JP3800415B2 - パルス幅変調回路及びそれを用いた照明装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、パルス幅変調回路及びそれを用いた照明装置に関し、特に、汎用のパルス幅変調回路を用いて形成された高速パルス幅変調回路と、それを用いた照明装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
パルス幅変調回路は各種の装置に用いられ、近年では汎用のLSIとして市販されている。係るパルス幅変調回路は、汎用性を考慮して、その仕様が決定されている。例えば、パルス幅変調回路用のLSI、FA13842(商品名)は、図5の回路ブロック図に示すように、LSI1の端子▲8▼、▲4▼及び接地に接続した抵抗器RT及びコンデンサCTとにより定められる一定の周期で発振する自励発振器を具備し、前記抵抗器RTを介して、端子▲8▼の5V REFからコンデンサCTを充電する。
【0003】
LSI1に示された2つのUVLO(Undervoltage lockout回路)等で構成された回路はoutput stage(OUT terminal)が作動可能とする以前に、VCCVREFをチェックする回路である。本願の主体であるパルス幅変調回路とは直接関係ないので、動作の説明は省略する。負荷の一例として、図5には、インダクタンスに電流を駆動するMOS FETを図示し、LSI1内のOUTPUT端子▲6▼がMOS FETのゲートに接続されている。又、MOS FETのソースと接地間には流れる電流を検知するための抵抗RSが接続されている。理解を容易にするために、前記パルス幅変調回路について図6、図7(a)を用いて説明する。図6は、前記LSIを用いてパルス幅変調を行なう場合の従来の回路図、図7(a)は、その動作説明のタイムチャート図である。図5に示すように前記LSI1は、自励発振器3と、エラー増幅器2および差動増幅器4とを具備し、当該LSIの外部から入力される図示していない輝度信号に応じてOUTPUT端子▲6▼にパルス幅が変調された図7(a)に示した矩形信号OUTを出力する回路である。
【0004】
前記自励発振器3は、図6に示すように、抵抗器RT及びコンデンサCTとにより定められる一定の周波数で発振する。例としたLSI1(FA13842)では、端子▲8▼のVREFからのDC5Vで抵抗器RTを介してコンデンサCTを略3Vまで充電し、自励発振器3内の放電回路により、略1.4Vまで放電する。
自励発振器3は、前記した充電電圧が略3Vまで充電されると、その出力が高レベルになり、コンデンサCTに充電された電荷を自励発振器3内の抵抗RT2の放電回路により、略1.4Vまで放電すると、自励発振器3の出力が低レベルになる。即ち、自励発振器3の出力は図7(a)に示すようなパルス信号SETとなる。
【0005】
前記パルス信号SETはフリップフロップ5のセット端子に入力され、その立下りの信号により前記フリップフロップ5がセットされ、出力端子▲6▼の信号OUTが高レベルになる。該信号OUTが出力されると、図示したMOS FETがON状態となり、負荷のインダクタンスに電流が流れ始める。その電流は電流を検知するための抵抗RSに電圧を発生し、この電圧が電流に対応した検出信号として、ISENSが端子▲3▼に入力される。該信号ISENSは矩形波電圧をインダクタンスに印加した場合の電流波形と同じなので図7(a)に示したように鋸歯状波形電圧となる。該信号ISENSは比較器4の一方の入力端子▲3▼に入力され、他方の入力端子に入力されているCOMP端子▲1▼の信号COMPと比較される。その結果、信号ISENSが信号COMPより大になると比較器4の出力端子にRESET信号を発し、フリップフロップ5がリセットされて出力端子▲6▼の信号OUTが低レベルになる。信号COMPは負荷に流れる電流を所定の値に制御するためのreference voltageであり、例えば、負荷をXeランプとすると、Xeランプに流れる電流、すなわち明るさを所定の明るさにするために、外部からLSI1のCOMP端子▲1▼に加えるための輝度信号である。図7(a)では信号COMPは電圧値が漸次増加するように示しているが、電圧値を変えることにより、信号OUTのパルス幅が変化すること、すなわちパルス幅変調されることを示すためである。信号COMPの電圧値が増加すると、信号OUTのパルス幅Tが増加し、デューティ比が増加する。すなわち、Xeランプに流れる電流が増加して、輝度が上がる。又、図7(a)の信号COMPの漸次増加はXeランプの点灯をスロースタートする場合、すなわち除々に輝度を上げていく始動方法の例でもある。スロースタートの場合、図7(a)のように、信号COMPを与えることにより、除々にXeランプに供給する電流、すなわち供給する電流、すなわち供給電力を増加させて、輝度を除々に増加させる。
【0006】
前述の動作において、自励発振器3の出力であるパルス信号SETは、その信号が低レベルにある時間は、コンデンサCTが略3Vまで充電されるまでの時間である。コンデンサCTの充電電圧はRT及びCTで定まる時定数で上昇し、係る時間t1はこれ以下の値にはならない。即ち、自励発振器3の発振周波数の上限がRT及びCTで定まり、図6に示した従来の回路ではこれ以上の発振周波数にはならない。
【0007】
一方、近年、カラーコピー機が普及するにつれて、スキャナー用の光源として放電灯(例えば冷陰極蛍光管)が用いられている。この場合、ランプや、センサの感度輝度のばらつき、スキャンする原稿の種類などに応じて、最適な輝度に調整することが望まれている。しかし、従来この輝度調整は一般にはセンサの露光時間を調整することや、前述のようにランプ電流を変化することによって行なわれていた。例えば、冷陰極蛍光管を点灯する放電灯点灯装置(バックライトインバータ装置とも称する)では、冷陰極蛍光管を交流電圧で点灯し、該冷陰極蛍光管の輝度の調光は管電流を変化させて行っている。冷陰極蛍光管を流れる管電流は、連続した電流であり、予め設定された所定のレベルになるよう制御される。また、輝度MAX100%〜50%程度の範囲で調光することができ、この調光方式は一般的に電流調光方式と呼ばれている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
前述のようにスキャナー用の光源は、その輝度または照度を連続的に滑らかに調整できることが望ましく、冷陰極蛍光管の管電流を調整する方法は簡便である。しかし、冷陰極蛍光管は、その発光特性が白色光と異なっており、カラースキャナーなどには適しないと共に、高輝度化が難しい。更に、調光範囲を広くするために低輝度側の範囲を広げるには、蛍光管の管電流を減らして動作させる必要がある。しかしながら、冷陰極蛍光管の管電流を減らしていくと、その性質上、放電が不安定になるので、上記のような連続した定電流制御方式では、低輝度側の下限は、輝度MAXの50%程度が限度であると共に、管電流と輝度との関係がリニアでなく、その制御が難しい。更に、冷陰極蛍光管には特性にばらつきがあり、最適な管電流を得ることが難しい。
【0009】
又、前記放電灯を前述したパルス幅変調回路用のLSI、FA13842(商品名)を用いて高周波で点灯すると、LSIに発振周波数の上限があり、使用する放電灯の種類によっては前記LSIの使用が難しい場合がある。従来、該LSIの発振周波数を大きくする手段として、図6に示すように、CTの両端に、低抵抗r1を介してトランジタTR1を接続し、係るトランジスタTR1を放電時に同期したPCT1をTR1のベースに印加し、放電時間を短縮することが行われていた。しかし、発振周波数を大きくすることに関しては限界があった。(低抵抗r1はTR1に許容電流以上の電流が流れることを防止する保護抵抗であるが、場合によっては、省略してもよい。)
【0010】
本発明は、係る問題を解決して高速パルス幅変調回路と、それを用いた照明装置を提供することを目的としてなされたものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために請求項1記載のパルス幅変調回路では、抵抗器及び該抵抗器を介して充電されるコンデンサによって定められる所定の発振周波数で発振する発振回路のデューティ比を制御してパルス幅変調された出力を得るパルス幅変調回路において、前記抵抗器の両端を短絡するスイッチ回路からなる抵抗値変化手段を設け、前記スイッチ回路に印加されるパルス信号に基づいて前記スイッチ回路をオンオフすることにより、前記発振回路の発振周波数を前記パルス信号の周波数に同期させることを特徴とする。
【0013】
また、請求項2に記載の照明装置では、抵抗器及び該抵抗器を介して充電されるコンデンサによって定められる所定の発振周波数で発振する発振回路のデューティ比を制御してパルス幅変調された出力を得るパルス幅変調回路と、該パルス幅変調回路の出力信号によって駆動されて、該出力信号の周波数によって輝度が変化する希ガス放電ランプとを備えた照明装置において、前記パルス幅変調回路には、前記抵抗器の両端を短絡するスイッチ回路からなる抵抗値変化手段を設け、前記スイッチ回路に印加されるパルス信号に基づいて前記スイッチ回路をオンオフすることにより、前記発振回路の発振周波数を前記パルス信号の周波数に同期させることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明者等は、光源として高輝度で白色光の成分を多く含む、Xeランプのような希ガス放電灯を光源としたスキャナーに注目した。又、前記Xeランプのような希ガス放電灯は、一般的には直流電源で点灯されているが、その輝度がXeランプの点灯周波数に依存して変化し、かつ点灯周波数と輝度との関係が比較的直線的であることにも着目した。以下実施形態においては、前記着目点から、まず、Xeランプの周波数依存特性を求め、該特性に適応する点灯回路として汎用のLSIで構成されるパルス幅変調回路を用い、そのデューティ比を前記Xeランプの点灯周波数まで制御できる手段を付加して、汎用のLSIを用いた高周波動作可能なパルス幅変調回路を得た。そして該パルス幅変調回路をXeランプの輝度を変化させるパルス幅変調回路として用い照明装置を発明した。
【0015】
図1は、本発明のパルス幅変調回路の実施形態を示す図である。なお、図1に示したパルス幅変調回路用のLSI1は、図5及び図6に示したLSIと同一である。まず、本発明のパルス幅変調回路の実施形態に使用するLSI1、FA13842(商品名)の発振時の特性を図2により説明する。図2は、前記LSI1、FA13842(商品名)の発振時の特性を説明する図であって、縦軸に図7(a)に示した電圧ECTのデューティ比[t2/(t1+t2)]を、横軸に発振周波数fをとり、CTによりデューティ比がどのように変化するかを示した図である。図2から明らかなように、デューティ比はCTにより変化するが、その上限は30%以下である。又、図7(a)から明らかなように、デューティ比が小さいことは、電圧ECTの立ち上り時間t1が長く、電圧ECTの立ち下がり時間t2が短いことを表す。即ち、自励発振器3の発振周波数の上限がRT及びCTで定まり、且つ、電圧ECTの立ち上り時間t1により制限されることに着目した。
【0016】
前述のように、自励発振器3の発振周波数の上限がRT及びCTで定まり、且つ、電圧ECTの立ち上りt1時間により制限されることに着目して、図1の実施形態では電圧ECTの立ち上り時間t1を急峻にした。即ち、充電時間を短縮する為に、抵抗器RTの値を変化する抵抗値変化手段を具え、該抵抗値変化手段として前記抵抗器RTの両端にトランジスタTR2と抵抗器rの直列回路を接続し、該トランジスタTR2をオン、オフして抵抗器RTを短絡するスイッチ回路を形成して電圧ECTの立ち上り時間を急峻にした。(低抵抗r2はTR2に許容電流以上の電流が流れることを防止する保護抵抗であるが、場合によっては、省略してもよい。)
【0017】
図1において、トランジスタTR2のベース端子Bとエミッタ端子Eに抵抗RBが接続され、そのエミッタ端子Eは端子▲8▼に、コレクタ端子Cは低抵抗r2を介して▲4▼に接続することにより、トランジスタTR2が抵抗器RTの両端に接続されている。又、端子▲4▼と端子▲5▼の間にはコンデンサCTが接続されている。そして、トランジスタTR2のベース端子Bに印加されるパルス信号PCT2が低レベルになるとトランジスタTR2がオンして、抵抗器RTが低抵抗r2で短絡される。その結果、LSI1の自励発振器3に接続されている抵抗器RT及びコンデンサCTの接続点(端子▲4▼)の電圧ECTは、図7(a)で示した立ち上り時間t1で上昇せずに、トランジスタTR2のベース端子Bに印加されるパルス信号PCT2の波形に依存して図7(b)に示す電圧ECTのように充電電圧は急峻に上昇する。図1には先に、従来技術として、記載したコンデンサCTの放電時間を短縮するトランジスタTR1と低抵抗r1による急速放電回路も付加した回路を図示している。
【0018】
前記自励発振器3は、この例では電圧ECTが3Vに充電されると、その出力が高レベルになる。そして、電圧ECTが3Vに充電後にトランジスタTR2のベース端子Bを高レベルに戻すとトランジスタTR2がオフされる。コンデンサCTに充電された電荷は、図7(a)で示した立ち下がり時間t2で放電して前記電圧ECTが下降し、ゼロになると自励発振器3の出力が低レベルになる。その結果、図7(b)に示したような自励発振器3の出力であるパルス信号SETの信号が低レベルにある時間tは、パルス信号PCTの立ち上り時間t1と、LSI1の電圧ECTの立ち下がり時間t2に依存する。従って、前記時間tはRT及びCTで定まる時定数以下の値にすることができ、パルス信号PCTの立ち上り時間t1を急峻にすることで高速なパルス幅変調回路になる。
【0019】
図3は、Xeランプの周波数依存特性である。縦軸にXeランプの照度を横軸に点灯周波数をとり、該点灯周波数により照度がどのように変化するかを示した。図3より明らかなように、点灯周波数12kHzから60kHzの間で、良好な直線性を示し、その照度は略4倍変化する。以上のことから、前記点灯周波数によって輝度が変化する希ガス放電ランプ(Xeランプ)と、前記パルス幅変調回路から出力される信号によって希ガス放電ランプを駆動する点灯回路とを用いて照明装置が実現できる。
【0020】
図4は、前記パルス幅変調回路を用いて例えばXeランプのような希ガス放電ランプを点灯する、照明装置の実施形態を示す回路図である。該照明装置は、前述したように、発振周波数を定める抵抗器RTの値を変化して発振器の出力信号のデューティ比を変化してパルス幅変調された出力信号によって駆動される希ガス放電ランプ点灯回路と、該希ガス放電ランプ点灯回路の点灯周波数によって輝度が変化する希ガス放電ランプとを用いた照明装置の実施形態である。図4において、希ガス放電ランプには図3で示した特性を有するXeランプを、またパルス幅変調回路には図5で示したLSIを用いており、該LSIの動作及び端子の説明は省略する。
【0021】
まず、図4の構成について説明する。入力端子イ、ロ、ハは、それぞれ直流電圧端子、接地端子、前記パルス幅変調回路LSI(IC1)を有効にする信号端子であり、ニは、前記した発振周波数を定める抵抗器RTの値を変化する信号端子である。XeランプLの端子ヘは、トランスT1の出力端子10に、端子トは異常検出抵抗R7を介してトランスT1の出力端子6にそれぞれ接続されている。該トランスT1の入力端子1と2は、それぞれ前記直流電圧端子イ及びFET(Q1)のドレイン端子Dに接続され、該FET(Q1)のソース端子Sは、電流検出用の抵抗器R12を介して接地されている。また、FET(Q1)のゲート端子Gは、前記パルス幅変調回路LSI(IC1)の出力端子に接続されている。
【0022】
前記パルス幅変調回路LSI(IC1)には、直流電源端子イから安定化電源10を介してLSI(IC1)の端子▲7▼に電圧VCCが印加されている。該安定化電源10にはハからのLSI(IC1)を有効にする信号によりオン、オフするトランジスタQ2で形成されるスイッチング回路が含まれている。異常検出抵抗R7の両端の接地間電圧は、抵抗器R57とダイオードD3を介して異常検出回路11に接続されている。該異常検出回路11は、トランジスタQ5によりXeランプLの開放を検出し、トランジスタQ6、Q7、Q8によりXeランプLの短絡を検出するように作用する。ダイオードD4により両検出結果の論理和が得られ、トランジスタQ9のベース端子Bに接続されている。
【0023】
図1で述べた抵抗器RTは端子▲8▼、▲4▼間に、またコンデンサCTの一方の端子は端子▲4▼に他方の端子は接地されている。トランジスタTR2のベース端子Bとエミッタ端子Eには抵抗器RBが接続されている。抵抗器RTの両端には、トランジスタTR2のエミッタ端子Eと、トランジスタTR2のコレクタ端子Cに一方の端が直列接続された低抵抗r2の他方の端子が接続されていて、エミッタ端子EはIC1のVREF端子▲8▼に接続されている。また、コンデンサCTの両端にはトランジスタTR1のエミッタ端子EとトランジスタTR1のコレクタ端子Cに直列接続された低抵抗r1が接続されている。入力端子ホとしたトランジスタTR1のベース端子BとコンデンサCTの一方の端子が接続されている接地間には抵抗RAが接続されている。入力端子ホは前記の放電時間を制御するパルス信号PCT1の入力端子である。トランジスタTR2のベース端子Bは、入力端子ニから抵抗器R40を介して外部回路に接続される。トランジスタTR1のベース端子Bは入力端子ホを介して入力端子ニに接続される。これらの外部回路は、発振周波数を定める抵抗器RTの値を変化する図1に示したパルス信号PCT2およびPCT1を出力する回路であって、例えば、前記Xeランプの照度または輝度を検出して、該照度または輝度に比例した周期の信号を発生する図示していない周波数変換器などである。FET(Q1)のソース端子Sと接地間に接続された電流検出用の抵抗器R12に発生した電圧は抵抗R15を介してLSI(IC1)の端子▲3▼であるISENS端子に接続されている。該ISENS端子▲3▼と接地間にはコンデンサC8が接続されているので、電流検出用の抵抗器R12に発生した電圧波形は抵抗R15とコンデンサC8による積分回路により鋸歯状電圧に変換されてLSI(IC1)のISENS端子▲3▼に入力される。LSI(IC1)の端子▲2▼であるVFB端子には図4の入力端子の電圧を可変抵抗VRにより分圧した所定の輝度に設定するための輝度設定信号が入力される。
【0024】
係る構成における動作について図7(b)に示したタイムチャートを用いて説明する。入力端子ハからパルス幅変調回路LSI(IC1)を有効にする信号が入力されると、トランジスタQ2が導通し、前記パルス幅変調回路LSIが作動して所定の周期の信号OUTがIC1の出力端子▲6▼に出力される。その結果Xeランプが正常に点灯しない場合には、開放又は短絡を前述した異常検出回路が検出して作動し、パルス幅変調回路LSI(IC1)の端子▲1▼をトランジスタQ9により短絡して、パルス幅変調回路LSI(IC1)の動作を停止し、FET(Q1)をオフにする。前記Xeランプが正常に点灯した場合には管電流が流れて、前記抵抗器R12の両端には該管電流に比例した電圧が得られる。かかる検出電圧は前記したように、抵抗器R15とコンデンサC8による積分回路で鋸歯状電圧に変換してISENS端子▲3▼に入力される。一方、前記した輝度設定信号はLSI(IC1)の端子▲2▼であるVFB端子に入力され、LSI(IC1)内のERAMP2で基準電圧と比較増幅され、その出力はLSI(IC1)内の比較器4により前記した該管電流に比例した電圧を変換した鋸歯状電圧と比較される。
【0025】
すなわち、Xeランプが正常に点灯した場合には前記図示していない周波数変換器からXeランプの照度または輝度に比例した周期のパルス信号PCTが発生され、該パルス信号PCTは、前記図1で示したパルス信号PCT1、PCT2となり、トランジスタTR1、TR2のベース端子Bに印加される。パルス信号PCTによりトランジスタTR1、TR2がオン、オフされ、図7(b)で示した電圧ECTになる。即ち、パルス信号PCTがハイレベルになると、トランジスタTR2がオフされると同時に、トランジスタTR1はオンされ、立ち上りが急峻で、立下りが比較的緩やかな図7(b)で示した電圧ECTのような波形になる。パルス信号PCTがハイレベルになると、トランジスタTR2がオフされて時間t2後に電圧ECTがゼロになると、管電流が流れて信号ISENSが増加すると共に、LSI(IC1)の出力OUTは高レベルになる。一方、LSI(IC1)の端子▲2▼には輝度を設定する信号が入力されており、ISENS端子に入力した検出された管電流によって電圧を変換した鋸歯状電圧との比較がなされる。ISENSに入力された前記鋸歯状電圧の振幅が輝度設定信号より大になると、信号RESETが発生されてIC1のフリップフロップ5がリセットされ、IC1の出力OUTは低レベルになる。
【0026】
トランジスタTR2がオンされて電圧ECTが3Vに充電されてから、前記周波数変換器で発生される周期でトランジスタTR2がオフされる。前述したようにトランジスタTR2がオフされ、時間t2後に電圧ECTがゼロになると管電流が流れて信号ISENSが増加すると共にIC1の出力OUTは高レベルになり、以下同様の動作を繰り返す。上記の動作により、輝度設定信号になるようなデューティ比をもつパルス幅に制御した高い周波数で繰り返すパルス信号で、FET(Q1)をオン、オフして、希ガス放電ランプを所定の輝度で安定に点灯するよう制御する。
【0027】
【発明の効果】
請求項1に記載のパルス幅変調回路によれば、抵抗器及び該抵抗器を介して充電されるコンデンサによって定められる所定の発振周波数で発振する発振回路のデューティ比を制御してパルス幅変調された出力を得るパルス幅変調回路において、前記抵抗器の両端を短絡するスイッチ回路(例えば、トランジスタ回路)からなる抵抗値変化手段を設け、前記スイッチ回路に印加されるパルス信号に基づいて前記スイッチ回路をオンオフすることにより、前記発振回路の発振周波数を前記パルス信号の周波数に同期させることによって、市販のパルス幅変調回路を用いて高速なパルス幅変調回路を得ることができ、装置の低価格化と高速化が可能である。
【0028】
請求項2に記載の照明装置によれば、発振回路の抵抗器及び該抵抗器を介して充電されるコンデンサによって定められる所定の発振周波数で発振する発振回路のデューティ比を制御してパルス幅変調された出力を得るパルス幅変調回路と、該パルス幅変調回路の出力信号によって駆動されて、該出力信号の周波数によって輝度が変化する希ガス放電ランプとを備えた照明装置において、前記パルス幅変調回路には、前記抵抗器の両端を短絡するスイッチ回路からなる抵抗値変化手段を設け、前記スイッチ回路に印加されるパルス信号に基づいて前記スイッチ回路をオンオフすることにより、前記発振回路の発振周波数を前記パルス信号の周波数に同期させることによって、希ガス放電ランプを高周波点灯でき、装置の小型化と、簡単な回路による希ガス放電ランプの照度調整が可能である。その結果、カラースキャナーなどの高速化と低価格化に寄与する効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のパルス幅変調回路の実施形態を示す図である。
【図2】LSI、FA13842(商品名)の発振時の特性を説明する図である。
【図3】Xeランプの周波数依存特性である。
【図4】本発明の照明装置の実施形態を示す回路図である。
【図5】従来のパルス幅変調回路用LSIの回路ブロック図である。
【図6】従来のパルス幅変調回路用LSIを用いてパルス幅変調を行なう場合の、従来の回路図である。
【図7】従来のパルス幅変調回路用LSIの動作を説明するタイムチャートであって、図7(a)は従来回路でのタイムチャート、図7(b)は本発明の実施形態でのタイムチャートである。
【符号の説明】
LSI1 パルス幅変調回路用LSI
RT 抵抗器
CT コンデンサ
L Xeランプ
T1 トランス
TR2 トランジスタ
Claims (2)
- 抵抗器及び該抵抗器を介して充電されるコンデンサによって定められる所定の発振周波数で発振する発振回路のデューティ比を制御してパルス幅変調された出力を得るパルス幅変調回路において、前記抵抗器の両端を短絡するスイッチ回路からなる抵抗値変化手段を設け、前記スイッチ回路に印加されるパルス信号に基づいて前記スイッチ回路をオンオフすることにより、前記発振回路の発振周波数を前記パルス信号の周波数に同期させることを特徴とするパルス幅変調回路。
- 抵抗器及び該抵抗器を介して充電されるコンデンサによって定められる所定の発振周波数で発振する発振回路のデューティ比を制御してパルス幅変調された出力を得るパルス幅変調回路と、該パルス幅変調回路の出力信号によって駆動されて、該出力信号の周波数によって輝度が変化する希ガス放電ランプとを備えた照明装置において、前記パルス幅変調回路には、前記抵抗器の両端を短絡するスイッチ回路からなる抵抗値変化手段を設け、前記スイッチ回路に印加されるパルス信号に基づいて前記スイッチ回路をオンオフすることにより、前記発振回路の発振周波数を前記パルス信号の周波数に同期させることを特徴とする照明装置。
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