JP3856237B1 - シリコン含有感光性組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記の一般式(1)で表わされる構造を有し、R11〜R1nの内1つがHであり、残りが有機基である1種のポリマー(A1)を含むシリコン含有ポリマーと、活性光線もしくは放射線の放射により、酸または塩基を発生する化合物とを含むシリコン含有感光性組成物。
Description
(ポリマー(A−a)の調製)
冷却管をつけた100mlのフラスコに、フェニルトリエトキシシラン5g、トリエトキシシラン10g、シュウ酸0.5g、水5ml、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート50mlを加えた。半円形型のメカニカルスターラーを用いて溶液を撹拌し、マントルヒーターで70℃・6時間反応させた。次いでエバポレーターを用いて水と縮合反応で生成したエタノールを除去した。反応終了後、フラスコを室温になるまで放置し、シリコン含有ポリマー混合物を調製した。下記の表1に、使用した材料及び使用量とともに、置換基がHである割合(モル%)を示す。なお、置換基がHである割合(モル%)とは、一般式(1),(2)における置換基R11〜R1n及びR21〜R2nの合計100モル%に対する、置換基R11〜R1nにおけるHである置換基の割合をいう。
下記の表1に示すように、フェニルトリエトキシシラン、トリエトキシシラン、シュウ酸及びギ酸の種類または使用量を変更したことを除いては上記ポリマー(A−a)の調製と同様にして、ポリマー(A−b)〜(A−e)を調製した。
上記シリコン含有ポリマー混合物100重量部と、化合物(B)としてスルホニウム塩系光酸発生剤(Naphtalimide camphorsulfonate(CAS No.83697−56−7)、ミドリ化学社製、商品名:NAI−106)を5重量部とを、溶剤としてのテトラヒドロフラン500重量部に溶解し、感光性組成物を調製した。
下記の表2に示すように組成を変更したことを除いては、実施例1と同様にして薄膜パターンの形成を試みた。
上記薄膜パターンの形成に際してのアルカリ溶解性を実施例1と同様にして実施例2〜4及び比較例1,2においても評価した。結果を下記の表3に併せて示す。
下記の表4に示すように、種々のシリコン含有ポリマーA−a〜A−aaを実施例1と同様にして作製した。すなわち、シリコン含有ポリマーA−a〜A−eは実施例1と同様にして用意した。また、使用したモノマー及び材料を変更し、その他は実施例1と同様にして、シリコン含有ポリマーA−f〜A−aaを作製した。また、表4には、モノマー成分と、シュウ酸またはギ酸と、水と、溶媒としてのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートとからなる溶液中におけるモノマー成分の濃度(重量%)と、重合条件としての重合温度及び重合時間を併せて示す。さらに、表4に、得られたシリコン含有ポリマーの重量平均分子量Mwと、各シリコン含有ポリマーにおける置換基Hの割合を示す。
1A…潜像
1B…感光層
1C…薄膜パターン
2…基板
3…フォトマスク
11…液晶表示素子
12…ガラス基板
13…TFT
13a…ゲート電極
13b…ゲート絶縁膜
13c…半導体層
13d…ソース電極
13e…ドレイン電極
14…TFT保護膜(電子機器用絶縁保護膜)
15…ITO
16…配向膜
17…配向膜
18…シール材
19…液晶
20…スペーサー
21…ガラス基板
22…カラーフィルタ
23…ITO
31…カラーフィルタ
32a〜32c…画素
33…ブラックマトリクス部
34…保護膜(電子機器用絶縁保護膜)
35…ITO電極
41…薄膜トランジスタ
42…基板
43…ゲート電極
44…ゲート絶縁膜
45…半導体層
46,47…ソースまたはドレイン電極
48…パッシベーション膜
49…ITO電極
Claims (7)
- 下記の一般式(1)で表わされる構造を有し、R11〜R1nの内少なくとも1つがHである少なくとも1種のシリコン含有ポリマー(A1)と、
活性光線もしくは放射線の照射により、酸または塩基を発生する化合物(B)とを含み、前記化合物(B)が、オニウム塩、ジアゾニウム塩及びスルホン酸エステルからなる群から選択した少なくとも1種の酸を発生する化合物あるいは塩基を発生するアミンイミド化合物であり、前記シリコン含有ポリマー(A1)の重量平均分子量をMwとし、前記シリコン含有ポリマー(A1)における置換基R11〜R1nの合計を100モル%としたとき、Hである置換基の割合が、重量平均分子量Mwに応じて添付の図5の破線Aで囲まれている範囲内とされていることを特徴とする、シリコン含有感光性組成物。
- 下記の一般式(1)で表わされる構造を有し、R11〜R1nの内少なくとも1つがHである少なくとも1種のシリコン含有ポリマー(A1)と、
活性光線もしくは放射線の照射により、酸または塩基を発生する化合物(B)とを含み、前記化合物(B)が、オニウム塩、ジアゾニウム塩及びスルホン酸エステルからなる群から選択した少なくとも1種の酸を発生する化合物あるいは塩基を発生するアミンイミド化合物であり、下記の一般式(2)で示され、R21〜R2nがH以外の原子または官能基である少なくとも1種のポリマー(A2)をさらに含み、前記シリコン含有ポリマー(A1)及びシリコン含有ポリマー(A2)の重量平均分子量Mwとし、Hである置換基の割合が前記シリコン含有ポリマー(A1)及び(A2)における置換基R 11 〜R 1n 及び置換基R 21 〜R 2n の総合計を100モル%としたとき、重量平均分子量Mwに応じて図5の破線Aで囲まれている範囲内とされていることを特徴とする、シリコン含有感光性組成物。
- 基板上に、請求項1または2に記載のシリコン含有感光性組成物からなる感光性組成物層を形成する工程と、
前記感光性組成物層に形成するパターンに応じて、活性光線または放射線で選択的に露光し、パターン状の潜像を形成する工程と、
前記潜像が形成された前記感光性組成物層を現像液で現像し、薄膜パターンを得る工程とを備える、薄膜パターンの製造方法。 - 請求項1または2に記載のシリコン含有感光性組成物を用いて形成された電子機器用保護膜。
- 請求項1または2に記載のシリコン含有感光性組成物を用いた形成された薄膜を保護膜として備えることを特徴とする、トランジスタ。
- 請求項1または2に記載のシリコン含有感光性組成物を用いた形成された薄膜を保護膜として備えることを特徴とする、カラーフィルタ。
- 請求項1または2に記載のシリコン含有感光性組成物を用いた形成された薄膜を保護膜として備えることを特徴とする、有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005378705A JP3856237B1 (ja) | 2005-01-05 | 2005-12-28 | シリコン含有感光性組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000833 | 2005-01-05 | ||
JP2005000833 | 2005-01-05 | ||
JP2005227091 | 2005-08-04 | ||
JP2005227091 | 2005-08-04 | ||
JP2005378705A JP3856237B1 (ja) | 2005-01-05 | 2005-12-28 | シリコン含有感光性組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3856237B1 true JP3856237B1 (ja) | 2006-12-13 |
JP2007065612A JP2007065612A (ja) | 2007-03-15 |
Family
ID=37560677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005378705A Expired - Fee Related JP3856237B1 (ja) | 2005-01-05 | 2005-12-28 | シリコン含有感光性組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3856237B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100845939B1 (ko) | 2007-07-18 | 2008-07-11 | 제일모직주식회사 | 컬러필터 보호막용 일액형 열경화성 수지 조성물 및 이를이용한 컬러필터 |
US9434936B2 (en) | 2010-04-02 | 2016-09-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method for removing cells |
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JP2007065612A (ja) | 2007-03-15 |
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