JP3887298B2 - 半導体装置の製造方法及びステム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法及びステムに係り、特にレーザチップ等の半導体素子が搭載される半導体装置の製造方法及びステムに関する。
【0002】
【従来の技術】
図1は、従来の製造方法により製造された半導体装置を示している。同図では、レーザダイオード用の半導体装置を例に挙げている。
【0003】
半導体装置10Aは、大略するとレーザダイオード12(半導体チップ),モニター用フォトダイオード14,キャップ15,及びステム29A等により構成されている。ステム29Aは、略円板状をした金属板であるアイレット13Aにリード16A〜18Cを配設した構成とされている。このアイレット13Aは、マウント部19,凹部20,及び貫通孔22が形成された構成とされている。
【0004】
レーザダイオード12は、アイレット13Aに立設されたマウント部19に配設されている。このマウント部19は、レーザダイオード12で発生した熱を放熱するヒートシンクとしても機能するものである。
【0005】
モニター用フォトダイオード14は、レーザダイオード12の発光量を測定するものである。このためモニター用フォトダイオード14は、アイレット13Aのレーザダイオード12の下部位置に形成された凹部20内に配設されている。
【0006】
リード16A,16Bは、アイレット13Aに形成された2個の貫通孔22に配設されている。具体的には、リード16A,16Bはアイレット13Aに形成された貫通孔22に挿通された上で、各貫通孔22にガラス21を装填することにより固定される。また、リード16Cは、抵抗溶接により直接アイレット13Aに固定される。
【0007】
このように、アイレット13Aにリード16A〜16Cを配設することにより、ステム29Aが形成される。また、レーザダイオード12はワイヤ23によりリード16Aに接続され、モニター用フォトダイオード14はワイヤ24によりリード16Bに接続される。
【0008】
キャップ15はメタルキャップであり、上記のレーザダイオード12及びモニター用フォトダイオード14等を保護するようアイレット13Aの上面に溶接等により固定される。このキャップ15の上部中央には開口部17が形成されており、この開口部17はガラス板18により覆われている。よって、レーザダイオード12で発生した光は、このガラス板18を介して半導体装置10Aの外部に投光される。
【0009】
上記構成とされた半導体装置10Aは、次のようにして製造されていた。先ず、アイレット13Aとなる基材を用意し、この基材をブレス加工することによりアイレット13Aを形成する。この際、円盤状のアイレット本体部分と共に、マウント部19,凹部20,及び貫通孔22等も同時に形成される。
【0010】
次に、アイレット13Aにリード16A〜16Cを配設することにより、ステム29Aを形成する。この際、前記したように、リード16A,16Bはアイレット13Aに形成された貫通孔22にガラス21により固定され、リード16Cはアイレット13Aに抵抗溶接される。
【0011】
続いて、ステム29Aには実装処理が実施され、レーザダイオード12,モニター用フォトダイオード14等が実装される。また、レーザダイオード12とリード16Aとの配線処理、及びモニター用フォトダイオード14とリード16Bとの配線処理も行なわれる。
【0012】
この際、レーザダイオード12のマウント部19への搭載処理、モニター用フォトダイオード14のステム29Aに対する搭載処理、及び各ダイオード12,14とリード16A,16Bとの配線処理等は、それぞれ別個の処理装置において実施される。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年の電子装置の小型化に伴い、これに実装される半導体装置に対しても小型化の強い要望がある。これに対応すべく、レーザダイオード用の半導体装置においても小型化を図る必要がある。
【0014】
この半導体装置を小型化する手段として、アイレットを小型化することが提案されている。図2は、小型化を図った半導体装置10Bを示している。尚、図2において、図1に示した半導体装置10Aと同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。
【0015】
図2に示す半導体装置10Bは、図1では平面視した時に円板形状であったアイレット13Aの両側部分を除去することにより、平面視した時に略矩形状(略長方形状)となるようアイレット13Bを形成したものである。図1に示す半導体装置10Aでは、アイレット13Aの直径がRであったのに対し、図2に示す半導体装置10Bでは幅寸法Wを上記の直径Rより小さくすることができる(W<R)。このため、半導体装置10Aに対して半導体装置10Bの小型化を図ることができる。
【0016】
このアイレット13Bは、リード16A〜16Cが配設されることによりステム29Bを構成する。また、ステム29Bにはレーザダイオード12,モニター用フォトダイオード14等の各種素子がアセンブリされ、また各ダイオード12,14とリード16A,16Bとの配線処理が行なわれる。
【0017】
この各種処理はそれぞれ別個の処理装置において実施される。また、これらの各種処理装置は、その処理を正確に行なうためにステムを処理装置内に位置決めする必要があるが、この位置決めは通常ステムを構成するアイレットの外形を利用している。また、図2に示す半導体装置10Bは近年考案されたものであり、これに対して図1に示す半導体装置10Aは長い間製造されてきたものである。
【0018】
このため、上記の各種処理を実施する各種処理装置は、図1に示す半導体装置10Aに対応した構成とされている。具体的には、半導体装置の製造に用いられる各種処理装置は、半導体装置10Aで用いられている平面視した時に円形状(φ5.6mmで規格化されている)のアイレット13Aを基準として位置決めを行なう構成となっている。
【0019】
従って、図2に示すような平面視した時に略矩形状のアイレット13Bを用いたステム29Bの場合には、半導体装置10Bの小型化は図れるものの、従来用いられていた処理装置をそのまま用いることができず、アイレット13Bの形状に対応できるよう大幅に処理装置を変更する必要がある。このため、この変更に伴う設備投資に多大な費用が必要となり、これに伴い半導体装置10Bの製品コストが上昇してしまうという問題点があった。
【0020】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、小型化された半導体装置を低コストで製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【0022】
請求項1記載の発明は、
半導体チップが搭載されるアイレットにリードが配設されたステムを有する半導体装置の製造方法において、
第1の外形寸法を有するアイレットを形成する工程と、
前記第1の外形寸法を有するアイレットに対して切断可能な溝部を形成する工程と、
前記第1の外形寸法を有するアイレットに対し所定部品の実装処理を行なう工程と、
該実装処理を行なう工程が終了した後、前記溝部で切断処理を行うことにより、前記アイレットを前記第1の外形寸法よりも小さい第2の外形寸法とする工程とを有することを特徴とするものである。
また、請求項2記載の発明は、
半導体チップが搭載されるアイレットにリードが配設されたステムを有する半導体装置の製造方法において、
第1の外形寸法を有するアイレットを形成する工程と、
前記第1の外形寸法を有するアイレットに対して折り曲げ可能な薄厚部を形成する工程と、
前記第1の外形寸法を有するアイレットに対し所定部品の実装処理を行なう工程と、
前記実装処理を行なう工程が終了した後、前記薄厚部で折り曲げ処理を行うことにより、前記アイレットを前記第1の外形寸法よりも小さい第2の外形寸法とする工程とを有することを特徴とするものである。
【0023】
上記請求項1及び請求項2記載の発明によれば、所定部品の実装処理を行なう処理が終了するまでは、アイレットは第1の外形寸法を維持する。従って、第1の外形寸法を所定部品の実装処理に従来から用いられている処理装置の規格に対応させることにより、この従来から用いられている処理装置をそのまま使用することができる。
【0024】
また、所定部品の実装処理が終了した後に、アイレットは切断可能な溝又は折り曲げ可能な薄厚部において変形され、第1の外形寸法よりも小さい第2の外形寸法とされる。このため、アイレットは小型化し、これに伴いこのアイレットを用いた半導体装置の小型化を図ることができる。よって、上記のように処理装置の変更を伴わないことにより、小型の半導体装置を低コストで製造することが可能となる。
【0031】
また、請求項3記載の発明は、
アイレットにリードが配設されたステムにおいて、
前記アイレットに切断可能な溝部を形成したことを特徴とするものである。
【0032】
また、請求項4記載の発明は、
アイレットにリードが配設されたステムにおいて、
前記アイレットに折り曲げ可能な薄厚部を形成したことを特徴とするものである。
【0033】
上記請求項3及び請求項4記載の発明によれば、アイレットを溝部或いは薄厚部で変形させることができる。よって、変形前の形状を従来から用いられている処理装置の規格に対応させることにより、この従来から用いられている処理装置をそのまま使用して各種処理を実施することができる。
【0034】
また、所定部品の実装処理が終了した後に、アイレットを溝部或いは薄厚部で変形させることにより、変形前よりも小さい形状とすることができる。よって、ステムの小型化を図ることができる。
【0035】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【0036】
図3乃至図8は、本発明の第1実施例である半導体装置の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である。本実施例では、レーザダイオード用の半導体装置を例に挙げて説明するものとする。具体的には、先に説明した図2に示す小型化された半導体装置10Bと、同一形態の半導体装置を製造する方法を例に挙げて説明するものとする。このため、以下の製造方法の説明に用いる各図において、図2に示した構成と対応する構成については、同一符号を付して説明するものとする。
【0037】
半導体装置10Bを製造するには、先ず図3に示すアイレット基材25を形成する。このアイレット基材25は、導電性金属により構成されている。また、このアイレット基材25は、基材をプレス加工することにより、予めマウント部19,凹部20,及び貫通孔22が形成されている。
【0038】
このアイレット基材25の外形形状(第1の形状)は、図1に示した半導体装置10Aに設けられているアイレット13Aと同じ形状とされている。即ち、アイレット基材25の直径は、規格化された5.6mmとされている。
【0039】
次に、このアイレット基材25に対し、図4に示されるように、プレス加工により溝部26(外形変形部)を形成する処理が実施される。これにより、アイレット基材25からアイレット35Aが形成される。本実施例では、マウント部19,凹部20,及び貫通孔22の形成位置を挟んで夫々2本、合計4本の溝部26(図4(B)に符号26-1〜26-4で区別して示す)が形成される。
【0040】
また、溝部26-1と溝部26-2は対向配置されており、溝部26-3と溝部26-4も対向配置されている。よって、溝部26の形成位置における機械的強度は、他の部位に比べて弱くなっている。しかしながら、この溝部26の形成位置における強度は、後述する各種処理(レーザダイオード12の搭載処理等)において、アイレット35Aが溝部26の形成位置で破損しない強度を有するよう設定されている。更に、この一対の溝部26の離間距離は、図2で説明したアイレット13Bの幅寸法Wと等しく設定されている。
【0041】
上記のように溝部26が形成されると、リード16A,16Bを貫通孔22に挿入しガラス21で固定する処理と、リード16Cをアイレット35Aに抵抗溶接により接合する処理が実施される。これにより、図5に示すステム40Aが形成される。
【0042】
このように、ステム40Aが形成されると、続いてステム40Aに対して各種実装処理が実施される。この実装処理では、レーザダイオード12をマウント部19に搭載する処理、凹部20にモニター用フォトダイオード14を搭載する処理、レーザダイオード12とリード16Aとをワイヤ23で接続する処理、及びモニター用フォトダイオード14とリード16Bをワイヤ24で接続する処理等が実施される。図6は、上記した実装処理が終了した状態を示している。
【0043】
ところで上記した各種処理は、前記のようにそれぞれ異なる処理装置にアイレット35A(ステム40A)を装着することにより実施される。ここで、ステム40Aを処理装置に装着する際、処理装置はステム40Aを構成するアイレット35Aの外形を位置決めの基準としている。
【0044】
本実施例では、アイレット35Aに溝部26が形成されているものの、その外形上は従来のアイレット13A(図1参照)と同一形状である。即ち、アイレット35Aの直径R1(図6に矢印で示す)は、規格化された寸法であるφ5.6mmとされている。よって、ステム40Aに対して上記した各種の実装処理を実施する際、従来から用いている処理装置をそのまま使用することが可能となり、多大な設備投資を行なう必要がなくなる。また、これに伴い、製造される半導体装置のコスト上昇を抑えることができる。
【0045】
上記の実装処理が終了すると、溝部26の形成位置で切断処理が行なわれる。この切断処理は、例えばプレス処理を用いることにより容易に実施することができる。これにより、図7に示されるように、アイレット35Aは両側部に平面状の側面27を有した略矩形状(略長方形状)に変形される。
【0046】
また、溝部26で切断処理が実施されることにより、アイレット35Aは半導体装置10B(図2参照)に設けられたアイレット13Bの外形形状(第2の形状)と等しい形状となる。このように溝部26でアイレット35Aの切断処理を実施することにより、この切断処理前においては従来からの規格化された外形形状を有していたアイレット35Aの外形形状は、切断後は小型化された形状に変形される。
【0047】
上記のように溝部26における切断処理が終了すると、続いて図8に示されるように、ステム40Aの上部にキャップ15が固定され、これにより図2に示す半導体装置10Bと等価の半導体装置が製造される。
【0048】
上記した本実施例では、前記したレーザダイオード12等の実装処理が終了するまでは、アイレット35Aは従来から用いられている規格化された外形寸法を有した状態を維持しする。従って、アイレット35Aは、従来から実装処理に用いられている各種処理装置にそのまま装着することができるため、実装処理を行なう処理装置に変更を加える必要はない。
【0049】
更に、実装処理が終了した後に、アイレット35Aは溝部26で切断されることにより変形され、アイレット35Aは小型化される。これに伴い、このアイレット35Aを用いた半導体装置の小型化を図ることができる。よって、上記した本実施例に係る製造方法により半導体装置10Bを製造することにより、小型の半導体装置10Bを低コストで製造することが可能となる。
【0050】
尚、上記した実施例では、アイレット35Aに形成する溝部26を、マウント部19等の配設位置を挟んで両側に形成したが、片側のみに溝部26を形成する構成としてもよい。
【0051】
次に、本発明の第2実施例である半導体装置の製造方法について説明する。
図9乃至図14は、本発明の第2実施例である半導体装置の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である。本実施例においても、レーザダイオード用の半導体装置を例に挙げて説明するものとする。
【0052】
本実施例において半導体装置を製造するには、先ず図9に示すアイレット基材28を形成する。このアイレット基材28は、図3に示したアイレット基材25と同一構成とされている。よって、このアイレット基材28の外形形状(第1の形状)も、図1に示した半導体装置10Aに設けられているアイレット13Aと同じ形状とされている。即ち、アイレット基材28の直径は、規格化された5.6mmとされている。
【0053】
次に、このアイレット基材28に対し、図10に示されるように、プレス加工により薄厚部30(外形変形部)を形成する。本実施例では、マウント部19,凹部20,及び貫通孔22の形成部分(以下、この部分を本体部28Aという)を挟んで、両側に夫々薄厚部30を形成している。この薄厚部30の厚さ寸法H1(図9(B)に矢印で示す)は、本体部28Aの厚さ寸法H2に比べて薄くなっている(H1<H2)。
【0054】
よって、薄厚部30の形成位置における機械的強度は、他の部位に比べて弱くなっている。しかしながら、この薄厚部30の形成位置における強度は、後述する各種処理(レーザダイオード12の搭載処理等)において、アイレット基材28(アイレット35B)が薄厚部30の形成位置で破損しない強度を有するよう設定されている。
【0055】
上記のように薄厚部30が形成されると、リード16A,16Bを貫通孔22に挿入しガラス21で固定すると共に、リード16Cをアイレット35Bに抵抗溶接する処理が行なわれる。これにより、図11に示すステム40Bが形成される。続いて、このステム40Bに対し、第1実施例と同様の各種実装処理が実施される。図12は、上記した実装処理が終了した状態を示している。
【0056】
この実装処理の際、本実施例においてもステム40Bを構成するアイレット35Bの外形形状は、図1に示した半導体装置10Aに設けられているアイレット13Aの外径形状と等しく構成されている。即ち、アイレット35Bの直径R1(図12に矢印で示す)は、規格化された寸法であるφ5.6mmとされている。このため、ステム40B(アイレット35B)に対して上記した実装処理を実施する際、従来から用いている処理装置をそのまま使用することができ、設備投資の低減図ることができる。
【0057】
上記の実装処理が終了すると、薄厚部30の折り曲げ処理が行なわれる。この切断処理は、例えばプレス処理を用いることにより容易に実施することができる。これにより、図13に示されるように、アイレット35Bは両側部に折り曲げられた薄厚部30を有した形状に変形される。また、アイレット35Bは、薄厚部30の折り曲げ処理が実施されることにより、図2に示す半導体装置10Bに設けられたアイレット13Bの外形形状(第2の形状)と略等しい形状となるよう変形される。このように薄厚部30を折り曲げ処理することによっても、この折り曲げ処理前においてはアイレット35Bの外形形状は従来からの規格化された外形形状を有し、折り曲げ後は小型化された形状に変形される。
【0058】
上記のように小型化されたアイレット35Bが形成されると、続いて図14に示すように、ステム40Bの上部にキャップ15が固定され、これにより半導体装置が製造される。
【0059】
上記した本実施例では、レーザダイオード12等の実装処理が終了するまで、アイレット35Bは従来から用いられている規格化された外形寸法を維持している。従って、このアイレット35Bは、従来から実装処理に用いられている各種処理装置にそのまま装着することができるため、実装処理を行なう処理装置に変更を加える必要はない。
【0060】
更に、実装処理が終了した後に、アイレット35Bは薄厚部30が折り曲げられることにより変形され、規格化された外形よりも小さい外形のアイレット35Bとされる。このため、アイレット35Bは小型化し、これに伴いこのアイレット35Bを用いたステム40B及び半導体装置の小型化を図ることができる。よって、上記した本実施例に係る製造方法により、小型の半導体装置を低コストで製造することができる。
【0061】
尚、上記した実施例では、アイレット35Bに形成する薄厚部30を、本体部28Aを挟んで両側に形成したが、片側のみに薄厚部30を形成する構成としてもよい。
【0062】
また、上記した各実施例では、外形変形部(溝部,薄厚部)の切断や曲げは、ステムにキャップを装着する前に実施する例について説明したが、外形変形部を変形させるタイミングはこれに限定されるものではなく、外形変形部の切断や曲げを行なった後にキャップの装着を実施することとしてもよい。
【0063】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
【0064】
請求項1記載の発明によれば、低コストで基台の小型化が図れるため、よって小型化された半導体装置を低コストで製造することが可能となる。
【0067】
また、請求項3及び請求項4記載の発明によれば、変形前の形状を従来から用いられている処理装置の規格に対応させることにより、この従来から用いられている処理装置をそのまま使用して各種処理を実施することが可能となる。また、所定部品の実装処理が終了した後にアイレットを溝部或いは薄厚部で変形させることにより、変形前よりも小さい形状とすることが可能となり、ステムの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の一実施例である半導体装置の製造方法で製造された半導体装置(レーザダイオード)を示す部分断面した斜視図である。
【図2】小型化された半導体装置(レーザダイオード)を示す部分断面した斜視図である。
【図3】本発明の第1実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その1)。
【図4】本発明の第1実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その2)。
【図5】本発明の第1実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その3)。
【図6】本発明の第1実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その4)。
【図7】本発明の第1実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その5)。
【図8】本発明の第1実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その6)。
【図9】本発明の第2実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その1)。
【図10】本発明の第2実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その2)。
【図11】本発明の第2実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その3)。
【図12】本発明の第2実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その4)。
【図13】本発明の第2実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その5)。
【図14】本発明の第2実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、(A)は平面図であり(B)は正面図である(その6)。
【符号の説明】
10A,10B レーザダイオード
12 レーザチップ
13A,13B,31 アイレット
15 キャップ
16A〜16C リード
19 マウント部
25,28 アイレット基材
26 溝部
27 側面
30 薄厚部
Claims (4)
- 半導体チップが搭載されるアイレットにリードが配設されたステムを有する半導体装置の製造方法において、
第1の外形寸法を有するアイレットを形成する工程と、
前記第1の外形寸法を有するアイレットに対して切断可能な溝部を形成する工程と、
前記第1の外形寸法を有するアイレットに対し所定部品の実装処理を行なう工程と、
該実装処理を行なう工程が終了した後、前記溝部で切断処理を行うことにより、前記アイレットを前記第1の外形寸法よりも小さい第2の外形寸法とする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体チップが搭載されるアイレットにリードが配設されたステムを有する半導体装置の製造方法において、
第1の外形寸法を有するアイレットを形成する工程と、
前記第1の外形寸法を有するアイレットに対して折り曲げ可能な薄厚部を形成する工程と、
前記第1の外形寸法を有するアイレットに対し所定部品の実装処理を行なう工程と、
前記実装処理を行なう工程が終了した後、前記薄厚部で折り曲げ処理を行うことにより、前記アイレットを前記第1の外形寸法よりも小さい第2の外形寸法とする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - アイレットにリードが配設されたステムにおいて、
前記アイレットに切断可能な溝部を形成したことを特徴とするステム。 - アイレットにリードが配設されたステムにおいて、
前記アイレットに折り曲げ可能な薄厚部を形成したことを特徴とするステム。
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