JP3838810B2

JP3838810B2 - Ceramic substrate for electronic parts

Info

Publication number: JP3838810B2
Application number: JP09075699A
Authority: JP
Inventors: 利彰武藤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-03-31
Filing date: 1999-03-31
Publication date: 2006-10-25
Anticipated expiration: 2019-03-31
Also published as: JP2000286511A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ状電子部品の絶縁基板を多数個取りするための分割溝が形成された電子部品用セラミック基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、チップ抵抗器等のチップ状電子部品を製造する場合、絶縁材料としてセラミック基板が多く使用されている。これらの基板には、図３（ａ）に示すように、縦横に互いに直交する複数本の分割溝の一次スリット２並びに二次スリット３が形成されている。この一次スリット２並びに二次スリット３は、図３（ｂ）に示すように、セラミック基板１の各部において各々の深さは均一である。
【０００３】
電子部品の製造工程においては、まず分割前のセラミック基板１に抵抗体、導体、保護層等を形成したあと、図４に示すように、直交する分割溝の一次スリット２に沿って棒状に分割し、その後、分割されたセラミック基板１の端面に導体を形成し、図５に示すように、セラミック基板１を二次スリット３に沿って単体に分割することにより、チップ状電子部品となる。
【０００４】
従来より、一次スリット２の分割の際の分割不良低減のため、これらの互いに直交する一次スリット２と二次スリット３の深さは、先に分割する一次スリット２の深さを深くし、後で分割する二次スリット３の深さは相対的に浅く形成することが行われている。（特開平３−１６７０４号、特公平５−５４２４１号公報参照)
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが従来の分割溝は、一次スリット２および二次スリット３のそれぞれの深さは、セラミック基板１の各部で均一であり、一次スリット２を棒状に分割する際の分割不良を低減するために一次スリット２を深く形成すると、セラミック基板１の製造工程において、一次スリット２のクラックや割れにより歩留まりの低下となり、またその後の電子部品製造工程においても割れを生じやすく歩留まりの低下の原因となっていた。
また、二次スリット３の深さが深すぎると、一次スリット２の棒状への分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良という不具合が発生し、反対に二次スリット３の深さが浅いと、二次スリット３の分割の際に綺麗に分割されずバリ等が発生する原因となっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、これらに鑑みて行われたもので、縦横に互いに直交する複数本の分割溝が形成されたチップ状電子部品の絶縁基板を多数個取りするセラミック基板において、先に分割するための一次スリットと後で分割するための前記一次スリットよりも浅い二次スリットを有し、該二次スリットに於ける前記一次スリットと交わる部位の前記一次スリットの両側での深さが前記一次スリット間の中央の部分よりも相対的に浅く形成されていることを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態について詳述する。
図１に示すように、本発明のセラミック基板１は、分割溝として互いに直交する複数の一次スリット２と二次スリット３を有しており、これら一次スリット２および二次スリット３のうち、後で分割される一次スリット２よりも浅い二次スリット３の深さが、一次スリット２と交わる部位の一次スリット２の両側で、即ち分割後の単体の端部に相当する部位付近で浅く、他の一次スリット２間の中央の部分で相対的に深くなるように形成されている。
このことにより、セラミック基板１を一次スリット２に沿って棒状に分割する際には、一次スリット２と交わる部位の二次スリット３の一次スリット２の両側での深さが、他の一次スリット２間の中央の部分での二次スリット３の深さより相対的に浅く形成されているため、二次スリット３が分割されてしまうバー折れ不良が発生しにくく歩留まりが向上する。
また、最終的に二次スリット３に沿って単体に分割する工程においては、二次スリット３の単体の端部付近の深さは浅いが、他の中央の部分で相対的に深く形成されているため、バリ等の分割不良が発生しにくく歩留まりが向上する。
一次スリット２並びに二次スリット３の深さの好ましい範囲は、図２（ａ）で説明すると、セラミック基板１の厚みＴ、一次スリット２の深さＤ１、二次スリット３の最深部の深さＤ２、二次スリット３の最浅部の深さＤ３としたとき、Ｄ１＝０．２５Ｔ〜０．５５Ｔ、Ｄ２＜Ｄ１、Ｄ２＝０．１５Ｔ〜０．４５Ｔ、Ｄ３＜Ｄ２、Ｄ３＝０．０８Ｔ〜０．２５Ｔである。
これは、一次スリット２の深さＤ１が０．５５Ｔより大きいと、セラミック基板１の製造工程並びに電子部品の分割前までの工程においてクラックや割れが発生しやすく、またＤ１が０．２５Ｔより小さいと、一次スリット２の分割の際に容易に分割出来ないため、Ｄ１＝０．２５Ｔ〜０．５５Ｔの範囲が好ましい。これに対し、二次スリット３の最深部の深さＤ２は、一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良を防止するために、Ｄ２＜Ｄ１とし、０．４５Ｔより大きいとバー折れ不良となりやすく、また、０．１５Ｔより小さいと単体の端部にバリが発生するため、Ｄ２＝０．１５Ｔ〜０．４５Ｔが好ましい範囲である。また二次スリット３の最浅部の深さＤ３は、Ｄ３＜Ｄ２とし、０．２５Ｔより深いとバー折れ不良となりやすく、０.０８Ｔより小さいと単体の端部にバリが発生しやすいため、Ｄ３＝０．０８Ｔ〜０．２５Ｔの範囲とすることが好ましい。また、二次スリット３の形状は図２（ａ）に示すように逆放物線状に深くなることが好ましいが、図２（ｂ）に示すように矩形状に深くなる形状、もしくは、図２（ｃ）に示すように一次スリット２と交わる部位からＣ面状に深くなる形状でも良い。この場合に於いては、一次スリット２間のピッチＬ、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１、Ｃ面状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２としたとき、Ｌ１＝Ｌ２＝０．１Ｌ〜０．２Ｌで最大値は２.０ｍｍ以下であることが好ましい。
【０００８】
これは、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１または、Ｃ面状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２が０．１Ｌより小さいと、一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良となりやすく、反対に０. ２Ｌより大きいと単体に分割する二次スリット３の分割の際に、バリ等が発生し分割不良となるためである。
以上のように本発明では一次スリット２の深さＤ１は、セラミック基板１の製造工程並びに電子部品の分割前迄の工程で、クラックや割れが発生しない範囲で深めの設定とし、セラミック基板１のどの箇所でも一次スリット２の深さＤ１は均一としている。二次スリット３の最深部の深さＤ２は、一次スリット２の深さＤ１に比較し僅かに浅めとし、単体に分割する際の分割性を落とさず単体の端部へのバリ発生を防止しうる値としている。また二次スリット３の最浅部の深さＤ３並びに、二次スリット３の矩形状における二次スリット３の最浅部の長さＬ１および、二次スリット３のＣ面状の形状における二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２は、一次スリット２の分割の際に二次スリット３迄分割されるバー折れ不良と、単体に分割する二次スリット３の分割の際に単体端部へのバリ等の発生を防止しうる値としている。
また一次スリット２、二次スリット３の先端角は３０〜６０°の範囲としておくことが好ましい。
【０００９】
本発明のセラミック基板１の材質は、アルミナの外、窒化アルミニウム、炭化珪素などを主成分とするセラミックス、またはガラスセラミック等に適用でき、その製造方法は、金型に備えられた刃をセラミックグリーンシートに押し当てて一次スリット２並びに二次スリット３を形成し、その後所定の温度で焼成し製造される。該二次スリット３の逆放物線状または矩形状またはＣ面状の形状は、二次スリット３用の刃をその形状に加工したものを使用する。
本発明のセラミック基板１は、所定のパターンで導体などを印刷し分割することによって、最終的にチップ抵抗器等の電子部品を製造することができる。
【００１０】
【実施例】
Ａｌ₂Ｏ₃含有率９６％のセラミックグリーンシートに、金型に備えられた刃を押し当てて分割溝を形成しその後所定の温度で焼成することによりセラミック基板１を作製した。本発明実施例および従来品比較例のセラミック基板１について、それぞれ一次スリット２並びに二次スリット３の深さと、セラミック基板１の製造工程に於けるクラック、割れ不良、一次スリット２並びに二次スリット３の分割不良について調べた結果を表１に示す。
尚、本発明実施例並びに従来品比較例共、焼成後のセラミック基板１の厚みは０．４ｍｍで、一次スリット２間のピッチＬは２. ０ｍｍである。またスリットの深さの測定はマジックインクにてスリットに着色浸透後分割し、工具顕微鏡でその分割断面の着色部分の深さを測定した。このスリットの深さは各所において０. ０１ｍｍ程度のバラツキがあるため、任意の１０箇所の測定値の平均値で表記した。また、クラック、割れ不良並びに一次スリット２並びに二次スリット３の分割不良の評価は、各各２００シートの試料における従来品比較例の最も悪い不良率を×とし、この不良率に対し低減出来たものの半減を超えるものを△とし、半減以下となった良好なものを○と評価した。
【００１１】
【表１】

【００１２】
比較例である従来品のセラミック基板１は、通常設定する一次スリット２並びに二次スリット３の深さの範囲内でそれぞれ変化させたものを作製し評価した。従来品Ａは、一次スリット２の深さＤ１を０．１９ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２を０．０７ｍｍとし、いずれも各部における深さは均一としたもので、セラミック基板１の製造工程におけるクラックや割れの発生並びに一次スリット２の分割不良はなかったものの、二次スリット３の分割の際に単体端部でのバリの発生がみられた。また、従来品Ｂは、一次スリット２の深さＤ１を０．１９ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２を０．１１ｍｍとし、各部における深さは均一としたものであるが、一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良が多発した。従来品Ｃは、一次スリット２の深さＤ１を０．２３ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２を０．１１ｍｍとし各部における深さは均一としたものであるが、セラミック基板１の製造工程において一次スリット２のクラックや割れが多発した。尚、一次スリット２並びに二次スリット３の分割不良は発生しなかった。
【００１３】
本発明実施例は、二次スリット３の形状が図２（ａ）に示す逆放物線状と、図２（ｂ）に示す矩形状と、図２（ｃ）に示すＣ面形状の３形状で、一次スリット２の深さＤ１を、０．０９、０．１０、０．１９、０．２２、０．２３ｍｍの５段階とし、二次スリット３の最深部の深さＤ２をそれぞれ一次スリット２の深さＤ１の順に対応し、０．０５、０．０６、０．１１、０．１８、０．１９ｍｍの５段階とし、二次スリット３の最浅部の深さＤ３も同様に一次スリット２の深さＤ１の順に対応し、０．０３０、０．０３２、０．０７、０．１０、０．１１ｍｍの５投階とし、各浅いものＡから深いものＥ迄の５段階を、二次スリット３の形状が逆放物線状と矩形状とＣ面形状の３形状について各各作製した。尚、二次スリット３の形状が矩形状とＣ面形状の２種の二次スリット３の最浅部の長さＬ１並びに二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２は、一次スリット２の深さＤ１の順に対応し、０．４１、０．４０、０．２５、０．２０、０．１９ｍｍの５段階とした。
【００１４】
本発明実施例の結果は、二次スリット３の形状が逆放物線状、矩形状、Ｃ面形状とも、本発明実施例Ａつまり、一次スリット２の深さＤ１が０．０９ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２が０．０５ｍｍ、二次スリット３の最浅部の深さＤ３が０．０３０ｍｍ、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１並びにＣ面形状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２が０．４１ｍｍのものは、セラミック基板１の製造工程中でのクラックや割れ不良はなかったものの、一次スリット２および二次スリット３の分割の際に端部にバリ発生のあるものがあり、従来品比較例に対し、一次スリット２並びに二次スリット３の分割不良率を半減以下にすることは出来なかった。
【００１５】
本発明実施例Ｅつまり、一次スリット２の深さＤ１が０．２３ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２が０．１９ｍｍ、二次スリット３の最浅部の深さＤ３が０．１１ｍｍ、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１並びにＣ面形状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２が０．１９ｍｍのものは、セラミック基板１の製造工程中で一次スリット２のクラックや割れ不良が発生し、従来品比較例に対しクラック、割れの不良率を半減以下にすることは出来なかった。また一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良も一部発生し、従来品比較例に対し一次スリット２の分割不良率も半減以下にすることは出来なかった。しかし、正常に分割されたものには端部へのバリの発生はなかった。
【００１６】
本発明実施例Ｂ、Ｃ、Ｄつまり、二次スリット３の形状が逆放物線状、矩形状、Ｃ面形状とも、一次スリット２の深さＤ１が０．１０、０．１９、０．２２ｍｍ、二次スリット３の最深部の深さＤ２が０．０６、０．１１、０．１８ｍｍ、二次スリット３の最浅部の深さＤ３が０．０３２、０．０７、０．１０ｍｍ、矩形状の二次スリット３の最浅部の長さＬ１並びにＣ面形状の二次スリット３の最浅部からのＣ面の長さＬ２が０．４０、０．２５、０．２０ｍｍのものは、セラミック基板１の製造工程中で一次スリット２のクラックや割れの不良率は従来品比較例に対し半減以下となり、また一次スリット２の分割の際に二次スリット３まで分割されるバー折れ不良並びに一次スリット２並びに二次スリット３の分割の際の端部へのバリ発生のいずれの不良率も従来品比較例に対し半減以下となった。
また、これらのことより電子部品の分割前までの工程における割れ等の発生も著しく低減出来るといえる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明によれば、チップ状電子部品の絶縁基板を多数個取りするセラミック基板において、先に分割するための一次スリットと、後で分割するための二次スリットを有し、該二次スリットにおける一次スリットと交わる部位の一次スリットの両側での深さを他の一次スリット間の中央の部分よりも相対的に浅く形成することにより、セラミック基板の製造工程並びにその後の電子部品の分割前までの工程において、クラックや割れの発生を防止でき、また電子部品の製造工程における一次スリットの分割不良や二次スリットの分割不良の発生も防止でき、分割後のバリの発生も防止できるなど歩留まりの向上並びに生産性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品用セラミック基板の分割溝の断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の電子部品用セラミック基板の分割溝の断面図である。
【図３】（ａ）は分割溝が形成された電子部品用セラミック基板の斜視図で、（ｂ）は従来の分割溝の断面図である。
【図４】棒状に分割されたセラミック基板の斜視図である。
【図５】単体に分割されたセラミック基板の斜視図である。
【符号の説明】
１：セラミック基板
２：一次スリット
３：二次スリット
Ｔ：セラミック基板の厚み
Ｄ１：一次スリットの深さ
Ｄ２：二次スリットの最深部の深さ
Ｄ３：二次スリットの最浅部の深さ
Ｌ：一次スリット間のピッチ
Ｌ１：二次スリットの最浅部の長さ
Ｌ２：二次スリットの最浅部からのＣ面の長さ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a ceramic substrate for electronic components in which a dividing groove for taking a large number of insulating substrates for chip-shaped electronic components is formed.
[0002]
[Prior art]
Currently, when a chip-shaped electronic component such as a chip resistor is manufactured, a ceramic substrate is often used as an insulating material. In these substrates, as shown in FIG. 3A, primary slits 2 and secondary slits 3 of a plurality of dividing grooves which are orthogonal to each other in the vertical and horizontal directions are formed. The primary slit 2 and the secondary slit 3 are uniform in depth in each part of the ceramic substrate 1 as shown in FIG.
[0003]
In the manufacturing process of electronic components, first, a resistor, a conductor, a protective layer, etc. are formed on the ceramic substrate 1 before division, and then divided into bars along the primary slits 2 of the orthogonal dividing grooves as shown in FIG. After that, a conductor is formed on the end face of the divided ceramic substrate 1, and the ceramic substrate 1 is divided into single pieces along the secondary slit 3 as shown in FIG.
[0004]
Conventionally, the primary slit 2 and the secondary slit 3 that are orthogonal to each other have a depth deeper than that of the primary slit 2 that is divided first, in order to reduce the division failure when the primary slit 2 is divided. The depth of the secondary slits 3 to be divided at is relatively shallow. (See JP-A-3-16704 and JP-B-5-54241)
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional dividing groove, the depth of each of the primary slit 2 and the secondary slit 3 is uniform in each part of the ceramic substrate 1, and the primary slit 2 is reduced in order to reduce defective division when dividing the primary slit 2 into a rod shape. If the slits 2 are formed deeply, the yield of the ceramic substrate 1 is reduced due to cracks or cracks in the primary slit 2, and cracks are likely to occur in the subsequent electronic component manufacturing process, resulting in a decrease in yield. .
On the other hand, if the depth of the secondary slit 3 is too deep, there is a problem that the bar breaks to the secondary slit 3 when the primary slit 2 is divided into rods. When the depth is shallow, the secondary slit 3 is not cleanly divided and causes burrs and the like.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made in view of the above, and in a ceramic substrate that takes a large number of insulating substrates of chip-shaped electronic components in which a plurality of dividing grooves that are orthogonal to each other in length and breadth are formed, has a shallow secondary slit than said primary slit for later splitting the primary slit, between the depth of both sides of said primary slit portions intersecting in the primary slit to the secondary slit the primary slit It is characterized in that it is formed relatively shallower than the central part.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
As shown in FIG. 1, the ceramic substrate 1 of the present invention has a plurality of primary slits 2 and secondary slits 3 that are orthogonal to each other as dividing grooves, and among these primary slits 2 and secondary slits 3, in the depth of the shallow secondary slit 3 than split the

primary slit

2, on both sides of the primary slit 2 parts intersecting the primary slit 2, i.e. shallow near portion corresponding to a single end of the post-split, other It is formed so as to be relatively deep at the central portion between the primary slits 2 .
As a result, when the ceramic substrate 1 is divided into a rod shape along the primary slit 2, the depths on both sides of the primary slit 2 of the secondary slit 3 at the portion intersecting with the primary slit 2 are the other primary slits 2. because it is relatively shallower than the depth of the secondary slits 3 in the central portion between the bar break failure is improved hardly yield occurs to the secondary slit 3 will be divided.
Moreover, in the process of finally dividing into single pieces along the secondary slit 3, the depth near the end of the single piece of the secondary slit 3 is shallow, but it is formed relatively deep in the other central portion. As a result, it is difficult for division defects such as burrs to occur, and the yield is improved.
The preferable ranges of the depths of the primary slit 2 and the secondary slit 3 will be described with reference to FIG. 2A. The thickness T of the ceramic substrate 1, the depth D1 of the primary slit 2, and the depth of the deepest portion of the secondary slit 3 are described. When D2 is the depth D3 of the shallowest portion of the secondary slit 3, D1 = 0.25T to 0.55T, D2 <D1, D2 = 0.15T to 0.45T, D3 <D2, D3 = 0. It is 08T-0.25T.
This is because if the depth D1 of the primary slit 2 is larger than 0.55T, cracks and cracks are likely to occur in the manufacturing process of the ceramic substrate 1 and the process before dividing the electronic component, and D1 is smaller than 0.25T. Since the primary slit 2 cannot be easily divided, the range of D1 = 0.25T to 0.55T is preferable. On the other hand, the depth D2 of the deepest portion of the secondary slit 3 is set to D2 <D1 in order to prevent a bar breakage failure that is divided up to the secondary slit 3 when the primary slit 2 is divided, and 0.45T If it is larger, bar breakage is liable to occur , and if it is smaller than 0.15T, burrs are generated at the end of the single body , so D2 = 0.15T to 0.45T is a preferred range. Further, the depth D3 of the shallowest part of the secondary slit 3 is D3 <D2, and if it is deeper than 0.25T, the bar breaks easily, and if it is smaller than 0.08T , burrs are likely to occur at the end of the single body. It is preferable to set it as the range of D3 = 0.08T-0.25T. Further, the shape of the secondary slit 3 is preferably deepened like a reverse parabola as shown in FIG. 2 (a). However, the shape of the secondary slit 3 becomes deep like a rectangle as shown in FIG. 2 (b), or FIG. As shown in c), a shape deepening in a C-plane shape from a portion intersecting with the primary slit 2 may be used. In this case, the pitch L between the primary slits 2, the length L1 of the shallowest portion of the rectangular secondary slit 3, and the length of the C plane from the shallowest portion of the C-shaped secondary slit 3 When L2, L1 = L2 = 0.1L to 0.2L and the maximum value is preferably 2.0 mm or less.
[0008]
This is because when the length L1 of the shallowest portion of the rectangular secondary slit 3 or the length L2 of the C surface from the shallowest portion of the C-shaped secondary slit 3 is smaller than 0.1L, the primary slit In the case of the division of 2, the bar is likely to be broken up to the secondary slit 3, and on the other hand, if it is larger than 0.2L, a burr or the like is generated when the secondary slit 3 is divided into a single piece, and the division failure. It is to become.
As described above, in the present invention, the depth D1 of the primary slit 2 is set deeper in the range in which cracks and cracks do not occur in the manufacturing process of the ceramic substrate 1 and the process before dividing the electronic component. The depth D1 of the primary slit 2 is uniform at any location. The depth D2 of the deepest portion of the secondary slit 3 is slightly shallower than the depth D1 of the primary slit 2, and prevents the occurrence of burrs at the end of the single piece without degrading the division property when divided into single pieces. It is a possible value. Moreover, the depth D3 of the shallowest part of the secondary slit 3, the length L1 of the shallowest part of the secondary slit 3 in the rectangular shape of the secondary slit 3, and the secondary in the C-plane shape of the secondary slit 3 The length L2 of the C surface from the shallowest part of the slit 3 is determined by the broken bar broken up to the secondary slit 3 when the primary slit 2 is divided and the secondary slit 3 divided into a single piece. The value is set to prevent the occurrence of burrs or the like at the end of a single unit.
Moreover, it is preferable to make the front-end | tip angle of the primary slit 2 and the secondary slit 3 into the range of 30-60 degrees.
[0009]
The material of the ceramic substrate 1 of the present invention can be applied to ceramics mainly composed of aluminum nitride, silicon carbide, etc., glass ceramics, etc. in addition to alumina. The sheet is pressed against the sheet to form the primary slit 2 and the secondary slit 3 and then fired at a predetermined temperature to be manufactured. The reverse parabolic, rectangular or C-plane shape of the secondary slit 3 is obtained by processing the blade for the secondary slit 3 into that shape.
The ceramic substrate 1 of the present invention can finally produce an electronic component such as a chip resistor by printing and dividing a conductor or the like in a predetermined pattern.
[0010]
【Example】
A ceramic substrate 1 was manufactured by pressing a blade provided in a mold against a ceramic green sheet having an Al ₂ O ₃ content of 96% to form divided grooves and then firing at a predetermined temperature. Regarding the ceramic substrate 1 of the embodiment of the present invention and the comparative example of the conventional product, the depth of the primary slit 2 and the secondary slit 3, and cracks, crack defects, primary slit 2 and secondary slit 3 in the manufacturing process of the ceramic substrate 1 respectively. Table 1 shows the results of examining the division failures.
In addition, in the present invention example and the conventional product comparative example, the thickness of the fired ceramic substrate 1 is 0.4 mm, and the pitch L between the primary slits 2 is 2.0 mm. The depth of the slit was measured after penetration into the slit with magic ink and divided, and the depth of the colored portion of the divided section was measured with a tool microscope. Since the depth of this slit has a variation of about 0.01 mm in each place, it was expressed as an average value of measured values at arbitrary 10 places. In addition, the evaluation of cracks, crack defects, and division defects of the primary slit 2 and the secondary slit 3 was able to be reduced with respect to this defect rate, with the worst defect rate of the conventional product comparative example in each 200-sheet sample as x. A product exceeding half of the product was evaluated as Δ, and a good product less than half was evaluated as ○.
[0011]
[Table 1]

[0012]
The conventional ceramic substrate 1 as a comparative example was manufactured and evaluated by changing the depth of the primary slit 2 and the secondary slit 3 which are normally set. In the conventional product A, the depth D1 of the primary slit 2 is set to 0 . 1 9 mm, and 0.07mm depth D2 of the deepest portion of the secondary slit 3, both obtained by the depth in each part uniform, crack or breakage in the process of manufacturing the ceramic substrate 1 occurs and the primary slit 2 Although there was no division failure, burrs were observed at the single ends when the secondary slit 3 was divided. In the conventional product B, the depth D1 of the primary slit 2 is 0.19 mm, the depth D2 of the deepest part of the secondary slit 3 is 0.11 mm, and the depth in each part is uniform. When the slit 2 was divided, bar breakage defects that occurred up to the secondary slit 3 occurred frequently. In the conventional product C, the depth D1 of the primary slit 2 is 0.23 mm, the depth D2 of the deepest part of the secondary slit 3 is 0.11 mm, and the depth in each part is uniform. In the manufacturing process, cracks and cracks in the primary slit 2 occurred frequently. In addition, the division | segmentation defect of the primary slit 2 and the secondary slit 3 did not generate | occur | produce.
[0013]
In the embodiment of the present invention, the shape of the secondary slit 3 is a reverse parabolic shape shown in FIG. 2 (a), a rectangular shape shown in FIG. 2 (b), and a C-surface shape shown in FIG. 2 (c). The depth D1 of the primary slit 2 is set to five levels of 0.09, 0.10, 0.19, 0.22, and 0.23 mm, and the depth D2 of the deepest portion of the secondary slit 3 is set to the primary slit 2 respectively. The depth D1 of the secondary slit 3 corresponds to the order of the depth D1, and the depth D3 of the shallowest portion of the secondary slit 3 is similarly the primary slit. 2 steps D1 in order, 0.030, 0.032, 0.07, 0.10, 0.11 mm, 5 floors, each of 5 steps from shallow A to deep E. Each of the following slits 3 was produced for each of three shapes of reverse parabola, rectangular, and C-plane. The length L1 of the shallowest portion of the two types of secondary slits 3 in which the shape of the secondary slit 3 is rectangular and the C-plane shape, and the length L2 of the C surface from the shallowest portion of the secondary slit 3 are: Corresponding to the order of the depth D1 of the primary slit 2, five steps of 0.41, 0.40, 0.25, 0.20, and 0.19 mm were provided.
[0014]
As a result of the embodiment of the present invention, the secondary slit 3 has a reverse parabolic shape, a rectangular shape, and a C-plane shape. The embodiment A of the present invention, that is, the depth D1 of the primary slit 2 is 0.09 mm, and the secondary slit 3 The depth D2 of the deepest part of the secondary slit 3 is 0.05 mm, the depth D3 of the shallowest part of the secondary slit 3 is 0.030 mm, the length L1 of the shallowest part of the rectangular secondary slit 3 and the C-shaped two When the length L2 of the C surface from the shallowest portion of the secondary slit 3 is 0.41 mm, there were no cracks or defective cracks in the manufacturing process of the ceramic substrate 1, but the primary slit 2 and secondary slit 3 In some cases, burrs were generated at the ends during the division, and the division failure rate of the primary slit 2 and the secondary slit 3 could not be reduced to half or less of the conventional product comparative example.
[0015]
Inventive Example E, that is, the depth D1 of the primary slit 2 is 0.23 mm, the depth D2 of the deepest portion of the secondary slit 3 is 0.19 mm, and the depth D3 of the shallowest portion of the secondary slit 3 is 0.00. 11 mm, the length L1 of the shallowest portion of the rectangular secondary slit 3 and the length L2 of the C plane from the shallowest portion of the C-shaped secondary slit 3 are 0.19 mm. During the manufacturing process, cracks and cracks in the primary slit 2 occurred, and the defect rate of cracks and cracks could not be reduced to half or less of the conventional product comparative example. Further, when the primary slit 2 was divided, part of the bar breakage that was divided up to the secondary slit 3 also occurred, and the division failure rate of the primary slit 2 could not be halved or less compared to the conventional product comparative example. However, there were no burrs at the edges of the normally divided pieces.
[0016]
Inventive embodiments B, C, D, that is, the secondary slit 3 has a reverse parabolic shape, a rectangular shape, and a C-plane shape, and the depth D1 of the primary slit 2 is 0.10, 0.19, 0.22 mm, The depth D2 of the deepest part of the secondary slit 3 is 0.06, 0.11, 0.18 mm, and the depth D3 of the shallowest part of the secondary slit 3 is 0.032, 0.07, 0.10 mm, rectangular The length L1 of the shallowest portion of the secondary slit 3 having the shape and the length L2 of the C plane from the shallowest portion of the secondary slit 3 having the C-plane shape are 0.40, 0.25, and 0.20 mm. In the manufacturing process of the ceramic substrate 1, the crack rate of the primary slit 2 and the defect rate of cracking are less than half of the conventional product comparative example, and the bar breakage defect that is divided up to the secondary slit 3 when the primary slit 2 is divided. In addition, burrs are generated at the ends when the primary slit 2 and the secondary slit 3 are divided. Any of the defect rate becomes half or less with respect to conventional comparative example.
Moreover, it can be said that generation | occurrence | production of the crack in the process before the division | segmentation of an electronic component can also be reduced remarkably from these things.
[0017]
【The invention's effect】
According to the present invention, in a ceramic substrate for multi-piece insulating substrate of the chip-like electronic component, comprising a primary slit for dividing previously secondary slit for you divide later, the secondary slit By forming the depth on both sides of the primary slit in the portion intersecting with the primary slit relatively shallower than the central portion between the other primary slits, until the ceramic substrate manufacturing process and the subsequent electronic component division In this process, it is possible to prevent the occurrence of cracks and cracks, and also to prevent the occurrence of defective splitting of primary slits and secondary slits in the manufacturing process of electronic components, and also prevent the occurrence of burrs after splitting. Improvement and productivity can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a dividing groove of a ceramic substrate for electronic parts according to the present invention.
2A, 2B, and 2C are cross-sectional views of divided grooves of a ceramic substrate for electronic parts according to the present invention.
FIG. 3A is a perspective view of a ceramic substrate for electronic parts in which a dividing groove is formed, and FIG. 3B is a cross-sectional view of a conventional dividing groove.
FIG. 4 is a perspective view of a ceramic substrate divided into rod shapes.
FIG. 5 is a perspective view of a ceramic substrate divided into single pieces.
[Explanation of symbols ]
1: Ceramic substrate 2 : Primary slit 3 : Secondary slit T : Ceramic substrate thickness D1 : Primary slit depth D2 : Secondary slit deepest depth D3 : Secondary slit shallowest depth L : the pitch between the primary slit L1: length of the shallowest part of the secondary slits L2: length of the C plane from the shallowest part of the secondary slit

Claims

In a ceramic substrate in which a large number of insulating substrates of chip-shaped electronic components are taken, the ceramic substrate has a primary slit for dividing first and a secondary slit shallower than the primary slit for dividing later. central electronic component ceramic substrate, characterized by being relatively shallower than the portion between both sides in the depth the primary slit of said primary slit portions intersecting the primary slit kick.