JP3807666B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3807666B2 JP3807666B2 JP2001166150A JP2001166150A JP3807666B2 JP 3807666 B2 JP3807666 B2 JP 3807666B2 JP 2001166150 A JP2001166150 A JP 2001166150A JP 2001166150 A JP2001166150 A JP 2001166150A JP 3807666 B2 JP3807666 B2 JP 3807666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elastic resin
- bump
- wire
- wire bump
- base portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CSP(Chip Size Package)構造の半導体装置に関わり、特にインターポーザ基板を備えて、熱応力を緩和して疲労破壊を回避する電極構造を備える半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップを、インターポーザ基板を介してプリント基板等に実装する方法として、インターポーザ基板上に半田バンプ電極を形成し、この半田バンプ電極を介してプリント基板に実装する方法が知られている。この場合の構成例を図15に示す。すなわち、絶縁層101上に配線パターン層102が形成されたインターポーザ基板100を備え、配線パターン層102に半導体チップ103が例えばハンダボールを介して実装される。また、インターポーザ基板100の表面側には半導体チップ103全体を覆う封止膜104が設けられる。そして、絶縁層101に設けられたコンタクトホールを介して配線パターン層102に接続される半田バンプ電極105が形成され、この半田バンプ電極105を介して、図示しないプリント基板等の接続パッドに接続して実装される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、こうした実装形態では、半導体チップとインターポーザ基板、およびこの半導体装置が実装されるプリント基板との熱膨張係数の不一致から生じる熱応力が半田バンプ電極部分にかかることになる。しかるに、半田バンプ電極の根本部分となる絶縁層に設けられたコンタクトホール部分は、ハンダボールを形成する際にハンダが容易に流れ込む寸法を有していなければならないため、この部分を小さくするには限界があった。
【0004】
この結果、図15に図示されている如く、従来の半田バンプ電極105は、根本部分を含めて全体が略同程度の太さを持った突起形状となっていた。このため、ハンダ金属の持つ柔軟性により熱応力をある程度吸収し得るものの充分でなく、温度サイクルによる疲労破壊により半田バンプ電極の根本部分にクラックが入り、断線することがある、という問題があった。
【0005】
そこで本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、インターポーザ基板を介して半導体チップを実装する構成において、熱応力を緩和して疲労破壊による断線を回避することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、所定の配線パターンが形成された配線層を有し、該配線層の一面上には半導体チップが実装されるインターポーザ基板を備え、前記配線層の他面上には、該配線層に接続して立設されるワイヤバンプと、該ワイヤバンプが立設される箇所に該ワイヤバンプが延出するように設けられた弾性樹脂と、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールからなるバンプ電極とを備え、前記弾性樹脂は前記ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状であり、且つ前記バンプ電極は前記弾性樹脂の頂部と当接して配置されることを特徴とする。
【0007】
請求項2に記載の発明では、前記配線層は複数の導体層を備えることを特徴とする。請求項3に記載の発明では、前記インターポーザ基板は、前記配線層の他面上に、前記ワイヤバンプが立設される箇所にコンタクトホールを備えた絶縁層を備えることを特徴とする。請求項4に記載の発明では、前記弾性樹脂は、前記コンタクトホール内に充填され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする。
【0008】
請求項5に記載の発明では、前記弾性樹脂は、前記絶縁層の表面を覆って設けられ、且つ前記コンタクトホール内に該弾性樹脂が充填され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする。請求項6に記載の発明では、前記ワイヤバンプ周辺の弾性樹脂に金属粒子が付着固定されていることを特徴とする。請求項7に記載の発明では、前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂が塗布硬化され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする。
【0009】
請求項8に記載の発明では、前記配線層の他面上および前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂が塗布硬化され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする。
請求項9に記載の発明では、前記ワイヤバンプ周辺の弾性樹脂に金属粒子が付着固定されていることを特徴とする。
請求項10に記載の発明では、前記ワイヤバンプの根本部分に金属粒子を混入拡散させた弾性樹脂が塗布硬化され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする。
【0010】
請求項11に記載の発明では、所定の配線パターンが形成された配線層を有し、該配線層の表面上に半導体チップが実装され、該配線層の裏面上に所定のコンタクトホールが穿設された絶縁層が積層されたインターポーザ基板を準備する工程と、前記絶縁層に穿設された前記コンタクトホールを介して前記配線層の裏面上に、該配線層に接続されるワイヤバンプを立設する工程と、該ワイヤバンプが延出するとともに該ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状なるように前記コンタクトホール内に弾性樹脂を充填して前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定する工程と、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールを前記弾性樹脂の頂部と当接するように設けてバンプ電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0011】
請求項12に記載の発明では、前記コンタクトホール内に前記弾性樹脂を充填して前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定すると同時に、前記絶縁層の表面を弾性樹脂で覆う工程を備えることを特徴とする。
請求項13に記載の発明では、前記コンタクトホール内に前記弾性樹脂を充填して前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定する工程の後であって、前記バンプ電極を形成する工程の前に、前記ワイヤバンプ周辺の弾性樹脂に金属粒子を付着固定する第2の工程とを備えることを特徴とする。
【0012】
請求項14に記載の発明では、所定の配線パターンが形成された配線層を有し、該配線層の一面上には半導体チップが実装されるインターポーザ基板を準備する工程と、前記配線層の他面上に、該配線層に接続されるワイヤバンプを立設する工程と、該ワイヤバンプが延出するとともに該ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状なるように前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂を塗布硬化させて前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定する工程と、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールを前記弾性樹脂の頂部と当接するように設けてバンプ電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0013】
請求項15に記載の発明では、前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂を塗布硬化させて前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定すると同時に、前記配線層の他面上を覆って弾性樹脂を塗布硬化させて、該ワイヤバンプの根本部分を該弾性樹脂により固定する工程を備えることを特徴とする。
請求項16に記載の発明では、前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂を塗布硬化させて前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定する工程の後であって、前記バンプ電極を形成する工程の前に、前記ワイヤバンプの根本部分の前記弾性樹脂の表面に金属粒子を付着固定する工程を備えることを特徴とする。
【0014】
請求項17に記載の発明では、前記ワイヤバンプを立設する工程の前に、前記配線層の他面上に、前記ワイヤバンプが立設される箇所に開口部を備えたソルダレジスト層を形成する工程を備えることを特徴とする。
請求項18に記載の発明では、所定の配線パターンが形成された配線層を有し、該配線層の一面上には半導体チップが実装されるインターポーザ基板を準備する工程と、前記配線層の他面上に、該配線層に接続されるワイヤバンプを立設する工程と、該ワイヤバンプが延出するとともに該ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状なるように前記ワイヤバンプの根本部分に金属粒子を混入拡散させた弾性樹脂を塗布硬化させて、該ワイヤバンプの根本部分を該弾性樹脂により固定する工程と、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールを前記弾性樹脂の頂部と当接するように設けてバンプ電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0015】
本発明では、半導体チップが実装されるインターポーザ基板の配線層に接続されるワイヤバンプを立設し、当該ワイヤバンプが立設される箇所に該ワイヤバンプが延出するように弾性樹脂を設け、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールを設けてバンプ電極を形成し、前記弾性樹脂は前記ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状であり、且つ前記バンプ電極は前記弾性樹脂の頂部と当接して配置される構成を備え、配線層上に、ワイヤバンプが立設される箇所にコンタクトホールを備える絶縁層を備える場合、50〜100μφという小さいコンタクトホールであっても、ワイヤバンプによって半田がコンタクトホール内部に浸透して充填される結果、このコンタクトホール部分におけるバンプ電極の柔軟性が保たれ、かつコンタクトホール自体がポリイミド膜などの絶縁層に穿設されていることも相俟って、インターポーザ基板側とデバイスチップ側および当該半導体装置が実装されるプリント基板との熱膨張係数の不一致から生じる熱応力を、コンタクトホール部分で分散して疲労破壊を回避することができる。また、例え熱応力によって絶縁層とバンプ電極のボール状部分との境界部分又は根本の部分の半田層部分にクラックが生じたとしても、バンプ電極の心棒であるワイヤバンプが配線層にボンディングされている為、導通性は強固に維持される。さらに、凸形状の弾性樹脂の頂部と当接してバンプ電極を配置することにより、バンプ電極の下面での接触領域が確保されるので、バンプ電極を安定に配置することができる。
【0016】
また、本発明では、インターポーザ基板の絶縁層に穿設されたコンタクトホール内に弾性樹脂を充填してワイヤバンプの根本部分を樹脂により固定する構成を備えるので、ワイヤバンプの根本部分が弾性樹脂に埋め込まれる形になる結果、ワイヤバンプの根本部分の強度が向上してワイヤバンプが配線パターン層から剥がれることが防止され、加えて、弾性樹脂の持つ弾性により熱応力を緩和し得る。 さらに、絶縁層全面を弾性樹脂で覆いつつコンタクトホールに弾性樹脂を充填する態様にすれば、コンタクトホールに充填された弾性樹脂の部分のみならず、絶縁層全体で熱応力を吸収するから、熱応力が大きく緩和されて、更に疲労破壊を回避し得る。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
(1)第1の実施形態
図1〜図6は、第1の実施形態による半導体装置の構造およびその製造工程を示す断面図である。図1において、1は配線パターン層2および絶縁フィルム層3から構成されるインターポーザ基板である。絶縁フィルム層3はポリイミド膜等から形成されており、配線パターン層2に対応する箇所には予めコンタクトホールCHが穿設されている。
また、図1〜図6においては、配線パターン層2が単層で形成される場合を示しているが、これに限るものではなく、多層の配線層により構成されているようにしてもよい。このコンタクトホールCHは、後述するように、ワイヤバンプ5が立設されるため、小さい径(50〜100μφ)とすることができる。
【0018】
配線パターン層2上には、図2に図示するように、半導体チップ10がバンプボンディングされる。インターポーザ基板1上に半導体チップ10がバンプボンディングされた後は、図3に図示する通り、半導体チップ10全体を覆うようにインターポーザ基板1の表面側を樹脂でモールドして封止層4を形成する。樹脂封止後は、必要に応じてパッケージの薄膜化研磨処理を行う。
次に、図4に図示するように、ワイヤボンダーを用いて絶縁フィルム層3の各コンタクトホールCHを介して配線パターン層2上にワイヤバンプ5を形成する。ワイヤバンプ5には、金や銅など半田と濡れ性の良い金属材料を用いる。
【0019】
この後、各コンタクトホールCHに立設されたワイヤバンプ5に半田印刷等のメタライズ処理を施した後、リフローを行って各ワイヤバンプ5を心棒にしたバンプ電極6を形成する(図5参照)。この後、こうしたバンプ電極6を備えるパッケージは、図6に示すように、予め定められたダイシングラインに沿って個片カットされ、これにより半導体チップ10をインターポーザ基板1にフェイスダウンボンディングで実装したCSP(Chip Size Package)構造の半導体装置20が形成される。こうして形成された半導体装置20は、プリント基板(図示せず)の所定の接続パッドにバンプ電極6を介して実装される。
【0020】
この場合、前述のように、コンタクトホールCHの径は50〜100μφとしている。この寸法では、ハンダ金属の表面張力により、通常は半田が入り込まないが、半田と濡れ性の良い金属材料で形成されるワイヤバンプ5がコンタクトホールCH内に立設されている為、ワイヤバンプ5の表面を介して当該コンタクトホールCH内部に半田が浸透する。
【0021】
したがって、50〜100μφという小さいコンタクトホールCHであっても、ワイヤバンプ5によって半田がコンタクトホールCH内部に充填される結果、バンプ電極6の形状を、図5、図6に図示の如く、先端がボール状に形成されるとともに根本部分を比較的細くした形状とすることができる。
この形状により、コンタクトホールCH部分においてバンプ電極の柔軟性が保たれ、かつコンタクトホールCH自体がポリイミド膜などの絶縁フィルム層3に穿設されていることも相俟って、インターポーザ基板1側とデバイスチップ10側との熱膨張係数の不一致から生じる熱応力、およびインターポーザ基板1とプリント基板(図示せず)との熱膨張係数の不一致から生じる熱応力を、各コンタクトホールCH部分におけるワイヤバンプ5および半田層、更には絶縁フィルム層3で緩和して分散することが可能になっている。
【0022】
また、このような電極構造によれば、例え熱応力によって絶縁フィルム層3とバンプ電極6のボール状部分との境界部分又は根本の部分の半田層部分にクラックが生じたとしても、バンプ電極6の心棒であるワイヤバンプ5が配線パターン層2にボンディングされており、バンプ電極6と配線パターン層2との導通が保たれている為、断線することなく、導通性は強固に維持され、信頼性を向上させることができる。
【0023】
また、前述のように、絶縁フィルム層3に設けるコンタクトホールCHの径を小さくすることができるため、絶縁フィルム層3に積層して形成される配線パターン層2において、例えば各コンタクトホールCH間により多くの配線パターンを設けることが可能となり、配線密度を向上させることができる。これにより、例えば配線パターン層2が多層の配線層を有している場合、この配線の層数を減らすことも可能となる。
【0024】
更には、このバンプ電極6はワイヤバンプ5を心棒にして形成されているため、従来の半田のみで形成されている半田バンプ電極105に比べて、バンプ電極6の高さを高くすることができる。これにより、応力緩和に寄与する部分を長くすることができて、応力緩和が可能な範囲を更に大きくすることができる。
【0025】
(2)第2の実施形態
次に、図7を参照して第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、先ず図7(イ)に示すように、上述した第1の実施形態と同様、ワイヤボンダーを用いて絶縁フィルム層3のコンタクトホールCHを介して配線パターン層2にワイヤバンプ5を形成した後(図4参照)、コンタクトホールCH内にシリコン系樹脂あるいはエポキシ系樹脂等の弾性樹脂11を充填して硬化する。この後、同図(ロ)に示すように、上記第1実施形態と同様に、各コンタクトホールCHに立設されたワイヤバンプ5に半田印刷等のメタライズ処理を施し、リフローを行って各ワイヤバンプ5を心棒にしたバンプ電極6を形成する。
【0026】
ここで、コンタクトホールCHに樹脂を充填するには、例えば溶融した弾性樹脂11を例えば、インクジェット方式で注入したり、あるいは滴下させる方式などを用いる。
このような電極構造によれば、ワイヤバンプ5の根本部分が弾性樹脂11に埋め込まれる形になる為、ワイヤバンプ5の根本部分の強度が向上してワイヤバンプ5が配線パターン層2から剥がれることが防止される。加えて、弾性樹脂11の持つ弾性により熱応力を緩和し得る。
【0027】
第2の実施形態の変形例としては、例えば図8に図示する電極構造も考えられる。図8に示す電極構造は、溶融した弾性樹脂11を絶縁フィルム層3の表面に塗布し、これによって絶縁フィルム層3全面を弾性樹脂11で覆いつつコンタクトホールCHに弾性樹脂11を充填するものである。
このようにすれば、コンタクトホールCHに充填された弾性樹脂11の部分のみならず、絶縁フィルム層3の表面に設けられた部分全体で熱応力を吸収することになるため、熱応力が大きく緩和されて、更に疲労破壊を回避し得るようになる。
【0028】
(3)第3の実施形態
次に、図9を参照して第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、先ず図9(イ)に示すように、上述した第2の実施形態(図7参照)と同様、ワイヤボンダーを用いて絶縁フィルム層3のコンタクトホールCHを介して配線パターン層2にワイヤバンプ5を形成してからそのコンタクトホールCH内にインクジェット方式にてシリコン系樹脂やエポキシ系樹脂等の弾性樹脂11を充填する。次に、コンタクトホールCHに充填した弾性樹脂11を硬化させる以前に、銅等の金属粒子12を、例えば吹き付けることによって、ワイヤバンプ5周辺の弾性樹脂11に付着させる。
【0029】
この後、弾性樹脂11を硬化させ、ワイヤバンプ5周辺の弾性樹脂11に付着させた金属粒子12を樹脂表面に固定する(図9(ロ)参照)。なお、ワイヤバンプ5周辺以外の箇所に余分な金属粒子12が残っている場合は除去する。これは、例えば吹き飛ばすことによって行うようにしてもよい。そして、ワイヤバンプ5周辺の弾性樹脂11の表面に金属粉体12が固定されたら、図9(ハ)に示すように、ワイヤバンプ5に半田印刷を施した後、リフローを行ってワイヤバンプ5を心棒にしたバンプ電極6を形成する。
【0030】
このように、第3の実施形態によれば、ワイヤバンプ5周辺の弾性樹脂11の表面に銅等の金属粒子12を付着固定していることによって、この部分の半田濡れ性を良くしてからワイヤバンプ5に半田印刷を施した後、リフローを行ってワイヤバンプ5を心棒にしたバンプ電極6を形成する為、前述した第2の実施形態と同様の効果に加え、バンプ電極6の半田金属と弾性樹脂11との密着性が向上するため、更に熱応力を緩和し得るようになる。
【0031】
(4)第4の実施形態
次に、図10を参照して第4の実施形態について説明する。第4の実施形態では、図10(イ)に示すように、前述した第2の実施形態の変形例(図8参照)と同様、溶融した弾性樹脂11を絶縁フィルム層3の表面に塗布し、これによって絶縁フィルム層3表面を弾性樹脂11で覆いつつコンタクトホールCHに弾性樹脂11を充填する。
ここで、弾性樹脂11はUV硬化性を有しているものとする。次に、同図(ロ)に示すように、ワイヤバンプ5の周囲部分を遮光するマスクMを用いてUV照射を行う。これによって、ワイヤバンプ5の周囲部分を除いた部分の弾性樹脂11をUV硬化させる。
【0032】
続いて、図10(ハ)に示すように、未硬化状態にあるワイヤバンプ5周辺の弾性樹脂11の表面に銅等の金属粒子12を、例えば吹き付けることによって、付着させた後、ワイヤバンプ5周辺の弾性樹脂11を硬化させて金属粒子12を樹脂表面に固定する。こうして半田濡れ性を良くした後、ワイヤバンプ5に半田印刷を施してリフローを行い、ワイヤバンプ5を心棒にしたバンプ電極6を形成する。
【0033】
こうした第4の実施形態によれば、樹脂表面の半田濡れ性を良くしたことによる前述した第3の実施形態と同様の効果に加え、絶縁フィルム層3の表面に設けられた弾性樹脂部分全体で熱歪を吸収することになるため、熱応力を緩和して疲労破壊を更に回避し得るようになる。
【0034】
(5)第5の実施形態
上述した第1〜第4の実施形態では、インターポーザ基板が配線パターン層上に絶縁フィルム層が形成されて構成されるものとして、絶縁フィルム層3に穿設されたコンタクトホールCH内部にワイヤバンプ5を立設するものについて言及したが、インターポーザ基板の構成はこれに限るものではなく、例えば配線パターン層が多層構造を有し、配線パターン層上に絶縁フィルム層が形成されていない構成のものもあり、第5〜第7の実施形態はインターポーザ基板がこのような構成を有する場合に対応したものである。これらの実施形態では、インターポーザ基板1上の配線パターン層2に直接ワイヤバンプ5を立設する構成を備える。
【0035】
図11を参照して第5の実施形態について説明する。第5の実施形態では、先ず図11(イ)に示すように、インターポーザ基板1上の配線パターン層2に、ワイヤボンダーを用いてワイヤバンプ5を形成した後、このワイヤバンプ5の根本部分に例えば、インクジェット方式等により弾性樹脂11を塗布して硬化する。次いで、同図(ロ)に示すように、ワイヤバンプ5に半田印刷等のメタライズ処理を施し、リフローを行って各ワイヤバンプ5を心棒にしたバンプ電極6を形成する。
これにより、ワイヤバンプ5はその根本部分が弾性樹脂11に埋め込まれる為、ワイヤバンプ5の根本部分の強度が向上してワイヤバンプ5が配線パターン層2から剥がれることが防止されるとともに、ワイヤバンプ5のみならず弾性樹脂11の持つ弾性により熱応力を緩和することが可能になる。
【0036】
第5の実施形態の変形例としては、例えば図12に図示する電極構造も考えられる。図12に示す電極構造は、溶融した弾性樹脂11をインターポーザ基板1の表面に塗布し、これによってインターポーザ基板1の表面およびワイヤバンプ5の根本部分を弾性樹脂11で覆うものである。
このようにすれば、ワイヤバンプ5およびワイヤバンプ5を覆う弾性樹脂11のみならず、インターポーザ基板1の表面に設けられた弾性樹脂11全体で熱応力を吸収することになるため、熱応力が大きく緩和されて、更に疲労破壊を回避し得る。
【0037】
(6)第6の実施形態
次に、図13を参照して第6の実施形態について説明する。第6の実施形態では、図13に図示するように、インターポーザ基板1上に配線パターン層2を開口するようソルダレジスト層13を形成した後、配線パターン層2にワイヤバンプ5を立設する。
続いて、銅等の金属粒子を混入拡散させて半田濡れ性を向上させた弾性樹脂11を、ワイヤバンプ5の根本部分に例えば、インクジェット方式等により塗布して硬化する。この後、ワイヤバンプ5に半田印刷を施してリフローを行い、ワイヤバンプ5を心棒にしたバンプ電極6を形成する。
このような電極構造によれば、弾性樹脂11の半田濡れ性が向上されているため、バンプ電極6の半田金属と弾性樹脂11との密着性が向上するため、弾性樹脂11による熱応力の緩和が更に促進される。
【0038】
(7)第7の実施形態
次に、図14を参照して第7の実施形態について説明する。第7の実施形態では、前述した第5の実施形態の変形例(図12参照)と同様、溶融した弾性樹脂11をインターポーザ基板1の表面に塗布し、これによってインターポーザ基板1の表面およびワイヤバンプ5の根本部分を弾性樹脂11で覆う。
次いで、第4の実施形態と同様に、例えばワイヤバンプ5の周囲部分を遮光するマスクを用いてUV照射を行うことによって(図10(ロ)参照)、こうして塗布された弾性樹脂11の内、ワイヤバンプ5の周囲以外をUV硬化させ、未硬化状態にあるワイヤバンプ5周辺の弾性樹脂11の表面に銅等の金属粒子12を、例えば吹き付けることによって、付着させた後、ワイヤバンプ5周辺の弾性樹脂11を硬化させて金属粒子12を樹脂表面に固定する。こうしてワイヤバンプ5周辺の弾性樹脂11の半田濡れ性を向上させる。
【0039】
この後、ワイヤバンプ5に半田印刷を施してリフローを行い、ワイヤバンプ5を心棒にしたバンプ電極6を形成する。
こうした電極構造によれば、第5の実施形態の変形例と同様に、弾性樹脂11に覆われたワイヤバンプ5のみならず、インターポーザ基板1の表面に設けられた弾性樹脂11全体で熱応力を吸収するとともに、ワイヤバンプ5の周辺の弾性樹脂11の半田濡れ性が向上されているため、バンプ電極6の半田金属と弾性樹脂11との密着性が向上するため、弾性樹脂11による熱応力をの緩和が更に促進されて、疲労破壊を回避できる。
【0040】
【発明の効果】
請求項1〜3に記載の発明によれば、半導体チップが実装されるインターポーザ基板の配線層に接続されるワイヤバンプを立設し、当該ワイヤバンプが立設される箇所に該ワイヤバンプが延出するように設けられた弾性樹脂と、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールを設けてバンプ電極を形成し、前記弾性樹脂は前記ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状であり、且つ前記バンプ電極は前記弾性樹脂の頂部と当接して配置される構成を備え、配線層上に、ワイヤバンプが立設される箇所にコンタクトホールを備える絶縁層を備える場合、コンタクトホールを50〜100μφに小さくしても、ワイヤバンプによって半田がコンタクトホール内部に浸透して充填される結果、このコンタクトホール部分におけるバンプ電極の柔軟性が保たれ、かつコンタクトホール自体がポリイミド膜などの絶縁層に穿設されていることも相俟って、インターポーザ基板側とデバイスチップ側および当該半導体装置が実装されるプリント基板との熱膨張係数の不一致から生じる熱応力をコンタクトホール部分で分散して疲労破壊を回避することができる。また、例え熱応力によって絶縁層とバンプ電極のボール状部分との境界部分又は根本の部分の半田層部分にクラックが生じたとしても、バンプ電極の心棒であるワイヤバンプが配線層にボンディングされている為、導通性を強固に維持することができ、信頼性を向上させることができる。また、コンタクトホールを小さくできる為、配線層の配線パターンをより高密度にすることができる。さらに、凸形状の弾性樹脂の頂部と当接してバンプ電極を配置することにより、バンプ電極の下面での接触領域が確保されるので、バンプ電極を安定に配置することができる。
請求項4,11に記載の発明によれば、インターポーザ基板の絶縁層に穿設されたコンタクトホール内に弾性樹脂を充填してワイヤバンプの根本部分を樹脂により固定する構成を備えるので、ワイヤバンプの根本部分が弾性樹脂に埋め込まれる形になる結果、ワイヤバンプの根本部分の強度が向上してワイヤバンプが配線パターン層から剥がれることが防止され、加えて、弾性樹脂の持つ弾性により熱応力を緩和できる。
請求項5,12に記載の発明によれば、絶縁層全面を弾性樹脂で覆いつつコンタクトホールに弾性樹脂を充填するので、コンタクトホールに充填された弾性樹脂の部分のみならず、絶縁層全体で熱応力を吸収するから、熱応力が大きく緩和されて、更に疲労破壊を回避できる。
請求項6,13に記載の発明によれば、ワイヤバンプ周辺の弾性樹脂に金属粒子を付着固定させ、この金属粒子の付着固定により半田濡れ性が向上された樹脂上に半田ボールを形成してバンプ電極を形成したので、バンプ電極の半田金属と弾性樹脂との密着性が向上して、更に熱応力を緩和し得る。
請求項7,14に記載の発明によれば、配線層に立設されたワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂を塗布硬化して、ワイヤバンプの根本部分を弾性樹脂で埋め込み固定する為、ワイヤバンプの根本部分の強度が向上してワイヤバンプが配線層から剥がれることが防止されるとともに、ワイヤバンプのみならず弾性樹脂の持つ弾性により熱応力を緩和することができる。
請求項8,15に記載の発明によれば、インターポーザ基板の配線層全面を弾性樹脂で覆いつつワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂を塗布硬化して、ワイヤバンプの根本部分を弾性樹脂で埋め込み固定する為、ワイヤバンプ周囲の弾性樹脂のみならずインターポーザ基板全体で熱応力を吸収するから、熱応力が大きく緩和されて、更に疲労破壊を回避することができる。
請求項9,16に記載の発明によれば、ワイヤバンプ周辺の配線層上の弾性樹脂に金属粒子を付着固定させ、この金属粒子の付着固定により半田濡れ性が向上された樹脂上に半田ボールを形成してバンプ電極を形成したので、バンプ電極の半田金属と弾性樹脂との密着性が向上して、更に熱応力を緩和し得る。
請求項17に記載の発明によれば、配線層の他面上に、前記ワイヤバンプが立設される箇所に開口部を備えたソルダレジスト層を形成する工程を備えるので、弾性樹脂の半田濡れ性が向上されて、バンプ電極の半田金属と弾性樹脂との密着性が向上し、弾性樹脂による熱応力の緩和が更に促進される。
請求項10,18に記載の発明によれば、配線層に立設されたワイヤバンプの根本部分に金属粒子を混入拡散させた弾性樹脂を塗布硬化して、ワイヤバンプの根本部分を該弾性樹脂で埋め込み固定する為、ワイヤバンプの根本部分の強度が向上してワイヤバンプが配線層から剥がれることが防止され、弾性樹脂の持つ弾性により熱応力を緩和することができるとともに、弾性樹脂の半田濡れ性が良いため、バンプ電極の半田金属と弾性樹脂との密着性が向上して、更に熱応力を緩和し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態による半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図2】図1に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図3】図2に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図4】図3に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図5】図4に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図6】図5に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図7】第2の実施形態を示す断面図である。
【図8】第2の実施形態の変形例を示す断面図である。
【図9】第3の実施形態を示す断面図である。
【図10】第4の実施形態を示す断面図である。
【図11】第5の実施形態を示す断面図である。
【図12】第5の実施形態の変形例を示す断面図である。
【図13】第6の実施形態を示す断面図である
【図14】第7の実施形態を示す断面図である。
【図15】従来の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 インターポーザ基板
2 配線パターン層
3 絶縁フィルム層
4 封止層
5 ワイヤバンプ
6 バンプ電極
10 半導体チップ
11 弾性樹脂
12 金属粒子
13 ソルダレジスト層
20 半導体装置
CH コンタクトホール
Claims (18)
- 所定の配線パターンが形成された配線層を有し、該配線層の一面上には半導体チップが実装されるインターポーザ基板を備え、前記配線層の他面上には、該配線層に接続して立設されるワイヤバンプと、該ワイヤバンプが立設される箇所に該ワイヤバンプが延出するように設けられた弾性樹脂と、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールからなるバンプ電極とを備え、前記弾性樹脂は前記ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状であり、且つ前記バンプ電極は前記弾性樹脂の頂部と当接して配置されることを特徴とする半導体装置。
- 前記配線層は複数の導体層を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記インターポーザ基板は、前記配線層の他面上に、前記ワイヤバンプが立設される箇所にコンタクトホールを備えた絶縁層を備えることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記弾性樹脂は、前記コンタクトホール内に充填され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記弾性樹脂は、前記絶縁層の表面を覆って設けられ、且つ前記コンタクトホール内に該弾性樹脂が充填され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記ワイヤバンプ周辺の弾性樹脂に金属粒子が付着固定されていることを特徴とする請求項4または請求項5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂が塗布硬化され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記配線層の他面上および前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂が塗布硬化され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記ワイヤバンプ周辺の弾性樹脂に金属粒子が付着固定されていることを特徴とする請求項7または請求項8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ワイヤバンプの根本部分に金属粒子を混入拡散させた弾性樹脂が塗布硬化され、前記ワイヤバンプの根本部分が該弾性樹脂により固定されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 所定の配線パターンが形成された配線層を有し、該配線層の表面上に半導体チップが実装され、該配線層の裏面上に所定のコンタクトホールが穿設された絶縁層が積層されたインターポーザ基板を準備する工程と、前記絶縁層に穿設された前記コンタクトホールを介して前記配線層の裏面上に、該配線層に接続されるワイヤバンプを立設する工程と、該ワイヤバンプが延出するとともに該ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状なるように前記コンタクトホール内に弾性樹脂を充填して前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定する工程と、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールを前記弾性樹脂の頂部と当接するように設けてバンプ電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記コンタクトホール内に前記弾性樹脂を充填して前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定すると同時に、前記絶縁層の表面を弾性樹脂で覆う工程を備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記コンタクトホール内に前記弾性樹脂を充填して前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定する工程の後であって、前記バンプ電極を形成する工程の前に、前記ワイヤバンプ周辺の弾性樹脂に金属粒子を付着固定する第2の工程と、を備えることを特徴とする請求項11または請求項12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 所定の配線パターンが形成された配線層を有し、該配線層の一面上には半導体チップが実装されるインターポーザ基板を準備する工程と、前記配線層の他面上に、該配線層に接続されるワイヤバンプを立設する工程と、該ワイヤバンプが延出するとともに該ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状なるように前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂を塗布硬化させて前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定する工程と、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールを前記弾性樹脂の頂部と当接するように設けてバンプ電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂を塗布硬化させて前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定すると同時に、前記配線層の他面上を覆って弾性樹脂を塗布硬化させて、該ワイヤバンプの根本部分を該弾性樹脂により固定する工程を備えることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ワイヤバンプの根本部分に弾性樹脂を塗布硬化させて前記ワイヤバンプの根本部分を前記弾性樹脂により固定する工程の後であって、前記バンプ電極を形成する工程の前に、前記ワイヤバンプの根本部分の前記弾性樹脂の表面に金属粒子を付着固定する工程を備えることを特徴とする請求項14または請求項15のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ワイヤバンプを立設する工程の前に、前記配線層の他面上に、前記ワイヤバンプが立設される箇所に開口部を備えたソルダレジスト層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 所定の配線パターンが形成された配線層を有し、該配線層の一面上には半導体チップが実装されるインターポーザ基板を準備する工程と、前記配線層の他面上に、該配線層に接続されるワイヤバンプを立設する工程と、該ワイヤバンプが延出するとともに該ワイヤバンプが延出する部分が頂部とされた凸形状なるように前記ワイヤバンプの根本部分に金属粒子を混入拡散させた弾性樹脂を塗布硬化させて、該ワイヤバンプの根本部分を該弾性樹脂により固定する工程と、前記ワイヤバンプを心棒にした半田ボールを前記弾性樹脂の頂部と当接するように設けてバンプ電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001166150A JP3807666B2 (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001166150A JP3807666B2 (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002359322A JP2002359322A (ja) | 2002-12-13 |
JP3807666B2 true JP3807666B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=19008723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001166150A Expired - Fee Related JP3807666B2 (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3807666B2 (ja) |
-
2001
- 2001-06-01 JP JP2001166150A patent/JP3807666B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002359322A (ja) | 2002-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8987919B2 (en) | Built-in electronic component substrate and method for manufacturing the substrate | |
US6985362B2 (en) | Printed circuit board and electronic package using same | |
JP5018826B2 (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
US6441500B1 (en) | Semiconductor device having resin members provided separately corresponding to externally connecting electrodes | |
KR100702018B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
KR20060063654A (ko) | 칩 내장 기판의 제조 방법 | |
KR20010070217A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4971243B2 (ja) | 配線基板 | |
JP2002026198A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR20080102022A (ko) | 회로기판의 제조방법, 반도체 패키지의 제조방법, 이에의해 제조된 회로기판 및 반도체 패키지 | |
US6841884B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2000022027A (ja) | 半導体装置、その製造方法およびパッケージ用基板 | |
CN110459521B (zh) | 覆晶封装基板和电子封装件 | |
US7554197B2 (en) | High frequency IC package and method for fabricating the same | |
JP2009252942A (ja) | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 | |
JP4494249B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3627428B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2001352021A (ja) | 半導体パッケージ、半導体パッケージの実装構造及び半導体パッケージの製造方法 | |
JP5000105B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2001250876A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20170025386A1 (en) | Semiconductor device | |
KR20040069513A (ko) | 신뢰성 높은 볼 그리드 어레이 패키지와 그 제조 방법 | |
KR101887306B1 (ko) | 범프-온-트레이스 칩 패키징용 디바이스 및 그 형성 방법 | |
JP3807666B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3795628B2 (ja) | 半導体チップを搭載する配線基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060310 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060512 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 6 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |