JP3870012B2 - 座標入力装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は座標入力装置に関し、特に幅広い温度環境で使用する際の座標入力装置の信頼性に係るトランスファ部の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
平板の表面をペン又は指などの座標指示体で指定し、又は指定点を移動して軌道を描く場合、コンピュータディスプレイ上の対応する座標位置をカーソルが表示し又はカーソルが移動して軌跡が描かれるようにした座標入力装置がタブレットと称して一般に用いられている。
【０００３】
図４に従来の座標入力装置の構造の第１の例を示す。尚、図４は第１の例の座標入力装置を分解した状態を示す平面図である。
図４ａは第１の例の座標入力装置の上電極板１０２の平面図であり、図４ｂは第１の例の座標入力装置の下電極板１０３の平面図である。
【０００４】
図４に示す第１の例の座標入力装置は、上電極板１０２と、下電極板１０３と、制御駆動部（図示せず）との接続端子であるフレキシブルプリント基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、以下ＦＰＣと略記する）１０４とから構成されている。
図４ａに示す上電極板１０２はフィルム基板１００上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）抵抗体層１０５ａと、一対の平行な細長い短冊状の電極１０６ａ、１０６ｂと、該電極１０６ａ、１０６ｂの両端部側寄りに形成されたトランスファ部１０９ａ、１０９ｂと、絶縁レジスト１０８ａとを順次積層形成した構成とされている。
また、図４ｂに示す下電極板１０３は、ガラス基板１０１上に、ＩＴＯ抵抗体層１０５ｂと、絶縁スペーサ（図示せず）と、一対の互いに平行な細長い短冊状の電極１０６ｃ、１０６ｄと、配線パターン１０７ａ〜１０７ｄと前記、トランスファ部１０９ｃ、１０９ｄ、絶縁レジスト１０８ｂを順次積層形成し、ＦＰＣ１０４を接続した構成である。
【０００５】
図４ａに示す電極１０６ａ、１０６ｂは、それぞれフィルム基板１００の対向する短辺に沿って形成されており、該電極１０６ａ、１０６ｂを覆う形で、基板１００の短辺に沿って絶縁レジスト１０８ａ、１０８ｂがそれぞれ形成されている。
また、上記絶縁レジスト１０８ａ、１０８ｂには、電極１０６ａ、１０６ｂの両端寄りに被覆していない部分が設けられ、該部分がトランスファ部１０９ａ、１０９ｂを形成している。
【０００６】
図４ｂに示す電極１０６ｃ、１０６ｄは、それぞれガラス基板１０１の対向する長辺に沿って形成されている。
また、あらかじめ形成された絶縁レジスト上に電極１０６ｅ、１０６ｆが、ガラス基板１０１の短辺に沿って形成されており、その位置は前記上電極板１０２の電極１０６ａ、１０６ｂと対応する位置に配置されている。
図４ｂに示す下電極板１０３には、その四辺に沿って、絶縁レジスト１０８ｃが形成されており、前記上電極１０２の電極１０６ａ、１０６ｂの両端寄りに設けられたトランスファ部１０９ａ、１０９ｂに対応する部分には、絶縁レジストは被覆しておらず、該部分がトランスファ部１０９ｃ、１０９ｄを形成している。
【０００７】
図４ｂにおいて、電極１０６ｃの右側寄り、電極１０６ｄの右端部、電極１０６ｅ、１０６ｄの上端部には、それぞれ配線パターン１０７ｃ、１０７ｄ、１０７ａ、１０７ｂが接続されており、該配線パターン１０７ａ〜１０７ｄの他端はＦＰＣ１０４に接続されている。
尚、絶縁レジスト１０８ｃは上記電極１０６ｃ〜１０６ｆ、配線パターン１０７ａ〜１０７ｄを覆うように、下電極板１０３の四辺に沿って形成されている。
【０００８】
尚、座標入力装置組立時に、前記上電極板１０２と下電極板１０３は、前記ＩＴＯ抵抗体層１０５ａ、１０５ｂを対向させ、電極１０６ａと電極１０６ｃを直角に配置し、上電極板１０２のトランスファ部１０９ａと下電極板１０３のトランスファ部１０９ｃ、上電極板１０２のトランスファ部１０９ｂと下電極板１０９ｄを突き合わせた位置で接合される。
その後、突き合わせたトランスファ部を加熱・固化して一体化する。
【０００９】
図４に示す前記電極１０６ａ〜１０６ｄからＦＰＣ１０４への回路は、上電極板１０２においては、電極１０６ａ、１０６ｂからトランスファ部１０９ａ、１０９ｂを介して下電極板１０３のトランスファ部１０９ｃ、１０９ｄが設けられた電極１０６ｅ、１０６ｆに接続され、下電極板１０３の配線パターン１０７ａ、１０７ｂを通じてＦＰＣ１０４へ接続される回路構成であり、下電極板１０３においては、電極１０６ｃ、１０６ｄから配線パターン１０７ｃ、１０７ｄを通じてＦＰＣ１０４に接続される回路構成である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記座標入力装置はモバイル機器への応用がめざましく、その使用条件もますます過酷なものとなっている。
これらモバイル機器は、例えば−３０℃〜７０℃の広い温度環境において安定動作する必要があり、当然これらに搭載される座標入力装置においても、前記温度環境における安定動作を確保する必要がある。
【００１１】
しかしながら、上記第１の従来例の座標入力装置の構造においては、操作性および耐久性の面で有利な構造を採用するために、前記上電極板１０２にフィルム基板、前記下電極板１０３にはガラス基板が採用されているため、前記両電極板の接合時の温度と大きく離れた温度環境において、前記フィルム基板と前記ガラス基板の熱膨張率の差により発生する応力、および前記両電極に挟まれた空間の空気層の膨張・収縮により発生する応力が、前記上電極板１０２と下電極板１０３の回路を接続しているトランスファ部１０９ａ〜１０９ｄに作用し、前記トランスファ部が剥離して前記駆動制御部への接続回路が断線するという問題があった。
【００１２】
そこで、上記課題を解決する手段の一つとして、上電極板に用いるフィルム基板を、厚さの異なる２枚のフィルム基板を貼り合わせた２層構造とする手法が知られている。
図５に、従来の座標入力装置の第２の例として、前記２層構造のフィルム基板を採用した上電極板２０２の部分断面構造を示す。ただし、図５に示す第２の例の上電極板２０２は、前記２層構造のフィルム基板２２０を用いた以外は、図４ａに示す第１の従来例の上電極板１０２と同一の構成である。
【００１３】
図５に部分断面構造を示す上電極板２０２は、フィルム基板２２０として厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略記する）製のフィルム基板２２１と、厚さ２５μｍのＰＥＴ製フィルム基板２２２を厚さ２５ミクロン程度の粘着剤２２３により接着固定したものを用い、厚さ２５μｍのフィルム基板２２２側にＩＴＯ抵抗体層２０５、電極２０６、絶縁レジスト２０８を順次形成した構成である。
【００１４】
上記第２の従来例の上電極板２０２におけるフィルム基板２２０の厚さは１７５μｍであり、図４ａに示す第１の従来例の上電極板１０２に使用されているフィルム基板１００の厚さも１７５μｍある。
しかし、第２の従来例のフィルム基板２２０は２層構造であるため、前記フィルム基板２２１、２２２間に挟まれた粘着剤２２３の流動性により厚さ１２５μｍのフィルム基板２２１の膨張・収縮による応力を緩和する作用が働く。
【００１５】
すなわち、前記フィルム基板２２０を用いた上電極板２２０を備える第２の従来例の座標入力装置においては、トランスファ部に作用する応力の大部分は厚さ２５μｍのフィルム基板２２２による応力であり、図４に示す前記第１の従来例においては、トランスファ部１０９ａ〜１０９ｄに作用する応力は厚さ１７５μｍのフィルム基板１００による応力である。
両者を比較すれば、第２の従来例の座標入力装置のトランスファ部に掛かる応力が大幅に小さいことは明らかである。
そのため、第２の従来例においては、トランスファ部の剥離が起こりにくくなり、座標入力装置の信頼性が向上する。
【００１６】
しかしながら、上記２層構造のフィルム基板２２０には、構造が複雑であるために製造コストが高く、モバイル機器の普及に伴う価格競争が激化し、より一層のコスト低減が望まれる現状には適合しないという問題点がある。
【００１７】
そこで、上記２層構造のフィルム基板２２０のようにコストをかけずに、トランスファ部の剥離を防止する手法として、フィルム基板の膨張・収縮による寸法の変化が、トランスファ部に与える影響を最小限にするために、前記一対の電極に対応するトランスファ部の間隔を可能な限り狭める手法が採用されている。
【００１８】
上記のトランスファ部の間隔を狭める手法を用いた座標入力装置を第３の例として、その構成を図６、および図７に示す。
図６ａは、第３の従来例の座標入力装置の上電極板３０２を抵抗体層３０５ａの面から見た平面図であり、図６ｂは、下電極板３０３を抵抗体層３０５ｂの面から見た平面図である。
また、図７は、本第３の従来例の座標入力装置の部分断面構造を示す図である。尚、図７に示す構成要素のうち、図６と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略若しくは簡単に説明する。
【００１９】
図６ａに示す第３の従来例の上電極板３０２は、基板３０２ａ上に形成されたＩＴＯ抵抗体層３０５ａと、基板３０２ａの短辺に沿って形成された細長い短冊状の電極３０６ａ、３０６ｂと、配線パターン３０７と、トランスファ部３０９ａ、３０９ｂと、絶縁レジスト３０８ａとからなる構成である。
図６ｂに示す下電極板３０３は、基板３０２ｂ上に形成されたＩＴＯ抵抗体層３０５ｂと、基板３０２ｂの長編に沿って形成された細長い短冊状の電極３０６ｃ、３０６ｄと、配線パターン３０７ｃ、３０７ｄと、トランスファ部３０９ｃ、３０９ｄと、絶縁レジスト３０８ｂからなる構成である。
尚、符号３０４は駆動制御部（図示せず）への接続端子であるＦＰＣを示す。
【００２０】
図６ａにおいて、電極３０６ａの上端にはトランスファ形成部３１０ａが設けられており、電極３０６ｂの上端には配線パターン３０７が接続され、該配線パターンの他端にはトランスファ形成部３１０ｂが設けられている。
また、上記電極３０６ａ、３０６ｂ、配線パターン３０７、トランスファ形成部３１０ａ、３１０ｂを覆うように絶縁レジスト３０８ａが上電極板３０２の四辺に沿って形成されているが、前記トランスファ形成部３１０ａ、３１０ｂの中央部には、絶縁レジスト３０８ａが被覆しない部分が設けられており、該部分がトランスファ部３０９ａ、３０９ｂを形成している。
【００２１】
図６ｂにおいて、電極３０６ｃの右短寄り、３０６ｄの右端には、配線パターン３０７ｃ、３０７ｄがそれぞれ接続されている。
また、下電極板３０３の右上端には、トランスファ形成部３１０ｃが設けられ、下電極板３０３の上端中央の右寄りの位置にトランスファ形成部３１０ｄが設けられている。その位置は、それぞれ上電極のトランスファ形成部３１０ａ、３１０ｂに対応する位置である。
上記トランスファ形成部３１０ｃ、３１０ｄには、それぞれ配線パターン３０７ａ、３０７ｂが接続されている。
下電極３０３の各配線パターンは、前記トランスファ形成部３１０ｃと３１０ｄの間に挿入されるＦＰＣに接続されている。
【００２２】
図６ｂに示す下電極３０３の電極３０６ｃ、３０６ｄ、配線パターン３０７ａ〜３０７ｄ、トランスファ形成部３１０ｃ、３１０ｄを覆うように下電極３０３の四辺にそって絶縁レジストが形成されている。
ただし、前記トランスファ形成部３１０ｃ、３１０ｄの中央部の、上電極のトランスファ部３０９ａ、３０９ｂに対応する位置には、絶縁レジストに被覆されていない部分が設けられており、該部分がトランスファ部３０９ｃ、３０９ｄを形成している。
【００２３】
図６に示す第３の従来例の上電極板３０２と前記下電極板３０３は、座標入力装置組み立て時に、その抵抗体層３０５ａ、３０５ｂの面を対向させ、電極３０６ａと３０６ｃが直角に配置し、上電極板３０２のトランスファ部３０９ａと下電極板３０３のトランスファ部３０９ｃ、上電極板３０２のトランスファ部３０９ｂと下電極板３０３のトランスファ部３０９ｄを突き合わせた位置で接合される。
その後、突き合わせたトランスファ部を加熱・固化して一体化する。
【００２４】
図７は第３の従来例の座標入力装置の部分断面構造を示す図であり、ガラス基板３２１上にＩＴＯ抵抗体層３０５ｂ、電極３０６ｃ、絶縁レジスト３０８ｂが順次積層形成された下電極板３０３と、フィルム基板３２２上にＩＴＯ抵抗体層３０５ａ、電極３０６ａ、絶縁レジスト３０８ａが順次形成された上電極板３０２を、前記ＩＴＯ抵抗体層３０５ａ、３０５ｂを対向させて接合した状態を示す。
【００２５】
第３の従来例におけるＦＰＣ３０４への回路構成は、上電極板３０２においては、電極３０６ａ、３０６ｂから、トランスファ部３０９ａ、３０９ｂを介して、トランスファ部３０９ｃ、３０９ｄへ接続され、下電極板３０３の配線パターン３０７ａ、３０７ｂを経由してＦＰＣ３０４へ接続される回路構成であり、下電極板３０３においては、電極３０６ｃ、３０６ｄから配線パターン３０７ｃ、３０７ｄを経由してＦＰＣ３０４へ接続される回路構成である。
【００２６】
第３の従来例の座標入力装置においては、図６に示すように、トランスファ部３０９ａと３０９ｂの間隔を、図４に示す第２の従来例のトランスファ部１０９ａと１０９ｂの間隔より狭くしてあるため、フィルム基板が膨張・収縮した際のトランスファ部の間隔の変化量が小さくなり、トランスファ部３０９ａ、３０９ｂへの負荷を小さくすることができる。
【００２７】
また、上記第３の従来例の座標入力装置においては、トランスファ部３０９ａ、３０９ｂの間隔を狭くするために上電極板３０２の一辺に沿って配線パターン３０７が形成されている。
しかし、座標入力装置使用時に一対の電極３０６ａ、３０６ｂにより形成される等電位線は前記電極３０６ａ、３０６ｂに対して平行である必要があるため、前記配線パターン３０７は、絶縁レジスト３０８ａにより、前記ＩＴＯ抵抗体層３０５ａとは絶縁されている。
【００２８】
前記第１の従来例の上電極板１０２には、絶縁レジストは形成する必要がないのに対し、第３の従来例においては、上電極板３０２に絶縁レジスト３０８ａを形成する必要がある。
この点において、第３の従来例は、工数の増加による製造コストの上昇が避けられないという問題点がある。
【００２９】
本発明は、上記各課題を解決するためになされたものであって、トランスファ部の剥離を防止し、信頼性を向上させた座標入力装置を低コストで提供することを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の座標入力装置は、抵抗体層と、基板の対向する２辺に沿って設けられた一対の電極と、該電極より他の一辺の近傍へ導出された配線パターンと、該配線パターンの先端部に各々設けられたトランスファ部を有する第１の電極板と、抵抗体層、一対の電極、配線パターンを有し、且つ前記第１の電極板よりも熱膨張率の小さい基板からなる第２の電極板とを互いの抵抗体層の面を対向させ、且つ互いの電極を直角に配置して接合した構成を備え、前記第１の電極板が、基板の一辺に形成された凹部と、該凹部によりその両側に形成された凸部とを有し、該凸部上に前記トランスファ部を設け、なお且つ、前記第１の電極板のトランスファ部近傍に切欠を設けることにより前記電極よりも幅狭となる配線パターンが通過する架橋部を形成し、該架橋部により前記トランスファ部を基板の他の部分から一部分離された構造としたことを特徴とする。
【００３１】
すなわち、前記第１の電極板における、電極とトランスファー部を接続する回路途上に電極よりも幅狭となる配線パターンが通過する架橋部を設けることにより、電極板を電極部とトランスファ部に分離し、トランスファ部に作用する基板の膨張・収縮による応力を前記架橋部が緩和し、トランスファ部の剥離を防止する設計とした。
【００３２】
また、前記架橋部により電極部とトランスファ部を分離することにより、前記電極により形成される、該電極に平行な等電位線は、前記電極から導出した配線パターンによる電界からの影響を受けなくなるため、トランスファ部までの配線パターンを絶縁レジストで覆う必要がなくなる。
そのため、基板上に抵抗体層を形成する工程と電極、配線パターンを形成する工程のみで電極板が完成するため、工程の簡略化によるコストの低減が可能になる。
【００３４】
また、電極板の一辺の両端に設けられた凸部上にトランスファ部を設けることにより、電極部あるいはトランスファ部の基板の膨張・収縮により発生した応力は、必ず前記架橋部を介して電極板を構成する他の部分に作用する。このため、前記膨張・収縮による応力は前記架橋部により緩和され、より一層トランスファ部の信頼性を向上させることができる。
【００３５】
さらに、前記トランスファ部と電極部を接続する架橋部はトランスファ部近傍の基板に切欠を設けることにより形成することができる。
すなわち、基板を所望の形状に加工する工程において、トランスファ形成部の近傍に切欠を備えた形状に加工することで、トランスファ部、電極部を架橋部により分離した形状を備える基板を製造することができるため、新たな工程の追加によるコストが発生しない。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照して詳細に説明し、本発明の効果を明らかにする。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
図１に本実施形態の座標入力装置１の斜視図を示し、図２に本実施形態の座標入力装置１の上電極板２（第１の電極板）および下電極板３（第２の電極板）の平面図を示す。
図３は本実施形態の座標入力装置の部分断面構造を示す図である。
また、図１〜３に示す構成要素のうち、同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略、若しくは簡単に説明する。
【００３７】
図１に示す本実施形態の座標入力装置１は、上電極板２と下電極板３を所定の位置で接合固定し、ＦＰＣ４を接続した構成である。
上電極板２は、図２ａに示すように、フィルムからなる基板２ａ上にＩＴＯ膜等の導電膜からなる抵抗体層５ａ、電極６ａ、６ｂ、配線パターン７Ａ、７Ｂ、トランスファ部９ａ、９ｂを順次形成した構成である。
下電極３は、図２ｂに示すように、ガラスからなる基板３ａ上にＩＴＯ膜等の導電膜からなる抵抗体層５ｂ、電極６ｃ、６ｄ、配線パターン７ａ〜７ｄ、絶縁レジスト８を順次形成し、前記配線パターン７にＦＰＣ４を接続した構成である。
【００３８】
図２ａにおいて、平面長方形上の基板２ａの長辺側に形成された凹部１０により、該長辺側の両端に凸部２Ａ、２Ｂが形成されており、該凸部２Ａ、２Ｂ上にはトランスファ部９ａ、９ｂが形成されている。
また、細長い短冊状の電極６ａ、６ｂが基板２ａの短辺に沿ってそれぞれ形成されており、該電極６ａ、６ｂの前記凸部２Ａ、２Ｂ側の端部から電極６ａ、６ｂより幅狭の配線パターン７Ａ、７Ｂが導出されている。
該配線パターン７Ａ、７Ｂの他端部には、先の凸部２Ａ、２Ｂ上に位置するトランスファ部９ａ、９ｂがそれぞれ接続されている。
【００３９】
また、図２ａに示すように、上電極板２において、前記トランスファ部９ａ、９ｂと電極６ａ、６ｂの間には、切欠１２ａ、１２ｂがそれぞれ設けられており、該切欠１２ａ、１２ｂによって形成された架橋部１１ａ、１１ｂにより、トランスファ部９ａ、９ｂが形成された凸部２Ａ、２Ｂと電極板の他の部分が一部分離された構造となっている。
尚、配線パターン７Ａ、７Ｂはそれぞれ電極６ａ、６ｂの数分の一の幅とされて架橋部１１ａ、１１ｂを通過し、電極６ａ、６ｂとトランスファ部９ａ、９ｂを接続している。
【００４０】
図２ｂにおいて、長方形の平板状の基板３ａの長辺側の端部寄りにＦＰＣ４が接続されている。
電極６ｃは基板３ａの長辺からやや内側に、長辺に沿って形成され、電極６ｄは電極６ｃに対向する位置に、基板３ａの長辺に沿って形成されている。
前記電極６ｃの右端やや中央寄りの位置から導出された配線パターン７ｃと、電極６ｄの右端から導出され、下電極板３の短辺に沿って形成された配線パターン７ｄは、下電極板３の右上部に接続されたＦＰＣ４へ接続されている。
また、下電極板３の右上端と左上端の、上電極板２のトランスファ部９ａ、９ｂに対応する位置に、トランスファ形成部９ｅ、９ｆが設けられており、該トランスファ形成部９ｅ、９ｆから導出され、電極板３の長辺に沿って形成された配線パターン７ａ、７ｂはそれぞれ下電極板３の右上部のＦＰＣ４へ接続されている。
また、下電極板３には、図２ｂに示すように、下電極板３の四辺に沿って、前記電極６ｃ、６ｄ、配線パターン７ａ〜７ｄ、トランスファ形成部９ｅ、９ｆを被覆する絶縁レジスト８が形成されている。
ただし、前記トランスファ形成部９ｅ、９ｆの中央部には前記絶縁レジスト８に被覆されない部分が設けられており、該部分がトランスファ部９ｃ、９ｄを形成している。
【００４１】
図２ａ、図２ｂに示す上電極板２と下電極板３は抵抗体層５ａ、５ｂを対向させ、電極６ａと６ｃが直角に配置されるようにし、トランスファ部９ａと９ｃ、トランスファ部９ｂと９ｄを突き合わせた位置で接合されて、座標入力装置１を構成する。
【００４２】
本実施形態の座標入力装置１の上電極板２は、図２ａに示すようにトランスファ部９ａ、９ｂが形成された凸部２Ａ、２Ｂと電極板３の他の部分を切欠１２ａ、１２ｂにより一部分離し、架橋部１１ａ、１１ｂおよび該架橋部１１ａ、１１ｂを通過する電極６ａ、６ｂよりも幅狭な配線パターン７Ａ、７Ｂによって接続した構成であるため、フィルム基板２ａとガラス基板３ａの熱膨張率の違いによる応力を前記架橋部１１ａおよび１１ｂが緩和することにより、トランスファ部９ａ、９ｂへ作用する応力を減少させることができるため、トランスファ部９ａ、９ｂの剥離を防止し、座標入力装置１の信頼性を向上させることができる。
【００４３】
さらに、本発明の座標入力装置１の上電極板２においては、絶縁レジストが形成されていない。
これは、前記トランスファ部９ａ、９ｂを電極部１０から架橋部１１ａ、１１ｂにより分離することにより、トランスファ部９ａ、９ｂに作用する応力を緩和するので、図６ａ、図６ｂに示す電極板３０２、３０３から構成される前記第３の従来例の座標入力装置のようにトランスファ部３０９ａ、３０９ｂの位置を近づけて構成する必要がなくなる。
そのために、図６ａに示す第３の従来例の上電極板３０２のように、配線パターン３０７を抵抗体層３０５ａと絶縁するための絶縁レジスト３０８ａも当然必要なくなるからである。
【００４４】
また、本実施形態の座標入力装置１においては、基板２ａの長辺側に設けられた凹部の両端の凸部２Ａ、２Ｂ上にトランスファ部９ａ、９ｂを形成しているため、トランスファ部に作用する応力は前記架橋部１１ａ、１１ｂを介して作用する応力のみとなる。
これは、図２ａに示す上電極板２において、凸部２Ａは架橋部１１ａにより上電極板２の他の部分から一部分離した構造となっており、凸部２Ｂは架橋部１１ｂにより上電極板２の他の部分から一部分離した構造となっているため、上電極板２の各部の膨張・収縮による応力がトランスファ部９ａあるいは９ｂに作用するためには、必ず架橋部１１ａまたは１１ｂを介する必要があるからである。
特に、トランスファ部９ａが形成された凸部２Ａの膨張・収縮による応力が、もう一方の凸部２Ｂのトランスファ部９ｂに作用する場合は、架橋部１１ａ、１１ｂの両方を介して作用するため、前記架橋部１１ａ、１１ｂにより応力は大幅に緩和される。
【００４５】
さらに、本実施形態の座標入力装置１においては、トランスファ形成部９ａ、９ｂ近傍の２カ所に切欠１２ａ、１２ｂを設けることで架橋部１１ａ、１１ｂを形成し、トランスファ部９ａ、９ｂと上電極板２の他の部分を一部分離している。
上記の切欠１２ａ、１２ｂはフィルム基板を所望の形状に加工する工程において、同時に、しかも容易に形成することができる。そのため、架橋部１１ａ、１１ｂを形成するために新たな工程を追加する必要がなく、コストの増加を防ぐことができる。
【００４６】
尚、本実施形態においては、上電極板２、下電極板３に用いる基板として、それぞれフィルム基板と、ガラス基板を用いたが、もちろん、他の組み合わせであってもよい。例えば、フィルム基板とフィルム基板、ガラス基板とガラス基板の組合せや、上電極板２にガラス基板、下電極板３にフィルム基板を用いた構成であっても、適用可能である。
【００４７】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の座標入力装置は、第１の電極板のトランスファ部と電極をトランスファ部近傍に設けた架橋部を通過するパターン配線により接続する構造としたことで、トランスファ部に作用する電極板の膨張・収縮による応力を緩和することができるため、トランスファ部の剥離を防止し、座標入力装置の信頼性を向上させることができる。
【００４８】
また、本発明によれば、座標入力装置のトランスファ部の間隔を狭めて形成する必要がないことから、第１の電極板において、電極が設けられていない基板の辺に沿って配線パターンを設ける必要がなくなる。
そのため、必然的に、従来配線パターンを抵抗体層から絶縁するために設けられていた絶縁レジストも必要なくなり、工数削減によるコスト低減を実現した座標入力装置を提供することができる。
【００４９】
さらに、本発明によれば、前記凸部と電極板の他の部分を一部分離する架橋部をトランスファ部近傍の基板に切欠を設ける方法により実現することができるため、基板を所望の形状に加工する工程において、同時に、しかも容易に該架橋部を形成することができる。
従って、新たな工程を追加することなくトランスファ部の剥離を防止し、座標入力装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の一実施形態である座標入力装置の斜視図である。
【図２】 図２（ａ）は本発明の一実施形態である座標入力装置の上電極板の平面図であり、図２（ｂ）は本発明の一実施形態である座標入力装置の下電極板の平面図である。
【図３】 図３は本発明の一実施形態である座標入力装置の部分断面図である。
【図４】 図４は従来の座標入力装置の第１の例を示す平面図であり、図４（ａ）はその上電極板の平面図であり、図４（ｂ）はその下電極板の平面図である。
【図５】 図５は従来の座標入力装置の第２の例における部分断面構造を示す図である。
【図６】 図６は従来の座標入力装置の第３の例を示す平面図であり、図６（ａ）はその上電極板の平面図であり、図６（ｂ）はその下電極板の平面図である。
【図７】 図７は従来の座標入力装置の第３の例における部分断面構造を示す図である。
【符号の説明】
１ 座標入力装置
２ 上電極板（第１の電極板）
２Ａ、２Ｂ 凸部
２ａ、３ａ 基板
３ 下電極板（第２の電極板）
４ ＦＰＣ
５ａ、５ｂ 抵抗体膜
６ａ〜６ｄ 電極
７Ａ、７Ｂ、７ａ〜７ｄ 配線パターン
８ 絶縁レジスト
９ａ〜９ｄ トランスファ部
９ｅ、９ｆ トランスファ形成部
１０ 凹部
１１ａ、１１ｂ 架橋部
１２ａ、１２ｂ 切欠
【発明の属する技術分野】
本発明は座標入力装置に関し、特に幅広い温度環境で使用する際の座標入力装置の信頼性に係るトランスファ部の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
平板の表面をペン又は指などの座標指示体で指定し、又は指定点を移動して軌道を描く場合、コンピュータディスプレイ上の対応する座標位置をカーソルが表示し又はカーソルが移動して軌跡が描かれるようにした座標入力装置がタブレットと称して一般に用いられている。
【０００３】
図４に従来の座標入力装置の構造の第１の例を示す。尚、図４は第１の例の座標入力装置を分解した状態を示す平面図である。
図４ａは第１の例の座標入力装置の上電極板１０２の平面図であり、図４ｂは第１の例の座標入力装置の下電極板１０３の平面図である。
【０００４】
図４に示す第１の例の座標入力装置は、上電極板１０２と、下電極板１０３と、制御駆動部（図示せず）との接続端子であるフレキシブルプリント基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、以下ＦＰＣと略記する）１０４とから構成されている。
図４ａに示す上電極板１０２はフィルム基板１００上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）抵抗体層１０５ａと、一対の平行な細長い短冊状の電極１０６ａ、１０６ｂと、該電極１０６ａ、１０６ｂの両端部側寄りに形成されたトランスファ部１０９ａ、１０９ｂと、絶縁レジスト１０８ａとを順次積層形成した構成とされている。
また、図４ｂに示す下電極板１０３は、ガラス基板１０１上に、ＩＴＯ抵抗体層１０５ｂと、絶縁スペーサ（図示せず）と、一対の互いに平行な細長い短冊状の電極１０６ｃ、１０６ｄと、配線パターン１０７ａ〜１０７ｄと前記、トランスファ部１０９ｃ、１０９ｄ、絶縁レジスト１０８ｂを順次積層形成し、ＦＰＣ１０４を接続した構成である。
【０００５】
図４ａに示す電極１０６ａ、１０６ｂは、それぞれフィルム基板１００の対向する短辺に沿って形成されており、該電極１０６ａ、１０６ｂを覆う形で、基板１００の短辺に沿って絶縁レジスト１０８ａ、１０８ｂがそれぞれ形成されている。
また、上記絶縁レジスト１０８ａ、１０８ｂには、電極１０６ａ、１０６ｂの両端寄りに被覆していない部分が設けられ、該部分がトランスファ部１０９ａ、１０９ｂを形成している。
【０００６】
図４ｂに示す電極１０６ｃ、１０６ｄは、それぞれガラス基板１０１の対向する長辺に沿って形成されている。
また、あらかじめ形成された絶縁レジスト上に電極１０６ｅ、１０６ｆが、ガラス基板１０１の短辺に沿って形成されており、その位置は前記上電極板１０２の電極１０６ａ、１０６ｂと対応する位置に配置されている。
図４ｂに示す下電極板１０３には、その四辺に沿って、絶縁レジスト１０８ｃが形成されており、前記上電極１０２の電極１０６ａ、１０６ｂの両端寄りに設けられたトランスファ部１０９ａ、１０９ｂに対応する部分には、絶縁レジストは被覆しておらず、該部分がトランスファ部１０９ｃ、１０９ｄを形成している。
【０００７】
図４ｂにおいて、電極１０６ｃの右側寄り、電極１０６ｄの右端部、電極１０６ｅ、１０６ｄの上端部には、それぞれ配線パターン１０７ｃ、１０７ｄ、１０７ａ、１０７ｂが接続されており、該配線パターン１０７ａ〜１０７ｄの他端はＦＰＣ１０４に接続されている。
尚、絶縁レジスト１０８ｃは上記電極１０６ｃ〜１０６ｆ、配線パターン１０７ａ〜１０７ｄを覆うように、下電極板１０３の四辺に沿って形成されている。
【０００８】
尚、座標入力装置組立時に、前記上電極板１０２と下電極板１０３は、前記ＩＴＯ抵抗体層１０５ａ、１０５ｂを対向させ、電極１０６ａと電極１０６ｃを直角に配置し、上電極板１０２のトランスファ部１０９ａと下電極板１０３のトランスファ部１０９ｃ、上電極板１０２のトランスファ部１０９ｂと下電極板１０９ｄを突き合わせた位置で接合される。
その後、突き合わせたトランスファ部を加熱・固化して一体化する。
【０００９】
図４に示す前記電極１０６ａ〜１０６ｄからＦＰＣ１０４への回路は、上電極板１０２においては、電極１０６ａ、１０６ｂからトランスファ部１０９ａ、１０９ｂを介して下電極板１０３のトランスファ部１０９ｃ、１０９ｄが設けられた電極１０６ｅ、１０６ｆに接続され、下電極板１０３の配線パターン１０７ａ、１０７ｂを通じてＦＰＣ１０４へ接続される回路構成であり、下電極板１０３においては、電極１０６ｃ、１０６ｄから配線パターン１０７ｃ、１０７ｄを通じてＦＰＣ１０４に接続される回路構成である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記座標入力装置はモバイル機器への応用がめざましく、その使用条件もますます過酷なものとなっている。
これらモバイル機器は、例えば−３０℃〜７０℃の広い温度環境において安定動作する必要があり、当然これらに搭載される座標入力装置においても、前記温度環境における安定動作を確保する必要がある。
【００１１】
しかしながら、上記第１の従来例の座標入力装置の構造においては、操作性および耐久性の面で有利な構造を採用するために、前記上電極板１０２にフィルム基板、前記下電極板１０３にはガラス基板が採用されているため、前記両電極板の接合時の温度と大きく離れた温度環境において、前記フィルム基板と前記ガラス基板の熱膨張率の差により発生する応力、および前記両電極に挟まれた空間の空気層の膨張・収縮により発生する応力が、前記上電極板１０２と下電極板１０３の回路を接続しているトランスファ部１０９ａ〜１０９ｄに作用し、前記トランスファ部が剥離して前記駆動制御部への接続回路が断線するという問題があった。
【００１２】
そこで、上記課題を解決する手段の一つとして、上電極板に用いるフィルム基板を、厚さの異なる２枚のフィルム基板を貼り合わせた２層構造とする手法が知られている。
図５に、従来の座標入力装置の第２の例として、前記２層構造のフィルム基板を採用した上電極板２０２の部分断面構造を示す。ただし、図５に示す第２の例の上電極板２０２は、前記２層構造のフィルム基板２２０を用いた以外は、図４ａに示す第１の従来例の上電極板１０２と同一の構成である。
【００１３】
図５に部分断面構造を示す上電極板２０２は、フィルム基板２２０として厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略記する）製のフィルム基板２２１と、厚さ２５μｍのＰＥＴ製フィルム基板２２２を厚さ２５ミクロン程度の粘着剤２２３により接着固定したものを用い、厚さ２５μｍのフィルム基板２２２側にＩＴＯ抵抗体層２０５、電極２０６、絶縁レジスト２０８を順次形成した構成である。
【００１４】
上記第２の従来例の上電極板２０２におけるフィルム基板２２０の厚さは１７５μｍであり、図４ａに示す第１の従来例の上電極板１０２に使用されているフィルム基板１００の厚さも１７５μｍある。
しかし、第２の従来例のフィルム基板２２０は２層構造であるため、前記フィルム基板２２１、２２２間に挟まれた粘着剤２２３の流動性により厚さ１２５μｍのフィルム基板２２１の膨張・収縮による応力を緩和する作用が働く。
【００１５】
すなわち、前記フィルム基板２２０を用いた上電極板２２０を備える第２の従来例の座標入力装置においては、トランスファ部に作用する応力の大部分は厚さ２５μｍのフィルム基板２２２による応力であり、図４に示す前記第１の従来例においては、トランスファ部１０９ａ〜１０９ｄに作用する応力は厚さ１７５μｍのフィルム基板１００による応力である。
両者を比較すれば、第２の従来例の座標入力装置のトランスファ部に掛かる応力が大幅に小さいことは明らかである。
そのため、第２の従来例においては、トランスファ部の剥離が起こりにくくなり、座標入力装置の信頼性が向上する。
【００１６】
しかしながら、上記２層構造のフィルム基板２２０には、構造が複雑であるために製造コストが高く、モバイル機器の普及に伴う価格競争が激化し、より一層のコスト低減が望まれる現状には適合しないという問題点がある。
【００１７】
そこで、上記２層構造のフィルム基板２２０のようにコストをかけずに、トランスファ部の剥離を防止する手法として、フィルム基板の膨張・収縮による寸法の変化が、トランスファ部に与える影響を最小限にするために、前記一対の電極に対応するトランスファ部の間隔を可能な限り狭める手法が採用されている。
【００１８】
上記のトランスファ部の間隔を狭める手法を用いた座標入力装置を第３の例として、その構成を図６、および図７に示す。
図６ａは、第３の従来例の座標入力装置の上電極板３０２を抵抗体層３０５ａの面から見た平面図であり、図６ｂは、下電極板３０３を抵抗体層３０５ｂの面から見た平面図である。
また、図７は、本第３の従来例の座標入力装置の部分断面構造を示す図である。尚、図７に示す構成要素のうち、図６と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略若しくは簡単に説明する。
【００１９】
図６ａに示す第３の従来例の上電極板３０２は、基板３０２ａ上に形成されたＩＴＯ抵抗体層３０５ａと、基板３０２ａの短辺に沿って形成された細長い短冊状の電極３０６ａ、３０６ｂと、配線パターン３０７と、トランスファ部３０９ａ、３０９ｂと、絶縁レジスト３０８ａとからなる構成である。
図６ｂに示す下電極板３０３は、基板３０２ｂ上に形成されたＩＴＯ抵抗体層３０５ｂと、基板３０２ｂの長編に沿って形成された細長い短冊状の電極３０６ｃ、３０６ｄと、配線パターン３０７ｃ、３０７ｄと、トランスファ部３０９ｃ、３０９ｄと、絶縁レジスト３０８ｂからなる構成である。
尚、符号３０４は駆動制御部（図示せず）への接続端子であるＦＰＣを示す。
【００２０】
図６ａにおいて、電極３０６ａの上端にはトランスファ形成部３１０ａが設けられており、電極３０６ｂの上端には配線パターン３０７が接続され、該配線パターンの他端にはトランスファ形成部３１０ｂが設けられている。
また、上記電極３０６ａ、３０６ｂ、配線パターン３０７、トランスファ形成部３１０ａ、３１０ｂを覆うように絶縁レジスト３０８ａが上電極板３０２の四辺に沿って形成されているが、前記トランスファ形成部３１０ａ、３１０ｂの中央部には、絶縁レジスト３０８ａが被覆しない部分が設けられており、該部分がトランスファ部３０９ａ、３０９ｂを形成している。
【００２１】
図６ｂにおいて、電極３０６ｃの右短寄り、３０６ｄの右端には、配線パターン３０７ｃ、３０７ｄがそれぞれ接続されている。
また、下電極板３０３の右上端には、トランスファ形成部３１０ｃが設けられ、下電極板３０３の上端中央の右寄りの位置にトランスファ形成部３１０ｄが設けられている。その位置は、それぞれ上電極のトランスファ形成部３１０ａ、３１０ｂに対応する位置である。
上記トランスファ形成部３１０ｃ、３１０ｄには、それぞれ配線パターン３０７ａ、３０７ｂが接続されている。
下電極３０３の各配線パターンは、前記トランスファ形成部３１０ｃと３１０ｄの間に挿入されるＦＰＣに接続されている。
【００２２】
図６ｂに示す下電極３０３の電極３０６ｃ、３０６ｄ、配線パターン３０７ａ〜３０７ｄ、トランスファ形成部３１０ｃ、３１０ｄを覆うように下電極３０３の四辺にそって絶縁レジストが形成されている。
ただし、前記トランスファ形成部３１０ｃ、３１０ｄの中央部の、上電極のトランスファ部３０９ａ、３０９ｂに対応する位置には、絶縁レジストに被覆されていない部分が設けられており、該部分がトランスファ部３０９ｃ、３０９ｄを形成している。
【００２３】
図６に示す第３の従来例の上電極板３０２と前記下電極板３０３は、座標入力装置組み立て時に、その抵抗体層３０５ａ、３０５ｂの面を対向させ、電極３０６ａと３０６ｃが直角に配置し、上電極板３０２のトランスファ部３０９ａと下電極板３０３のトランスファ部３０９ｃ、上電極板３０２のトランスファ部３０９ｂと下電極板３０３のトランスファ部３０９ｄを突き合わせた位置で接合される。
その後、突き合わせたトランスファ部を加熱・固化して一体化する。
【００２４】
図７は第３の従来例の座標入力装置の部分断面構造を示す図であり、ガラス基板３２１上にＩＴＯ抵抗体層３０５ｂ、電極３０６ｃ、絶縁レジスト３０８ｂが順次積層形成された下電極板３０３と、フィルム基板３２２上にＩＴＯ抵抗体層３０５ａ、電極３０６ａ、絶縁レジスト３０８ａが順次形成された上電極板３０２を、前記ＩＴＯ抵抗体層３０５ａ、３０５ｂを対向させて接合した状態を示す。
【００２５】
第３の従来例におけるＦＰＣ３０４への回路構成は、上電極板３０２においては、電極３０６ａ、３０６ｂから、トランスファ部３０９ａ、３０９ｂを介して、トランスファ部３０９ｃ、３０９ｄへ接続され、下電極板３０３の配線パターン３０７ａ、３０７ｂを経由してＦＰＣ３０４へ接続される回路構成であり、下電極板３０３においては、電極３０６ｃ、３０６ｄから配線パターン３０７ｃ、３０７ｄを経由してＦＰＣ３０４へ接続される回路構成である。
【００２６】
第３の従来例の座標入力装置においては、図６に示すように、トランスファ部３０９ａと３０９ｂの間隔を、図４に示す第２の従来例のトランスファ部１０９ａと１０９ｂの間隔より狭くしてあるため、フィルム基板が膨張・収縮した際のトランスファ部の間隔の変化量が小さくなり、トランスファ部３０９ａ、３０９ｂへの負荷を小さくすることができる。
【００２７】
また、上記第３の従来例の座標入力装置においては、トランスファ部３０９ａ、３０９ｂの間隔を狭くするために上電極板３０２の一辺に沿って配線パターン３０７が形成されている。
しかし、座標入力装置使用時に一対の電極３０６ａ、３０６ｂにより形成される等電位線は前記電極３０６ａ、３０６ｂに対して平行である必要があるため、前記配線パターン３０７は、絶縁レジスト３０８ａにより、前記ＩＴＯ抵抗体層３０５ａとは絶縁されている。
【００２８】
前記第１の従来例の上電極板１０２には、絶縁レジストは形成する必要がないのに対し、第３の従来例においては、上電極板３０２に絶縁レジスト３０８ａを形成する必要がある。
この点において、第３の従来例は、工数の増加による製造コストの上昇が避けられないという問題点がある。
【００２９】
本発明は、上記各課題を解決するためになされたものであって、トランスファ部の剥離を防止し、信頼性を向上させた座標入力装置を低コストで提供することを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の座標入力装置は、抵抗体層と、基板の対向する２辺に沿って設けられた一対の電極と、該電極より他の一辺の近傍へ導出された配線パターンと、該配線パターンの先端部に各々設けられたトランスファ部を有する第１の電極板と、抵抗体層、一対の電極、配線パターンを有し、且つ前記第１の電極板よりも熱膨張率の小さい基板からなる第２の電極板とを互いの抵抗体層の面を対向させ、且つ互いの電極を直角に配置して接合した構成を備え、前記第１の電極板が、基板の一辺に形成された凹部と、該凹部によりその両側に形成された凸部とを有し、該凸部上に前記トランスファ部を設け、なお且つ、前記第１の電極板のトランスファ部近傍に切欠を設けることにより前記電極よりも幅狭となる配線パターンが通過する架橋部を形成し、該架橋部により前記トランスファ部を基板の他の部分から一部分離された構造としたことを特徴とする。
【００３１】
すなわち、前記第１の電極板における、電極とトランスファー部を接続する回路途上に電極よりも幅狭となる配線パターンが通過する架橋部を設けることにより、電極板を電極部とトランスファ部に分離し、トランスファ部に作用する基板の膨張・収縮による応力を前記架橋部が緩和し、トランスファ部の剥離を防止する設計とした。
【００３２】
また、前記架橋部により電極部とトランスファ部を分離することにより、前記電極により形成される、該電極に平行な等電位線は、前記電極から導出した配線パターンによる電界からの影響を受けなくなるため、トランスファ部までの配線パターンを絶縁レジストで覆う必要がなくなる。
そのため、基板上に抵抗体層を形成する工程と電極、配線パターンを形成する工程のみで電極板が完成するため、工程の簡略化によるコストの低減が可能になる。
【００３４】
また、電極板の一辺の両端に設けられた凸部上にトランスファ部を設けることにより、電極部あるいはトランスファ部の基板の膨張・収縮により発生した応力は、必ず前記架橋部を介して電極板を構成する他の部分に作用する。このため、前記膨張・収縮による応力は前記架橋部により緩和され、より一層トランスファ部の信頼性を向上させることができる。
【００３５】
さらに、前記トランスファ部と電極部を接続する架橋部はトランスファ部近傍の基板に切欠を設けることにより形成することができる。
すなわち、基板を所望の形状に加工する工程において、トランスファ形成部の近傍に切欠を備えた形状に加工することで、トランスファ部、電極部を架橋部により分離した形状を備える基板を製造することができるため、新たな工程の追加によるコストが発生しない。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照して詳細に説明し、本発明の効果を明らかにする。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
図１に本実施形態の座標入力装置１の斜視図を示し、図２に本実施形態の座標入力装置１の上電極板２（第１の電極板）および下電極板３（第２の電極板）の平面図を示す。
図３は本実施形態の座標入力装置の部分断面構造を示す図である。
また、図１〜３に示す構成要素のうち、同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略、若しくは簡単に説明する。
【００３７】
図１に示す本実施形態の座標入力装置１は、上電極板２と下電極板３を所定の位置で接合固定し、ＦＰＣ４を接続した構成である。
上電極板２は、図２ａに示すように、フィルムからなる基板２ａ上にＩＴＯ膜等の導電膜からなる抵抗体層５ａ、電極６ａ、６ｂ、配線パターン７Ａ、７Ｂ、トランスファ部９ａ、９ｂを順次形成した構成である。
下電極３は、図２ｂに示すように、ガラスからなる基板３ａ上にＩＴＯ膜等の導電膜からなる抵抗体層５ｂ、電極６ｃ、６ｄ、配線パターン７ａ〜７ｄ、絶縁レジスト８を順次形成し、前記配線パターン７にＦＰＣ４を接続した構成である。
【００３８】
図２ａにおいて、平面長方形上の基板２ａの長辺側に形成された凹部１０により、該長辺側の両端に凸部２Ａ、２Ｂが形成されており、該凸部２Ａ、２Ｂ上にはトランスファ部９ａ、９ｂが形成されている。
また、細長い短冊状の電極６ａ、６ｂが基板２ａの短辺に沿ってそれぞれ形成されており、該電極６ａ、６ｂの前記凸部２Ａ、２Ｂ側の端部から電極６ａ、６ｂより幅狭の配線パターン７Ａ、７Ｂが導出されている。
該配線パターン７Ａ、７Ｂの他端部には、先の凸部２Ａ、２Ｂ上に位置するトランスファ部９ａ、９ｂがそれぞれ接続されている。
【００３９】
また、図２ａに示すように、上電極板２において、前記トランスファ部９ａ、９ｂと電極６ａ、６ｂの間には、切欠１２ａ、１２ｂがそれぞれ設けられており、該切欠１２ａ、１２ｂによって形成された架橋部１１ａ、１１ｂにより、トランスファ部９ａ、９ｂが形成された凸部２Ａ、２Ｂと電極板の他の部分が一部分離された構造となっている。
尚、配線パターン７Ａ、７Ｂはそれぞれ電極６ａ、６ｂの数分の一の幅とされて架橋部１１ａ、１１ｂを通過し、電極６ａ、６ｂとトランスファ部９ａ、９ｂを接続している。
【００４０】
図２ｂにおいて、長方形の平板状の基板３ａの長辺側の端部寄りにＦＰＣ４が接続されている。
電極６ｃは基板３ａの長辺からやや内側に、長辺に沿って形成され、電極６ｄは電極６ｃに対向する位置に、基板３ａの長辺に沿って形成されている。
前記電極６ｃの右端やや中央寄りの位置から導出された配線パターン７ｃと、電極６ｄの右端から導出され、下電極板３の短辺に沿って形成された配線パターン７ｄは、下電極板３の右上部に接続されたＦＰＣ４へ接続されている。
また、下電極板３の右上端と左上端の、上電極板２のトランスファ部９ａ、９ｂに対応する位置に、トランスファ形成部９ｅ、９ｆが設けられており、該トランスファ形成部９ｅ、９ｆから導出され、電極板３の長辺に沿って形成された配線パターン７ａ、７ｂはそれぞれ下電極板３の右上部のＦＰＣ４へ接続されている。
また、下電極板３には、図２ｂに示すように、下電極板３の四辺に沿って、前記電極６ｃ、６ｄ、配線パターン７ａ〜７ｄ、トランスファ形成部９ｅ、９ｆを被覆する絶縁レジスト８が形成されている。
ただし、前記トランスファ形成部９ｅ、９ｆの中央部には前記絶縁レジスト８に被覆されない部分が設けられており、該部分がトランスファ部９ｃ、９ｄを形成している。
【００４１】
図２ａ、図２ｂに示す上電極板２と下電極板３は抵抗体層５ａ、５ｂを対向させ、電極６ａと６ｃが直角に配置されるようにし、トランスファ部９ａと９ｃ、トランスファ部９ｂと９ｄを突き合わせた位置で接合されて、座標入力装置１を構成する。
【００４２】
本実施形態の座標入力装置１の上電極板２は、図２ａに示すようにトランスファ部９ａ、９ｂが形成された凸部２Ａ、２Ｂと電極板３の他の部分を切欠１２ａ、１２ｂにより一部分離し、架橋部１１ａ、１１ｂおよび該架橋部１１ａ、１１ｂを通過する電極６ａ、６ｂよりも幅狭な配線パターン７Ａ、７Ｂによって接続した構成であるため、フィルム基板２ａとガラス基板３ａの熱膨張率の違いによる応力を前記架橋部１１ａおよび１１ｂが緩和することにより、トランスファ部９ａ、９ｂへ作用する応力を減少させることができるため、トランスファ部９ａ、９ｂの剥離を防止し、座標入力装置１の信頼性を向上させることができる。
【００４３】
さらに、本発明の座標入力装置１の上電極板２においては、絶縁レジストが形成されていない。
これは、前記トランスファ部９ａ、９ｂを電極部１０から架橋部１１ａ、１１ｂにより分離することにより、トランスファ部９ａ、９ｂに作用する応力を緩和するので、図６ａ、図６ｂに示す電極板３０２、３０３から構成される前記第３の従来例の座標入力装置のようにトランスファ部３０９ａ、３０９ｂの位置を近づけて構成する必要がなくなる。
そのために、図６ａに示す第３の従来例の上電極板３０２のように、配線パターン３０７を抵抗体層３０５ａと絶縁するための絶縁レジスト３０８ａも当然必要なくなるからである。
【００４４】
また、本実施形態の座標入力装置１においては、基板２ａの長辺側に設けられた凹部の両端の凸部２Ａ、２Ｂ上にトランスファ部９ａ、９ｂを形成しているため、トランスファ部に作用する応力は前記架橋部１１ａ、１１ｂを介して作用する応力のみとなる。
これは、図２ａに示す上電極板２において、凸部２Ａは架橋部１１ａにより上電極板２の他の部分から一部分離した構造となっており、凸部２Ｂは架橋部１１ｂにより上電極板２の他の部分から一部分離した構造となっているため、上電極板２の各部の膨張・収縮による応力がトランスファ部９ａあるいは９ｂに作用するためには、必ず架橋部１１ａまたは１１ｂを介する必要があるからである。
特に、トランスファ部９ａが形成された凸部２Ａの膨張・収縮による応力が、もう一方の凸部２Ｂのトランスファ部９ｂに作用する場合は、架橋部１１ａ、１１ｂの両方を介して作用するため、前記架橋部１１ａ、１１ｂにより応力は大幅に緩和される。
【００４５】
さらに、本実施形態の座標入力装置１においては、トランスファ形成部９ａ、９ｂ近傍の２カ所に切欠１２ａ、１２ｂを設けることで架橋部１１ａ、１１ｂを形成し、トランスファ部９ａ、９ｂと上電極板２の他の部分を一部分離している。
上記の切欠１２ａ、１２ｂはフィルム基板を所望の形状に加工する工程において、同時に、しかも容易に形成することができる。そのため、架橋部１１ａ、１１ｂを形成するために新たな工程を追加する必要がなく、コストの増加を防ぐことができる。
【００４６】
尚、本実施形態においては、上電極板２、下電極板３に用いる基板として、それぞれフィルム基板と、ガラス基板を用いたが、もちろん、他の組み合わせであってもよい。例えば、フィルム基板とフィルム基板、ガラス基板とガラス基板の組合せや、上電極板２にガラス基板、下電極板３にフィルム基板を用いた構成であっても、適用可能である。
【００４７】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の座標入力装置は、第１の電極板のトランスファ部と電極をトランスファ部近傍に設けた架橋部を通過するパターン配線により接続する構造としたことで、トランスファ部に作用する電極板の膨張・収縮による応力を緩和することができるため、トランスファ部の剥離を防止し、座標入力装置の信頼性を向上させることができる。
【００４８】
また、本発明によれば、座標入力装置のトランスファ部の間隔を狭めて形成する必要がないことから、第１の電極板において、電極が設けられていない基板の辺に沿って配線パターンを設ける必要がなくなる。
そのため、必然的に、従来配線パターンを抵抗体層から絶縁するために設けられていた絶縁レジストも必要なくなり、工数削減によるコスト低減を実現した座標入力装置を提供することができる。
【００４９】
さらに、本発明によれば、前記凸部と電極板の他の部分を一部分離する架橋部をトランスファ部近傍の基板に切欠を設ける方法により実現することができるため、基板を所望の形状に加工する工程において、同時に、しかも容易に該架橋部を形成することができる。
従って、新たな工程を追加することなくトランスファ部の剥離を防止し、座標入力装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の一実施形態である座標入力装置の斜視図である。
【図２】 図２（ａ）は本発明の一実施形態である座標入力装置の上電極板の平面図であり、図２（ｂ）は本発明の一実施形態である座標入力装置の下電極板の平面図である。
【図３】 図３は本発明の一実施形態である座標入力装置の部分断面図である。
【図４】 図４は従来の座標入力装置の第１の例を示す平面図であり、図４（ａ）はその上電極板の平面図であり、図４（ｂ）はその下電極板の平面図である。
【図５】 図５は従来の座標入力装置の第２の例における部分断面構造を示す図である。
【図６】 図６は従来の座標入力装置の第３の例を示す平面図であり、図６（ａ）はその上電極板の平面図であり、図６（ｂ）はその下電極板の平面図である。
【図７】 図７は従来の座標入力装置の第３の例における部分断面構造を示す図である。
【符号の説明】
１ 座標入力装置
２ 上電極板（第１の電極板）
２Ａ、２Ｂ 凸部
２ａ、３ａ 基板
３ 下電極板（第２の電極板）
４ ＦＰＣ
５ａ、５ｂ 抵抗体膜
６ａ〜６ｄ 電極
７Ａ、７Ｂ、７ａ〜７ｄ 配線パターン
８ 絶縁レジスト
９ａ〜９ｄ トランスファ部
９ｅ、９ｆ トランスファ形成部
１０ 凹部
１１ａ、１１ｂ 架橋部
１２ａ、１２ｂ 切欠
Claims (3)
- 抵抗体層と、基板の対向する２辺に沿って設けられた一対の電極と、該電極より他の一辺の近傍へ導出された配線パターンと、該配線パターンの先端部に各々設けられたトランスファ部を有する第１の電極板と、抵抗体層、一対の電極、配線パターンを有し、且つ前記第１の電極板よりも熱膨張率の小さい基板からなる第２の電極板とを互いの抵抗体層の面を対向させ、且つ互いの電極を直角に配置して接合した構成を備え、
前記第１の電極板は、基板の一辺に形成された凹部と、該凹部によりその両側に形成された凸部とを有し、該凸部上に前記トランスファ部を設け、なお且つ、前記第１の電極板のトランスファ部近傍に切欠を設けることにより前記電極よりも幅狭となる配線パターンが通過する架橋部を形成し、該架橋部により前記トランスファ部を基板の他の部分から一部分離された構造としたことを特徴とする座標入力装置。 - 前記凸部が前記基板の一辺の両端に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の座標入力装置。
- 前記基板が長方形であり、該基板の長辺側に前記凸部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の座標入力装置。
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