JP3797476B2

JP3797476B2 - 厚さ／成分計測方法及び装置

Info

Publication number: JP3797476B2
Application number: JP2001327708A
Authority: JP
Inventors: 俊一宮崎; 美和柳川; 卓人岸
Original assignee: Yokogawa Electric Corp
Current assignee: Yokogawa Electric Corp
Priority date: 2001-10-25
Filing date: 2001-10-25
Publication date: 2006-07-19
Anticipated expiration: 2021-10-25
Also published as: JP2003130615A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、厚さ／成分計測方法及び装置に関し、詳しくは反射体（例えば半導体基板，液晶基板等）上に形成された膜（例えばレジスト）の膜厚計測及び成分（例えば水分）計測を同時に行って高速に計測ができる厚さ／成分計測方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の、反射体（例えば半導体基板）上に形成されたレジストの膜厚計測を行う手法について、図７を参照して説明する。図７は、従来の反射体（例えば半導体基板）上に形成された薄膜の膜厚計測を行う計測装置の構成およびその原理を概略的に示す説明図である。
【０００３】
同図において、計測装置１００は、計測用の例えば白色、青色及び赤色の３つのレーザ光が入力される入光モジュール１１０と、この入光モジュール１１０から出光した光線を薄膜基板１５０に照射し、その照射した光線が薄膜基板１５０上の薄膜（例えばレジスト）１６０を透過し、基板（反射体）１６１で反射され、再び薄膜１６０で反射した反射光及び薄膜を透過して反射体で反射した反射光を分光受光モジュール１４０に伝達する２分枝ファイバ１２０と、２分枝ファイバ１２０からの光線を受光する分光受光モジュール１４０とから、主に構成されている。
【０００４】
入光モジュール１１０は、青色、白色及び赤色のレーザ光を発生する発光ＬＥＤである青色ＬＥＤλ_１、白色ＬＥＤλ_２及び赤色ＬＥＤλ_３を有し、フィルタ１１１、１１２を介して合成光にして出力する。
【０００５】
２分枝モジュール１２０は、入光モジュール１１０からの光線を受光するレンズ１２１及び、このレンズ１２１を介した光線を薄膜基板１５０に導光する第１のファイバ１２２と、薄膜基板１５０からの光線を分光受光モジュール１４０側に導光するレンズ１２４を備えた第２のファイバ１２３と、この第１及び第２のファイバ１２２に接続され、薄膜基板１５０上に焦点させるレンズ１３０を備えた入出光先端部１３１とからなる。
【０００６】
分光受光モジュール１４０は、入光された光を波長毎のスペクトルに分光するリニアバリアブルフィルタ（ＬＶＦ）である分光光学素子１４１と、分光された光をその波長毎に検出するラインＣＣＤ１４２とを有する。
【０００７】
上述したように、薄膜基板１５０に形成された１６０の膜厚（実施例において、１０μｍ〜１ｎｍ）計測を行うために、白色、青色及び赤色の3種類のレーザ光が使用される。これらの３つのレーザ光は、フィルタ１１１、１１２を用いて、波長が４００〜８００ｎｍの合成光とされ、この合成光は、レンズ１２１を用いて２分枝ファイバ１２０の一方の第１のファイバ１２２へ導入される。この導入された合成光は、２分枝ファイバ１２０の先端に取り付けられたレンズ１３０を通して薄膜基板１５０に照射される。そして、薄膜基板１５０のうち薄膜１６０のみを透過、反射した反射光は、再度レンズ１３０を通過して２分枝ファイバ１２０の他方の第２のファイバ１２３へ導入され、分光受光モジュール１４０の分光光学素子１４１へ導かれてスペクトル分光される。スペクトル分光された光は、ラインＣＣＤ１４２へ導かれ、薄膜からの反射光に含まれていた光の波長が検出され、Ａ／Ｄ変換され、デジタルデータとして出力される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の計測装置では、反射体上に形成された膜の計測を行なう場合、膜厚のみにしか使用できないという問題がある。
【０００９】
又、従来の計測装置は反射体上に形成された膜厚の管理をする場合に、多数ある反射体の中から任意の枚数の反射体のみをサンプリングして計測するものである。従って、例えばレジストがリフトオフのために利用され、或いはレジストが反射体（半導体ウエハ）の構造膜として積極的に利用される場合において、レジスト内の成分（水分）計測を行いたい場合、又は反射体の全数の厚さ及び水分を高速に計測したい場合に、そのような要求には応えられないという問題もある。
【００１０】
更に、従来の膜厚計測は可視光を用いていたので、半導体ウエハ上のレジストの膜厚を計測するような場合は、計測の際にレジストが露光されてダメージを受けてしまうという問題点もある。
【００１１】
また、近年、反射体（半導体ウエハ）の大面積化に伴い、例えば、３００ｍｍ大口径ウエハー上の任意の位置におけるレジストの膜厚を高速で管理したい、という需要もあり、これに対応できないという問題もある。
【００１２】
従って、本発明は反射体上に形成された薄膜の膜厚計測だけでなく、成分（例えば水分）の計測も同時に行うとともに、薄膜にダメージを与えることなく計測できるようにすること、及び、反射体上に形成された薄膜の膜厚及び成分を同時に計測するとともに、全数をインラインで高速に行うことができる厚さ／成分計測装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために本発明は、次に示す構成としたことを特徴とする。
【００１４】
（１）白色光を反射体上に形成された薄膜に照射し、
前記反射体と薄膜からの反射光を分光し、
該分光した光のうちの近赤外分光スペクトルを検出し、
該近赤外分光スペクトルをフーリエ変換して薄膜の膜厚を計測すると共に、
前記近赤外スペクトルから干渉成分を除去したスペクトルを作成し、
作成されたスペクトルに対して逆フーリエ変換を行い回帰モデルを用いて薄膜の成分値を計測することを特徴とする厚さ／成分計測方法。
【００１５】
（２）白色光を反射体上に形成された薄膜に照射する近赤外光照射手段と、
前記反射体と薄膜からの反射光を分光する分光手段と、
フォトダイオードアレイよりなり前記分光された近赤外分光スペクトルを検出するスペクトル検出手段と、
このスペクトル検出手段により検出された近赤外分光スペクトルをフーリエ変換して薄膜の膜厚を計測すると共に、前記近赤外スペクトルから干渉成分を除去したスペクトルを作成し、作成されたスペクトルに対して逆フーリエ変換を行い回帰モデルを用いて薄膜の成分値を計測する厚さ／成分計測手段と
を備えることを特徴とする厚さ／成分計測装置。
【００１６】
（３）前記スペクトル検出手段は、ＩｎＧａＡｓアレイ検出器で形成されていることを特徴とする（２）に記載の厚さ／成分計測装置。
（４）前記反射体を計測位置に搬送する搬送手段を有することを特徴とする（２）に記載の厚さ／成分計測装置。
（５）前記搬送手段は、ＸＹステージであることを特徴とする（４）に記載の厚さ／成分計測装置。
【００３２】
このように構成することにより、反射体上の薄膜の膜厚だけでなく、成分の計測も可能とし、同時に、近赤外光を使用することにより薄膜にダメージ（計測時の露光）を与えることなく計測を行うことができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の厚さ／成分計測方法及び装置の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３４】
本発明に係る厚さ／成分計測方法および装置の第１の実施形態は、図１に示すように、光源からの白色光（以下単に光と言う）を反射体２上に形成された薄膜６に照射する光照射部１と、反射体２および薄膜６からの反射光を回折格子で分光する分光部３と、この分光した光のうち近赤外分光スペクトルを検出するアレイ検出器からなるスペクトル検出部４と、スペクトル検出部４で検出した近赤外分光スペクトルに基づいて、反射体２上に形成された薄膜（例えばレジスト）６の厚さを算出すると共に当該薄膜の成分値を計測する厚さ／成分計測手段である厚さ／水分（成分）計測部５とから構成されている。
【００３５】
厚さ／成分計測部５による（レジスト）膜厚の算出は、スペクトル検出部で検出された近赤外分光スペクトルのフーリェ変換を行い、この得られたフーリェ変換スペクトルからレジスト膜厚を算出する。
【００３６】
又、厚さ／成分計測部５による成分値の計測は、回帰モデルを用いて成分値を推定する。この回帰モデルはフーリェ変換回帰である。ここで回帰モデルは、計測スペクトルと成分値との対応関係を数値化したものであり、近赤外分光スペクトルから成分値を推定するためのベクトル（回帰ベクトル）を、計測したベクトルに乗じることにより成分の推定値が算出できる。
【００３７】
このような構成からなる厚さ／成分計測装置においては、例えば半導体ウエハ上に形成された薄膜（レジスト）に光を照射し、その反射光を回折格子を用いて分光し、分光した光のうち近赤外分光スペクトルを検出するアレイ検出器からなるスペクトル検出部４で近赤外分光スペクトルを得て、同時に厚さと成分値を得ることができるため、半導体ウエハを製造中において、製造されているすべての半導体ウエハに対して、その上に形成されたレジストの状態を計測することが可能になる。
【００３８】
次に、本発明の実施形態の詳細について、図２を参照して説明する。
【００３９】
厚さ／成分（水分）計測装置１０は、図２に示すように、計測用の光を発光する光源ランプ１１及びこの光源ランプ１１から出射される光を集光するレンズＬ１からなる結像系１２と、この結像系１２からの光及び反射体（図ではSiウエハ）１４からの反射光を導光して出光する２分枝バンドルファイバ１３と、この２分枝バンドルファイバ１３を介して導光された反射光をスペクトル分光する分光器系１５と、近赤外分光スペクトルを用いてレジスト２５の膜厚計測及び成分計測を行う計測手段である厚さ／水分計測部３０とからなる。
【００４０】
２分枝バンドルファイバ１４は、結像系１２からの光線を入光するレンズ１６と、このレンズを介して入光された光線を反射体１４方向に導光する第１の光ファイバ１７と、反射体１４に照射された光線の反射光を分光器系１５に入光するレンズ１８を備えた第２の光ファイバ１９と、この第１及び第２の光ファイバ１７、１９に接続され反射体１４上に焦点させるレンズ２１を備えた入出光先端部２０とからなる。
【００４１】
分光器系１５は、２分枝バンドルファイバ１３を介して送られてくる反射光を通すスリット２２と、スリット２２を通過した光を平行光線にするレンズＬ２と、平行光線とされた反射光を分光する回折格子２３と、回折格子２３により分光された光をアレイ検出器２４上に集光する結像レンズＬ３と、ＰＤＡであるＩｎＧａＡｓアレイ検出器２４とから構成される。
【００４２】
光源ランプ１１としては、例えば、光（白色）を出射するタングステンハロゲンランプが使用される。図２に示した一例では、光源ランプは２．６ｍｍ×０．９ｍｍの大きさである。また、光源ランプ１１からの光を集光するレンズＬ１として、例えば焦点距離が２５ｍｍであるものが使用される。また、レンズＬ２としては、例えば直径２５ｍｍのものが使用される。
【００４３】
また、図２に示した実施形態において、光源ランプ１１からレンズＬ１までの距離、スリット２２からレンズＬ２までの距離は、それぞれ４０ｍｍ、５０ｍｍと設定されており、また、回折格子２３の格子数は略３００本／ｍｍと設定されているが、これらの設定値は一例であり、本発明の範囲をこれに限定するものではないことは言うまでもない。
【００４４】
上記構成において、光源ランプ１１からの光は、光源に対して１：１で対応して設けられる結像系１２であるレンズＬ１によって集光され、そのフィラメント像が２極バンドルファイバ１３上のレンズ１６を介して入光される。２極バンドルファイバ１３へ入射された光は入出光先端部２０のレンズ２１を介して反射体である半導体基板（Ｓｉウエハー）１４へ照射される。Ｓｉウエハー１４に照射された光線は、Ｓｉウエハー基板１４の基板２６上のレジスト２５部分を透過し、基板２６で反射され、その反射光は再びレンズ２１を介して第２の光ファイバ１９により導光され、レンズ１８を介して分光器系１５のスリット２２に送られる。
【００４５】
分光器系１５において、反射光はスリット２２を通過して、回折格子２３で分光される。そして、分光された光は、結像レンズＬ３によってアレイ検出器２４上に集光され、近赤外分光スペクトルを形成する。
【００４６】
厚さ／成分計測部３０は、分光器系１５で作成された近赤外分光スペクトルを用いて、膜厚の１４の厚さ及び成分を計測する。即ち、アレイ検出器２４により検出される近赤外分光スペクトルを用いてフーリェ変換することにより、レジスト（薄膜）２５の膜厚が算出される。また、アレイ検出器２４上に形成された近赤外分光スペクトルのピッチを計測することにより、レジスト２５の膜厚を算出することができる。
【００４７】
一方、厚さ／成分計測部３０による成分計測において、アレイ検出器２４により検出された近赤外分光スペクトルには干渉信号が含まれているので、例えば、近赤外分光スペクトルのフーリェ変換、所定のアルゴリズムによる干渉成分の除去、及び逆フーリェ変換を行うことにより、成分（水分）が計測される。
【００４８】
次に、本発明の厚さ／成分計測装置にカセットローダーを付加して反射体（Ｓｉウエハ）を搬送する第２の実施形態について、図３を参照して説明する。
【００４９】
図３に示すように、厚さ／成分計測装置１０は、光源１１と、光源１１から出射された光を反射体（Ｓｉウエハ）１４の薄膜（レジスト）に照射し、このレジストから反射された光をスリット２２に導く２分枝バンドルファイバ１３と、スリット２２を通過した光を分光する回折格子２３と、回折格子２３により分光された近赤外分光スペクトルを検出する検出手段であるＩｎＧａＡｓアレイ検出器２４と、アレイ検出器２４により検出された近赤外分光スペクトルを用いて薄膜の膜厚計測及び成分（水分）計測を行う計測手段である厚さ／成分計測部３０とからなる。
【００５０】
厚さ／成分計測部３０は、近赤外分光スペクトルをフーリエ変換して薄膜（レジスト）の膜厚を計測し、近赤外分光スペクトルをフーリェ変換した後に当該近赤外分光スペクトルに含まれている干渉成分を除去し、更に逆フーリェ変換を行うことによりレジストの成分計測を行う。又、レジストの膜厚は、アレイ検出器２４を構成するＩｎＧａＡｓのピッチに基づいてレジストの膜厚を計測するようにしてもよい。
【００５１】
このように、厚さ／成分計測装置１０は所定の位置に固定され、２極バンドル光フイバ１３の下方位置に反射体（Ｓｉウエハ）１４が、連続的に、１枚づつ搬送される。従って、1枚毎の厚み／成分をインラインで高速に計測し、管理することが可能となる。
【００５２】
次に、本発明の厚さ／成分計測装置に回転ロール６０ａを付加して反射体（Ｓｉウエハ）を搬送する第３の実施形態について、図４を参照して説明する。
【００５３】
図４に示すように、この実施例においても厚さ／成分計測装置１０は、光を発生する光源１１と、光源１１から出射された光を反射体（Ｓｉウエハ）１４に形成された薄膜（レジスト）に照射し、このレジストから反射した光をスリット２２に導く２分枝バンドル光ファイバ１３と、スリット２２を通過した光を分光する回折格子２３と、回折格子２３により分光された近赤外分光スペクトルを検出する検出手段であるＩｎＧａＡｓアレイ検出器２４と、アレイ検出器２４により検出された近赤外分光スペクトルを用いて薄膜の膜厚計測及び成分計測を行う計測手段である厚さ／成分計測部３０とからなる。
【００５４】
厚さ／成分計測部３０は、近赤外分光スペクトルをフーリエ変換してレジストの膜厚を計測し、近赤外分光スペクトルをフーリェ変換した後に当該近赤外分光スペクトルに含まれている干渉成分を除去し、更に逆フーリェ変換を行うことによりレジストの成分計測を行う。又、レジストの膜厚は、ＩｎＧａＡｓアレイ検出器２４のピッチに基づいて計測するようにしてもよい。
【００５５】
このように、計測装置１０は所定の位置に固定され、２極バンドル光フイバ１３の下方位置に反射体（Ｓｉウエハ）１４が、連続的に、１枚づつ搬送される。従って、1枚毎の厚み・成分をインラインで高速に計測し、管理することが可能となる。
【００５６】
次に、本発明の厚さ／成分計測装置にＸ−Ｙステージ７２を付加して大口径反射体（Ｓｉウエハ）７０を搬送する第４の実施形態について、図５を参照して説明する。
【００５７】
図５に示すように、この実施例においても厚さ／成分計測装置１０は、光源１１と、光源１１から発生された光を反射体（Ｓｉウエハ）１４に形成された薄膜（レジスト）に照射し、このレジストから反射された光をスリット２２に導く２分枝バンドル光ファイバ１３と、スリット２２を通過した光を分光する回折格子２３と、回折格子２３により分光されたスペクトルを検出する検出手段であるＩｎＧａＡｓアレイ検出器２４と、アレイ検出器２４により検出された近赤外分光スペクトルを用いてレジストの膜厚計測及び成分（水分）計測を行う計測手段である厚さ／成分計測部３０とからなる。
【００５８】
厚さ／成分計測部３０は、近赤外分光スペクトルをフーリエ変換してレジストの膜厚を計測し、近赤外分光スペクトルをフーリェ変換した後に当該近赤外分光スペクトルに含まれている干渉成分を除去し、更に逆フーリェ変換を行うことによりレジストの成分計測を行う。又、レジストの膜厚は、ＩｎＧａＡｓアレイ検出器２４のピッチに基づいて計測するようにしてもよい。
【００５９】
このように、厚さ／成分計測装置１０は所定の位置に固定され、２極バンドル光ファイバ１３の下方位置に反射体１４が、連続的に、１枚づつ搬送される。従って、1枚毎の厚み／成分をインラインで高速に計測し、管理することが可能となる。
【００６０】
このように、厚さ／成分計測装置１０は、反射体（Ｓｉウエハ）７０をＸ方向及びＹ方向に移動させることが可能なＸ−Ｙステージ７２に組み込まれ、Ｘ−Ｙステージ７２を高速にＸＹ方向に移動させることにより、大口径反射体（Ｓｉウエハ）７０の任意の位置の厚み・成分同時計測が行われる。従って、大面積反射体（Ｓｉウエハ）７０上の厚み／成分計測を、高速に行うことが出来るのである。
【００６１】
図６に、実際に反射体（半導体ウエハ）上に形成された薄膜（レジスト）の管理に要求されるノイズの低減とアレイ検出器２４（図２参照）の吸光度との関係を示す。同図において、縦軸は計測されるＳＮの大きさ（ｄＢ）を示し、横軸は薄膜（レジスト）の吸光度（ａｂｓ）を示している。実際の半導体ウエハの取扱いにおいて、例えば、１枚あたりのスキャン時間を２０ミリ秒から２秒へ長くすると、光学系のノイズは約２０ｄＢ増加する。一方、半導体ウエハの取扱いにおいて求められる薄膜（レジスト）の湿度管理の要求精度を２％とすると、ノイズは約２０ｄＢ減少する。従って、スキャン時間を２秒とした場合でも、湿度の要求精度を２％とすれば、反射体の管理が可能となると考えられる。従って、スキャン時間を延ばすことにより、薄膜（レジスト）へ与えるダメージを少なくすることができる。
【００６２】
このように、本実施形態によれば、反射体上に形成された薄膜の膜厚計測だけでなく、成分（水分）の計測を同時に、反射体にダメージを与えることなく行うことができる。また、膜厚及び成分の同時計測を、１枚毎に、インラインで比較的高速に行うことが可能となる。更に、例えば３００ｍｍの大口径反射体上の任意の位置におけるレジストの膜厚及び成分の同時計測を高速に行うことができる。
【００６３】
尚、上記実施形態では、反射体上のレジストの膜厚及び成分（水分）計測を行う計測装置について説明したが、大きな反射率を得られるように光学系を構成することにより、半導体ウエハ上のレジストのみならず、様々な厚み・成分同時計測が可能となる。また、上述した実施形態では、厚み及び水分の同時計測を行うように構成したが、水分計測以外にも、０．９〜２．５μｍに吸収帯を有する成分を同時に計測することが可能であり、厚みとともに複数の成分の同時計測が可能である。
【００６４】
又、分光器としてＬＶＦを採用した場合、計測装置の小型化が可能となるが、ＬＶＦの特性は多層薄膜作成技術に依存するため、分光効率の低下が生じ、多くの素子数を有する検出器を採用した場合に必ずしも検出範囲を大きく増加させることはできなかった。本実施形態では回折格子２３を採用していることから、ＬＶＦと比較して全体的な装置の小型化の点についてはデメリットとなる。しかしながら、計測の対象物の最大レンジは検出器素子数に直接影響されること、即ち、分光効率の無駄がないため、上述したように装置を構成すれば、近赤外領域では、素子数が非常に多いアレイ検出器（例えばＩｎＧａＡｓアレイ検出器等：最大約６４０万素子程度）を採用することにより、計測可能な膜厚スパンの最大レンジを上げることが可能となる。
【００６５】
また、図では省略するが、例えば図２に示す入出光先端部２０と反射体（半導体ウエハ）１４の間に近赤外光のみを通過させるフィルターを設ければ薄膜（レジスト）が白色光にさらされることによるダメージを減少させることができる。
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、反射体上に形成されたの膜厚計測だけでなく、成分の計測を同時に、反射体にダメージを与えることなく計測することができるという効果がある。
【００６７】
又、膜厚及び成分の同時計測を、１枚毎に、インラインで高速に行うことが可能となる。更に、大口径反射体上の任意の位置における薄膜の膜厚及び成分の同時計測を高速に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の厚さ／成分計測装置の概略構成を示す説明図である。
【図２】図1に示す厚さ／成分計測装置の実施形態の詳細を示す説明図である。
【図３】本発明の厚さ／成分計測装置の第２の実施形態に係り、反射体搬送装置を付加した説明図である。
【図４】本発明の厚さ／成分計測装置の第３の実施形態に係り、反射体搬送装置を付加した具体例を示す説明図である。
【図５】本発明の厚さ／成分計測装置の第４の実施形態に係り、反射体搬送装置を付加した具体例を示す説明図である。
【図６】実際に、反射体上に形成された膜厚計測に要求されるノイズの低減とアレイ検出器２２の吸光度との関係を示す説明図である。
【図７】従来のレジスト膜厚計測装置の構成およびその原理を概略的に示す説明図である。
【符号の説明】
１光照射部
２被計測部
３分光部
４近赤外スペクトル検出部
５厚さ／成分計測部
６レジスト
１０厚さ／成分計測装置
１１光源ランプ
１２結像系
１３２分枝バンドルファイバ
１４薄膜基板
１５分光器系
１６レンズ
１７第１の光ファイバ
１８レンズ
１９第２の光ファイバ
２０入出光先端部
２１レンズ
２２スリット
２３回折格子
２４近赤外アレイ検出器
２５レジスト
２６基板
３０厚さ／成分計測部
Ｌ１〜Ｌ３レンズ

Claims

白色光を反射体上に形成された薄膜に照射し、
前記反射体と薄膜からの反射光を分光し、
該分光した光のうちの近赤外分光スペクトルを検出し、
該近赤外分光スペクトルをフーリエ変換して薄膜の膜厚を計測すると共に、
前記近赤外スペクトルから干渉成分を除去したスペクトルを作成し、
作成されたスペクトルに対して逆フーリエ変換を行い回帰モデルを用いて薄膜の成分値を計測することを特徴とする厚さ／成分計測方法。
白色光を反射体上に形成された薄膜に照射する近赤外光照射手段と、
前記反射体と薄膜からの反射光を分光する分光手段と、
フォトダイオードアレイよりなり前記分光された近赤外分光スペクトルを検出するスペクトル検出手段と、
このスペクトル検出手段により検出された近赤外分光スペクトルをフーリエ変換して薄膜の膜厚を計測すると共に、前記近赤外スペクトルから干渉成分を除去したスペクトルを作成し、作成されたスペクトルに対して逆フーリエ変換を行い回帰モデルを用いて薄膜の成分値を計測する厚さ／成分計測手段と
を備えることを特徴とする厚さ／成分計測装置。
前記スペクトル検出手段は、ＩｎＧａＡｓアレイ検出器で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の厚さ／成分計測装置。
前記反射体を計測位置に搬送する搬送手段を有することを特徴とする請求項２に記載の厚さ／成分計測装置。
前記搬送手段は、ＸＹステージであることを特徴とする請求項４に記載の厚さ／成分計測装置。