JP3836614B2 - 描画装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩ製造工程等で、例えばシリコンウエハー、露光用マスク等の被描画材料上に所定のパターンを荷電粒子ビームで描画する描画装置に関し、特に荷電粒子ビームをオンオフするシャッタを使用した描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、描画装置として、１本の荷電粒子ビームにより走査面を走査して描画する装置が知られているが、この装置は生産性が低いという問題点がある。前記問題点を解決するため、電子シャッタを使用した描画装置が知られている。
この種の描画装置としては従来次の技術（Ｊ01）が知られている。
【０００３】
（Ｊ01）特開平１−２４８６１７号公報記載の技術
この公報にはブランキング電極（シャッタ電極）がそれぞれ設けられた複数のアパーチャがライン状に配列されたブランキングアパーチャアレイを使用し、前記複数の各アパーチャを通過する複数の荷電粒子ビームによりウエハ表面を同時に露光する荷電粒子ビーム露光装置が記載されている。この技術は複数の荷電粒子ビームによりウエハ表面の複数箇所を同時に露光して描画することができるので、描画時間を短縮することができる。
【０００４】
（前記（Ｊ01）の問題点）
前記（Ｊ01）の技術では、前記ライン状に配置され且つ隣接するアパーチャとアパーチャとの間は荷電粒子ビームが通過できない。このため、前記荷電粒子ビームが通過できない領域に対応するウエハー表面は荷電粒子ビームによる露光ができないので、描画できないという問題点があった。
【０００５】
前記（Ｊ01）の問題点は、前記（Ｊ01）の技術において、次のような構成を採用することにより解決することができる。
（１）前記（Ｊ01）のライン状に配列された複数のアパーチャを有するアパーチャアレイを、ライン方向と垂直な方向に所定距離離れて２列配置する。
（２）ライン方向に隣接するアパーチャとアパーチャとの間隔をアパーチャのライン方向の内径に等しくする。
（３）一方の列のアパーチャアレイのアパーチャと他方の列のアパーチャアレイのアパーチャとが前記ライン方向と垂直な方向から見た場合に重ならないように配置する。
（４）前記（１）〜（３）の構成で前記ライン方向と垂直な方向に走査すると、前記２列のうちの一方の列のアパーチャアレイにより描画できないウエハ表面は他方の列のアパーチャアレイにより描画することができる。したがって、２列のアパーチャアレイを設けることにより、ウエハ表面の１本のライン状領域を隙間無く描画することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記（Ｊ01）の技術において、ウエハ表面の１本のライン状領域を隙間無く描画するためには、アパーチャアレイを２列設ける必要がある。
前記２列のアパーチャアレイを１組として複数組のアパーチャアレイを前記ライン方向（一本のアパーチャアレイが延びる方向）と垂直な方向に並べて配置した場合、アパーチャの数を増加させることができるので、ウエハ表面の同時に露光する箇所の数をさらに増加させることが可能となる。そして、２列のアパーチャアレイによりウエハ表面の１ライン分に相当する領域の描画を１度に行えるので、前記１組のアパーチャアレイが例えば１０組あれば、１０組のアパーチャアレイにより、ウエハ表面の１０ライン分に相当する領域の描画を１度に行えるようになる。
その場合、ウエハ１枚の描画に要する時間をさらに短縮することが可能となる。
【０００７】
しかしながら、前記アパーチャアレイが形成される部材（アパーチャアレイ形成部材）上の前記アパーチャアレイを形成可能な面積（アパーチャアレイ形成面積）は、前記アパーチャアレイ形成部材の配置されている位置や、その位置での荷電粒子ビームのビーム径の大きさ等により、制限される。
【０００８】
また前記ウエハの描画時間を短縮するために、前記１ラインのアパーチャアレイ中のアパーチャ数およびアパーチャアレイのライン数を増加させると、アパーチャの総数が大きくなってしまう。その場合、各アパーチャ毎にブランキング電極（シャッタ電極）を個別にオン・オフする必要があるが、非常に多数のブランキング電極（シャッタ電極）を同時にオン・オフ制御することは困難であった。また、前記アパーチャ形成部材に非常に多数のアパーチャを高精度で孔開け加工することは手間と時間がかかるので、実用的ではなかった。
したがって、従来、多数の荷電粒子ビームにより同時描画を行う描画装置は実用化されていなかった。
【０００９】
本発明は前述の事情（及び検討結果）に鑑み、下記（Ｏ01）〜（Ｏ04）の記載内容を課題とする。
（Ｏ01）シャッタ基板上に１本のライン方向に沿って、荷電粒子ビームオン・オフ用の複数のシャッタ空間を隙間無く配置すること。
（Ｏ02）前記１本のライン方向に配置された複数のシャッタのオン・オフにより１度にウエハ表面の１ライン分の領域を隙間無く描画できるようにすること。
（Ｏ03）シャッタ基板の一定の面積（荷電粒子ビームにより照射される一定の面積）内に荷電粒子ビームオン・オフ用のシャッタ空間を多数配置できるようにすること。
（Ｏ04）前記多数のシャッタを同時にオン・オフして非常に多数の荷電粒子ビームにより同時にウエハ表面の描画を行えるようにすること。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
次に、前記課題を解決した本発明を説明するが、本発明の要素には、後述の実施例の要素との対応を容易にするため、実施例の要素の符号をカッコで囲んだものを付記する。本発明を後述の実施例の符号と対応させて説明する理由は、本発明の理解を容易にするためであり、本発明の範囲を実施例に限定するためではない。
【００１１】
（本発明）
前記課題を解決するために、本発明の描画装置は、下記の要件（Ａ01）〜（Ａ 013 ）を備えたことを特徴とする、
（Ａ01）ＸＹステージ（Ｕ3）を収容する真空室（Ａ）を形成する外壁（１）、
（Ａ02）前記外壁（１）の上部を形成する上壁部（２）に装着され且つ下方に向かう荷電粒子ビームを出射する荷電粒子銃（Ｆ12）が上部に配置された描画鏡筒（５６）、
（Ａ03）前記荷電粒子ビームの通路に配置され、所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のシャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）が形成されたシャッタ基板（１１４，１１５）、
（Ａ04）前記各シャッタスリット（１１４S，１１５S）をその長手方向に沿って所定間隔で区分した各スリット部分により形成され且つ前記荷電粒子ビームを直進または偏向させる各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）に対応して、前記各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）を形成する一方の側縁に形成されたシャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ2a，…，Ｓ1000a）および他方の側縁に形成されたシャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ2b，…，Ｓ1000b）を有するシャッタ電極（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ2a，Ｓ2b，…）、
（Ａ05）前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を前記荷電粒子ビームが直進して前記ウエハ（Ｗ）を照射するビームオンの状態にするシャッタオフの状態と、前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を通過する際荷電粒子ビームが偏向して前記ウエハ（Ｗ）を照射しないビームオフの状態にするシャッタオンの状態とを切替えるため、前記各シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ2a，…，Ｓ1000a）を駆動するシャッタ駆動回路（Ｅ＋ＳＷ0〜ＳＷ3＋ＳＷa〜ＳＷc）、
（Ａ06）前記シャッタ基板（１１４，１１５）の下方に配置されたフィルタ基板（１１６）であって、前記シャッタ基板（１１４，１１５）の複数の各スリット（１１４S，１１５S）に対応してフィルタスリット（１１６S）が形成されたフィルタ基板（１１６）、
（Ａ07）前記フィルタ基板（１１６）の下方に配置されて荷電粒子ビームの径を縮小するビーム縮小レンズ（Ｆ16＋Ｆ19）、および荷電粒子ビームの光軸に垂直な平面内で前記スリット（１１４S，１１５S，１１６S；１２４s）の延びる方向およびそれに垂直な方向に設定されたＸ軸およびＹ軸それぞれの軸方向に前記荷電粒子ビームを偏向させるＸ偏向器（Ｆ17）およびＹ偏向器（Ｆ18）、
（Ａ08）前記Ｘ偏向器（Ｆ17）を駆動するＸ偏向器駆動回路（Ｅ17）、および前記Ｙ偏向器（Ｆ18）を駆動するＹ偏向器駆動回路（Ｅ18）、
（Ａ09）前記ビーム縮小レンズ（Ｆ16＋Ｆ19）および前記偏向器（Ｆ17，Ｆ18）の下方に配置され且つ前記Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ独立して平行移動可能なＸＹステージ（Ｕ3）、
（Ａ010）前記ＸＹステージ（Ｕ3）をＸ軸方向に移動させるＸ軸方向ステージ駆動装置（Ｄx＋Ｍx）、およびＹ軸方向に移動させるＹ軸方向ステージ駆動装置（Ｄy＋Ｍy）、
（Ａ 011 ）所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数の上側シャッタスリット（１１４ S ）が形成された上側シャッタ基板（１１４）およびその下側に配置され且つ前記上側シャッタスリット（１１４ s ）と上下に重なる位置に下側シャッタスリット（１１５ s ）が形成された下側シャッタ基板（１１５）を有する前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）、
（Ａ 012 ）前記上側シャッタスリット（１１４ s ）に形成されるシャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 2 ，Ｓ 3 ，Ｓ 4 ，…）のうちの１つ置きに選択したシャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 3 ，…）に対応して形成された上側シャッタ駆動電極（Ｓ 1a ，Ｓ 3a ，…，Ｓ 999a ）および前記下側シャッタスリット（１１５ s ）に形成されるシャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 2 ，Ｓ 3 ，Ｓ 4 ，…）のうちの１つ置きに選択し且つ前記上側シャッタスリット（１１４ s ）で選択されなかったシャッタ空間（Ｓ 2 ，Ｓ 4 ，…）に対応して形成された下側シャッタ駆動電極（Ｓ 2a ，Ｓ 4a ，…，Ｓ 1000a ）を有する前記シャッタ駆動電極（Ｓ 1a ，Ｓ 2a ，Ｓ 3a ，…，Ｓ 1000a ）、
（Ａ 013 ）前記上側シャッタスリット（１１４ s ）の他方の側縁に前記上側シャッタ駆動電 極（Ｓ 1a ，Ｓ 3a ，…，Ｓ 999a ）に対向して形成される上側シャッタ対向電極（Ｓ 1b ，Ｓ 3b ，…，Ｓ 999b ）および前記下側シャッタスリット（１１５ s ）の他方の側縁に前記下側シャッタ駆動電極（Ｓ 2a ，Ｓ 4a ，…，Ｓ 1000a ）に対向して形成される下側シャッタ対向電極（Ｓ 2b ，Ｓ 4b ，…，Ｓ 1000b ）を有する前記シャッタ対向電極（Ｓ 1b ，Ｓ 2b ，Ｓ 3b ，…，Ｓ 1000b ）。
【００１２】
（本発明の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置では、外壁（１）により形成された真空室（Ａ）内にはＸＹステージ（Ｕ3）が収容される。前記外壁（１）の上壁部（２）に装着され描画鏡筒（５６）内の上部には荷電粒子銃（Ｆ12）が配置される。前記荷電粒子銃（Ｆ12）は下方に向かう荷電粒子ビームを出射する。
前記荷電粒子ビームは、その通路に配置されたシャッタ基板（１１４，１１５；１２４）に所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のシャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）に入射する。
【００１３】
前記各シャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）をその長手方向に沿って所定間隔で区分した各スリット部分により各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）が形成される。前記各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）を形成する一方の側縁にシャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ2a，…，Ｓ1000a）が形成され、他方の側縁にはシャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ2b，…，Ｓ1000b）が形成される。前記シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ2a，…，Ｓ1000a）およびシャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ2b，…，Ｓ1000b）によりシャッタ電極（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ2a，Ｓ2b，…）が構成される。
【００１４】
シャッタ駆動回路（Ｅ＋ＳＷ0〜ＳＷ3＋ＳＷa〜ＳＷc）は、前記各シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ2a，…，Ｓ1000a）を駆動して、前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）を前記荷電粒子ビームが直進して前記ウエハ（Ｗ）を照射するビームオンの状態にするシャッタオフの状態と、前記荷電粒子ビームが前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）を通過する際偏向して前記ウエハ（Ｗ）を照射しないビームオフの状態にするシャッタオンの状態とを切替えるる。
そして、前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）を形成する電極（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ2a，Ｓ2b，…）は、前記スリット（１１４S，１１５S；１２４s）に沿って隙間無く並んで形成されるシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）を通過する荷電粒子ビームを直進または偏向させる。すなわち、シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）上に１本のライン方向に沿って、荷電粒子ビームオン・オフ用の複数のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，……）を隙間無く配置することができる。
【００１５】
前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の下方に配置されたフィルタ基板（１１６）には、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の複数の各スリット（１１４S，１１５S；１２４s）に対応して複数のフィルタスリット（１１６S）が形成されている。したがって、前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）を直進して通過する荷電粒子ビームは前記フィルタスリット（１１６S）を通過するが、偏向された荷電粒子ビームは前記フィルタスリット（１１６S）を通過できなくなる。
前記フィルタ基板（１１６）の下方に配置されたビーム縮小レンズ（Ｆ16＋Ｆ19）は、荷電粒子ビームの径を縮小する。また、Ｘ偏向器駆動回路（Ｅ17）により駆動されるＸ偏向器（Ｆ17）またはＹ偏向器駆動回路（Ｅ18）により駆動されるＹ偏向器（Ｆ18）は、荷電粒子ビームの光軸に垂直な平面内で前記スリット（１１４S，１１５S，１１６S）の延びる方向およびそれに垂直な方向に設定されたＸ軸およびＹ軸のうちの前記スリット（１１４S，１１５S，１１６S）に垂直な軸方向に前記荷電粒子ビームを偏向させる。
前記ビーム縮小レンズ（Ｆ16＋Ｆ19）および前記偏向器（Ｆ18）の下方に配置されたＸＹステージ（Ｕ3）は、前記Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ独立して平行移動可能である。Ｘ軸方向ステージ駆動装置（Ｄx＋Ｍx）は、前記ＸＹステージ（Ｕ3）をＸ軸方向に移動させる。Ｙ軸方向ステージ駆動装置（Ｄy＋Ｍy）は、ＸＹステージ（Ｕ3）をＹ軸方向に移動させる。
【００１６】
したがって、前記ＸＹステージ（Ｕ3）上にウエハ（Ｗ）を保持した状態で荷電粒子ビームを照射すると荷電粒子ビームはシャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）に沿って隙間無く形成される複数のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）を通過する際、直進または偏向され、直進した荷電粒子ビームのみが前記ウエハ（Ｗ）を照射することができる。その場合、前記１本のライン方向に配置された複数のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）のオン・オフにより１度にウエハ（Ｗ）表面の１ライン分の領域を隙間無く描画することができる。
また、前記シャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）、および前記フィルタスリット（１１６S）の数をスリットに垂直な方向に複数配置することにより、前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）の数をさらに増加させることができる。したがって、シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の一定の面積（荷電粒子ビームにより照射される一定の面積）内に荷電粒子ビームオン・オフ用のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，…）を多数配置できるようになる。
また、前記多数のシャッタを同時にオン・オフして非常に多数の荷電粒子ビームにより同時にウエハ（Ｗ）表面の描画を行えるようにすることができる。
【００１８】
前記荷電粒子ビームは、その通路に配置された上側シャッタ基板（１１４）に所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数の上側シャッタスリット（１１４S）に入射し、前記上側シャッタスリット（１１４S）を直進して通過した荷電粒子ビームは下側シャッタスリット（１１５s）に入射する。
前記上側シャッタスリット（１１４S）のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，…，Ｓ1000）のうちの１つ置きに選択したシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…）に対応して形成された上側シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a）および前記上側シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a）に対応して前記シャッタスリット（１１４S）の他方の側縁に沿って形成された上側シャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b）により構成される上側シャッタ電極（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ3a，Ｓ3b，…）は、前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…）に入射する荷電粒子ビームを直進または偏向させる。
【００１９】
前記下側シャッタスリット（１１５S）のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，…，Ｓ1000）のうちの１つ置きに選択したシャッタ空間（Ｓ2，Ｓ4，…）に対応して形成された下側シャッタ駆動電極（Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）および前記下側シャッタ駆動電極（Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）に対応して前記シャッタスリット（１１５S）の他方の側縁に沿って形成された下側シャッタ対向電極（Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000b）により構成される下側シャッタ電極（Ｓ2a，Ｓ2b，Ｓ4a，Ｓ4b，…）は、前記シャッタ空間（Ｓ2，Ｓ4，…）に入射する荷電粒子ビームを直進または偏向させる。
【００２０】
前記上側シャッタスリット（１１４S）の一方の側縁に形成された複数の上側シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a）および上側シャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b）により形成されるシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…）と、前記下側シャッタスリット（１１５S）の一方の側縁に形成された複数の下側シャッタ駆動電極（Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）および下側シャッタ対向電極（Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000b）により形成されるシャッタ空間（Ｓ2，Ｓ4，…）とは、前記シャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）に沿って隙間無く並んだシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を形成することができる。
【００２１】
そして、前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を形成する電極（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ2a，Ｓ2b，Ｓ3a，Ｓ3b，Ｓ4a，Ｓ4b，…）は、前記スリット（１１４S，１１５S；１２４s）に沿って隙間無く並んで形成されるシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を通過する荷電粒子ビームを直進または偏向させる。すなわち、シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）上に１本のライン方向に沿って、荷電粒子ビームオン・オフ用の複数のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を隙間無く配置することができる。
【００２２】
（第２発明）
第２発明の描画装置は、下記の要件 ( Ａ 01) 〜 ( Ａ 010) 、（Ａ 014 ）を備えたことを特徴とする、
（Ａ 01 ）ＸＹステージ（Ｕ 3 ）を収容する真空室（Ａ）を形成する外壁（１）、
（Ａ 02 ）前記外壁（１）の上部を形成する上壁部（２）に装着され且つ下方に向かう荷電粒子ビームを出射する荷電粒子銃（Ｆ 12 ）が上部に配置された描画鏡筒（５６）、
（Ａ 03 ）前記荷電粒子ビームの通路に配置され、所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のシャッタスリット（１１４ S ，１１５ S ；１２４ s ）が形成されたシャッタ基板（１１４，１１５）、
（Ａ 04 ）前記各シャッタスリット（１１４ S ，１１５ S ）をその長手方向に沿って所定間隔で区分した各スリット部分により形成され且つ前記荷電粒子ビームを直進または偏向させる各シャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 2 ，…）に対応して、前記各シャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 2 ，…）を形成する一方の側縁に形成されたシャッタ駆動電極（Ｓ 1a ，Ｓ 2a ，…，Ｓ 1000a ）および他方の側縁に形成されたシャッタ対向電極（Ｓ 1b ，Ｓ 2b ，…，Ｓ 1000b ）を有するシャッタ電極（Ｓ 1a ，Ｓ 1b ，Ｓ 2a ，Ｓ 2b ，…）、
（Ａ 05 ）前記シャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 3 ，…；Ｓ 2 ，Ｓ 4 ，…）を前記荷電粒子ビームが直進して前記ウエハ（Ｗ）を照射するビームオンの状態にするシャッタオフの状態と、前記シャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 3 ，…；Ｓ 2 ，Ｓ 4 ，…）を通過する際荷電粒子ビームが偏向して前記ウエハ（Ｗ）を照射しないビームオフの状態にするシャッタオンの状態とを切替えるため、前記各シャッタ駆動電極（Ｓ 1a ，Ｓ 2a ，…，Ｓ 1000a ）を駆動するシャッタ駆動回路（Ｅ＋ＳＷ 0 〜ＳＷ 3 ＋ＳＷ a 〜ＳＷ c ）、
（Ａ 06 ）前記シャッタ基板（１１４，１１５）の下方に配置されたフィルタ基板（１１６）であって、前記シャッタ基板（１１４，１１５）の複数の各スリット（１１４ S ，１１５ S ）に対応してフィルタスリット（１１６ S ）が形成されたフィルタ基板（１１６）、
（Ａ 07 ）前記フィルタ基板（１１６）の下方に配置されて荷電粒子ビームの径を縮小するビーム縮小レンズ（Ｆ 16 ＋Ｆ 19 ）、および荷電粒子ビームの光軸に垂直な平面内で前記スリット（１１４ S ，１１５ S ，１１６ S ；１２４ s ）の延びる方向およびそれに垂直な方向に設定されたＸ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ前記荷電粒子ビームを偏向させるＸ偏向器（Ｆ 17 ）およびＹ偏向器（Ｆ 18 ）、
（Ａ 08 ）前記Ｘ偏向器（Ｆ 17 ）を駆動するＸ偏向器駆動回路（Ｅ 17 ）、および前記Ｙ偏向器（Ｆ 18 ）を駆動するＹ偏向器駆動回路（Ｅ 18 ）、
（Ａ 09 ）前記ビーム縮小レンズ（Ｆ 16 ＋Ｆ 19 ）および前記偏向器（Ｆ 17 ，Ｆ 18 ）の下方に配置され且つ前記Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ独立して平行移動可能なＸＹステージ（Ｕ 3 ）、
（Ａ 010 ）前記ＸＹステージ（Ｕ 3 ）をＸ軸方向に移動させるＸ軸方向ステージ駆動装置（Ｄ x ＋Ｍ x ）、およびＹ軸方向に移動させるＹ軸方向ステージ駆動装置（Ｄ y ＋Ｍ y ）、
（Ａ014）前記各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，…，Ｓ1000）の境界に配置されて、隣接する各シャッタ空間の間で電界が発生するのを防止する電界遮蔽部材。
【００２３】
（第２発明の作用）
前記構成 ( Ａ 01) 〜 ( Ａ 010) 、 ( Ａ 014) を備えた第２発明の描画装置では、構成要件 ( Ａ 01) 〜 ( Ａ 010) の作用は前記第１発明と同様である。また、前記各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，…，Ｓ1000）の境界に配置された電界遮蔽部材は、隣接する各シャッタ空間の間で電界が発生するのを防止する。
（第３発明）
第３発明の描画装置は、下記の要件 ( Ａ 01) 〜 ( Ａ 010) 、（Ａ 030 ）を備えたことを特徴とする、
（Ａ 01 ）ＸＹステージ（Ｕ 3 ）を収容する真空室（Ａ）を形成する外壁（１）、
（Ａ 02 ）前記外壁（１）の上部を形成する上壁部（２）に装着され且つ下方に向かう荷電粒子ビームを出射する荷電粒子銃（Ｆ 12 ）が上部に配置された描画鏡筒（５６）、
（Ａ 03 ）前記荷電粒子ビームの通路に配置され、所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のシャッタスリット（１１４ S ，１１５ S ；１２４ s ）が形成されたシャッタ基板（１１４，１１５）、
（Ａ 04 ）前記各シャッタスリット（１１４ S ，１１５ S ）をその長手方向に沿って所定間隔で区分した各スリット部分により形成され且つ前記荷電粒子ビームを直進または偏向させる各シャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 2 ，…）に対応して、前記各シャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 2 ，…）を形成する一方の側縁に形成されたシャッタ駆動電極（Ｓ 1a ，Ｓ 2a ，…，Ｓ 1000a ）および他方の側縁に形成されたシャッタ対向電極（Ｓ 1b ，Ｓ 2b ，…，Ｓ 1000b ）を有するシャッタ電極（Ｓ 1a ，Ｓ 1b ，Ｓ 2a ，Ｓ 2b ，…）、
（Ａ 05 ）前記シャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 3 ，…；Ｓ 2 ，Ｓ 4 ，…）を前記荷電粒子ビームが直進して前記ウエハ（Ｗ）を照射するビームオンの状態にするシャッタオフの状態と、前記シャッタ空間（Ｓ 1 ，Ｓ 3 ，…；Ｓ 2 ，Ｓ 4 ，…）を通過する際荷電粒子ビームが偏向して前記ウエハ（Ｗ）を照射しないビームオフの状態にするシャッタオンの状態とを切替えるため、前記各シャッタ駆動電極（Ｓ 1a ，Ｓ 2a ，…，Ｓ 1000a ）を駆動するシャッタ駆動回路（Ｅ＋ＳＷ 0 〜ＳＷ 3 ＋ＳＷ a 〜ＳＷ c ）、
（Ａ 06 ）前記シャッタ基板（１１４，１１５）の下方に配置されたフィルタ基板（１１６）であって、前記シャッタ基板（１１４，１１５）の複数の各スリット（１１４ S ，１１５ S ）に対応してフィルタスリット（１１６ S ）が形成されたフィルタ基板（１１６）、
（Ａ 07 ）前記フィルタ基板（１１６）の下方に配置されて荷電粒子ビームの径を縮小するビーム縮小レンズ（Ｆ 16 ＋Ｆ 19 ）、および荷電粒子ビームの光軸に垂直な平面内で前記スリット（１１４ S ，１１５ S ，１１６ S ；１２４ s ）の延びる方向およびそれに垂直な方向に設定されたＸ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ前記荷電粒子ビームを偏向させるＸ偏向器（Ｆ 17 ）およびＹ偏向器（Ｆ 18 ）、
（Ａ 08 ）前記Ｘ偏向器（Ｆ 17 ）を駆動するＸ偏向器駆動回路（Ｅ 17 ）、および前記Ｙ偏向器（Ｆ 18 ）を駆動するＹ偏向器駆動回路（Ｅ 18 ）、
（Ａ 09 ）前記ビーム縮小レンズ（Ｆ 16 ＋Ｆ 19 ）および前記偏向器（Ｆ 17 ，Ｆ 18 ）の下方に配置され且つ前記Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ独立して平行移動可能なＸＹステージ（Ｕ 3 ）、
（Ａ 010 ）前記ＸＹステージ（Ｕ 3 ）をＸ軸方向に移動させるＸ軸方向ステージ駆動装置（Ｄ x ＋Ｍ x ）、およびＹ軸方向に移動させるＹ軸方向ステージ駆動装置（Ｄ y ＋Ｍ y ）、
（Ａ 030 ）前記荷電粒子ビームの通路で且つ前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の上方に配置されるとともに、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の複数の各シャッタスリット（１１４ S ，１１５ s ）に対応してシールド基板用スリット（１１２ S ）が形成されたシールド基板（１１２）。
（第３発明の作用）
前記構成 ( Ａ 01) 〜 ( Ａ 010) 、 ( Ａ 030) を備えた第３発明の描画装置では、構成要件 ( Ａ 01) 〜 ( Ａ 010) の作用は前記第１発明と同様である。また、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の複数の各スリット（１１４ S ，１１５ s ）に対応してシールド基板用スリッ ト（１１２ S ）が形成されたシールド基板（１１２）は、前記荷電粒子ビームの通路で且つ前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の上方に配置される。前記シールド基板（１１２）に電極を形成せずに、スリット（１１２ S ）のみを形成する場合、対ビーム強度が高く且つ分厚い材料（ステンレス等）を使用して丈夫な構成とすることが容易である。
なお、前記シールド基板（１１２）の下方にスリット基板（１１３）を配置することも可能である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（本発明の実施の形態１）
本発明の描画装置の実施の形態１は、前記第１発明〜第３発明のいずれかにおいて下記の要件（Ａ015）を備えたことを特徴とする、
（Ａ015）前記荷電粒子ビームの通路で且つ前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の上方に配置され、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の各シャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）に対応して前記所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のスリット（１１３S）を有するスリット基板（１１３）、
【００２５】
（本発明の実施の形態１の作用）
前記構成を備えた本発明の実施の形態１の描画装置では、前記荷電粒子ビームは、スリット基板（１１３）に所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のスリット（１１３S）を通過する。
前記スリット基板（１１３）の下方に配置されたシャッタ基板（１１４，１１５；１２４）には前記スリット基板（１１３）の複数の各スリット（１１３S）に対応してシャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）が形成されている。したがって、前記スリット基板（１１３）のスリット（１１３S）を通過した荷電粒子ビームは、前記シャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）に入射する。
【００２６】
（本発明の実施の形態２）
本発明の描画装置の実施の形態２は、前記第１発明〜第３発明のいずれかまたは本発明の実施の形態１において下記の要件（Ａ016）を備えたことを特徴とする、
（Ａ016）前記荷電粒子銃（Ｆ12）の下方で且つ前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の上方に配置され、前記荷電粒子銃（Ｆ12）から出射される荷電粒子ビームを平行化する荷電粒子ビーム平行化レンズ（Ｆ15）、
【００２７】
（本発明の実施の形態２の作用）
前記構成を備えた本発明の実施の形態２の描画装置では、前記荷電粒子銃（Ｆ12）の下方に配置された荷電粒子ビーム平行化レンズ（Ｆ15）は、前記荷電粒子銃（Ｆ12）から出射される荷電粒子ビームを平行化する。
前記荷電粒子ビーム平行化レンズ（Ｆ15）で平行化された荷電粒子ビームは、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）のシャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）に入射する。
なお、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の上方に、シールド基板（１１２）またはスリット基板（１１３）が配置されている場合は、前記荷電粒子ビームは前記シールド基板（１１２）のスリット（１１２s）またはスリット基板（１１３）のスリット（１１３s）を通過してから、前記シャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）に入射する。
【００２８】
（本発明の実施の形態３）
本発明の描画装置の実施の形態３は、前記第１発明〜第３発明および本発明の実施の形態１、２のいずれかにおいて下記の要件（Ａ017）〜（Ａ020）を備えたことを特徴とする、
（Ａ017）前記各スリットの幅をＡ、前記各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）の面積をＡ×Ａ、ｍ，ｎおよびｋを正の整数としたときスリット数がｎ、スリット間隔が（ｍ−１）Ａ、前記各スリットに形成されるシャッタ空間数（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，…）がｋとなるように構成された前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）、
（Ａ018）前記面積Ａ×Ａの各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，…）を通過した各荷電粒子ビームの前記ＸＹステージ（Ｕ3）上に支持されたウエハ（Ｗ）を照射する照射面積がａ×ａとなるようにビーム縮小倍率がａ／Ａに設定された前記ビーム縮小レンズ（Ｆ16＋Ｆ19）、
（Ａ019）停止状態の前記ウエハ（Ｗ）上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向に前記スリット幅Ａに対応するスリット幅ピッチａで走査させるように前記Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18）を制御するスリット幅ピッチ走査用制御手段（Ｃ１D1）を有する前記停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）、
（Ａ020）前記荷電粒子ビームのピッチａの走査にタイミング走を合わせて、前記シャッタのオン・オフ状態を切り換えるように前記シャッタ駆動回路（Ｅ＋ＳＷ0〜ＳＷ3＋ＳＷa〜ＳＷc）を制御するシャッタ制御手段（Ｃ１B）。
【００２９】
（本発明の実施の形態３の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態３では、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）は、前記各スリットの幅をＡ、前記各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）の面積をＡ×Ａ、ｍ，ｎおよびｋを正の整数としたときスリット数がｎ、スリット間隔が（ｍ−１）Ａ、前記各スリットに形成されるシャッタ空間数がｋとなるように構成される。
前記ビーム縮小レンズ（Ｆ16＋Ｆ19）はビーム縮小倍率がａ／Ａに設定されており、前記面積Ａ×Ａの各シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を通過した各荷電粒子ビームは、前記ＸＹステージ（Ｕ3）上に支持されたウエハ（Ｗ）の面積（照射面積）ａ×ａを照射する。
停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）のスリット幅ピッチ走査用制御手段（Ｃ１D1）は、停止状態の前記ウエハ（Ｗ）上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向にピッチａで走査させるように前記Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18）を制御する。
シャッタ制御手段は、前記荷電粒子ビームのピッチａの走査にタイミングを合わせて、前記シャッタのオン・オフ状態を切り換えるように前記シャッタ駆動回路（Ｅ＋ＳＷ0〜ＳＷ3＋ＳＷa〜ＳＷc）を制御する。
【００３０】
（本発明の実施の形態４）
本発明の描画装置の実施の形態４は、前記本発明の実施の形態３において下記の要件（Ａ021）を備えたことを特徴とする、
（Ａ021）ｑを整数とした場合に、前記ウエハ（Ｗ）上の前記荷電粒子ビームの照射位置を前記スリットに平行なＸ軸方向にピッチａｋｑで移動させるように前記Ｘ偏向器駆動回路（Ｅ17）を制御するＸ軸方向ビーム位置制御手段（Ｃ１D3）。
【００３１】
（本発明の実施の形態４の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態４では、Ｘ軸方向ビーム位置制御手段（Ｃ１D3）はｑを整数とした場合に、前記ウエハ（Ｗ）上の前記荷電粒子ビームの照射位置を前記スリットに平行なＸ軸方向にピッチａｋｑで移動させるように前記Ｘ偏向器駆動回路（Ｅ17）を制御する。
【００３２】
（本発明の実施の形態５）
本発明の描画装置の実施の形態５は、前記本発明の実施の形態３または４において下記の要件（Ａ022）〜（Ａ023）を備えたことを特徴とする、
（Ａ022）前記ウエハ（Ｗ）表面を荷電粒子ビームにより前記Ｙ軸方向に前記ピッチａでｍ回走査したときに前記荷電粒子ビームが走査する面積である単位走査面積Ｓ0をＳ0＝（走査面積Ｓ0のＸ軸方向の長さ）×（走査面積Ｓ0のＹ軸方向の長さ）＝（ａ×ｍ×ｎ）×（ａ×ｋ）＝ａｍｎ×ａｋとし、且つ、ｑおよびｐを整数とした場合に、前記単位走査面積Ｓ0の走査をｑ×ｐ回実行して、前記単位走査面積Ｓ0をＸ軸方向にｑ個並べ且つＹ軸方向にｐ個並べた走査面積ｑ×ｐ×Ｓ0＝ｑｐＳ0を、前記ウエハ（Ｗ）が停止した状態で前記荷電粒子ビームの走査のみによって走査するように、前記Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18）および前記Ｘ偏向器駆動回路（Ｅ17）を制御する停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）、
（Ａ023）前記ウエハ（Ｗ）が停止した状態で前記荷電粒子ビームにより走査されるウエハ（Ｗ）表面の前記走査面積ｑｐＳ0であるウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0の走査を前記停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）が終了する毎に、次のウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0の走査を実行可能な位置に、ウエハ（Ｗ）および前記ウエハ（Ｗ）を支持する前記ＸＹステージ（Ｕ3）を、移動させる停止ウエハ走査領域移動用ＸＹステージ制御手段（Ｃ１E1）を有するＸＹステージ制御手段（Ｃ１E）。
【００３３】
（本発明の実施の形態５の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態５では、Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18）およびＸ偏向器駆動回路（Ｅ17）を制御する停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）は、前記ウエハ（Ｗ）表面を荷電粒子ビームにより前記Ｙ軸方向に前記ピッチａでｍ回走査したときに前記荷電粒子ビームが走査する面積である単位走査面積Ｓ0をＳ0＝（走査面積Ｓ0のＸ軸方向の長さ）×（走査面積Ｓ0のＹ軸方向の長さ）＝（ａ×ｍ×ｎ）×（ａ×ｋ）＝ａｍｎ×ａｋとし、且つ、ｑおよびｐを整数とした場合に、前記単位走査面積Ｓ0の走査をｑ×ｐ回実行して、前記単位走査面積Ｓ0をＸ軸方向にｑ個並べ且つＹ軸方向にｐ個並べた走査面積ｑ×ｐ×Ｓ0＝ｑｐＳ0を、前記ウエハ（Ｗ）が停止した状態で前記荷電粒子ビームの走査のみによって走査する。
ＸＹステージ制御手段（Ｃ１E）の停止ウエハ走査領域移動用ＸＹステージ制御手段（Ｃ１E1）は、前記ウエハ（Ｗ）が停止した状態で前記荷電粒子ビームにより走査されるウエハ（Ｗ）表面の前記走査面積ｑｐＳ0であるウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0の走査を前記停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）が終了する毎に、次のウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0の走査を実行可能な位置に、前記ウエハ（Ｗ）および前記ウエハ（Ｗ）を支持する前記ＸＹステージ（Ｕ3）を移動させる。
【００３４】
（本発明の実施の形態６）
本発明の描画装置の実施の形態６は、前記本発明の実施の形態４または５において下記の要件（Ａ024）〜（Ａ026）を備えたことを特徴とする、
（Ａ024）前記荷電粒子ビームをＹ軸方向にピッチａで偏向させる第１Ｙ偏向器（Ｆ18a）およびピッチａ×ｍ×ｎで偏向させる第２Ｙ偏向器（Ｆ18b）を有する前記Ｙ偏向器（Ｆ18）、
（Ａ025）前記第１Ｙ偏向器（Ｆ18a）および第２Ｙ偏向器（Ｆ18b）をそれぞれ駆動する第１Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18a）および第２Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18b）を有する前記Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18）、
（Ａ026）前記ウエハ（Ｗ）上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向にピッチａで走査させるように前記第１Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18a）を制御する前記スリット幅ピッチ走査用制御手段（Ｃ１D1）、前記ウエハ（Ｗ）上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向にピッチａ×ｍ×ｎで移動させるように前記第２Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18b）を制御するＹ軸方向ビーム位置制御手段（Ｃ１D2）、および、前記ウエハ（Ｗ）上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに平行なＸ軸方向にピッチａ×ｋで移動させるように前記Ｘ偏向器駆動回路（Ｅ17）を制御するＸ軸方向ビーム位置制御手段（Ｃ１D3）を有する停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）。
【００３５】
（本発明の実施の形態６の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態６では、停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）は、スリット幅ピッチ走査用制御手段（Ｃ１D1）、Ｙ軸方向ビーム位置制御手段（Ｃ１D2）、およびＸ軸方向ビーム位置制御手段（Ｃ１D3）を有する。
停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）のスリット幅ピッチ走査用制御手段（Ｃ１D1）は、前記ウエハ（Ｗ）上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向にピッチａで走査させるように前記第１Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18a）を制御する。停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）のＹ軸方向ビーム位置制御手段（Ｃ１D2）は、前記ウエハ（Ｗ）上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向にピッチａ×ｍ×ｎで移動させるように前記第２Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18b）を制御する。停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）のＸ軸方向ビーム位置制御手段（Ｃ１D3）は、前記ウエハ（Ｗ）上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに平行なＸ軸方向にピッチａ×ｋで移動させるように前記Ｘ偏向器駆動回路（Ｅ17）を制御する。
Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18）の第１Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18a）により駆動される第１Ｙ偏向器（Ｆ18a）は、荷電粒子ビームをウエハ（Ｗ）上でＹ軸方向にピッチａで偏向させて走査する。また、Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18）の第２Ｙ偏向器駆動回路（Ｅ18b）により駆動される第２Ｙ偏向器（Ｆ18a）は、ウエハ（Ｗ）上で荷電粒子ビームをＹ軸方向にピッチａ×ｍ×ｎで移動させる。また、Ｘ偏向器駆動回路（Ｅ18）により駆動されるＸ偏向器（Ｆ17）は、ウエハ（Ｗ）上で荷電粒子ビームをＸ軸方向にピッチａ×ｋで移動させる。
【００３６】
（本発明の実施の形態７）
本発明の描画装置の実施の形態７は、前記第１発明において下記の要件（Ａ027）を備えたことを特徴とする、
（Ａ027）１枚のシャッタ基板の上面および下面に形成された前記上側シャッタ電極（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ3a，Ｓ3b，…）および前記下側シャッタ電極（Ｓ2a，Ｓ2b，Ｓ4a，Ｓ4b，…）。
【００３７】
（本発明の実施の形態７の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態７では、１枚のシャッタ基板の上面および下面に前記上側シャッタ電極（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ3a，Ｓ3b，…）および前記下側シャッタ電極（Ｓ2a，Ｓ2b，Ｓ4a，Ｓ4b，…）が形成されている。このため、１枚のシャッタ基板を使用してシャッタ基板上に１本のライン方向に沿って、荷電粒子ビームオン・オフ用の複数のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を隙間無く配置することができる。また、前記１本のライン方向に配置された複数のシャッタのオン・オフにより１度にウエハ（Ｗ）表面の１ライン分の領域を隙間無く描画できるようになる。
【００３８】
（本発明の実施の形態８）
本発明の描画装置の実施の形態８は、前記第１発明において下記の要件（Ａ028），（Ａ029）を備えたことを特徴とする、
（Ａ028）上側シャッタ基板（１１４）および下側シャッタ基板（１１５）を有する前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）、
（Ａ029）前記上側シャッタ基板（１１４）に形成された前記上側シャッタ電極（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ3a，Ｓ3b，…）および前記下側シャッタ基板（１１５）に形成された前記下側シャッタ電極（Ｓ2a，Ｓ2b，Ｓ4a，Ｓ4b，…）。
【００３９】
（本発明の実施の形態８の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態８では、上側シャッタ基板（１１４）および下側シャッタ基板（１１５）に前記上側シャッタ電極（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ3a，Ｓ3b，…）および前記下側シャッタ電極（Ｓ2a，Ｓ2b，Ｓ4a，Ｓ4b，…）がそれぞれ形成されている。このため、２枚のシャッタ基板（１１４，１１５；１２４）を使用することにより、シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）上に１本のライン方向に沿って、荷電粒子ビームオン・オフ用の複数のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を隙間無く配置することができる。また、前記１本のライン方向に配置された複数のシャッタのオン・オフにより１度にウエハ（Ｗ）表面の１ライン分の領域を隙間無く描画できる。
【００４０】
（本発明の実施の形態９）
本発明の描画装置の実施の形態９は、前記第１発明またはは第２発明において下記の要件（Ａ030）を備えたことを特徴とする、
（Ａ030）前記荷電粒子ビームの通路で且つ前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の上方に配置されるとともに、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の複数の各シャッタスリット（１１４S，１１５s）に対応してシールド基板用スリット（１１２S）が形成されたシールド基板（１１２）。
【００４１】
（本発明の実施の形態９の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態９では、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の複数の各スリット（１１４S，１１５s）に対応してシールド基板用スリット（１１２S）が形成されたシールド基板（１１２）は、前記荷電粒子ビームの通路で且つ前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）の上方に配置される。前記シールド基板（１１２）に電極を形成せずに、スリット（１１２S）のみを形成する場合、対ビーム強度が高く且つ分厚い材料（ステンレス等）を使用して丈夫な構成とすることが容易である。
なお、前記シールド基板（１１２）の下方にスリット基板（１１３）を配置することも可能である。
【００４２】
（本発明の実施の形態１０）
本発明の描画装置の実施の形態１０は、前記第３発明または本発明の実施の形態９において下記の要件（Ａ031），（Ａ032）を備えたことを特徴とする。
（Ａ031）前記シールド基板（１１２）を複数個支持するシールドプレート（ＰＬ1）。
（Ａ032）前記各シールド基板（１１２）のスリットがその下方のシャッタ基板（１１４，１１５；１２４）のシャッタスリット（１１４s，１１５s）に対応する使用位置に順次移動するように、前記シールドプレート（ＰＬ1）を移動させるシールド基板移動装置（６９，７４〜９３，ＰＬ1）。
【００４３】
（本発明の実施の形態１０の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１０では、シールドプレート（ＰＬ1）は、前記シールド基板（１１２）を複数個支持する。シールド基板移動装置（６９，７４〜９３，ＰＬ1）は、前記各シールド基板（１１２）のスリットがその下方のスリット基板（１１３）のスリットに対応する使用位置に順次移動するように、前記シールドプレート（ＰＬ1）を移動させる。
したがって、シールド基板（１１２）が荷電粒子ビームにより損傷した場合には、スリット基板（１１３）上方のシールド基板（１１２）を置き換えることにより、荷電粒子ビームによる描画を続行することが可能である。
【００４４】
（本発明の実施の形態１１）
本発明の描画装置の実施の形態１１は、前記本発明の実施の形態１０において下記の要件（Ａ033）を備えたことを特徴とする、
（Ａ033）前記使用位置に移動した前記各シールド基板（１１２）の前記スリットに垂直な方向の位置を微調節するシールド基板位置調節用圧電体（９１）。
【００４５】
（本発明の実施の形態１１の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１１では、シールド基板位置調節用圧電体（９１）は、前記使用位置に移動した前記各シールド基板（１１２）の前記スリットに垂直な方向の位置を微調節する。
前記微調節によりシールド基板（１１２）のスリットの位置をその下方のシャッタ基板（１１４，１１５；１２４）のシャッタスリット（１１４s，１１５s）の位置に対応する位置に正確に調節することができる。また、シールド基板（１１２）を、シールド基板（１１２）のスリットとシャッタ基板（１１４，１１５；１２４）のシャッタスリット（１１４s，１１５s）とが重なる位置と重ならないずれた位置（すなわち、シャッタスリット（１１４s，１１５s）を荷電粒子ビームが通過しない位置）との間で正確に変位させることができる。この場合、前記シールド基板位置調節用圧電体（９１）により、荷電粒子ビームの遮断を行うことが可能である。
【００４６】
（本発明の実施の形態１２）
本発明の描画装置の実施の形態１２は、前記第１発明〜第３発明および本発明の実施の形態１〜１１のいずれかにおいて下記の要件（Ａ034）を備えたことを特徴とする、
（Ａ034）複数の荷電粒子銃（Ｆ12）または複数の荷電粒子発生源を有する荷電粒子銃（Ｆ12）が配置された前記描画鏡筒（５６）。
【００４７】
（本発明の実施の形態１２の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１２では、前記描画鏡筒（５６）には複数の荷電粒子銃（Ｆ12）または複数の荷電粒子発生源を有する荷電粒子銃（Ｆ12）が配置されている。
この場合、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）のシャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）を照射する荷電粒子ビームの照射面積を大きく且つ荷電粒子ビームの強度分布を均一にすることができるので、均一な荷電粒子ビームにより大きな描画面積を一度に描画することができる。
【００４８】
（本発明の実施の形態１３）
本発明の描画装置の実施の形態１３は、前記第１発明〜第３発明および本発明の実施の形態１〜１２のいずれかにおいて下記の要件（Ａ035）〜（Ａ037）を備えたことを特徴とする、
（Ａ035）１本のシャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）に沿って形成される複数のシャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ2a，Ｓ3a，…，Ｓ1000a）の全てに同時に印加されるシャッタオン・オフ信号を一時的に記憶するシャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）が複数形成された前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）、
（Ａ036）前記複数のシャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）への、各シャッタ駆動用のオン・オフ信号の書込動作を並行して実行するオン・オフ信号書込並行処理手段（Ｃ１A）、
（Ａ037）前記複数のシャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ2a，Ｓ3a，…，Ｓ1000a）と電源（Ｅb）との間にそれぞれ設けられたシャッタ駆動スイッチ（ＳＷ0）であって、前記複数の各シャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）のうちの選択されたシャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）に記憶されたシャッタオン・オフ信号により作動する前記シャッタ駆動スイッチ（ＳＷ0）、および、前記複数の各シャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）を循環的に選択するシャッタ駆動信号一時記憶メモリ選択手段（Ｃ１B1）を有するシャッタ制御手段（Ｃ１B）。
【００４９】
（本発明の実施の形態１３の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１３では、前記シャッタ基板（１１４，１１５；１２４）に複数形成されたシャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）は、それぞれ、１本のシャッタスリット（１１４S，１１５S；１２４s）に沿って形成される複数の上側シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a）または下側シャッタ駆動電極（Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）の全てに同時に印加されるシャッタオン・オフ信号を一時的に記憶する。
オン・オフ信号書込並行処理手段（Ｃ１A）は、前記複数のシャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）への、各シャッタ駆動用のオン・オフ信号の書込動作を並行して実行する。
前記複数の上側シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a）または下側シャッタ駆動電極（Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）と電源（Ｅb）との間にそれぞれ設けられたシャッタ駆動スイッチ（ＳＷ0）は、前記複数の各シャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）のうちの選択されたシャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）に記憶されたシャッタオン・オフ信号により作動する。
シャッタ駆動信号一時記憶メモリ選択手段（Ｃ１B1）は、前記複数の各シャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）を循環的に選択する。
【００５０】
（本発明の実施の形態１４）
本発明の描画装置の実施の形態１４は、前記本発明の実施の形態１３において下記の要件（Ａ038）を備えたことを特徴とする、
（Ａ038）前記複数の各シャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）のうちの選択された前記シャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）の記憶内容を記憶し且つ記憶した値に応じて前記シャッタ駆動スイッチを駆動するシャッタ駆動メモリ（ＭＥ0）。
【００５１】
（本発明の実施の形態１４の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１４では、シャッタ駆動メモリ（ＭＥ0）は、前記複数の各シャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）のうちの選択された前記シャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）の記憶内容を記憶し且つ記憶した値に応じて前記シャッタ駆動スイッチを駆動する。
この場合、前記シャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）の記憶内容がシャッタ駆動メモリに記憶されると、その直後からシャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）に新しいデータを記憶させることが可能となる。
【００５２】
（本発明の実施の形態１５）
本発明の描画装置の実施の形態１５は、前記本発明の実施の形態１３または１４において下記の要件（Ａ039），（Ａ040）を備えたことを特徴とする、
（Ａ039）前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を通過する全描画ビームを偏向させる全描画ビーム遮断信号を出力する全描画ビーム遮断信号出力手段（Ｃ１C）、
（Ａ040）全描画ビーム遮断信号が出力されたとき、前記シャッタ駆動信号一時記憶メモリ選択手段（Ｃ１B1）により選択されたシャッタ駆動信号一時記憶メモリ（ＭＥ1〜ＭＥ4）の出力信号とは関係なく、前記全描画ビームを偏向させてウエハ（Ｗ）表面への全描画ビームの到達を遮断する全描画ビーム偏向装置（Ｅb，ＳＷb，ＳＷc）。
【００５３】
（本発明の実施の形態１５の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１５では、全描画ビーム遮断信号出力手段（Ｃ１C）は、前記シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を通過する全描画ビームを偏向させる全描画ビーム遮断信号を出力する。
全描画ビーム偏向装置（Ｅb，ＳＷb，ＳＷc）は、全描画ビーム遮断信号が出力されたとき、前記選択されたシャッタ駆動信号一時記憶メモリ選択手段（Ｃ１B1）の出力信号とは関係なく、前記全描画ビームを偏向させてウエハ（Ｗ）表面への全描画ビームの到達を遮断する。
【００５４】
（本発明の実施の形態１６）
本発明の描画装置の実施の形態１６は、前記第１発明〜第３発明および本発明の実施の形態１〜１５のいずれかにおいて下記の要件（Ａ041）を備えたことを特徴とする、
（Ａ041）前記シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ2a，Ｓ3a，…，Ｓ1000a）を、電源スイッチ（ＳＷa）を介して電源（Ｅb）のビーム偏向電圧印加端子（マイナス端子）に接続するビームオフ端子と、前記電源（Ｅb）のビーム偏向電圧印加端子（シャッタオン端子）またはシャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b；Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000b）のいずれかに切替可能な切替スイッチ（ＳＷb，ＳＷc）に接続するオン・オフ切替端子とを有するシャッタ駆動スイッチ（ＳＷ0）。
【００５５】
（本発明の実施の形態１６の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１６では、シャッタ駆動スイッチ（ＳＷ0）は、前記シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ2a，Ｓ3a，…，Ｓ1000a）を、ビームオフ端子またはオン・オフ端子のいずれかに接続する。前記ビームオフ端子は電源スイッチ（ＳＷa）を介して電源（Ｅb）のビーム偏向電圧印加端子（シャッタオン端子）に接続されている。
また、オン・オフ切替端子は前記電源（Ｅb）のビーム偏向電圧印加端子またはシャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b；Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000b）のいずれかに切替可能な切替スイッチ（ＳＷb，ＳＷc）に接続されている。
したがって、前記切替スイッチ（ＳＷb，ＳＷc）がシャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b；Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000b）に接続されている場合、シャッタ駆動スイッチ（ＳＷ0）がオン・オフ端子に接続されると、シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a；Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）はシャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b；Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000b）と接続されるので、シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a；Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）とシャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b；Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000b）との間のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）に電圧が印加されない。このシャッタオフのとき、荷電粒子ビームはシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）を直進するので、荷電粒子ビームによる描画が行われる。この状態はビームオンの状態である。
【００５６】
またこのとき、電源スイッチ（ＳＷa）をオンした状態であれば、シャッタ駆動スイッチ（ＳＷ0）が前記シャッタオン端子（ビームオフ端子）に接続されると、シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a；Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）は電源（Ｅb）のビーム偏向電圧印加端子に接続されるので、シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a；Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）とシャッタ対向電極（Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b；Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000b）との間のシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）に電圧が印加される。このとき、荷電粒子ビームはシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）で偏向されるので、荷電粒子ビームによる描画は行われない。この状態はビームオフの状態である。
また、電源スイッチ（ＳＷa）がオンの状態で、前記切替スイッチ（ＳＷb、ＳＷc）を前記電源（Ｅb）の前記ビーム偏向電圧印加端子（シャッタオン端子）に接続すると、シャッタ駆動スイッチ（ＳＷ0）がオンまたはオフのいずれであっても、シャッタ駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a；Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）は前記電源（Ｅb）のビーム偏向電圧印加端子（シャッタオン端子）に接続されるので、全シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）に電圧が印加される。このとき、全荷電粒子ビームはシャッタ空間（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）で偏向されるので、荷電粒子ビームによる描画は全く行われない。
【００５７】
（本発明の実施の形態１７）
本発明の描画装置の実施の形態１７は、前記本発明の実施の形態１において下記の要件（Ａ042），（Ａ043）を備えたことを特徴とする、
（Ａ042）前記スリット基板（１１３）の荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のスリット（１１３S）の両側に配置された帯状のビーム遮断駆動電極および対向電極、
（Ａ043）前記帯状のビーム遮断駆動電極および対向電極間に電圧を印加する状態および印加しない状態との間で切替可能なビーム遮断電圧印加回路。
【００５８】
（本発明の実施の形態１７の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１７では、前記スリット基板（１１３）の荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のスリット（１１３S）の両側には帯状のビーム遮断駆動電極および対向電極が配置されている。ビーム遮断電圧印加回路は、前記帯状のビーム遮断駆動電極および対向電極間に電圧を印加することによりスリット（１１３S）を通過する荷電粒子ビームを偏向し、前記電圧を印加しないことによりスリット（１１３S）を通過する荷電粒子ビームを直進させる。
したがって、ビーム遮断電圧印加回路は、前記帯状のビーム遮断駆動電極および対向電極間に電圧を印加することによりスリット（１１３S）を通過する全荷電粒子ビームを偏向させて、ウエハ（Ｗ）への全荷電粒子ビームの照射をオフとすることができる。
【００５９】
（本発明の実施の形態１８）
本発明の描画装置の実施の形態１８は、前記第１発明〜第３発明および本発明の実施の形態１〜１７のいずれかにおいて下記の要件（Ａ044），（Ａ045）を備えたことを特徴とする、
（Ａ044）前記外壁（１）の上部を形成する上壁部（２）に前記描画鏡筒（５６）と並んで装着され且つ上部に荷電粒子銃が配置された第２の描画鏡筒、
（Ａ045）前記描画鏡筒（５６）および第２の描画鏡筒の下方に配置されたＸＹステージ（Ｕ3）であって、前記描画鏡筒（５６）および第２の描画鏡筒の下方位置にそれぞれ別のウエハ（Ｗ）を支持するウエハ支持部および第２ウエハ支持部を有する前記ＸＹステージ（Ｕ3）。
【００６０】
（本発明の実施の形態１８の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１８では、上部に荷電粒子銃が配置された第２の描画鏡筒は、前記外壁（１）の上部を形成する上壁部（２）に前記描画鏡筒（５６）と並んで装着される。
前記描画鏡筒（５６）および第２の描画鏡筒の下方に配置された前記ＸＹステージ（Ｕ3）は、前記描画鏡筒（５６）および第２の描画鏡筒の下方位置にそれぞれ別のウエハ（Ｗ）を支持するウエハ支持部および第２ウエハ支持部を有する。
したがって、前記描画鏡筒（５６）および第２描画鏡筒により２枚のウエハ（Ｗ）に同時に描画を行うことができる。
【００６１】
（本発明の実施の形態１９）
本発明の描画装置の実施の形態１９は、前記第１発明〜第３発明および本発明の実施の形態１〜１８のいずれかにおいて下記の要件（Ａ046）を備えたことを特徴とする、
（Ａ046）前記外壁（１）の上部を形成する上壁部（２）に前記描画鏡筒（５６）と並んで装着され且つ上部に荷電粒子銃（Ｆ1）が配置された検査用鏡筒（４７）。
【００６２】
（本発明の実施の形態１９の作用）
前記構成を備えた本発明の描画装置の実施の形態１９では、上部に荷電粒子銃が配置された検査用鏡筒は、前記外壁（１）の上部を形成する上壁部（２）に前記描画鏡筒と並んで装着される。したがって、本発明の描画装置は描画に使用しないときには、検査鏡筒を使用して描画以外の作業（ウエハ検査作業等）を実行することがで可能である。
【００６３】
【実施例】
次に図面を参照しながら、本発明の描画装置の実施の形態の具体例（実施例）を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、以後の説明の理解を容易にするために、図面において、前後方向をＸ軸方向、右左方向をＹ軸方向、上下方向をＺ軸方向とし、矢印Ｘ，−Ｘ，Ｙ，−Ｙ，Ｚ，−Ｚで示す方向または示す側をそれぞれ、前方、後方、右方、左方、上方、下方、または、前側、後側、右側、左側、上側、下側とする。
また、図中、「○」の中に「・」が記載されたものは紙面の裏から表に向かう矢印を意味し、「○」の中に「×」が記載されたものは紙面の表から裏に向かう矢印を意味するものとする。
【００６４】
（実施例１）
図１は本発明の描画装置の実施例１の全体説明図である。図２は同実施例１の全体斜視図である。図３は同実施例の部分平面図である。
【００６５】
図１〜図３において、描画装置Ｕは、電子ビーム描画装置Ｕ1および検査用電子顕微鏡Ｕ2を有している。前記電子ビーム描画装置Ｕ1および検査用電子顕微鏡Ｕ2は真空試料室Ａを形成する外壁１の上壁部２に支持されている。前記真空試料室Ａ内にはＸＹステージＵ3が配置されており、ＸＹステージＵ3は外壁１の底壁３上に支持されている。
ＸＹステージＵ3はＹ移動テーブルＳＴy、Ｘ移動テーブルＳＴx、回転テーブルＳＴrを有している。前記回転テーブルＳＴr上には図１、図３に示す試料（ウエハ）Ｗが支持されている。
外壁１の右側壁部４にはＸＹステージ制御機構や真空ポンプ等を収容する作動部材収容室Ｂが配置されている。前記作動部材収容室Ｂの右側には描画装置用制御装置Ｃが配置されている。描画装置用制御装置Ｃは描画用コントローラＣ１および検査用コントローラＣ2と、前記各コントローラＣ１，Ｃ2に接続されたディスプレイＤ1，Ｄ2を有している。なお、ディスプレイＤ3（図１、図８参照）は光学撮像装置用のディスプレイである。
【００６６】
図３において、前記真空試料室Ａの形成する外壁１の後壁部（−Ｘ側の壁部）５外側には試料交換室Ｅおよびカセット収納室Ｆが配置されている。前記真空試料室Ａ、試料交換室Ｅ、およびカセット収納室Ｆはいずれも真空ポンプ（図示せず）に接続されており、所定のタイミングで真空にされる。
前記真空試料室Ａおよび試料交換室Ｅの間には、連通口（図示せず）および前記連通口を気密に遮断する状態または連通状態にする仕切弁６（図３参照）が設けられている。前記試料交換室Ｅおよび前記カセット収納室Ｆの間には、連通口（図示せず）および前記連通口を気密に遮断または連通させる仕切弁７（図３参照）が設けられている。
【００６７】
前記カセット収納室Ｆの上壁にはウエハカセットＷＫを出入させるための外部仕切弁８が設けられている。
ウエハカセットＷＫは、外部仕切弁８の上方を通過するように配置された図示しないチェーンコンベアにより搬送されるカセット搬送部材（図示せず）の上下に伸縮可能なエアシリンダ下端に設けた真空吸着パッドにより吸着された状態で、前記外部仕切弁８から出入される。
【００６８】
カセット収納室Ｆに配置されたウエハカセットＷＫには、複数のウエハＷが取出可能に収納されている。前記ウエハカセットＷＫは図２２に示すように、カセットテーブル昇降用モータＭLにより昇降するように構成されている。
試料交換室Ｅに配置されたウエハ搬送部材９はウエハＷを支持する搬送アーム９aを有している。前記搬送アーム９aは、上下動、鉛直軸周りの回転、直進が可能であり、前記ウエハカセットＷＫと試料ステージＵ3との間で前記ウエハＷを搬送する。
図２１から分かるように、搬送アーム９aは、アーム回転モータＭ1により鉛直軸周りに回転し、アーム直進モータＭ2により直進し、アーム昇降モータＭ3により昇降可能に構成されている。
【００６９】
図４は真空試料室（真空作業室）内に配置されたＸＹテーブルに支持された回転テーブルの昇降ロッドの説明図で、前記図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。図５は前記図４の要部拡大図である。図６は前記図５の回転テーブル上に載置された試料Ｗの位置決め機構の説明図で、回転テーブルが前記図５とは異なる位置に回転したときの断面図である。
【００７０】
前記真空試料室Ａ内に配置されたＸＹステージ（試料ステージ）Ｕ3は、ウエハＷを前記電子ビーム描画装置Ｕ1または検査用電子顕微鏡Ｕ2により描画または検査等を行う位置（作業位置）に移動させるための装置である。
ＸＹステージＵ3の前記Ｙ軸移動テーブルＳＴy上には前記Ｘ軸移動テーブルＳＴxがＸ軸方向（前後方向）に移動可能に支持されている。前記Ｘ軸移動テーブルＳＴx上にはベアリング１１を介して円形の回転テーブルＳＴrが回転可能に支持されている。回転テーブルＳＴrにはガイド溝１２およびアーム収容溝１３が形成されている。また前記回転テーブルＳＴrはその外周にギヤ１４が形成されており、ギヤ１４は回転テーブル駆動モータＭ4（図２２参照）により回転するウオームギヤ１６と噛み合っている。そして回転テーブルＳＴrは、前記ウオームギヤ１６の回転にともなって回転するように構成されている。
【００７１】
図５において、回転テーブルＳＴrには、前記搬送アーム９aにより真空試料室Ａ内に搬送されたウエハＷを受け取ったり、作業済のウエハＷを搬送アーム９a上に移動させるための上下動テーブル１７が上下動可能に支持されている。上下動テーブル１７は上端に設けた円形の試料載置プレート１７aおよび下方に延びるロッド１７bを有している。前記ロッド１７b下端にはバネ受けプレート１８が固定されている。バネ受けプレート１８と前記回転テーブルＳＴr下面との間には圧縮バネ１９が配置されている。前記圧縮バネ１９により前記上下動テーブル１７は、常時下方に付勢されている。
前記上下動テーブル１７の下面には、扇形のテコ２０が水平軸２１周りに回転可能に支持されている。前記テコ２０のテーブル支持面２０aは上下動テーブル１７の下端を支持している。テコ２０の被押圧面２０bには、ナット２２先端のボール２２aが当接している。ナット２２には被ガイドバー２３が一体的に設けられており、被ガイドバー２３は前記回転テーブルＳＴrに形成された前記ガイド溝１２に係合している。
【００７２】
前記回転テーブルＳＴrの下面には上下動テーブル駆動モータＭ5（図５、図２２参照）が支持されており、上下動テーブル駆動モータＭ5により回転するボルト軸（ネジが形成された軸）２４は前記ナット２２と螺合している。
したがって、前記上下動テーブル駆動モータＭ5が回転したときにはボルト軸２４が回転し、ナット２２および被ガイドバー２３は前記ガイド溝１２に沿って移動し、そのとき前記テコ２０が前記水平軸２１周りに回動するように構成されている。そして、テコ２０の回動によりテコ２０のテーブル支持面２０aが上下し、それに連動して前記上下動テーブル１７が上下動するように構成されている。
なお、前記ナット２２および被ガイドバー２３の移動範囲の両端には、前記被ガイドバー２３との接触により作動するリミットスイッチＬＳ1，ＬＳ2が配置されており、前記ナット２２の移動範囲は制限されている。
【００７３】
図５、図６に示すように、回転テーブルＳＴr上の前記上下動テーブル１７周囲には、ウエハ支持部材としての複数の球面部材２６が設けられている。また図６から分かるように、前記複数の球面部材２６の外側にはウエハＷの位置決め用の鉛直軸回りに回転自在な基準ローラ２７，２７（１個のみ図示）、および移動ローラ２８が設けられている。
図６において、前記移動ローラ２８は、図６で紙面に垂直な方向に伸びる揺動アーム２９により鉛直軸回りに回転自在に支持されており、前記揺動アーム２９は、前記回転テーブルＳＴr上面に設けられた図６に示す前記アーム収容溝１３内で水平方向に揺動して、移動ローラ２８を図６の実線位置と２点鎖線位置との間で移動させるように構成されている。
図６に示すように、揺動アーム２９先端には下方に延びる揺動用被作動部材３１が設けられている。揺動用被作動部材３１は回転テーブルＳＴr下面に配置された引張バネ３２により常時回転テーブルＳＴrの中心側に向かって付勢されている。また、揺動用被作動部材３１にはナット３３先端のボール３３aが当接している。ナット３３には被ガイドバー３４が一体的に設けられており、被ガイドバー３４は前記回転テーブルＳＴrに支持されたブラケット３６に形成されたガイド溝３６aに係合している。
【００７４】
前記ブラケット３６にはワーク位置決めモータＭ6が支持されており、ワーク位置決めモータＭ6により回転するボルト軸（ネジが形成された軸）３７は前記ナット３３と螺合している。
したがって、前記ワーク位置決めモータＭ6が回転したときにはボルト軸３７が回転し、ナット３３および被ガイドバー３４は前記ガイド溝３６aに沿って移動し、そのとき前記揺動用被作動部材３１および揺動アーム２９が前記鉛直軸８１周りに揺動するように構成されている。そして、揺動アーム２９の揺動により前記移動ローラ２８が移動して、ウエハＷを基準ローラ２７，２７に押し付けて位置決めするように構成されている。
なお、前記ナット３３および被ガイドバー３４の移動範囲の両端には、前記被ガイドバー３４との接触により作動するリミットスイッチＬＳ3，ＬＳ4が配置されており、前記ナット３３の移動範囲は制限されている。
【００７５】
図５において、前記移動ローラ２８により前記基準ローラ２７，２７に押し付けられて位置決め固定されたウエハＷは、回転テーブルＳＴr、Ｘ軸移動テーブルＳＴx、Ｙ軸移動テーブルＳＴyにより、真空試料室Ａに設けられた前記電子ビーム描画装置Ｕ1または検査用電子顕微鏡Ｕ2（図１、図４参照）に対して所望の位置に移動し、描画または検査等が行われる。
【００７６】
図７は前記検査用電子顕微鏡Ｕ2の前記上壁部２への取付構造を示す図である。
検査用電子顕微鏡Ｕ2は、ＸＹステージＵ3に支持されたウエハＷに対する電子ビームの照射角度を調節できるようにするため、上壁部２に回動可能且つ回動位置を調節可能に支持されている。
すなわち、前記上壁部２には、鏡筒支持部材３８が固定されている。鏡筒支持部材３８は断面長円形の鏡筒貫通孔３８aと上面に形成された円筒状ガイド面３８bと、円筒状ガイド面３８bの円周方向に形成された小さなローラガイド溝３８cとを有している。
【００７７】
前記鏡筒貫通孔３８aには検査用電子顕微鏡Ｕ2の鏡筒が貫通している。検査用電子顕微鏡Ｕ2の外側面にはローラ支持部材３９が連結されている。ローラ支持部材３９の外端部に回転自在に支持されたローラ４１は前記円筒状ガイド面３８b上を前記ローラガイド溝３８cに沿って回動可能であり、その回動により前記検査用電子顕微鏡Ｕ2は左右軸（Ｙ軸）周りに傾斜可能である。
なお、前記鏡筒支持部材３８下端と前記検査用電子顕微鏡Ｕ2下端部との間は真空保持用のベローズ４２により連結されている。
【００７８】
前記ローラ支持部材３９の左端部には円弧状ギヤ４３が固定されている。前記円弧状ギヤ４３に噛み合うウォームギヤ４４は、前記上壁部２の上面に設けたウォームギヤ支持部材４６および鏡筒傾斜用モータユニットＭ7により回転可能に支持されている。
前記鏡筒傾斜用モータユニットＭ7の回転駆動により前記検査用電子顕微鏡Ｕ2の傾斜姿勢を調節可能である。
なお、本実施例では傾斜可能な検査用電子顕微鏡Ｕ2を設けているが、本発明の描画装置Ｕは、前記検査用電子顕微鏡Ｕ2を傾斜不可能に固定支持することも可能であり、また、検査用電子顕微鏡Ｕ2自体を省略することも可能である。
【００７９】
図８は描画装置用制御装置Ｃに接続された検査用電子顕微鏡Ｕ2の構成要素のブロック線図である。
図８において検査用電子顕微鏡Ｕ2は、検査用鏡筒４７、電子銃カソード（電子銃）Ｆ1、電子銃引出電極Ｆ2、収束レンズＦ3、ブランキング電極Ｆ4、照明用の光源Ｆ5、電子ビームをＸ軸、Ｙ軸方向にそれぞれ走査させるためのＸ偏向器Ｆ6、Ｙ偏向器Ｆ7、および電子ビームを被検査ウエハＷ上に収束させる対物レンズＦ8等を有している。
前記符号Ｆ1〜Ｆ8で示された要素はそれぞれ、カソード用電源回路Ｅ1、電子線引出用電源回路Ｅ2、収束レンズ駆動回路Ｅ3、ブランキング電極駆動回路Ｅ4、照明用電源回路Ｅ5、Ｘ偏向器駆動回路Ｅ6、Ｙ偏向器駆動回路Ｅ7、対物レンズ駆動回路Ｅ8により作動する。
前記符号Ｅ1〜Ｅ8で示された回路は前記描画装置用制御装置Ｃの検査用コントローラＣ2が出力する制御信号により作動する。
前記符号Ｆ1〜Ｆ4，Ｆ6〜Ｆ8，Ｅ1〜Ｅ4，Ｅ6〜Ｅ8で示された要素により電子ビーム走査装置（Ｆ1〜Ｆ4＋Ｆ6〜Ｆ8＋Ｅ1〜Ｅ4＋Ｅ6〜Ｅ8）が構成されている。
【００８０】
図８において、前記Ｙ偏向器Ｆ7の下方にはカセグレン鏡４８が配置され、その上方にはミラー４９が配置されている。前記光源Ｆ5から出射してレンズ系５１でコリメートされた照明光は、ハーフミラー５２で反射し、前記ミラー４９およびカセグレン鏡４８を通って被検査ウエハＷを照射する。被検査ウエハＷの反射光は、前記カセグレン鏡４８、ミラー４９、ハーフミラー５２を通ってＣＣＤ等を有する光学像撮影装置５３で撮影される。撮影光学像は、ディスプレイＤ3に表示されるとともに、デジタルデータに変換されて検査用コントローラＣ2に入力される。
【００８１】
前記検査用電子顕微鏡Ｕ2下端の外周部には２次電子検出器５４aが保持されている。前記２次電子検出器５４aおよび図示しない２次電子増幅回路等から２次電子検出装置（すなわち、放出粒子検出装置）５４（図８等参照）が構成されている。
また前記検査用電子顕微鏡Ｕ2下端の外周部にはＥＤＳ（Energy Dispersive X-ray Spectrometer、エネルギー分散Ｘ線分光装置）のＸ線検出器５５が装着されている。ＥＤＳは、図８に示すように、検査用コントローラＣ2の制御信号により作動し、その検出信号は、検査用コントローラＣ2に入力されている。
【００８２】
図９は描画装置用制御装置に接続された電子ビーム描画装置Ｕ1の構成要素のブロック線図である。
図９において電子ビーム描画装置Ｕ1は、描画鏡筒５６、マルチフィールドエミッション電子銃（荷電粒子銃）Ｆ12、加速電極Ｆ13、ビーム縮小レンズＦ14、ビーム平行化レンズＦ15、ビーム縮小第１レンズＦ16、電子ビームをＸ軸、Ｙ軸方向にそれぞれ走査させるためのＸ偏向器Ｆ17、Ｙ偏向器Ｆ18、および電子ビームを被検査ウエハＷ上に収束させるビーム縮小第２レンズＦ19等を有している。前記ビーム縮小第１レンズＦ16およびビーム縮小第２レンズＦ19によりビーム縮小レンズ（Ｆ16＋Ｆ19）が構成されている。
前記加速電極Ｆ13には例えば５０ｋｖの電圧が印加される。また、ビーム縮小第１レンズＦ16はビーム径を１／５０に縮小し、ビーム縮小第２レンズＦ19はビーム径を１／２に縮小する。
【００８３】
前記マルチフィールドエミッション電子銃Ｆ12は、複数のエミッタおよび電子ビーム引出電極を有しており、エミッタ用電源回路Ｅ12aおよびビーム引出用電源回路Ｅ12bにより作動する。
また、前記符号Ｆ13〜Ｆ19で示された要素はそれぞれ、加速電源Ｅ13、ビーム縮小レンズ駆動回路Ｅ14、ビーム平行化レンズ駆動回路Ｅ15、ビーム縮小第１レンズ駆動回路Ｅ16、Ｘ偏向器駆動回路Ｅ17、Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18、ビーム縮小第２レンズ駆動回路Ｅ19により作動する。
前記符号Ｅ12a〜Ｅ19で示された回路は前記描画装置用制御装置Ｃの描画用コントローラＣ１が出力する制御信号により作動する。
前記符号Ｆ12〜Ｆ19，Ｅ12a〜Ｅ19で示された要素により描画用ビーム走査装置（Ｆ12〜Ｆ19，Ｅ12a〜Ｅ19）が構成されている。
【００８４】
図１０は本実施例１の電子ビーム描画装置Ｕ1の描画鏡筒５６に装着されたシャッタホルダおよびそれを保持するゴニオステージＧＳの全体図である。図１１は前記図１０に示すシャッタホルダの説明図で、図１１Ａは平面図、図１１Ｂは前記図１１ＡのＸIＢ−ＸIＢ線断面図、図１１Ｃは前記図１１Ｂの矢印ＸIＣで示す部分の拡大図である。図１２は前記図１１のシャッタホルダの先端部分の拡大説明図で、図１２Ａは平面図であり前記図１１Ａの矢印ＸIIＡで示す部分の拡大説明図、図１２Ｂは前記図１２ＡのＸIIＢ−ＸIIＢ線断面図、図１２Ｃは前記図１２Ｂの矢印ＸIIＣで示した部分の拡大図である。図１３は前記図１２のシャッタホルダの内端部分の斜視図である。図１４は前記図１３の要部断面図である。
【００８５】
図１０、図１１において、電子ビーム描画装置Ｕ1の描画鏡筒５６にはシャッタホルダＨ1を装着するためのゴニオステージＧＳが設けられている。
ゴニオステージＧＳは、ホルダ装着孔５７aを有する円筒状のホルダ装着部材５７を有している。前記円筒状のホルダ装着部材５７の軸は、荷電粒子線の通路にほぼ直角に交差する方向（Ｙ軸方向）に延びており、その軸の向きは、ゴニオステージＧＳの球面軸受けＧＳaにより微小な範囲で調節可能である。
図１０にいて描画鏡筒５６の前記ゴニオステージＧＳと反対側には、ホルダ位置決め部材Ｈ2が配置されている。ホルダ位置決め部材Ｈ2は、前記描画鏡筒５６内外の圧力差により内端側に押される前記シャッタホルダＨ1の先端に当接してシャッタホルダＨ1の位置決めを行う部材である。
【００８６】
前記ホルダ位置決め部材Ｈ2は位置調節用モータ５８と、前記位置調節用モータの出力軸に装着されたギヤ５８aにより描画鏡筒５６の内外方向に進退移動するネジ５９aおよび前記ネジ５９aの内端に当接するスライダ５９bを有する進退移動部材５９と、当接位置決め部材６０とを有している。前記当接位置決め部材６０は、その外端（左端）が前記スライダ５９bの内端（右端）に当接しており、内外方向（左右方向、Ｙ軸方向）に位置調節可能であり、その右端（Ｙ端）が前記シャッタホルダＨ1の左端（−Ｙ端）に当接している。
前記ホルダ位置決め部材Ｈ2およびゴニオステージＧＳは、従来公知の電子顕微鏡のゴニオステージ、および前記従来公知のゴニオステージＧＳに装着された試料ホルダ先端の位置決めを行う従来公知のホルダ位置決め部材を使用することができる。
【００８７】
図１１、図１２において、前記ホルダ装着部材５７（図１０参照）によって支持されるシャッタホルダＨ1は、前記ホルダ装着孔５７a（図１０参照）を貫通する円筒状のホルダ外筒６１（図１１参照）を有している。前記シャッタホルダＨ1の軸（すなわち、ホルダ軸）は前記ホルダ装着孔５７aの軸と同様に、Ｙ軸方向に延びている。ホルダ外筒６１は、前記描画鏡筒５６の内側に挿入される良導電性且つ高伝熱性の内端側外筒部材６２および描画鏡筒５６の外側に配置される導電性且つ高熱伝導率の金属製の外端側外筒部材６３を有している。外端側外筒部材６３はその内側面に段部６３a（図１１Ｂ参照）が形成され、後端側部分にはケーブル挿通孔６３b（図１１Ｂ参照）が形成されている。図１１Ｂに示すように、内端側外筒部材６２および外端側外筒部材６３はそれらの接合部において嵌合し且つ、ねじ６４により結合されている。
ホルダ外筒６１の内端側外筒部材６２の内端部（前記描画鏡筒５６の内部に配置される部分の端部、すなわち、図１１Ａ、図１１Ｂの−Ｙ側の端部）外周部には図１２に示すＯリング６６を収容するリング状のＯリング収容溝が形成されている。前記Ｏリング６６は、前記ホルダ装着孔５７a（図１０参照）の内周面に圧接して、Ｏリング６６の前方（Ｘ方向）を後方（−Ｘ方向）の大気に対して気密に遮断するため部材である。
【００８８】
図１１において、前記ホルダ外筒６１の外端側外筒部材６３の外端部（右端部）の外周部には高熱伝導率の金属製のモータ支持部材６７が結合されている。モータ支持部材６７はほぼ円筒状の部材であり、その左端（−Ｙ端）に設けたフランジ６７aおよび円筒状部分に形成された左右（Ｙ軸方向）に延びるガイド溝６７b（図１１Ａ参照）を有している。モータ支持部材６７の右端にはプレート６８が連結されている。プレート６８にはＹ軸方向移動用モータ６９が結合されている。
前記Ｙ軸方向移動用モータ６９の周囲は前記モータ支持部材６７のフランジ６７aに固定された高熱伝導率の金属製のカバー７１により囲まれている。前記カバー７１の後端にはケーブル支持部材７２が固定されており、ケーブル支持部材７２には、前記Ｙ軸方向移動用モータ６９への給電ケーブル７３が支持されている。
前記Ｙ軸方向移動用モータ６９の出力軸６９aは回転ブロック７４に連結されている。回転ブロック７４は、円筒状外周側面に形成された雄ねじ７４aおよび左方に延びる連結ロッド部７４bを有している。回転ブロック７４の外周側面の前記雄ねじ７４aには円筒状のスライドブロック７６の内周側面に形成された雌ねじ７６aが螺合している。
【００８９】
図１１Ａにおいて、前記スライドブロック７６には被ガイド部材７７が固定されている。被ガイド部材７７は前記ガイド溝６７bにスライド移動可能に係合している。前記モータ支持部材６７には前記ガイド溝６７bの両端にリミットスイッチ７８a，７８bが支持されており、前記リミットスイッチ７８a，７８bは、前記被ガイド部材７７が当接したときに作動し、被ガイド部材７７およびスライドブロック７６の前後方向（Ｘ軸方向）の位置を検出する。前記リミットスイッチ７８a，７８bの検出信号は、前記Ｙ軸方向移動用モータ６９の駆動制御に使用される。
【００９０】
図１１Ｃにおいて、前記外端側外筒部材６３には略円筒状のロッドガイド７９が固定支持されている。ロッドガイド７９の外側面にはケーブル挿通溝７９aが形成され、内端部分には前後に延びるガイド溝７９bが形成されている。
前記ロッドガイド７９の内周面には回転部材８１が嵌合しており、回転部材８１の後端部分にはロッド部連結孔８１aおよび回り止め用溝８１bが形成され、左端（内端）側部分にはシャフト螺合用ねじ孔８１cが形成されている。
前記ロッド部連結孔８１aには前記連結ロッド部７４bが嵌合し、連結ロッド部７４bに固定された回り止め用ピン７４cが前記回り止め用溝８１bに相対回転不能且つスライド可能に係合している。
【００９１】
したがって、前記Ｙ軸方向移動用モータ６９の出力軸６９aが回転すると、回転ブロック７４が回転し、回転ブロック７４の回転に連動して回転部材８１が回転するように構成されている。そして、前記回転ブロック７４の回転により前記スライドブロック７６および被ガイド部材７７が前記モータ支持部材６７のガイド溝６７bに沿って左右（Ｙ軸方向）にスライド移動し、それらの移動位置は前記リミットスイッチ７８a，７８bにより検出される。そして、前記リミットスイッチ７８a，７８bにより被ガイド部材７７の位置が検出されたときには前記Ｙ軸方向移動用モータ６９が停止されるように構成されている。
【００９２】
前記回転部材８１のシャフト螺合用ねじ孔８１cには、シャフト８２の右端部（Ｙ端部）が螺合している。
図１１Ｂ、図１１Ｃにおいて、シャフト８２は、その外側面に第１ケーブル挿通溝８２aおよび第２ケーブル挿通溝８２bが形成され、その左端端（内端）部にはハーメチックシール収容孔８２c（図１１Ｂ、図１２参照）が形成されている。図１２において、前記ハーメチックシール収容孔８２cには、その内端（前端）部に、段部８２d、ケーブル挿通溝８２e、８２f（図１２Ｂ参照）が形成されている。
また、図１２に示すように、シャフト８２の内端部（前端部）外周面にはＯリング８３を収容するＯリング収容溝が形成されている。Ｏリング８３は、前記内端側外筒部材６２内周面に密着して、その右側部分（外端側部分）および左側部分（内端側部分）の空間を気密に遮断している。
【００９３】
シャフト８２には回り止め用ピン８４が固定されており、回り止め用ピン８４（図１１Ｂ、図１１Ｃ参照）は前記固定されたロッドガイド７９のガイド溝７９bにスライド可能且つ相対回転不能に係合している。
【００９４】
図１１Ｂにおいて、前記シャフト８２（図１１Ｃ参照）には、そのシャフト８２上に固定支持された固定プレート８５（図１１Ｂ参照）およびシャフト８２の軸方向に沿ってスライド移動可能な移動プレート８６が支持されており、それらの間には圧縮ばね８７が配置されている。前記移動プレート８６は外端側外筒部材６３の内側面に形成された段部６３aに当接しており、固定プレート８５およびシャフト８２は前記圧縮ばね８７により常時右方（Ｙ方向）に押圧されている。前記移動プレート８６、固定プレート８５および圧縮ばね８７は、前記シャフト８２の右端部（Ｙ側端部）およびシャフト螺合用ねじ孔８１c（図１１Ｃ参照）の螺合部分のガタを吸収する機能を有している。
【００９５】
図１１Ｃにおいて、ケーブルＫは、前記ケーブル挿通孔６３bを通って外端側外筒部材６３内側に導入され、ケーブル挿通孔溝７９aを通って前記シャフト８２に形成された第１ケーブル挿通溝８２a、第２ケーブル挿通溝８２bを通って前記ハーメチックシール収容孔８２c内に導入される。なお、前記シャフト８２は円筒部材により構成してその内側の左端部（内端部）に前記ハーメチックシール収容孔８２cを形成することが可能であり、その場合には、前記ケーブルＫはシャフト８２の内側を通すことが可能である。
図１２において、前記シャフト８２内端部（前端部）のハーメチックシール収容孔８２cの前記段部８２dにはハーメチックシール８８が固定されている。ハーメチックシール８８には外端面（後端面）および内端面（前端面）にそれぞれ複数の端子が設けられており、外端面の端子には前記ケーブルＫの複数の外側接続線が接続されている。前記複数の接続線は、アース用接続線、後述の圧電体のＹ変位用接続線、シャッタ駆動用信号線、シャッタ駆動用給電線等である。
【００９６】
図１２において、前記シャフト８２の内端（前端）には圧電体支持部材８９が固定されている。圧電体支持部材８９は、中央に大径のフランジ部８９a有し、その上部に接続線挿通溝８９bを有し、下部にアース接続部材支持溝８９cを有している。また、圧電体支持部材８９には軸方向（前後）に延びる真空引き用孔８９d（図１２Ｂ参照）が形成されている。
前記圧電体支持部材８９のアース接続部材支持溝８９cには、導電性のアース接続部材９０（図１２Ｂ参照）が固定されている。アース接続部材９０は図１２Ｂに示すように、フランジ部９０aおよび部分円筒部９０bを有している。図１２Ｂから分かるように、導電性のアース接続部材９０の部分円筒部９０bの外側面（部分円筒面）は、前記圧電体支持部材８９の内端部（前端部）の外周面と同一の半径を有している。そして、前記圧電体支持部材８９の内端部（前端部）の外周面およびアース接続部材９０の部分円筒部９０bの外側面（部分円筒面）により円筒状の圧電体９１の右端部（基端部）が嵌合する円筒面が形成されている。前記アース接続部材９０には前記ケーブルＫのアース用接続線が接続される。
前記圧電体９１は、シールド基板位置を調節する圧電体（シールド基板位置調節用圧電体）である。
【００９７】
前記符号８２〜９０で示された要素によりホルダ内側移動部材（８２〜９０）が構成されている。
前記ホルダ内側移動部材（８２〜９０）は前記Ｙ軸方向移動用モータ６９および前記符号６９，７４〜８１で示された要素（６９，７４〜８１）により、Ｙ軸方向（左右方向）に移動（粗動）制御される。
【００９８】
前記ホルダ内側移動部材（８２〜９０）により、基端部（外端部）が支持された円筒状の圧電体９１は表面にＹ軸方向駆動用電極（図示せず）が形成されており、前記Ｙ軸方向駆動用電極に印加する電圧によりＹ軸方向に伸縮可能である。そして、印加電圧を制御することにより前記圧電体９１の先端部（内端部）の位置を精密に制御できるようになっている。
【００９９】
前記圧電体９１の内端には円筒部９２aおよびフランジ部９２bを有する連結部材９２（図１２Ｂ参照）が固定されている。連結部材９２にはシールドプレート支持部材９３の外端部が固定されている。シールドプレート支持部材９３は、図１２に示すように、前方に突出するシールドプレート固定部９３aを有している。
前記シールドプレート固定部９３aにはシールドプレートＰＬ1の右端（Ｙ端）が固定されている。
前記符号６９，７４〜９３、ＰＬ1で示された要素により、後述のシールド基板１１２の位置を移動させるシールド基板移動装置（６９，７４〜９３，ＰＬ1）が構成されている。
【０１００】
図１２において、前記内端側外筒部材６２の内端（前端）部には内周面の雌ねじに螺合するシャッタ装着部材９６が固定されている。前記シャッタ装着部材９６は、後端側の円筒部９７と、前記円筒部９７の前端面を形成する端面プレート部９８と、前記端面プレート部９８から前方（Ｘ方向）に突出すシャッタ支持枠９９とを有している。
図１３において、前記端面プレート部９８には開口９８aが形成されている。前記開口９８aは、前記シールドプレート支持部材９３のシールドプレート固定部９３aおよびそこに固定支持されるシールドプレートＰＬ1（後述）が貫通するための開口である。
【０１０１】
前記シャッタ支持枠９９は、開口９９aを形成するように前後方向（Ｘ軸方向）に離れて左右方向に延びる平行な一対の側枠に形成されたシャッタプレート支持部９９bと、内端部（左端部）のシールドプレート支持部９９cとを有し、内端面に突出するボール９９dを保持している。
前記シールドプレートＰＬ1の外端部（右端部）は前記シールドプレート支持部材９３のシールドプレート固定部９３a上に固定され、内端部（左端部）は前記シールドプレート支持部９９c上面に移動可能に支持されている。
図１２Ｂにおいて、シールドプレートＰＬ1の右端部（Ｙ端部）には高熱伝導率の金属網線により構成されたフレキシブルな熱伝達部材１０１の一端部が接着され他端部が前記高伝熱性の内端側外筒部材６２の内側面に接着されている。前記熱伝達部材１０１によりシールドプレートＰＬ1の熱は高熱伝導率の前記内端側外筒部材６２に伝達され、さらに前記図１１Ｂに示す前記高熱伝導率の金属製の外端側外筒部材６３、モータ支持部材６７、およびカバー７１に伝達され、放熱される。
【０１０２】
なお、前記カバー７１にペルチェ素子を介して放熱フィンを装着することが可能であり、その場合、前記カバー７１から前記放熱フィンに熱を伝導させる電圧を印加することにより放熱効果を高めることが可能である。また、前記カバー７１を、熱伝導部材を介して冷熱源に接続することによっても放熱効果を高めることが可能である。
【０１０３】
図１２Ｃにおいて、前記シールドプレートＰＬ1には複数のシールド基板支持部１０２が形成されており、前記複数の各シールド基板支持部１０２にはそれぞれシールド基板１１２が収容されている。
図１２Ｃにおいて、前記シャッタプレート支持部９９bにはシャッタプレートＰＬ2が保持されている。前記シャッタプレートＰＬ2は、上から順に、スリット基板１１３、上側シャッタ基板１１４、下側シャッタ基板１１５、スペーサＳＰ、フィルタ基板１１６、上側フィルタシャッタ基板１１７、下側フィルタシャッタ基板１１８、スペーサＳＰ、および遮蔽板１１９が順次積層し、電気絶縁性の接着剤により接着されて構成されている。
そして、前記上側シャッタ基板１１４、下側シャッタ基板１１５、上側フィルタシャッタ基板１１７、および下側フィルタシャッタ基板１１８には信号線および給電線を含むケーブルＫが接続されており、前記ケーブルＫは前記ハーメチックシール８８を介して外部に接続されている。
【０１０４】
なお、前記下側シャッタ基板１１５に、その上面および下面間を接続するコンタクトホールを形成して、下側シャッタ基板１１５の下面に形成する電極端子を前記上側シャッタ基板１１４に形成した配線および電極端子と接続することが可能である。その場合、前記ケーブルＫを下側シャッタ基板１１５には直接接続せずに、上側シャッタ基板１１４の電極端子に接続し、上側シャッタ基板１１４の配線および前記下側シャッタ基板に形成したコンタクトホールを介して間接的に接続することが可能である。
また同様に、ケーブルＫを下側フィルタシャッタ基板１１８直接接続せずに、上側フィルタシャッタ基板１１７を介して間接的に接続することがかのうである。さらに、前記下側シャッタ基板１１５、フィルタ基板１１６、上側フィルタシャッタ基板１１７、下側フィルタシャッタ基板１１８、および遮蔽板１１９等にコンタクトホールを形成して、前記各基板１１４，１１５，１１７，１１８の配線に前記コンタクトホールを介して接続する電極端子を遮蔽板１１９下面に形成することが可能であり、その場合、前記各基板１１４，１１５，１１７，１１８への信号線および給電線の接続は前記遮蔽板１１９下面に形成した前記電極端子を介して行うことが可能である。
【０１０５】
図１５は前記図９の要部拡大説明図であり、図１５Ａは前記図９の矢印ＸIＶから見た図、図１５Ｂは前記図９の要部拡大図である。
図９、図１５において、ビーム平行化レンズＦ15（図９参照）の下側の電子ビームが平行な領域には、前記シャッタプレートＰＬ2（図１２Ｃ参照）の、前記シールド基板１１２、スリット基板１１３、上側シャッタ基板１１４、下側シャッタ基板１１５、フィルタ基板１１６、上側フィルタシャッタ基板１１７、下側フィルタシャッタ基板１１８、および遮蔽板１１９を有するシャッタプレートが配置されている。
【０１０６】
前記シールド基板１１２、フィルタ基板１１６、および遮蔽板１１９は、チタンまたはＳＵＳ（ステンレス）製で、厚さは２０μmで、外形は１０ｍｍ×１０ｍｍよりも大きい。前記チタンまたはＳＵＳ（ステンレス）は、電子ビーム損傷に強く、導電性（アース性）が良く、熱伝導性が良い。
前記スリット基板１１３はモリブデン製で、厚さは２０μｍ、外形１０ｍｍ×１０ｍｍである。前記モリブデンは微細加工性が良く、導電性（アース性）が良い。
【０１０７】
前記シールド基板１１２には、図１５Ａに示すように、Ｘ軸方向の長さ１０ｍｍ、Ｙ軸方向の幅ＡがＡ＝１０μｍのスリット１１２SがＹ軸方向に９０μｍ間隔で５０本形成されている。
また、前記スリット基板１１３、前記フィルタ基板１１６、および遮蔽板１１９にも前記シールド基板１１２と同様の５０本のスリット１１３S，１１６S，１１９S（図１５Ｂ参照）が形成されている。
さらに、前記上側シャッタ基板１１４、下側シャッタ基板１１５、上側フィルタシャッタ基板１１７、および下側フィルタシャッタ基板１１８にも同様のスリット１１４S，１１５S，１１７S，１１８S（図１５Ｂ参照）が形成されている。
【０１０８】
図１６はスリット基板１１３、上側シャッタ基板１１４および下側シャッタ基板１１５の斜視図である。図１７は前記図１６に示す上側シャッタ基板１１４のスリット形状と前記上側シャッタ基板１１４を使用して描画したウエハＷ上の描画面積との関係の説明図で、図１７Ａは上側シャッタ基板１１４を示す図、図１７Ｂは前記上側シャッタ基板１１４に対するビームを偏向させることによりビームの照射位置をウエハＷ上でＹ軸方向に０.１μｍづつずらせながら連続１０回の描画を行ったときのウエハＷ上の描画領域（単位走査領域）ＲＩを示す図である。
図１７Ａにおいて、前記上側シャッタ基板１１４は、ガラスの薄板上にモリブデン等を形成し、前記モリブデン層にＸ軸方向の長さ１０ｍｍ、Ｙ軸方向の幅１０μｍのスリット１１４SをＹ軸方向に９０μｍ間隔で５０本形成している。なお、下側シャッタ基板１１５も前記上側シャッタ基板１１４と同様のスリット１１５S（図１６参照）が形成されている。
【０１０９】
図１６において、前記スリット基板１１３のＸ軸方向に延びるスリット１１３Sは幅１０μｍ、長さ１０ｍｍである。したがって、前記スリット１１３にはＹ軸方向に１０μｍ幅で且つＸ軸方向に１０μｍの長さの矩形の領域が１０００個分形成される。前記上側シャッタ基板１１４のスリット１１４Sおよび下側シャッタ基板１１５のスリット１１５Sも前記スリット１１３Sと同様に形成されている。
前記スリット１１３S，１１４S，１１５S内の１０μｍ×１０μｍの矩形領域に前方から後方に順次Ｓ1，Ｓ2，…と符号を付けた場合、上側シャッタ基板１１４には奇数番の５００個の矩形領域（シャッタ空間）Ｓ1，Ｓ3，Ｓ5，…，Ｓ999の右側にシャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aが形成され、左側にシャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999bが形成される。また、下側シャッタ基板１１５には偶数番の５００個の矩形領域（シャッタ空間）Ｓ2，Ｓ4，Ｓ6，…，Ｓ1000の右側にシャッタ駆動電極Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000aが形成され、左側にシャッタ対向電極Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000bが形成される。
【０１１０】
なお図１６から分かるように、前記各電極Ｓ1a，Ｓ2a，…，Ｓ1b，Ｓ2b，…の前後方向（Ｘ軸方向）の幅は前記矩形領域（シャッタ空間）Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，…，Ｓ1000の幅１０μｍよりも狭く形成されている。この理由は、隣接するシャッタ空間に電界の回り込みによる悪影響が生じないようにするためである。
前記各矩形領域（シャッタ空間）Ｓ1，Ｓ2，…は、前記シャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ2a，…およびシャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ2b，…により、前記矩形領域（シャッタ空間）Ｓ1，Ｓ2，…を通過する電子ビームにビーム偏向電界が選択的に印加される領域であり、電子ビームのオン、オフを行うシャッタ空間として形成されている。
したがって、以後前記矩形領域Ｓ1，Ｓ2，…をシャッタ空間Ｓ1，Ｓ2，…と記載する。
【０１１１】
図１７において、図１７Ａに示すＸ軸方向の長さ１０ｍｍ、Ｙ軸方向の幅１０μｍのスリット１１４SをＹ軸方向に９０μｍ間隔で５０本形成した上側シャッタ基板１１４および同様に構成された下側シャッタ基板１１５を重ねた場合、重なったスリット１１４S，１１５Sには１０００×５０個のシャッタ空間が形成される。
したがって、同様に構成された前記上側シャッタ基板１１４、下側シャッタ基板１１５、上側フィルタシャッタ基板１１７および下側フィルタシャッタ基板１１８を重ねた本実施例の場合、１回のビーム照射でウエハＷ上に５００００（＝１０００×５０）個の点を描画することができる。
したがって、ビームを偏向させながら前記上側シャッタ基板１１４に対するビームの照射位置をＹ軸方向に１０μｍづつずらせながら連続１０回の描画（ビーム偏向描画）を行ったときの上側シャッタ基板１１４上面の走査面積（描画面積）は、図１７Ａに示すように、Ｘ軸方向の長さＬx＝１０ｍｍ、Ｙ軸方向の長さＬｙ＝５ｍｍとなる。すなわち、単位走査領域ＲＩ（図１７Ｂ参照）のサイズはＸ軸方向の長さＬx／１００＝０.１ｍｍ、Ｙ軸方向の長さＬｙ／１００＝０.０５ｍｍである。
【０１１２】
その場合ウエハＷ上の走査面積である描画面積は、前記上側シャッタ基板１１４上面の走査領域の面積の１／１００に縮小される。したがって、ウエハＷ上の描画領域の面積は、図１７Ｂに示すように、Ｘ軸方向の長さ１００μｍ（＝０.１ｍｍ）、Ｙ軸方向の長さ５０μｍ（＝０.０５ｍｍ）となる。
図１８は前記図１７Ｂの描画領域ＲＩ（Ｉ＝１，２，…，５０、それぞれ１０回の走査で描画される領域）をＸ軸方向に５０並べた場合の描画領域ＲＡ1を示す。
この図１８に示す領域ＲＡ1を走査する方法は、最初にＲ２６の領域を描画し、次にＲ２５、Ｒ２７、Ｒ２４、Ｒ２８、…、Ｒ５０、Ｒ１というように、中央部の走査領域から順次外側の走査領域を描画する。このＸ軸方向の走査領域の移動はＸＹステージＵ3の移動により行う。
前記図１８に示す領域を描画するのに必要な走査回数は、Ｙ軸方向にビーム偏向を行いながら１０回、Ｘ軸方向にＸテーブルを移動しながら５０回であるので、合計は、１０×５０＝５００回である。
なお、図１８に示す１Ｒ0，２Ｒ0，…，５０Ｒ0は、各領域ＲＩ（Ｉ＝１，２，…，５０）を描画する際、シャッタ空間Ｓ1を通過するビームにより最初に描画される位置を示す。
【０１１３】
図１９はウエハＷ上に形成された１チップのサイズが１５ｍｍ×１５ｍｍの場合の１チップの描画順序の拡大説明図である。
図１９において、チップＴNの基準位置（ＸN，ＹN）は、チップＴNの前端且つ右端の位置である。
１５ｍｍ×１５ｍｍサイズのチップＴNは、Ｘ軸方向に５ｍｍ幅の３つの領域ＲＡ、ＲＢ、ＲＣに分けて描画され、前記３つの領域ＲＡ、ＲＢ、ＲＣは、それぞれ３００の領域ＲＡ1〜ＲＡ300、ＲＢ1〜ＲＢ300、ＲＣ１〜ＲＣ300の領域に分けられる。
そして、前記各領域ＲＡ1〜ＲＡ300、ＲＢ1〜ＲＢ300、ＲＣ１〜ＲＣ300は、それぞれ５０の領域ＲＩ（Ｉ＝１〜５０）（図１８参照）に分けられる。
【０１１４】
図１９において、前記図１８に示す領域（ＲＩ（Ｉ＝１〜５０）の全領域）の描画をＹ軸方向に３００（＝１５ｍｍ／０.０５ｍｍ）回、Ｘ軸方向に３回行う必要がある。したがって、前記図１８に示す領域の走査を９００（＝３００×３）回行う必要がある。なお、前記Ｙ軸方向の３００回の移動はＸＹステージＵ3の移動により行う。
前記図１８に示す領域の走査にはＸＹステージのＸ軸方向の５０回の移動と、ＸＹステージの１回の移動に対応して１０回のビーム偏向走査が必要であるので、５０×１０＝５００回の走査が必要である。この場合、合計４５００００（＝５００×９００）回の走査で１チップ全体を描画することができる。なお、この実施例１の場合の１チップ全体を描画するのに必要なＸＹステージの移動回数は４５０００（＝５０×９００）回である。
図２０はウエハＷ上のチップの配置例および描画順序を示す図である。仮に、ウエハＷの直径が３００ｍｍであってそのウエハＷ１枚に３００個のチップが形成される場合には、１３５００００００（＝４５００００×３００）回の走査で１枚のウエハを描画することができる。
【０１１５】
図２１は本発明の実施例１の制御部の説明図で、シャッタ駆動回路を制御する描画装置用制御装置の説明図である。図２２は本発明の実施例１の制御部の説明図で、前記図２１の続きの部分を示す図である。
図２１、図２２において、描画装置用制御装置Ｃは、シャッタオン・オフデータ記憶装置ＣＭ、描画用コントローラＣ１、検査用コントローラＣ2、および前記描画用コントローラＣ１により制御される描画用データ処理回路を構成するＲＡＭ1，ＲＡＭ2，…、振分回路ＣＦ1，ＣＦ2，…、パラレル／シリアルコンバータ（Ｐ／Ｃ）Ｃ１〜（Ｐ／Ｃ）Ｃ4等を有している。
描画装置用制御装置Ｃにはアーム回転モータ駆動回路ＭＤ1、アーム直進モータ駆動回路ＭＤ2、アーム昇降モータ駆動回路ＭＤ3、カセットテーブル昇降用モータ駆動回路ＭＤL、Ｙ軸移動テーブル駆動回路Ｄy、Ｘ軸移動テーブル駆動回路Ｄx、回転テーブル駆動回路ＭＤ4、上下動テーブル駆動回路ＭＤ5、ワーク位置決めモータ駆動回路ＭＤ6、鏡筒傾斜用駆動回路ＭＤ7、等が接続されている。
なお、図２１、図２２に示していないが、前記図８に示す検査用コントローラＣ2に接続された要素および描画用コントローラＣ１に接続された要素も前記描画装置用制御装置Ｃに接続されている。
【０１１６】
前記カセットテーブル昇降用モータ駆動回路ＭＤLは、前記カセットテーブル昇降用モータＭL（図２２参照）を駆動する。
前記アーム回転モータ駆動回路ＭＤ1は、アーム回転モータＭ1（図２１参照）を駆動して前記搬送アーム９aを鉛直軸周りに回転させる。
前記アーム直進モータ駆動回路ＭＤ2は、アーム直進モータＭ2（図２１参照）を駆動して前記搬送アーム９aを水平方向に直進させる。
前記アーム昇降モータ駆動回路ＭＤ3は、アーム昇降モータＭ3（図２１参照）を駆動して搬送アーム９a（図２、図３参照）を昇降させる。
前記Ｙ軸移動テーブル駆動回路Ｄyは、Ｙ軸移動テーブル駆動モータＭyを駆動してＸＹステージＵ3のＹ軸移動テーブルＳＴyを移動させる。前記Ｙ軸移動テーブル駆動回路ＤyおよびＹ軸移動テーブル駆動モータＭyによりＹ軸方向ステージ駆動装置（Ｄy＋Ｍy）が構成されている。
【０１１７】
前記Ｘ軸移動テーブル駆動回路Ｄxは、Ｘ軸移動テーブル駆動モータＭxを駆動してＸＹステージＵ3のＸ軸移動テーブルＳＴxを移動させる。前記Ｘ軸移動テーブル駆動回路ＤxおよびＸ軸移動テーブル駆動モータＭxによりＸ軸方向ステージ駆動装置（Ｄx＋Ｍx）が構成されている。
前記回転テーブル駆動回路ＭＤ4は、回転テーブル駆動モータＭ4を駆動してＸＹステージＵ3の回転テーブルＳＴrを回転させる。
前記上下動テーブル駆動回路ＭＤ5は、上下動テーブル駆動モータＭ5を駆動してＸＹステージＵ3の上下動テーブル１７を上下動させる。
前記ワーク位置決めモータ駆動回路ＭＤ6は、ワーク位置決めモータＭ6（図６参照）を駆動して前記揺動アーム２９（図６において紙面に垂直な方向に伸びるアーム）を前記鉛直軸８１周りに揺動させる。
前記鏡筒傾斜用駆動回路ＭＤ7は、鏡筒傾斜用モータユニットＭ7を駆動して検査用電子顕微鏡Ｕ2の鏡筒を傾斜させる。
シールド基板移動用モータ駆動回路ＭＤ8はシールド基板移動用モータ６９を駆動してシールド基板１１２を移動させる。
シールド基板移動用圧電体駆動回路ＭＤ9はシールド基板移動用圧電体９１を駆動してシールド基板１１２の位置を微調節する。
【０１１８】
図２３は前記描画用コントローラＣ１により制御される上側シャッタ基板１１４に形成されるシャッタ駆動回路（ＴＦＴ駆動回路）の説明図である。
前記図１５、図１６で説明したように、上側シャッタ基板１１４の各スリットに形成される奇数番の５００個の矩形領域Ｓ1，Ｓ3，Ｓ5，…，Ｓ999および下側シャッタ基板１１５に形成される偶数番の５００個の矩形領域Ｓ2，Ｓ4，Ｓ6，…，Ｓ1000のそれぞれの右側にシャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a、Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000aが形成され、左側にシャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b、Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000bが形成される。
前記上側シャッタ基板１１４および下側シャッタ基板１１５の各シャッタ電極はほぼ同様に形成されているので、次に、上側シャッタ基板１１４について説明する。
【０１１９】
図２３に示すように、上側シャッタ基板１１４の前記５００個のシャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999bはそれぞれアース線に接続されている。前記５００個のシャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aは、それぞれ５００個のシャッタ駆動スイッチＳＷ0のうちの１個を介して電源スイッチＳＷa、または切替スイッチＳＷb，ＳＷcに接続されている。前記切替スイッチＳＷb，ＳＷcは連動スイッチであり、ビームオフ端子（シャッタ駆動電源Ｅbのマイナス端子に接続する端子）と、オン・オフ端子（シャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999bに接続する端子）のいずれかの端子に切替え接続される。
【０１２０】
前記図２３の状態（切替スイッチＳＷb，ＳＷcがビームオフ端子（シャッタ駆動電源Ｅbのマイナス端子と接続する端子）に接続されている状態）においては、電源スイッチＳＷaのオン・オフに関わらず且つ、前記ＳＷ0がオン、オフのいずれであっても、前記シャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aには電源Ｅbの−（マイナス）の電圧が印加される。このとき、前記全てのシャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aおよびシャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b間に電界が作用する。このとき、図１５Ｂに示すように電子ビームＬは進路を偏向されて下方のスリット１１６S〜１１９Sを下方に通過できなくなる。すなわち、切替スイッチＳＷb，ＳＷcをビーム偏向端子（電源Ｅbのマイナス端子、シャッタオン端子）に接続すると、全ての電子ビームＬは下方のウエハＷに到達できず、オフとなる。
したがって、前記電源Ｅbおよび前記切替スイッチＳＷb、ＳＷcにより、全電子ビームを偏向してオフにする全描画ビーム偏向装置（Ｅb，ＳＷb，ＳＷc）が構成されている。
【０１２１】
前記切替スイッチＳＷb，ＳＷcが前記オン・オフ端子（シャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999bに接続する端子）に接続されている状態、すなわち、図２３に示す状態から接続端子を切替えた状態では、前記シャッタ駆動スイッチＳＷ0のオン・オフに応じて前記シャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aとシャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999bとの間に電子ビーム偏向電圧が印加され、ウエハＷを描画することができる。
前記電源スイッチＳＷa、および切替スイッチＳＷb，ＳＷcは非作動時は図２３に図示した状態（電源スイッチＳＷaはオフ状態、切替スイッチＳＷb，ＳＷcはビームオフ端子（全シャッタがオンとなりビームがオフとなる端子）に接続された状態）に保持されている。
なお、前記切替スイッチＳＷcは図２３に示す３個の端子を全てオープンのままとして、省略することが可能である。また、電源スイッチＳＷa、切替スイッチＳＷb，ＳＷcは実際は上側シャッタ基板１１４の外部に形成されているが、上側シャッタ基板１１４表面に形成することも可能である。
【０１２２】
前記５００個のシャッタ駆動スイッチＳＷ0駆動するために５００個のＤフリップフロップにより構成されたシャッタ駆動メモリＭＥ0が設けられている。
前記５００個のシャッタ駆動メモリに対応して、５００個のＤフリップフロップによりそれぞれ構成された第１〜第４シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4が設けられている。
第１〜第３切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3はそれぞれ５００個の切替スイッチにより構成されている。
第１切替スイッチＳＷ1は、前記シャッタ駆動メモリＭＥ0を第１シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1に接続する第１端子、または第２切替スイッチＳＷ2に接続する第２端子のいずれかに切替えて接続する。
第２切替スイッチＳＷ2は、前記第１切替スイッチＳＷ1を前記第２シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ2に接続する第１端子、または第３切替スイッチＳＷ3に接続する第２端子のいずれかに切替えて接続する。
第３切替スイッチＳＷ3は、前記第２切替スイッチＳＷ2を前記第３シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ2に接続する第１端子、または第４シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ4に接続する第２端子のいずれかに切替えて接続する。
前記第１〜第３切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3はいずれも、図２３に示す状態では第１端子に接続されている。
【０１２３】
前記各第１〜第４シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4のＤＦＦ（Ｄフリップフロップ）の最初のＤ端子にはそれぞれシャッタ駆動データ（シャッタオン・オフデータ）ＪＡi〜ＪＤi（Ｊ＝１，２，…、i＝1，2，…，999）が入力される。そして、前記各第１〜第４シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4のＤＦＦは同一周期のクロックパルスＣＫにより作動し、最初のＤＦＦ（図２３で左端のＤＦＦ）のＤ端子に入力されるシャッタ駆動データ（シャッタオン・オフデータ）ＪＡi〜ＪＤiを順次ラッチし且つシフトする。
したがって、前記第１〜第４シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ4の各シリアル接続された５００個のＤＦＦに、シャッタ駆動信号を５００のクロックパルスで記憶させることができ、前記各メモリＭＥ1〜ＭＥ4への記憶処理（ＤＦＦに記憶させる処理）は同時並行処理を行うことが可能である。
前記切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3の切替えにより前記シャッタ駆動メモリＭＥ0に接続された前記各メモリＭＥ1〜ＭＥ4のいずれかの５００個のＤＦＦに記憶されたシャッタ駆動信号は、ラッチパルスＬＣＨによりシャッタ駆動メモリＭＥ0に記憶される。
【０１２４】
前記５００個のシャッタ駆動スイッチＳＷ0は、前記シャッタ駆動メモリＭＥ0に記憶されたシャッタ駆動信号により切替えられる。シャッタ駆動メモリＭＥ0の５００個の各ＤＦＦ（Ｄフリップフロップ）に記憶されたシャッタ駆動信号が「１」のときは、前記各シャッタ駆動スイッチＳＷ0は図２３で上側の端子（オＹン端子）に接続され、シャッタ駆動信号が「０」のときは下側の端子（ビームオフ端子）に接続される。
したがって、図２３において、電源スイッチＳＷaをオンにし、切替スイッチＳＷb，ＳＷcを前記オン・オフ端子（シャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999bに接続する端子）に接続した状態では、シャッタ駆動信号が「０」のとき（シャッタ駆動スイッチＳＷ0がビームオフ端子（図２３で下側端子）に接続のとき）シャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aに電源Ｅbの−（マイナス）電圧が印加される。このときはシャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aおよびシャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b間に電圧が印加され、電子ビームは偏向されてオフとなる。また、前記シャッタ駆動信号が「１」のとき（シャッタ駆動スイッチＳＷ0がシャッタオフ端子（図２３で上側端子）に接続のとき）、シャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aがシャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999bに接続される（アースされる）。このときはシャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aおよびシャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b間に電圧が印加されないので、電子ビームは直進し、オンとなる。
【０１２５】
また、前述したように、前記シャッタ駆動スイッチＳＷ0がビームオフ端子（図２３で下側端子）またはオＹン端子（図２３で上側端子）のいずれに接続されていても、また電源スイッチＳＷaがオンであってもオフであっても、前記切替スイッチＳＷb，ＳＷcをビームオフ端子（シャッタ駆動電源Ｅbのマイナス端子と接続する端子、すなわち、シャッタオン端子）に接続すると、全シャッタ空間Ｓ1，Ｓ3，…がシャッタオンとなり、全ての電子ビームはオフとなる。
したがって、電子ビームによりウエハＷ表面を描画中に、ＸＹステージによりウエハＷの描画領域を移動させるときには、前記全シャッタがオＸフの状態（前記電源スイッチＳＷaをオンにした状態で、前記切替スイッチＳＷb，ＳＷcをオＸフ端子（シャッタ駆動電源Ｅbのマイナス端子と接続する端子）に接続した状態すなわち、図２３に示す状態）に移動させることにより、電子ビームを出射したまま、ウエハＷ表面に電子ビームを照射することなく、前記描画領域を移動させることができる。
【０１２６】
以上の説明は上側シャッタ基板１１４について説明したが、上側フィルタシャッタ基板１１７も全く同様に構成されている。また、上側フィルタシャッタ基板１１７、および下側フィルタシャッタ基板１１８はシャッタ位置が偶数番目の位置である点で、前記奇数番目の上側シャッタ基板１１４と相違しているだけで他の点では同様に構成されている。
【０１２７】
図２１において、前記各コントローラＣ１，Ｃ2は、外部との信号の入出力および入出力信号レベルの調節等を行うＩ／Ｏ（入出力インターフェース）、必要な処理を行うためのプログラムおよびデータ等が記憶されたＲＯＭ（リードオンリーメモリ）、必要なデータを一時的に記憶するためのＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、前記ＲＯＭに記憶されたプログラムに応じた処理を行うＣＰＵ（中央演算処理装置）、ならびにクロック発振器等を有するコンピュータにより構成されており、前記ＲＯＭに記憶されたプログラムを実行することにより種々の機能を実現することができる。
前記検査用コントローラＣ2は、検査用電子顕微鏡Ｕ2（図８参照）の構成要素や前記ＸＹステージＵ3のＸＹステージ駆動回路（Ｘテーブル駆動回路ＤＴx、Ｙテーブル駆動回路ＤＴy等）に接続されており、それらの作動を制御してＸテーブル駆動モータＭx、Ｙテーブル駆動モータＭy等を駆動し、従来公知の方法でウエハＷの検査を行う。
【０１２８】
前記描画用コントローラＣ１は、描画用電子顕微鏡Ｕ1（図９参照）の構成要素や前記ＸＹステージＵ3のＸＹステージ駆動回路（Ｘテーブル駆動回路ＤＴx、Ｙテーブル駆動回路ＤＴy等）に接続されており、それらの作動を制御してＸテーブル駆動モータＭx、Ｙテーブル駆動モータＭy等を駆動し、ウエハＷの描画を行う。前記ウエハＷの描画は、次の動作を繰り返し連続することにより行う。
（１）前記各シャッタ空間Ｓ1，Ｓ2，…のオン・オフデータを記憶したシャッタオン・オフデータ記憶装置ＣＭのデータを読出して、前記各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4に伝送する動作
（２）前記各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4のいずれかを順次選択し、選択したシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4のデータを前記各シャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999aに印加して前記各シャッタ空間Ｓ1，Ｓ3，…をオン・オフする動作
前記描画用コントローラＣ１は次の機能を有している。
【０１２９】
Ｃ１A：シャッタオン・オフ信号書込並行処理手段
シャッタオン・オフ信号書込並行処理手段Ｃ１Aは、シャッタオン・オフ信号を一時的に記憶するＮ組（Ｎは２以上の整数）のシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ１〜ＭＥ4への書込処理を並行して行う機能を有している。
【０１３０】
Ｃ１B：シャッタ制御手段
シャッタ制御手段は所定のタイミングでシャッタ空間Ｓ1，Ｓ2，…のビームを直進させるシャッタオフ（ビームオン）の状態またはシャッタオン（ビームオフ）の状態を切り換えるようにシャッタ駆動回路を制御する。
Ｃ１B1：シャッタ駆動信号一時記憶メモリ選択手段
シャッタ駆動信号一時記憶メモリ選択手段Ｃ１Bは、前記第１〜第Ｎシャッタ駆動信号一時記憶メモリを順次切り換えて選択する機能を有している。
【０１３１】
Ｃ１C：全描画ビーム遮断信号出力手段
全描画ビーム遮断信号出力手段Ｃ１Cは、前記切替スイッチＳＷb，ＳＷcをオＸフ端子（シャッタ駆動電源Ｅbのマイナス端子と接続する端子）に接続する信号を出力する。このとき、全電子ビームがシャッタ空間（ビーム偏向電界が選択的に印加される矩形領域）Ｓ1，Ｓ3，…で偏向され、オフとなる。
【０１３２】
Ｃ１D：停止ウエハ走査制御手段
停止ウエハ走査制御手段Ｃ１Dは、所定のタイミングで荷電粒子ビームのウエハＷ上の照射位置を制御する。
Ｃ１D1：スリット幅ピッチ走査用制御手段
スリット幅ピッチ走査用制御手段Ｃ１D1は、前記ウエハＷ上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向にスリット幅Ａに対応するピッチａで走査させるように前記第１Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18aを制御する。
【０１３３】
Ｃ１E：ＸＹステージ制御手段
ＸＹステージ制御手段Ｃ１Eは、停止ウエハ走査領域移動用ＸＹステージ制御手段Ｃ１E1を有する。
Ｃ１E1：停止ウエハ走査領域移動用ＸＹステージ制御手段
停止ウエハ走査領域移動用ＸＹステージ制御手段Ｃ１E1は、前記ウエハＷが停止した状態で前記荷電粒子ビームにより走査されるウエハＷ表面の前記単位走査面積Ｓ0であるウエハ停止状態走査領域Ｓ0の走査を前記停止ウエハ走査制御手段Ｃ１Dが終了する毎に、次のウエハ停止状態走査領域Ｓ0の走査を実行可能な位置に、ウエハＷおよび前記ウエハＷを支持する前記ＸＹステージＵ3を、移動させる。
【０１３４】
また、前記描画用コントローラＣ１は次のデータ記憶手段を有している。
Ｃ１T：チップデータテーブル
チップデータテーブルＣ１Tは、ウエハＷ上に形成するチップの番号（チップ番号Ｎ（Ｎ＝０，１，２，…）、各チップの描画基準位置の座標（ＸN，ＹN）等を記憶したテーブルである。この座標データ（ＸN，ＹN）の値は、ＸＹステージＵ3を移動させて各チップＴNを描画位置に移動させる際に使用される。
前記ウエハＷの描画はチップ番号順に行われる。また、例えば３０ｃｍウエハの場合、Ｎ＝０〜２９９であり、１枚のウエハＷに３００個のチップが形成される。
【０１３５】
図２１、図２２において、描画用コントローラＣ１は、上側シャッタ基板１１４の各スリット＃１〜＃５０に対してそれぞれ設けられた５０個の前記電源スイッチＳＷa、連動して作動する切替スイッチＳＷb，ＳＷcの制御信号、前記シャッタ駆動メモリＭＥ0に入力するラッチパルスＬＣＨを、前記上側シャッタ基板１１４に出力している。
前記描画用コントローラＣ１は、下側シャッタ基板１１５、上側フィルタシャッタ基板１１７、下側フィルタシャッタ基板１１８にも、前記上側シャッタ基板１１４へ出力する制御信号およびラッチパルスＬＣＨと同様の信号を出力している。
【０１３６】
図２１、図２２において、描画用コントローラＣ１にはＲＡＭ1，ＲＡＭ2，…，ＲＡＭ200が接続されている。ＲＡＭは上側基板１１４の５０本のスリット＃１〜＃５０に対応して各１個づつ設けられており、同様に前記下側シャッタ基板１１５、上側フィルタシャッタ基板１１７、下側フィルタシャッタ基板１１８の各５０本のスリットに対応して各１個づつ設けられているので合計２００個のＲＡＭ1〜ＲＡＭ200が接続されている。
各ＲＡＭ1〜ＲＡＭ200と描画用コントローラＣ１とはデータバスおよび制御バスで接続されており、データバスは６４ビットパラレルデータを送受信可能であり、制御バスは１０ビットのアドレス信号および２ビットの書込、読出制御信号を送る制御バスである。
【０１３７】
前記ＲＡＭ1に６４ビットパラレルで入力されたシャッタオン・オフ制御データは、振分回路ＣＦ1にパラレル６４ビットで入力される。振分回路ＣＦ1には描画用コントローラＣ１から２ビットの制御信号が入力されている。２ビットの制御信号は、振分回路ＣＦ1がＲＡＭ1からの入力データを振分けて出力するパラレル／シリアルコンバータ（Ｐ／Ｓ）Ｃ１〜（Ｐ／Ｓ）Ｃ4を指定する信号である。
前記パラレル/シリアルコンバータ（Ｐ／Ｓ）Ｃ１〜（Ｐ／Ｓ）Ｃ4は、前記ラッチパルスＬＣＨが出力されたときの切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3の作動状態に応じて作動するように構成されている。その作動は図２４〜図２７のタイムチャートに示されているが、詳細は後述する。
【０１３８】
なお、前記図２１〜図２３には示されていないが、描画装置用制御装置Ｃはクロック発生回路を有しており、各ＲＡＭ1〜ＲＡＭ50、振分回路ＣＦ1〜ＣＦ５０、および合計２００個（＝４個×５０組）のパラレル／シリアルコンバータ（Ｐ／Ｓ）Ｃ１〜（Ｐ／Ｓ）Ｃ4には、作動に必要なクロックパルスが入力されている。また、図２１では簡単のため各ＲＡＭへのアドレス信号は描画用コントローラＣ１から直接入力する構成が示されているが、描画用コントローラＣ１により制御されるアドレス発生回路を設け、前記アドレス発生回路から各ＲＡＭへのアドレス信号を入力する構成とすることが可能である。
いずれにしても、シャッタオン・オフデータ記憶装置ＣＭのデータをＲＡＭに記憶させたり、ＲＡＭの記憶データを複数のパラレル／シリアルコンバータに振り分けて伝送する技術は従来公知であり、従来公知の種々の技術を使用することが可能である。
【０１３９】
（実施例１の作用）
図２４は描画動作時における前記上側シャッタ基板１１４の、電源スイッチＳＷa、切替スイッチＳＷb，ＳＷc、切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3、シャッタ駆動メモリＭＥ0、シャッタ駆動スイッチＳＷ0、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4の動作または状態を示すタイムチャートである。図２５は前記図２４の続きのタイムチャートである。図２６は前記図２５の続きのタイムチャートである。
描画動作の開始直前は前記各スイッチＳＷa〜ＳＷc、ＳＷ0〜ＳＷ3は前記図２３の状態である。前記図２３の状態での前記各スイッチの状態および前記シャッタ駆動メモリＭＥ0の各ＤＦＦ（Ｄフリップフロップ）の出力は図２４に示すとおりであり、他の要素の状態は次に説明する。
【０１４０】
（１）電源スイッチＳＷa＝オフ
（２）切替スイッチＳＷb、ＳＷc＝オＸフ端子（シャッタ駆動電源Ｅbのマイナス端子と接続する端子）に接続
（３）切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3＝第１端子（図２３で接続されている端子）に接続
（４）シャッタ駆動メモリＭＥ0の各ＤＦＦ（Ｄフリップフロップ）の出力＝全て「０」
（５）５００個のシャッタ駆動スイッチＳＷ0の状態＝全てシャッタオン端子（ビームオフ端子、すなわち、図２４で接続されている端子）に接続
前記状態において、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4には、図２１に示す前記パラレル／シリアルコンバータ（Ｐ／Ｓ）Ｃ１〜（Ｐ／Ｓ）Ｃ4からシャッタオン・オフ信号１Ａi，１Ｂi，１Ｃi，１Ｄiが順次入力される。
【０１４１】
図２７は前記第１〜第４シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4のシャッタ駆動データ（シャッタオン・オフデータ）記憶動作時のタイムチャートである。
図２７に示すように、前記各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4の入力信号線に順次入力されるシャッタ駆動データ（シャッタオン・オフデータ）ＪＡi，ＪＢi，ＪＣi，ＪＤi（Ｊ＝１，２，…、i＝１，２，…）は、Ｊ＝１の場合は同一周期のクロックパルスＣＫによりＤＦＦ（Ｄフリップフロップ）にラッチされると同時に順次シフトされる。
前記Ｊ＝１の場合は、前記各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4にそれぞれ５００個のシャッタ空間Ｓ1，Ｓ3，…，Ｓ999を一度に開閉させる５００個のシャッタオン・オフデータを１回目に記憶させるデータであることを意味する。図２７に示すように、Ｊ＝１の場合に前記各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4にシャッタオン・オフデータを記憶させる動作は、前記各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4に対して同時に実行される。
【０１４２】
図２４〜図２６において、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4に記憶されるシャッタオン・オフデータＪＡi〜ＪＤi(Ｊ＝１，２，…）をカッコ[ ]で囲んだ[ＪＡi]〜[ＪＤi]は、シャッタオン・オフデータＪＡi〜ＪＤiの書込が終了している期間を示し、前記カッコ[ ]が付いていないＪＡi〜ＪＤiは、書込動作中であることを示している。
図２４において、Ｊ＝１のシャッタ駆動データ（シャッタオン・オフデータ）である１Ａi，１Ｂi，１Ｃi，１Ｄiが前記各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4に記憶されると、前記電源スイッチＳＷaがオンとなり、切替スイッチＳＷb、ＳＷcがオン・オフ端子（シャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999bに接続する端子）に接続される。
この状態では、前記（５）で説明したように、５００個のシャッタ駆動スイッチＳＷ0の状態＝全てビームオフ端子（シャッタがオンとなりビームがオフとなる端子、すなわち、図２３で接続されている端子）に接続された状態であり、全電子ビームはオフ状態（ウエハＷを描画しない状態）であるが、前記５００個のシャッタ駆動スイッチＳＷ0をオン、オフすることによりウエハＷへの描画が可能な状態となっている。
【０１４３】
この状態で周期Ｔ0のラッチパルスＬＣＨ（図２４参照）が出力される。このラッチパルスＬＣＨが出力されたとき、図２３から分かるように、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1の各ＤＦＦ（Ｄフリップフロップ）に記憶されたシャッタオン・オフデータ１Ａiが前記シャッタ駆動メモリＭＥ0のＤＦＦ（Ｄフリップフロップ）にラッチされる。
このとき、前記５００個のシャッタ駆動スイッチＳＷ0は前記シャッタ駆動メモリＭＥ0の５００個のＤＦＦの出力信号に応じてオン・オフされ、ウエハＷに対する電子ビームによる描画が行われる。
図２４において、前記シャッタ駆動メモリＭＥ0の出力およびシャッタ駆動スイッチＳＷ0の状態は、次にラッチパルスＬＣＨが出力されるまで同じ状態が保持される。また、前記シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1に記憶された前記シャッタオン・オフデータ１Ａiのラッチが行われた直後に、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1への次のシャッタオン・オフデータ２Ａiの書込（記憶動作）が開始される。
【０１４４】
また、前記ラッチパルスＬＣＨは、ＬＣＨカウンタ（ラッチパルスカウンタ）によりカウントされており、ＬＣＨカウンタのカウント値はＰで示されている。図２４〜図２６から分かるように、Ｐ＝１，５，９，１３，１７の場合にはＬＣＨ（ラッチパルス）の出力時からＴ0／２経過後にＳＷ1が第２端子（図２３で接続されている端子と異なる端子）に接続される。
このとき、図２３から分かるように、シャッタ駆動メモリＭＥ0はシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ2に接続される。
【０１４５】
この状態で次に、ラッチパルスＬＣＨが出力されると、前記ラッチパルスＬＣＨの立ち上がり時に前記シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ2のシャッタオン・オフデータ１Ｂiがシャッタ駆動メモリＭＥ0にラッチされる。このとき、シャッタ駆動スイッチＳＷ0は、前記シャッタオン・オフデータ１Ｂiのデータに応じた状態となり、ウエハＷに対する電子ビームの描画が行われる。
図２４において、前記シャッタ駆動メモリＭＥ0の出力およびシャッタ駆動スイッチＳＷ0の状態は、次にラッチパルスＬＣＨが出力されるまで同じ状態が保持される。また、前記シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ2に記憶された前記シャッタオン・オフデータ１Ｂiのラッチが行われた直後に、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ2への次のシャッタオン・オフデータ２Ｂiの書込（記憶動作）が開始される。
【０１４６】
図２４〜図２６から分かるように、Ｐ＝２，６，１０，１４，１８の場合にはＬＣＨ（ラッチパルス）の出力時からＴ0／２経過後にＳＷ2が第２端子（図２３で接続されている端子と異なる端子）に接続される。
このとき、図２３から分かるように、シャッタ駆動メモリＭＥ0はシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ3に接続される。
図２４において、以後同様にしてシャッタオン・オフデータ１Ｃiおよび１Ｄiによる描画を行った時には、前記シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1へのシャッタオン・オフデータ２Ａiの書込が終了しているので、続いて、シャッタオン・オフデータ２Ａi，２Ｂi，２Ｃi，２Ｄi，３Ａi，…によりウエハＷの描画を行うことができる。
【０１４７】
図２５においてラッチパルスＬＣＨは１０個出力されると、出力が停止される。これは、０.１ｍｍ×０.０５ｍｍの単位走査領域ＲＩ（図１７Ｂ、図１８参照）の描画（走査）はラッチパルスＬＣＨを１０個出力すると終了するので、一旦ラッチパルスＬＣＨの出力を停止してから、ＸテーブルおよびウエハＷをＸ軸方向に０.１ｍｍ×Ｑ×（−１）Qｍｍ移動させるためである。この移動については後で図３４のＳＴ65で詳述する。
前記Ｘテーブルの移動が終了すると、ラッチパルスＬＣＨが再び１０個続けて出力される。
なお、図２４〜図２６のタイムチャートの詳細は図３４〜図３６のフローチャートにより後で詳述する。
【０１４８】
前記図２４〜図２７のタイムチャートで説明した動作は上側シャッタ基板１１４の１本のスリットに形成されたシャッタ駆動電極を駆動する場合についてのタイムチャートであるが、上側シャッタ基板１１４の前記５０本のスリットに形成されたシャッタ駆動電極に対しても同様の動作を同期して実行する。また、下側シャッタ基板１１５、上側フィルタシャッタ基板１１７、および下側フィルタシャッタ基板１１８の各スリットに形成されたシャッタ駆動電極に対しても同様の動作を同期して実行する。
すなわち、前記各シャッタ基板１１４、１１５、１１７、１１８の各スリットに形成されたシャッタ駆動電極に対して前記動作を同期して実行することによりウエハＷ表面に同時に５００００（＝１０００×５０）本の電子ビームによる描画を行うことができる。
【０１４９】
図２８は本発明の描画装置用制御装置Ｃの描画用コントローラＣ１のフローチャートの説明図である。図３０は表示画面の説明図で、図３０ＡはＳＴ1で表示される画面、図３０ＢはＳＴ21で表示される画面である。
図２８のフローチャートの各ＳＴ（ステップ）の処理は、前記描画用コントローラＣ１のＲＯＭに記憶されたプログラムに従って行われる。
図２８のフローチャートは、描画用コントローラＣ１の電源オン時にスタートする。
図２８のＳＴ1において、ディスプレイＤ1に初期画面すなわち、第１選択画面（図３０Ａ参照）が表示される。
次にＳＴ2において「（７）終了」（図３０Ａ参照）が選択されたか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合は電源がオフとなって処理が終了する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ3に移る。
ＳＴ3において「（６）その他の動作」（図３０Ａ参照）が選択されたか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合は図２９のＳＴ21に移り、ノー（Ｎ）の場合はＳＴ4に移る。
【０１５０】
ＳＴ4において「（５）ウエハカセットＷＫをカセット収納室Ｆから搬出する動作」が選択されたか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ5に移る。
ＳＴ5においてカセット搬出動作を行う。この動作は前記仕切弁７（図３参照）を閉塞して前記外部仕切弁８を開放した状態で、図示しないチェーンコンベアにより搬送されるカセット搬送部材の上下に伸縮可能なエアシリンダ下端に設けた真空吸着パッドにより吸着されて搬出される。
次にＳＴ6において第１選択画面（図３０Ａ参照）の動作状態表示欄に「カセット搬出終了」を表示する処理を行ってから前記ＳＴ1に戻る。
このとき、ＳＴ1においては前記図３０Ａの初期画面の動作状態表示欄に「カセット搬出終了」が表示される。
【０１５１】
前記ＳＴ4においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ7に移る。
ＳＴ7において「（４）ウエハカセットＷＫをカセット収納室Ｆに搬入する動作」（図３０Ａ参照）が選択されたか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ8に移る。
ＳＴ8においてカセット搬入動作を行う。この動作は前記仕切弁７（図３参照）を閉塞して前記外部仕切弁８を開放した状態で、図示しないチェーンコンベアにより搬送されるカセット搬送部材の上下に伸縮可能なエアシリンダ下端に設けた真空吸着パッドにより吸着されて搬入される。
次にＳＴ9において第１選択画面（図３０Ａ参照）の動作状態表示欄に「カセット搬入終了」を表示する処理を行ってから前記ＳＴ1に戻る。
このとき、ＳＴ1においては前記図３０Ａの初期画面の動作状態表示欄に「カセット搬入終了」が表示される。
【０１５２】
前記ＳＴ7においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ10に移る。
ＳＴ10において「（３）ウエハをステージから退避する動作」（図３０Ａ参照）が選択されたか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ11に移る。
ＳＴ11においてＸＹステージＵ3からのウエハＷの退避動作を行う。この動作は前記外部仕切弁８（図３参照）を閉塞して前記仕切弁６，７を開放した状態で、前記搬送アーム９aにより、ウエハＷをＸＹステージＵ3からカセットＫに搬送することにより行う。
次にＳＴ12において第１選択画面（図３０Ａ参照）の動作状態表示欄に「ウエハ退避終了」を表示する処理を行ってから前記ＳＴ1に戻る。
このとき、ＳＴ1においては前記図３０Ａの初期画面の動作状態表示欄に「ウエハ退避終了」が表示される。
【０１５３】
前記ＳＴ10においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ13に移る。
ＳＴ13において「（２）ウエハをステージにセットする動作」（図３０Ａ参照）が選択されたか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ14に移る。
ＳＴ14においてＸＹステージＵ3にウエハＷをセットする動作を行う。この動作は前記外部仕切弁８（図３参照）を閉塞して前記仕切弁６，７を開放した状態で、前記搬送アーム９aにより、ウエハＷをカセットＫからＸＹステージＵ3に搬送することにより行う。
次にＳＴ15において第１選択画面（図３０Ａ参照）の動作状態表示欄に「ウエハセット終了」を表示する処理を行ってから前記ＳＴ1に戻る。
このとき、ＳＴ1においては前記図３０Ａの初期画面の動作状態表示欄に「ウエハセット終了」が表示される。
前記ＳＴ13においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ16に移る。
ＳＴ16において「（１）描画動作」（図３０Ａ参照）が選択されたか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合は図３１のＳＴ31に移る。
【０１５４】
図２９は前記図２８のＳＴ3でイエス（Ｙ）の場合の処理を示すフローチャートである。
前記ＳＴ3でイエス（Ｙ）の場合は、図２９のＳＴ21において、第２選択画面（図３０Ｂ参照）を表示する。
次にＳＴ22において「（１１）第２選択画面終了」（図３０Ｂ参照）が選択されたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ23に移る。
ＳＴ23において図３０Ｂに示す（１２），（１３），（１４），…のいずれかの中の選択された動作を実行する。
次にＳＴ24において、動作が終了したことの表示（例えば「（１２）真空試料室Ａの真空引き動作」が終了した場合には、「真空試料室Ａの真空引き動作終了」を第２選択画面（図３０Ｂ参照）の動作状態表示欄に表示する処理を行う。次にＳＴ21に移る。このときＳＴ21において、第２選択画面（図３０Ｂ参照）の動作状態表示欄に「真空試料室Ａの真空引き動作終了」表示される。
【０１５５】
前記ＳＴ22においてイエス（Ｙ）の場合（すなわち、「（１１）第２選択画面終了」が選択された場合はＳＴ25に移る。
ＳＴ25において第２選択画面の動作状態表示欄に表示されている内容を初期画面（第１選択画面）の動作状態表示欄に表示する処理を行う。次に前記ＳＴ1に戻る。このときＳＴ1において、前記第２選択画面の動作状態表示欄の表示内容が第１選択画面の動作状態表示欄に表示される。
【０１５６】
図３１は前記ＳＴ16においてイエス（Ｙ）の場合の処理、すなわち、前記第１選択画面において「（１）描画動作」が選択された場合の処理を示すフローチャートである。図３２はＳＴ33で表示される画面である。
図３１のＳＴ31においてウエハＷがＸＹステージＵ3にセットされているか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ32において、前記第１選択画面の動作状態表示欄に「ウエハがセットされていません。」を表示する処理を行う。次に前記ＳＴ1に戻る。このとき、ＳＴ1において第１選択画面の動作状態表示欄に「ウエハがセットされていません。」と表示される。
前記ＳＴ31においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ33に移る。
ＳＴ33においてウエハ情報および描画パターン番号入力画面（図３２参照）を表示する。
【０１５７】
ＳＴ34において入力が有ったか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ34を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ35に移る。
ＳＴ35において入力データを記憶し、画面に表示する。
次にＳＴ36において登録（図３２参照）が選択されたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はキャンセル（図３２参照）が選択されたか否か判断する。ＳＴ37においてノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ34に戻る。イエス（Ｙ）の場合は前記ＳＴ1に戻る。
前記ＳＴ36においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ38に移る。
ＳＴ38において入力データは正しいか否か（例えば、描画パターン番号が登録されている番号であるか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ39に移る。
ＳＴ39において図３２に示すウエハ情報および描画パターン番号入力画面のメッセージ表示欄に「データを正しく入力して下さい」を表示する処理を行う。そして前記ＳＴ33に戻る。このときＳＴ33において、図３２画面を表示するとともに、そのメッセージ欄に「データを正しく入力して下さい」を表示する。
【０１５８】
前記ＳＴ38においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ40に移る。
ＳＴ40において入力データをハードディスク等の不揮発性のウエハ情報記憶装置に記憶する。
次にＳＴ41において描画を行うチップ番号ＮをＮ＝０とする。
次にＳＴ42において電子銃をオンにする。
次にＳＴ43において各シャッタ基板１１４，１１５，１１７，１１８（図１５参照）のスリット＃１（図１７Ａ参照）のシャッタ空間Ｓ1（図１６参照）を通過する電子ビームの照射位置に、Ｎ番のチップＴN（図１９、図２０参照）の描画基準位置（ＸN，ＹN）（図１９参照）を移動する。この移動はＸＹステージＵ3を移動させることにより行う。
【０１５９】
図３３は前記図３１のＳＴ43の続きのフローチャートである。
図３３のＳＴ44においてＸテーブルを＋１０ｍｍ移動させる。前記＋１０ｍｍの移動は、図１９、図２０においてウエハＷを支持するＸテーブルがＸ方向に移動することを意味し、−１０ｍｍの移動は−Ｘ方向に１０ｍｍ移動することを意味する。
このＳＴ44の移動は図１９に示すチップＴN（Ｎ＝１，２，…）の描画基準位置（ＸN，ＹN）が、スリット＃１（図１７Ａ参照）のシャッタ空間Ｓ1（図１６参照）を通過する電子ビームの照射位置になっている状態から、チップＴNをＸ方向に１０ｍｍ移動させることになる。
このとき、前記電子ビームのスリット＃１（図１７Ａ参照）のシャッタ空間Ｓ1（図１６参照）を通過する電子ビームの照射位置は、図１８、図１９のＲＡ1の領域Ｒ1（図１８参照）のＸ端且つ右端の位置１Ｒ0（図１８参照）となる。
【０１６０】
次にＳＴ45においてｎ＝０、ｍ＝０とする。
ｎは、Ｙ方向０.０５ｍｍ幅走査回数カウンタの値であり、図１９のＹ方向０.０５ｍｍ幅の領域ＲＡ1，ＲＡ2，…，ＲＡ300，ＲＢ1〜ＲＢ300，またはＲＣ１〜ＲＣ300をそれぞれ３００回づつ走査するための走査回数カウンタのカウント値である。
ｍはＸ方向５ｍｍ幅の描画回数（走査回数）カウンタの値であり、図１９のＸ方向５ｍｍ幅の走査領域（描画領域）ＲＡ，ＲＢ，ＲＣを走査するためのカウンタのカウント値である。
【０１６１】
次ＳＴ46において単位走査領域Ｒ1〜Ｒ50の描画のためのＸＹステージＵ3の移動処理を行う。このサブルーチンは図３４に示されている。
次にＳＴ47においてｎ≧３００か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ48弐移る。
ＳＴ48においてＹテーブルを０.０５ｍｍ（図１７Ｂ、図１８参照）移動する。次に前記ＳＴ46に戻る。
前記ＳＴ47においてイエス（Ｙ）の場合は次のＳＴ49に移る。
ＳＴ49においてｎ＝０、ｍ＝ｍ＋１とする。これは例えば、図１９の領域ＲＡの描画（走査）が終了したときに、次の領域ＲＢの描画を開始するためにＹ方向０.０５ｍｍ幅走査回数カウンタの値ｎを０にリセットし、Ｘ方向５ｍｍ幅の描画回数（走査回数）カウンタの値ｍの値を１とすることを意味する。
【０１６２】
次にＳＴ50においてｍ≧３か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＹテーブルを−１４.９５ｍｍ移動する。これは例えば、図１９のチップＴNの電子ビーム照射位置がＲＡ300である場合にＹテーブルを−Ｙ方向に移動して、チップＴNの電子ビーム照射位置がＲＡ1となるようにすることを意味する。
次にＸテーブルを−５ｍｍ移動する。これは例えば電子ビーム照射位置をＲＡ1からＲＢ1に移動させるためにＸテーブルを−Ｘ方向に５ｍｍ移動させることを意味する。
次に前記ＳＴ46に戻る。
【０１６３】
前記ＳＴ50においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ53に移る。
ＳＴ53においてＮ＝Ｎ＋１とする。これはチップＴNの描画が終了したので、次のチップＴN+1の描画に移ることを意味する。
次にＳＴ54においてＮ≧３００か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ43に戻る。イエス（Ｙ）の場合は、ウエハＷ上の３００個の全チップの描画が終了したことを意味する。この場合はＳＴ55に移る。
ＳＴ55において電子銃をオフとする。
次にＳＴ56において描画を終了したウエハＷのウエハＩＤと前記ウエハＷを描画したパターン番号とをウエハ情報記憶装置に記憶する。
次に、ＳＴ57において第１選択画面の動作状態表示欄に「ウエハＩＤ＝………のウエハの描画パターン番号………の描画終了」を表示する処理を行う。
次に前記ＳＴ1に戻る。このとき、ＳＴ1において第１選択画面が表示され且つその動作状態表示欄に「ウエハＩＤ＝……のウエハの描画パターン番号……の描画終了」が表示される。
【０１６４】
図３４は前記図３３のＳＴ46のサブルーチンである。
図３４のＳＴ61においてＸテーブルを＋２.５ｍｍ移動させる。これは図１８においてウエハ上のビーム照射位置が１Ｒ0から２６Ｒ0に移動するように、ＸテーブルをＸ方向に２.５ｍｍ移動させることを意味する。
次にＳＴ62においてシャッタ制御フラグＦr＝「１」とする。シャッタ制御フラグＦrはウエハＷ上のチップの描画を行う位置（ビーム照射位置）に移動して描画開始が可能であることを示すフラグであり初期値はＦr＝「０」である。シャッタ制御フラグＦr＝「１」になると、シャッタ制御フロー（図３５参照）が開始されて電子ビームのオン・オフによる描画が開始される。シャッタオン・オフ制御フローは、ＳＴ1以下のフローと並行してマルチタスクで実行されフローである。このシャッタオン・オフ制御フローは、図３５により後述する。
【０１６５】
ＳＴ63においてシャッタ制御フラグＦrがＦr＝「０」になったか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ63を繰り返し実行する。
すなわち、前記ＳＴ62においてシャッタ制御フラグＦr＝「１」とするとシャッタオン・オフ制御フローが開始され、単位走査領域ＲＩ（Ｉ＝１または２，…）の描画が開始されるが、その単位走査領域ＲＩの描画が終了するまではＦr＝「１」のままであり、単位走査領域ＲＩの描画が終了すると、シャッタオン・オフ制御フローにおいてＦr＝「０」とされる。このため、ＳＴ63では単位走査領域ＲＩの描画が終了して、Ｆr＝「０」となるのを待っているのである。すなわち、Ｆr＝「０」となった場合、単位走査領域ＲＩの描画が終了したことを意味する。なお、最初に描画を行う単位走査領域はＲ26（図１８参照）である。
ＳＴ63においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ64に移る。
ＳＴ64において、単位走査領域ＲＩ（Ｉ＝１〜５０）（図１８参照）を走査するために使用するカウンタのカウント値Ｑ（Ｑ＝０〜４９、初期値はＱ＝０）をＱ＝Ｑ＋１とする。Ｑの初期値は０であるので、前記単位走査領域Ｒ26の描画が終了したときにはＱ＝Ｑ＋１＝１となる。
【０１６６】
次にＳＴ65においてＸテーブルを０.１ｍｍ×Ｑ×（−１）Q移動する。このとき、Ｑ＝１であれば、図１８の単位走査領域Ｒ26からＲ25に−０.１ｍｍ移動することになる。また、Ｑ＝２であれば、図１８の単位走査領域Ｒ25からＲ27に０.２ｍｍ移動することになる。また、Ｑ＝４９であれば、図１８の単位走査領域Ｒ50からＲ1に−４.９ｍｍ移動することになる。
次にＳＴ66においてＱ≧５０か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ62に戻る。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ67に移る。
ＳＴ67においてＱ＝０、ｎ＝ｎ＋１とする。前記ｎ（ｎ＝１〜２９９）はＹ方向０.５ｍｍ幅の描画回数（走査回数）をカウントするカウンタであり、前記ｎが１加算されることは前記図１８に示すＲ1〜Ｒ50の全領域が１回描画されたことを意味する。
ＳＴ67の次に前記ＳＴ47（図３３参照）に移る。
【０１６７】
図３５はシャッタオン・オフ制御のフローチャートである。この制御は前記第１画面で「（１）描画動作」が選択されるとスタートする。図３６は前記図３５の続きのフローチャートである。
図３５のＳＴ71において次の処理を実行する。
（１）ＳＷaをオンにする。
（２）切替スイッチＳＷb，ＳＷcをビームオフ端子（シャッタオン端子）に接続する。
（３）Ｙ偏向器駆動電圧Ｖyを、Ｖy＝Ｖy0（ただし、Ｖy0＝初期値）とする。
次にＳＴ72においてシャッタ制御フラグＦr＝「１」か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ72を繰り返し実行する。
前記図３４のＳＴ62においてＦr＝「１」になると、イエス（Ｙ）になる。この場合、ウエハＷは描画位置に移動している。
ＳＴ72においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ73に移る。
【０１６８】
ＳＴ73以下の処理は図２４〜図２７のタイムチャートに示されている動作を行う処理である。
ＳＴ73において、図２４に示されているように次の処理を行う。
（１）切替スイッチＳＷb、ＳＷcをオン・オフ端子に接続する。
（２）ラッチパルスＬＣＨを出力する。
（３）ラッチカウンタのカウント値Ｐ＝Ｐ＋１とする。なお、Ｐの初期値は０である。
（４）タイマＴＭ1にＴ0／２（前記Ｔ0はラッチパルスＬＣＨの周期である）をセットする。
（５）タイマＴＭ2にＴ0をセットする。
【０１６９】
次にＳＴ74においてＴＭ1はタイムアップしたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ74を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ75に移る。
ＳＴ75においてＰ＝１，５，９，１３，１７のいずれかであるか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ76に移る。
ＳＴ76において、図２４〜図２６のタイムチャートから分かるように、Ｐ（ラッチパルスＬＣＨカウンタのカウント値）がＰ＝１，５，９，１３，１７の場合にはＳＷ1を第２端子に接続する。次に前記ＳＴ80に移る。
【０１７０】
前記ＳＴ75でノー（Ｎ）の場合はＳＴ77に移る。
ＳＴ77においてＰ＝２，６，１０，１４，１８のいずれかであるか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ78に移る。
ＳＴ78において、図２４〜図２６のタイムチャートから分かるように、Ｐ（ラッチパルスＬＣＨカウンタのカウント値）がＰ＝２，６，１０，１４，１８の場合にはＳＷ2を第２端子に接続する。
次にＳＴ79においてＰ＝１０か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ80に移る。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ98に移る。
前記ＳＴ80においてタイマＴＭ2はタイムアップしたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ80を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ81に移る。
ＳＴ81においてＶy＝Ｖy＋ｖとする。次に前記ＳＴ73に戻る。
【０１７１】
前記ＳＴ77においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ91に移る。
ＳＴ91においてＰ＝３，７，１１，１５，１９のいずれかであるか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ92に移る。
ＳＴ92において、図２４〜図２６のタイムチャートから分かるように、Ｐ（ラッチパルスＬＣＨカウンタのカウント値）がＰ＝３，７，１１，１５，１９のいずれかの場合にはＳＷ3を第２端子に接続する。次にＳＴ93に移る。
【０１７２】
前記ＳＴ91においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ95に移る。ＳＴ91においてノー（Ｎ）の場合は、図２４〜図２６のタイムチャートから分かるように、Ｐ（ラッチパルスＬＣＨカウンタのカウント値）がＰ＝４，８，１２，１６，２０のいずれかである。この場合すなわち、図２４〜図２６のタイムチャートから分かるように、Ｐ（ラッチパルスＬＣＨカウンタのカウント値）がＰ＝４，８，１２，１６，２０のいずれかの場合には、ＳＷ1，ＳＷ2，ＳＷ3を第１端子に接続する。
次にＳＴ96においてＰ＝２０か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ93に移る。
ＳＴ93においてタイマＴＭ2はタイムアップしたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ93を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ94に移る。
ＳＴ94においてＶy＝Ｖy＋ｖとする。次に前記ＳＴ73に戻る。
【０１７３】
前記ＳＴ96においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ97に移る。
ＳＴ97においてＰ＝０とする。
次にＳＴ98においてタイマＴＭ2はタイムアップしたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ98を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ99に移る。
ＳＴ99において次の処理を行う。
（１）切替スイッチＳＷb，ＳＷcをビームオフ端子（シャッタオン端子）に接続する。
（２）Ｆr＝「０」とする。
（３）Ｖy＝Ｖy0とする。なお、Ｖy0はＶyの初期値である。
次に前記ＳＴ72に戻る。
【０１７４】
図３７はシャッタ駆動データ（シャッタオン・オフデータ）ＪＡi，ＪＢi，ＪＣi，ＪＤi（Ｊ＝１，２，…、i＝１，２，…）の伝送開始処理のフローチャートである。
図３７の処理は第１選択画面で描画動作が選択されるとスタートする。
ＳＴ101においてウエハ情報、描画パターン情報等の入力データが記憶されたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ101を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ102に移る。
ＳＴ102においてシャッタオン・オフデータ記憶装置ＣＭからオン・オフデータＪＡi〜ＪＤiを読出して、各シャッタ基板１１４，１１５，１１７，１１８用のＲＡＭ1〜ＲＡＭ50毎に振り分け、振分回路ＣＦ1〜ＣＦ50、（Ｐ／Ｓ）Ｃ１〜（Ｐ／Ｓ）Ｃ4（図２１参照）等を介してＭＥ1〜ＭＥ4への伝送を開始する。
【０１７５】
ＳＴ103においてラッチパルスＬＣＨの出力が有ったか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ103を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ104に移る。
ＳＴ104においてＰ＝１，５，９，１３，１７のいずれかであるか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ106に移り、イエス（Ｙ）の場合はＳＴ105においてＭＥ1へのＪＡiの伝送を開始してからＳＴ106に移る。
ＳＴ106においてＰ＝２，６，１０，１４，１８のいずれかであるか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ108に移り、イエス（Ｙ）の場合はＳＴ107においてＭＥ2へのＪＢiの伝送を開始してからＳＴ108に移る。
ＳＴ108においてＰ＝３，７，１１，１５，１９のいずれかであるか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ110に移り、イエス（Ｙ）の場合はＳＴ109においてＭＥ3へのＪＣiの伝送を開始してからＳＴ111に移る。
前記ＳＴ108においてノー（Ｎ）の場合はＰ＝４，８，１２，１６，２０のいずれかの場合である。
この場合はＳＴ110においてＭＥ4へのＪＤiの伝送を開始してからＳＴ111に移る。
ＳＴ111においてウエハＷの全チップの描画が終了したか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ103に戻る。イエス（Ｙ）の場合は処理を終了する。
【０１７６】
図３８はシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4へのデータ伝送停止処理のフローチャートである。
この図３８の処理は第１選択画面で描画動作が選択されるとスタートする。
図３８のＳＴ121においてシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1への５００個のシャッタ駆動信号ＪＡiの蓄積が終了したか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ123に移り、イエス（Ｙ）の場合はＳＴ122においてＭＥ1への伝送を停止してからＳＴ123に移る。
ＳＴ123においてシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ2への５００個のシャッタ駆動信号ＪＢiの蓄積が終了したか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ125に移り、イエス（Ｙ）の場合はＳＴ124においてＭＥ2への伝送を停止してからＳＴ125に移る。
【０１７７】
ＳＴ125においてシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ3への５００個のシャッタ駆動信号ＪＣiの蓄積が終了したか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ127に移り、イエス（Ｙ）の場合はＳＴ126においてＭＥ3への伝送を停止してからＳＴ127に移る。
ＳＴ127においてシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ4への５００個のシャッタ駆動信号ＪＤiの蓄積が終了したか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ121に戻り、イエス（Ｙ）の場合はＳＴ128においてＭＥ4への伝送を停止してから前記ＳＴ121に戻る。
【０１７８】
（シャッタ基板の変更例１）
図３９は前記実施例１の図２３に示した上側シャッタ基板の変更例１の説明図である。図４０は描画動作時における前記図３９の上側シャッタ基板１１４の、電源スイッチＳＷa、切替スイッチＳＷb，ＳＷc、切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3、シャッタ駆動スイッチＳＷ0、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4の動作または状態を示すタイムチャートである。
このシャッタ基板の変更例１はシャッタオン・オフ駆動回路、および駆動回路の制御方法が前記実施例１と異なっている。
すなわち、図３９において、変更例１の上側シャッタ基板１１４は、前記図２３のシャッタ駆動メモリＭＥ0およびラッチパルスＬＣＨの伝送線が省略されている。したがって、シャッタ切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3の切替によってシャッタオン・オフを行っている。
図４０において、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4に記憶されるシャッタオン・オフデータＪＡi〜ＪＤi(Ｊ＝１，２，…）をカッコ[ ]で囲んだ[ＪＡi]〜[ＪＤi]は、シャッタオン・オフデータＪＡi〜ＪＤiの書込が終了している期間を示し、前記カッコ[ ]が付いていないＪＡi〜ＪＤiは、書込動作中であることを示している。
【０１７９】
図４０に示すように、シャッタオン・オフデータ１Ａi〜１Ｄiの書込終了時に電源スイッチＳＷaをオン、切替スイッチＳＷb、ＳＷcをオン・オフ端子（シャッタ対向電極Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999bに接続する端子）に接続することにより、シャッタ駆動スイッチＳＷ0をシャッタオン・オフデータ１Ａiによりオン・オフすることができ、次に切替スイッチＳＷ1を第２端子（図３９で接続されていない端子）に接続することにより、シャッタ駆動スイッチＳＷ0をシャッタオン・オフデータ１Ｂiによりオン・オフすることができる。
したがって、図３９に示すシャッタ基板の変更例１を使用することにより、前記実施例１と同様にウエハＷを５００００本の電子ビームで同時に描画することができる。
【０１８０】
（シャッタ基板の変更例１のフローチャート）
図４１はシャッタオン・オフ制御のフローチャートである。この制御は前記図３５に対応するフローチャートである。図４２は前記図４１の続きのフローチャートであり、前記図３６に対応する図である。
図４１は、前記図３５のＳＴ80が省略され且つ図３５のＳＴ73，ＳＴ74の代わりにＳＴ73′，ＳＴ74′が設けられている。また、図４２は、前記図３６のＳＴ93，ＳＴ98が省略されている。
そして、前記ＳＴ73′では前記ＳＴ73のタイマＴＭ1が省略されている。
前記ＳＴ73′のタイマＴＭ2に設定されるタイマ時間Ｔ0の周期で前記スイッチＳＷ1〜ＳＷ3の切替を行うことによりシャッタオン・オフを行っている。
【０１８１】
（シャッタ基板の変更例２）
図４３は前記実施例１の図２３に示した上側シャッタ基板の変更例２の説明図である。
図４３に示す変更例２の上側シャッタ基板１１４は、前記図３９の変更例１の上側シャッタ基板１１４において、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4を構成するＤＦＦ（Ｄフリップフロップ）が、２５５個のシャッタ駆動電極Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ499a駆動用と、２５５個のシャッタ駆動電極Ｓ501a，Ｓ503a，…，Ｓ999a駆動用とで分離されている。
したがって、シャッタオン・オフデータＪＡi〜ＪＤi（ｉ＝１，３，…，９９９）は、（ＪＡi，ＪＡi+500）〜（ＪＤi，ＪＤi+500）（ｉ＝１，３，…，４９９）に分割してそれぞれ２５５個のＤＦＦに順次ラッチされ、シフトされて記憶される。
この場合、５００個のシャッタオン・オフデータＪＡi〜ＪＤi（ｉ＝１，３，…，９９９）を、前記各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4に記憶させるのに要する時間が１／２に短縮される。したがって、１本のスリットに２０００個のシャッタ空間Ｓ1，Ｓ2，…，Ｓ2000を形成しても、前記図２３、または図３９のシャッタ基板と同一時間でスリット１本分のデータをシャッタ駆動信号一時記憶メモリに記憶させることが可能である。
【０１８２】
（シャッタ基板の変更例３）
図４４は前記実施例１の図２３に示した上側シャッタ基板の変更例３の説明図である。
図４４において、変更例３の上側シャッタ基板１１４は、前記図４３の変更例２の上側シャッタ基板１１４において、シャッタ駆動メモリＭＥ0を設けた点、およびシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ5〜ＭＥ8を設けた構成となっている。
この場合、５００個のシャッタオン・オフデータＪＡi〜ＪＤi（ｉ＝１，３，…，９９９）を、前記各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4に記憶させるのに要する時間が実施例１の図２３のシャッタ基板に比べて１／２に短縮される。また、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ8の数が前記実施例１の図２３に示すシャッタ基板の２倍となっている。
このため、前記実施例１の図２３に示すシャッタ基板に比べて、ラッチパルスＬＣＨの周期が１／２と高速になっても、対応することが可能である。
【０１８３】
（シャッタ基板の変更例４）
図４５は前記実施例１の図２３に示した上側シャッタ基板の変更例４の説明図である。上側および下側シャッタ基板１１４，１１５上の１本のスリットに属する５００個のシャッタ回路に各々複数の信号伝送配線を形成することは、スリット間の空間が狭いので困難である。このシャッタ基板の変更例４は、５００個のシャッタを９本の配線で特定して駆動信号を送信することが可能である。
図４５において、変更例４の上側シャッタ基板１１４は、９本のアドレス信号線が入力している５００個のＡＮＤ素子を有しており、各ＡＮＤ素子の入力端子は、ＡＮＤ１は全て反転入力端子であり、ＡＮＤ２は最下位の１ビット以外は反転入力端子である。また、ＡＮＤ５００は下位から３，４ビット目のみが反転入力端子である。
【０１８４】
この場合、９本のアドレス信号線全ての入力が「０００００００００」の場合（すなわち、１０進数で０の場合）はＡＮＤ１の出力のみが１となる。
また、９本のアドレス信号線のうち最下位の１ビットのみ「１」で後の全ての入力が「０」の場合すなわち入力信号が、「００００００００１」の場合（すなわち、１０進数で１の場合）はＡＮＤ２の出力のみが１となる。
また、９本のアドレス信号線のうち下位から３，４ビット目のみ「０」で後の全ての入力が「１」の場合すなわち入力信号が、「１１１１１００１１」の場合（すなわち、１０進数で４９９の場合）はＡＮＤ５００の出力のみが１となる。
【０１８５】
したがって、前記９本のアドレス信号線に「０００００００００」〜「１１１１１００１１」を順次入力するとともに信号入力線に順次シャッタオン・オフ信号ＪＡi〜ＪＤiを入力することにより、各シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4にシャッタオン・オフ信号を記憶させることができる。
したがって、前記実施例１と同様の作用を奏することができる。
【０１８６】
（実施例２）
図４６は本発明の描画装置の実施例２の要部説明図で、前記実施例１の図９に対応する図である。図４７は同実施例２のウエハ上のチップの描画順序の説明図で前記実施例１の図２０に対応する図である。図４８はウエハＷ上に形成された１チップのサイズが１５ｍｍ×１５ｍｍの場合の１チップの描画順序の拡大説明図で、前記実施例１の図１９に対応する図である。図４９は前記ウエハ表面を荷電粒子ビームにより前記Ｙ軸方向に前記ピッチａでｍ回走査したときに前記荷電粒子ビームが走査する面積である単位走査面積をＳ0としたとき、ｑおよびｐを整数（ｑ＝５、Ｐ＝１０）とした場合に、前記単位走査面積Ｓ0の走査をｑ×ｐ回実行して、前記単位走査面積Ｓ0をＸ軸方向にｑ個並べ且つＹ軸方向にｐ個並べた走査面積ｑ×ｐ×Ｓ0＝ｑｐＳ0＝５０Ｓ0のウエハ停止状態走査領域を走査する走査順序の説明図である。図５０は前記図４８の３分割した領域のうちの１つの領域の走査順序の説明図で、前記実施例１の図１８に対応する図である。
【０１８７】
なお、この実施例２の説明において、前記実施例１の構成要素に対応する構成要素には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
この実施例２は、下記の点で前記実施例１と相違しているが、他の点では前記実施例１と同様に構成されている。
図４６において、Ｙ偏向器Ｆ18は第１Ｙ偏向器Ｆ１８aおよび第２Ｙ偏向器Ｆ１８bを有し、Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18は第１Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18a、第２Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18bを有している。
前記第１Ｙ偏向器Ｆ18aおよび第１Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18aは、荷電粒子ビームをウエハＷ上でＹ軸方向にピッチａ（ａ＝０.１μｍ）で走査するために使用される。前記第２Ｙ偏向器Ｆ18bおよび第２Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18bは、描画用の荷電粒子ビームをウエハＷ上でＹ軸方向にピッチｍｎａ（ａ＝０.１μｍ）で走査するために使用される。なお、ｍ＝１０、ｎ＝５０である。
前記Ｘ偏向器Ｆ17およびＸ偏向器駆動回路Ｅ17は、描画用の荷電粒子ビームをウエハＷ上でａｋ（ｋ＝１０００）＝０.１×１０００（μｍ）＝１００（μｍ）＝０.１ｍｍ単位で移動させるために使用される。
【０１８８】
図４７においてウエハＷ上においてチップＴ1，Ｔ2，…，ＴN，ＴN+1，…の順序でチップ１個づつが順次描画される。
図４８において１個のチップは描画領域ＲＡ，ＲＢ，ＲＣの順序で描画される。
図４９において描画領域ＲＡの右端の単位走査領域Ｓ0の個数は５０であり、各単位走査領域Ｓ0の右下のビーム照射点は１Ｒ0〜５０Ｒ0で示している。Ｘ軸方向に並んだ２６Ｒ0〜３０Ｒ0を含むｑ（ｑ＝５個）の単位走査領域Ｓ0とそれらの左方に並ぶｐ（ｐ＝１０）個の単位走査領域Ｓ0により構成される５０個の単位走査領域であるウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0＝５×１０×Ｓ0＝５０Ｓ0は１ＲＡ0で示されており、ＸＹステージＵ3が停止した状態で走査される。
この５０個のＳ0を１個づつＸＹステージＵ3を移動させながら描画すると５０回のステージ移動が必要であるが、上記の停止状態で５０個のＳ0を電子ビーム偏向によって描画すると、ステージ移動は１回に削減でき、高速な描画を行うことができる。
前記ウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0＝５×１０×Ｓ0＝５０Ｓ0の描画が終了して次のウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0＝５×１０×Ｓ0＝５０Ｓ0の描画を行う際にはＸＹステージＵ3の移動を行うう
【０１８９】
図４９においてｑは単位走査領域Ｘカウンタの値を示し、ｑ＝０〜５であり、ｑ＝５になるとｑ＝０（０は初期値）とされる。また、ｐは単位走査領域Ｙカウンタのカウント値を示し、ｐ＝０〜１０であり、ｐ＝１０になるとｐ＝０（０は初期値）とされる。
そして、図４９において１ＲＡ0の５０個の単位走査面積Ｓ0は１〜５０で示されており、（ｑ，ｐ）＝（０，０）のときに１で示す単位走査領域Ｓ0が走査され、（ｑ，ｐ）＝（１，０）のときに２で示される単位走査領域が走査される。この詳細は後述する。
【０１９０】
図５０において、１ＲＡ0〜１ＲＡ9はそれぞれ前記図４９に示すような５０個の単位走査領域Ｓ0により構成されており、前記描画領域ＲＡは、先ずその右端の１ＲＡ0〜１ＲＡ9の順序で走査され、１ＲＡ0はカウンタＱ＝０のときに走査され、１ＲＡ9はカウンタＱ＝9のときに走査される。
次に前記（１ＲＡ0〜１ＲＡ9）の走査（Ｘ方向１０回移動）と同じ走査を（２ＲＡ0〜２ＲＡ9）〜（３０ＲＡ0〜３０ＲＡ9）に対して繰り返し実行（Ｙ方向３０回移動）すると前記ＲＡ（図４８参照）の領域の描画を完了することができる。すなわち前記ＲＡ（図４８参照）の領域の描画は、ＸＹステージをＸ方向に３００（＝１０×３０）回、Ｙ方向に３０回の合計３３０回移動することにより完了する。したがって、図４８から分かるように、ＲＢ，ＲＣに対しても、ＸＹステージの３３０回の移動により描画が完了するので、１チップの描画は合計９９０回のＸＹステージの移動により完了することができる。
【０１９１】
もし仮に図４９のＳ0を１個描画するたびに、ＸＹステージの移動を行うと仮定した場合、１ＲＡ0の走査を完了するのに、Ｘ方向に５０回、Ｙ方向に１０回の合計６０回の移動を行う必要がある。この場合、１ＲＡ0〜１ＲＡ9（図５０参照）の描画を行うのに必要なＸＹステージの移動回数は、合計６００（＝６０×１０）回となり、ＲＡの走査に必要なＸＹステージの移動回数は１８０００回（＝６００×３０）、１５ｍｍ角１チップの描画に要するＸＹステージ移動回数は、５４０００（１８０００×３）回の移動を行う必要がある。
したがって、前記実施例２のＸＹステージの移動回数３３０回は、前記Ｓ0を１個走査する度にＸＹステージを移動させる際の移動回数５４０００回に比べて非常に少なくなる。このため、ステージ移動時間が減少する。
【０１９２】
図５１は本発明の実施例２の制御部の説明図で、シャッタ駆動回路を制御する描画装置用制御装置の説明図であり、前記実施例１の図２１に対応する図である。図５２は本発明の実施例２の制御部の説明図で前記図５１の続きの部分を示す図であり、前記実施例１の図２２に対応する図である。
なお、この実施例２のシャッタ基板の構成は前記実施例１と同一である。
図５２において、Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18は、第１Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18aおよび第２Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18bを有している。
【０１９３】
本実施例２の描画装置用制御装置Ｃは、前記実施例１と同様の機能を有する以外に、次に示す機能を有する点で前記実施例１と相違している。
Ｃ１D：停止ウエハ走査制御手段
停止ウエハ走査制御手段Ｃ１Dは、スリット幅ピッチ走査用制御手段Ｃ１D1と、Ｙ軸方向ビーム位置制御手段Ｃ１D2と、Ｘ軸方向ビーム位置制御手段Ｃ１D3とを有している。この実施例２のスリット幅ピッチ走査用制御手段Ｃ１D1の機能は前記実施例１と同様である。
Ｃ１D2：Ｙ軸方向ビーム位置制御手段
Ｙ軸方向ビーム位置制御手段Ｃ１D2は、前記ウエハＷ上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向にピッチａ×ｍ×ｎで移動させるように前記第２Ｙ偏向器駆動回路Ｅ18bを制御する。
Ｃ１D3：Ｘ軸方向ビーム位置制御手段
Ｘ軸方向ビーム位置制御手段Ｃ１D3は、前記ウエハ（Ｗ）上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに平行なＸ軸方向にピッチａ×ｋで移動させるように前記Ｘ偏向器駆動回路（Ｅ17）を制御する。
【０１９４】
Ｃ１E1：停止ウエハ走査領域移動用ＸＹステージ制御手段
本実施例２の停止ウエハ走査領域移動用ＸＹステージ制御手段Ｃ１F1は、前記ウエハＷが停止した状態で前記荷電粒子ビームにより走査されるウエハＷ表面の前記走査面積ｑｐＳ0であるウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0の走査を前記停止ウエハ走査制御手段Ｃ１Dが終了する毎に、次のウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0の走査を実行可能な位置に、ウエハＷおよび前記ウエハＷを支持する前記ＸＹステージＵ3を、移動させる
【０１９５】
図５３は実施例２の描画装置の描画動作時における前記上側シャッタ基板１１４の、電源スイッチＳＷa、切替スイッチＳＷb，ＳＷc、切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3、シャッタ駆動メモリＭＥ0、シャッタ駆動スイッチＳＷ0、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4の動作または状態を示すタイムチャートであり、前記実施例１の図２４に対応する図である。図５４は前記図５３の続きのタイムチャートである。図５５は前記図５４の続きのタイムチャートである。
なお、この実施例２のシャッタ基板の構成は前記実施例１と同一である。
【０１９６】
（タイムチャート（図５３〜図５５参照）の説明）
図５３のタイムチャートにおいて、第１Ｙ偏向器駆動電圧Ｖy，Ｘ偏向器駆動電圧Ｖx，および第２Ｙ偏向器駆動電圧Ｕyの初期値は次のとおりである。
Ｖyの初期値＝Ｖy0
Ｗxの初期値＝Ｗx0
Ｕyの初期値＝Ｕy0
【０１９７】
図４９の１〜５０で示される単位走査領域Ｓ0のうちの１番目の単位走査領域Ｓ0（図４９のｑ＝０に対応する領域）を描画する際、図５３においてＬＣＨ（ラッチパルス、図２３参照）Ｐが順次出力される。前記ＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐ（＝１）が出力されたときのＶy，Ｗx，Ｕyは次のとおりである。
Ｖy＝Ｖy0
Ｗx＝Ｗx0
Ｕy＝Ｕy0
前記１番目の単位走査領域Ｓ0を走査する際、前記ＬＣＨ（ラッチパルス、図２３参照）Ｐが順次出力される。図５３〜図５５に示すように、ＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐが順次出力される度にＶy0は＋ｖされて、ＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐ（＝１０）が出力されたときにはＶy＝Ｖy0＋９ｖとなる。なお、ＶyはＶy＝Ｖy0＋９ｖの次には、Ｖy＝Ｖy0となる。これは前記実施例１と同様であるが、後述のフローチャートでも説明する。
その間、Ｗx＝Ｗx0、Ｕy＝Ｕy0のままである。
【０１９８】
ＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐ（＝１１）が出力されたときに前記１番目の単位走査領域Ｓ0（図４９のｑ＝０に対応する領域）の描画が終了して、次の２番目の単位走査領域Ｓ0（図４９のｑ＝１に対応する領域）の描画が開始される。
図５４において、ＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐのカウント値ＰがＰ＝１１のとき、Ｖy，Ｗx，Ｕyは次の値である。
Figure 0003836614
前記２番目の単位走査領域Ｓ0を走査する際、前記ＬＣＨ（ラッチパルス、図２３参照）Ｐ（＝１１〜２０）が順次出力される度にＶy0は、＋ｖだけ加算されて、ＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐ（＝２０）が出力されたときのＶy＝Ｖy0＋９ｖである。
その間、Ｗx＝Ｗx0＋ｗ、Ｕy＝Ｕy0のままである。
【０１９９】
図５４において、ＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐのカウント値がＰ＝２０の次にはＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐのカウント値はＰ＝１となる。このとき、前記２番目の単位走査領域Ｓ0（図４９のｑ＝１に対応する領域）の描画が終了して、次の３番目の単位走査領域Ｓ0（図４９のｑ＝２に対応する領域）の描画が開始される。
図５４において、ＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐのカウント値Ｐ＝２０の次のＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐのカウント値ＰはＰ＝１となる。このときのＶy，Ｗx，Ｕyは次の値である。
Figure 0003836614
この場合すなわち、前記２番目の単位走査領域Ｓ0（図４９参照）の描画が終了して、次の３番目の単位走査領域Ｓ0（図４９参照）の描画が開始されるときには、Ｘ偏向器Ｆ17の駆動電圧はＷx−ｗである。
【０２００】
図４９において４番目の単位走査領域Ｓ0（図４９のｑ＝３に対応する領域）の描画時のＷxの値は次のようである。
Figure 0003836614
図４９において５番目の単位走査領域Ｓ0（図４９のｑ＝４に対応する領域）の描画時のＷxの値は次のようになる。
Figure 0003836614
【０２０１】
図５５において、Ｗx＝Ｗx0−２ｗは、図４９の５番目の単位走査領域Ｓ0（図４９のｑ＝４に対応する領域）の描画時のＷxの値である。Ｗx＝Ｗx0−２ｗで且つＬＣＨ（ラッチパルス）Ｐのカウント値Ｐ＝１０のときの走査で、前記５番目の単位走査領域Ｓ0の描画が終了し、次のＰ＝１１の走査は、図４９の６番目の単位走査領域Ｓ0（図４９のｑ＝０に対応する領域）の描画時の走査である。
このとき、図５５に示すように、Ｖy，Ｗx，Ｕyの値は次のようである。
Ｖy＝Ｖy0
Ｗx＝Ｗx0
Ｕy＝Ｕy0
【０２０２】
前記図４９において、ｐ，ｑの値に対応して走査される１〜５０で示す単位走査領域Ｓ0と、単位走査領域１〜５０の走査時の前記第１Ｙ偏向器駆動電圧Ｖy，Ｘ偏向器駆動電圧Ｖx，および第２Ｙ偏向器駆動電圧Ｕyの関係は次の（Ａ−１），（Ａ−２）のとおりである。
【０２０３】
（Ａ−１）
図４９において、例えばｐ＝０のとき、１，２，３，４，５で示される単位走査領域Ｓ0の走査が行われる。
例えば図４９の前記１で示される単位走査領域Ｓ0の走査時のｑ，Ｖy，Ｗx，Ｕyの値は次のとおりである。
ｑ＝０
Ｖy＝Ｖy0〜（Ｖy0＋９ｖ）
Ｗx＝Ｗx0
Ｕy＝Ｕy0
例えば図４９の前記２で示される単位走査領域Ｓ0の走査時のｑ，Ｖy，Ｗx，Ｕyの値は次のとおりである。
ｑ＝１
Ｖy＝Ｖy0〜（Ｖy0＋９ｖ）
Ｗx＝Ｗx0＋ｗ
Ｕy＝Ｕy0
【０２０４】
例えば図４９の前記３で示される単位走査領域Ｓ0の走査時のｑ，Ｖy，Ｗx，Ｕyの値は次のとおりである。
ｑ＝２
Ｖy＝Ｖy0〜（Ｖy0＋９ｖ）
Ｗx＝Ｗx0−ｗ
Ｕy＝Ｕy0
例えば前記５で示される単位走査領域Ｓ0の走査時のｑ，Ｖy，Ｗx，Ｕyの値は次のとおりである。
ｑ＝４
Ｖy＝Ｖy0〜（Ｖy0＋９ｖ）
Ｗx＝Ｗx0−２ｗ
Ｕy＝Ｕy0
【０２０５】
（Ａ−２）
図４９において、例えばｐ＝９のとき、４６，４７，４８，４９，５０で示される単位走査領域Ｓ0の走査が行われる。
例えば図４９の前記４６で示される単位走査領域Ｓ0の走査時のｑ，Ｖy，Ｗx，Ｕyの値は次のとおりである。
ｑ＝０
Ｖy＝Ｖy0〜（Ｖy0＋９ｖ）
Ｗx＝Ｗx0
Ｕy＝Ｕy0＋９ｕ
例えば図４９の前記５０で示される単位走査領域Ｓ0の走査時のｑ，Ｖy，Ｗx，Ｕyの値は次のとおりである。
ｑ＝４
Ｖy＝Ｖy0〜（Ｖy0＋９ｖ）
Ｗx＝Ｗx0−２ｗ
Ｕy＝Ｕy0＋９ｕ
【０２０６】
前記（Ａ−１），（Ａ−２）の説明および図４９から分かるように、ｑ＝４のときに５で示す単位走査領域Ｓ0を描画した次には、ｑ＝０となりこのときに６で示す単位走査領域Ｓ0を描画する必要がある。すなわち、ｑ＝４の次にｑ＝ｑ＋１の式によりｑ＝５なった場合にはｑ＝０に置き換える必要がある。なお、これについては、後述のフローチャートにより詳述する。
【０２０７】
前記図４９の１〜５０で示す単位走査領域Ｓ0の全部の領域（ウエハＷおよびＸＹステージＵ3が停止した状態で荷電粒子ビームの偏向のみにより走査（描画）が行われる領域すなわち、ウエハ停止状態走査領域）１ＲＡ0（図５０のＱ＝０に対応する領域）の走査が終了すると、次にＸＹステージを＋０.５ｍ移動させて図５０に示すＱ＝１に対応する領域（ウエハ停止状態走査領域）１ＲＡ1の走査（描画）を行う。
そして、（Ｑ＝０）〜（Ｑ＝９）に対応するウエハ停止状態走査領域１ＲＡ0〜１ＲＡ9の全領域（図５０の１ＲＡ参照）を順次走査（描画）すると、図５０のウエハ停止状態走査領域２ＲＡ0〜２ＲＡ9の全領域（図５０の２ＲＡ参照）の走査（描画）を行う。
前述のように順次、図５０の領域１ＲＡ，２ＲＡ，３ＲＡ，…，２９ＲＡ，３０ＲＡ（図４８参照）の走査（描画）を行うと、図４８の領域ＲＡの走査（描画）が終了する。図４８に示すように、順次、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣの領域を走査（描画）すると、チップＴNの描画が終了する。
【０２０８】
（フローチャート（図５６〜図５９参照）の説明）
図５６は実施例２のＸＹステージ移動制御のフローチャートであり、前記実施例１の図３３に対応する図である。
図５６のフローチャートは、前記図３３のフローチャートのＳＴ51を省略し、且つＳＴ44、ＳＴ46、ＳＴ47の代わりにＳＴ44′、ＳＴ46′、ＳＴ47′の処理を行う点で前記図３３のフローチャートと相違している。
図５６のＳＴ44′において、ＸＹテーブルＵ3のＸ軸移動テーブルＳＴxを１０.２ｍｍ移動させる。すなわち、図４８に示すチップＴN（Ｎ＝１，２，…）の描画基準位置（ＸN，ＹN）が、スリット＃１（図１７Ａ参照）のシャッタ空間Ｓ1（図１６参照）を通過する電子ビームの照射位置になっている状態から、チップＴNをＸ方向に１０.２ｍｍ移動させることになる。
【０２０９】
このとき、前記電子ビームのスリット＃１（図１７Ａ参照）のシャッタ空間Ｓ1（図１６参照）を通過する電子ビームのウエハＷ上の照射位置は、図４８の描画領域ＲＣのＸ端且つ右端（Ｙ端）の位置１Ｒ0（ＸN，ＹN）（図４８参照）から、図５０の位置１Ｒ01に移動する。この位置からさらにウエハＷを、Ｘ軸方向に２.５ｍｍ移動させると、前記電子ビームのウエハＷ上の照射位置は、図５０の１Ｒ03で示す位置に移動する。
【０２１０】
ＳＴ46′のサブルーチンの処理は図５７により後述する。
ＳＴ47′においてｎ≧３０か否か判断する。図４８に示す描画領域ＲＡ1のＹ軸方向の幅は０.５ｍｍであり、前記幅０.５ｍｍの描画をｎ（ｎ＝３０）回実行することにより描画領域ＲＡの全面積を描画することができる。
ＳＴ47′においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ48′に移る。
ＳＴ48′においてＹ軸移動テーブルＳＴyを＋０.５ｍｍ移動する。すなわち、描画領域Ｙ軸方向に移動させる。
図５６のフローチャートのその他のＳＴ（ステップ）の処理は前記図３３の処理と同様である。
【０２１１】
図５７は前記図５６のＳＴ46′のサブルーチンであり前記実施例１の図３４に対応する図である。
前記図５６のＳＴ46′のサブルーチンを示す図５７のフローチャートは、ＳＴ65′〜ＳＴ663が前記実施例１の図３４と異なっている。
図５７のＳＴ61においてＸ軸移動テーブルＳＴxを＋２.５ｍｍ移動する。この最初の移動は前記図５０の１Ｒ01から１Ｒ03への移動である。
次にＳＴ62においてシャッタ制御フラグＦr＝「１」とする。シャッタ制御フラグＦrはウエハＷ上のチップの描画を行う位置（ビーム照射位置）に移動して描画開始が可能であることを示すフラグであり初期値はＦr＝「０」である。シャッタ制御フラグＦr＝「１」になると、シャッタ制御フロー（図５８参照）が開始されて電子ビームのオン・オフによる描画が開始される。シャッタオン・オフ制御フローは、図５８〜図６０により後述する。
【０２１２】
ＳＴ63においてシャッタ制御フラグＦrがＦr＝「０」になったか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ63を繰り返し実行する。
すなわち、前記ＳＴ62においてシャッタ制御フラグＦr＝「１」とするとシャッタオン・オフ制御フローが開始され、ウエハ停止状態走査領域１ＲＡ0，１ＲＡ1，…（図５０参照）の描画が開始されるが、そのウエハ停止状態走査領域１ＲＡ0，１ＲＡ1，…のうちの１つの領域の描画が終了するまではＦr＝「１」のままであり、ウエハ停止状態走査領域１ＲＡ0，１ＲＡ1，…のうちの１つの領域の描画が終了すると、シャッタオン・オフ制御フロー（図６０のＳＴ99′参照）においてＦr＝「０」とされる。このため、ＳＴ63ではウエハ停止状態走査領域の描画が終了して、Ｆr＝「０」となるのを待っているのである。すなわち、Ｆr＝「０」となった場合、ウエハ停止状態走査領域の描画が終了したことを意味する。
【０２１３】
ＳＴ63においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ64に移る。
ＳＴ64において、図５０のウエハ停止状態走査領域１ＲＡ0〜１ＲＡ9をＸ軸方向に走査するために使用するカウンタのカウント値Ｑ（Ｑ＝０〜９、初期値はＱ＝０）をＱ＝Ｑ＋１とする。Ｑの初期値は０であるので、前記図５０のウエハ停止状態走査領域１ＲＡ0１の描画が終了したときにはＱ＝Ｑ＋１＝１となる。
なお前記図５０において、最初に描画を行うウエハ停止状態走査領域は、１ＲＡ0であり、前記領域１ＲＡ0の次には０.５ｍｍだけＸ軸移動用テーブルＳＴxを移動させて１ＲＡ1を走査し、その次には０.５ｍｍ×（−２）＝−１.０ｍｍだけＸ軸移動用テーブルＳＴxを移動させて１ＲＡ2を走査し、…、１ＲＡ8を走査し、その次には０.５ｍｍ×（−９）＝−４.５ｍｍだけＸ軸移動用テーブルＳＴxを移動させる必要がある。
【０２１４】
したがって、ＳＴ65′においてＸ軸移動テーブルＳＴxを０.５ｍｍ×Ｑ×（−１）Q移動する。このとき、Ｑ＝１であれば、０.５ｍｍ×Ｑ×（−１）Q＝−０.５ｍｍとなり、図５０のウエハ停止状態走査領域１ＲＡ0の位置に１ＲＡ1が移動してくることになる。また、Ｑ＝２であれば、図５０の１ＲＡ2が＋１ｍｍ移動して図５０の１ＲＡ0の位置に移動してくることになる。また、Ｑ＝９であれば、図５０の１ＲＡ9が−４.５ｍｍ移動して図５０Ａの１ＲＡ0の位置に移動してくる。
次にＳＴ66′においてＱ≧１０か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ62に戻る。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ661に移る。
【０２１５】
ＳＴ661においてｍ＝１か否か判断する。図５６に示すようにｍの初期値は０である。また、ｍの値０〜２は次の領域の走査時に対応している。
ｍ＝０：図４８の領域ＲＡの走査時
ｍ＝１：図４８の領域ＲＢの走査時
ｍ＝２：図４８の領域ＲＣの走査時
したがって、ｍ＝０、ｍ＝２のときはＹ軸移動テーブルＳＴyの移動方向は＋（プラス）方向、ｍ＝１のときはＹ軸移動テーブルＳＴyの移動方向は−（マイナス）方向である。
ＳＴ661においてイエス（Ｙ）の場合すなわちｍ＝１の場合はＹ軸移動テーブルＳＴyを−０.５ｍｍ移動し、ノー（Ｎ）の場合すなわちｍ＝０または２の場合はＹ軸移動テーブルＳＴyを＋０.５ｍｍ移動する。
次にＳＴ67においてＱ＝０、ｎ＝ｎ＋１として、図５６のＳＴ47′に移る。
【０２１６】
図５８は実施例２のシャッタオン・オフ制御、ならびに、ＹおよびＸ偏向器制御のフローチャートで、前記実施例１の図３５に対応する図である。図５９は前記図５８の続きのフローチャートである。図６０は前記図５９の続きのフローチャートである。
図５８のフローチャートはＳＴ71′が前記図３５のＳＴ71と異なる以外は前記図３５のフローチャートと同一である。
図５８のＳＴ71において次の処理を実行する。
（１）ＳＷaをオンにする。
（２）切替スイッチＳＷb，ＳＷcをビームオフ端子（シャッタオン端子）に接続する。
（３）第１Ｙ偏向器駆動電圧Ｖyを、Ｖy＝Ｖy0（ただし、Ｖy0＝初期値）とする。
（４）Ｘ偏向器駆動電圧Ｗxを、Ｗx＝Ｗx0（ただし、Ｗx0＝初期値）とする。
（５）第２Ｙ偏向器駆動電圧Ｕyを、Ｕy＝Ｕy0（ただし、Ｕy0＝初期値）とする。
（６）単位走査領域Ｘカウンタのカウント値ｑをｑ＝０（初期値）とする（ｑ＝０〜５であり、ｑ＝５になるとｑ＝０（０は初期値）とされる。図４９参照）。
（７）単位走査領域Ｙカウンタのカウント値ｐをｐ＝０（初期値）とする（ｐ＝０〜１０であり、ｐ＝１０になるとｐ＝０（０は初期値）とされる。図４９参照）。
【０２１７】
図５９においてＳＴ91〜ＳＴ97の処理は前記図３６のＳＴ91〜ＳＴ97と同様である。
図５９のＳＴ971においてｑ＝ｑ＋１とする。このＳＴ971はＳＴ79でＰ＝１０のとき、またはＳＴ96でＰ＝２０のときに実行する処理である。Ｐ＝１０またはＰ＝２０の場合は、単位走査領域Ｓ0の走査が終了したときであるので、単位走査領域Ｘカウンタの値ｑをカウントアップする必要がある。このため、ＳＴ971においてｑ＝ｑ＋１とするのである。
図４９において、ｐ，ｑの値に対応して走査される１〜５０で示す単位走査領域Ｓ0と、単位走査領域１〜５０の走査時の前記第１Ｙ偏向器駆動電圧Ｖy，Ｘ偏向器駆動電圧Ｖx，および第２Ｙ偏向器駆動電圧Ｕyの関係は前記（Ａ−１），（Ａ−２）のとおりである。
【０２１８】
前記（Ａ−１），（Ａ−２）および図４９から分かるように、ｑ＝４のときに５で示す単位走査領域Ｓ0を描画した次には、ｑ＝０となりこのときに６で示す単位走査領域Ｓ0を描画する必要がある。すなわち、ｑ＝４の次にｑ＝ｑ＋１の式によりｑ＝５なった場合にはｑ＝０に置き換える必要がある。
したがって、図５９のＳＴ972においてｑ≧５か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ973に移る。
ＳＴ973においてタイマＴＭ2はタイムアップしたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ973を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ974に移る。
ＳＴ974において、次の処理を行う。
（１）Ｖy＝Ｖy0（初期値）とする。
（２）Ｗx＝Ｗx−ｑ×ｗ（−１）qとする。
次にＳＴ73に移る。
【０２１９】
前記ＳＴ972においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ975に移る。
ＳＴ975において次の処理を行う。
（１）ｑ＝０とする。
（２）Ｕy＝Ｕy＋ｕとする。
次に図６０のＳＴ976においてＵy＝Ｕy0＋１０ｕか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ977に移る。
ＳＴ977においてタイマＴＭ2はタイムアップしたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ977を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ978に移る。
ＳＴ978において次の処理を行う。
（１）Ｖy＝Ｖy0（初期値）とする。
（２）Ｗx＝Ｗx0（初期値）とする。
【０２２０】
前記ＳＴ976においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ98に移る。
ＳＴ98においてタイマＴＭ2はタイムアップしたか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ98を繰り返し実行する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ99′に移る。
ＳＴ99′において次の処理を実行する。
（１）ＳＷb，ＳＷcをビームオフ端子（シャッタオン端子）に接続する。
（２）Ｆr＝「０」とする。
（３）Ｖy＝Ｖy0（初期値）とする。
（４）Ｗx＝Ｗx0（初期値）とする。
（５）Ｕy＝Ｕy0（初期値）とする。
次に前記図５８のＳＴ72に戻る。
【０２２１】
（実施例３）
図６１は実施例３の描画装置のウエハＷ上のチップの配置例および描画順序を示す図で、前記実施例２の図４７に対応する図である。図６２は同実施例３の１個のチップの描画順序の説明図で、前記実施例２の図４８に対応する図である。図６３はウエハ表面を荷電粒子ビームにより前記Ｙ軸方向に前記ピッチａでｍ回走査したときに前記荷電粒子ビームが走査する面積である単位走査面積をＳ0としたとき、ｑおよびｐを整数（ｑ＝５、Ｐ＝１０）とした場合に、前記単位走査面積Ｓ0の走査をｑ×ｐ回実行して、前記単位走査面積Ｓ0をＸ軸方向にｑ個並べ且つＹ軸方向にｐ個並べた走査面積ｑ×ｐ×Ｓ0＝ｑｐＳ0＝５０Ｓ0のウエハ停止状態走査領域を走査する走査順序の説明図である。図６４は各ウエハ停止状態走査領域の走査順序の説明図で、前記実施例２の図５０に対応する図である。
【０２２２】
この実施例３は、ウエハＷの描画順次（走査順次）が前記実施例２と異なる以外は実施例２と同様に構成されている。
図６１、図６２において、本実施例３では、前記実施例１，２のように複数のチップＴ1，Ｔ2，…を順次１個づつ描画するのではなく、複数のチップにまたがって描画を行う。
前記図６２に示す１個のチップの領域ＲＡは、図６３、図６４から分かるように、領域（１ＲＡ0〜１ＲＡ9），（２ＲＡ0〜２Ｒ9），…に分けられる。図６３、図６４に示す各領域１ＲＡ0，２ＲＡ0，３ＲＡ0等はそれぞれ、前記実施例２と同様に、ｑ×ｐ＝５０個の単位走査面積Ｓ0に分割される。そして、前記各領域１ＲＡ0，２ＲＡ0，３ＲＡ0を形成する５０個の単位走査面積Ｓ0の走査順次は前記実施例２と同一である。
しかし、本実施例３では、図６４から分かるように、領域ＲＡの一番右上のウエハ停止状態走査領域１ＲＡ0から左方向２ＲＡ0，３ＲＡ0，…に順に走査を行う。前記各ウエハ停止状態走査領域１ＲＡ0，２ＲＡ0，…は、Ｙ軸方向の長さが０.５ｍｍであるため、３０回の走査で１チップの左端まで描画が終了する。
【０２２３】
本実施例３では、図６２、図６１から分かるように、１チップの左端までの描画が終了したときに、さらに左方にチップが有る場合には左隣のチップの描画を続けて行う。そして、左側にチップが存在しない場合には、折り返して、Ｘ軸方向に０.５ｍｍ（ウエハ停止状態走査領域のＸ軸方向の長さ）だけ、ずれた位置を右側方向（Ｙ方向）に描画を行う。
本実施例３の描画を行う場合、Ｘ軸方向のＸＹステージＵの移動が非常に少なくなる。ＸＹステージの移動が少なくなると、描画速度が向上する。
【０２２４】
図６５は前記実施例１および実施例２に共通のフローチャートである図２８の前記ＳＴ16においてイエス（Ｙ）の場合の処理、すなわち、前記図３０Ａに示す第１選択画面において「（１）描画動作」が選択された場合の処理を示すフローチャートで、前記図３１に対応する図である。
図６５のフローチャートは、前記図３１のＳＴ41を省略し、且つ、前記ＳＴ43の代わりにＳＴ43′を設けられている点で前記図３１のフローチャートと相違している。
図６５のフローチャートにおいて、前記図３１のフローチャートのＳＴ41が省略されているのは、本実施例３では図６１に示すようにチップ毎に描画を行わないからである。
図６５のＳＴ43′において、各シャッタ基板１１４，１１５，１１７，１１８（図１５参照）のスリット＃１（図１７Ａ参照）のシャッタ空間Ｓ1000（図１６参照）を通過する電子ビームの照射位置に、１番のチップＴ1（図１９、図２０参照）の描画基準位置（Ｘ1，Ｙ1）（図６２参照）を移動する。この移動はＸＹステージＵ3を移動させることにより行う。
【０２２５】
図６６は実施例３のＸＹステージ移動制御のフローチャートであり、前記実施例２の図５６に対応する図（実施例１の図３３に対応する図）である。
図６６のフローチャートは前記図５６のフローチャートのＳＴ44′、ＳＴ47′〜ＳＴ54が省略されている。
図６６のＳＴ45′においてｎ＝０、ｍ＝０、Ｑ＝０とする。
ｎは、Ｙ方向０.５ｍｍ幅走査回数カウンタの値であり、図６４のＹ方向０.５ｍｍ幅の領域（１ＲＡ0，２ＲＡ0，…，３０ＲＡ0）、（１ＲＡ1〜３０ＲＡ1）、…、（１ＲＡ9〜３０ＲＡ9）をそれぞれ３０回づつ走査するための走査回数カウンタのカウント値である。
ｍはＸ方向５ｍｍ幅の描画回数（走査回数）カウンタの値であり、図６２のＸ方向５ｍｍ幅の走査領域（描画領域）ＲＡ，ＲＢ，ＲＣを走査するためのカウンタのカウント値である。前記走査領域ＲＡ（図６２参照）を走査する間はｍ＝０、前記走査領域ＲＢ（図６２参照）を走査する間はｍ＝１、前記走査領域ＲＣ（図６２参照）を走査する間はｍ＝２であり、ｍ＝３となるとｍ＝０とされる。
【０２２６】
次にＳＴ46″において停止ウエハ走査領域を移動させるためのＸＹステージ移動処理を行う。この移動処理は図６４に示すように、停止ウエハ走査領域１ＲＡ0をウエハを停止させた状態で荷電粒子ビームの偏向のみにより走査（描画）した後、ウエハＷ上の次の停止ウエハ走査領域２ＲＡ0を荷電粒子ビームの照射領域に移動させ、次に停止ウエハ走査領域３ＲＡ0、４ＲＡ0、…と順次停止ウエハ走査領域を移動させるための処理である。
【０２２７】
次にＳＴ55において電子銃をオフとする。
次にＳＴ56において描画を終了したウエハＷのウエハＩＤと前記ウエハＷを描画したパターン番号とをウエハ情報記憶装置に記憶する。
次に、ＳＴ57において第１選択画面の動作状態表示欄に「ウエハＩＤ＝………のウエハの描画パターン番号………の描画終了」を表示する処理を行う。
次に前記ＳＴ1に戻る。このとき、ＳＴ1において第１選択画面が表示され且つその動作状態表示欄に「ウエハＩＤ＝……のウエハの描画パターン番号……の描画終了」が表示される。
【０２２８】
図６７は前記図６６のＳＴ46″の停止ウエハ走査領域を移動させるためのＸＹステージ移動処理のサブルーチンを示す図である。
図６７は前記図６６のＳＴ46″のサブルーチンである。
図６７のＳＴ61″においてＸテーブルを−０.２ｍｍ移動させる。これは図６３においてウエハ上のビーム照射位置が１Ｒ0から３Ｒ0に移動するように、ＸテーブルをＸ方向に−０.２ｍｍ移動させることを意味する。
【０２２９】
次にＳＴ62においてシャッタ制御フラグＦr＝「１」とする。シャッタ制御フラグＦrはウエハＷ上のチップの描画を行う位置（ビーム照射位置）に移動して描画開始が可能であることを示すフラグであり初期値はＦr＝「０」である。シャッタ制御フラグＦr＝「１」になると、シャッタ制御フロー（図５８〜図６０参照）が開始されて電子ビームのオン・オフによる描画が行われる。
すなわち、この実施例３のシャッタ制御フローは、前記実施例２の図５８〜図６０に示す処理と同一である。
【０２３０】
ＳＴ63においてシャッタ制御フラグＦrがＦr＝「０」になったか否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ63を繰り返し実行する。
すなわち、前記ＳＴ62においてシャッタ制御フラグＦr＝「１」とするとシャッタオン・オフ制御フロー（図５８〜図６０参照）が開始され、停止ウエハ走査領域ｊＲＡi（ｊ＝１〜３０、ｉ＝０〜９）の描画が開始されるが、その１つの停止ウエハ走査領域ｊＲＡiの描画が終了するまではＦr＝「１」のままであり、１つの停止ウエハ走査領域ｊＲＡiの描画が終了すると、シャッタオン・オフ制御フローにおいてＦr＝「０」とされる。このため、ＳＴ63では１つの停止ウエハ走査領域ｊＲＡiの描画が終了して、Ｆr＝「０」となるのを待っているのである。すなわち、Ｆr＝「０」となった場合、１つの停止ウエハ走査領域ｊＲＡiの描画が終了したことを意味する。なお、最初に描画を行う停止ウエハ走査領域ｊＲＡiは１ＲＡ0（図６３、ず６４参照）である。
ＳＴ63においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ64′に移る。
ＳＴ64′において、停止ウエハ走査領域ｊＲＡi（Ｉ＝１〜５０）（図１８参照）を走査するために使用するカウンタのカウント値ｎ（ｎ＝０〜２９、初期値はｎ＝０）をｎ＝ｎ＋１とする。ｎの初期値は０であるので、前記停止ウエハ走査領域１ＲＡ0の描画が終了したときにはｎ＝ｎ＋１＝１となる。
【０２３１】
次にＳＴ66″にｎ≧３０か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ661′に移る。
ＳＴ661′においてＱ＝奇数か否か判断する。図６４に示すようにＱの初期値は０である。図６４から分かるようにＱ＝奇数でない場合（Ｑ＝０，２，…，８の場合）は、ウエハＷをＹ方向に移動させ、Ｑ＝奇数の場合はウエハＷを−Ｙ方向に移動させる。
すなわち、ＳＴ661′においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ662に移る。
ＳＴ662においてＹテーブルを−０.５ｍｍ移動させる。次に、前記ＳＴ62に戻る。
前記ＳＴ661′においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ663に移る。
ＳＴ663においてＹテーブルを＋０.５ｍｍ移動させる。次に、前記ＳＴ62に戻る。
ＳＴ66″においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ664に移る。このイエス（Ｙ）の場合は、１個のチップの停止ウエハ走査領域ｊＲＡiのＹ方向の端部の走査が終了したことを意味する。この場合は、ＳＴ664においてｎ＝０とする。
【０２３２】
図６８は前記図６７の続きのフローチャートを示す図である。
図６８のＳＴ665においてＱ＝奇数か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合はＳＴ666に移る。
ＳＴ666において、今、走査が終了した停止ウエハ走査領域ｊＲＡiの−Ｙ側（左側）に他のチップが有るか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ667に移る。
ＳＴ667においてＹテーブルを＋１.５ｍｍ移動する。この移動の後で次のチップの走査（描画）を行うと、Ｙ軸方向のチップ間の間隔が１ｍｍとなる。
次に前記ＳＴ62に戻る。
前記ＳＴ666においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ668に移る。前記ＳＴ666においてノー（Ｎ）の場合は、ＸＹテーブルＵ3のＹ方向の移動を行う必要がないが、Ｘ軸方向の移動を行う必要がある。
ＳＴ668においてＱ＝Ｑ＋１とする。
次にＳＴ669においてＸテーブルを−０.５ｍｍ移動する。
次に前記ＳＴ62に移る。
【０２３３】
前記ＳＴ665においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ670に移る。
ＳＴ670において、今、走査が終了した停止ウエハ走査領域ｊＲＡiのＹ側（右側）に他のチップが有るか否か判断する。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ671に移る。
ＳＴ671において、Ｙテーブルを−１.５ｍｍ移動する。この移動の後で次のチップの走査（描画）を行うと、チップ間の間隔が１ｍｍとなる。
次に前記ＳＴ62に戻る。
前記ＳＴ670においてノー（Ｎ）の場合はＳＴ672に移る。
ＳＴ672においてＱ＝Ｑ＋１とする。
次にＳＴ673においてＱ≧１０か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ669に移る。イエス（Ｙ）の場合は、領域ＲＡ，ＲＢ，ＲＣ（図６２参照）のいずれかの走査（描画）が終了したことを意味する。この場合、ＳＴ674に移る。
ＳＴ674において次の処理を行う。
（１）Ｑ＝０とする。
（２）ｍ＝ｍ＋１とする。
【０２３４】
次にＳＴ675においてｍ≧３か否か判断する。ノー（Ｎ）の場合は前記ＳＴ669に移る。イエス（Ｙ）の場合はＳＴ676に移る。
ＳＴ676においてｍ＝０とする。
次に、ＳＴ677において、今、走査が終了した停止ウエハ走査領域ｊＲＡiよりもＸ側に次に走査（描画）すべき他のチップが有るか否か判断する。チップが有る場合はＸ軸方向の移動を行う必要があり、チップが無い場合は走査（描画）は終了となる。
前記ＳＴ677においてイエス（Ｙ）の場合はＳＴ678に移る。
ＳＴ678において次の処理を行う。
（１）Ｘテーブルを−１.５ｍｍ移動する。この移動の後で次のチップの走査（描画）を行うと、チップ間のＸ軸方向の間隔が１ｍｍとなる。
（２）Ｙテーブルを右端（Ｙ端）のチップの書込開始位置まで移動させる。
前記ＳＴ677においてノー（Ｎ）の場合は、走査終了（描画終了）となり、前記図６６のＳＴ55に戻る。
【０２３５】
（変更例）
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内で、種々の変更を行うことが可能である。本発明の変更実施例を下記に例示する。
（Ｈ01）図６９は前記図１６に示すスリット基板１１３、上側シャッタ基板１１４および下側シャッタ基板１１５の変更例の説明図である。図６９において、上側シャッタ基板１１４および下側シャッタ基板１１５の隣接する各駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ2a，Ｓ4a，…）間には導電性の電界遮蔽部材１１４p，１１５pが設けられている。前記電界遮蔽部材１１４p，１１５pは、例えば導電性シリコンにより構成され、アースされている。また、前記各電界遮蔽部材１１４p，１１５pは前後一対の遮蔽板が設けられており、前記前後一対の遮蔽板により隣接するシャッタ空間と電気的な隔離が行われる。前記各遮蔽板と、隣接する各駆動電極（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ2a，Ｓ4a，…との間は０.５〜１μｍ程度の間隔が設けられている。
【０２３６】
（Ｈ02）図７０は前記図１６に示すスリット基板１１３、上側シャッタ基板１１４および下側シャッタ基板１１５の他の変更例の説明図である。図７０において、前記図１６に示す上側シャッタ基板１１４および下側シャッタ基板１１５の代わりに１枚のシャッタ基板１２４が設けられている。
シャッタ基板１２４のシャッタスリット１２４sの各スリット部分により形成されるシャッタ空間Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，…，Ｓ1000にはそれぞれ駆動電極Ｓ1a，Ｓ2a，Ｓ3a，…，Ｓ1000aおよび対向電極Ｓ1b，Ｓ2b，Ｓ3b，…，Ｓ1000bが設けられている。この図７０に示す変更例では、１枚のシャッタ基板１２４を用いて電子ビームのオン、オフを行うことができる。
【０２３７】
（Ｈ03）前記実施例３はＸＹステージのＹ軸方向の移動、停止を繰り返しながら複数のチップに跨がって連続描画を行う方法であるが、ＸＹステージをＹ軸方向に連続移動させながら、複数のチップに跨がって描画を行うことも可能である。図７１は２本のスリットを有するスリット基板を使用し、前記２本のスリットを通過するビームＢ1，Ｂ2を使用してＸＹステージ連続移動描画を行う場合の説明図である。
図７１において、ＸＹステージをＹ方向に連続移動させながら、最初にビームＢ1，Ｂ2により描画ラインＬ4，Ｌ1を描画する。次に描画ラインＬ6，Ｌ3がビームＢ1，Ｂ2により描画される位置に移動するまでは電子ビームを遮断する。前記描画ラインＬ6，Ｌ3がビームＢ1，Ｂ2により描画される位置に移動したときに電子ビームＢ1，Ｂ2を照射して描画を行う。このような走査（描画）を連続して行うことにより、描画ラインＬ1，Ｌ2，Ｌ3，…を重複することなく、順次走査（描画）することができる。
【０２３８】
なお、この変更例では前記描画ラインＬ4，Ｌ1を描画してから、ＸＹステージの移動により次の描画ラインＬ6，Ｌ3がビームＢ1，Ｂ2により描画される位置に移動するまでは電子ビームを遮断しているが、前記ＸＹステージの移動により次の描画ラインＬ6，Ｌ3がビームＢ1，Ｂ2により描画される位置に移動するまでの間、ＸＹステージの移動速度と同じ移動速度で且つ逆向きにビームを偏向して描画ラインＬ4，Ｌ1を描画し続けることが可能である。そして、前記ＸＹステージの移動により次の描画ラインＬ6，Ｌ3がビームＢ1，Ｂ2により描画される位置に移動してきた時に瞬間的にビームの照射位置を次の描画ラインＬ6，Ｌ3に移動させることができる。
その場合、ＸＹステージを高速に移動させても、各描画ラインへのビーム照射量を十分多くすることができるので、描画時間を短縮することが可能である。
前記説明は、前記ビーム本数（すなわち、スリット数）ｂがｂ＝２、前記ライン間隔ｄがｄ＝３の場合についての説明であるが、一般に、ｂとｄとが互いに素であれば、ＸＹステージをＹ軸方向に連続移動させながら、描画ラインＬ1，Ｌ2，Ｌ3，…を重複することなく、複数のチップに跨がって描画を行うことが可能である。
【０２３９】
（Ｈ04）シャッタ基板の複数の各スリットに沿って形成される複数のシャッタ空間Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4，…を奇数番目のシャッタ空間Ｓ1，Ｓ3，…および偶数番目のシャッタ空間Ｓ2，Ｓ4，…に２分割する代わりに、３分割または４分割することが可能である。
３分割した場合はシャッタ空間Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4，…を、第１群シャッタ空間（Ｓ1，Ｓ4，…，Ｓ3i+1，…、ｉ＝１，２，…）、第２群シャッタ空間（Ｓ2，Ｓ5，Ｓ3i+2，…、ｉ＝１，２，…）、第３群シャッタ空間（Ｓ3，Ｓ6，…，Ｓ3i，…、ｉ＝１，２，…）に分割し、各群毎に異なるシャッタ基板（上側シャッタ基板１１４、下側シャッタ基板１１５、およびそれらの間に配置した中間シャッタ基板等）を使用して、各シャッタ空間Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4，…を通過する電子ビームのオン・オフ制御を行うことが可能である。
また、前記シャッタ空間Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4，…を４分割以上に分割することも可能である。
【０２４０】
（Ｈ05）シャッタ基板に形成するスリット数は５０以外の数とすることが可能であり、スリット間隔もスリット幅９本分とする代わりに４本分、１９本等他の任意の数とすることが可能である。また、スリット幅は１０μｍとする代わりに５μｍ、２０μｍ等任意の幅とすることが可能である。また、スリット長さも１０ｍｍとする代わりに２０ｍｍまたは５ｍｍ等任意の長さに設定することが可能である。
（Ｈ06）前記実施例のシールド基板を冷却装置を設けたり、複数のシールド基板を交換可能に配置することが可能である。
（Ｈ07）シールド基板を使用せずに、スリット基板をシールド基板として使用することが可能である。
（Ｈ08）フィルタ基板１１６の下方のフィルタシャッタ基板１１７，１１８および遮蔽板１１９は省略可能である。
【０２４１】
（Ｈ09）本発明は電子ビームおよびイオンビーム等の荷電粒子ビームを用いる荷電粒子ビーム描画装置に適用することが可能である。
（Ｈ010）前記スリット基板１１３の荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のスリット１１３Sの両側に帯状のビーム遮断駆動電極および対向電極を設け、且つ、前記帯状のビーム遮断駆動電極および対向電極間に電圧を印加する状態および印加しない状態との間で切替可能なビーム遮断電圧印加回路を設けることが可能である。
（Ｈ011）前記外壁１の上部を形成する上壁部２に前記描画鏡筒５６と並べて第２の描画鏡筒を設けることが可能である。また、さらに第３，第４の小型の描画鏡筒を設けることも可能である。その場合、生産量の増加、故障対策の強化が図れる。
【０２４２】
（Ｈ012）前記実施例２、３において、第１Ｙ偏向器駆動電圧Ｖyの値を、初期値Ｖ0に＋ｖを順次加算して、Ｖ0，（Ｖ0＋ｖ），（Ｖ0＋２ｖ），…，（Ｖ0＋９ｖ）により走査（描画）を行っているが、第１Ｙ偏向器Ｆ18aの特性により前記＋ｖづつ増加する走査では良好な走査（描画）が不可能な場合には、前記第１Ｙ偏向器駆動電圧Ｖyの値を、予め設定したＶ0，Ｖ1，Ｖ2，…，Ｖ9として走査（描画）することが可能である。また、Ｘ偏向器駆動電圧Ｗxおよび第２Ｙ偏向器駆動電圧Ｕyについても同様である。
（Ｈ013）前記各実施例１〜３において使用する偏向器は、偏向器Ｆ17，Ｆ18，Ｆ18a，Ｆ18bの代わりに偏向電極を使用することが可能である。
【０２４３】
（Ｈ014）電子線描画では、描画速度と精度の向上のために、感光レジストの感度向上、近接効果の防止（レジストに照射された電子が近くの照射対称外レジストまで干渉、感光させる現象の防止）の改善が進められているが、改善が進過程では弱い電子ビームを同一描画位置へ複数回照射して初期の精度を得る手法が有る。本発明でも、前記手法をレジストの性能に応じて可能とする、電子ビームの強度、照射時間、複数回照射の制御機構を設置することが可能である。
【０２４４】
【発明の効果】
前述の本発明の描画装置は、下記の効果を奏することができる。
（Ｅ01）シャッタ基板上に１本のライン方向に沿って、荷電粒子ビームオン・オフ用の複数のシャッタ空間を隙間無く配置することができる。
（Ｅ02）前記１本のライン方向に配置された複数のシャッタのオン・オフにより１度にウエハ表面の１ライン分の領域を隙間無く描画することができる。
（Ｅ03）シャッタ基板の一定の面積（荷電粒子ビームにより照射される一定の面積）内に荷電粒子ビームオン・オフ用のシャッタ空間を多数配置することができる。
（Ｅ04）前記多数のシャッタを同時にオン・オフして非常に多数の荷電粒子ビームにより同時にウエハ表面の描画を行うことができる。
（Ｅ05）シャッタ基板の複数の各スリットに沿って形成される複数のシャッタ空間を複数の群に分割して各群毎に異なるシャッタ基板を使用し且つ前記異なるシャッタ基板を重ねて配置することが可能である。その場合、各スリットに沿ってそれぞれ形成される複数の全シャッタ空間に対して、電子ビームのオン・オフ制御を行うことができるので、１本のライン方向に配置された複数のシャッタのオン・オフにより１度にウエハ表面の１ライン分の全領域の描画を行うことができる。
したがって、従来方式のようにアパーチャを１本のライン方向に並べて形成した場合には、隣接するアパーチャの間の空間は荷電粒子ビームが通過できないので、アパーチャを２本以上のライン方向に並べてウエハ表面の１ライン分の全領域の描画を行う方式に比べて、描画用の荷電粒子ビーム数を増加させることが容易である。
（Ｅ06）荷電粒子ビームオン・オフ用の複数のシャッタの数が非常に多くなっても、前記多数のシャッタを同時にオン・オフして非常に多数の荷電粒子ビームにより同時にウエハ表面の描画を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明の描画装置の一実施例の全体説明図である。
【図２】 図２は同実施例の全体斜視図である。
【図３】 図３は同実施例の部分平面図である。
【図４】 図４は真空試料室（真空作業室）内に配置されたＸＹテーブルに支持された回転テーブルの昇降ロッドの説明図で、前記図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【図５】 図５は前記図４の要部拡大図である。
【図６】 図６は前記図５の回転テーブル上に載置された試料Ｗの位置決め機構の説明図で、回転テーブルが前記図５とは異なる位置に回転したときの断面図である。
【図７】 図７は前記検査用電子顕微鏡Ｕ2の前記上壁部２への取付構造を示す図である。
【図８】 図８は描画装置用制御装置Ｃに接続された検査用電子顕微鏡Ｕ2の構成要素のブロック線図である。
【図９】 図９は描画装置用制御装置に接続された電子ビーム描画装置Ｕ1の構成要素のブロック線図である。
【図１０】 図１０は本実施例１の電子ビーム描画装置Ｕ1の描画鏡筒５６に装着されたシャッタホルダおよびそれを保持するゴニオステージＧＳの全体図である。
【図１１】 図１１は前記図１０に示すシャッタホルダの説明図で、図１１Ａは平面図、図１１Ｂは前記図１１ＡのＸIＢ−ＸIＢ線断面図、図１１Ｃは前記図１１Ｂの矢印ＸIＣで示す部分の拡大図である。
【図１２】 図１２は前記図１１のシャッタホルダの先端部分の拡大説明図で、図１２Ａは平面図であり前記図１１Ａの矢印ＸIIＡで示す部分の拡大説明図、図１２Ｂは前記図１２ＡのＸIIＢ−ＸIIＢ線断面図、図１２Ｃは前記図１２Ｂの矢印ＸIIＣで示した部分の拡大図である。
【図１３】 図１３は前記図１２のシャッタホルダの内端部分の斜視図である。
【図１４】図１４は前記図１３の要部断面図である。
【図１５】 図１５は前記図９の要部拡大説明図であり、図１５Ａは前記図９の矢印ＸIＶから見た図、図１５Ｂは前記図９の要部拡大図である。
【図１６】 図１６はスリット基板１１３、上側シャッタ基板１１４および下側シャッタ基板１１５の斜視図である。
【図１７】 図１７は前記図１６に示す上側シャッタ基板１１４のスリット形状と前記上側シャッタ基板１１４を使用して描画したウエハＷ上の描画面積との関係の説明図で、図１７Ａは上側シャッタ基板１１４を示す図、図１７Ｂは前記上側シャッタ基板１１４に対するビームの照射位置をＹ軸方向に１０μｍづつずらせながら連続１０回の描画を行ったときのウエハＷ上の描画面積を示す図である。
【図１８】 図１８は前記図１７Ｂの描画領域（１０回の走査で描画される領域）をＸ軸方向に５０並べた場合の描画領域を示す。
【図１９】 図１９はウエハＷ上に形成された１チップのサイズが１５ｍｍ×１５ｍｍの場合の１チップの描画順序の拡大説明図である。
【図２０】 図２０はウエハＷ上のチップの配置例を示す図である。
【図２１】 図２１は本発明の実施例の制御部の説明図で、シャッタ駆動回路を制御する描画用コントローラの説明図である。
【図２２】 図２２は本発明の実施例の制御部の説明図で、描画装置用制御装置Ｃに接続されている部材を示す図である。
【図２３】 図２３は前記描画用コントローラＣ１により制御される上側シャッタ基板１１４に形成されるシャッタ駆動回路（ＴＦＴ駆動回路）の説明図である。
【図２４】 図２４は描画動作時における前記上側シャッタ基板１１４の、電源スイッチＳＷa、切替スイッチＳＷb，ＳＷc、切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3、シャッタ駆動メモリＭＥ0、シャッタ駆動スイッチＳＷ0、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4の動作または状態を示すタイムチャートである。
【図２５】 図２５は前記図２４の続きのタイムチャートである。
【図２６】 図２６は前記図２５の続きのタイムチャートである。
【図２７】 図２７は前記第１〜第４シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4のシャッタ駆動データ（シャッタオン・オフデータ）記憶動作時のタイムチャートである。
【図２８】 図２８は本発明の描画装置用制御装置Ｃの描画用コントローラＣ１のフローチャートの説明図である。
【図２９】 図２９は前記図２８のＳＴ3でイエス（Ｙ）の場合の処理を示すフローチャートである。
【図３０】 図３０は表示画面の説明図で、図３０ＡはＳＴ1で表示される画面、図３０ＢはＳＴ21で表示される画面である。
【図３１】 図３１は前記ＳＴ16においてイエス（Ｙ）の場合の処理、すなわち、前記第１選択画面において「（１）描画動作」が選択された場合の処理を示すフローチャートである。
【図３２】 図３２はＳＴ33で表示される画面である。
【図３３】 図３３は前記図３１のＳＴ43の続きのフローチャートである。
【図３４】 図３４は前記図３３のＳＴ46のサブルーチンである。
【図３５】 図３５はシャッタオン・オフ制御のフローチャートである。
【図３６】 図３６はラッチパルスＬＣＨの出力処理フローである。
【図３７】 図３７はシャッタ駆動データ（シャッタオン・オフデータ）ＪＡi，ＪＢi，ＪＣi，ＪＤi（Ｊ＝１，２，…、i＝１，２，…）の伝送開始処理のフローチャートである。
【図３８】 図３８はシャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4へのデータ伝送停止処理のフローチャートである。
【図３９】 図３９は前記実施例１の図２３に示した上側シャッタ基板の変更例１の説明図である。
【図４０】 図４０は描画動作時における前記図３９の上側シャッタ基板１１４の、電源スイッチＳＷa、切替スイッチＳＷb，ＳＷc、切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3、シャッタ駆動スイッチＳＷ0、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4の動作または状態を示すタイムチャートである。
【図４１】 図４１はシャッタオン・オフ制御のフローチャートである。この制御は前記図３５に対応するフローチャートである。
【図４２】 図４２は前記図４１の続きのフローチャートであり、前記図３６に対応する図である。
【図４３】 図４３は前記実施例１の図２３に示した上側シャッタ基板の変更例２の説明図である。
【図４４】 図４４は前記実施例１の図２３に示した上側シャッタ基板の変更例３の説明図である。
【図４５】 図４５は前記実施例１の図２３に示した上側シャッタ基板の変更例４の説明図である。
【図４６】 図４６は本発明の描画装置の実施例２の要部説明図で、前記実施例１の図９に対応する図である。
【図４７】 図４７は同実施例２のウエハ上のチップの描画順序の説明図で前記実施例１の図２０に対応する図である。
【図４８】 図４８はウエハＷ上に形成された１チップのサイズが１５ｍｍ×１５ｍｍの場合の１チップの描画順序の拡大説明図で、前記実施例１の図１９に対応する図である。
【図４９】 図４９は前記ウエハ表面を荷電粒子ビームにより前記Ｙ軸方向に前記ピッチａでｍ回走査したときに前記荷電粒子ビームが走査する面積である単位走査面積をＳ0としたとき、ｑおよびｐを整数（ｑ＝５、Ｐ＝１０）とした場合に、前記単位走査面積Ｓ0の走査をｑ×ｐ回実行して、前記単位走査面積Ｓ0をＸ軸方向にｑ個並べ且つＹ軸方向にｐ個並べた走査面積ｑ×ｐ×Ｓ0＝ｑｐＳ0＝５０Ｓ0のウエハ停止状態走査領域を走査する走査順序の説明図である。
【図５０】 図５０は前記図４８の３分割した領域のうちの１つの領域の走査順序の説明図で、前記実施例１の図１８に対応する図である。
【図５１】 図５１は本発明の実施例２の制御部の説明図で、シャッタ駆動回路を制御する描画装置用制御装置の説明図であり、前記実施例１の図２１に対応する図である。
【図５２】 図５２は本発明の実施例２の制御部の説明図で、描画装置用制御装置に接続されている部材を示す図であり、前記実施例１の図２２に対応する図である。
【図５３】 図５３は描画動作時における前記上側シャッタ基板１１４の、電源スイッチＳＷa、切替スイッチＳＷb，ＳＷc、切替スイッチＳＷ1〜ＳＷ3、シャッタ駆動メモリＭＥ0、シャッタ駆動スイッチＳＷ0、シャッタ駆動信号一時記憶メモリＭＥ1〜ＭＥ4の動作または状態を示すタイムチャートであり、前記実施例１の図２４に対応する図である。
【図５４】 図５４は前記図５３の続きのタイムチャートである。
【図５５】 図５５は前記図５４の続きのタイムチャートである。
【図５６】 図５６は実施例２のＸＹステージ移動制御のフローチャートであり、前記実施例１の図３３に対応する図である。
【図５７】 図５７は前記図５６のＳＴ46′のサブルーチンであり前記実施例１の図３４に対応する図である。
【図５８】 図５８は実施例２のシャッタオン・オフ制御、ならびに、ＹおよびＸ偏向器制御のフローチャートで、前記実施例１の図３５に対応する図である。
【図５９】 図５９は前記図５８の続きのフローチャートである。
【図６０】 図６０は前記図５９の続きのフローチャートである。
【図６１】 図６１は実施例３の描画装置のウエハＷ上のチップの配置例および描画順序を示す図で、前記実施例２の図４７に対応する図である。
【図６２】 図６２は同実施例３の１個のチップの描画順序の説明図で、前記実施例２の図４８に対応する図である。
【図６３】 図６３はウエハ表面を荷電粒子ビームにより前記Ｙ軸方向に前記ピッチａでｍ回走査したときに前記荷電粒子ビームが走査する面積である単位走査面積をＳ0としたとき、ｑおよびｐを整数（ｑ＝５、Ｐ＝１０）とした場合に、前記単位走査面積Ｓ0の走査をｑ×ｐ回実行して、前記単位走査面積Ｓ0をＸ軸方向にｑ個並べ且つＹ軸方向にｐ個並べた走査面積ｑ×ｐ×Ｓ0＝ｑｐＳ0＝５０Ｓ0のウエハ停止状態走査領域を走査する走査順序の説明図である。
【図６４】 図６４は各ウエハ停止状態走査領域の走査順序の説明図で、前記実施例２の図５０に対応する図である。
【図６５】 図６５は前記実施例１および実施例２に共通のフローチャートである図２８の前記ＳＴ16においてイエス（Ｙ）の場合の処理、すなわち、前記図３０Ａに示す第１選択画面において「（１）描画動作」が選択された場合の処理を示すフローチャートで、前記図３１に対応する図である。
【図６６】 図６６は実施例３のＸＹステージ移動制御のフローチャートであり、前記実施例２の図５６に対応する図（実施例１の図３３に対応する図）である。
【図６７】 図６７は前記図６６のＳＴ46″の停止ウエハ走査領域を移動させるためのＸＹステージ移動処理のサブルーチンを示す図である。
【図６８】 図６８は前記図６７の続きのフローチャートを示す図である。
【図６９】 図６９は図６９は前記図１６に示すスリット基板１１３、上側シャッタ基板１１４および下側シャッタ基板１１５の変更例の説明図である。
【図７０】 図７０は図７０は前記図１６に示すスリット基板１１３、上側シャッタ基板１１４および下側シャッタ基板１１５の他の変更例の説明図である。
【図７１】 図７１は２本のスリットを有するスリット基板を使用し、前記２本のスリットを通過するビームＢ1，Ｂ2を使用してＸＹステージ連続移動描画を行う場合の説明図である。
【符号の説明】
Ａ…真空室、Ｅ17…Ｘ偏向器駆動回路、Ｅ18…Ｙ偏向器駆動回路、Ｅ18a…第１Ｙ偏向器駆動回路（第１Ｙ偏向器駆動回路）、Ｅ18b…第２Ｙ偏向器駆動回路（第２Ｙ偏向器駆動回路）、Ｅb…電源、Ｆ1…荷電粒子銃、Ｆ12…荷電粒子銃、Ｆ15…荷電粒子ビーム平行化レンズ、Ｆ17…Ｘ偏向器、Ｆ18…Ｙ偏向器、Ｆ18a…第１Ｙ偏向器（第１Ｙ偏向器）、Ｆ18b…第２Ｙ偏向器（第２Ｙ偏向器）、ＭＥ0…シャッタ駆動メモリ、ＭＥ1〜ＭＥ4…シャッタ駆動信号一時記憶メモリ、ＰＬ1…シールドプレート、ＳＷ0…シャッタ駆動スイッチ、ＳＷb，ＳＷc…切替スイッチ、Ｕ3…ＸＹステージ、Ｗ…ウエハ、
１…外壁、２…上壁部、４７…検査用鏡筒、５６…描画鏡筒、９１…シールド基板位置調節用圧電体、１１２…シールド基板、１１２S…シールド基板用スリット、１１３…スリット基板、１１３S，１１４S，１１５S，１１６S…スリット、１１４…上側シャッタ基板、１１５…下側シャッタ基板、１１６…フィルタ基板、１１６S…フィルタスリット、
Ｃ１A…オン・オフ信号書込並行処理手段、
Ｃ１B…シャッタ制御手段、
Ｃ１B1…シャッタ駆動信号一時記憶メモリ選択手段、
Ｃ１C…全描画ビーム遮断信号出力手段、
Ｃ１D…停止ウエハ走査制御手段、
Ｃ１D1…スリット幅ピッチ走査用制御手段、
Ｃ１D2…Ｙ軸方向ビーム位置制御手段、
Ｃ１D3…Ｘ軸方向ビーム位置制御手段、
Ｃ１E…ＸＹステージ制御手段、
Ｃ１E1…停止ウエハ走査領域移動用ＸＹステージ制御手段、
（６９，７４〜９３，ＰＬ1）…シールド基板移動装置、
（Ｄx＋Ｍx）…Ｘ軸方向ステージ駆動装置、
（Ｄy＋Ｍy）…Ｙ軸方向ステージ駆動装置、
（Ｅ＋ＳＷ0〜ＳＷ3＋ＳＷa〜ＳＷc）…シャッタ駆動回路
（Ｅb，ＳＷb，ＳＷc）…全描画ビーム偏向装置、
（Ｆ16，Ｆ19）…ビーム縮小レンズ、
（Ｆ17，Ｆ18）…偏向器（偏向器）、
（Ｓ1，Ｓ3，…；Ｓ2，Ｓ4，…）…シャッタ空間、
（Ｓ1a，Ｓ3a，…，Ｓ999a）…上側シャッタ駆動電極、
（Ｓ1b，Ｓ3b，…，Ｓ999b）…上側シャッタ対向電極、
（Ｓ1a，Ｓ1b，Ｓ3a，Ｓ3b，…）…上側シャッタ電極、
（Ｓ2a，Ｓ4a，…，Ｓ1000a）…下側シャッタ駆動電極、
（Ｓ2b，Ｓ4b，…，Ｓ1000b）…下側シャッタ対向電極、
（Ｓ2a，Ｓ2b，Ｓ4a，Ｓ4b，…）…下側シャッタ電極。

Claims (22)

  1. 下記の要件（Ａ01）〜（Ａ 013 ）を備えたことを特徴とする描画装置、
    （Ａ01）ＸＹステージを収容する真空室を形成する外壁、
    （Ａ02）前記外壁の上部を形成する上壁部に装着され且つ下方に向かう荷電粒子ビームを出射する荷電粒子銃が上部に配置された描画鏡筒、
    （Ａ03）前記荷電粒子ビームの通路に配置され、所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のシャッタスリットが形成されたシャッタ基板、
    （Ａ04）前記各シャッタスリットをその長手方向に沿って所定間隔で区分した各スリット部分により形成され且つ前記荷電粒子ビームを直進または偏向させる各シャッタ空間に対応して、前記各シャッタ空間を形成する一方の側縁に形成されたシャッタ駆動電極および他方の側縁に形成されたシャッタ対向電極を有するシャッタ電極、
    （Ａ05）前記シャッタ空間を前記荷電粒子ビームが直進して前記ウエハを照射するビームオンの状態にするシャッタオフの状態と、前記シャッタ空間を通過する際荷電粒子ビームが偏向して前記ウエハを照射しないビームオフの状態にするシャッタオンの状態とを切替えるため、前記各シャッタ駆動電極を駆動するシャッタ駆動回路、
    （Ａ06）前記シャッタ基板の下方に配置されたフィルタ基板であって、前記シャッタ基板の複数の各スリットに対応してフィルタスリットが形成されたフィルタ基板、
    （Ａ07）前記フィルタ基板の下方に配置されて荷電粒子ビームの径を縮小するビーム縮小レンズ、および荷電粒子ビームの光軸に垂直な平面内で前記スリットの延びる方向およびそれに垂直な方向に設定されたＸ軸およびＹ軸それぞれの軸方向に前記荷電粒子ビームを偏向させるＸ偏向器およびＹ偏向器、
    （Ａ08）前記Ｘ偏向器を駆動するＸ偏向器駆動回路、および前記Ｙ偏向器を駆動するＹ偏向器駆動回路、
    （Ａ09）前記ビーム縮小レンズおよび前記偏向器の下方に配置され且つ前記Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ独立して平行移動可能なＸＹステージ、
    （Ａ010）前記ＸＹステージをＸ軸方向に移動させるＸ軸方向ステージ駆動装置、およびＹ軸方向に移動させるＹ軸方向ステージ駆動装置、
    （Ａ 011 ）所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数の上側シャッタスリットが形成された上側シャッタ基板およびその下側に配置され且つ前記上側シャッタスリットと上下に重なる位置に下側シャッタスリットが形成された下側シャッタ基板を有する前記シャッタ基板、
    （Ａ 012 ）前記上側シャッタスリットに形成されるシャッタ空間のうちの１つ置きに選択したシャッタ空間に対応して形成された上側シャッタ駆動電極および前記下側シャッタスリットに形成されるシャッタ空間のうちの１つ置きに選択し且つ前記上側シャッタスリットで選択されなかったシャッタ空間に対応して形成された下側シャッタ駆動電極を有する前記シャッタ駆動電極、
    （Ａ 013 ）前記上側シャッタスリットの他方の側縁に前記上側シャッタ駆動電極に対向して形成される上側シャッタ対向電極および前記下側シャッタスリットの他方の側縁に前記下側シャッタ駆動電極に対向して形成される下側シャッタ対向電極を有する前記シャッタ対向電極。
  2. 下記の要件(Ａ01)〜(Ａ010)、（Ａ014）を備えたことを特徴とする描画装置、
    （Ａ01）ＸＹステージを収容する真空室を形成する外壁、
    （Ａ02）前記外壁の上部を形成する上壁部に装着され且つ下方に向かう荷電粒子ビームを出射する荷電粒子銃が上部に配置された描画鏡筒、
    （Ａ03）前記荷電粒子ビームの通路に配置され、所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のシャッタスリットが形成されたシャッタ基板、
    （Ａ04）前記各シャッタスリットをその長手方向に沿って所定間隔で区分した各スリット部分により形成され且つ前記荷電粒子ビームを直進または偏向させる各シャッタ空間に対応して、前記各シャッタ空間を形成する一方の側縁に形成されたシャッタ駆動電極および他方の側縁に形成されたシャッタ対向電極を有するシャッタ電極、
    （Ａ05）前記シャッタ空間を前記荷電粒子ビームが直進して前記ウエハを照射するビームオンの状態にするシャッタオフの状態と、前記シャッタ空間を通過する際荷電粒子ビームが偏向して前記ウエハを照射しないビームオフの状態にするシャッタオンの状態とを切替えるため、前記各シャッタ駆動電極を駆動するシャッタ駆動回路、
    （Ａ06）前記シャッタ基板の下方に配置されたフィルタ基板であって、前記シャッタ基板の複数の各スリットに対応してフィルタスリットが形成されたフィルタ基板、
    （Ａ07）前記フィルタ基板の下方に配置されて荷電粒子ビームの径を縮小するビーム縮小レンズ、および荷電粒子ビームの光軸に垂直な平面内で前記スリットの延びる方向およびそれに垂直な方向に設定されたＸ軸およびＹ軸それぞれの軸方向に前記荷電粒子ビームを偏向させるＸ偏向器およびＹ偏向器、
    （Ａ08）前記Ｘ偏向器を駆動するＸ偏向器駆動回路、および前記Ｙ偏向器を駆動するＹ偏向器駆動回路、
    （Ａ09）前記ビーム縮小レンズおよび前記偏向器の下方に配置され且つ前記Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ独立して平行移動可能なＸＹステージ、
    （Ａ010）前記ＸＹステージをＸ軸方向に移動させるＸ軸方向ステージ駆動装置、およびＹ軸方向に移動させるＹ軸方向ステージ駆動装置、
    （Ａ 014 ）前記各シャッタ空間の境界に配置されて、隣接する各シャッタ空間の間で電界が発生するのを防止する電界遮蔽部材。
  3. 下記の要件(Ａ01)〜(Ａ010)、（Ａ 030 ）を備えたことを特徴とする描画装置、
    （Ａ01）ＸＹステージを収容する真空室を形成する外壁、
    （Ａ02）前記外壁の上部を形成する上壁部に装着され且つ下方に向かう荷電粒子ビームを出射する荷電粒子銃が上部に配置された描画鏡筒、
    （Ａ03）前記荷電粒子ビームの通路に配置され、所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のシャッタスリットが形成されたシャッタ基板、
    （Ａ04）前記各シャッタスリットをその長手方向に沿って所定間隔で区分した各スリット部分により形成され且つ前記荷電粒子ビームを直進または偏向させる各シャッタ空間に対応して、前記各シャッタ空間を形成する一方の側縁に形成されたシャッタ駆動電極および他方の側縁に形成されたシャッタ対向電極を有するシャッタ電極、
    （Ａ05）前記シャッタ空間を前記荷電粒子ビームが直進して前記ウエハを照射するビームオンの状態にするシャッタオフの状態と、前記シャッタ空間を通過する際荷電粒子ビームが偏向して前記ウエハを照射しないビームオフの状態にするシャッタオンの状態とを切替えるため、前記各シャッタ駆動電極を駆動するシャッタ駆動回路、
    （Ａ06）前記シャッタ基板の下方に配置されたフィルタ基板であって、前記シャッタ基板の複数の各スリットに対応してフィルタスリットが形成されたフィルタ基板、
    （Ａ07）前記フィルタ基板の下方に配置されて荷電粒子ビームの径を縮小するビーム縮小レンズ、および荷電粒子ビームの光軸に垂直な平面内で前記スリットの延びる方向およびそれに垂直な方向に設定されたＸ軸およびＹ軸それぞれの軸方向に前記荷電粒子ビームを偏向させるＸ偏向器およびＹ偏向器、
    （Ａ08）前記Ｘ偏向器を駆動するＸ偏向器駆動回路、および前記Ｙ偏向器を駆動するＹ偏向器駆動回路、
    （Ａ09）前記ビーム縮小レンズおよび前記偏向器の下方に配置され且つ前記Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ独立して平行移動可能なＸＹステージ、
    （Ａ010）前記ＸＹステージをＸ軸方向に移動させるＸ軸方向ステージ駆動装置、およびＹ軸方向に移動させるＹ軸方向ステージ駆動装置、
    （Ａ 030 ）前記荷電粒子ビームの通路で且つ前記シャッタ基板の上方に配置されるとともに、前記シャッタ基板の複数の各シャッタスリットに対応してシールド基板用スリットが形成されたシールド基板。
  4. 下記の要件（Ａ015）を備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか記載の描画装置、
    （Ａ015）前記荷電粒子ビームの通路で且つ前記シャッタ基板の上方に配置され、前記シャッタ基板の各シャッタスリットに対応して前記所定の間隔で形成された荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のスリットを有するスリット基板。
  5. 下記の要件（Ａ016）を備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか記載の描画装置、
    （Ａ016）前記荷電粒子銃の下方で且つ前記シャッタ基板の上方に配置され、前記荷電粒子銃から出射される荷電粒子ビームを平行化する荷電粒子ビーム平行化レンズ。
  6. 下記の要件（Ａ017）〜（Ａ020）を備えたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか記載の描画装置、
    （Ａ017）前記各スリットの幅をＡ、前記各シャッタ空間の面積をＡ×Ａ、ｍ，ｎおよびｋを正の整数としたとき、スリット数がｎ、スリット間隔が（ｍ−１）Ａ、前記各スリットに形成されるシャッタ空間数がｋとなるように構成された前記シャッタ基板、
    （Ａ018）前記面積Ａ×Ａの各シャッタ空間を通過した各荷電粒子ビームの前記ＸＹステージ上に支持されたウエハを照射する照射面積がａ×ａとなるようにビーム縮小倍率がａ／Ａに設定された前記ビーム縮小レンズ、
    （Ａ019）停止状態の前記ウエハ上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向に前記スリット幅Ａに対応するスリット幅ピッチａで走査させるように前記Ｙ偏向器駆動回路を制御するスリット幅ピッチ走査用制御手段を有する停止ウエハ走査制御手段、
    （Ａ020）前記荷電粒子ビームのピッチａの走査にタイミングを合わせて、前記シャッタのオン・オフ状態を切り換えるように前記シャッタ駆動回路を制御するシャッタ制御手段。
  7. 下記の要件（Ａ021）を備えたことを特徴とする請求項６記載の描画装置、
    （Ａ021）ｑを整数とした場合に、前記ウエハ上の前記荷電粒子ビームの照射位置を前記スリットに平行なＸ軸方向にピッチａｋｑで移動させるように前記Ｘ偏向器駆動回路を制御するＸ軸方向ビーム位置制御手段。
  8. 下記の要件（Ａ022），（Ａ023）を備えたことを特徴とする請求項６または７記載の描画装置、
    （Ａ022）前記ウエハ表面を荷電粒子ビームにより前記Ｙ軸方向に前記ピッチａでｍ回走査したときに前記荷電粒子ビームが走査する面積である単位走査面積Ｓ0をＳ0＝（走査面積Ｓ0のＸ軸方向の長さ）×（走査面積Ｓ0のＹ軸方向の長さ）＝（ａ×ｍ×ｎ）×（ａ×ｋ）＝ａｍｎ×ａｋとし、且つ、ｑおよびｐを整数とした場合に、前記単位走査面積Ｓ0の走査をｑ×ｐ回実行して、前記単位走査面積Ｓ0をＸ軸方向にｑ個並べ且つＹ軸方向にｐ個並べた走査面積ｑ×ｐ×Ｓ0＝ｑｐＳ0を、前記ウエハが停止した状態で前記荷電粒子ビームの走査のみによって走査するように、前記Ｙ偏向器駆動回路および前記Ｘ偏向器駆動回路を制御する停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）、
    （Ａ023）前記ウエハが停止した状態で前記荷電粒子ビームにより走査されるウエハ表面の前記走査面積ｑｐＳ0であるウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0の走査を前記停止ウエハ走査制御手段（Ｃ１D）が終了する毎に、次のウエハ停止状態走査領域ｑｐＳ0の走査を実行可能な位置に、ウエハおよび前記ウエハを支持する前記ＸＹステージを、移動させるＸＹステージ制御手段。
  9. 下記の要件（Ａ024）〜（Ａ026）を備えたことを特徴とする請求項７または８記載の描画装置、
    （Ａ024）前記荷電粒子ビームをＹ軸方向にピッチａで偏向させる第１Ｙ偏向器およびピッチａ×ｍ×ｎで偏向させる第２Ｙ偏向器を有する前記Ｙ偏向器、
    （Ａ025）前記第１Ｙ偏向器および第２Ｙ偏向器をそれぞれ駆動する第１Ｙ偏向器駆動回路および第２Ｙ偏向器駆動回路を有する前記Ｙ偏向器駆動回路、
    （Ａ026）前記ウエハ上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向にピッチａで走査させるように前記第１Ｙ偏向器駆動回路を制御する前記スリット幅ピッチ走査用制御手段、前記ウエハ上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに垂直なＹ軸方向にピッチａ×ｍ×ｎで移動させるように前記第２Ｙ偏向器駆動回路を制御するＹ軸方向ビーム位置制御手段、および、前記ウエハ上で前記荷電粒子ビームを前記スリットに平行なＸ軸方向にピッチａ×ｋで移動させるように前記Ｘ偏向器駆動回路を制御するＸ軸方向ビーム位置制御手段を有する前記停止ウエハ走査制御手段。
  10. 下記の要件（Ａ027）を備えたことを特徴とする請求項１記載の描画装置、
    （Ａ027）１枚のシャッタ基板の上面および下面に形成された前記上側シャッタ電極および前記下側シャッタ電極。
  11. 下記の要件（Ａ028），（Ａ029）を備えたことを特徴とする請求項１記載の描画装置、
    （Ａ028）上側シャッタ基板および下側シャッタ基板を有する前記シャッタ基板、
    （Ａ029）前記上側シャッタ基板に形成された前記上側シャッタ電極および前記下側シャッタ基板に形成された前記下側シャッタ電極。
  12. 下記の要件（Ａ030）を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の描画装置、
    （Ａ030）前記荷電粒子ビームの通路で且つ前記シャッタ基板の上方に配置されるとともに、前記シャッタ基板の複数の各シャッタスリットに対応してシールド基板用スリットが形成されたシールド基板。
  13. 下記の要件（Ａ031），（Ａ032）を備えたことを特徴とする請求項３または１２記載の描画装置、
    （Ａ031）前記シールド基板を複数個支持するシールドプレート。
    （Ａ032）前記各シールド基板のスリットがその下方のシャッタ基板のシャッタスリットに対応する使用位置に順次移動するように、前記シールドプレートを移動させるシールド基板移動装置。
  14. 下記の要件（Ａ033）を備えたことを特徴とする請求項１３記載の描画装置、
    （Ａ033）前記使用位置に移動した前記各シールド基板の前記スリットに垂直な方向の位置を微調節するシールド基板位置調節用圧電体。
  15. 下記の要件（Ａ034）を備えたことを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか記載の描画装置、
    （Ａ034）複数の荷電粒子銃または複数の荷電粒子発生源を有する荷電粒子銃が配置された前記描画鏡筒。
  16. 下記の要件（Ａ035）〜（Ａ037）を備えたことを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか記載の描画装置、
    （Ａ035）１本のシャッタスリットに沿って形成される複数のシャッタ駆動電極の全てに同時に印加されるシャッタオン・オフ信号を一時的に記憶するシャッタ駆動信号一時記憶メモリが複数形成された前記シャッタ基板、
    （Ａ036）前記複数のシャッタ駆動信号一時記憶メモリへの、各シャッタ駆動用のオン・オフ信号の書込動作を並行して実行するオン・オフ信号書込並行処理手段、
    （Ａ037）前記複数のシャッタ駆動電極と電源との間にそれぞれ設けられたシャッタ駆動スイッチであって、前記複数の各シャッタ駆動信号一時記憶メモリのうちの選択されたシャッタ駆動信号一時記憶メモリに記憶されたシャッタオン・オフ信号により作動する前記シャッタ駆動スイッチ、および、前記複数の各シャッタ駆動信号一時記憶メモリを循環的に選択するシャッタ駆動信号一時記憶メモリ選択手段を有するシャッタ制御手段。
  17. 下記の要件（Ａ038）を備えたことを特徴とする請求項１６記載の描画装置、
    （Ａ038）前記複数の各シャッタ駆動信号一時記憶メモリのうちの選択された前記シャッタ駆動信号一時記憶メモリの記憶内容を記憶し且つ記憶した値に応じて前記シャッタ駆動スイッチを駆動するシャッタ駆動メモリ（ＭＥ0）。
  18. 下記の要件（Ａ039），（Ａ040）を備えたことを特徴とする請求項１６または１７記載の描画装置、
    （Ａ039）前記シャッタ空間を通過する全描画ビームを偏向させる全描画ビーム遮断信号を出力する全描画ビーム遮断信号出力手段、
    （Ａ040）全描画ビーム遮断信号が出力されたとき、前記選択されたシャッタ駆動信号一時記憶メモリ選択手段の出力信号とは関係なく、前記全描画ビームを偏向させてウエハ表面への全描画ビームの到達を遮断する全描画ビーム偏向装置。
  19. 下記の要件（Ａ041）を備えたことを特徴とする請求項１ないし１８のいずれか記載の描画装置、
    （Ａ041）前記シャッタ駆動電極を、電源スイッチを介して電源のビーム偏向電圧印加端子に接続するビームオフ端子と、前記電源のビーム偏向電圧印加端子またはシャッタ対向電極のいずれかに切替可能な切替スイッチに接続するオン・オフ切替端子とを有するシャッタ駆動スイッチ。
  20. 下記の要件（Ａ042），（Ａ043）を備えたことを特徴とする請求項４記載の描画装置、
    （Ａ042）前記スリット基板の荷電粒子ビーム通過用の平行な複数のスリットの両側に配置された帯状のビーム遮断駆動電極および対向電極、
    （Ａ043）前記帯状のビーム遮断駆動電極および対向電極間に電圧を印加する状態および印加しない状態との間で切替可能なビーム遮断電圧印加回路。
  21. 下記の要件（Ａ044），（Ａ045）を備えたことを特徴とする請求項１ないし２０のいずれか記載の描画装置、
    （Ａ044）前記外壁の上部を形成する上壁部に前記描画鏡筒と並んで装着され且つ上部に荷電粒子銃が配置された第２の描画鏡筒、
    （Ａ045）前記描画鏡筒および第２の描画鏡筒の下方に配置されたＸＹステージであって、前記描画鏡筒および第２の描画鏡筒の下方位置にそれぞれ別のウエハを支持するウエハ支持部および第２ウエハ支持部を有する前記ＸＹステージ。
  22. 下記の要件（Ａ046）を備えたことを特徴とする請求項１ないし２１のいずれか記載の描画装置、
    （Ａ046）前記外壁の上部を形成する上壁部に前記描画鏡筒と並んで装着され且つ上部に荷電粒子銃が配置された検査用鏡筒。
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