JP3764848B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置、特に抵抗体有する半導体装置や、抵抗体を使用したブリーダー抵抗回路及び該ブリーダー抵抗回路を有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ポリシリコン等の半導体薄膜で形成された抵抗体や、それらを使用したブリーダー抵抗回路は数多く使用されているが、N型あるいはP型のどちらか一方の導電型の半導体薄膜で形成されたものが知られていた。また、レーザートリミングによりポリシリコンヒューズを切断して、ブリーダー抵抗回路の接続を変化させることで、所望の電圧の分圧比を得る方法が知られていた。そして、これらを利用してボルテージディテクタや、ボルテージレギュレータなどのICが作られていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の薄膜抵抗体は、樹脂パッケージ化した場合等、薄膜抵抗体に応力がかかった場合には抵抗値が変化してしまい、ブリーダー抵抗回路では、樹脂パッケージ後に、しばしば分圧比が変動してしまうという問題点があった。また、従来のレーザートリミング法では、ブリーダー抵抗回路の他に、レーザービームによるトリミングのためのヒューズを設ける必要があった。
【0004】
本発明は、上記課題を解消して、パッケージ後も初期の抵抗値を保持し、ブリーダー抵抗回路においては正確な分圧比を保持できる、高精度のブリーダー抵抗回路を得ること、また、従来必要だったヒューズを設置することなく、小型で高精度な半導体装置、例えばボルテージディテクタ、ボルテージレギュレータ等の半導体装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置が上記目的を達成するために採用した第1の手段は、抵抗体およびそれらを使用したブリーダー抵抗回路の抵抗体は、P型の半導体で形成されたP型抵抗体と、N型の半導体で形成されたN型抵抗体とから構成するようにした。さらにブリーダー抵抗回路において、1単位となる抵抗値はP型抵抗体と、N型抵抗体とを組み合せて作られた抵抗値によって規定するようにしたことにより、以下に述べるP型抵抗体と、N型抵抗体とのピエゾ効果による抵抗値の変化を互いに相殺するようにしたことを特徴とする。
【0006】
以下にピエゾ効果による抵抗値の変化とブリーダー抵抗回路に及ぼす影響を述べる。
【0007】
抵抗体に応力を加えた場合には、いわゆるピエゾ効果によって、抵抗体の抵抗値が変化してしまうが、P型抵抗体と、N型抵抗体とでは抵抗値の変化の方向が逆になる。これは本発明者の実験によっても確かめられている。例えばP型抵抗体の抵抗値は減少し、 N型抵抗体の抵抗値は増加する(変化の向きは応力の方向によって変わる)。
【0008】
ICを樹脂パッケージ化すると応力が生じるので上述のようにピエゾ効果によって、抵抗体の抵抗値は変化する。ブリーダ抵抗回路は正確な分圧比を得るためのものであるが、個々の抵抗体の抵抗値が変化してしまうので分圧比も変動してしまう。
【0009】
本発明による抵抗体は、P型の半導体で形成されたP型抵抗体と、N型の半導体で形成されたN型抵抗体とから構成しているので応力がかかった場合でも抵抗値の変化を防止できる。またブリーダー抵抗回路においては、1単位となる抵抗値は、P型抵抗体と、N型抵抗体とを組み合せて作られた抵抗値によって規定するようにしたので、応力がかかったばあいでも、個々の抵抗体の抵抗値変化を相殺し、正確な分圧比を保つことができる。
【0010】
本発明の半導体装置が上記目的を達成するために採用した第2の手段は、P型抵抗体は低電位側に、前記N型抵抗体は高電位側に配置し、そのままではP−N接合の整流性により電流が流れない状態としておき、必要な抵抗体のみにレーザービーム等をP−N接合部に照射することにより、整流性を破壊して導通を可能にするようにする。これにより、従来必要であったヒューズを不要としたことを特徴とする。
【0011】
本発明の半導体装置の抵抗体は、P型の半導体で形成されたP型抵抗体と、N型の半導体で形成されたN型抵抗体とから構成されているので、樹脂パッケージ化などで応力がかかった場合でも、個々の抵抗体の抵抗値変化を相殺し、初期の抵抗値を保持する事ができる。また、ブリーダー抵抗回路において、1単位となる抵抗値は、P型抵抗体と、N型抵抗体とを組み合せて作られた抵抗値によって規定するようにしたので、正確な分圧比を保つことができる。また、P型抵抗体は低電位側に、N型抵抗体は高電位側に配置し、レーザービーム等をP−N接合部に照射することにより、整流性を破壊して導通を可能にするようにしたので、従来必要であったヒューズを不要とすることができる。
【0012】
このようなブリーダー抵抗回路を用ることにより、小型で高精度な半導体装置、例えばボルテージディテクタ、ボルテージレギュレータ等の半導体装置を得ることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施例を説明する。
【0014】
図1は本発明の半導体装置のポリシリコン薄膜抵抗体の1実施例を示す模式的断面図である。
【0015】
半導体基板101上には第1の絶縁膜102が形成され、第1の絶縁膜102上には、濃いP型の不純物を含むP型の低抵抗領域701に挟まれたP型の高抵抗領域702を有するP型ポリシリコン抵抗体703及び、濃いN型の不純物を含むN型の低抵抗領域704に挟まれたN型の高抵抗領域705を有するN型ポリシリコン抵抗体706が、P型の低抵抗領域701の1つとN型の低抵抗領域704の1つとが接するように一体化して抵抗体707が形成される。また、N型ポリシリコン抵抗体706と接していない側の P型の低抵抗領域701には、アルミニウムからなる配線810が、また、P型ポリシリコン抵抗体703と接していない側の N型の低抵抗領域704には、アルミニウムからなる配線811が接続される。ここで配線810は例えばVSS側へ、配線811はVDD側へと接続され、配線810の方が、配線811よりも低い電位に接続されるようにする。さらに、抵抗体707の上には、窒化シリコン膜等からなる保護膜813が、レーザービームを照射して、P―N接合を破壊し、整流性を無くすための、P型の低抵抗領域701の1つとN型の低抵抗領域704の1つとが接するエリア814上を除いて形成される。
【0016】
ここで、P型ポリシリコン抵抗体703とN型ポリシリコン抵抗体706との組み合わせで得られた抵抗体707の抵抗値は、 樹脂パッケージ化などで応力がかかった場合でも、 P型ポリシリコン抵抗体703の抵抗値変化とN型ポリシリコン抵抗体706の抵抗値変化を互いに相殺できるので初期の抵抗値を保持する事ができる。
【0017】
図1では、1つのP型ポリシリコン抵抗体703と1つのN型ポリシリコン抵抗体706とを組み合わせた
例のみを示したが、ブリーダー抵抗回路は、複数のP型ポリシリコン抵抗体703とN型ポリシリコン抵抗体706を組み合わせて得られた抵抗体707によって構成されている。
【0018】
また、図1に示したP型ポリシリコン抵抗体703とN型ポリシリコン抵抗体706との組み合わせで得られた抵抗体707をブリーダ回路の1単位として規定し、抵抗体707を複数個形成してブリーダ回路全体を構成するようにすると、樹脂パッケージ化などで応力がかかった場合でも、正確な分圧比を保つことができる。このようなブリーダー抵抗回路を用ることにより、高精度な半導体装置、例えばボルテージディテクタ、ボルテージレギュレータ等の半導体装置を得ることができる。
【0019】
さらに、図1では、ポリシリコン薄膜抵抗体を用いた例を示したが、本発明はこれに限定するものではなく、単結晶薄膜抵抗体や、シリコン基板中に形成した拡散抵抗体等、P型とN型の抵抗体を一体化して形成できれば適用可能である。
【0020】
また、図1に示した実施例によれば、ブリーダー抵抗回路の所望の分圧比を得るために、抵抗体707に対してレーザートリミングを行なえば良いことになるので、従来必要であったレーザービームによる切断を行なうためのヒューズは不要になる。なお、図1の実施例では、抵抗体707の上には、窒化シリコン膜等からなる保護膜813が、レーザービームを照射して、P―N接合を破壊し、整流性を無くすための、P型の低抵抗領域701の1つとN型の低抵抗領域704の1つとが接するエリア814上を除いて形成されるようにしたが、保護膜813が存在しても、レーザービームによるP−N接合の破壊が可能である場合は、P型の低抵抗領域701の1つとN型の低抵抗領域704の1つとが接するエリア814上にも保護膜813を形成して構わない。
【0021】
図2は本発明によるブリーダ抵抗回路を用いたボルテージディテクタの一実施例のブロック図である。
【0022】
簡単のため単純な回路の例を示したが、実際の製品には必要に応じて機能を追加すればよい。
【0023】
ボルテージディテクタの基本的な回路構成要素は電流源903、基準電圧回路901、ブリーダー抵抗回路902、誤差増幅器904であり他にインバータ906、N型トランジスタ905および908、P型トランジスタ907などが付加されている。以下に簡単に動作の一部を説明をする。
【0024】
VDDが所定の解除電圧以上のときはN型トランジスタ905、908がOFFし、P型トランジスタ907はONとなり出力OUTにはVDDが出力される。
このとき誤差増幅器904の入力電圧は(RB+RC)/(RA+RB+RC)*VDDとなる。
【0025】
VDDが低下し検出電圧以下になると出力OUTにはVSSが出力される。このときN型トランジスタ905はONで、誤差増幅器904の入力電圧はRB/(RA+RB)*VDDとなる。
【0026】
このように、基本的な動作は、基準電圧回路901で発生した基準電圧とブリーダー抵抗回路902で分圧された電圧とを誤差増幅器904で比較することにより行われる。従ってブリーダー抵抗回路902で分圧された電圧の精度がきわめて重要となる。ブリーダー抵抗回路902の分圧精度が悪いと誤差増幅器904への入力電圧がバラツキ、所定の解除あるいは検出電圧が得られなくなってしまう。本発明によるブリーダー抵抗回路を用いることによりICを樹脂パッケージした後も高精度の分圧が可能となるためICとしての製品歩留まりが向上したり、より高精度なボルテージディテクタを製造する事が可能となる。
【0027】
図3は本発明によるブリーダ抵抗回路を用いたボルテージレギュレータの一実施例のブロック図である。
【0028】
簡単のため単純な回路の例を示したが、実際の製品には必要に応じて機能を追加すればよい。
【0029】
ボルテージレギュレータの基本的な回路構成要素は電流源903、基準電圧回路901、ブリーダー抵抗回路902、誤差増幅器904そして電流制御トランジスタとして働くP型トランジスタ910などである。以下に簡単に動作の一部を説明をする。
【0030】
誤差増幅器904は、ブリーダー抵抗回路902によって分圧された電圧と基準電圧回路901で発生した基準電圧とを比較し、入力電圧VINや温度変化の影響を受けない一定の出力電圧VOUTを得るために必要なゲート電圧をP型トランジスタ910に供給する。ボルテージレギュレータにおいても図2で説明したボルテージディテクタの場合と同様に、基本的な動作は、基準電圧回路901で発生した基準電圧とブリーダー抵抗回路902で分圧された電圧とを誤差増幅器904で比較することにより行われる。従ってブリーダー抵抗回路902で分圧された電圧の精度がきわめて重要となる。ブリーダー抵抗回路902の分圧精度が悪いと誤差増幅器904への入力電圧がバラツキ、所定の出力電圧VOUTが得られなくなってしまう。本発明によるブリーダー抵抗回路を用いることによりICを樹脂パッケージした後も高精度の分圧が可能となるためICとしての製品歩留まりが向上したり、より高精度なボルテージレギュレータを製造する事が可能となる。
【0031】
【発明の効果】
上述したように、本発明の半導体装置の薄膜抵抗体は、P型の半導体薄膜で形成されたP型薄膜抵抗体と、N型の半導体薄膜で形成されたN型薄膜抵抗体とから構成されているので、樹脂パッケージ化などで応力がかかった場合でも、個々の抵抗体の抵抗値変化を相殺し、初期の抵抗値を保持する事ができる。また、ブリーダー抵抗回路において、1単位となる抵抗値は、P型薄膜抵抗体と、N型薄膜抵抗体とを組み合せて作られた抵抗値によって規定するようにしたので、正確な分圧比を保つことができる。また、P型抵抗体は高電位側に、N型抵抗体は低電位側に配置し、レーザービーム等をP−N接合部に照射することにより、整流性を破壊して導通を可能にするようにしたので、従来必要であったヒューズを不要とすることができる。
【0032】
このようなブリーダー抵抗回路を用ることにより、小型で高精度な半導体装置、例えばボルテージディテクタ、ボルテージレギュレータ等の半導体装置を得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の半導体薄膜抵抗体の1実施例を示す模式的断面図である。
【図2】本発明によるブリーダ抵抗回路を用いたボルテージディテクタの一実施例のブロック図である。
【図3】本発明によるブリーダ抵抗回路を用いたボルテージレギュレータの一実施例のブロック図である。
【符号の説明】
101 半導体基板
102 第1の絶縁膜
701 P型の低抵抗領域
702 P型の高抵抗領域
703 P型ポリシリコン抵抗体
704 N型の低抵抗領域
705 N型の高抵抗領域
706 N型ポリシリコン抵抗体
707 抵抗体
801 第2の絶縁膜
810 配線
811 配線
901 基準電圧回路
902 ブリーダー抵抗回路
903 電流源
904 誤差増幅器
905 N型トランジスタ
906 インバータ
907 P型トランジスタ
908 N型トランジスタ
909 寄生ダイオード
910 P型トランジスタ
Claims (6)
- 抵抗体を有する半導体装置において、基板表面に絶縁膜を介して設けられた前記抵抗体は、第一のP型低抵抗領域と、前記第一のP型低抵抗領域の一端に接合されたP型高抵抗領域と、前記P型高抵抗領域の他端に接合された第二のP型低抵抗領域と、前記第二のP型低抵抗領域の他端に接合された第一のN型低抵抗領域と、前記第一のN型低抵抗領域の他端に接合されたN型高抵抗領域と、前記N型高抵抗領域の他端に接合されたN型低抵抗領域で構成され、前記第一のP型低抵抗領域及び前記第二のP型低抵抗領域の不純物濃度は前記P型高抵抗領域の不純物濃度よりも高く、前記第一のN型低抵抗領域及び第二のN型低抵抗領域の不純物濃度は前記N型高抵抗領域の不純物濃度よりも高く、前記第一のP型低抵抗領域は低電位側に、前記第二のN型低抵抗領域は高電位側に接続されており、レーザービームを前記第二のP型低抵抗領域と前記第一のN型低抵抗領域との接合部に照射することにより、整流性を破壊して導通を可能にすることを特徴とする半導体装置。
- 前記抵抗体はポリシリコンより形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記抵抗体は単結晶シリコン薄膜により形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 抵抗体を有する半導体装置において、シリコン基板中に設けられた前記抵抗体は、第一のP型低抵抗領域と、前記第一のP型低抵抗領域の一端に接合されたP型高抵抗領域と、前記P型高抵抗領域の他端に接合された第二のP型低抵抗領域と、前記第二のP型低抵抗領域の他端に接合された第一のN型低抵抗領域と、前記第一のN型低抵抗領域の他端に接合されたN型高抵抗領域と、前記N型高抵抗領域の他端に接合されたN型低抵抗領域で構成され、前記第一のP型低抵抗領域及び前記第二のP型低抵抗領域の不純物濃度は前記P型高抵抗領域の不純物濃度よりも高く、前記第一のN型低抵抗領域及び第二のN型低抵抗領域の不純物濃度は前記N型高抵抗領域の不純物濃度よりも高く、前記第一のP型低抵抗領域は低電位側に、前記第二のN型低抵抗領域は高電位側に接続されており、レーザービームを前記第二のP型低抵抗領域と前記第一のN型低抵抗領域との接合部に照射することにより、整流性を破壊して導通を可能にすることを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体装置は、電流源と、前記電流源からの電流を基準電圧に変える基準電圧回路と、前記抵抗体を複数直列接続したブリーダー抵抗と、前記ブリーダー抵抗及び前記基準電圧回路とが入力に接続された誤差増幅器と、前記誤差増幅器の出力に応じてブリーダー抵抗の抵抗値を制御するためのN型トランジスタと、前記誤差増幅器の出力により制御される出力トランジスタとで構成されるボルテージディテクタであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、電流源と、前記電流源からの電流を基準電圧に変える基準電圧回路と、前記抵抗体を複数直列接続したブリーダー抵抗と、前記ブリーダー抵抗及び前記基準電圧回路とが入力に接続された誤差増幅器と、入力電圧と前記ブリーダー抵抗の間に設けられ、前記ブリーダー抵抗に印加される電圧がほぼ一定となるように前記誤差増幅器の出力により制御されるP型トランジスタとで構成されるボルテージレギュレータであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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