JP3790966B2 - 半導体素子表面の検査方法および検査装置 - Google Patents
半導体素子表面の検査方法および検査装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子表面の検査方法および検査装置に係り、特に、化学機械研磨法により処理された半導体表面の標高を効率よく検査する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の平坦化プロセスとして、化学機械研磨法(Chemical Mechanical Polishing法,CMP法)が一般化している。CMPプロセスでは、半導体デバイス上に形成された酸化膜や金属膜の表面上の凹凸を研磨して平坦化するプロセスである。
【0003】
CMPプロセスによって処理前には最大で数100nmであった段差が処理後には数10nm程度まで減少する。CMP処理による平坦化の効果を調べるため様々な表面測定やシミュレーション手法が適用されている。
【0004】
(1)特開2000−306871号公報,特開平11−186205号公報などは、シミュレーションによってCMP研磨後の標高を予測する方法を示している。
【0005】
(2)特開2001−21317号公報は、光学的測定によってCMP研磨標高を検査する手段を示している。
【0006】
(3)特開2000−332073号公報は、半導体基板の検査方法および検査装置を示している。
【0007】
(4)特開平05−251524号公報は、マスクデータを使って接触式測定装置の計測位置を決める方法を示している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
CMP研磨後の凹凸をシミュレーションにより予測する方法は、上記公知例(1)の他にも多数の文献に記載されており、特に、酸化膜CMPの研磨に関しては、研究が進んでいる。しかし、シミュレーションだけで半導体素子表面の標高を予測した場合、プロセスの微妙な変化に対応してシミュレーションのパラメータが変動するので、標高が常に数nm〜十数nm以内の精度で得られるとは限らない。
【0009】
上記公知例(2)は、CMP研磨後の凹凸を測定により評価する。CMP研磨後の凹凸の評価には、μmオーダの位置分解能とnmオーダの高さ分解能とが必要であり、半導体素子すなわち半導体チップ全体またはウエハ全体を評価するには、数10分〜数時間以上の時間を要する。したがって、研磨対象となるウエハ全ての検査は、スループットを著しく悪化させるため、実行が困難である。
【0010】
上記公知例(3)の半導体基板の検査方法も、長い計測時間を要するので、全数のウエハの詳細な検査は、困難である。
【0011】
上記公知例(4)にも、同様の問題がある。
【0012】
本発明の目的は、研磨した半導体素子表面の標高分布をチップ表面内数点における測定データに基づき効率よく計測する手段を備えた半導体素子表面の検査方法および検査装置を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子の露光マスクデータを任意の領域に分割し、露光マスクデータの任意の領域jにおいて領域jの面積Sjと領域j中のパターンが存在する部分の面積Pjとの比ρj=Pj/Sjを算出し、前記比ρj,研磨前の半導体素子表面の段差の大きさh,化学機械研磨装置の研磨速度K,研磨パッドのヤング率G,応力関数の半値幅Rc,研磨パッドの厚さdを入力パラメータとするシミュレーションにより化学機械研磨後の標高Hjを求め、少なくとも2つの分割領域において標高Hejを測定し、前記化学機械研磨後の標高Hjと前記測定した標高Hejとを比較し、前記化学機械研磨後の標高Hjと前記測定した標高Hejとが少なくとも一部の領域で一致するまで研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rcの値を変更し、前記変更により求めた新たな研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rc,厚さdの値を用いて研磨後の標高をシミュレートし前記測定した標高Hejが存在しない領域の標高を決定する半導体素子表面の検査方法を提案する。
【0014】
この発明によれば、半導体チップまたは半導体ウエハのごく一部の領域を測定することにより、半導体チップまたは半導体ウエハの全領域の標高分布を知ることが可能となり、測定時間を大幅に短縮できる。
【0015】
研磨対象が酸化ケイ素膜または水素,炭素,リン,フッ素の少なくとも一種を含む酸化ケイ素膜である場合、応力関数の半値幅Rcの値として0.5mm〜2.0mmの値を用い、K×Gの値を研磨パッドが半導体素子表面に接触する圧力Pと研磨パッドの厚さdで割った値K×G/(P×d)が0.016〜0.05までの値を用いることができる。
【0016】
この発明によれば、検査精度(位置,高さ精度)を維持しつつ、測定から標高分布を決定するまでの時間を短縮できる。
【0017】
誤差評価関数Σj(Hj−Hej)2を最小にする前記研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rcの値を最小二乗法により求め、厚さdの値と最小二乗法により求めた研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rcの値とを用いて半導体チップまたはウエハ上の任意の点における化学機械研磨後の標高を求めることも可能である。
【0018】
この発明によれば、研磨後の標高分布をより短い時間で予測できる。
【0019】
測定を実行する前に化学機械研磨後の標高が最も低い点および最も高い点を計算し、前記標高が最も低い点および高い点を前記標高Hejの測定対象領域として選択することができる。
【0020】
この発明によれば、チップまたはウエハ上の標高分布のレンジを精度良く知ることが可能となる。
【0021】
前記露光マスクデータが研磨対象層より下層に存在する少なくとも一層の露光マスクデータを含むことも可能である。
【0022】
この発明によれば、下層の凹凸の影響を考慮した標高分布の予測が可能となり、多層膜であっても高い標高予測精度を保証できる。
【0023】
分割領域は、より具体的には、0.5μm〜250μm角の正方形とする。
【0024】
この発明によれば、不必要に多くの計算を実行せずに、標高分布を得ることが可能となる。
【0025】
研磨対象膜は、オゾン−TEOS(Tetraethylorthosilicate)膜,プラズマTEOS膜,高密度プラズマCVD膜,スピンコート絶縁膜,窒化シリコン膜,めっきCu膜,タングステン膜,タンタル膜,ルテニウム膜および窒化チタン膜またはこれらの組み合わせである。
【0026】
この発明によれば、様々な膜が単層形成されまたは積層形成された半導体素子表面の標高検査が可能となる。
【0027】
標高の測定方法は、触針法,光学的測定法,電気抵抗測定法,走査型電子顕微鏡のいずれかまたはこれらの組み合わせである。
【0028】
この発明によれば、半導体ウエハまたは半導体チップに応じて、最適な標高測定方法を選択できる。
【0029】
本発明は、また、半導体素子の露光マスクデータを任意の領域に分割し露光マスクデータの任意の領域jにおいて領域jの面積Sjと領域j中のパターンが存在する部分の面積Pjとの比ρj=Pj/Sjを算出する手段と、前記比ρj,研磨前の半導体素子表面の段差の大きさh,化学機械研磨装置の研磨速度K,研磨パッドのヤング率G,応力関数の半値幅Rc,研磨パッドの厚さdを入力パラメータとするシミュレーションにより化学機械研磨後の標高Hjを求める手段と、少なくとも2つの分割領域において標高Hejを測定する標高測定手段と、前記化学機械研磨後の標高Hjと前記測定した標高Hejとを比較する手段と、前記化学機械研磨後の標高Hjと前記測定した標高Hejとが少なくとも一部の領域で一致するまで研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rcの値を変更する手段と、前記変更により求めた新たな研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rc,厚さdの値を用いて研磨後の標高をシミュレートし前記測定した標高Hejが存在しない領域の標高を決定する手段とからなる半導体素子表面の検査装置を提案する。
【0030】
この発明によれば、半導体チップまたは半導体ウエハのごく一部の領域を標高測定手段によって測定すれば、半導体チップまたはウエハの全領域の標高分布を知ることが可能となり、測定時間を大幅に短縮できる。また、得られる測定結果は、標高精度,位置精度ともに、用いた表面測定装置に匹敵する。
【0031】
前記標高測定手段は、触針法,光学的測定法,電気抵抗測定法,走査型電子顕微鏡の少なくとも一つを含む標高測定手段である。
【0032】
この発明によれば、半導体ウエハまたは半導体チップに応じて、最適な標高測定手段を選択できる。
【0033】
【発明の実施の形態】
次に、図1〜図9を参照して、本発明による半導体素子表面の検査方法を説明する。
【0034】
【実施形態1】
本実施形態1において、シミュレーションに使用する基礎式は、土肥俊郎編著『半導体CMP技術』,P162〜またはB.Stine et.al. “A closed-form analytic model for ILD thickness variation in CMP process",Prc. CMP-MIC, Santa Clara(Feb. 1997)に記載された式またはこれを変形した式とする。
【0035】
酸化膜に関するシミュレーション手法は、現在までに多数の理論式が提出されている。本実施形態1では、少なくとも半導体素子のマスクデータ(GDSIIフォーマットのデータ)と、半導体素子表面の段差の大きさhと、化学機械研磨装置のパターン密度100%のウエハ研磨速度Kを入力情報とするシミュレーションを用いる。
【0036】
図1は、本発明によるCMP研磨後の半導体素子表面の検査方法の処理手順を示すフローチャートである。研磨対象は、アルミ配線上に形成されたオゾン−TEOS酸化膜とする。半導体素子は、10mm角のテストチップである。
【0037】
ステップ1で、アルミ配線のマスクデータを読み込む。マスクデータは、GDSIIフォーマットで作成されている。GDSIIフォーマットのマスクデータによれば、チップ上のどの位置座標にアルミ配線が存在するかを1〜10nmの位置精度で判断できる。
【0038】
ステップ2で、アルミ配線上の酸化膜deposition形状を予測する。研磨対象が、アルミ配線ではなく、オゾン−TEOS膜であるから、deposition形状の予測が必要となる。
【0039】
図2は、アルミ配線パターンおよびオゾン−TEOS酸化膜deposition後の凸形状パターンの平面図である。図2の白い部分が凸形状となっている部分であり、黒い部分が凹形状となっている部分である。
【0040】
オゾン−TEOS膜がアルミ配線上にdepositすると、凸形状の領域(図2中の白い部分)がアルミ配線そのものより拡大する。この拡大領域の求め方は、周知であり、例えば、特開平11−186205号公報等に詳細に示されている。
【0041】
ステップ3で、オゾン−TEOS酸化膜がdepositした後の凸領域がチップ内の各領域で占める面積の比率ρjを求める。
【0042】
図3は、半導体チップの領域分割方法の一例を示す平面図である。図3に示すように、10mm角のチップ31を100μm角の正方形の分割領域32に分割する。チップ31は、計10000個の分割領域に分割される。それぞれの小領域に1〜100000までの番号(j)を付けて、分割領域の重心座標を記憶しておく。また、各分割領域32において凸パターンが占める割合を計算し、ρjとして記憶しておく。
【0043】
ステップ4で、チップの測定点の座標r1,r2,r3…rnとその測定点における標高の値He(1),He(2),He(3)…He(n)を読み込む。
【0044】
ステップ5で、測定点の座標と測定点数nは、測定前の段階で決めておく。本実施形態1では、n=4とした。測定点の座標を決める場合、シミュレーションにおける分割領域の重心座標jと一致させておく。測定点の座標r1〜rnを決める。本実施形態1では、光学式膜厚計を用いて、前記測定点1〜nにおける表面標高He1〜Henを実測する。
【0045】
ステップ6で、パラメータの初期値を読み込む。パラメータの詳細については、後述する。
【0046】
ステップ7で、段差h0,酸化膜のdeposition膜厚H0を読み込む。
【0047】
ステップ8で、関数Fによってρjの値を平均化パターン密度ρ'jに変換する。
番号jの分割領域の重心座標をrjとすると、
ρ'j=Σr'{F(rj+r',Rc)(ρj(rj+r'))}/Σr'{F(Rc,rj+r')}
となる。F(r,Rc)は、ガウス型関数,2次関数,指数関数などである。ここでは、ガウス型関数を採用する。Rcは、応力関数Fの半値幅である。Rcが大きくなるほど、注目点から離れた部位のρjが、研磨速度に寄与する。酸化膜CMPの場合には、mmオーダの値を持つ。初期値は、1.5mmとする。r'は、Rcよりも十分大きな値である。ここでは、4mmとする。
【0048】
ステップ9で、ステップ8において求めたρ'jを用い、次の式
t<tcにおいて、
Hj=H0-[tcK/ρ'j+K(t-tc)+(1-ρ'j)h1(1-exp(-(t-tc)/τ)]
t≧tcにおいて、
Hj=H0−Kt/ρ'j …(1)
により研磨後の標高を求める。ここで、
tc=ρ'j2ho/K
h1=h0(1-ρ'j)
1/τ=βVG/d(=KG/Pd)
β:Preston定数
V:接触速度
K:パターン密度100%の時の研磨速度
G:研磨パッドのヤング率
P:研磨パッドにかかる圧力
d:研磨パッドの厚さ
H0:酸化膜のdeposition厚さ
h0:研磨前の段差
である。標高Hjは、アルミ配線上部の高さを原点とする。
【0049】
図4は、アルミ配線41とアルミ配線上41上にdepositしたオゾン−TEOS酸化膜42の構造を示す断面図である。図4に示したように、H0は、アルミ配線上部を基準とした酸化膜厚さであり、本実施形態1では、1000nmである。
【0050】
h0は、酸化膜上に存在する段差を表す。本実施形態1においては、hoの大きさは、ほぼアルミ配線の高さと同じ(500nm)とした。
【0051】
(1)式を用いて、測定点が存在する座標における標高Hjを算出し、記憶する。
【0052】
ステップ10で、次式により、シミュレートした標高H(j)と測定した標高He(j)との誤差Cvを計算する。
Cv=Σj= 1 n|H(j)−He(j)|/n
を計算する。
【0053】
誤差Cvが、規定値(本実施形態1では10nm)より大きければ、ステップ11で、パラメータ研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rc,厚さdの値を変更し、ステップ8からのシミュレーションを繰り返す。
【0054】
パラメータは、trial-and-error法により順次変更する。本実施形態1では、Kと1/τ(=KG/Pd)をパラメータとする。(1/τ)およびKに関しては、パラメータに関する微分式が得られるので、最小二乗法によって変更させてもよい。本実施形態1においては、試行回数5回で収束に至った。その結果、Rc=1.50[mm],1/τ=0.004[1/s]を得た。
【0055】
誤差Cvが、規定値(本実施形態1では10nm)以下になれば、収束したと判断して、ステップ12で、全分割領域(j=1〜10000)におけるHjを算出する。
【0056】
ステップ13で、各分割領域jの重心座標と研磨後の標高Hjとを出力する。
【0057】
図5は、全チップ領域を測定した結果と本実施形態1により標高を求めた結果とを比較して示す図である。図5では、標高を小さい方から昇順にならべてプロットしている。測定点4点について、測定した結果とシミュレーションの結果とが誤差10nm以内で一致するようにシミュレートすると、標高分布全体を誤差10nm〜15nm程度で評価できることが分かる。
【0058】
RISCワークステーションを用いて計算した場合、4点の測定に要した時間は、実質数10秒程度であり、パラメータの更新およびシミュレーションに要した時間は、50秒程度であった。
【0059】
同じ解像度すなわちチップ内を10000分割して測定した場合に要する時間は、数時間以上である。
【0060】
本実施形態1によれば、検査に必要な測定点を削減でき、表面標高の決定に必要な時間を1/100程度まで短縮できる。また、総合検査精度も用いた測定装置に匹敵する。
【0061】
【実施形態2】
本実施形態2においては、実施形態1で述べたように、変更するパラメータとして1/τを採用する場合、すなわちK×G/(P×d)をパラメータとして用いる。ここでは、水素,炭素,リン,フッ素のうちいずれかを含む酸化膜(酸化ケイ素膜)を研磨対象とする。
【0062】
このような酸化膜では、1/τ=0.016〜0.05[1/s]を初期値として用いると、試行回数を削減できる。また、Rc=0.5mm〜2.0mmを初期値として用いると、試行回数を10回以内に抑制できる。
【0063】
【実施形態3】
実施形態1において、測定の結果とシミュレーションの結果との誤差を評価する関数として、Cv=(1/n)Σj=1n(Hj−Hej)2を使用し、最小二乗法により、誤差Cvが最小になるようにパラメータRc,K,G,d(または1/τ)を決定しても、同様の効果が得られる。
【0064】
【実施形態4】
本発明におけるシミュレーションでは、分割領域の数を増やすと、計算量がそれに比例して増加する。通常、酸化膜のCMPでは、数10μm〜100μm程度の解像度があれば、十分に実用的である。
【0065】
実施形態1におけるシミュレーションでは、解像度を250μmとした場合でも標高誤差は、18nm以内であった。
【0066】
一方、窒化ケイ素膜の研磨工程が含まれる場合についても、最大で0.5μm程度の解像度があれば、十分であることが分かっている。
【0067】
そこで、本実施形態4においては、分割領域を0.5μm〜250μm角の正方形とすれば、必要以上の計算をせず、標高分布を正確かつ迅速に予測できる。
【0068】
【実施形態5】
図6は、測定前にシミュレーションによりチップ内またはウエハ内の最高標高位置および最低標高位置の座標を予め予測し、測定時にこの2点を含む複数の測定点を選択する検査方法の処理手順を示すフローチャートである。
【0069】
ステップ61において、シミュレーションにより、チップ内の最低標高の座標rminと最大標高の座標rmaxとを求める。
【0070】
ステップ62において、測定点の数を最少にしたい場合には、この2点だけを用いる。
【0071】
ステップ63において、この2点の座標における研磨後の標高を光学式膜厚計で測定する。
【0072】
この2点の測定結果を使って、実施形態1における処理手順と同様に、シミュレーションパラメータを決定し、チップ全領域(計10000点)の研磨後の標高を決定した。
【0073】
その結果、測定値との間に生じた誤差は、全領域で15nm以内であり、ほぼ4点の測定値を用いた実施形態1と比較して、遜色のない精度が得られた。
【0074】
本実施形態5は、チップ内の最大標高座標および最低標高座標の標高点をほぼ確実に再現できるので、チップ内標高のレンジを出す場合に適している。
【0075】
本実施形態5によれば、研磨後の標高分布のレンジを精度良くかつ短い時間で知ることができる。
【0076】
【実施形態6】
本実施形態6では、露光マスクデータとして研磨対象層よりも下層に存在する少なくとも一部の露光マスクデータを用いる。
【0077】
図7は、多層のオゾン−TEOS酸化膜を積層した試験用半導体チップの断面の概略構造を示す図である。
【0078】
図7の試験用半導体チップには、3層のアルミ配線パターン71〜73が存在し、これに対応して3層のオゾン−TEOS酸化膜74〜76が積層されている。
【0079】
本実施形態6で研磨対象とする膜は、オゾン−TEOS酸化膜76である。オゾン−TEOS酸化膜76は、下層のCMP処理を実施していないオゾン−TEOS酸化膜74,75の凹凸の影響を受けている。
【0080】
このような積層膜において、アルミ配線パターン73だけを考慮して、実施形態1に示した処理手順を実行しても、精度の良い結果が得られないと予想される。
【0081】
そこで、オゾン−TEOS酸化膜74,75に生じた段差分布を研磨前の段差h0に足し込めば、精度の高い研磨後の標高分布が得られないかを試みた。
【0082】
図8は、多層のオゾン−TEOS酸化膜を積層した試験用半導体チップの標高分布の一例を示す図である。
【0083】
下層の凹凸を考慮しない場合には、最大および最低標高の測定点付近以外では、数十nmの誤差が生じているのに対して、下層の凹凸を考慮した場合には、ほぼ10nm程度の誤差で測定結果を全領域(チップ内10000点)で再現できていることが判明した。
【0084】
本実施形態6によれば、多層膜を用いる半導体素子であっても、その表面について高い標高予測精度を保証できる。
【0085】
【実施形態7】
上記各実施形態において、研磨対象が、金属薄膜であっても、同様の効果が得られる。研磨対象の膜は、オゾン−TEOS(Tetraethylorthosilicate)膜,プラズマTEOS膜,高密度プラズマCVD膜,スピンコート絶縁膜,窒化シリコン膜,めっきCu膜,タングステン膜,タンタル膜,ルテニウム膜,窒化チタン膜またはこれら薄膜の組み合わせであってもよい。
【0086】
【実施形態8】
上記各実施形態においては、表面標高を測定する標高測定手段として、反射光の位相シフトを用いて膜厚を予測する光学式膜厚計を用いた。表面標高を測定する標高測定手段は、触針法,光学的測定法,電気抵抗測定法,走査型電子顕微鏡のいずれかまたはこれらの組み合わせであってもよい。
【0087】
【実施形態9】
図9は、本発明による半導体素子表面の検査装置の構成を示すブロック図である。
【0088】
本半導体素子表面の検査装置は、製品搬入系91と、製品搬出系92と、光学式膜厚計915と、測定制御装置914と、データ処理装置911と、データストレージ912と、ディスプレイ装置910と、外部サーバ913と、キーボード920と、それらをつなぐ信号線111〜115とにより構成されている。
【0089】
データストレージ912は、シミュレーションを実行するソフトウエアと、シミュレーション結果と測定結果とを比較するソフトウエアとを内蔵している。
【0090】
図1および図9により、半導体素子表面の検査装置の動作を説明する。
【0091】
外部サーバ913は、研磨対象製品に関するGDSIIフォーマットのマスクデータを必要に応じてデータ処理系911に送信する。
【0092】
データ処理系911は、それを一旦データストレージ912に蓄積した後、最初のシミュレーションを開始する。
【0093】
シミュレーションにおいて必要なパラメータ初期値,膜厚などのデータは、キーボード920から与えることも可能であるが、通常は、GDSIIフォーマットのマスクデータとともに送信しておくことが望ましい。
【0094】
最初のシミュレーションにより、製品の大まかな標高分布および標高最大の座標および最小の座標(rmax,rmin)を得ることができる。ここでは、rmaxの点とrminの点のみで測定を実行するので、これら二つの点の座標を測定制御装置914に送信する。
【0095】
測定制御装置914は、送信されてきたrmaxとrminの座標値を一旦記憶した後、順次rmaxとrminの座標における測定を実行するように、光学式膜厚計915に指示する。
【0096】
光学式膜厚計915には、計測対象とする研磨済み製品が製品搬入系91により搬入され、セットされている。
【0097】
光学式膜厚計915は、座標rmax,rminにおける標高測定値を測定制御装置914に送信する。
【0098】
測定が終了次第、製品は、製品搬出系92により搬出される。
【0099】
測定制御装置914は、測定結果をデータ処理系911に送る。
【0100】
データ処理系は、シミュレートした標高Hjと測定した標高Hejとを比較し、実施形態1に記述した操作により、パラメータRc,K,G,dまたは1/τを最適化する。
【0101】
最適化が終了したら、製品の全領域における研磨後の標高を算出し、データストレージ912に蓄える。
【0102】
必要な場合には、外部サーバ913に研磨後の標高を送出する。
【0103】
本実施形態9によれば、半導体製品のごく一部の領域を表面測定装置によって測定すると、製品の全領域の研磨後の標高分布を知ることが可能となる。
【0104】
したがって、検査精度を維持しつつ半導体素子表面の検査時間を大幅に短縮できる。
【0105】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体素子の露光マスクデータを任意の領域に分割し、露光マスクデータの任意の領域jにおいて領域jの面積Sjと領域j中のパターンが存在する部分の面積Pjとの比ρj=Pj/Sjを算出し、比ρj,研磨前の半導体素子表面の段差の大きさh,化学機械研磨装置の研磨速度K,研磨パッドのヤング率G,応力関数の半値幅Rc,研磨パッドの厚さdを入力パラメータとするシミュレーションにより化学機械研磨後の標高Hjを求め、少なくとも2つの分割領域において標高Hejを測定し、化学機械研磨後の標高Hjと測定した標高Hejとを比較し、化学機械研磨後の標高Hjと測定した標高Hejとが少なくとも一部の領域で一致するまで研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rcの値を変更し、変更により求めた新たな研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rc,厚さdの値を用いて研磨後の標高をシミュレートし測定した標高Hejが存在しない領域の標高を決定するので、半導体チップまたは半導体ウエハのごく一部の領域を測定することにより、半導体チップまたは半導体ウエハの全領域の標高分布を知ることが可能となり、測定時間を大幅に短縮できる。
【0106】
測定を実行する前に化学機械研磨後の標高が最も低い点および最も高い点を計算し、標高が最も低い点および高い点を標高Hejの測定対象領域として選択すると、チップまたはウエハ上の標高分布のレンジを精度良く知ることが可能となる。
【0107】
露光マスクデータが研磨対象層より下層に存在する少なくとも一層の露光マスクデータを含むようにすると、下層の凹凸の影響を考慮した標高分布の予測が可能となり、多層膜であっても高い標高予測精度を保証できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるCMP研磨後の半導体素子表面の検査方法の処理手順を示すフローチャートである。
【図2】アルミ配線パターンおよびオゾン−TEOS酸化膜deposition後の凸形状パターンの平面図である。
【図3】半導体チップの領域分割方法の一例を示す平面図である。
【図4】アルミ配線41とアルミ配線上41上にdepositしたオゾン−TEOS酸化膜42の構造を示す断面図である。
【図5】全チップ領域を測定した結果と本実施形態1により標高を求めた結果とを比較して示す図である。
【図6】測定前にシミュレーションによりチップ内またはウエハ内の最高標高位置および最低標高位置の座標を予め予測し、測定時にこの2点を含む複数の測定点を選択する検査方法の処理手順を示すフローチャートである。
【図7】多層のオゾン−TEOS酸化膜を積層した試験用半導体チップの断面の概略構造を示す図である。
【図8】多層のオゾン−TEOS酸化膜を積層した試験用半導体チップの標高分布の一例を示す図である。
【図9】本発明による半導体素子表面の検査装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
31 半導体チップ
32 分割領域、
71〜73 アルミ配線パターン
74〜76 オゾン−TEOS酸化膜
91 製品搬入系
92 製品搬出系
910 ディスプレイ装置
911 データ処理装置
912 データストレージ
913 外部サーバ
914 測定制御装置
915 光学式膜厚計
920 キーボード
111〜115 信号線
Claims (10)
- 半導体素子の露光マスクデータを任意の領域に分割し、
露光マスクデータの任意の領域jにおいて領域jの面積Sjと領域j中のパターンが存在する部分の面積Pjとの比ρj=Pj/Sjを算出し、
前記比ρj,研磨前の半導体素子表面の段差の大きさh,化学機械研磨装置の研磨速度K,研磨パッドのヤング率G,応力関数の半値幅Rc,研磨パッドの厚さdを入力パラメータとするシミュレーションにより化学機械研磨後の標高Hjを求め、
少なくとも2つの分割領域において標高Hejを測定し、
前記化学機械研磨後の標高Hjと前記測定した標高Hejとを比較し、
前記化学機械研磨後の標高Hjと前記測定した標高Hejとが少なくとも一部の領域で一致するまで研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rcの値を変更し、
前記変更により求めた新たな研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rc,厚さdの値を用いて研磨後の標高をシミュレートし前記測定した標高Hejが存在しない領域の標高を決定する
ことを特徴とする半導体素子表面の検査方法。 - 請求項1に記載の半導体素子表面の検査方法において、
研磨対象が酸化ケイ素膜または水素,炭素,リン,フッ素の少なくとも一種を含む酸化ケイ素膜である場合、応力関数の半値幅Rcの値として0.5mm〜2.0mmの値を用い、
K×Gの値を研磨パッドが半導体素子表面に接触する圧力Pと研磨パッドの厚さdで割った値K×G/(P×d)が0.016〜0.05までの値を用いる
ことを特徴とする半導体素子表面の検査方法。 - 請求項1または2に記載の半導体素子表面の検査方法において、
誤差評価関数Σj(Hj−Hej)2を最小にする前記研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rcの値を最小二乗法により求め、
厚さdの値と最小二乗法により求めた研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rcの値とを用いて半導体チップまたはウエハ上の任意の点における化学機械研磨後の標高を求める
ことを特徴とする半導体素子表面の検査方法。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の半導体素子表面の検査方法において、
測定を実行する前に化学機械研磨後の標高が最も低い点および最も高い点を計算し、
前記標高が最も低い点および高い点を前記標高Hejの測定対象領域として選択する
ことを特徴とする半導体素子表面の検査方法。 - 請求項1ないし4のいずれか一項に記載の半導体素子表面の検査方法において、
前記露光マスクデータが研磨対象層より下層に存在する少なくとも一層の露光マスクデータを含む
ことを特徴とする半導体素子表面の検査方法。 - 請求項1ないし5のいずれか一項に記載の半導体素子表面の検査方法において、
分割領域が0.5μm〜250μm角の正方形である
ことを特徴とする半導体素子表面の検査方法。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の半導体素子表面の検査方法において、
研磨対象膜が、オゾン−TEOS(Tetraethylorthosilicate)膜,プラズマTEOS膜,高密度プラズマCVD膜,スピンコート絶縁膜,窒化シリコン膜,めっきCu膜,タングステン膜,タンタル膜,ルテニウム膜および窒化チタン膜またはこれらの組み合わせである
ことを特徴とする半導体素子表面の検査方法。 - 請求項1ないし7のいずれか一項に記載の半導体素子表面の検査方法において、
標高の測定方法が、触針法,光学的測定法,電気抵抗測定法,走査型電子顕微鏡のいずれかまたはこれらの組み合わせである
ことを特徴とする半導体素子表面の検査方法。 - 半導体素子の露光マスクデータを任意の領域に分割し露光マスクデータの任意の領域jにおいて領域jの面積Sjと領域j中のパターンが存在する部分の面積Pjとの比ρj=Pj/Sjを算出する手段と、
前記比ρj,研磨前の半導体素子表面の段差の大きさh,化学機械研磨装置の研磨速度K,研磨パッドのヤング率G,応力関数の半値幅Rc,研磨パッドの厚さdを入力パラメータとするシミュレーションにより化学機械研磨後の標高Hjを求める手段と、
少なくとも2つの分割領域において標高Hejを測定する標高測定手段と、
前記化学機械研磨後の標高Hjと前記測定した標高Hejとを比較する手段と、
前記化学機械研磨後の標高Hjと前記測定した標高Hejとが少なくとも一部の領域で一致するまで研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rcの値を変更する手段と、前記変更により求めた新たな研磨速度K,ヤング率G,半値幅Rc,厚さdの値を用いて研磨後の標高をシミュレートし前記測定した標高Hejが存在しない領域の標高を決定する手段とからなる半導体素子表面の検査装置。 - 請求項9に記載の半導体素子表面の検査装置において、
前記標高測定手段が、触針法,光学的測定法,電気抵抗測定法,走査型電子顕微鏡の少なくとも一つを含む標高測定手段である
ことを特徴とする半導体素子表面の検査装置。
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