JPH06325709A

JPH06325709A - 荷電粒子ビーム露光装置及びそのクリーニング方法

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Publication number: JPH06325709A
Application number: JP5138755A
Authority: JP
Inventors: Tomohiko Abe; 智彦阿部; Yoshihisa Daikyo; 義久大饗; Takamasa Sato; 高雅佐藤; Yasushi Takahashi; 靖高橋; Juichi Sakamoto; 樹一坂本; Hiroshi Yasuda; 洋安田; Soichiro Arai; 総一郎荒井; Moritaka Nakamura; 守孝中村
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-03-18
Filing date: 1993-06-10
Publication date: 1994-11-25
Anticipated expiration: 2019-09-22
Also published as: JP3568553B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、継続的に安定して広範囲にプラズマ
を発生させて、オーバーホールすることなく効率的、か
つ効果的にクリーニングが行なえる荷電粒子ビーム露光
装置およびそのクリーニング方法を提供することを目的
とする。【構成】露光すべき試料に荷電粒子ビームを照射して該
試料にパターンを形成する荷電粒子ビーム露光装置にお
いて、装置内部に酸素を主成分とするガスを導入し、露
光時に偏向を行なう複数の電極に高周波信号を印加して
内部にプラズマを発生させ内部の堆積物を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、可変矩形形やブランキ
ングアパーチャアレイを用いた荷電粒子ビーム露光装置
に関し、より詳細には、荷電粒子ビーム露光装置内のク
リーニングに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＣは、その集積度と機能の向上
に伴い計算機、通信、機械制御等、広く産業全般に応用
されている。例えば、ＤＲＡＭでは、１Ｍ、４Ｍ、１６
Ｍ、６４Ｍ、２５６Ｍ、１Ｇとその集積化が進んでい
る。このような高集積化は、ひとえに微細加工技術の進
歩によっている。

【０００３】このような集積回路の高密度化に伴い、微
細パターンの形成方法として、電子線等の荷電粒子ビー
ムを用いた露光装置が開発されている。荷電粒子ビーム
露光では、０．０５μｍ以下の微細加工が０．０２μｍ
以下の位置合わせ精度で実現できる。

【０００４】荷電粒子ビーム露光装置では、微細なパタ
ーンを正確な位置に露光するためには、電子ビームが安
定していることが必須である。特に、経時変化により電
子ビームが影響を受けないことが重要である。

【０００５】従来の荷電粒子ビーム露光装置では、精度
劣化を引き起こす要因はビームドリフトである。このビ
ームドリフトを引き起こす要因は、以下の要素に大別で
きる。

【０００６】１．投影レンズ内の静電偏向電極や鏡筒下
部の汚れによるチャージアップドリフト２．縮小レンズより上流で発生したチャージアップドリ
フト３．電磁偏向器を使用した際に発生するコイル発熱によ
る熱ドリフト４．収束レンズの発熱による試料、ステージの伸縮によ
る位置ドリフト（相対的なビーム位置トリフト）以上のドリフト成分のうち３と４は熱補償や熱分解、レ
ンズコイルの水冷等で極小に抑えることで、経時変化を
殆ど無視できる量に減少させることが可能になった。と
ころが、上記１と２のチャージアップドリフトは分解清
掃、部品交換（オーバーホール）で対応しているのが現
状である。

【０００７】例えば、上記１のチャージアップドリフト
の要因として、鏡筒下部の汚れによるチャージアップド
リフトがある。この汚れは露光時にレジストを塗布して
試料に高エネルギーの粒子が照射されることにより、有
機材料から発生するガスが付着したものや、反射電子に
よるガス中の炭素成分が蒸着したものであり、絶縁物質
である。この汚れに反射電子や２次電子等のチャージが
溜ると、周りの電位に対して電界を発生し、ビーム位置
を変動させる（ビームドリフト）。しかも、チャージの
溜り方は露光パターンによってまちまちであり、系統だ
てて評価し補正することは殆ど不可能である。また、ア
ルミナ部品表面にメッキまたはメタライズを施した部品
に関しては、表面の洗浄性を保証することは困難であ
る。例えば、メッキ液の残留や洗浄時にメッキに発生す
るピンホール等が考えられる。結局、定期的に鏡筒の
特性を表す偏向器のフィールド補正係数（ゲイン、ロー
テーション、台形、オフセット）を測定して、トリフト
成分を各成分に分解して吸収しつつ露光していき、単位
時間当りのドリフト量があるレベルを越えた時点で分解
清掃、部品交換によって対応している。

【０００８】また、上記２のチャージアップドリフト
は、スリットに汚れが付着することに起因している。こ
のチャージアップドリフトに対しても、従来では、フィ
ールド補正係数を定期的に計算して対応しており、最終
的には分解清掃、部品交換を行っている。また、ブラン
キングアパーチャアレイ（ＢＡＡ）を用いた荷電粒子ビ
ーム露光装置（以下、ＢＡＡ電子ビーム露光装置とい
う）では、多数の開孔を通過した電子ビームを制御する
ことにより、最終的なビーム形状を作り出している。従
って、このＢＡＡには直接電子ビームが照射され、しか
も露光中は絶え間なく照射されているので、レジストや
真空中の有機物がＢＡＡに付着し、そこに帯電するチャ
ージアップが非常に早く起こる。このＢＡＡでのチャー
ジアップにより、通過させたいビームの軌道が曲げら
れ、その先にあるアパーチャでカットされてしまった
り、カットしたいビームが通過したりして所望のパター
ンが描画できなくなってしまう。しかも、上記現象は経
時的に変化する場合が多い。これに対しては、従来はオ
ーバーホールで対応している。すなわち、早期に寿命と
なったＢＡＡを交換する。従って、前述したような問題
点が生じる。

【０００９】上記の分解清掃、部品交換は人手によらな
ければならず、多大の労力と時間を要する。また、組み
立て後には装置を再調整しなければならず、同様に多大
の労力と時間を要する。

【００１０】上記問題点を解決することを意図した荷電
粒子ビーム露光方法が提案されている（特開昭６１ー２
０３２１号公報参照）。ここに開示の方法によれば、次
のようにして、露光装置内部をクリーニングする。露光
装置のコラム内にその軸方向に沿って棒状の電極を挿入
し、この電極とコラム内壁との間に高周波電圧を印加し
てコラム内部にプラズマを発生させ、このプラズマによ
りコラム内部の付着物をアッシングする。

【００１１】また、特開昭６１ー５９８２６号公報に
は、次のクリーニング方法が開示されている。露光装置
のコラム内の真空内部品および電極をアースから絶縁し
て、高周波電圧を印加する。一方、コラム内に酸素ガス
を導入しておく。高周波電圧の印加により酸素ガスプラ
ズマが発生し、コラム内の真空部品や電極の炭素化合物
の汚れをアッシングする。

【００１２】さらに、特開平３ー１９３１４号公報に
は、次のクリーニング方法が開示されている。このクリ
ーニング方法では、図２４に示す筒体１を用いる。この
筒体１は、露光すべき試料の上部に設けられる。筒体１
の本体２は絶縁性のセラミックで形成され、その内周面
に複数のＴ字型の凹部３が形成されている。本体２の内
周面は金等の導電体でメッキされ、この後、各凹部３の
一端部３ａの金メッキを放電加工により除去する。これ
により、金メッキによる導電部４ａー４ｈは光軸に沿っ
て互いに絶縁分離されている。対向する電極間には、発
振器５の高周波信号が印加される。図２４では、便宜
上、一対の対向する電極のみに高周波信号を印加してい
る様子が示されている。

【００１３】この筒体１内部には、酸素などのクリーニ
ングガスを導入し、高周波信号を印加してクリーニング
ガスを活性化させることで、筒体２内周面の堆積物をエ
ッチング除去する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術は以下の問題点を有する。

【００１５】特開昭６１ー２０３２１号公報に開示のク
リーニング方法では、棒状の電極を挿入するための構成
が複雑である。また、本発明者の実験によれば、ラジカ
ル状態のガスを含むプラズマを安定して広範囲に発生さ
せることができないことが確認された。例えば、プラズ
マは棒状の電極の周りの狭い範囲に短時間発生するのみ
である。

【００１６】特開昭６１ー５９８２６号公報に開示のク
リーニング方法は、その原理的な事項のみ開示してお
り、実際に装置を組んで実験してみると、同様にラジカ
ル状態のガスを含むプラズマを安定して広範囲に発生さ
せることができないことが確認された。

【００１７】特開平３ー１９３１４号公報に開示のクリ
ーニング方法も同様に、実際に装置を組んで実験してみ
ると、やはりラジカル状態のガスを含むプラズマを安定
して広範囲に発生させることができないことが確認され
た。例えば、僅かな条件の相違でプラズマが発生しなか
ったり、同じ条件でもプラズマが発生したり、発生しな
かったりすることが確認された。

【００１８】以上のことから、上記文献に開示のクリー
ニング方法はいずれも、実用化には不十分であり、さら
に何等かの改良を施さなければ実用化できない。さら
に、上記文献に開示の方法では、ブランキングアパーチ
ャアレイなど、電極以外の部分をオーバホールすること
なく効率的にクリーニングすることが出来ない。

【００１９】従って、本発明は上記従来の問題点を解決
し、継続的に安定して広範囲にプラズマを発生させて、
鏡筒内部のみならずその周辺部に堆積した付着物、さら
にはブランキングアパーチャアレイ等その他の汚れ易い
部分に付着した付着物をオーバーホールすることなく効
率的、かつ効果的にエッチングで除去できる機構を供え
た荷電粒子ビーム露光装置およびそのクリーニング方法
を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記問題点は、以下の構
成を具備する荷電粒子ビーム露光装置で解決される。

【００２１】図１は、本発明の原理を示す図である。荷
電粒子ビーム露光装置のメインチャンバＭ１内には、複
数の電極（例えば、サブディフレクタ電極）Ｄ１−Ｄ８
が略等間隔で荷電粒子ビームの光軸の周りに配列されて
いる。メインチャンバＭ１内にはバルブＭ３を介して酸
素を主成分とするガスが導入され、０．１Ｔｏｒｒ−４
Ｔｏｒｒの真空度で保たれている。

【００２２】各電極Ｄ１−Ｄ８は、高周波信号源Ｍ３ま
たはグランドＧＮＤのいずれか一方に接続されている。
ここで、クリーニング時、隣り合う電極には高周波信号
と接地電位が交互に印加されるようにすることが好まし
い。図１では、電極Ｄ１に高周波信号を印加し、その両
側の電極Ｄ２とＤ８には接地電位を印加する。このた
め、対向する電極には、同一の信号（電圧）が与えられ
る。例えば、電極Ｄ１とこれに対向する電極Ｄ５には高
周波信号が印加され、電極Ｄ２とこれに対向する電極Ｄ
６には接地電位が印加されている。

【００２３】また、高周波信号の周波数は１００ｋＨｚ
−８００ｋＨｚの範囲に設定する。

【００２４】

【作用】図１に示すように電極Ｄ１−Ｄ８に高周波信号
と接地電位を与えると、図２５に示す従来の構成より
も、極めて安定してまた広範囲に酸素のラジカルを含む
プラズマを発生させることが確認できた。

【００２５】なお、後述するように、高周波信号に関す
る周波数以外のパラメータ（出力、印加時間）を所定の
範囲内に設定し、また電極の形状や対向する電極間の距
離、電極Ｄ１−Ｄ８の下端と試料との距離や鏡筒と試料
との距離等をそれぞれ所定の範囲内に設定することで、
より安定して広範囲に酸素のプラズマ・ラジカル状態を
発生させることが可能であることが確認された。

【００２６】例えば、電極がサブディフレクタのもので
あれば、鏡筒内のみならず、投影レンズ内の電極周辺の
部品にまで酸素のプラズマ・ラジカル状態が生じ、これ
らの部品をクリーニングすることができる。また、ブラ
ンキングアパーチャアレイをクリーニングするには、例
えば、ブランキングアパーチャアレイの近傍に電極Ｄ１
−Ｄ８を設けて、上述のように制御する。

【００２７】

【実施例】まず、図２を参照して、本発明の第１の実施
例による荷電粒子ビーム露光装置の構成について説明す
る。

【００２８】図２に示す露光装置は、露光部１０と制御
部５０とに大きく分けられる。露光部１０は、電子ビー
ムを発生し、スポット状もしくはパターン状に整形し、
露光対象物の所望位置に露光する。制御部５０は、露光
部１０を制御する信号を生成する部分である。なお、露
光部１０の下には、露光対象物（試料）Ｗを載置するス
テージ３５がある。

【００２９】まず、露光部１０について説明する。カソ
ード電極１１から発生した電子は、グリッド電極１２お
よびアノード電極１３によって引き出される。これらの
電極１１、１２、１３が荷電電子ビーム発生源１４を構
成する。

【００３０】荷電電子ビーム発生源１４から発生した電
子ビームは、例えば矩形状開口を有する第１のスリット
１５によって整形され、電子ビームを集束する第１の電
子レンズ１６を通過し、透過マスク２０上のビーム照射
位置を修正偏向するためのスリットディフレクタ１７に
入射する。スリットディフレクタ１７は、修正偏向信号
Ｓ１によって制御される。

【００３１】電子ビームを所望のパターンに整形するた
めに、矩形開口や所定パターンのブロックパターン開口
等の複数の透過孔を有する透過マスク（ステンシルマス
ク）２０を用いる。スリットティフレクタ１７を通過し
た電子ビームは、電子ビーム整形部を通って所望のパタ
ーンに整形される。この電子ビーム整形部は、対向して
設けられた第２の電子レンズ１８、第３の電子レンズ１
９、これらの電子レンズ間に水平方向に移動可能に装着
されて透過マスク２０、透過マスク２０の上および下に
配置され、それぞれ位置情報Ｐ１ーＰ４に応じて電子ビ
ームを偏向し、透過マスク２０上の透過孔の１つを選択
する第１ないし第４の偏向器２１ー２４を含む。

【００３２】整形された電子ビームは、ブランキング信
号ＳＢか印加されるブランキング電極２５によって遮
断、もしくは通過するように制御される。ブランキング
電極２５を通過した電子ビームは、第４の電子レンズ２
６、アパーチャ２７、リフォーカスコイル２８、第５の
電子レンズ２９によって調整され、フォーカスコイル３
０に入射する。フォーカスコイル３０は、電子ビームを
露光対象面上にフォーカスさせる機能を有する。また、
スティグコイル３１は、非点収差を補正する。電子ビー
ムは、さらに第６の電子レンズ３２、露光位置決定信号
Ｓ２、Ｓ３に応じて露光対象物Ｗ上の位置決めを行う電
磁偏向器であるメインディフレクタ３３、および静電偏
向器であるサブディフレクタ３４によってその位置が制
御され、露光対象物Ｗ上の所望位置に照射される。

【００３３】なお、露光対象物Ｗは、ＸＹ方向に移動可
能なステージ３５に載置され、移動される。また、露光
部１０には、さらに第１−第４のアラインメントコイル
３６、３７、３８、３９が設けられている。

【００３４】制御部５０はメモリ５１、ＣＰＵ５２を有
する。集積回路装置の設計データはメモリ５１に記憶さ
れ、ＣＰＵ５２によって読み出され、処理される。ＣＰ
Ｕ５２は、その他、荷電電子ビーム露光装置全体を制御
する。

【００３５】インタフェース５３は、ＣＰＵ５２によっ
て取り込まれた描画情報、例えばパターンを描画すべき
ウエハＷ上の描画位置情報、および透過マスク２０のマ
スク情報等の各種情報を、データメモリ５４およびシー
ケンスコントローラ６０に転送する。データメモリ５４
はインタフェース５３から転送された描画パターン情報
およびマスク情報を記憶保持する。

【００３６】パターン制御コントローラ５５は、データ
メモリ５４から描画パターン情報およびマスク情報を受
け、それらに従って透過マスクの透過孔の１つを指定
し、その指定透過孔の透過マスク上での位置を示す位置
信号Ｐ１−Ｐ４を発生する。また、パターン制御コント
ローラ５５は、描画すべきパターン形状と指定透過孔形
状との形状差に応じた補正値Ｈを演算する処理を含む各
種処理を行う指定機能、保持機能、演算機能および出力
機能を有する。

【００３７】アンプ部５６はディジタル・アナログ変換
機能および増幅機能を有し、補正値Ｈを受け、修正偏向
信号Ｓ１を生成する。マスク移動機構５７は、パターン
制御コントローラ５５からの信号に従い、必要に応じて
透過マスク２０を移動させる。

【００３８】ブランキング制御回路５８は、パターン制
御コントローラ５５からの信号に応じて、ディジタル・
アナログ変換機能および増幅機能を有するアンプ部５９
を制御し、ブランキング信号ＳＢを発生する。

【００３９】シーケンスコントローラ６０は、インタフ
ェース部５３から描画位置情報を受け、描画処理シーケ
ンスを制御する。ステージ移動機構６１は、シーケンス
コントローラ６０からの信号に応じて、必要に応じてス
テージ３５を移動させる。

【００４０】このステージ３５の移動は、レーザ干渉計
６２によって検出され、偏向制御回路６３に供給され
る。偏向制御回路６３は、試料（ウエハ）Ｗ上の露光位
置を演算し、露光位置決定信号Ｓ２、Ｓ３を発生するア
ンプ部６４、６５に信号を供給すると共に、シーケンス
コントローラ６０にも信号を供給する。なお、アンプ部
６４、６５はそれぞれ、ディジタル・アナログ変換機能
および増幅機能を有する。

【００４１】通常の電子ビーム露光においては、電磁偏
向器であるメインディフレクディフレクタ３３によって
２−１０ｍｍ□の偏向フィールドをビーム偏向し、静電
偏向器であるサブディフレクタ３４によって、１００μ
ｍ□程度のサブフィールドを偏向する。

【００４２】パターンデータは、ＣＰＵ５２によってメ
モリ５１から読み出され、データメモリ５４に転送さ
れ、ここに蓄積される。データメモリ５４から読み出さ
れたパターンデータによって、パターン制御コントロー
ラ５５はパターンを各ショットごとに分解する。各ショ
ットに分解されたパターンデータは、メインディフレク
タ３３用のデータ、サブディフレクタ３４用のデータ、
スリットディフレクタ１７用のデータ、ブランキング信
号ＳＢ等の信号に分離され、電子ビームを偏向制御す
る。

【００４３】なお、図を複雑化させないために図示を省
略するが、ステージ３５と試料Ｗからの反射電子を検出
する検出器が試料Ｗに対向するように設けられている。

【００４４】図３に示すように、荷電電子ビーム発生源
１４から試料までは、鏡筒４１とメインチャンバ４２で
覆われている。鏡筒４３の上部には、バルブ４４を介し
て排気ポンプ４３が設けられている。メインチャンバ４
２には、バルブ４６を介して排気ポンプ４５が設けられ
ている。さらに、バルブ４８−５１を介して排気ポンプ
４７が鏡筒４１およびメインチャンバ４２に接続されて
いる。

【００４５】鏡筒４１内部はバルブを有するパーティシ
ョンで複数の空間に区切られている。例えば、荷電電子
ビーム発生源１４は、バルブ５３を有するパーティショ
ン５２で仕切ることができる。

【００４６】また、酸素ガスを鏡筒４１下部に導入する
ためのバルブ５４が設けらている。このバルブ５４に代
えてまたはこれに加えて、酸素ガスをメインチャンバ４
２に導入するバルブ５５を設けてもよい。

【００４７】図４，図５にスリットディフレクタ１７の
構成図を示す。図４は斜視図、図５は横断面図を示す。

【００４８】スリットディフレクタ１７は図４，図５に
示すように円筒状のシールド導体４００及び４片の電極
４０１、４０２、４０３、４０４より構成される。シー
ルド導体４００は円筒形に形成された導電性が良好な金
属材等よりなり、接地されている。

【００４９】電極４０１，４０２，４０３，４０４はベ
リリウム−銅等よりなる良好な導電性を有する金属材よ
り構成され、その横断面形状は台形状をなし、シールド
導体４００の円筒内部に配設される。電極４０１〜４０
４は電極４０１の長辺と電極４０３の長辺とが互いに平
行に対向し、電極４０２の長辺と電極４０４との長辺と
が互いに平行に対向し、かつ、電極４０１、４０３の長
辺と電極４０２、４０４の長辺はその延長線上で直交す
るように配置されている。

【００５０】電極４０１〜４０４の形状及び配置を以上
のような構成とすることにより、電極４０１〜４０４の
うち互いに隣り合う電極間の距離が外周に向うに従って
大きくなるように構成される。

【００５１】また、電極４０１と電極４０３との間隔及
び電極４０２と電極４０４との間隔をＡ、電極４０１〜
４０４とシールド導体４００との最小の間隔をＢとした
とき、Ａ：Ｂが３：１以下となるように設定されてお
り、以上の条件によれば、電極４０１〜４０４によりプ
ラズマを発生させた場合にシールド導体４００と電極４
０１〜４０４との間に比べて、電極４０１〜４０４間で
プラズマが発生しやすくなる。

【００５２】次にスリットディフレクタ１７の動作を説
明する。スリットディフレクタ１７は露光時にはアンプ
部５６からの修正偏向信号Ｓ１に応じて電極４０１〜４
０４に電圧が印加され、電子ビームが電極４０１〜４０
４の電位により偏向される。

【００５３】また、プラズマクリーニングを行なう場合
には、図６に示すように電極４０１及び電極４０３に高
周波信号源４０５より高周波信号（１００ＫＨｚ−８０
０ＫＨｚ）が供給され、電極４０２及び電極４０４は接
地される。また、チャンバ内は酸素を主成分とするガス
が導入され、０．１Ｔｏｒｒ−４Ｔｏｒｒの真空度に保
持される。

【００５４】以上の条件により電極４０１〜４０４の互
いに隣り合う電極間に種プラズマ４１１〜４１４が発生
する。種プラズマ４１１〜４１４は電極４０１〜４０４
の互いに隣り合う電極間の互いの間隔が最も近接し、電
位傾斜が急激な部分となる頂点ａ〜ｈ付近に発生するこ
とになる。

【００５５】スリットディフレクタ１７では種プラズマ
４１１〜４１４を基にプラズマが発生し、電極４０１〜
４０４外周部分では電極４０１〜４０４間の電位の傾斜
が緩やかになるため、プラズマが発生しにくく、電位の
傾斜が比較的急激な電極４０１〜４０４に囲まれた領域
４０６にプラズマが集中する。

【００５６】このように、電極４０１〜４０４の電子ビ
ームの光軸Ｌ₁に面し、汚れやすい領域（図５に破線で
示す領域）に面して集中的にプラズマを発生させること
ができるため、効率的にクリーニングが行なえる。ま
た、不要な部分でのプラズマの発生を抑制できるため、
省電力化が計れる。

【００５７】また、露光時においても電極４０１〜４０
４とシールド導体４００との間の不要な静電容量を減少
させることができるため、電子ビームの偏向動作の応答
を高速に行ない得る。さらに、クリーニングにより電極
４０１〜４０４がクリーンに保持されるため、電子ビー
ムの正確な偏向動作が可能となる。

【００５８】なお、本実施例では電極４０１〜４０４の
形状を台形状としたがこれに限ることはなく、扇形状、
三角形状、凸形状等でもよく、要は電子ビームの光軸Ｌ
₁から外方に向うに従って電極間の間隔が大きくなる形
状であればよい。

【００５９】図７，図８は、図３に示す静電偏向器であ
るサブディフレクタ３４と、その周辺部分を示す図であ
る。サブディフレクタ３４は円筒状に形成されており、
内部に複数の電極を有する。サブディフレクタ３４の構
造については、図９を参照して後述する。サブディフレ
クタ３４の上部には、絶縁物質で形成された筒状部品５
６ａが配置されている。筒状部品５６ａは円形の中空を
有し、上端部にリング状のフランジ５７を有している。
なお、筒状部品５６ａの中空部分およびフランジ５７の
上面部分には、メッキ（導電膜）が施されている。筒状
部品５６ａの上端部に設けられているフランジ５７は、
Ｏリング５９を挿んで露光装置のフレーム部材６０に固
定されている。またサブディフレクタ３４の下部には、
同じく絶縁物質で形成された筒状部品５６ｂが配置され
ている。筒状部品５６ｂは円形の中空を有し、下端部に
リング状のフランジ５８を有している。このフランジ５
８は、試料Ｗに面しており、鏡筒４１の下端部に相当す
る。なお、筒状部品５６ｂおよびフランジ５８の全面
に、メッキ（導電膜）が施されている。また、図示する
ように、筒状部品５６ａ，５６ｂ、フランジ５７，５８
は接地電位に設定されている。

【００６０】サブディフレクタ３４は、絶縁物質で形成
された別の筒状部品６１で図示するように覆われてい
る。この筒状部品６１の下端部にはフランジ６２が設け
られており、Ｏリング６３を挿んで露光装置のフレーム
部材６４に固定されている。また、筒状部品６１の上部
はＯリング６６を挿んで露光装置のフレーム部材６６に
固定されている。上記フレーム部材６０，６６は絶縁物
質で形成されている。

【００６１】ここで、酸素を含むガスのプラズマ・ラジ
カル状態を安定して広範囲に発生させるためには、フラ
ンジ５８、すなわち鏡筒４１の下端部と試料Ｗの試料面
との距離Ｔ１を１０ｍｍ以下に設定することが好まし
い。また、サブディフレクタ３４の電極下端から試料面
までの距離Ｔ２を２５ｍｍ以下に設定することが好まし
い。これらの数値範囲以外の距離に設定すると、プラズ
マ・ラジカル状態を安定して発生させることが出来ない
ことが確認されている。

【００６２】図９は、サブディフレクタ３４の構成を示
す図である。図９の（Ｉ）はサブディフレクタ３４の斜
視図であり、図９の（ＩＩ）は（Ｉ）のＡーＡ線断面図
である。サブディフレクタ３４はアルミナセラミックの
電極固定筒６７を有する。電極固定筒６７の内周面に
は、複数（図９では８つ）の断面Ｌ字型の電極支持部６
８が設けられている。これに対応して、Ｌ字型溝７０ａ
が形成されている。これらの電極支持部６８を有する電
極固定筒６７の内周面には、図示する位置に形成された
電極絶縁部７０を除いてメッキ（導電膜）６９が施され
ている。これにより、８つの電極が形成されている。メ
ッキ６９が施された電極支持部６８は、電極固定筒６７
の軸方向に沿って連続して形成されている。図９の
（Ｉ）に示すように、メッキ６９が施された電極支持部
６８は、電極固定筒６７の上端から僅かに突出してい
る。なお、以下の説明では、電極支持部６８とメッキ６
９を合わせて電極７１という。

【００６３】電極固定筒６７の外周面を結ぶ径Ф１は例
えば１０ｍｍで、対向する電極７１間を結ぶ径Ф２は６
ｍｍである。また、隣り合う電極７１間の距離Ф３は例
えば０．５ｍｍである。なお、対向する電極７１間の距
離Ф２は特にプラズマの安定的な発生に関係し、４−１
０ｍｍの範囲にあることが好ましいことが確認されてい
る。

【００６４】図９に示すサブディフレクタ３４は、次の
ように製造できる。粘土状のアルミナセラミックを射出
成形した後、焼成する。そして、成形体を研磨し、メッ
キを施したのち、メッキをカットしてメッキ部６９と電
極絶縁部７０とを有する複数の電極７１を形成する。

【００６５】図７，図８に示す筒状部品５６の外周面お
よびフランジ５７の裏面には複数の配線パターンが形成
されており、それぞれ複数（図９では８つ）電極７１に
接続されている。フランジ５７の裏面に半径方向に等方
的に形成されている配線パターンは、Ｏリング５９を介
して外部（大気）に引き出される。なお、Ｏリング５９
の配線パターンに面する部分は絶縁物質で形成されてい
る。

【００６６】サブディフレクタ３４の８つの電極７１に
は、図１に示すように高周波信号と接地電位のいずれか
一方が印加される。この場合、クリーニング時には、隣
り合う電極には異なった信号が印加されるようにする。
次に、露光装置内部をクリーニングする動作について説
明する。

【００６７】まず、図３に示すバルブ５３ならびにバル
ブ４９および５０を閉じた状態で、バルブ５４を介して
酸素を主成分とするガスを鏡筒４１内に導入する。一
方、排気ポンプ４５でメインチャンバ４２で排気して、
所定の真空度（前述の０．１Ｔｏｒｒ−４Ｔｏｒｒの範
囲内）に設定する。このとき、ガスは上から下へ流れる
ダウンフローとなる。

【００６８】クリーング時、ステージ３５に載置される
試料Ｗとして、シリコンウエハを用いる。なお、試料Ｗ
の中心と鏡筒４１の中心軸とはほぼ一致するようにして
おく。

【００６９】サブディフレクタ３４の電極７１に、図１
のように高周波信号と接地電位を印加する。プラズマ・
ラジカル状態を安定に発生させるためには、高周波信号
の周波数を１００ｋＨｚ−８００ｋＨｚの範囲内に設定
し、その出力を１００ｗ以下とし、トータルの印加時間
を１０分以下とすることが好ましい。なお、汚れの状況
により、上記条件で複数回印加する。この条件におい
て、プラズマラジカル状態が安定に発生することが確認
された。なお、高周波信号の周波数は、上記範囲の通
り、露光時の周波数よりもかなり低い。

【００７０】プラズマラジカルはガスのダウンフローに
沿って、縦方向に発生する。図７，図８のフランジ５８
から流出するガスは、前記距離Ｔ１を１０ｍｍ以下に設
定し、また前記距離Ｔ２を２５ｍｍ以下に設定すること
で放射状に広がり、電極７１のみならずこれらの周辺部
の部品（図示しない反射電子検出器の周辺まで）に対し
てもクリーニングの効果を発揮させることができる。ク
リーニング時、荷電電子ビーム発生源１４は隔離される
ので、悪影響を受けない。

【００７１】また、大気リークの必要性がないため真空
引きの時間を１時間程度に短縮でき、部品の不良を招く
ことはなく、分解清掃、部品交換の作業ミスの危険性も
皆無である。鏡筒を分解する必要性がないため、光軸出
しからレンズ条件設定ならびに偏向器の補正係数、偏向
特性マップ（ＳＴＩＧ、ＦＯＣＵＳ、歪み）等を再度取
得する必要は無く、立ち上げ時間を短縮させることがで
きる。

【００７２】なお、図３において、酸素を主成分とする
ガスの流れをダウンフローに代えてアッパフローに設定
しても良い。この場合は、ガスを図３のバルブ５５から
導入し、バルブ４９や５０を介して排気ポンプ４７で排
気する。これにより、ガスはサブディフレクタ３４を下
から上へ流れる。この場合は、電極７１の上部周辺にあ
る部品を効果的にクリーニングすることができる。ダウ
ンフローとアッパフローの両方を採用しても良い。

【００７３】本発明によるクリーニングの効果は、次の
ようにして確認できる。ウエハ上に有機材料膜（レジス
ト）を予め塗布しておく。プラズマの発生によりレジス
ト上にラジカルが飛来、または直接プラズマが発生する
ことにより気化する。この粒子の付着状態を目視するこ
とで、クリーニングの効果を確認できる。

【００７４】また、別の方法でもクリーニングの効果を
確認できる。クリーニング後、導入したガスを排気し、
ビーム出しを行う。次に、図１０に示すように、静電偏
向領域の４つのコーナー（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に電
子ビームを偏向するような電位をサブディフレクタ３４
の複数の電極７１に印加する。それぞれのコーナーにお
いては、数秒から数十秒の時間でビームを照射する。

【００７５】図１１に示すように、静電偏向領域の大き
さに比べ、電極７１は十分に大きい（図１１の場合、対
向する電極間の距離Ф２は６ｍｍである）ため、静電偏
向領域のコーナー（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）から電極７
１への反射電子量は、各コーナーにおいてほぼ同一と考
えられる。しかし、電極７１による電界により、反射電
子、２次電子は正の電極側に引き寄せられるため、正の
電極に汚れがあれば、その汚れに溜る電荷（負）によ
り、ビームはドリフトする。

【００７６】通常の露光時には、同じ位置にビームを照
射する時間（つまり、静電偏向器が同じ電界を発生する
時間）は、長くても数μｓｅｃであり、数秒間の間には
ほぼフィールド全面を走査していることになる。従っ
て、同じ電界を数秒から数十秒印加することは、電界表
面にチャージを溜める時間を１、０００、０００倍大き
くすることになる。この加速試験の量がそのまま本当の
ドリフトになるとは考えられないが、電極表面の汚れ不
良の検査には最も感度の高い測定方法である。

【００７７】図１２は、静電偏向領域（１００μｍ□）
において、ビーム（３μｍ□）を１０秒間試料に照射し
た場合の各コーナーでのビームドリフト（チャージアッ
プドリフト）を示す。ビームドリフトを表す矢印の方向
がビームトリフト方向を示し、矢印の長さがビームドリ
フト量を示している。図１２の（１）は、クリーニング
前の状態を示している。図１２の（２）は、２０秒のク
リーニングを４回行った場合と、８回行った場合を示
す。さらに、図１２の（３）は、２０秒のクリーニング
を１２回行った場合を示す。図１２から判るように、ク
リーニング後のビームドリフトは減少している。すなわ
ち、電極７１に付着した汚れがクリーニングされたこと
を示している。

【００７８】図１３，図１４にサブディフレクタ３４の
変形例の電極構成図を示す。図１３は斜視図、図１４は
横断面図を示す。

【００７９】本変形例はサブディフレクタを円筒形状の
シールド導体５００及び８片の電極部５０１〜５０８で
構成してなる。シールド導体５００は円筒形状に形成さ
れたアルミナセラミック等の絶縁材５００ａの内側表面
に金（Ａｕ）等の導電材よりなる導電膜５００ｂを形成
してなり、導電膜５００ｂは接地され、その内部に８片
の電極部５０１〜５０８が配設される。

【００８０】電極部５０１〜５０８は夫々アルミナセラ
ミック等の絶縁材よりなる電極支持部５０９〜５１６表
面に金（Ａｕ）等の導電材よりなる導電膜５１７〜５２
４を形成してなる。電極支持部５０９〜５１６は夫々そ
の横断面形状が略凸字状に形成されている。導電膜５１
７〜５２４は電極支持部５０９〜５１６のシールド導体
５００に対向する幅の狭い面を除いて形成されている。

【００８１】電極部５０１〜５０８はシールド導体５０
０の内部に幅の広い部分が光軸Ｌ₁に対向し、幅の狭い
部分がシールド導体５００の内壁に対向するように、か
つ、光軸Ｌ₁を中心として等角度となるように配設され
ている。

【００８２】このため、電極部５０１〜５０８は互いに
隣り合う電極部との間隔が内周側で狭く、外周側で広く
なる構成とされている。また、光軸Ｌ₁を中心にして互
いに対向する電極部間の距離をＡ、電極部５０１〜５０
８とシールド導体５００との間隔をＢとすると、Ａ：Ｂ
＝３：１以下に設定されている。

【００８３】本変形例の電極部５０１〜５０８の製造方
法は粘度状のアルミナセラミックを射出成形した後焼成
し、焼成することにより得た成形体を研磨し、その周囲
に導電膜を形成し、不要な部分の導電膜を除去すること
により形成される。

【００８４】次にサブディフレクタ３４の変形例の動作
を図１５と共に説明する。サブディフレクタ３４の電極
部５０１〜５０８の導電膜５１７〜５２４は露光時には
アンプ部６５と接続され、電子ビームの偏向量に応じた
偏向電圧が印加され、電子ビームの偏向制御を行なう。

【００８５】また、プラズマクリーニング時には図１５
に示すように電極部５０１、５０３、５０５、５０７の
導電膜５１７、５１９、５２１、５２３には高周波信号
源５２５と接続され、８０ＫＨｚ−１００ＫＨｚの高周
波信号が供給され、電極部５０２、５０４、５０６、５
０８の導電膜５１８、５２０、５２２、５２４は接地さ
れる。このため、互いに隣り合う電極部間の電位が高周
波で変化し、互いに隣り合う電極部間に種プラズマ５２
６〜５３３が発生する。

【００８６】このとき、種プラズマ５２６〜５３３は電
位の傾斜が急激なところに発生しやすいため、電極部５
０１〜５０８の導電膜５１７〜５２４の互いに隣り合う
電極部間の間隔が狭くなる部分、つまり、光軸Ｌ₁に面
した部分で発生することになる。また、電極部５０１〜
５０８は電子ビームの光軸Ｌ₁から外方に向うに従って
互いに隣り合う電極部間の間隔が広くなっていくため、
電位の傾斜はゆるやかになり、また、シールド導体５０
０と電極部５０１−５０８間の間隔もシールド導体５０
０と電極部５０１〜５０８間でプラズマが発生しにくい
条件となるＡ：Ｂ＝３：１以下に設定され、さらに、こ
れに加えてシールド導体５００と電極部５０１〜５０８
との間の間隔が最も狭くなる部分では電極５０１〜５０
８の導電性メッキ５１７〜５２４がはがされているた
め、電極部５０１〜５０８の外周部分にはプラズマは発
生しにくく、電極部５０１〜５０８に囲まれた領域５３
４で種プラズマ５２６〜５３３を基にプラズマが発生す
る。

【００８７】したがって、電極部５０１〜５０８の電子
ビームの光軸Ｌ₁に面していて、汚れの付着しやすい部
分（図１４に破線で示す）に面してプラズマが主に発生
することになるため、効率よく、クリーニングが行なえ
る。また、電極部５０１〜５０８の外周部分の汚れの付
着しにくい部分ではプラズマが発生しにくく、不要なプ
ラズマを発生させずに済むため、省電力化が計れる。

【００８８】さらに、電極部５０１〜５０８間の静電容
量、及び、シールド導体５００と電極部５０１〜５０８
との間の静電容量も最小限に抑制できるため、露光時の
偏向の応答性も高速化することができる。

【００８９】また、本変形例によれば、図９に示すサブ
ディフレクタ３４に比べて形状が単純であるため、その
製造も容易となる。

【００９０】なお、本変形例では、電極部５０１〜５０
８の横断面形状を略凸状としたが、これに限ることはな
く、扇状、三角形、台形等の形状としてもよく、要は、
電子ビームの光軸Ｌ₁から外方に向うに従って、互いに
隣り合う電極部間の間隔が大きくなる形状であればよ
い。

【００９１】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。第２の実施例は、ブランキングアパーチャアレイ
（ＢＡＡ）を用いた荷電粒子ビーム露光装置（ＢＡＡ電
子ビーム露光装置という）である。前述したように、Ｂ
ＡＡ電子ビーム露光装置では、ＢＡＡの多数の開孔を通
過した電子ビームを制御することにより、最終的なビー
ム形状を作り出している。従って、このＢＡＡには直接
電子ビームが照射され、しかも露光中は絶え間なく照射
されているので、レジストや真空中の有機物がＢＡＡに
付着し、そこに帯電するチャージアップが非常に早く起
こる。このＢＡＡでのチャージアップにより、通過させ
たいビームの軌道が曲げられ、その先にあるアパーチャ
でカットされてしまったり、カットしたいビームが通過
したりして所望のパターンが描画できなくなってしま
う。しかも、上記現象は経時的に変化する場合が多い。

【００９２】これに対しては、従来はオーバーホールで
対応している。すなわち、早期に寿命となったＢＡＡを
交換する。従って、前述したような問題点が生じる。

【００９３】図１６はＢＡＡ電子ビーム露光装置の構成
を示す図である。ＢＡＡ電子ビーム露光装置は鏡筒７２
とメインチャンバ７３を有し、これらに排気ポンプ７４
ａ、７４ｂ、７４ｃ、７５、７６が図示するように接続
されている。鏡筒７２内部はパーティション７７、７
８、７９で複数の空間に分割されている。これらのパー
ティション７７、７８、７９はそれぞれバルブ８０、８
１、８２を具備する。鏡筒７２の上部には荷電電子ビー
ム発生源８３が設けられている。Ｌ１、Ｌ２は電子レン
ズを示す。

【００９４】パーティション７８と７９で囲まれた空間
内には、支持部８４に取り付けられたＢＡＡ８５と、そ
の上部に位置決めされたクリーニング電極ユニット８６
とが設けられている。クリーニング電極ユニット８６
は、ＢＡＡ８５をクリーニングするためのものである。

【００９５】パーティション８２の下には、ブランキン
グ電極８７と電子レンズＬ３が設けられている。さらに
その下には、電子レンズＬ４と電子レンズＬ５とが設け
られている。電子レンズＬ５は、メインディフレクタや
サブディフレクタ等を有する。メインチャンバ７３に
は、ステージ８９とこの上に載置された試料Ｗを有す
る。

【００９６】前述のクリーニング電極ユニット８６は、
例えば図９に示すサブディフレクタ３４で構成できる。
すなわち、クリーニング電極ユニット８６は、電極固定
筒６７に形成された複数の電極７１を有する。電極固定
筒６７内には、図７に示すように筒状部品５７が挿入さ
れ、その上部フランジ５７は露光装置のフレーム６０
（図１６では、このフレーム６０はパーティション７９
の近傍に設けられている）にＯリング５９を介して固定
されている。電極７１の外部での引き出しは、前述のよ
うに行われている。なお、図を複雑化させないために、
図１６ではクリーニング電極ユニット８６を単なるブロ
ックで表している。

【００９７】ここで、ＢＡＡ露光装置の動作原理につい
て、図１７と１８を参照して説明する。図１７は、ＢＡ
Ａ８５を用いて所定のパターンが露光されていく状況を
説明する図である。説明を簡略化するために、ＢＡＡ８
５の複数のアパーチャのうち、図１７の（Ａ）に示すよ
うに第１の開孔段（Ａ列とし、３個の開孔１、３、５を
有するものとする）と第２の開孔段（Ｂ列とし、２個の
開孔２と４を有するものとする）からなる第１群の開孔
を通過する荷電粒子ビームのみによって、図１７の
（Ｂ）に示されるパターンが描画されていく状況が図１
７の（Ｃ）に示されている。ここで、上記第１の開孔段
の各開孔１、３、５がビームの走査方向と直角な方向に
互いにピッチ２Ｓだけずれているとすれば、上記第２の
開孔段の各開孔２、４は上記第１の開孔段の各開孔１、
３、５に対してピッチＳだけずらされている。

【００９８】ここで、図１７の例では、Ｙ方向のラスタ
走査の速度は１００μｍ／５μｓｅｃ＝０．０５μｍ／
２．５ｎｓｅｃである。従って、このＡ列に属する各開
孔に設けられたブランキング電極（後述のグランド電極
とアクティブ電極）に印加されるオン・オフ信号に対
し、Ｂ列に属する各開孔に設けられたブランキング電極
に印加されるオン・オフ信号は、Ａ列とＢ列との走査方
向の間隔をＬとするとき、ＴsABs＝Ｌ／Ｖ（Ｖはラスタ
ー走査の速度）だけ遅延されていれば良い。ここで、上
記の例ではＬ＝０．１μｍ、Ｖ＝０．０５μｍ／２．５
ｎｓｅｃであるから、ＴsAABs ＝５ｎｓｅｃとなる。こ
のようにして、ラスター走査が試料上の所定の位置にき
たときに、所定位置にビームが照射される。すなわち、
図１７の（Ｃ）に示すように、まず時刻Ｔ＝１（ここで
時刻Ｔはラスター走査が０．０５μｍ進む時間を単位と
しており、上記の例では２．５ｎｓｅｃである）では、
描画すべきパターンのうち、その最下段の２領域（ー方
向の斜線を施した領域）が、上記Ａ段の開孔１および３
を通過する荷電粒子ビームによって照射される。次に、
Ｔ＝２（２．５ｎｓｅｃ経過後）となると、最下段の直
上列の３領域（ー方向の斜線を施した領域）が開孔１、
３、５を通過する荷電粒子ビームによって照射される。
なお、ここで上記最下段における両方向の斜線を施した
領域は、その前の時刻（すなわちＴ＝１）ですでに照射
されている領域を示す。

【００９９】以下、同様にしてＴ＝３では、次の段の２
領域（ー方向斜線を施した領域）が、開孔１および３を
通過する荷電粒子ビームによって照射され、さらにＴ＝
４では次の段の３領域（ー方向斜線を施した領域）が、
上記開孔１、３および５を通過する荷電粒子ビームによ
って照射される。続くＴ＝５では、次の列の２領域（ー
方向斜線を施した領域）が開孔１および５を通過する荷
電粒子ビームによって照射されるとともに、Ｔ＝３にお
いて上記開孔１および３を通過した荷電粒子ビームによ
って照射された領域と同じ段の残りの２領域（ー方向斜
線を施した領域）が、Ｂ列の開孔２および４を通過する
荷電粒子ビームによって照射される。

【０１００】以下同様にしてＴ＝８で、描画すべきパタ
ーン領域がすべて隙間なく（走査方向と直角な方向にお
いても）、上記各開孔を通過する荷電粒子ビームによっ
て照射される。ここで上述したように、上記ー方向の斜
線を施した領域は該当する時間に照射される領域に示
し、また両方向の斜線を施した領域はその前の時刻です
でに照射された領域を示す。また、図１１の（Ｃ）に
は、（Ａ）にＹｏラインとして示される基準ラインの位
置が、上記ラスター走査に伴って試料上を移動していく
状況が示されている。

【０１０１】ここで、本発明のＢＡＡにおいては、上述
したように荷電粒子ビームの走査方向に複数群（上記の
例では８つの群）の開孔段を配置して（すなわち走査方
向に数段、例えば８段のブランキングアパーチャアレイ
群を並べて）、被露光体上の同一領域を、同一走査内で
タイミングを遅延させて多数決露光を行う。すなわち、
上記の例では８回に分割して露光する。

【０１０２】すなわち、レジストの所定の場所を露光す
るのに２０ｎｓｅｃかかる（すなわちレジストの感光時
間が２０ｎｓｅｃである）場合に、各０．０５μｍ当り
の走査速度が２．５ｎｓｅｃであれば、８つの列のそれ
ぞれのブランキングアパーチャ開孔がその位置に通りか
かった時にビームを照射することで、合計８ショットの
ビーム照射によって２．５ｎｓｅｃ×８＝２０ｎｓｅｃ
の感光時間が確保される。

【０１０３】図１８は、上記動作を制御する制御系を含
むＢＡＡ電子ビーム露光装置の全体構成を示す図であ
る。図１８に示す電子光学系２００は、図１６に示すも
のと同一である。ただし、図１６に示す構成部品の一部
は図１８では省略してある。

【０１０４】ＢＡＡ電子ビーム露光装置の制御系２１０
は、次の通り構成されている。外部記憶装置２２０か
ら、２つのデータ展開回路３０３−１と３０３−２に露
光データが供給される。各データ展開回路３０３−１と
３０３−２は、バッファメモリ（ＢＵＦ）と、データ展
開回路（ＥＸＴ）と、キャンパスメモリ（ＭＥＭ）と、
リフォーカス／データ並べ替え転送回路（ＲＦＣＳ／Ｒ
ＥＡＲＮＧ）とを有する。バッファメモリは、外部記憶
装置２２０からの露光データを格納する。データ展開回
路は、バッファメモリから露光データを受取り、各開孔
部列毎の露光パターンに展開する。キャンパスメモリ
は、展開された露光パターンを記憶する。リフォーカス
／データ並べ替え回路は、電子ビームが集束される際に
生じるクーロン反発力による焦点距離のずれを補正する
値の演算を行って、リフォーカスデータを作り、又、並
べ替えられた露光データを出力する。リフォーカスデー
タは、リフォーカスデータメモリ３１２を介して、リフ
ォーカスコイルＣＬ１を制御するために用いられる。並
べ替えられた露光データは、ＢＡＡデータ格納回路３０
２ａに出力される。このとき、ＳＥＭ／ＭＳ用レジスタ
３０２ｂはＣＰＵ３０４から書込みを行なう（ＳＥＭ：
ＳｃａｎｉｎｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｙ、ＭＤ：ＭａｒｋＤｅｔｅｃｔｉｏｎ）。な
お、データ展開回路３０３−１と３０３−２の一方が露
光データをＢＡＡデータ格納回路３０２ａに出力してい
るときには、他方のデータ展開回路は外部記憶装置２２
０からの露光データを展開している。

【０１０５】ＢＡＡデータ格納回路３０２ａは、露光デ
ータを格納し、ＢＡＡデータを順番に出力する。ＳＥＭ
／ＭＤ用レジスタ３０２ｂはＳＥＭやＭＤを行う時に
は、ＳＥＭやＭＤ用のパターンデータを出力する。ＢＡ
Ａデータはディジタル／アナログ変換・増幅回路（ＤＡ
Ｃ／ＡＭＰ）３０１を介してＢＡＡ８５に出力される。

【０１０６】ＣＰＵ３０４は、制御系２１０全体を制御
する。露光コントローラ３０５は、ＣＰＵ３０４の制御
に基づいて露光制御を行う。より詳細には、露光コント
ローラ３０５は、主走査偏向駆動回路３０６および副走
査偏向駆動回路３０７を制御し、電子ビームを試料上で
偏向させる。主走査偏向駆動回路３０６は歪み補正回路
３０６ａを含み、所定の補正を行ってから主走査偏向器
を制御する。メインデフスティグ補正回路（ＳＴＧ）３
１１ａおよびメインディフフォーカス補正回路（ＦＣ
Ｓ）３１１ｂは、それぞれの補正を行った後、スティグ
コイルＣ２およびフォーカスコイルＣ３を制御する。副
走査偏向駆動回路３０７は、副走査偏向器を制御する。

【０１０７】ステージ制御器３０８およびオートローダ
制御器３０９は、ＣＰＵ３０４で制御される。

【０１０８】図１９は、データ展開回路３０３−１およ
び３０３−２に供給される露光パターンの一例を示す図
である。図中、黒丸は露光ドットを表し、黒丸の集合に
より露光パターンＰが表現される。図中、露光パターン
Ｐは縦方向に延在する複数のセルストライプに分割さ
れ、一方セルストライプは横方向に整列した１２８個の
露光ドットの集合によるビットラインより形成されてい
る。典型的な場合、セルストライプは長手方向に約１０
０μｍ、横手方向に約１０μｍのサイズを有する。副走
査で１００μｍ×１０μｍを約１０本を走査し、主走査
で全体を走査する。

【０１０９】次に、ＢＡＡ８５のクリーニング時の動作
について説明する。バルブ８０を閉じた状態で、酸素を
主成分とするガスを、例えば図１６のＩ１部分から鏡筒
７２内に導入する。このとき、ポンプ７６で排気し、鏡
筒７２およびメインチャンバ７３内を０．１Ｔｏｒｒ−
４Ｔｏｒｒの真空度に保つ。図示の場合、ガスはダウン
フローとなる。なお、この時、バルブ８１と８２は開い
ておく。

【０１１０】クリーニング電極ユニット８６の複数の
（図９の例では８つ）電極７１には、図１に示すよう
に、高周波信号と接地電位とが与えられる。プラズマ・
ラジカル状態を安定して発生させるために、高周波信号
の周波数は１００ｋＨｚ−８００ｋＨｚの範囲内で、出
力は４０ｍＷ以下、トータルの印加時間は１０分以下に
設定することが望ましい。これにより、プラズマ・ラジ
カル状態がＢＡＡ８５周辺を含む鏡筒７２内に発生し、
ＢＡＡ８５をクリーニングする。勿論、プラズマ・ラジ
カル状態内にあるその他の部品もクリーニングされる。

【０１１１】なお、酸素を主成分とするガスをメインチ
ャンバ７３の図中Ｉ２に示す箇所から導入し、バルブＡ
を閉じ排気ポンプ７５で排気するようにしても良い。こ
の場合には、ガスの流れはアッパフローとなる。さら
に、バルブ８１、２を閉じた状態で酸素を主成分とする
ガスをこのＢＡＡ８５とクリーニング電極ユニット８６
を含む空間内に導入し、排気ポンプ７４ｃで排気するよ
うにしても良い。この場合には、他部分を減圧すること
なくより効果的にＢＡＡ８５をクリーニングすることが
できる。

【０１１２】高周波信号は特別のクリーニング電源を用
いることなく、ＢＡＡ８５に印加するＢＡＡコントロー
ラ高周波信号源を用いても生成できる。

【０１１３】クリーニング電極ユニット８６としては、
図９に示すものに限らず、他の構成の電極を用いてもよ
い。例えば、図２０の（Ｉ）に示すように、すくなくと
も１組（図示の場合は２組）の平板状または凹面状の対
向電極９０でクリーニング電極を構成しても良い。各組
の２つの対向電極にはそれぞれ、高周波信号と接地電位
を与えることが好ましい。また、図２０の（ＩＩ）に示
すように、少なくとも１つ（図示の場合は４つ）のリン
グ型電極９２を用いてもよい。複数のリング型電極９２
を用いる場合には、隣り合う電極には異なる信号を与え
ることが好ましい。

【０１１４】クリーニング電極ユニット８６を用いるこ
となく、ＢＡＡ８５に直接高周波信号と接地電位を与え
ることとしてもよい。以下、このクリーニング方法につ
いて説明する。

【０１１５】図２１はＢＡＡ８５を示す図で、（Ｉ）は
ＢＡＡ８５の平面図、（ＩＩ）はＢＡＡ８５の底面図で
ある。ＢＡＡ８５は支持台９３と、アレイ部９５と、支
持台９３から突出する多数の信号入力ピン９４とを有す
る。図２１の（ＩＩ）に示すように、アレイ部９５から
は多数の配線９９が放射状に形成されて、後述する積層
構造体１００（図２２）上に設けられたボンディングパ
ッド９６に接続されている。ボンディングパッド９６
は、ボンディングワイヤ９８で支持台９３に支持された
ボンディングパッド９７に接続されている。図２２はア
レイ部９５とその周辺の構造を示す図である。アレイ部
９５は積層構造体１００を有する。積層構造体１００
は、上から順にシリコン層１０１、ボロン等がドープさ
れた不純物拡散層１０２、中間絶縁層１０３、配線層１
０４および表面絶縁層１０５を有する。この積層構造体
１００にはマトリクス状に配列された複数のスルーホー
ル１０６を有する。このスルーホール１０６がＢＡＡ８
５のアパーチャとして機能する。

【０１１６】各アパーチャ１０６には、１組の電極１０
７と１０８が表面絶縁層１０５から突出するように設け
られている。電極）１０７はグランド（接地）電極とし
て用いられ、電極１０８はアクティブ電極として用いら
れる。電極１０７は配線層１０４に設けられたグランド
配線パターンに接続され、電極１０８は配線層１０４に
設けられたアクティブ配線パターンに接続されており、
各組の電極１０７、１０８は独立して制御可能である。

【０１１７】図２３は、図２２に示すＢＡＡ８５の底面
図である。図２２の断面図は、図２３の矢印方向でカッ
トした場合に相当する。グランド電極１０７は複数のア
パーチャに共通に形成され、アクティブ電極１０８は各
アパーチャ毎に設けられている。

【０１１８】支持台９３は支持台ベース１０９と、絶縁
膜１１０と、配線層１１１とを有する。配線層１１１に
は、ボンディングワイヤ９７を介して、配線層１０４に
設けられた前述のグランド配線パターンとアクティブ配
線パターンにそれぞれ接続される配線パターンを有す
る。また、配線層１１１はボンディングワイヤ９７を介
して不純物拡散層１０２に接続される配線パターンを有
する。

【０１１９】図２４は、ＢＡＡ８５の配線を模試的に示
す図である。支持台９３から支持部８４（図１６）を介
して外部に引き出された配線の各々は、図２４に示すス
イッチ１１２を介して、高周波信号源１１３、グラン
ド、またはＢＡＡコントローラ３０５のいずれか一方に
接続される。ＢＡＡコントローラ３０５は、図１８の制
御系２１０のうち、バッファメモリ（ＢＵＦ）からＤＡ
Ｃ／ＡＭＰ３０１までの部分に相当する。スイッチ１１
２から延びる複数のアクティブ配線と共通のグランド配
線との交差部分（勿論、これらが実際に接続されている
わけではない）に、１組のグランド電極１０７とアクテ
ィブ電極１０８が設けられている。また、不純物拡散層
１０２もスイッチ１１２を介して、高周波信号源１１３
とグランドのいずれかに接続可能である。なお、スイッ
チ１１２は図１８のＣＰＵ３０４で制御される。

【０１２０】露光時には、スイッチ１１２は不純物拡散
層１０２を接地電位に設定し、描画すべきパターンに応
じて電子ビームを偏向すべきアパーチャ１０６のアクテ
ィブ電極１０８にＢＡＡデータを印加する。また、グラ
ンド電極１０７は接地電位に保持する。

【０１２１】ＢＡＡ８５をクリーニングするには、次の
４通りのいずれかの方法に従い、スイッチ１１２を制御
する。第１の方法では、不純物拡散層１０２に高周波信
号を印加し、グランド電極１０７およびアクティブ電極
１０８は接地しておく。高周波信号は、前述の条件を満
足する必要がある。すなわち、高周波信号の周波数は１
００ｋＨｚ−８００ｋＨｚで、出力は１００ｗ以下、印
加時間は１０分以下である。この第１の方法によれば、
ガスのプラズマ・ラジカル状態をＢＡＡ８５の上面（不
純物拡散層１０２側）およびその周辺に発生させること
ができ、これらがクリーニングされる。

【０１２２】第２の方法では、不純物拡散層１０２は接
地しておき、グランド電極１０７には高周波信号を与え
る。通常、グランド電極１０７は共通に接続されている
ので、すべてのグランド電極１０７に高周波信号が印加
される。また、各アクティブ電極１０８は接地電位に設
定する。印加する高周波信号は前述の条件を満たす必要
がある。この第２の方法によれば、ガスのプラズマ・ラ
ジカル状態をＢＡＡ８５の下面（表面絶縁層１０５側）
およびその周辺に発生させることができ、これらがクリ
ーニングされる。

【０１２３】第３の方法では、不純物拡散層１０２およ
びグランド電極は接地しておき、すべてまたは一部のア
クティブ電極１０８に高周波信号を印加する。後者の場
合は、例えば１つおきに高周波信号を印加する。印加す
る高周波信号は前述の条件を満たす必要がある。この第
３の方法によれば、ガスのプラズマ・ラジカル状態をＢ
ＡＡ８５の下面（表面絶縁層１０５側）およびその周辺
に発生させることができ、これらがクリーニングされ
る。第４の方法では、アクティブ電極１０８に、露光
時に使用するＢＡＡコントローラで生成された所定の規
則性を有する露光パターンを印加する。例えば、所定の
規則性を有する露光パターンは、１０１０１０．．．や
１１００１１００．．．等である。

【０１２４】以上、本発明の実施例を説明した。本発明
は上記実施例に限定されるものではない。例えば、クリ
ーニング電極ユニット８６を図３のスリット１５のクリ
ーニングに適用することもできる。

【０１２５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
継続的に安定して広範囲にプラズマを発生させて、鏡筒
内部のみならずその周辺部に堆積した付着物、さらには
ブランキングアパーチャアレイ等その他の汚れ易い部分
に付着した付着物をオーバーホールすることなく効率
的、かつ効果的にエッチングで除去できる機構を供えた
荷電粒子ビーム露光装置およびそのクリーニング方法を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を示すブロック図である。

【図２】本発明の第１の実施例の荷電粒子ビーム露光装
置の全体構成を示す図である。

【図３】図２に示す荷電粒子ビーム露光装置の鏡筒およ
びメインチャンバの内部構成を示す図である。

【図４】図２、および、図３に示すスリットディフレク
タの電極構成図である。

【図５】図４に示すスリットディフレクタの横断面図で
ある。

【図６】図４に示すスリットディフレクタの動作説明図
である。

【図７】図２および図３に示すサブディフレクタおよび
その周辺部分の構成を示す図である。

【図８】図２および図３に示すサブディフレクタおよび
その周辺部分の断面図である。

【図９】図７に示すサブディフレクタの電極構成を示す
図である。

【図１０】本発明の第１の実施例の効果を確認するため
の試験方法を示す図である。

【図１１】図１０に示す試験方法の原理を説明するため
の図である。

【図１２】図１０の試験方法で得られた結果を示す図で
ある。

【図１３】サブディフレクタの変形例の電極構成図であ
る。

【図１４】図１３に示すサブディフレクタの変形例の横
断面図である。

【図１５】図１３に示すサブディフレクタの変形例の動
作説明図である。

【図１６】本発明の第２の実施例であるブランキングア
パーチャアレイ（ＢＡＡ）を用いた荷電粒子ビーム露光
装置を示す図である。

【図１７】（Ａ）のブランキングアパーチャアレイを用
いて（Ｂ）のパターンを露光する場合の説明図である。

【図１８】ＢＡＡ電子ビーム露光装置の全体構成を示す
図である。

【図１９】露光パターンの一例を示す図である。

【図２０】本発明の第２の実施例で用いるブランキング
アパーチャアレイをクリーニングするためのクリーニン
グ電極の一構成例を示す図である。

【図２１】本発明の第２の実施例で用いるブランキング
アパーチャアレイの構成を示す図である。

【図２２】図２１に示すブランキングアパーチャアレイ
の要部を示す断面図である。

【図２３】図２１に示すブランキングアパーチャアレイ
の底面図である。

【図２４】ブランキングアパーチャアレイの電極と信号
源との接続関係を示す図である。

【図２５】従来のクリーニング方法で用いられる電極を
示す平面図である。

【符号の説明】

３４サブディブレクタ５６、６１筒状部品（絶縁性）５７、５８、６２フランジ５９、６３、６５Ｏリング６０、６４、６６フレーム部材６７電極固定筒６８Ｌ字型電極支持部６９メッキ部７０電極絶縁部７０ａＬ字型溝７１電極７８、７９パーティション８５ブランキングアパーチャアレイ８６クリーニング電極ユニット９０板状電極９２リング状電極９３支持台９４信号入力ピン９５アレイ部９６、９８ボンディングパッド９７ボンディングワイヤ９９配線１００積層構造体１０１シリコン層１０２不純物拡散層１０３中間絶縁層１０４配線層１０５表面絶縁層１０６アパーチャ１０７グランド電極１０８アクティブ電極１０９支持台ベース１１０絶縁層１１１配線層１１２スイッチ１１３高周波信号源４００、５００シールド導体４０１〜４０４電極５０１〜５０８電極５０９〜５１６電極支持部５１７〜５２４導電膜

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ (72)発明者高橋靖神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者坂本樹一神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者安田洋神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者荒井総一郎神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者中村守孝神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光すべき試料に荷電粒子ビームを照射
して該試料にパターンを形成する荷電粒子ビーム露光装
置において、荷電粒子ビームの光軸を取り囲むように設置した複数の
電極（Ｄ１−Ｄ８、７１、９０、９２、１０７、１０
８、４０１〜４０４、５０１〜５０８）と、クリーニング時、該複数の電極とクリーニングすべき荷
電粒子ビーム露光装置内部に酸素を主成分とするガスを
導入し、０．１Ｔｏｒｒ−４Ｔｏｒｒの真空度に保持す
る第１の手段（Ｍ３）と、クリーニング時、前記複数の電極の各々に１００ｋＨｚ
−８００ｋＨｚの範囲内の周波数の高周波信号と接地電
位のいずれかを選択的に印加する第２の手段（Ｍ２）と
を有し、前記荷電粒子ビーム露光装置内部に前記ガスのプラズマ
・ラジカル状態を発生させて内部の堆積物をエッチング
除去する特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項２】荷電粒子ビームを複数の電極（４０１〜
４０４、５０１〜５０８）で取り囲み、該複数の電極
（４０１〜４０４、５０１〜５０８）に電圧を印加する
ことにより該荷電粒子ビームを偏向させ、露光すべき試
料に照射し、該試料にパターンを形成する荷電粒子ビー
ム露光装置において、前記複数の電極（４０１〜４０４、５０１〜５０８）は
互いに隣り合う電極の間隔が前記荷電粒子ビームの光軸
（Ｌ₁）から離れるに従って拡大する形状とされたこと
を特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項３】前記第２の手段は、前記複数の電極のう
ち、２つの隣り合う電極にはそれぞれ前記高周波信号と
接地電位を印加することを特徴とする請求項１記載の荷
電粒子ビーム露光装置。
【請求項４】前記複数の電極（４０１〜４０４、５０
１〜５０８）は互いに隣り合う電極の間隔が前記荷電粒
子ビームの光軸（Ｌ₁）から離れるに従って拡大する形
状とされたことを特徴とする請求項１または３記載の荷
電粒子ビーム露光装置。
【請求項５】前記複数の電極は静電偏向器（１７、３
４）の複数の電極（７１、４０１〜４０４、５０１〜５
０８）を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
か一項記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項６】前記第２の手段は、前記静電偏向器（１
７、３４）の複数の電極（７１、４０１〜４０４、５０
１〜５０８）のうち、２つの隣り合う電極にはそれぞれ
前記高周波信号と接地電位を印加することを特徴とする
請求項５記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項７】前記複数の電極（４０１〜４０４）の外
周がシールド導体（４００）でシールドされ、前記複数
の電極（４０１〜４０４）のうち互いに対向する電極の
間隔（Ａ）、及び、前記複数の電極（４０１〜４０４）
と前記シールド導体（４００）との間隔（Ｂ）の比Ａ：
Ｂが３：１以下に設定されることを特徴とする請求項１
乃至５のいずれか一項記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項８】前記静電偏向器（３４）は、電極固定筒（６７）と、該電極固定筒の内周面に設けられた複数の略Ｌ字型の電
極支持部（７０）と、該複数の略Ｌ字型の電極支持部を含む前記内周面に設け
られた複数の導電膜（６９）を有し、前記静電偏向器の複数の電極（７１）は複数の略Ｌ字型
の電極支持部（６８）と前記複数の導電膜（６９）とを
含んで構成されることを特徴とする請求項５記載の荷電
粒子ビーム露光装置。
【請求項９】前記複数の電極（５０１〜５０８）は、筒形のシールド導体（５００）と、絶縁材よりなり、前記シールド導体（５００）の内周か
ら外周に向って幅が狭く形成された電極支持部（５０９
〜５１６）と、前記電極支持部（５０９〜５１６）の前記シールド導体
（５００）に近接した部分を除いて形成された導電膜
（５１７〜５２４）とを有することを特徴とする請求項
１乃至７のいずれか一項記載の荷電粒子ビーム露光装
置。
【請求項１０】前記静電偏向器（３４）の複数の電極
（７１、５０１〜５０８）のうち対向する電極間の距離
（Ф２）は４ｍｍ−１０ｍｍの範囲内にあり、前記静電偏向器の複数の電極の下端から試料面までの距
離（Ｔ２）は２５ｍｍ以下であり、前記荷電粒子ビーム露光装置の鏡筒の下端から試料面ま
での距離（Ｔ１）は１０ｍｍ以下であることを特徴とす
る請求項５乃至９のいずれか一項記載の荷電粒子ビーム
露光装置。
【請求項１１】前記第２の手段（Ｍ２）は、クリーニ
ング時、前記高周波信号を出力１００ｗ以下で、１０分
以下の印加時間で発生することを特徴とする請求項１ま
たは３乃至１０のいずれか一項記載の荷電粒子ビーム露
光装置。
【請求項１２】前記複数の電極は、前記荷電粒子ビー
ム露光装置のブランキングアパーチャアレイ（８５）の
複数の電極（１０７、１０８）を含むことを特徴とする
請求項１記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１３】前記ブランキングアパーチャアレイは
複数の半導体層と絶縁層と導体層が積層された積層構造
体（１００）を有し、前記第２の手段は、前記複数の半導体層のすくなくとも
１つ（１０２）に前記高周波信号を印加する第３の手段
（１１２、１１３）を有することを特徴とする請求項１
２記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１４】前記ブランキングアパーチャアレイ
（８５）の複数の電極（１０７、１０８）は、露光時接
地電位が印加されるグランド電極（１０７）と、形成す
べきパターンに応じた信号が印加されるアクティブ電極
（１０８）を有し、前記第２の手段は、前記グランド電極に前記高周波信号
を印加することを特徴とする請求項１２記載の荷電粒子
ビーム露光装置。
【請求項１５】前記ブランキングアパーチャアレイ
（８５）の複数の電極（１０７、１０８）は、露光時接
地電位が印加されるグランド電極（１０７）と形成すべ
きパターンに応じた信号が印加されるアクティブ電極
（１０８）を有し、前記第２の手段は、前記アクティブ電極に前記高周波信
号を印加することを特徴とする請求項１２記載の荷電粒
子ビーム露光装置。
【請求項１６】前記ブランキングアパーチャアレイ
（８５）の複数の電極（１０７、１０８）は、露光時接
地電位が印加されるグランド電極（１０７）と形成すべ
きパターンに応じた信号が印加されるアクティブ電極
（１０８）を有し、前記第２の手段は、前記アクティブ電極に、所定の規則
性のあるオン・オフパターンデータを前記高周波信号と
して印加することを特徴とする請求項１２記載の荷電粒
子ビーム露光装置。
【請求項１７】前記複数の電極（７１、９０、９２）
は、前記荷電粒子ビーム露光装置のブランキングアパー
チャアレイ（８５）の上部に位置決めされていることを
特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１８】前記ブランキングアパーチャアレイの
上部に位置決めされた前記複数の電極（７１）は、電極固定筒（６７）と、該電極固定筒の内周面に設けられた複数の略Ｌ字型の電
極支持部（７０）と、該複数の略Ｌ字型の電極支持部を含む前記内周面に設け
られた複数の導電膜（６９）を有し、前記静電偏向器の複数の電極（７１）は複数の略Ｌ字型
の電極支持部と前記複数の導電膜とを含んで構成される
ことを特徴とする請求項１７記載の荷電粒子ビーム露光
装置。
【請求項１９】前記ブランキングアパーチャアレイの
上部に位置決めされた前記複数の電極（９０）は、前記
光軸をはさんで対向するように配列されていることを特
徴とする請求項１７記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項２０】前記ブランキングアパーチャアレイの
上部に位置決めされた前記複数の電極（９２）は、前記
光軸を取り囲むように配列されたリング状電極を含むこ
とを特徴とする請求項１７記載の荷電粒子ビーム露光装
置。
【請求項２１】前記第２の手段（Ｍ２）は、クリーニ
ング時、前記高周波信号を出力１００ｗ以下で、１０分
以下の印加時間で発生することを特徴とする請求項１１
ないし２０のいずれか一項記載の荷電粒子ビーム露光装
置。
【請求項２２】前記第１の手段は、前記ガスを前記複
数の電極を含む前記荷電粒子ビーム露光装置内部を流れ
るよう設定する手段（４５、４７、５４、５５、７４、
７５、７６）を有することを特徴とする請求項１ないし
２１のいずれか一項記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項２３】前記荷電粒子ビーム露光装置は、前記
電極固定筒を取り囲むように設けられた絶縁性の筒状部
品（６１）を有することを特徴とする請求項５または１
８記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項２４】露光すべき試料に荷電粒子ビームを照
射して該試料にパターンを形成する荷電粒子ビーム露光
装置のクリーニング方法において、該複数の電極とクリーニングすべき荷電粒子ビーム露光
装置内部に酸素を主成分とするガスを導入し、０．１Ｔ
ｏｒｒ−４Ｔｏｒｒの真空度に保持する第１のステップ
と、前記複数の電極の各々に１００ｋＨｚ−８００ｋＨｚの
範囲内の周波数の高周波信号と接地電位のいずれかを選
択的に、荷電粒子ビームの光軸を取り囲むように設置し
た複数の電極（Ｄ１−Ｄ８、７１、９０、９２、１０
７、１０８、４０１〜４０４、５０１〜５０８）に印加
する第２のステップとを有し、前記荷電粒子ビーム露光装置内部に前記ガスのプラズマ
・ラジカル状態を発生させて内部の堆積物をエッチング
除去することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置のク
リーニング方法。
【請求項２５】前記第２のステップは、静電偏向器
（１７、３４）の複数の電極（７１、４０１〜４０４、
５０１〜５０８）に前記高周波信号と接地電位を印加す
るステップを有することを特徴とする請求項２４記載の
荷電粒子ビーム露光装置のクリーニング方法。
【請求項２６】前記第２のステップは、前記複数の電
極のうち、２つの隣り合う電極にはそれぞれ前記高周波
信号と接地電位を印加するステップを有することを特徴
とする請求項２４または２５いずれか一項記載の荷電粒
子ビーム露光装置のクリーニング方法。
【請求項２７】前記第２のステップは、前記ブランキ
ングアパーチャアレイ（８５）の複数の電極（１０７、
１０８）に、前記高周波信号と接地電位を印加するステ
ップを有することを特徴とする請求項２４記載の荷電粒
子ビーム露光装置のクリーニング方法。
【請求項２８】前記第２のステップは、前記ブランキ
ングアパーチャアレイ（８５）の複数の電極（１０７、
１０８）に、所定の規則性のあるオン・オフパターンデ
ータを前記高周波信号として印加することを特徴とする
請求項２４記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項２９】前記クリーニング方法は、ウエハ上に
塗布された有機物をプラズマ・ラジカル状態に置くこと
でクリーニング状態を確認する第３のステップを有する
ことを特徴とする請求項２４ないし２８のいずれか一項
記載の荷電粒子ビーム露光装置のクリーニング方法。
【請求項３０】前記クリーニング方法は、クリーニン
グ修了後、静電偏向領域の４つのコーナーにビームを偏
向して試料を照射した後、ビームドリフトを検出してク
リーニング状態を確認する第３のステップを有すること
を特徴とする特徴とする請求項２４ないし２８のいずれ
か一項記載の荷電粒子ビーム露光装置のクリーニング方
法。