JP3813292B2 - Differential amplifier circuit - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、差動増幅回路に関し、詳しくは、一方の入力端子に印加された入力信号と他方の入力端子に印加された基準電圧との大小を比較し、その比較結果に応じた論理を持つ一対の相補信号を出力する差動増幅回路に関する。
かかる差動増幅回路は高速動作が可能でしかも入力信号のレベル変動に強いという特長より、例えば半導体集積回路の入力バッファに用いられるが、より一層の高速動作を達成するには、一対の相補信号の周波数特性を正確に合わせる必要がある。
【0002】
【従来の技術】
(1)第1従来例
図20は上記差動増幅回路の基本的な構成図であり、信号源1とバイアス源2とによって等価的に示された入力信号Diが差動トランジスタ部3を構成する一対のFET4、5の一方のゲートに印加され、他方のゲートに印加された基準電圧Vrefとの大小比較の結果に応じた論理(Hレベル又はLレベル)を持つ一対の相補信号Q、XQがソースフォロワ6を構成する一対のFET7、8の各ソースから出力されている。なお、9、10は負荷抵抗、11〜13は定電流源、VDDは電源である。
(2)第2従来例
また、図20の構成に加えて、図21に示すように、FET4のドレインとVrefの間にコンデンサ14を入れた差動増幅回路が本件出願人によって提案されている(特開平2−39709号公報参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
第1従来例の不都合な点は、特開平2−39709号公報にも述べられているように、差動トランジスタ部3を構成する一対のFET4、5のうち、Di入力側のFETが等価的にソース接地回路(ソース電位一定)で動作するのに対して、Vref側のFET5が等価的にゲート接地回路(ゲート電位一定)で動作するため、一対の相補信号Q、XQの周波数特性や振幅に差が生じるということである。すなわち、ソース接地回路(XQ側)の周波数帯域をΔf_XQ、ゲート接地回路(Q側)の周波数帯域をΔf_Qで表わせば、Δf_XQ>Δf_Qになる結果、図22に示すように高域側の利得が一致せず、図23に示すようにQとXQ振幅に差が生じるという欠点がある。
【0004】
一方、第2従来例は第1従来例の欠点に着目したもので、ゲート接地回路(Q側)の周波数帯域Δf_Qを拡大できるという点で有利なものの、ソース接地回路(XQ側)の周波数帯域Δf_XQが狭くなってしまうという欠点がある。すなわち、図24に示すように、第2従来例では、FET4のドレインとVrefの間に入れたコンデンサ14によってQの周波数特性を高周波側にシフト(矢印A参照)できるが、逆にXQの周波数特性が低周波側にシフト(矢印B参照)するという欠点がある。これは、FET4の実質的負荷が抵抗9(R)とコンデンサ14(C)の並列のインピーダンスZ(Z=R/{1+jωCR})で与えられるからである。但し、ωは差動トランジスタ部の所要帯域。
【0005】
そこで、本発明は、一対の相補信号の周波数特性を正確に合わせることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、一方の入力端子に印加された入力信号と他方の入力端子に印加された基準電圧との大小を比較する差動トランジスタ部の比較結果に応じた論理を持つ一対の相補信号を出力する差動増幅回路において、前記入力信号が印加されるトランジスタの負荷側に第1のインダクタを入れ、前記基準電圧が印加されるトランジスタの負荷側に第1のインダクタより小さな値の第2のインダクタを入れ、さらに前記入力信号が印加されるトランジスタの負荷側端子と前記基準電圧が印加されるトランジスタの入力端子との間にコンデンサを入れ、前記第1および第2のインダクタの値と該コンデンサの値によって前記一対の相補信号の周波数特性を合致させることを特徴とする。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記第2のインダクタが0ヘンリ若しくはそれに近い微小値であることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1または2記載の発明において、前記差動トランジスタ部の比較結果に応じた論理を持つ一対の相補信号を出力するソースフォロワ部を有することを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明において、前記ソースフォロワ部を構成する一対のトランジスタのうち、前記入力信号が印加されるトランジスタと同じ論理を持つトランジスタの負荷側に第3のインダクタを入れ、前記基準電圧が印加されるトランジスタと同じ論理を持つトランジスタの負荷側に第3のインダクタより小さな値の第4のインダクタを入れ、前記第1と第2のインダクタの値と、前記第3と第4のインダクタの値および前記コンデンサの値によって前記ソースフォロワ部から出力される一対の相補信号の周波数特性を合致させることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項4記載の発明において、前記第4のインダクタが0ヘンリ若しくはそれに近い微小値であることを特徴とする。
請求項6記載の発明は、一方の入力端子に印加された入力信号と他方の入力端子に印加された基準電圧との大小を比較する差動トランジスタ部と、該差動トランジスタ部の比較結果に応じた論理を持つ一対の相補信号を出力するソースフォロワ部とを有する差動増幅回路において、前記ソースフォロワ部を構成する一対のトランジスタのうち、前記入力信号が印加されるトランジスタと同じ論理を持つトランジスタの負荷側に第1のインダクタを入れ、前記基準電圧が印加されるトランジスタと同じ論理を持つトランジスタの負荷側に第1のインダクタより小さな値の第2のインダクタを入れ、さらに前記入力信号が印加されるトランジスタの負荷側端子と前記基準電圧が印加されるトランジスタの入力端子との間にコンデンサを入れ、前記第1および第2のインダクタの値と該コンデンサの値によって前記一対の相補信号の周波数特性を合致させることを特徴とする。
請求項7記載の発明は、請求項6記載の発明において、前記第2のインダクタが0ヘンリ若しくはそれに近い微小値であることを特徴とする。
請求項8記載の発明は、請求項1から7までのいずれかに記載の発明において、前記トランジスタがFETであり、前記負荷側端子がドレインであり、前記入力端子がゲートであることを特徴とする。
【0007】
発明では、差動トランジスタ部又はソースフォロワ部に入れたインダクタの値を調節することにより、ソースフォロワ部から出力される一対の相補信号の周波数特性が正確に合わせられる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
(1) 図1〜図10は本発明に係る差動増幅回路の第1実施例を示す図である
図1において、3aは従来例(図20又は図21)と一部相違する差動トランジスタ部、6は従来例と同様のソースフォロワ部である。従来例と共通する要素に同一符号を付してその説明を略すことにすれば、本実施例の特徴的事項は、差動トランジスタ部を構成する一対のFET4、5のドレイン負荷にインダクタ15、16を入れた点にあり、且つ、該インダクタ15、16の値を調節することによって、ソースフォロワ部6から出力される一対の相補信号Q、XQの周波数特性を合致させるようにした点にある。
【0009】
図1の構成からインダクタ15、16を取り除けば、第1従来例の構成になるが、この第1従来例ではΔf_XQ>Δf_Qになるという欠点があった。インダクタ15、16の値(インダクタンス)は、望むべくはΔf_XQ=Δf_Qとなるように調節すべきであるが、第1従来例では“XQの振幅”>“Qの振幅”(図23参照)になるのであるから、要するに“Qの振幅”が大きくなればよく、それにはQ側のインダクタ16の値をXQ側のインダクタ15の値よりも大きくすればよい。
【0010】
これによれば、Q側のインダクタ16の値をXQ側のインダクタ15の値よりも大きくすることにより、図2、図3に示すような好ましい特性が得られる。すなわち、図2に示すようにXQの特性を低周波側にシフトさせることなくQの特性を高周波側にシフトさせて両特性を一致させることができ、図3に示すようにQとXQの振幅を合わせることができる。
【0011】
なお、図4に示すように、XQ側のインダクタ15は実体がなくてもよい(正確には0ヘンリ若しくはそれに近い微小値のインダクタであってもよい)。等価的に見てQ側のインダクタ16の値がXQ側のインダクタ15の値よりも大きくなるからである。又は、図5に示すように、以上のインダクタの値の関係をソースフォロワ部6aに適用してもよく、具体的には、ソースフォロワ部6aの一対のFET7、8のドレインとVDDの間にそれぞれインダクタ17、18を入れ、且つ、Q側のインダクタ17の値をXQ側のインダクタ18の値よりも大きくしてもよい。この場合、図6に示すように、XQ側のインダクタ18は実体がなくてもよい(正確には0ヘンリ若しくはそれに近い微小値のインダクタであってもよい)。
【0012】
又は、図7に示すように、差動トランジスタ部3aとソースフォロワ部6aの両方にインダクタ15、16、17、18を入れ、それぞれの値を以上の関係にしてもよく、あるいは、図8〜図10に示すように、一方のインダクタの値をゼロ(正確には0ヘンリ若しくはそれに近い微小値)にしてもよい。
(2) 図11〜図19は本発明に係る差動増幅回路の第2実施例を示す図である。なお、第1実施例(図1〜図10)との相違は、差動トランジスタ部の一方のFET4のドレインとVrefの間にコンデンサ14を入れた点にあり、インダクタとの組み合わせによって第2従来例の欠点(XQ特性の低周波側へのシフト)を解消するものである。すなわち、本実施例でも、図11に示すように、差動トランジスタ部3a′の一対のFET4、5の負荷にインダクタ15、16を入れるが、同時に差動トランジスタ部3a′の一方のFET4のドレインとVrefの間にコンデンサ14を入れており、これらのインダクタ15、16の値とコンデンサ14の値を適正に調節することにより、XQ特性の低周波側へのシフトを招くことなく、QとXQの周波数特性を一致させるというものである(図12の特性図参照)。
【0013】
なお、本実施例においても、第1実施例と同様に様々なバリエーションがある。例えば、図13に示すように、Q側のインダクタ16の値をゼロ(正確には0ヘンリ若しくはそれに近い微小値)にしたり、図14に示すように、ソースフォロワ部6aにインダクタ17、18を設けたり、図15に示すように、Q側のインダクタ17の値をゼロ(正確には0ヘンリ若しくはそれに近い微小値)にしたり、図16に示すように、差動トランジスタ部3a′トソースフォロワ部6aの双方にインダクタ15〜18を設けたり、図17に示すように、差動トランジスタ部3a′のQ側のインダクタ16の値をゼロ(正確には0ヘンリ若しくはそれに近い微小値)にしたり、図18に示すように、ソースフォロワ部6aのQ側のインダクタ17の値をゼロ(正確には0ヘンリ若しくはそれに近い微小値)にしたり、あるいは、図19に示すように、差動トランジスタ部3a′とソースフォロワ部6a共にQ側のインダクタ16、17の値をゼロ(正確には0ヘンリ若しくはそれに近い微小値)にしたりしてもよい。
【0014】
なお、本実施例において、インダクタ15、16(又は17、18)の値の関係は、コンデンサ14を入れたことによって第1実施例と逆になる。すなわち、XQ側のインダクタ15(又は18)の値がQ側のインダクタ16(又は17)の値よりも大きくなる。
図11の構成において、インダクタ15の値をL15、インダクタ16の値をL16、抵抗9の値をR9、抵抗10の値をR10、コンデンサ14の値をC14とし、ωを差動トランジスタ部の所要帯域とすると、差動トランジスタ部3a′の左側のFET4の実質的負荷は、{(R9+jωL15)//1/jωC14)}となり、差動トランジスタ部3a′の右側のFET5の実質的負荷は、{(R10+jωL16)}となるから、二つの式が等しくなるようにインダクタ15、16の値を調節すればよい。
【0015】
又は、図14の構成において、FET7のゲートドレイン間容量をCgd7、FET8のゲートドレイン間容量をCgd8、インダクタ17の値をL17、インダクタ18の値をL18、コンデンサ14の値をC14とし、FETのゲート抵抗やドレイン抵抗を無視すれば、差動トランジスタ部3′の左側のFET4から見たソースフォロワ部6aの入力インピーダンスは、{(1/jωCgd8+jωL18)//jωC14)}となり、差動トランジスタ部3′の右側のFET5から見たソースフォロワ部6aの入力インピーダンスは、{(1/jωCgd7+jωL17)}となるから、二つの式が等しくなるようにインダクタ17、18の値を調節すればよい。
【0016】
【発明の効果】
本発明によれば、差動トランジスタ部又はソースフォロワ部に入れたインダクタの値を調節することにより、ソースフォロワ部から出力される一対の相補信号の周波数特性を正確に合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例の構成図である。
【図2】第1実施例の周波数特性図である。
【図3】第1実施例の振幅特性図である。
【図4】第1実施例の変形構成図(その1)である。
【図5】第1実施例の変形構成図(その2)である。
【図6】第1実施例の変形構成図(その3)である。
【図7】第1実施例の変形構成図(その4)である。
【図8】第1実施例の変形構成図(その5)である。
【図9】第1実施例の変形構成図(その6)である。
【図10】第1実施例の変形構成図(その7)である。
【図11】第2実施例の構成図である。
【図12】第2実施例の周波数特性図である。
【図13】第2実施例の変形構成図(その1)である。
【図14】第2実施例の変形構成図(その2)である。
【図15】第2実施例の変形構成図(その3)である。
【図16】第2実施例の変形構成図(その4)である。
【図17】第2実施例の変形構成図(その5)である。
【図18】第2実施例の変形構成図(その6)である。
【図19】第2実施例の変形構成図(その7)である。
【図20】第1従来例の構成図である。
【図21】第2従来例の構成図である。
【図22】第1従来例の周波数特性図である。
【図23】第1従来例の振幅特性図である。
【図24】第2従来例の周波数特性図である。
【符号の説明】
Di:入力信号
FET
Q、XQ:相補信号
Vref:基準電圧
3a、3a′:差動トランジスタ部
6a:ソースフォロワ部
15〜18:インダクタ
14:コンデンサ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a differential amplifier circuit. More specifically, the present invention compares the magnitude of an input signal applied to one input terminal with a reference voltage applied to the other input terminal, and has a logic corresponding to the comparison result. The present invention relates to a differential amplifier circuit that outputs a pair of complementary signals.
Such a differential amplifier circuit is used for an input buffer of a semiconductor integrated circuit, for example, because of its feature of being capable of high-speed operation and being resistant to fluctuations in the level of the input signal. In order to achieve higher-speed operation, a pair of complementary signals is used. It is necessary to accurately match the frequency characteristics of the.
[0002]
[Prior art]
(1) First Conventional Example FIG. 20 is a basic configuration diagram of the differential amplifier circuit, and an input signal Di equivalently shown by a signal source 1 and a bias source 2 constitutes a differential transistor section 3. A pair of complementary signals Q and XQ having a logic (H level or L level) applied to one gate of a pair of FETs 4 and 5 and having a magnitude comparison result with a reference voltage Vref applied to the other gate. Are output from the sources of the pair of FETs 7 and 8 constituting the source follower 6. 9 and 10 are load resistors, 11 to 13 are constant current sources, and VDD is a power source.
(2) Second Conventional Example In addition to the configuration of FIG. 20, the present applicant has proposed a differential amplifier circuit in which a capacitor 14 is inserted between the drain of the FET 4 and Vref as shown in FIG. (See JP-A-2-39709).
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
The disadvantage of the first conventional example is that, as described in Japanese Patent Laid-Open No. 2-39709, the FET 4 on the Di input side is equivalent among the pair of FETs 4 and 5 constituting the differential transistor section 3. Since the FET 5 on the Vref side operates equivalently with a grounded gate circuit (with a constant gate potential), while operating with a common source circuit (with a constant source potential), the frequency characteristics of the pair of complementary signals Q and XQ This means that there is a difference in amplitude. That is, if the frequency band of the source grounded circuit (XQ side) is represented by Δf_XQ and the frequency band of the gate grounded circuit (Q side) is represented by Δf_Q, then Δf_XQ> Δf_Q. As a result, as shown in FIG. There is a drawback in that they do not match and a difference occurs between the Q and XQ amplitudes as shown in FIG.
[0004]
On the other hand, the second conventional example pays attention to the disadvantages of the first conventional example and is advantageous in that the frequency band Δf_Q of the gate grounding circuit (Q side) can be expanded, but the frequency band of the source grounding circuit (XQ side). There is a drawback that Δf_XQ becomes narrow. That is, as shown in FIG. 24, in the second conventional example, the frequency characteristic of Q can be shifted to the high frequency side (see arrow A) by the capacitor 14 placed between the drain of the FET 4 and Vref. There is a drawback that the characteristic shifts to the low frequency side (see arrow B). This is because the substantial load of the FET 4 is given by the impedance Z (Z = R / {1 + jωCR}) in parallel between the resistor 9 (R) and the capacitor 14 (C). Where ω is the required bandwidth of the differential transistor section.
[0005]
Therefore, an object of the present invention is to accurately match the frequency characteristics of a pair of complementary signals.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, a pair of logic having a logic corresponding to a comparison result of a differential transistor unit that compares the magnitude of an input signal applied to one input terminal and a reference voltage applied to the other input terminal. in differential amplifier circuit you output complementary signals, put the first inductor to the load side of the transistor where the input signal is applied, a value smaller than the first inductor to the load side of the transistor where the reference voltage is applied And a capacitor is inserted between the load side terminal of the transistor to which the input signal is applied and the input terminal of the transistor to which the reference voltage is applied, and the first and second inductors are connected. The frequency characteristics of the pair of complementary signals are matched by the value and the value of the capacitor .
The invention according to claim 2 is characterized in that, in the invention according to claim 1, the second inductor has a value of 0 henry or a minute value close thereto.
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, a source follower unit that outputs a pair of complementary signals having a logic corresponding to a comparison result of the differential transistor unit is provided.
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the invention, a third transistor is connected to a load side of a transistor having the same logic as that of the transistor to which the input signal is applied, of the pair of transistors constituting the source follower unit. An inductor is inserted, a fourth inductor having a value smaller than that of the third inductor is inserted on the load side of the transistor having the same logic as that of the transistor to which the reference voltage is applied, the values of the first and second inductors, The frequency characteristics of a pair of complementary signals output from the source follower unit are matched with each other by a value of the third and fourth inductors and a value of the capacitor.
According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the present invention, the fourth inductor has 0 henry or a minute value close thereto.
According to the sixth aspect of the present invention, there is provided a differential transistor unit for comparing the magnitude of an input signal applied to one input terminal and a reference voltage applied to the other input terminal, and a comparison result of the differential transistor unit. In a differential amplifier circuit having a source follower unit that outputs a pair of complementary signals having a corresponding logic, the transistor has the same logic as that of the transistor to which the input signal is applied, out of a pair of transistors constituting the source follower unit. A first inductor is placed on the load side of the transistor, a second inductor having a smaller value than the first inductor is placed on the load side of the transistor having the same logic as the transistor to which the reference voltage is applied, and the input signal is Put a capacitor between the load side terminal of the transistor to be applied and the input terminal of the transistor to which the reference voltage is applied, The first and second inductor value and the capacitor value, characterized in that to match the frequency characteristics of the pair of complementary signals.
A seventh aspect of the invention is characterized in that, in the sixth aspect of the invention, the second inductor has a value of 0 henry or a value close thereto.
The invention according to claim 8 is the invention according to any one of claims 1 to 7, wherein the transistor is an FET, the load side terminal is a drain, and the input terminal is a gate. To do.
[0007]
In the present invention, the frequency characteristics of the pair of complementary signals output from the source follower unit are accurately matched by adjusting the value of the inductor inserted in the differential transistor unit or the source follower unit.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(1) Figures 1-10 are views showing a first embodiment of a differential amplifier circuit according to the present invention.
In FIG. 1, 3a is a differential transistor part that is partially different from the conventional example (FIG. 20 or FIG. 21), and 6 is a source follower part similar to the conventional example. If the same reference numerals are given to the elements common to the conventional example and the description thereof is omitted, the characteristic matter of this embodiment is that the inductor 15, the drain load of the pair of FETs 4 and 5 constituting the differential transistor section, 16 and the frequency characteristics of the pair of complementary signals Q and XQ output from the source follower unit 6 are matched by adjusting the values of the inductors 15 and 16. .
[0009]
If the inductors 15 and 16 are removed from the configuration of FIG. 1, the configuration of the first conventional example is obtained. However, this first conventional example has a drawback that Δf_XQ> Δf_Q. The values (inductances) of the inductors 15 and 16 should be adjusted so that Δf_XQ = Δf_Q as desired. In the first conventional example, “XQ amplitude”> “Q amplitude” (see FIG. 23). Therefore, in short, it is sufficient that the “Q amplitude” is increased, and for this purpose, the value of the Q-side inductor 16 is made larger than the value of the XQ-side inductor 15.
[0010]
According to this, by making the value of the inductor 16 on the Q side larger than the value of the inductor 15 on the XQ side, preferable characteristics as shown in FIGS. 2 and 3 can be obtained. That is, the Q characteristics can be shifted to the high frequency side without shifting the XQ characteristics to the low frequency side as shown in FIG. 2, and the two characteristics can be matched, as shown in FIG. Can be combined.
[0011]
As shown in FIG. 4, the inductor 15 on the XQ side may not be substantial (more precisely, it may be an inductor of 0 henry or a minute value close thereto). This is because the value of the inductor 16 on the Q side is larger than the value of the inductor 15 on the XQ side when viewed equivalently. Alternatively, as shown in FIG. 5, the above-described inductor value relationship may be applied to the source follower unit 6a, and specifically, between the drains of the pair of FETs 7 and 8 of the source follower unit 6a and VDD. The inductors 17 and 18 may be inserted, respectively, and the value of the Q-side inductor 17 may be larger than the value of the XQ-side inductor 18. In this case, as shown in FIG. 6, the inductor 18 on the XQ side may not be substantial (more precisely, it may be an inductor of 0 henry or a minute value close thereto).
[0012]
Alternatively, as shown in FIG. 7, inductors 15, 16, 17, and 18 may be inserted in both the differential transistor unit 3 a and the source follower unit 6 a, and the respective values may be set as described above, or As shown in FIG. 10, the value of one of the inductors may be zero (exactly 0 henry or a minute value close thereto).
(2) 11 to 19 are views showing a second embodiment of a differential amplifier circuit according to the present invention. The difference from the first embodiment (FIGS. 1 to 10) is that a capacitor 14 is inserted between the drain of one FET 4 of the differential transistor section and Vref. This solves the defect of the example (shift of the XQ characteristic toward the low frequency side). That is, also in this embodiment, as shown in FIG. 11, the inductors 15 and 16 are inserted into the load of the pair of FETs 4 and 5 of the differential transistor section 3a ′, but at the same time the drain of one FET 4 of the differential transistor section 3a ′. 14 and Vref, and by appropriately adjusting the values of the inductors 15 and 16 and the value of the capacitor 14, the QQ and XQ are not shifted to the low frequency side without incurring a shift to the low frequency side. These frequency characteristics are matched with each other (see the characteristic diagram of FIG. 12).
[0013]
In this embodiment, there are various variations as in the first embodiment. For example, as shown in FIG. 13, the value of the inductor 16 on the Q side is set to zero (exactly 0 henry or a minute value close thereto), or as shown in FIG. 14, the inductors 17 and 18 are provided in the source follower section 6a. As shown in FIG. 15, the value of the inductor 17 on the Q side is set to zero (exactly 0 henry or a minute value close thereto), or as shown in FIG. 16, the differential transistor section 3a ′ and the source follower section Inductors 15 to 18 are provided on both sides of 6a, or as shown in FIG. 17, the value of inductor 16 on the Q side of differential transistor section 3a ′ is set to zero (exactly 0 henry or a small value close thereto) As shown in FIG. 18, the value of the inductor 17 on the Q side of the source follower section 6a is set to zero (exactly 0 henry or a small value close thereto), or As shown, it may be or the value of the differential transistor portion 3a 'and the source follower unit 6a together Q side inductor 16 and 17 to zero (0 Henry or small value close to it exactly).
[0014]
In this embodiment, the relationship between the values of the inductors 15 and 16 (or 17, 18) is reversed from that of the first embodiment by inserting the capacitor 14. That is, the value of the XQ-side inductor 15 (or 18) is larger than the value of the Q-side inductor 16 (or 17).
In the configuration of FIG. 11, the value of the inductor 15 is L15, the value of the inductor 16 is L16, the value of the resistor 9 is R9, the value of the resistor 10 is R10, the value of the capacitor 14 is C14, and ω is a required value of the differential transistor section. In the case of the band, the substantial load of the left FET 4 of the differential transistor section 3a ′ is {(R9 + jωL15) / 1/1 / jωC14)}, and the substantial load of the right FET 5 of the differential transistor section 3a ′ is { (R10 + jωL16)}, the values of the inductors 15 and 16 may be adjusted so that the two expressions are equal.
[0015]
Alternatively, in the configuration of FIG. 14, the gate-drain capacitance of the FET 7 is Cgd7, the gate-drain capacitance of the FET 8 is Cgd8, the value of the inductor 17 is L17, the value of the inductor 18 is L18, and the value of the capacitor 14 is C14. If the gate resistance and drain resistance are ignored, the input impedance of the source follower unit 6a viewed from the left FET 4 of the differential transistor unit 3 ′ is {(1 / jωCgd8 + jωL18) // jωC14)}, and the differential transistor unit 3 Since the input impedance of the source follower section 6a viewed from the right-side FET 5 is {(1 / jωCgd7 + jωL17)}, the values of the inductors 17 and 18 may be adjusted so that the two equations are equal.
[0016]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to accurately match the frequency characteristics of a pair of complementary signals output from the source follower unit by adjusting the value of the inductor placed in the differential transistor unit or the source follower unit.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment.
FIG. 2 is a frequency characteristic diagram of the first embodiment.
FIG. 3 is an amplitude characteristic diagram of the first embodiment.
FIG. 4 is a modified configuration diagram (part 1) of the first embodiment;
FIG. 5 is a modified configuration diagram (No. 2) of the first embodiment;
FIG. 6 is a modified configuration diagram (No. 3) of the first embodiment;
FIG. 7 is a modified configuration diagram (No. 4) of the first embodiment;
FIG. 8 is a modified configuration diagram (No. 5) of the first embodiment;
FIG. 9 is a modified configuration diagram (No. 6) of the first embodiment;
FIG. 10 is a modified configuration diagram (No. 7) of the first embodiment;
FIG. 11 is a configuration diagram of a second embodiment.
FIG. 12 is a frequency characteristic diagram of the second embodiment.
FIG. 13 is a modified configuration diagram (No. 1) of the second embodiment;
FIG. 14 is a modified configuration diagram (No. 2) of the second embodiment;
FIG. 15 is a modified configuration diagram (No. 3) of the second embodiment;
FIG. 16 is a modified configuration diagram (part 4) of the second embodiment;
FIG. 17 is a modified configuration diagram (No. 5) of the second embodiment;
FIG. 18 is a modified configuration diagram (No. 6) of the second embodiment;
FIG. 19 is a modified configuration diagram (No. 7) of the second embodiment;
FIG. 20 is a configuration diagram of a first conventional example.
FIG. 21 is a configuration diagram of a second conventional example.
FIG. 22 is a frequency characteristic diagram of the first conventional example.
FIG. 23 is an amplitude characteristic diagram of the first conventional example.
FIG. 24 is a frequency characteristic diagram of a second conventional example.
[Explanation of symbols]
Di: Input signal FET
Q, XQ: complementary signal Vref: reference voltage 3a, 3a ′: differential transistor section 6a: source follower sections 15-18: inductor 14: capacitor

Claims (8)

一方の入力端子に印加された入力信号と他方の入力端子に印加された基準電圧との大小を比較する差動トランジスタ部の比較結果に応じた論理を持つ一対の相補信号を出力する差動増幅回路において、
前記入力信号が印加されるトランジスタの負荷側に第1のインダクタを入れ、前記基準電圧が印加されるトランジスタの負荷側に第1のインダクタより小さな値の第2のインダクタを入れ、さらに前記入力信号が印加されるトランジスタの負荷側端子と前記基準電圧が印加されるトランジスタの入力端子との間にコンデンサを入れ、前記第1および第2のインダクタの値と該コンデンサの値によって前記一対の相補信号の周波数特性を合致させることを特徴とする差動増幅回路。
Differential you outputs a pair of complementary signals with a logic in accordance with the comparison result of the differential transistor unit that compares the magnitude of the reference voltage applied to the input signal applied to one input terminal and the other input terminal In the amplifier circuit,
A first inductor is placed on the load side of the transistor to which the input signal is applied, a second inductor having a smaller value than the first inductor is placed on the load side of the transistor to which the reference voltage is applied, and the input signal A capacitor is inserted between the load side terminal of the transistor to which the reference voltage is applied and the input terminal of the transistor to which the reference voltage is applied, and the pair of complementary signals is determined by the values of the first and second inductors and the value of the capacitor. A differential amplifier circuit characterized by matching the frequency characteristics of.
前記第2のインダクタが0ヘンリ若しくはそれに近い微小値であることを特徴とする請求項1に記載の差動増幅回路。2. The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein the second inductor has a very small value of 0 henry or a value close thereto. 前記差動トランジスタ部の比較結果に応じた論理を持つ一対の相補信号を出力するソースフォロワ部を有することを特徴とする請求項1または2に記載の差動増幅回路。3. The differential amplifier circuit according to claim 1, further comprising a source follower unit that outputs a pair of complementary signals having logic according to a comparison result of the differential transistor unit. 前記ソースフォロワ部を構成する一対のトランジスタのうち、前記入力信号が印加されるトランジスタと同じ論理を持つトランジスタの負荷側に第3のインダクタを入れ、前記基準電圧が印加されるトランジスタと同じ論理を持つトランジスタの負荷側に第3のインダクタより小さな値の第4のインダクタを入れ、前記第1と第2のインダクタの値と、前記第3と第4のインダクタの値および前記コンデンサの値によって前記ソースフォロワ部から出力される一対の相補信号の周波数特性を合致させることを特徴とする請求項3に記載の差動増幅回路。A third inductor is inserted on the load side of a transistor having the same logic as that of the transistor to which the input signal is applied, out of a pair of transistors constituting the source follower unit, and the same logic as that of the transistor to which the reference voltage is applied. A fourth inductor having a value smaller than that of the third inductor is placed on the load side of the transistor having the first and second inductors, the third and fourth inductor values, and the capacitor value. 4. The differential amplifier circuit according to claim 3, wherein frequency characteristics of a pair of complementary signals output from the source follower unit are matched. 前記第4のインダクタが0ヘンリ若しくはそれに近い微小値であることを特徴とする請求項4に記載の差動増幅回路。5. The differential amplifier circuit according to claim 4, wherein the fourth inductor has a small value of 0 henry or a value close thereto. 一方の入力端子に印加された入力信号と他方の入力端子に印加された基準電圧との大小を比較する差動トランジスタ部と、該差動トランジスタ部の比較結果に応じた論理を持つ一対の相補信号を出力するソースフォロワ部とを有する差動増幅回路において、A differential transistor section that compares the magnitude of an input signal applied to one input terminal and a reference voltage applied to the other input terminal, and a pair of complementary circuits having logic according to the comparison result of the differential transistor section In a differential amplifier circuit having a source follower section for outputting a signal,
前記ソースフォロワ部を構成する一対のトランジスタのうち、前記入力信号が印加されるトランジスタと同じ論理を持つトランジスタの負荷側に第1のインダクタを入れ、前記基準電圧が印加されるトランジスタと同じ論理を持つトランジスタの負荷側に第1のインダクタより小さな値の第2のインダクタを入れ、さらに前記入力信号が印加されるトランジスタの負荷側端子と前記基準電圧が印加されるトランジスタの入力端子との間にコンデンサを入れ、前記第1および第2のインダクタの値と該コンデンサの値によって前記一対の相補信号の周波数特性を合致させることを特徴とする差動増幅回路。A first inductor is inserted on the load side of a transistor having the same logic as that of the transistor to which the input signal is applied, and the same logic as that of the transistor to which the reference voltage is applied. A second inductor having a value smaller than that of the first inductor is placed on the load side of the transistor, and further between the load side terminal of the transistor to which the input signal is applied and the input terminal of the transistor to which the reference voltage is applied A differential amplifier circuit, wherein a capacitor is inserted to match the frequency characteristics of the pair of complementary signals according to the values of the first and second inductors and the value of the capacitor.
前記第2のインダクタが0ヘンリ若しくはそれに近い微小値であることを特徴とする請求項6に記載の差動増幅回路。The differential amplifier circuit according to claim 6, wherein the second inductor has a very small value of 0 henry or a value close thereto. 前記トランジスタがFETであり、前記負荷側端子がドレインであり、前記入力端子がゲートであることを特徴とする請求項1から7までのいずれかに記載の差動増幅回路。8. The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein the transistor is an FET, the load side terminal is a drain, and the input terminal is a gate.
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