JP3886972B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3886972B2 JP3886972B2 JP2004041189A JP2004041189A JP3886972B2 JP 3886972 B2 JP3886972 B2 JP 3886972B2 JP 2004041189 A JP2004041189 A JP 2004041189A JP 2004041189 A JP2004041189 A JP 2004041189A JP 3886972 B2 JP3886972 B2 JP 3886972B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- type cladding
- cladding layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 72
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 103
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 40
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001687 destabilization Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009036 growth inhibition Effects 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
その構造を図14に示す。活性層(導波路)202は、HR端面204側から広がる相対的に狭い領域208、およびLR端面206側から広がる相対的に広い領域210を有する。そしてテーパー領域212が狭い領域208と広い領域210とを結んでいる。なお具体的寸法として、狭い領域208の活性層幅は約約2.3μm、広い領域210の活性層幅は約4.3μm、と記載されている。この構造においては、LR端面側の活性層がカットオフ幅以上の活性層幅に設定されており、光の回折現象を利用することによって、基本横モードを維持している。
上記課題を解決するために、本発明の請求項2の半導体レーザでは、InPからなる半導体基板(11)上に、多重量子井戸構造を含む活性層(14)と、該活性層を上下から挟む一対のSCH層(13、15)と、該SCH層の各外側に位置するn型クラッド層(32)及びInPからなるp型クラッド層(18)と、前記活性層に電流を注入するためのp電極(20)及びn電極(21)とを設けるとともに、光の出射端面が高反射率膜の施された端面(22b)と低反射率膜の施された端面(22a)とで構成されていて前記SCH層を構成する各層(13a〜13c、15a〜15c)の屈折率が前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下していく半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層をInGaAsPによって構成し、前記活性層で生起された光を前記n型クラッド層側に偏って分布させ、前記p型クラッド層内における価電子帯間吸収を低減させるように、前記n型クラッド層内の屈折率を前記p型クラッド層の屈折率よりも高くし、前記多層構造からなるSCH層を構成する各層の厚さが、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って増加して形成され、前記活性層の活性層幅が前記高反射率膜の施された端面側から前記低反射率膜の施された端面側に向かって少なくともその一部が徐々に広くなっていて、さらに、前記活性層の上方に位置する前記p電極または前記n電極のいずれか一方を、前記活性層のストライプ方向に複数個に分割し、前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の前記活性層上を占める長さが、前記高反射率膜の施された端面から前記低反射率膜の施された端面に向かって減少しており、前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の各電極にいずれも等しい大きさの電流が流れるようにしている。
上記課題を解決するために、本発明の請求項3の半導体レーザでは、InPからなる半導体基板(11)上に、多重量子井戸構造を含む活性層(14)と、該活性層を上下から挟む一対のSCH層(13、15)と、該SCH層の各外側に位置するn型クラッド層(32)及びInPからなるp型クラッド層(18)と、前記活性層に電流を注入するためのp電極(20)及びn電極(21)とを設けるとともに、光の出射端面が高反射率膜の施された端面(22b)と低反射率膜の施された端面(22a)とで構成されていて前記SCH層を構成する各層(13a〜13c、15a〜15c)の屈折率が前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下していく半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層をInGaAsPによって構成し、前記活性層で生起された光を前記n型クラッド層側に偏って分布させ、前記p型クラッド層内における価電子帯間吸収を低減させるように、前記n型クラッド層内の屈折率を前記p型クラッド層の屈折率よりも高くし、前記多層構造からなるSCH層を構成する隣接する層相互間の屈折率差が、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下して形成され、かつ前記多層構造からなるSCH層を構成する各層の厚さが、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って増加して形成され、前記活性層の活性層幅が前記高反射率膜の施された端面側から前記低反射率膜の施された端面側に向かって少なくともその一部が徐々に広くなっていて、さらに、前記活性層の上方に位置する前記p電極または前記n電極のいずれか一方を、前記活性層のストライプ方向に複数個に分割し、前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の前記活性層上を占める長さが、前記高反射率膜の施された端面から前記低反射率膜の施された端面に向かって減少しており、前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の各電極にいずれも等しい大きさの電流が流れるようにしている。
活性層14の活性層幅は、HR端面22bでの活性層幅はW0=3μmであり、これはレーザ光の基本横モードに基づいて決められている。HR端面22bからz=L=2.3mm離れたLR端面22aでの活性層幅はWL=9μmであり、これは半導体レーザ30からのレーザ光を受光する光ファイバとの結合効率を考慮して決められている。
また、それぞれの層の屈折率を組成波長で表して、ns=1.2μm、n1=1.15μm、n2=1.08μm、n3=0.99μm、na=0.95μm、nb=0.925μmとし、また、各層の厚さをそれぞれ、t1=3.0nm、t2=8.0nm、t3=25nmとした。なお、nb=0.925μmは、p型クラッド層18が組成の決まっているInPによって構成されているので、一義的に決まる組成波長である。
(1)先ず、不純物濃度1〜2×1018/cm3のn型InPの半導体基板11上に、有機金属気相成長(MOVPE)法を用いて、層厚7.5μm、不純物濃度1〜2×1018/cm3、組成波長0.95μmのInGaAsPからなるn型クラッド層32を形成する。続いて、組成波長0.99μm、1.08μm、1.15μmのノンドープInGaAsPをそれぞれ25nm、8.0nm、3.0nmの厚さで積層して、SCH層13を形成する。続いて、SCH層13の上に、InGaAsPの井戸層14aとInGaAsPの障壁層14bを交互に成長させ、井戸層数4の多重量子井戸構造の活性層14を形成する。続いて、活性層14の上に、組成波長1.15μm、1.08μm、0.99μmのノンドープInGaAsPをそれぞれ3.0nm、8.0nm、25nmの厚さで積層して、SCH層15を形成する。そして、SCH層15の上に、層厚0.5μm、不純物濃度5〜7×1017/cm3のInPからなるp型クラッド層18の下層部を成長させる。
実施例1の半導体レーザは、上述したように、LR端面付近でのキャリア不足により光出力の最大値が制限される問題を解決している。その問題をより効率良く解決する手段として、実施例2の半導体レーザ40を図8に示す。図8(a)は全体構成を示す斜視図、図8(b)はその平面図である。図1と同一部分については同一符号を付し、その説明は省略する。
(4)リフトオフ法によりp型コンタクト層19の上面にp電極パターンを形成した後、これをマスクとしてコンタクト層を硫酸系エッチング溶液で削り、電極分離用の溝24a、24bを形成する。そして、半導体基板11の下面にn電極21を形成してから、長さ2.3mmで切り出し、端面の一方にHR膜を施してHR端面22bとし、他方にLR膜を施してLR端面22aとして、半導体レーザ40となる。
Claims (6)
- InPからなる半導体基板(11)上に、多重量子井戸構造を含む活性層(14)と、該活性層を上下から挟む一対のSCH層(13、15)と、該SCH層の各外側に位置するn型クラッド層(32)及びInPからなるp型クラッド層(18)と、前記活性層に電流を注入するためのp電極(20)及びn電極(21)とを設けるとともに、光の出射端面が高反射率膜の施された端面(22b)と低反射率膜の施された端面(22a)とで構成されていて前記SCH層を構成する各層(13a〜13c、15a〜15c)の屈折率が前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下していく半導体レーザにおいて、
前記n型クラッド層をInGaAsPによって構成し、前記活性層で生起された光を前記n型クラッド層側に偏って分布させ、前記p型クラッド層内における価電子帯間吸収を低減させるように、前記n型クラッド層内の屈折率を前記p型クラッド層の屈折率よりも高くし、
前記多層構造からなるSCH層を構成する隣接する層相互間の屈折率差が、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下して形成され、
前記活性層の活性層幅が前記高反射率膜の施された端面側から前記低反射率膜の施された端面側に向かって少なくともその一部が徐々に広くなっていて、
さらに、前記活性層の上方に位置する前記p電極または前記n電極のいずれか一方を、前記活性層のストライプ方向に複数個に分割し、
前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の前記活性層上を占める長さが、前記高反射率膜の施された端面から前記低反射率膜の施された端面に向かって減少しており、
前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の各電極にいずれも等しい大きさの電流が流れるようにしたことを特徴とする半導体レーザ。 - InPからなる半導体基板(11)上に、多重量子井戸構造を含む活性層(14)と、該活性層を上下から挟む一対のSCH層(13、15)と、該SCH層の各外側に位置するn型クラッド層(32)及びInPからなるp型クラッド層(18)と、前記活性層に電流を注入するためのp電極(20)及びn電極(21)とを設けるとともに、光の出射端面が高反射率膜の施された端面(22b)と低反射率膜の施された端面(22a)とで構成されていて前記SCH層を構成する各層(13a〜13c、15a〜15c)の屈折率が前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下していく半導体レーザにおいて、
前記n型クラッド層をInGaAsPによって構成し、前記活性層で生起された光を前記n型クラッド層側に偏って分布させ、前記p型クラッド層内における価電子帯間吸収を低減させるように、前記n型クラッド層内の屈折率を前記p型クラッド層の屈折率よりも高くし、
前記多層構造からなるSCH層を構成する各層の厚さが、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って増加して形成され、
前記活性層の活性層幅が前記高反射率膜の施された端面側から前記低反射率膜の施された端面側に向かって少なくともその一部が徐々に広くなっていて、
さらに、前記活性層の上方に位置する前記p電極または前記n電極のいずれか一方を、前記活性層のストライプ方向に複数個に分割し、
前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の前記活性層上を占める長さが、前記高反射率膜の施された端面から前記低反射率膜の施された端面に向かって減少しており、
前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の各電極にいずれも等しい大きさの電流が流れるようにしたことを特徴とする半導体レーザ。 - InPからなる半導体基板(11)上に、多重量子井戸構造を含む活性層(14)と、該活性層を上下から挟む一対のSCH層(13、15)と、該SCH層の各外側に位置するn型クラッド層(32)及びInPからなるp型クラッド層(18)と、前記活性層に電流を注入するためのp電極(20)及びn電極(21)とを設けるとともに、光の出射端面が高反射率膜の施された端面(22b)と低反射率膜の施された端面(22a)とで構成されていて前記SCH層を構成する各層(13a〜13c、15a〜15c)の屈折率が前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下していく半導体レーザにおいて、
前記n型クラッド層をInGaAsPによって構成し、前記活性層で生起された光を前記n型クラッド層側に偏って分布させ、前記p型クラッド層内における価電子帯間吸収を低減させるように、前記n型クラッド層内の屈折率を前記p型クラッド層の屈折率よりも高くし、
前記多層構造からなるSCH層を構成する隣接する層相互間の屈折率差が、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下して形成され、かつ前記多層構造からなるSCH層を構成する各層の厚さが、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って増加して形成され、
前記活性層の活性層幅が前記高反射率膜の施された端面側から前記低反射率膜の施された端面側に向かって少なくともその一部が徐々に広くなっていて、
さらに、前記活性層の上方に位置する前記p電極または前記n電極のいずれか一方を、前記活性層のストライプ方向に複数個に分割し、
前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の前記活性層上を占める長さが、前記高反射率膜の施された端面から前記低反射率膜の施された端面に向かって減少しており、
前記複数個に分割された前記p電極または前記n電極の各電極にいずれも等しい大きさの電流が流れるようにしたことを特徴とする半導体レーザ。 - 前記活性層幅が、少なくともその一部が指数関数で表される曲線状に徐々に広くなっていることを特徴とする請求項1乃至3記載の半導体レーザ。
- 前記活性層幅が、少なくともその一部が直線的に徐々に広くなっていることを特徴とする請求項1乃至3記載の半導体レーザ。
- 前記n型クラッド層を構成する前記InGaAsPの組成波長が0.98μm以下であることを特徴とする請求項1乃至5記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004041189A JP3886972B2 (ja) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004041189A JP3886972B2 (ja) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | 半導体レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005235907A JP2005235907A (ja) | 2005-09-02 |
JP3886972B2 true JP3886972B2 (ja) | 2007-02-28 |
Family
ID=35018561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004041189A Expired - Lifetime JP3886972B2 (ja) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3886972B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107104362A (zh) * | 2016-02-23 | 2017-08-29 | 普里马电子股份公司 | 半导体激光二极管及其制造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009004422A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Anritsu Corp | 半導体レーザの良否選別方法およびその良否選別装置 |
-
2004
- 2004-02-18 JP JP2004041189A patent/JP3886972B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107104362A (zh) * | 2016-02-23 | 2017-08-29 | 普里马电子股份公司 | 半导体激光二极管及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005235907A (ja) | 2005-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0669585A (ja) | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 | |
US8906721B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
JPH1197796A (ja) | Iii−v族化合物面発光レーザ及びその製造方法 | |
JP5005300B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2000216492A (ja) | 半導体光素子、その製造方法及び半導体光学装置 | |
JP5247444B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2007095758A (ja) | 半導体レーザ | |
US11710941B2 (en) | Semiconductor laser element | |
JP3525257B1 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH065975A (ja) | 半導体レーザ | |
JP4168202B2 (ja) | 垂直空洞半導体面発光レーザ素子および該レーザ素子を用いた光学システム | |
JPH1098233A (ja) | 半導体レーザおよびその製法 | |
JP2005268298A (ja) | 半導体レーザ | |
JP3886972B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP4906053B2 (ja) | フォトニック結晶光半導体デバイス | |
JP4599700B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
JP3691507B2 (ja) | 半導体レーザ | |
WO2011062181A1 (ja) | 半導体光増幅素子 | |
JP4497269B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP5204690B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP2009076640A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4228285B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3706351B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP2003304035A (ja) | 半導体光素子 | |
JP3408247B2 (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3886972 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091201 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101201 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101201 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111201 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111201 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131201 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |