JP3869755B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置のワイヤレス構造において、絶縁性樹脂に被覆された構成部材の線膨張係数の違いによる熱応力により半田等への応力集中を緩和する構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電力用半導体チップの実装構造、中でもチップの表面電極と外部電極との接続方法としてはワイヤボンディング法がある。しかし、ワイヤボンディング法による接続では、個々の金属細線の断面積が小さい為に電流容量に制限があり、また、電気抵抗も大きく、電流容量の確保、電気抵抗の低減が達成できないという問題があった。
【０００３】
そこで、最近での電力用半導体チップの実装構造では、チップの表面電極と外部電極との接続方法としては導電板を半田により接続する方法が用いられている。そして、この方法により形成される構造の一例として、図６および図７に示す構造がある。以下に、図６および図７を参照にして構造を説明する。
【０００４】
図示の如く、例えば、Ｃｕフレームのアイランド１上に導電ペースト（図示せず）等を介して半導体素子２が固着されている。この半導体素子２表面には周端部を覆うシリコン窒化膜（ＳｉＮ）３より内側に、例えば、ゲート電極４およびソース電極５が形成されている。そして、このソース電極５には、例えば、銅板から成る導電板６によりソース電極５とＣｕフレームのポスト７とを電気的に接続している。一方、ゲート電極４には、例えば、金属細線８によりゲート電極４とＣｕフレームのポスト９とを電気的に接続している。そして、本発明で説明する図１の構造と同様に、半導体素子２等は絶縁性樹脂によりモールドされ完成する。
【０００５】
そして、従来における構造では、図７（Ｂ）に示す如く導電板６を使用し、図７（Ａ）に示す如く、半導体素子２表面に形成されたソース電極５パッド上に導電板６を配置し半田１０を介して接続する。このとき、半田１０はソース電極５と導電板６と固着するが、半導体素子２表面と半田１０の側面とがθ２の角度を有するように構成している。具体的には、θ２は直角以下の鋭角となるように形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来での半導体装置では、図６に示すように、Ｃｕフレームからなるアイランド１上半導体素子２を固着し、Ｃｕフレームからなるポスト７に導電板６を固着していた。つまり、従来の半導体装置では種々の材料から成る構成要素が一体となるため、例えば、その製造工程時に高温が加えられると種々の線膨張係数の相違により熱応力が発生していた。
【０００７】
また、半導体素子２等を絶縁性樹脂でモールドすることで樹脂封止体（図示せず）を形成し、樹脂封止体からはＣｕフレームからなるドレイン端子１１、ソース端子１２、ゲート端子１３を露出する。そして、半導体装置はこれら端子を介して実装基板上に固着され、半導体装置として駆動する。このとき、半導体装置として駆動する際、半導体素子２は発熱し、この熱は半導体素子２周辺に位置する絶縁性樹脂、導電板６、Ｃｕフレーム、半田１０にも伝わる。そのことで、この場合も、種々の線膨張係数の相違による熱応力が発生していた。
【０００８】
そして、従来の半導体装置では、製造工程時の加熱、半導体素子が駆動することでの発熱等により、半導体素子２と導電板６との固着する半田１０に、特に、熱応力が集中するという問題が発生していた。また、半田１０において、図７（Ａ）に示す如く、半導体素子２表面と半田１０の側面とがθ２の角度を有するように形成されることで、丸印１４で示した領域に熱応力が集中していた。そのため、上述したように熱応力が繰り返し加えられることで、丸印１４で示した領域での半田１０端部では半田１０が破損したり、半田１０と半導体素子２とが剥離したりする現象が起こっていた。そして、この領域に電流が流れることで半田にクラックが発生したり、この部分と隣接する半導体素子２表面が焼け溶け、半導体装置が故障するという問題が発生していた。更に、図７（Ｂ）に示す如く、ソース電極５上に位置する導電板６のコーナー部にも、上述のように熱応力が集中し同様な問題が発生していた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明の半導体装置は、少なくとも１つの主表面を有し、前記主表面には絶縁層を有し前記絶縁層に少なくとも２つ設けられた孔から一部を露出する電流通過電極および制御電極とを有する半導体素子と、前記電流通過電極と導電材を介して電気的に接続する導電板と、前記半導体素子、前記導電板および前記導電材を被覆する樹脂封止体とを具備し、前記導電板は前記電流通過電極と導電材を介して接続する接続領域を有し、前記電流通過電極上に固着される前記接続領域のコーナー部は切り欠き形状であることを特徴とする。
【００１０】
また、上記した課題を解決するために、本発明の半導体装置は、少なくとも１つの主表面を有し、前記主表面には絶縁層を有し前記絶縁層に少なくとも２つ設けられた孔から一部を露出する電流通過電極および制御電極とを有する半導体素子と、前記電流通過電極と導電材を介して電気的に接続する導電板と、前記半導体素子、前記導電板および前記導電材を被覆する樹脂封止体とを具備し、前記導電板は前記主表面の電流通過電極と接続する接続領域とを有し、前記接続領域は前記絶縁層に設けられた前記電流通過電極の孔の領域内に位置することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体装置である電力用半導体素子の実装構造について、図１〜図５を参照にして詳細に説明する。
【００１２】
図１（Ａ）は本発明の第１の実施の形態である半導体装置の断面図であり、図１（Ｂ）は本発明の第２の実施の形態である半導体装置の断面図である。図２は、図１に示した半導体装置の内部構造を示す斜視図である。図示の如く、本発明の半導体装置では、例えば、半導体素子２１としてＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｌｅｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）が用いられた場合について説明する。尚、以下の説明では、図１（Ａ）に示した第１の実施の形態の構造について説明する。
【００１３】
先ず、図２を参照して半導体装置の内部構造について説明する。図示の如く、例えば、Ｃｕフレームのアイランド２７上に、例えば、半田等の導電ペースト（図示せず）を介して半導体素子２１が固着されている。半導体素子２１表面には絶縁層としてシリコン酸化膜層（図示せず）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）層２３等が形成されている。本実施の形態では、例えば、アルミニウム（Ａｌ）から成るゲート電極２２、ソース電極２４の酸化防止、耐湿性向上等が考慮され、電極２２、２４上にはＳｉＮ層２３が形成されている。そして、このＳｉＮ層２３には２つの孔２８、２９が形成され、孔２８を介してソース電極２４が露出し、孔２９を介してゲート電極２２が露出している。
【００１４】
そして、本実施の形態では、ゲート電極２２では、例えば、金属細線２６によりゲート電極２２とＣｕフレームのポスト３１とを電気的に接続している。一方、ソース電極２４側は、例えば、銅板から成る導電板２５によりソース電極２４とＣｕフレームのポスト３０とを、例えば、半田を介して電気的に接続している。そのため、図示はしていないが、本実施の形態では、ソース電極２４表面には、例えば、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）の３層の表面層が形成されている。尚、このソース電極２４の表面構造はその１例であり、この構造に限定するものではなく、その他、半田との接着性等を考慮して種々の表面構造が可能である。
【００１５】
また、図示の如く、Ｃｕフレームのアイランド２７からはドレイン端子３２が形成され、Ｃｕフレームのポスト３０、３１からはそれぞれソース端子３３、ゲート端子３４が形成されている。そして、図１（Ａ）に示す如く、上述した半導体素子２１等は絶縁性樹脂によりモールドされ、樹脂封止体３５内に位置することとなる。このとき、ドレイン端子３２、ソース端子３３およびゲート端子３４は樹脂封止体３５から外部リードとして導出する。
【００１６】
そして、本発明での解決する課題で説明したように、本発明の半導体装置では、個々の構成部材の線膨張係数の違いによる熱応力から半導体装置の故障を抑制することを目的としている。特に、半導体素子２１上に導電板２５を固着する半田３６への熱応力による半田の破損等を抑制することを目的としている。そして、本発明の半導体装置を構成する個々の構成要素の線膨張係数は以下の通りである。アイランド２７および導電板２５はＣｕから形成されており、Ｃｕの線膨張係数は１７．３Ｅ−６（／℃）である。半導体素子２１の線膨張係数は３．６Ｅ−６（／℃）であり、半田３６の線膨張係数は２７．０Ｅ−６（／℃）である。そして、本実施の形態の樹脂封止体３５を形成する樹脂のガラス転移点温度Ｔｇは１３３℃である。そして、この樹脂の線膨張係数は、Ｔｇ≧１３３℃の状態では５５．０Ｅ−６（／℃）であり、Ｔｇ＜１３３℃の状態では１４．０Ｅ−６（／℃）である。つまり、樹脂モールド時および素子の発熱によりＴｇ≧１３３℃の状態では、周囲に位置する他の構成要素に対して多大な熱応力による影響を与えることとなる。以下に、本発明の半導体装置の特徴について説明する。
【００１７】
先ず、本発明の半導体装置の第１の特徴は、図３および図４に示す如く、半導体素子２１のソース電極２４と導電板２５とを固着する半田３６と半導体素子２１との角度θ１を鈍角となるように形成することである。つまり、熱応力が集中する半田３６とソース電極２４との接続端部における半田フィレットの角度を鋭角にすることで、その領域での半田への熱応力の集中を緩和することである。
【００１８】
具体的には、図３（Ａ）は角度θ１を鈍角とするための導電板２５の固着部での第１の実施の形態を示す断面図であり、図３（Ｂ）は角度θ１を鈍角とするための導電板２５の固着部での第２の実施の形態を示す断面図である。図３（Ａ）に示す如く、第１の実施の形態では、ソース電極２４上に固着される導電板２５の所望の領域に半田の濡れ性を向上させる銀（Ａｇ）メッキを予め施しておくことに特徴を有する。図７（Ａ）で図示したように、従来の半導体装置では、半導体素子２上に導電板６を固着する際、供給される半田量にも関係するが、通常、半田１０と半導体素子２表面との角度θ２は鋭角、９０度以下となるように形成されていた。
【００１９】
しかし、本発明の半導体装置では、上述の如く、ソース電極２４上への導電板２５の設置位置、供給される半田量等を考慮し、導電板２５にＡｇメッキを施している。そして、ハッチングで示したＡｇメッキ領域３７は、半田３６と半導体素子２１との角度θ１を鈍角、９０度より大きくなるように形成するため、少なくともソース電極２４領域内に位置する導電板２５に形成される。つまり、Ａｇメッキの半田に対する濡れ性とＣｕ板の半田に対する濡れ性との相違を利用する。そして、導電板２５と半田３６との固着領域を予め決めておくことで、角度θ１を鈍角とすることを実現している。そのため、Ａｇメッキ領域３７は、少なくとも導電板２５の固着面となる裏面にのみ形成していれば良いこととなるが、導電板２５の側面、表面にも同様にＡｇメッキを施しても良い。尚、ソース電極２４領域上全てに半田３６が形成されない場合でも、ソース電極２４上の半田３６の端部から角度θ１を鈍角とする位置にＡｇメッキ領域３７を形成することで対処することができる。また、本実施の形態では、導電板２５のＡｇメッキ領域３７が施され、半田と固着される領域を請求項に記載した接続領域と規定する。
【００２０】
また、図３（Ｂ）に示す如く、第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様にソース電極２４上への導電板２５の設置位置、供給される半田量等を考慮し、導電板２５にＡｇメッキ領域３７が形成されている。そのことで、半田３６は、半田３６と半導体素子２１との角度θ１を鈍角、９０度より大きくなるように形成されている。更に、第２の実施の形態では、導電板２５の固着面となる裏面に、かつ、導電板２５に形成されたＡｇメッキ領域３７の端部領域に溝部３８が少なくとも１つ形成されている。そのことで、第１の実施の形態で上述したように、ＡｇメッキとＣｕ板との半田に対する濡れ性の相違に加えて、この溝部３８を利用することができる。その結果、半田３６が導電板２５と固着する領域をより確実に調整することができ、半田３６と半導体素子２１との角度θ１を鈍角とすることの精度も向上させることができる。尚、本実施の形態では、Ａｇメッキ領域３７と溝部３８とを併用する形態であるが特に限定する必要もなく、それぞれ別個に使用することもできる。
【００２１】
次に、図４では、図３に示す構造を実現することで、本発明の目的である熱応力の緩和状況について説明する。図４（Ａ）は本発明である半導体装置での樹脂モールド前での熱応力分布を示す側面図であり、図４（Ｂ）は従来の半導体装置での熱応力分布を示す側面図である。
【００２２】
上述したように、本発明の半導体装置を構成する個々の構成要素はその材料の相違より、それぞれの線膨張係数を有している。アイランド２７の線膨張係数は１７．３Ｅ−６（／℃）であり、半導体素子２１の線膨張係数は３．６Ｅ−６（／℃）であり、半田３６の線膨張係数は２７．０Ｅ−６（／℃）であり、導電板２５の線膨張係数は１７．３Ｅ−６（／℃）である。そして、図４には樹脂封止体３５を示していないが、本実施の形態で用いる絶縁性樹脂の線膨張係数はＴｇ≧１３３℃の状態では５５．０Ｅ−６（／℃）であり、Ｔｇ＜１３３℃の状態では１４．０Ｅ−６（／℃）である。このように、半導体装置の温度が１３３℃より小さい状態では半田３６の線膨張係数が最も大きい値となり、半導体装置の温度が１３３℃以上では絶縁性樹脂の線膨張係数が最も大きい値となる。そして、半導体装置の温度変化の要因としては半導体素子２１からの発熱であり、この発熱による熱応力が半導体装置の種々の故障の原因となる。また、半導体装置の製造工程では、半田による実装時に、例えば、３００℃程度の熱が半導体装置に加えられ、樹脂モールド時に、例えば、１７５℃程度の熱が半導体装置に加えられる。そして、半導体装置ではこれらの加熱後には室温まで温度は低下するので、この段階における温度差に起因する熱応力により半導体装置に種々の故障が発生する。
【００２３】
具体的には、図４（Ａ）では、半導体素子２１上に半田３６を介して導電板２５を固着し、３００℃から室温（例えば、２５℃）まで半導体装置の温度を低下させた時の熱応力分布状況を示している。図４（Ｂ）では、同様な条件下で、従来の構造と同様に、半田３６と半導体素子２１との角度θ２を鋭角に形成した状態での熱応力分布状況を示している。そして、特に、本発明では丸印３９の領域での熱応力を緩和することを目的としており、この工程での温度変化による熱応力により半田３６にクラック等が発生したり、半田３６とソース電極２４とが剥離したりする等の問題が発生する。
【００２４】
先ず、図４（Ｂ）に示す如く、従来の半導体装置の構造では、実線で囲み網目状のハッチングをした領域４１が熱応力の最も集中する領域である。一点鎖線で囲まれた砂状のハッチングをした領域４１はある程度の熱応力は集中するが、特に問題とならない領域である。そして、この実線で囲まれた領域４１は半田３６と半導体素子２１との接続面の近傍領域に集中して見られることが分かる。特に、本発明で熱応力の緩和を目的としている丸印４０で示した領域では、半田３６の端部領域で、かつ、半田３６と半導体素子２１との固着面近傍の両者に熱応力が集中していることが分かる。これは、上述したように、半田３６の線膨張係数２７．０Ｅ−６（／℃）であり、半導体素子２１の線膨張係数は３．６Ｅ−６（／℃）と相違することによるものと考えられる。そして、半田３６は導電板２５と半導体素子２１とを固着することで、半田３６と半導体素子２１とは固定され自在性を失っている。そのため、丸印４０の領域では半田３６と半導体素子２１との固着部の端部領域であり、半導体素子２１と半田３６との温度変化による伸縮量の相違がこの領域に集中するものと考えられる。
【００２５】
そして、丸印４０で示した領域では、実線で囲んだ領域４１に熱応力が集中して加わることで、半田３６の破断、半田３６と半導体素子２１との剥離等の問題を発生する。この状態において、半導体装置を駆動させ電流を流すことで、剥離部等での半導体素子２１表面が溶けたり、更に、半田３６にクラックが発生し、半導体装置が故障していた。
【００２６】
しかし、図４（Ａ）に示す如く、本発明の半導体装置では、上述の如く、丸印３９で示した領域において、半田３６と半導体素子２１との角度θ１を鈍角として形成している点で、図４（Ｂ）に示した従来の構造と相違する。そして、図４（Ｂ）と同様な条件における熱応力分布を図４（Ａ）に示すように、丸印３９が示す領域では、熱応力が最も集中する領域４１が形成されないことが示されている。つまり、ある一定量の半田３６を有し、線膨張係数の相違する３種類の部材、半導体素子２１、半田３６および導電板２５が重なる丸印３９が示す領域では、特に、線膨張係数の相違による熱応力が集中する。しかし、半田３６の端部領域において、半田３６と半導体素子２１との角度θ１を鈍角で形成することで、半田３６端部領域およびその領域での半導体素子２１表面への熱応力の集中を緩和することができる。そのことで、従来の構造での問題点であった半導体素子２１表面が溶けたり、半田３６にクラックが発生したりする等の問題を解決することができる。
【００２７】
また、上述したように、後工程である樹脂封止体３５を形成する時には、例えば、１７５℃程度の熱が加えられ、半導体装置として駆動させる時にも半導体素子２１から発熱により熱が加わる。このとき、同様に半導体装置の個々の構成要素に対しても熱が加わり、それぞれの線膨張係数の相違より熱応力が発生する。そして、これらの場合においても、図４（Ａ）に示すような熱応力分布を成し、特に、それぞれ拘束された線膨張係数の異なる部材の端部に熱応力が集中すると考えられる。更に、後工程では、前工程での熱応力による半田３６の破損、半田３６と半導体素子２１との剥離等が生じた箇所が熱応力により、更に破損等するものと考えられる。特に、本実施の形態では、使用する絶縁性樹脂はＴｇ≧１３３℃の状態では、線膨張係数が５５．０Ｅ−６（／℃）となるため、この影響を受ける領域では熱応力の集中を緩和する構造が必要となる。
【００２８】
このとき、本発明の半導体装置では、最も温度差が加わり線膨張係数の相違により熱応力が問題となる導電板２５と半導体素子２１との固着後において、丸印３９が示す領域での熱応力の集中を緩和することを実現している。そして、この構造により、後工程において熱を加えることで熱応力が発生しても、本発明の目的である丸印３９が示す領域およびその他の領域においても熱応力の集中を緩和することができる。
【００２９】
次に、本発明の半導体装置の第２の特徴としては、図５に示す如く、導電板２５のコーナー部を角状に切り欠くことで、または曲状に切り欠くことでコーナー部での熱応力の集中を緩和することである。つまり、第２の特徴としては、導電板２５のコーナー部の形状を加工することで、その領域に集中する熱応力を緩和することである。
【００３０】
具体的には、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）は本実施の形態における導電板２５の実施の形状を示している。図５（Ａ）および図５（Ｃ）では導電板２５のコーナー部を角状切り欠き部４３に形成することに特徴がある。そして、図５（Ａ）では、導電板２５の端部のみの２つのコーナー部を角状切り欠き部４３に形成している。一方、図５（Ｃ）では、導電板２５の屈折部におけるコーナー部でも角状切り欠き部４３に形成している。つまり、導電板２５の４つのコーナー部において角状切り欠き部４３を形成している。
【００３１】
また、図５（Ｂ）および図５（Ｄ）では導電板２５のコーナー部を曲状切り欠き部４４に形成することに特徴がある。そして、図５（Ｂ）では、導電板２５の端部のみの２つのコーナー部を曲状切り欠き部４４に形成している。一方、図５（Ｃ）では、導電板２５の屈折部におけるコーナー部でも曲状切り欠き部４４に形成している。つまり、導電板２５の４つのコーナー部において曲状切り欠き部４４を形成している。
【００３２】
図示の如く、半導体素子２１のソース電極２４と固着する導電板２５のコーナー部を角状切り欠き部４３または曲状切り欠き部４４に形成しているのは、図４（Ａ）にも示す如く、導電板２５のコーナー部に集中する熱応力を緩和するためである。図示の如く、導電板２５のコーナー部およびその近傍領域には、最も熱応力が集中する実線で囲んだ領域４１が形成されている。これは、上述の如く、それぞれの部材による線膨張係数の相違による熱応力が端部に集中するためと考えられる。そこで、本発明では、導電板２５のコーナー部を切り欠くことで、その熱応力の集中を緩和する構造を実現することができる。尚、本実施の形態では、導電板２５のコーナー部を曲状に切り欠いた方がより熱応力の緩和が図れるため、図５（Ｂ）に示す如く、曲状切り欠き部４４を採用している。
【００３３】
本実施の形態では、本発明の半導体装置での第１の特徴と第２の特徴とを別々の実施の形態として説明したが、２つの特徴を組み合わせることでより優れた効果を得ることができる。また、本実施の形態では、半導体素子としてＭＯＳＦＥＴを用いた場合について説明したが、ダイオード素子、ＩＧＢＴ素子等の表面電極構造を有する素子においても、同様な構造を形成することができる。更に、本実施の形態では、図１（Ａ）を用いて導電板とリード端子とを別個の部材として形成した場合について説明したが、特に限定する必要はない。図１（Ｂ）に示す如く、導電板とリード端子とを一枚のＣｕフレームから一体に形成した場合についても、上述の如く、同様な効果を得ることができる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００３４】
【発明の効果】
上述したように、第１に、本発明の半導体装置では、半導体素子の表面電極と半田を介して電気的に接続する導電板の固着部にＡｇメッキ領域を形成することに特徴を有する。そのことで、Ａｇメッキの半田の濡れ性とＣｕからなる導電板との半田の濡れ性との相違を利用し、半田側面と半導体素子表面とのなす角度が鈍角となるように半田形状を形成することができる。その結果、個々の線膨張係数の相違による熱応力が、半導体素子表面に形成された半田端部に集中することを緩和する構造を実現することができる。
【００３５】
第２に、本発明の半導体装置では、第１の発明の効果と併せて、導電板のＡｇメッキ領域の端部に、溝部を少なくとも１つ形成することに特徴を有する。そのことで、半田側面と半導体素子表面とのなす角度が鈍角となるように半田形状を形成することが、より精度良く行うことができる。その結果、半導体装置を構成する個々の部材の線膨張係数の相違による熱応力が、半導体素子表面に形成された半田端部に集中することを緩和する構造を実現することができる。
【００３６】
第３に、本発明の半導体装置では、半導体素子上の固着する導電板のコーナー部を角状または曲状に切り欠いて形成することに特徴を有する。そのことで、半導体装置を構成する個々の部材の線膨張係数の相違による熱応力が集中するコーナー部での集中を緩和する構造を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の第１および第２の実施の形態を説明するための（Ａ）断面図（Ｂ）断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の内部構造を説明するための斜視図である。
【図３】本発明の半導体装置の特徴部分である導電板の固着状況を説明する（Ａ）断面図（Ｂ）断面図である。
【図４】半導体装置の内部構造における熱応力分布を説明する（Ａ）本発明の側面図（Ｂ）従来の側面図である。
【図５】本発明の半導体装置に用いる導電板を説明する（Ａ）斜視図（Ｂ）斜視図（Ｃ）斜視図（Ｄ）斜視図である。
【図６】従来の半導体装置の内部構造を説明するための斜視図である。
【図７】従来の半導体装置の（Ａ）導電板の固着状況を説明する断面図（Ｂ）導電板の斜視図である。
【符号の説明】
２１ 半導体素子
２４ ソース電極
２５ 導電板
３０ ポスト
３７ Ａｇメッキ領域
３８ 溝部
４０ 角状切り欠き部
４１ 曲状切り欠き部

Claims (10)

  1. 表面電極を有する半導体素子と、
    前記表面電極と半田を介して電気的に接続された導電板と、を具備し、
    前記導電板の前記表面電極と対向する平面視におけるコーナー部は、熱応力を緩和するために、直角部が無くなるように切り欠かれていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記コーナー部は、曲状、又は角状になるように切り欠かれていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記コーナー部は、前記導電板の表面側から裏面側へ垂直に切り欠かれていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  4. 前記導電板は銅からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  5. 表面電極を有する半導体素子と、
    前記表面電極と半田を介して電気的に接続された銅からなる導電板と、を具備し、
    前記導電板は、前記半田との接触表面に、前記導電板よりも前記半田との濡れ性が良いメッキが形成されており、
    前記半田の側面と前記半導体素子の表面との成す角は、９０度より大きく１８０度以下であることを特徴とする半導体装置。
  6. 前記メッキは、銀からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
  7. 表面電極を有する半導体素子と、
    前記表面電極と半田を介して電気的に接続された導電板と、を具備し、
    前記導電板には溝が形成されており、
    前記溝は、前記半田と前記導電板との接触面の端部となり、
    前記半田の側面と前記半導体素子の表面との成す角が、９０度より大きく１８０度以下であることを特徴とする半導体装置。
  8. 前記半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 前記表面電極は、ソース電極であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
  10. 前記半導体素子は、絶縁性樹脂によりモールドされていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の半導体装置。
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