JP3859969B2 - 補助電極を有するmos電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
本発明は、MOS電界効果トランジスタであって、
・第1の主表面及び第2の主表面を有する1つの伝導形の半導体ボディを有し、半導体ボディはこの1つの伝導形のゾーンを形成し、半導体ボディにおいて第1の主表面の側に第1の伝導形とは正反対の他の伝導形の少なくとも1つの第1の半導体ゾーンが埋め込まれており、
・1つの伝導形の少なくとも1つの第2の半導体ゾーンを有し、第2の半導体ゾーンは第1の半導体ゾーンに設けられており、
・第2の半導体ゾーンと半導体ボディとの間の第1の半導体ゾーンの少なくとも上方の領域にゲート電極を有し、
・半導体ボディに第2の主表面において1つの伝導形の高濃度ドープされたコンタクトゾーンを介して接続する第1の電極を有し、及び、少なくとも第2の半導体ゾーンに接続する第2の電極を有する、MOS電界効果トランジスタに関する。
【0002】
周知のように以前から特にパワーMOS電界効果トランジスタ(FET)のオン抵抗Ronを低減する可能性が研究されてきた。例えばUS5216275には冒頭に挙げたように原理的に構成されているパワー半導体装置が記述されている。この半導体装置のドリフト区間にはいわゆる「電圧サステイニング層(Voltage sustaining layer)」が設けられている。この電圧サステイニング層は互いに相並んだ垂直のp形領域及びn形領域から成り、これらのp形領域及びn形領域は互いに交互に配置され、これらのp形領域とn形領域との間には二酸化シリコンから成る絶縁層が設けられている。このような通常の半導体装置の例として図4にMOSFETが示されている。
【0003】
この公知のMOSFETはn+形ドレインコンタクトゾーン2、交互に配置されたn形半導体ゾーン及びp形半導体ゾーン3乃至は4、p形半導体ゾーン(「ボディ」ゾーン)6及びこのゾーン6に埋め込まれたn形半導体ゾーン7を有する半導体ボディ1から成る。n形半導体ゾーンとp形半導体ゾーン3乃至は4は例えば二酸化シリコンから成る絶縁層5によって相互に分離されている。
【0004】
半導体ボディ1には、場合によっては他の材料も使用できるが、通常はシリコンが使用される。また場合によっては上記の伝導形を正反対にすることもできる。
【0005】
ドープされた多結晶シリコンから成るゲート電極9は例えば二酸化シリコン又は窒化シリコンから成る絶縁層8に埋め込まれており、接続端子Gが設けられている。例えばアルミニウムから成る金属層10はn形ゾーン7に接続し、アースされるソース端子Sが設けられている。ドレイン端子Dが設けられているn+形半導体層2にはドレイン電圧+UDが印加される。
【0006】
電圧+UDが印加されると、ゾーン3及び4は相互に電荷担体によって空乏化される。半導体ボディ1の2つの主表面の間に柱状に延在するこれらのゾーン3、4においてnドーピング及びpドーピングの総量がほぼ同じである場合、又は、降伏が発生する前にこれらのゾーン3、4が完全に電荷担体によって空乏化されるほどにこれらのゾーン3、4においてnドーピング及びpドーピングの総量が僅少な場合、このようなMOSFETは高い電圧を遮断することができ、しかもそれにもかかわらず小さいオン抵抗Ronを有する。この場合、n形ゾーン3とp形ゾーン4との間の絶縁層5のために、これらのゾーンが電荷担体によって完全には空乏化されていない場合には、ゾーン6の下に設けられたp形ゾーン4がn形ゾーン3に対するアースされたフィールドプレートとして使用される。
【0007】
図4に示された構造を有するMOSFETはその製造において比較的コスト高であり、これはとりわけn形半導体ボディ1の中の絶縁層5及びこの絶縁層5によって周囲を囲まれたp形ゾーン4に起因する。
【0008】
従って、本発明の課題は、この既存のMOSFETのような小さいオン抵抗を持ちながらも、はるかに簡単に製造できるMOSFETを提供することである。
【0009】
上記課題は、冒頭に挙げたようなMOSFETにおいて、本発明により、半導体ボディには絶縁層によって被覆された少なくとも1つの補助電極が設けられており、この補助電極は、半導体ボディの第1の主表面と第2の主表面との間の方向において第1の半導体ゾーンから1つの伝導形のゾーンを貫いて延在しており、第1の半導体ゾーンに電気的に接続されていることによって解決される。
【0010】
この場合、複数のこのような補助電極を各々の第1の半導体ゾーンの下に設けることも可能である。これらの補助電極は「棒状に」形成されている。補助電極は第2の主表面の領域の1つの伝導形の高濃度ドープされた層にまで、すなわち、ドレインコンタクトゾーンの近傍にまで延在しうる。しかし、補助電極が1つの伝導形の低濃度ドープされた層にまでしか到達しておらず、この低濃度ドープされた層が半導体ボディと第1の電極に接続された高濃度ドープされた1つの伝導形の半導体層との間に設けられていることも可能である。
【0011】
補助電極自体は有利には高濃度ドープされた多結晶シリコンから成り、他方で絶縁層には有利には二酸化シリコンが使用される。
【0012】
補助電極の深さは例えば5μmと40μmとの間であり、他方でこの補助電極の幅は1〜5μmのオーダである。補助電極の多結晶シリコン上の絶縁層の厚さは0.1μmと1μmとの間である。この絶縁層の厚さは第2の主表面の方向に向かって増大してゆくか又は2つの主表面の間の補助電極の中央部に至るまで増大してゆく。
【0013】
本発明のMOSFETはとりわけ簡単なやり方で製造できる。すなわち、例えばn形半導体ボディにトレンチが例えばエッチングによって設けられる。これらのトレンチの壁面及び底部に絶縁層を設ける。これは酸化によって行われる。この結果、シリコンから成る半導体ボディにおいて絶縁層として二酸化シリコン層が形成される。次いで、これらのトレンチをn+形の又はp+形の多結晶シリコンで充填する。これは全く問題を生じない。
【0014】
この場合、補助電極の多結晶シリコンにはp+ドーピングが有利である:つまり、絶縁層に孔が存在している場合には、p形拡散の後でこの孔によってn形半導体ボディにおいて遮断pn接合部が生じる。これに対して、補助電極の多結晶シリコンに対するn+ドーピングの場合には、このような孔によってn形半導体ボディへの短絡が喚起されてしまう。
【0015】
補助電極自体は、柱状、格子状又はストリップ状か又は他の形状を有することができる。
【0016】
また、n形半導体ゾーンは、補助電極が互いに近接して配置されればされるほど、まずます高濃度ドープされる。しかし、この場合、次のことが考慮される。すなわち、補助電極が互いにパラレルに延在している場合、n形半導体ゾーンの側面の表面電荷は降伏電荷の2倍に相応するドーピング材料量を上回ってはならない。
【0017】
補助電極の多結晶シリコンのn+ドーピング又はp+ドーピングは均一である必要はない。むしろ、この場合、ドーピング濃度の変動が許容される。また、補助電極の深さ乃至はトレンチの深さは重要ではない:これらは高濃度ドープされたドレインコンタクトゾーンにまで到達してもよいが、これはする必要があるわけではない。
【0018】
例えばn形半導体ボディの代わりに、この半導体ボディに対して異なるドーピングを有する層を設けることもできる。
【0019】
次に本発明を図面に基づいて詳しく記述する。
【0020】
図1は本発明の第1の実施例のMOSFETの断面図である。
【0021】
図2は本発明の第2の実施例のMOSFETの断面図である。
【0022】
図3は本発明の第3の実施例のMOSFETの断面図である。
【0023】
図4は既存のMOSFETの断面図である。
【0024】
図4は既に冒頭で説明した。図1から図3までには、互いに対応する部分に対して図4と同一の参照符号が使用されている。また、図4と同じように、それぞれ記載されている伝導形は正反対でもよい。
【0025】
図1は本発明のMOSFETの実施例を示す。図4の従来のMOSFETとは異なり、ここでは絶縁層5によって周囲を囲まれたp形ゾーン4が設けられていない。むしろ、図1の実施例のMOSFETには補助電極11が設けられており、これらの補助電極11はそれぞれn+ドープ又はp+ドープされた多結晶シリコン12から成り、絶縁層5によって周囲を囲まれている。多結晶シリコンの代わりに、場合によっては他に相応に導電性を有する材料も使用できる。また、絶縁層5は二酸化シリコンとは別の材料、例えば窒化シリコンから、又は、例えば二酸化シリコン又は窒化シリコンのような様々な絶縁フィルムからも構成されうる。
【0026】
これらの補助電極は、図4の従来のMOSFETにおけるp形ゾーン4に類似の効果を有する。すなわち、ドレイン電圧+UDがドレイン端子Dに印加されると、n形ソーン3が電荷担体によって空乏化される。この場合、絶縁層5においては図4の従来の構造を有するMOSFETの場合よりも大きな電界の電界強度が発生する。しかし、これは電荷担体によって行われる空乏化になんら影響を与えない。
【0027】
本発明の重要な利点は、図1のMOSFETは図4のMOSFETよりもはるかに簡単に製造できることである。すなわち、幅が約1〜5μmで深さが約5〜40μmのトレンチ13をほぼ層2に至るまで半導体ボディ1にエッチングしさえすればよく、次いでトレンチ13の壁面を酸化によって0.1〜1μmの層厚を有する二酸化シリコンから成る絶縁層5で被覆する。この場合、絶縁層5の厚さは特に重要ではない。むしろ、この厚さはトレンチ13において上部から下部へと又は中央部まで増大してもよい。
【0028】
続いて、これらのトレンチはp+ドープされた又はn+ドープされた多結晶シリコン12によって充填される。しかし、有利には補助電極11に対するp+ドーピングの方が選ばれるべきである。なぜなら、可能性として絶縁層5に存在するかもしれない孔を顧慮すると、このp+ドーピングの方が、既に説明したように、より大きな歩留まりを生じるからである。
【0029】
補助電極11の配置は個々の半導体セルの配置と一致する必要はない。むしろ、補助電極11は柱状に、格子状に又はストリップ状に又はその他の形状で設けられる。
【0030】
n形ゾーン3は、有利には、補助電極11が互いに近接すればするほど、ますます高濃度ドープされる。重要なことは、補助電極11が互いにパラレルに延在する場合、n形ゾーン3の側面の表面電荷が降伏電荷に相応するドーピング材料量の2倍を上回らないことだけである。
【0031】
n形ゾーン3(乃至は半導体ボディ1)の代わりに、異なるドーピングを有する複数の層を設けることもできる。さらに、n+形ゾーン2はn-p+層構造又はn+-p+層構造によって置き換えることもでき、これは図1において破線15によって示されている。この場合には、IGBTとなる(IGBT=絶縁ゲートを有するバイポーラトランジスタ)。
【0032】
最終的に、補助電極11の多結晶シリコン12のドーピングは均一である必要はない。
【0033】
図2は本発明の他の実施例を示しており、この実施例では、図1の実施例とは異なり、2つの補助電極11が各セルに割り当てられている。当然、場合によっては3つの又は複数の補助電極11を各セル毎に設けることもできる。
【0034】
最終的には、補助電極11がドレイン端子Dの側の高濃度ドープされたn+形層2にまで到達することも必要ない。同様に、これらの補助電極11がn+形層2とn形ゾーン3との間に設けられているn-形層14で終わることも可能である。
【0035】
本発明はこのように簡単なやり方で製造できるMOSFETを可能にする。このMOSFETはトレンチの形成の際の半導体技術における通常のステップを必要とするだけであり、それにもかかわらず小さいオン抵抗Ronを保障する。
【0036】
上記の実施例では本発明のMOS電界効果トランジスタの垂直構造が記述された。当然、本発明は、横方向構造にも適用可能であり、この横方向構造の場合には補助電極11が半導体ボディにおいて横方向に延在する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例のMOSFETの断面図である。
【図2】 本発明の第2の実施例のMOSFETの断面図である。
【図3】 本発明の第3の実施例のMOSFETの断面図である。
【図4】 既存のMOSFETの断面図である。
【符号の説明】
1 半導体ボディ
2 n+形ドレインコンタクトゾーン
3 n形半導体ゾーン
4 p形半導体ゾーン
5 絶縁層
6 p形半導体ゾーン(「ボディ」ゾーン)
9 ゲート電極
G 接続端子
10 金属層
S ソース端子
D ドレイン端子
+UD ドレイン電圧
11 補助電極
12 多結晶シリコン
13 トレンチ
15 破線
14 n-形層
Claims (14)
- MOS電界効果トランジスタであって、
第1の主表面及び第2の主表面を有する1つの伝導形の半導体ボディ(1)を有し、該半導体ボディ(1)はこの1つの伝導形のゾーン(3)を形成し、前記半導体ボディ(1)において前記第1の主表面の側に第1の伝導形とは正反対の他の伝導形の少なくとも1つの第1の半導体ゾーン(6)が埋め込まれており、
前記1つの伝導形の少なくとも1つの第2の半導体ゾーン(7)を有し、該第2の半導体ゾーン(7)は前記第1の半導体ゾーン(6)に設けられており、
前記第2の半導体ゾーン(7)と前記半導体ボディ(1)との間の前記第1の半導体ゾーン(6)の少なくとも上方の領域にゲート電極(9)を有し、
前記半導体ボディ(1)に前記第2の主表面において1つの伝導形の高濃度ドープされたコンタクトゾーン(2)を介して接続する第1の電極(D)を有し、及び、少なくとも前記第2の半導体ゾーン(7)に接続する第2の電極(10;S)を有する、MOS電界効果トランジスタにおいて、
前記半導体ボディ(1)には、絶縁層(5)によって被覆された少なくとも1つの補助電極(11)が設けられており、該補助電極(11)は前記半導体ボディ(1)の前記第1の主表面と第2の主表面との間の方向において前記第1の半導体ゾーン(6)から前記1つの伝導形のゾーン(3)を貫いて延在しており、前記第1の半導体ゾーン(6)に電気的に接続されていることを特徴とする、MOS電界効果トランジスタ。 - 各々の第1の半導体ゾーン(6)のすぐ下に1つ又は複数の補助電極(11)が設けられていることを特徴とする請求項1記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 補助電極は棒状に形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 補助電極(11)は第2の主表面の領域の1つの伝導形の高濃度ドープされた層(2)にまで到達していることを特徴とする請求項1から3のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 補助電極(11)は1つの伝導形の低濃度ドープされた層(14)にまで到達しており、前記層(14)は半導体ボディ(1)と第1の電極(D)に接続された高濃度ドープされた前記1つの伝導形の半導体層(2)との間に設けられていることを特徴とする請求項1から3のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 補助電極は高濃度ドープされた多結晶シリコン(12)から成り、該多結晶シリコン(12)は二酸化シリコンから成る絶縁層(5)によって周囲を囲まれていることを特徴とする請求項1から5のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 補助電極(11)の深さは5〜40μmであることを特徴とする請求項1から6のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 補助電極(11)の幅は1〜5μmであることを特徴とする請求項1から7のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 絶縁層の厚さは0.1μmと1μmとの間であることを特徴とする請求項1から8のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 絶縁層(5)の厚さは第2の主表面の方向に向かって増大してゆくことを特徴とする請求項1から9のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 絶縁層(5)の厚さは補助電極(11)の中央部に至るまで増大してゆくことを特徴とする請求項1から9のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 補助電極(11)は、トレンチ(13)をエッチングすること及び前記トレンチ(13)を絶縁層(5)及び多結晶シリコン(12)で充填することによって製造されることを特徴とする請求項1から11のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 多結晶シリコン(12)は均一にはドープされていないことを特徴とする請求項6記載のMOS電界効果トランジスタ。
- 第2の主表面の領域の半導体ボディ(1)において、1つの伝導形の高濃度ドープされた層がコンタクトゾーン(2)として設けられていることを特徴とする請求項1から13のうちの1項記載のMOS電界効果トランジスタ。
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