係るワイパ制御装置と同一及び相当部分には同一の符号を付してある。
【0084】
ワイパスイッチ回路71は、ワイパ操作子として設けられているコンビネーションスイッチを構成する回路である。このワイパ制御装置で使用されるコンビネーションスイッチは、オンモード(on)、間欠走査モード(int)、オフモード(off)及びウオッシュモード(wash)といった4つの動作モードの何れかを設定するために使用される。このワイパスイッチ回路71は、IGN端子、MOTOR端子、FET端子、INT端子、WASH端子、GND端子及びVR端子を備えている。IGN端子は、IGN電源に接続されており、GND端子は接地されている。
【0085】
このワイパスイッチ回路71は、上記各端子を、設定された動作モードに応じて接続する。即ち、オンモード(on)では、IGN端子とMOTOR端子とが接続される。間欠走査モード(int)では、MOTOR端子とFET端子及びINT端子とGND端子とが接続される。オフモード(off)では、MOTOR端子とFET端子とが接続される。ウオッシュモード(wash)では、WASH端子とGND端子とが接続される。
【0086】
ワイパモータ72は、電源端子M4及び接地端子M5を備えている。電源端子M4は、切換スイッチ73の共通端子CMに接続されており、接地端子M5はワイパスイッチ回路71のGND端子に接続されている。
【0087】
切換スイッチ73は、ワイパの1走査を終了する毎に切り換えられるスイッチである。この切換スイッチ73のA入力端子はワイパスイッチ回路71のMOTOR端子に接続され、B入力端子はIGN電源に接続されている。この切換スイッチ73の共通端子CMは、パーク位置でA入力端子に接続されており、1走査毎に切り換えられる。この切換スイッチ73のA入力端子と共通端子CMとの間にはダイオードD4が設けられている。
【0088】
コントローラ75は、FET−a1及びFET−bのゲートを駆動し、間欠ワイパ動作及びウオッシャ後拭き動作を行わせる。このコントローラ75は、AS端子を備えていないことを除けば、第1の実施の形態で使用されたコントローラ55と同じである。また、上記以外の構成は、第1の実施の形態に係るワイパ制御装置と同じである。
【0089】
以上のように構成される第2の実施の形態に係るワイパ制御装置は以下のように動作する。即ち、間欠ワイパ動作では、FET−bはワイパモータ72が回転を始めてから切換スイッチ73がB入力端子側に移るまでオンにされる。この場合、「IGN電源→FET−b→ワイパスイッチ回路71のFET端子→ワイパスイッチ回路71のMOTOR端子→切換スイッチ73→ワイパモータ72」の経路で電流がながれワイパモータ72は回転する。
【0090】
そして、切換スイッチ73がB入力端子側に移ってからはIGN電源からワイパモータ72に直接電流が流れる。接点がA入力端子からB入力端子に移動している間は、ダイオードD4を経由して電流が流れる。コントローラ75は、FET−bがオフの間はFET−a1が常にオンになるように制御する。
【0091】
なお、上述した第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、ワイパモータ52及び72に供給する電流を制御するFET−bとして、Pチャンネル型電界効果トランジスタを用いたが、Nチャンネル型電界効果トランジスタを用いることもできる。この場合、図6に示すように、ゲートに供給する電圧を昇圧手段76を用いて電源電圧Vccよりも高くし、FET−bが十分オンできるようにする必要がある。
【0092】
更に、各Nチャンネル型電界効果トランジスタに過熱遮断機能をもたせるように構成することができる。過熱遮断機能は、例えば図7に示すように、ツェナダイオードZ1,Z2、ダイオードD1,D2、抵抗R、コンパレータ77、Dタイプフリップフロップ78、アンプ79、FETにより実現することができる。この構成によれば、配線が短絡して異常電流が流れたときでも、短絡の状況によってはヒューズが切れるよりも先にNチャンネル型電界効果トランジスタFET−bに流れる電流を遮断することができるので、ワイパ制御装置の信頼性を向上させることができる。
【0093】
(第3の実施の形態)
この第3の実施の形態に係るワイパ制御装置は、ローサイドスイッチ駆動で2スピードのワイパモータを駆動する。第1及び第2の実施の形態に係るワイパ制御装置と同一及び相当部分には同一の符号を付してある。図8はこの第3の実施の形態に係るワイパ制御装置の構成を示すブロック図である。
【0094】
FET−aは本発明の第1半導体スイッチ素子に対応し、ワイパモータ駆動用のNチャンネル型電界効果トランジスタである。また、FET−b1は本発明の第3半導体スイッチ素子に対応し、ブレーキ用のPチャンネル型電界効果トランジスタである。FET−b2は本発明の第2半導体スイッチ素子に対応し、バッテリ逆接続及びモータロック時のサージの保護用で第1の実施の形態に係るワイパ制御装置のFET−a2と同じ働きをする。FET−b2のゲートは分圧抵抗R1及びR2を介して接地される。ワイパモータ52に連動する切換スイッチ53は、A入力端子がパーク位置となる。
【0095】
この第3の実施の形態に係るワイパ制御装置の動作は、ワイパモータ52の下流側(接地側)に流れる電流が制御されることを除けば、上述した第1の実施の形態に係るワイパ制御装置とほぼ同じである。
【0096】
なお、この第3の実施の形態に使用されるワイパモータとして、第2の実施の形態と同様に、単一スピードのワイパモータを使用できる。詳細な説明は省略するが、この場合のワイパ制御装置の構成を、図9のブロック図に示す。
【0097】
(第4の実施の形態)
この第4の実施の形態に係るワイパ制御装置は、ワイパモータの駆動を制御する素子として電界効果トランジスタとリレーと組み合わせたワイパ制御装置である。
【0098】
1台の車に2系統のワイパを備える場合、第1系統に本発明に係るワイパ制御装置を用い、第2系統に公知技術であるリレーを用いたワイパ制御装置を用いることができる。図10は、この第4の実施の形態に係るワイパ制御装置の構成を示すブロック図である。
【0099】
この第4の実施の形態に係るワイパ制御装置では、電界効果トランジスタを用いたワイパ制御部として第3の実施の形態に係るワイパ制御装置が用いられている。
【0100】
リレーを用いたワイパ制御部は、リレー90、第2ワイパスイッチ回路91、第2ワイパモータ52、第2切換スイッチ53、第2ウオッシャモータ54及び第2可変抵抗VRから構成されている。コントローラ95は、電界効果トランジスタを用いたワイパ制御部とリレーを用いたワイパ制御部との双方を制御するように構成されている。
【0101】
このような構成によれば、電界効果トランジスタを用いたワイパ制御部とリレーを用いたワイパ制御部とを有するワイパ制御装置を実現できるので、応用範囲が広がる。
【0102】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項1に記載の発明によれば、コンビネーションスイッチで間欠ワイパ動作が指示された場合に、ワイパの1走査毎に反転する信号を出力する切換スイッチからの信号に基づいて第1半導体スイッチ素子を間欠的にオン及びオフさせ、ワイパを動かすためのワイパモータを駆動する。この場合、第2半導体スイッチ素子が電源電圧によりオンにされるようになっているので、バッテリ逆接続時の電流の流れを阻止できると共に、ワイパモータがロックされかつ第1半導体スイッチ素子がオフされた場合にコンビネーションスイッチを介してワイパモータに並列に接続されワイパモータにより発生する逆起電力を還流させることにより、モータロック時のサージを吸収できるのでワイパ制御装置の信頼性を高めることができる。
【0103】
また、請求項2に記載の発明によれば、第3半導体スイッチ素子にはモータ停止動作時の小さなブレーキ電流のみが短時間流れるだけであるので、第3半導体スイッチ素子の小型化、低コスト化が可能であり、ひいてはワイパ制御装置の更なる小型・低コスト化が可能になり、更に、第3半導体スイッチ素子には従来のようにダイオードが挿入されていないので、ブレーキ効率がよく、その分ワイパ制御装置を小型化できる。
【0104】
また、請求項3に記載の発明によれば、モータロックによる異常電圧が流れ続ける場合は切換スイッチからの信号が所定時間切り替わらないので、コントローラはこれを検出して電流を遮断して電界効果トランジスタを保護する。その結果、電界効果トランジスタの電流定格を大きくする必要がなくなり小型化及び低コスト化が可能になる。
【0105】
また、請求項4に記載の発明によれば、上述した間欠ワイパ動作の他に、高速動作及び低速動作をさせることができるので、高速作動端子及び低速作動端子を備えたワイパモータを用いて高度なワイパ動作が可能なワイパ制御装置を実現できる。
【0106】
また、請求項5に記載の発明によれば、上述した間欠ワイパ動作の他に、所定速度でのワイパ動作をさせるワイパモータが使用されるので、安価なワイパ制御装置を実現できる。
【0107】
また、請求項6及び7に記載の発明によれば、第1〜第3半導体スイッチ素子としてPチャンネル型及びNチャンネル型を適宜組み合わせてワイパ制御装置を構成できるので、設計の自由度が広がる。
【0108】
更に、請求項8に記載の発明によれば、電界効果トランジスタを用いたワイパ制御部とリレーを用いたワイパ制御部とを有するワイパ制御装置を実現できるので、応用範囲が広がる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るワイパ制御装置の構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示したコントローラの詳細な構成を示すブロック図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態に係るワイパ制御装置の間欠動作を示すタイミングチャートである。
【図4】本発明の第1の実施の形態に係るワイパ制御装置のウオッシュ動作を示すタイミングチャートである。
【図5】本発明の第2の実施の形態に係るワイパ制御装置の構成を示すブロック図である。
【図6】本発明の第1及び第2の実施の形態に係るワイパ制御装置のFET−bをPチャンネル型電界効果トランジスタで構成する場合の回路例を示す図である。
【図7】本発明の第1及び第2の実施の形態に係るワイパ制御装置のNチャンネル型電界効果トランジスタに過熱遮断機能を持たせた場合の回路例を示す図である。
【図8】本発明の第3の実施の形態に係るワイパ制御装置の構成を示すブロック図である。
【図9】本発明の第3の実施の形態に係るワイパ制御装置の変形例の構成を示すブロック図である。
【図10】本発明の第4の実施の形態に係るワイパ制御装置の構成を示すブロック図である。
【図11】従来のワイパ制御装置を説明するための図である。
【符号の説明】
50 ヒューズ
51、71、81、91 ワイパスイッチ回路
52、72 ワイパモータ
53、73 切換スイッチ
54 ウオッシャモータ
55、75、85、95 コントローラ
60 5Vレギュレータ
61 入力回路
62 レベルシフト回路
63 VR変換回路
64 リセット回路
65 発振回路
66 MOS−FETゲートドライブ回路
67 デジタル制御回路
90 リレー
FET−a1、FET−a2、FET−a、FET−b2 Nチャンネル型電界効果トランジスタ
FET−b、FET−b1 Pチャンネル型電界効果トランジスタ
C キャパシタ
R、R1、R2 抵抗
D、D1〜D4 ダイオード
Z1、Z2 ツェナーダイオード
VR、第1VR、第2VR 可変抵抗
Claims (8)
- ワイパを動かすためのワイパモータと、
前記ワイパの1走査毎に反転する信号を出力する切換スイッチと、
前記ワイパの動作を指示するコンビネーションスイッチと、
前記ワイパモータを駆動する第1半導体スイッチ素子と、
前記コンビネーションスイッチで間欠ワイパ動作が指示された場合に、前記切換スイッチからの信号に基づいて前記第1半導体スイッチ素子を間欠的にオン及びオフさせるコントローラと、
前記第1半導体スイッチ素子に直列に接続され、電源電圧によりオンにされるとともに、前記ワイパモータがロックされかつ前記第1半導体スイッチ素子がオフされた場合に前記コンビネーションスイッチを介して前記ワイパモータに並列に接続され前記ワイパモータにより発生する逆起電力を還流させる第2半導体スイッチ素子と、
を備えたことを特徴とするワイパ制御装置。 - 前記第2半導体スイッチ素子に直列に接続され、前記ワイパモータにブレーキをかけるための第3半導体スイッチ素子を更に備え、
前記コントローラは、前記第1半導体スイッチ素子をオフにした後に、前記第3半導体スイッチ素子をオンにすることにより前記ワイパモータに逆電流を流すための閉回路を形成せしめ、前記ワイパモータにブレーキをかけることを特徴とする請求項1に記載のワイパ制御装置。 - 前記コントローラは、前記切換スイッチからの信号が所定時間切り替わらない場合に前記第1半導体スイッチ素子をオフにすることを特徴とする請求項1又は2に記載のワイパ制御装置。
- 前記ワイパモータは、高速で回転させるための高速作動端子と低速で回転させるための低速作動端子とを備え、
前記コンビネーションスイッチで高速動作が指示された場合に、前記ワイパモータの前記高速動作端子が直接電源に接続されて駆動され、前記コンビネーションスイッチで低速動作が指示された場合に、前記ワイパモータの前記低速動作端子が直接電源に接続されて駆動されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のワイパ制御装置。 - 前記ワイパモータは、所定速度で回転させるための1つの電源端子を備え、
前記コンビネーションスイッチで回転動作が指示された場合に、前記ワイパモータの前記電源端子が直接電源に接続されて駆動されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のワイパ制御装置。 - 前記第1半導体スイッチ素子は、前記ワイパモータと電源との間に設けられていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のワイパ制御装置。
- 前記第1半導体スイッチ素子は、前記ワイパモータとグランドとの間に設けられていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のワイパ制御装置。
- 第2ワイパを動かすための第2ワイパモータと、
前記第2ワイパの1走査毎に反転する信号を出力する第2切換スイッチと、
前記第2ワイパの動作を指示する第2コンビネーションスイッチと、
前記第2ワイパモータを駆動するリレーとを更に備え、
前記コントローラは、前記第2コンビネーションスイッチの指示に応答して前記リレーを制御し、前記第2ワイパモータを駆動することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載のワイパ制御装置。
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