JP3850484B2 - 高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置 - Google Patents
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Description
【発明が属する分野】
本発明は高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
マトリクス状に配置されたメモリフィールド領域を有する順次(シリアル)式メモリの場合、今日通常、先ず、そのつど1つの行が選択され、それに引き続いて各の個々のビット線路が順次投入接続される。それにより、1つの行のメモリ内容が読出され、ないしオーバーライトされる。全く欠除する行及び/又は列の形態のエラーは、セルフィールド領域全体に亘ってランダムに分布されるエラーより遥かに頻繁に起こり、このようなエラーの場合、誤り補正は不可能か、又は劣悪にしか行われ得ない。全く欠除する行及び/又は列の形態の場合における誤り補正の可否の問題は、特に読み取り専用メモリ(ROM)に関連して生じる。それというのはそれのメモリ内容は作製の際に既に固定化されているので、たとえばリードライトメモリで行われるような予備行又は予備列を設けることはできない。
【0003】
ヨーロッパ特許出願EP0 290 042A2からは順次(シリアル)アクセス式メモリ記憶装置が公知であり、該装置は、下記装置要素を有し、即ち、
−メモリマトリクスを有し、該メモリマトリクスのメモリセルはZ個の行とS個の列にて配置されており、且つ行線及び列線に接続されており、
−クロック結合ユニットを有し、該クロック結合ユニットは外部クロック信号から行クロック信号及び列クロック信号を形成するものであり、
−列選択装置を有し、該装置は列線路に接続されており、かつ各クロック信号毎に列選択にて1つの列だけシフトするものであり
−行選択装置を有し、該装置は行線路に接続されており、かつクロック信号により行選択にて1つの行だけシフトするものである。
【0004】
ここにおいて、列選択装置におけるゲート回路装置により当該列選択装置におけるシフトレジスタ段の数が低下される。
【0005】
IBM Technical Disclosure Bulletin、August 1964 第1756および1757頁から公知のデータ語のビットアドレッシング変更は冗長的なコードを用いて列ないし行誤り、誤差(エラー)の補正の際の問題に対処するためになされる。
【0006】
US4703453から公知の技術事項によれば、記憶語は次のようなメモリセルから合成され、すなわち、メモリ中で隣接して位置しているのではなく、メモリ内に分布して配置されているメモリセルから合成され、それにより多重エラーの補正の際の問題を解決しようとするものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的ないし課題とするところは、行又は列のエラーが発生した場合、例えば冗長的なコードで良好に補正可能なエラーしか生じないような高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題は請求項1に規定された構成要件により解決される。
【0009】
請求項2及び5は本発明の有利な構成を示す。
【0010】
【実施例】
以下で本発明を、図を用いて説明する。
【0011】
図1には、本発明の高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置が示されている。ここでは、該装置に設けられているメモリマトリクスSMのメモリセル11…ZSはZ個の行及びS個の列にて配置されており、上記メモリセルはそれぞれ行線路ZL及び列線路SLに接続されている。更に本発明のメモリ装置は行選択装置ZPTRを有し、該行選択装置は行クロック信号CLKZにより制御され、上記行選択装置の出力側は行線路に接続されている。更に行選択装置ZPTRでは信号フィードバックが示してあり、該フィードバックは行線路ZLのサイクリックな選択の様子を示す。更に、本発明のメモリ装置は列選択装置を有し、該列選択装置はスイッチSCH及び列アドレッシングユニットSPTRから成る。ここで、メモリマトリクスSMの各列に対して1つのスイッチが設けられており、各スイッチは列アドレッシングユニットSPTRのそれぞれの出力側と接続されている。列アドレッシングユニットSPTRは列クロック信号CLKSにより制御され、そして、記入された信号フィールドバックはサイクリックなアドレッシングを示す。スイッチSCHはその都度アドレッシングされた列線路を共通のデータ線路GDと接続する役割を有する。存在する入力側アンプA1によっては外部入力データD1が増幅され、共通のデータ線路GD上へ導かれ、そして、外部データDOとして取り出される前に増幅される。行クロック信号CLKZ及び列クロック信号CLKSはクロック結合回路CLKVにおいて、外部クロック信号CLKから形成される。列結合回路CLKWは例えばフリップフロップを基礎とする2つの分周回路から成る。最も簡単な場合には、行クロック信号及び列クロック信号及び列クロックの双方が外部クロックCLKに等しく、上記結合回路CLKVは、図1中破線で示すように、外部クロック信号に対する接続路から成る。
【0012】
図2には、Z=7行及びS=6列並びにメモリセル11…76を有するメモリマトリクスSMを簡単化して示されている。メモリセル71は開始行Aとして選定されており、メモリセル16は終端セルEを成す。さらにここでは、マトリクス表現指示形態にしたがってメモリセルは記号付与されている。ここでは、FB=2の順次連続する列の後にその都度、列遷移移行のほかに行遷移移行も行われる。ここにおいて、第6列から第1列へ戻って、遷移移行が行われる。メモリマトリクスSMのセルフィールドの物理的限界内アクセス順序は実線で示してあり、そして、セルフィールドの物理的限界を越える移行部は破線で示す。
【0013】
別のメモリセルへの各々の移行部では、直ぐ次の(最も近い)行及び列へのみシフトするか;又はしない。換言すれば、行スキップ(ジャンプ)幅ZSWと列スキップ(ジャンプ)幅SSWとの双方がここではそれぞれ1である。
【0014】
図2に示すアクセス順序によって、1つの行の最大ですべてのセルが欠陥状態にある場合、各Z*FB=14のセルを有するS/FB=3の読み取られたブロックの各々にて最大限2つの誤ったビットのみが生じる。ここで第1の読み取られるべきブロックはここでは、セル71,72,63,64,55,56,41,42,33,25,26,11,12から成る。
【0015】
FB=2のアクセス順序を図1の装置構成によって達成するためには、行選択装置及び列選択装置としてサイクリックなシフトレジスタを使用し、クロック比CLKZ/CLKS=0.5とし、メモリ設計仕様に関して条件S MOD FB=0及びGGT(Z,S/FB)=1が維持されるようにする。ここでは、GGTは最大公約数を意味し、MODはモジュロ関数を意味する。
【0016】
条件が充足されない場合、行選択装置及び列選択装置における付加的切換装置が必要である。上記選択装置はそれ自体すべてのメモリ設計仕様に対して簡単には一般的に仕様化され得ないものの、具体的な個々の事例に対して容易に開発され得る。
【0017】
図3には例えばZ=4個の行及びS=5個の列並びにメモリセル11…45を有するメモリマトリクスSMが簡単に示されている。ここでは、メモリセル41が開始セルAとして選定され、メモリセル15が終端セルEを形成する。ここではマトリクス表現形態により、メモリセルが指定ないし指称されている。ここでは、FB=1の順次連続する列の後にその都度、1つの列遷移移行のほかに付加的に、行遷移移行も行われる。その際、第5の列から第1の列への戻りの遷移移行が行われる。メモリマトリクスSMのセルフィールドの物理的限界内のアクセス順序は実線で示され、セルのフィールドの物理的限界を越えての遷移移行部は破線で示されている。
【0018】
さらなるもう1つのメモリセルへの遷移移行部ごとに直ぐ最も近い行及び列へシフトされる。換言すれば、行スキップ幅ZSWと列スキップ幅SSWの双方は、ここではそれぞれ1である。
【0019】
図3に示すアクセス順序によって、1つの行の最大限すべてのセルが欠陥状態にある場合、各Z*FB=4のセルを有するS/FB=5の読み取られたブロックの各々にて単に最大2つの誤ったビットのみが生じる。ここで第1の読み取られるべきブロックは、セル41,32,23,14から成る。
【0020】
FB=1のアクセス順序を図1の装置構成によって達成するためには、行選択装置及び列選択装置としてサイクリックなシフトレジスタを使用し、且つ、クロック(タイミング)比CLKZ/CLKS=1とし、メモリ設計仕様に関して条件GGT(Z,S)=1が維持されるようにする。
【0021】
エラーの場合には屡々、エラーを有するセルは1つの行及び/又は列内にて集中されるのみならず、隣接行及び/又は列にまたがって及ぶので、行及び/又は列スキップ(ジャンプ)幅を1とは異なって選定すると場合により有利である。
【0022】
図4には例として、8つの行及び7つの列を有するメモリセル11…87を備えたメモリマトリクスが示されている。ここでは、セル81が開始セルAとして選ばれ、セル36が終端セルEを成し、亦メモリセルは通常のマトリクス表現形態におけるように指称を付されている。この場合において、行スキップ幅ZSWは3であり、列スキップ幅SSWは2である。メモリセルはAから始まり、Eで終端して、アクセスの順序で、グラフを介して相互に連結されている。ここで、物理的な縁部を超える遷移移行部は破線で示され、他のすべての遷移移行部は実線で示されている。ここでは、メモリセルは以下の順序でアドレッシングされる。
【0023】
81,53,25,77,42,14,66
31,83,55,27,72,44,16
61,33,85,57,22,24,46
11,63,35,87,52,24,76
41,13,65,37,82,54,26
71,43,15,67,32,84,56
21,73,45,17,62,34,86
51,23,75,47,12,64,36
メモリマトリクスのすべてのメモリセルがZ*Sのアクセスでアドレッシングされるようにするためには、最後の列または最後の行にその都度到達した場合に、行切換または列切換を行う行選択回路または列選択回路において付加的な措置を実施しなければならないか、又はFB=1の場合には有利には、単にメモリマトリクスSMの行数Z及び列数、さらに行(ジャンプ)幅ZSW及び列スキップ(ジャンプ)幅を、下記条件が充足されるように設定しさえすればよい。すなわち、
GGT(S,SSW)=1及び
GGT(Z, S*ZSW)MOD Z)=GGT(Z、S*ZSW)=1
が充足されるように設定しさえすればよい。ここで、GGT()は最大公約数を意味し、MODはモジュロ演算を意味する。
【0024】
図3の例にて示すメモリマトリクス及びそれぞれの遷移移行部幅に対して、次の関係が成り立つ。
【0025】
GGT(5、1)=1及びGGT(4、(5*1)MOD4)=1
図4に示す例に対して、下記条件が充足される。
【0026】
GGT(7、2)=1及びGGT(8、(7*3)MOD8)=GGT(8(21,MOD 8))=GGT(8、5)=1
図4に示す例に対して図5中に、8つの行及び行スキップ(ジャンプ)幅 ZSW=3に対する行選択装置ZPTRのブロック回路を示す。上記選択装置は、レジスタ段PZ1…PZ8を有するサイクリックに作動されるシフトレジスタの形態である。シフトレジスタPZ1…PZ8は順序に従って行1〜8に対する行線路ZLに対応付けられている。PZ8=1及びPZ…PZ=0ないし状態PZ8=0及びPZ7…PZ1=1を出発状態として、クロック信号に同期して、セルPZ8の内容がセルPZ5内に転送される。それにつづいて、その都度クロック信号CLKと同期して、順次記載の順序で、セルPZ2,セルPZ7,セルPZ4,セルPZ1,セルPZ6,セルPZ3内へ転送(キャリィ)が行われた後、出発力セルPZ8内への転送が行われる。当該の転送は図5中矢印として示されている。
【0027】
図6中にはそれぞれの列線路に対するスイッチを制御する相応の列アドレッシングユニットSPTRが示してある。図4におけるように、列アドレッシングユニットは例えば7つの列及び列スキップ幅SSW=2に対して設計されている。列アドレッシングユニットは7つのサイクリックに作動されるシフトレジスタ段PS1…PS7を有するシフトレジスタから成る。初期状態PS1=1及びPS2…PS7=0ないし出発状態PS1=0及びPS2…PS7=1から開始してクロック信号CLKに依存して、シフトレジスタPS1からPS3への第1の情報転送が行われ、次いで、順序通りにソフトレジスタ段PS5,PS7,PS2,PS4及びPS6への転送が行われた後、シフトレジスタ段PS1への戻りの転送が行われる。レジスタ段PS1…PS7の出力側は順序に従って、列1…7に対する列線路SLに対応つけられている。
【0028】
メモリ装置全体はここで90°回転されてもよい。換言すれば、行及び列並び行スキップ幅及び列スキップ幅は相互に入れ替わってもよい。
【0029】
【発明の効果】
本発明によれば、行又は列のエラー状態のある場合、例えば冗長的なコードで良好に補正可能なエラーしか生じないような高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置を実現でき、行又は列がエラーの状態にある場合、補正可能な個別のエラー又は少数の順次連続するビットが生起するような高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置を実現できるという効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置のブロック接続図である。
【図2】 同一の行中でそれぞれ2つの順次連続するセルを有するアクセス順序の説明のための概念図である。
【図3】 各セルが同一の行中で直ぐ連続するセルを有しないアクセス順序の説明のための概念図である。
【図4】 同一の行中で順次連続するセルを有さず、且つ、1より大のスキップ(ジャンプ)幅を有するアクセス順序の説明のための概念図である。
【図5】 図4のアクセス順序の場合に図1の行選択装置のブロック接続図である。
【図6】 図4のアクセス順序の場合に図1の列選択装置のブロック接続図である。
【符号の説明】
SM メモリマトリクス
ZL 行線路
SL 列線路
CLKZ 行クロック信号
ZPTF 行選択装置
SPTR 列アドレッシングユニット
ZPTR 行アドレッシングユニット
CLKV 列結合回路
Claims (5)
- 高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置において、
‐メモリマトリクス(SM)を有し、該メモリマトリクスのメモリセル(11…ZS)はZ個の行とS個の列にて配置されており、且つ行線(ZL)及び列線(SL)に接続されており、
‐クロック結合ユニット(CLKV)を有し、該クロック結合ユニットは外部クロック信号(CLK)から行クロック信号(CLKZ)及び列クロック信号(CLKS)を形成するものであり、
‐行選択装置(ZPTR)を有し、該行選択装置は行線路に接続されており、かつ各行クロック信号(CLKZ)ごとにサイクリックに行選択において1つの所定の行スキップ(ジャンプ)幅だけシフトするものであり
‐列選択装置(SPTR,SCH)を有し、該列選択装置は列線路に接続されており、かつ各列クロック信号(CLKZ)ごとにサイクリックに列選択において1つの所定の行スキップ(ジャンプ)幅だけシフトするものであり
‐前記の行選択装置及び列選択装置は次のように構成されており、即ち、n個の列の選択のされた後既にその都度各1つの新たな行が選択され、及び/又はm個の行が選択された後、その都度1つの新たな列が選択されるように構成されており、ここで、nはSより小であり、mはZより小であり、前記の2つの数n及びmのうち大きい方の数は、1つの記憶語内における未だコードによって補正可能なビットの数を表すものであることを特徴とする高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置。 - 行選択装置(ZPTR)及び列選択装置(SPTR,SUH)の双方が1つのリンク体に構成されたシフトレジスタ(例えばPZ1…PZ8ないしPS1…PS7)を有し、前記シフトレジスタにおいては唯一のロジック1又はロジック0がサイクリックにシフトされ、
‐行クロック信号及び列クロック信号の生成は次のように行われ、即ち、行クロックと列クロックとのクロック比は1/Sより大であり、及び/又はZより小であるように行われ、
‐行選択装置(ZPTR)は行クロック信号(CLKZ)と同期してシフトされ、
‐列選択装置(SPTR)は列クロック信号(CLKS)と同期してシフトされるように構成されている請求項1記載の装置。 - 行クロック信号(CLKZ)と列クロック信号(CLKS)は外部クロック信号(CLK)に等しい請求項2記載の装置。
- 行選択装置(ZPTR)及び列選択装置(SPTR、SCH)は次のように構成されており、即ち各列遷移移行ごとにいつも同時に行遷移移行も行われるように構成されており、
‐メモリマトリクス(SM)の行数Z及び列マトリクス数S、行スキップ(ジャンプ)幅ZSW及び列スキップ(ジャンプ)幅SSWは下記の条件を充足するものであり、即ち、
GHT(S,SSW)=1及び
GGT(Z、S*・ZSW)MOD Z)=1を充足するものであり、
ここで、GGTは最大公約数、MCDはモジュロ演算を意味するものである請求項3記載の装置。 - 個々のシフトレジスタは行線路及び列線路に次のように対応つけられており、即ち、行及び列選択において所望の行スキップ(ジャンプ)幅ZSW及び所望の列スキップ(ジャンプ)幅SSWが生ぜしめられるように対応つけられている請求項1から4までのうち1項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19512791.9 | 1995-04-05 | ||
DE19512791 | 1995-04-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08287699A JPH08287699A (ja) | 1996-11-01 |
JP3850484B2 true JP3850484B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=7758876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08413396A Expired - Fee Related JP3850484B2 (ja) | 1995-04-05 | 1996-04-05 | 高い訂正能力付きの順次アクセス可能なメモリ装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5751742A (ja) |
EP (1) | EP0738974B1 (ja) |
JP (1) | JP3850484B2 (ja) |
KR (1) | KR100409113B1 (ja) |
AT (1) | ATE217987T1 (ja) |
DE (1) | DE59609221D1 (ja) |
TW (1) | TW312763B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997010600A1 (de) * | 1995-09-13 | 1997-03-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Einrichtung zum sprungweisen adressieren bestimmter leitungen eines seriell arbeitenden digitalen speichers |
TW399219B (en) * | 1997-09-26 | 2000-07-21 | Siemens Ag | Pointer-circuit with small space requirement, higher speed and smaller power loss |
EP1629506B1 (en) * | 2003-05-22 | 2009-04-29 | Nxp B.V. | Test of ram address decoder for resistive open defects |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3812336A (en) * | 1972-12-18 | 1974-05-21 | Ibm | Dynamic address translation scheme using orthogonal squares |
JPS58139399A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
DE3586718T2 (de) * | 1984-12-26 | 1993-03-11 | Sgs Thomson Microelectronics | Festwertspeicher mit interdigitalen bitzeilen. |
EP0290042A3 (en) * | 1987-05-06 | 1990-02-07 | Nec Corporation | Memory circuit with improved serial addressing scheme |
JP2816512B2 (ja) * | 1992-07-27 | 1998-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
1996
- 1996-02-29 TW TW085102428A patent/TW312763B/zh active
- 1996-03-15 AT AT96104260T patent/ATE217987T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-03-15 EP EP96104260A patent/EP0738974B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-15 DE DE59609221T patent/DE59609221D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-02 US US08/626,512 patent/US5751742A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-04 KR KR1019960010103A patent/KR100409113B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-04-05 JP JP08413396A patent/JP3850484B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0738974A2 (de) | 1996-10-23 |
EP0738974A3 (de) | 1999-06-02 |
DE59609221D1 (de) | 2002-06-27 |
EP0738974B1 (de) | 2002-05-22 |
KR100409113B1 (ko) | 2004-03-18 |
KR960038976A (ko) | 1996-11-21 |
US5751742A (en) | 1998-05-12 |
JPH08287699A (ja) | 1996-11-01 |
ATE217987T1 (de) | 2002-06-15 |
TW312763B (ja) | 1997-08-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050927 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |