JP3762517B2 - 半導体メモリ装置のバーンインストレス回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体メモリ装置に係り、特に半導体メモリ装置のバーンインストレス回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体メモリ装置の高集積化に伴って、メモリセルに発生する欠陥が工程上の問題などで増えつつある。周知のようにチップの高集積化によって一つのチップ内に構成される各トランジスタのサイズは縮まる一方である。このように縮まったトランジスタにそのサイズが縮まる前に印加された高電位の外部電源電圧をそのまま印加すると、強い電界が形成するなど、ストレスが大きくなり、よってトランジスタが劣化する。従って、メモリセルの欠陥を初期に検出してチップの信頼性を確保するためにチップを完成した後バーンインストレスを施す。バーンインストレスはチップを完成した後不良素子を容易に見つけるためにチップの仕様に定まった外部電源電圧以上の高電圧を長時間、高温でメモリセルトランジスタのゲートに印加する方法である。該方法によればチップ内の各構成素子に印加されるストレスがさらに大きくなって初期の不良が検出し易い。
【0003】
現在、一般に施されるストレス方法は次の通りである。これまでのDRAMでは一回のローアドレスストローブ信号の/RAS(ただし、「/」はオーバーバーすなわち反転を表す。以下同じ。)サイクルの間、所定数のワードラインのみ論理“ハイ(High:以下、Hと略す)”となる。即ち、複数個のローラインが順に論理“H”にイネーブルされる。
【0004】
図1は通常の4メガDRAMのアーキテクチャーである。図1において、マトリックス状に配列された四つのサブメモリセルアレーが配列され、各々のサブメモリセルアレーは1024列からなる。各サブメモリセルアレーは第1列から順にイネーブルされる。即ち、一つの/RASがアクティブされると各サブメモリセルアレー1M、1M′、1M″及び1M″′の各々の第1 列がアクティブされ、/RASがプリチャージ(precharge) 状態となれば各サブメモリセルアレー1M、1M′、1M″及び1M″′の各々の第1列はリセットされる。
【0005】
その後、次の/RASがアクティブされると各サーブメモリセルアレー1M、1M′、1M″の各々の第2列がアクティブされ、これによって全てのメモリセルアレーが順にアクティブされてバーンインテストが行われる。例えば、バーンインタイムを約72時間(これは製造会社に依り、チップの特性に応じて適切な時間を選択し得る)と設定すると各アクセストランジスタは約4.2分(72時間÷1024=4.2分)間、高電圧ストレスを受ける。しかしながら、このような方法によれば、チップ内に構成されるメモリセルの数が増え、よってバーンイン時間が大幅に延びてしまう。
【0006】
例えば、16メガDRAMの場合、一つのアクセストランジスタに約4.2分のストレス時間を与えるためには288時間(72×4)のバーンイン時間が求められ、64メガDRAMの場合には576時間(72×8)のバーンイン時間が求められる。
【0007】
前述したように従来の技術によれば、半導体メモリ装置のセルアレーの第1ワードラインから順次にアクティブされながら各ワードラインに連結されたアクセストランジスタのバーンインテストが行われる。従って、バーンイン時間が延びる。即ち、メモリセルの容量が大きくなるほどバーンイン時間はさらに延びる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的はバーンインストレス時間を縮めるための半導体メモリ装置のバーンインストレス回路を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために本発明は、複数個の制御信号に応答してバーンインイネーブル信号を発生するバーンインイネーブル信号発生部と、前記バーンインイネーブル信号と他の複数個の制御信号に応答してワードラインを駆動するためのワードライン駆動電圧を発生するワードラインプリデコーダ、前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答して前記ワードライン駆動電圧を前記ワードラインに印加するワードラインデコーダ、前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答してビットライン活性化信号を発生するビットライン活性化信号発生部、前記ビットライン活性化信号に応答するビットライン感知部を具備する。
【0010】
前記バーンインイネーブル信号発生部は、前記複数個の信号の中、いずれか一つの信号に第1電極が連結されゲートは電源電圧に連結され第2電極の接地されたNMOSトランジスタと、前記NMOSトランジスタの第1電極に入力端が連結された第1インバーターと、前記第1インバーターの出力を入力とし前記バーンインイネーブル信号を出力する。
【0011】
前記ワードラインプリデコーダは前記他の複数個の制御信号を入力とする第1NORゲートと、前記バーンインイネーブル信号と前記第1NORゲートの出力を入力とする第2ラッチ回路と、前記第2ラッチ回路の出力を入力とするインバーターと、前記インバーターの出力端に第1電極が連結され電源電圧にゲートが連結された第1NMOSトランジスタと、前記第1NMOSトランジスタの第2電極にゲートが連結され前記他の複数個の信号の中いずれか一つに第1電極が連結された第2NMOSトランジスタと、前記第2ラッチ回路の出力端にゲートが連結され前記第2NMOSトランジスタの第2電極に第1電極が連結され第2電極は接地された第3NMOSトランジスタとを具備し、前記第3NMOSトランジスタの第1電極から前記ワードライン駆動電圧が出力される。
【0012】
前記ワードラインデコーダは前記他の複数個の制御信号を入力とする第1NANDゲートと、前記第1NANDゲートの出力と前記バーンインイネーブル信号とを入力とする第3ラッチ回路と、前記第3ラッチ回路の出力を入力とするインバーターと、前記第3ラッチ回路の出力端に第1電極が連結され電源電圧にゲートが連結された第1NMOSトランジスタと、前記第1NMOSトランジスタの第2電極にゲートが連結され前記ワードライン駆動電圧に第1電極が連結された第2NMOSトランジスタと、前記第2NMOSトランジスタの第2電極に第1電極が連結され前記インバーターの出力端にゲートが連結され第2電極は接地された第3NMOSトランジスタとを具備し、前記第3NMOSトランジスタの第1電極は前記ワードラインに連結される。
【0013】
前記ビットライン活性化信号発生部は前記他の複数個の制御信号を入力とする第1NANDゲートと、前記第1NANDゲートの出力と前記バーンインイネーブル信号を入力とする第4ラッチ回路と、前記第4ラッチ回路の出力を入力とする第1インバーターと、前記第1インバーターの出力を入力として前記ビットライン活性化信号を出力する第2インバーターと、前記第2インバーターの出力を入力とし前記活性化信号の逆信号を出力する第3インバーターとを具備する。
【0014】
前記ビットライン感知部は前記ビットライン活性化信号に応答する。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【0016】
【実施例】
図2は本発明によるバーンインストレス回路のブロック図である。図2はバーンインイネーブル信号発生部21と、前記バーンインイネーブル信号発生部21に連結されたワードラインプリデコーダ23と、前記ワードラインプリデコーダ23の出力信号に応じてワードラインを駆動するワードラインデコーダ24と、前記バーンインイネーブル信号発生部21に連結されたビットライン活性化信号発生部26と、前記ビットライン活性化信号発生部26に連結されたビットライン感知部27と、前記ビットライン感知部27とワードラインデコーダ24に同時に連結されたメモリセルアレー29とからなる。
【0017】
図3は前記図2のバーンインイネーブル信号発生部21で第1制御信号が発生することを示した回路図である。図3はVcc(電源)に直列に連結された四つのPMOSトランジスタ31,32,33,34及び第1NMOSトランジスタ36と、前記第1NMOSトランジスタ36のドレインに順次に連結された第1インバーター38及び第2インバーター39とからなる。前記第2インバーター39から第1制御信号のΦVccが出力される。そして、第1インバーター38と第2インバーター39はVccにより電圧が与えられる。
【0018】
図4は図3の出力信号の波形図である。図4に基づいて図3に示した回路の作用を説明する。Vccが7ボルトとなる前に三つのPMOSトランジスタ32,33,34はオフされNMOSトランジスタ36はオンされるのでΦVccは0ボルトとなる。Vccが7ボルトとなれば三つのPMOSトランジスタ32,33,34はオンされ、よってΦVccは7ボルトとなる。そして、Vccが7ボルト以上となれば、ΦVccはVccに比例して増加する(図4の41)。
【0019】
図5は前記図2のバーンインイネーブル信号発生部の第2制御信号発生回路図である。図5はパッド50と、前記パッド50に順に連結された四つのPMOSトランジスタ51,52,53及び54及び第2NMOSトランジスタ56と、前記第2NMOSトランジスタ56のドレインに連結された第3インバーター58及び第4インバーター59とからなる。前記パッド50を通じて外部電圧のVinが入力され、第4インバーター59から第2制御信号Φinが出力される。図6は前記図5に示したバーンインイネーブル信号発生部の出力信号の波形図である。図5に示したバーンインイネーブル信号発生部は前記図3に示したバーンインイネーブル信号発生部と同一に動作する。但し、図6では7ボルトのVccを印加した時、Vinが7ボルト以下ならΦinは0ボルトとなり、Vinが7ボルト以上になってもΦinは7ボルトを越えない。これは7ボルトと定まった第4インバーター59のVccがΦinの値であるからである。
【0020】
図7は前記図2に示したバーンインイネーブル信号発生部の第1実施例による回路図である。図7はΦVcc信号とΦin信号とを入力とする第1NANDゲート71と、前記第1NANDゲート71の出力に入力端が連結された第5インバーター73とからなる。そして、バーンインイネーブル信号のΦBIEが前記第5インバーター73の出力端から出力され、ΦBIEの逆信号のΦBIEBが前記第1NANDゲート71の出力端から出力される。図7において、ΦVccとΦinがいずれも論理“H”の時のみΦBIEは論理“H”と出力され、ΦVccとΦinのいずれか一つでも論理“ロー(Low :以下Lと略す)”となればΦBIEは論理“L”と出力される。
【0021】
図8は第2実施例による前記図2のバーンインイネーブル信号発生部の回路図である。図8はΦROR(/RAS Only Refresh)とΦCBR(/CAS Before /RASrefresh)とを入力とする第1NORゲート81と、ΦWCBR(/WE and/CAS Before /RAS cycle)とΦin信号及びΦVccを入力とする第2NANDゲート82と、前記第2NANDゲート82の出力及び第1NORゲート81の出力を入力とする第1ラッチ回路84と、前記第1ラッチ回路84の出力端に入力端が連結された第6インバーター86とからなる。そして、バーンインイネーブル信号のΦBIEは前記第1ラッチ回路84の出力端から、前記バーンインイネーブル信号の逆信号のΦBIEBは前記第6インバーター86の出力端から出力される。前記第1ラッチ回路84は前記第2NANDゲート82の出力を入力とする第3NANDゲート88と前記第3NANDゲート88の出力及び前記第1NORゲート81の出力を入力し、出力は前記第3NANDゲート88に入力される第4NANDゲート89とからなる。
【0022】
図9は前記図8の各信号のタイミング図である。/CASと/WE信号がイネーブルされた状態でRAS信号がイネーブルされるとΦ/WCBR信号のみイネーブルされ/CASはイネーブルされ/WEはディスエーブルされた状態で/RAS信号がイネーブルされるとΦCBR信号のみイネーブルされる。さらに、/CASと/WE信号がいずれもティスエーブルされた状態で/RAS信号がイネーブルされるとΦROR信号のみイネーブルされる。
【0023】
図9を参照して図8の回路の作用を説明する。バーンインモードに入るためにはΦin、ΦVcc及びΦWCBRが論理“H”とならなければならない。この際、第2NANDゲート82の出力は論理“L”となり第3NANDゲート88は第4NANDゲート89の出力に関係なく論理HとなってΦBIEは論理“H”となる。次に、ΦROR及びΦCBRは論理“L”なので第1NORゲート81の出力は論理“H”となる。このようにΦBIEも論理“H”であり第1NORゲート81の出力も論理“H”なので、ΦBIEと第1NORゲート81の出力を入力とする第4NANDゲート89の出力は論理“L”となって第3NANDゲート88に入力される。ここから第1ラッチ回路84の出力即ち、ΦBIEはΦin及びΦVccに関係なく論理“H”を保つのでそれ以上ΦinとΦVccを7ボルトの高電圧に保たなくて良い。さらに、ΦWCBRがディスエーブルされてもΦBIEには何の影響も与えられない(図9のT1区間参照)。
【0024】
そして、ΦWCBRを他の信号と取り替える場合、ΦWCBRは/RASに関係なく制御される。
【0025】
ここで、バーンインモードをリセットするためにはΦCBRがイネーブルされなければいけない。ΦCBRは図9のT2区間に示したように/RASがイネーブルされるに従ってイネーブルされる。次いで、第1NORゲート81の出力は論理“L”となり、第4NANDゲート89の出力は論理“H”となる。従って、ΦBIEは論理“L”となってディスエーブルされ、これによってバーンインモードはリセットされる。バーンインモードをリセットするもう一つの方法は、イネーブルされた/RASをディスエーブルさせることである。これによって、ΦRORがイネーブルされ(図9のT2′区間参照)、第1NORゲート81の出力は論理“L”となり第4NANDゲート89の出力は論理“H”となることによってΦBIEは論理“L”となる。この結果、バーンインモードはリセットされる。
【0026】
図10は第3実施例による前記図2のバーンインイネーブル信号発生部の回路図である。図10はパッド91と、前記パッド91にドレインが連結された第3NMOSトランジスタ93と、前記パッド91に入力端が直列に連結された第7インバーター95、第8インバーター96及び第9インバーター97とからなる。そして、第3NMOSトランジスタ93のソースは接地されている。さらに、ΦBIEは前記第8インバーター96の出力端に、ΦBIEBは前記第9インバーター97の出力端に連結される。図10に示したバーンインイネーブル信号発生部はウェーハにバーンインストレスを行う時に効果的である。
【0027】
図10において、バーンインモードをイネーブルするためにはパッドに論理“H”の信号を印加すれば良い。これによって、ΦBIEは論理“H”となってバーンインモードになる。バーンインモードをリセットするためにはパッド91に論理“L”の信号を印加したり、または何の信号も印加しなければ良い。次に、ΦBIEは論理“L”となってバーンインモードはリセットされる。
【0028】
図11は一実施例による前記図2のワードラインプリデコーダの回路図である。図11はローアドレスデコーディング信号DRaBとDRbBを入力とする第2NORゲート101、前記第2NORゲート101の出力とΦBIEBを入力とする第2ラッチ回路103と前記第2ラッチ回路103の出力端に入力端の連結された第10インバーター107、前記第10インバーター107にドレインが連結されゲートはVccに連結された第4NMOSトランジスタ108、前記第4NMOSトランジスタ108のソースにゲートが連結されドレインはΦXに連結された第5NMOSトランジスタ109及び前記第5NMOSトランジスタ109のソースにドレインが連結され前記第2ラッチ回路105の出力端にゲートが連結されソースは接地された第6NMOSトランジスタからなる。そして、ΦXiが前記第5NMOSトランジスタ109のドレインに連結される。
【0029】
前記第2ラッチ回路103は前記第2NORゲート101の出力を入力とする第3NORゲート104と、前記第3NORゲート104の出力と前記ΦBIEB信号を入力そとし出力は第3NORゲート104に入力される第4NORゲート105とからなる。
【0030】
図11を参照すれば、初期状態でDRaB、DRbB、ΦBIEBは論理“H”である。従って、第2NORゲート101と第4NORゲート105の出力は論理“L”であり第3NORゲート104の出力は論理“H”となって第5NMOSトランジスタ109はオフされ第6NMOSトランジスタ110はオンされることによってΦXiは論理“L”となる。この状態でバーンインモードがイネーブルされることによってΦBIEB、DRaB、DRbBは論理“L”となる。その後、第2NORゲート101の出力は論理Hとなり、第3NORゲート104の出力は論理“L”となって第5NMOSトランジスタ109はオンされ、第6NMOSトランジスタ110はオフされてΦXiは論理“L”から論理“H”に変わる。この際、論理“L”の第3NORゲート104の出力は第4NORゲート105に帰還され、第4NORゲート105の出力は論理“H”となって第2ラッチ回路103はDRaB、DRbBに関係なく論理“L”の出力をそのまま保つ。従って、ΦXiも論理“H”の状態をそのまま保つ。
【0031】
ΦXiをリセットするためにはΦBIEB、DRaB及びDRbBが論理Lから論理Hにディスエーブルされるべきである。これによって、第2NORゲート101と第4NORゲート105の出力はいずれも論理“L”となり、第3NORゲート104の出力は論理“H”となり、よってΦXiは論理“L”に変わる。
【0032】
図12は一実施例による前記図2のワードラインデコーダの回路図である。図12はローアドレスデコーディング信号DRc、DRd及びDReを入力とする第5NANDゲート131と、前記第5NANDゲート131の出力及びΦBIEを入力とする第3ラッチ回路133と、前記第3ラッチ回路133の出力端にドレインが連結されゲートはVccに連結される第7NMOSトランジスタ143と、前記第3NMOSトランジスタ143のソースにゲートが連結されドレインはΦXiに連結された第8NMOSトランジスタ145、前記第3ラッチ回路133の出力端に入力端が連結される第11インバーター141及び前記第11インバーター141の出力端にゲートが連結されソースは接地されドレインは前記第8NMOSトランジスタ145のソースに連結される第9NMOSトランジスタ147とからなる。そして、前記第8NMOSトランジスタ145のソースにワードラインが連結される。前記第3ラッチ回路133は前記第5NANDゲート131の出力を入力とする第6NANDゲート135と、前記第6NANDゲート135の出力と前記ΦBIEを入力とし出力は前記第6NANDゲート135に入力される第7NANDゲート137とからなる。
【0033】
図12に示したワードラインデコーダの動作状態を説明すれば、初期状態でDRb、DRc、DRe及びΦBIEは論理“L”である。従って、第5NANDゲート131と第7NANDゲート137の出力は論理“H”となり、これによって第6NANDゲート135の出力は論理“L”に変わる。従って、第8NMOSトランジスタ145はオフされ、第9NMOSトランジスタ147はオンされるためΦXiがワードラインに伝えられなく、よってワードラインは論理“L”となる。この状態でバーンインモードかイネーブルされることによってΦBIE、DRc、DRd及びDReは論理“H”となる。次いで、第5NANDゲート131の出力は論理“L”となり、よって第6NANDゲート135の出力は論理Hとなって第8NMOSトランジスタ145はオンされ、第9NMOSトランジスタ147はオフされてワードラインは論理“L”から“H”に上昇される。この際、論理“L”の第6NANDゲート135の出力は第7NANDゲート137に帰還され、第7NANDゲート137の出力は論理“H”となって第3ラッチ回路133はDRc、DRd及びDReに関係なく論理“H”の出力を保ち続ける。従って、ワードラインも論理“H”に保ち続けられる。
【0034】
このようにバーンインモードに入ってΦBIE、DRc、DRd及びDReが同時に論理“H”になると前記ワードラインはアクティブ状態を保ち続ける。同一の方法で他の全ワードラインをアクティブさせた後、バーンインテストを行えばバーンイン時間が縮まる。さらに、半導体メモリ装置のメモリ容量が大きくなっても本発明によればバーンイン時間があまり延びない。
【0035】
ワードラインをリセットするためにΦBIE、DRc、DRd及びDReを論理“H”から論理“L”にディスエーブルしなければならない。これによって、図5NANDゲート131及び第7NANDゲート137の出力は論理“H”となる。従って、第6NANDゲート135の出力は論理“L”となって第8NMOSトランジスタ145をオフさせ、第9NMOSトランジスタ147をオンさせてワードラインを論理“L”に下降させる。
【0036】
図13は第1実施例による図2にのビットライン活性化信号発生部の回路図である。図13はローアドレスデコーディング信号DRA及びDRBを入力とする第8NANDゲート151、前記第8NANADゲート151の出力とΦBIEを入力とする第4ラッチ回路153、前記第4ラッチ回路153の出力端に入力端が直列に連結された第12インバーター161、第13インバーター163及び第14インバーター165からなる。そして、第13インバーター163の出力端にビットライン活性化信号ΦNEiが連結され、第14インバーター165の出力端に前記ビットライン活性化信号の逆信号ΦPEiが連結される。前記第4ラッチ回路153は前記第8NANDゲート151の出力を入力とする第9NANDゲート155と、前記第9NANDゲート155の出力と前記ΦBIE信号を入力とし出力は前記図9NANDゲート155に入力される第10NANDゲート157とからなる。
【0037】
図13に示したビットライン活性化信号発生部の動作状態を説明すれば、初期状態でDRA、DRB及びΦBIEは論理“L”である。従って、第8NANDゲート151と第10NANDゲート157の出力は論理“H”で、第9NANDゲート155の出力は論理“L”となってΦNEiは論理“L”、ΦPEiは論理“H”となる。この状態でバーンインモードがイネーブルされることによってΦBIE、DRA及びDRBは論理“H”となる。その後、第8NANDゲート151の出力は論理“L”となり、第9NANDゲート155の出力は論理“H”となってΦNEiは論理“H”、ΦPEiは論理“L”に転換される。この際、論理“H”の第9NANDゲート155の出力が部分的に第10NANDゲート157に帰還される。これによって、第10NANDゲート157の出力は論理“L”となる。ここから、その後、第4ラッチ回路153はDRA、DRBに関係なく論理Hの状態を保ち続ける。
【0038】
ΦNEiをリセットするためにはΦBIE、DRA及びDRBが論理“H”から論理“L”にディスエーブルされるべきてある。これによって、第8NANDゲート151と第10NANDゲート157の出力は論理“H”となり、第9NANDゲート155の出力は論理“L”となるのでΦNEiは論理“L”に下降してリセットされる。
【0039】
図14は第2実施例による前記図2のビットライン活性化信号発生部の回路図である。図14はローアドレスデコーディング信号DRA及びDRBを入力とする第11NANDゲート171と、前記第11NANDゲート171の出力端に入力端が連結された第15インバーター181と、前記第15インバーター181の出力とΦBIEBを入力とする第5ラッチ回路173と、前記第5ラッチ回路173の出力端に入力端が連結された第16インバーター183と、前記第16インバーター183の出力端に入力端が連結された第17インバーター185とからなる。そして、第16インバーター183の出力端からΦNEiが、第17インバーター185の出力端からΦPEiが出力される。
【0040】
前記第5ラッチ回路は第15インバーター181の出力を入力とする第5NORゲート175と、前記第5NORゲート175の出力及び前記ΦBIEB信号を入力とし出力は前記第5NORゲート175に入力される第6NORゲート177とからなる。
【0041】
図14に示したビットライン活性化信号発生部の動作状態を説明すれば、初期状態でDRA、DRBは論理“L”でありΦBIEBは論理“H”である。従って、第11NANDゲート171の出力は論理“H”となり第5NORゲート175の出力は論理“L”となるので第5NORゲート175の出力は論理“H”となる。従って、ΦNEiは前記第5NORゲート175の出力が論理“H”の状態で第16インバーター183によって反転されて論理“L”となり、ΦPEiは前記ΦNEiが反転されて論理“H”となる。この状態でバーンインモードになればDRA、DRBは論理“H”、ΦBIEBは論理“L”となる。その後、第11NANADゲート171の出力が論理“L”となることによって第5NORゲート175の出力は論理“L”となる。従って、ΦNEiは論理“H”となる。この際、第5NORゲート175の出力が部分的に第6NORゲート177の入力に帰還される。次いで、第6NORゲート177の入力が全て論理“L”なので第6NORゲート177の出力は論理“H”となって第5NORゲート175に入力される。その後、第5ラッチ回路173の出力はDRAとDRBに関係なく常に論理“L”に保たれ、よってΦNEiも論理“L”に保たれる。
【0042】
ΦNEiをリセットするためにはDRA、DRBは論理L、ΦBIEBは論理“H”になるべきである。従って、第11NANDゲート171の出力が論理“H”となり、これによって第5NORゲート175の出力は論理Hとなる。従って、ΦNEiは論理“H”となってリセットされる。
【0043】
図15は一実施例による前記図2のビットライン感知部の回路図である。図15は差動増幅部191と、前記差動増幅部191を電源に連結するPMOSトランジスタ193と、前記差動増幅部191を接地に連結する第10NMOSトランジスタ195とからなる。そして、差動増幅部191はビットライン及び相補ビットラインを通じてメモリセルアレー197に連結される。
【0044】
次に、図15に示した回路の動作状態を説明する。バーンインモードがイネーブルされるとΦNEiは論理“H”、ΦPEiは論理“L”となるのでPMOSトランジスタ193と第10NMOSトランジスタ195がいずれもオンされてビットラインを活性化する。活性化したビットラインを通じて差動増幅部191はメモリセルアレー197のデータを感知する。従って、バーンインモードで全てのビットラインは前記差動増幅部191によって常に感知される。
【0045】
【発明の効果】
前述したように本発明によれば、全てのワードラインをアクティブした状態で各ワードラインに連結されたアクセストランジスタにバーンインストレスを印加することによってバーンイン時間が縮まる。半導体メモリ装置のメモリ容量が大きくなっても本発明によればバーンイン時間はあまり延びない。
【0046】
本発明に前記実施例に限らず多くの変形が本発明の思想内で当業者によって可能なのは明白である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の4メガDRAMの通常のチップアーキテクチャーを示した図である。
【図2】 本発明によるバーンインストレス回路のブロック図である。
【図3】 前記図2に示したバーンインイネーブル信号発生部の第1制御信号発生回路図である。
【図4】 前記図3に示した出力信号の波形図である。
【図5】 前記図2に示したバーンインイネーブル信号発生部の第2制御信号発生回路図である。
【図6】 前記図5に示した出力信号の波形図である。
【図7】 第1実施例による前記図2のバーンインイネーブル信号発生部の回路図である。
【図8】 第2実施例による前記図2のバーンインイネーブル信号発生部の回路図である。
【図9】 前記図8に示した各信号のタイミング図である。
【図10】 第3実施例による前記図2のバーンインイネーブル信号発生部の回路図である。
【図11】 一実施例による前記図2のワードラインプリデコーダの回路図である。
【図12】 一実施例による前記図2のワードラインデコーダの回路図である。
【図13】 第1実施例による前記図2のビットライン活性化信号発生部の回路図である。
【図14】 第2実施例による前記図2のビットライン活性化信号発生部の回路図である。
【図15】 一実施例による前記図2のビットライン感知部の回路図である。
【符号の説明】
21 バーンインイネーブル信号発生部、23 ワードラインプリデコーダ、24 ワードラインデコーダ、26 ビットライン活性化信号発生部、27 ビットラインLデコーダ、29 メモリYセルアレー
Claims (8)
- 複数個の制御信号に応答してバーンインイネーブル信号を発生するバーンインイネーブル信号発生部と、
前記バーンインイネーブル信号と他の複数個の制御信号に応答してワードラインを駆動するためのワードライン駆動電圧を発生するワードラインプリデコーダと、
前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答して前記ワードライン駆動電圧を前記ワードラインに印加するワードラインデコーダと、
前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答してビットライン活性化信号を発生するビットライン活性化信号発生部と、
前記ビットライン活性化信号に応答するビットライン感知部とを具備することを特徴とする半導体メモリ装置のバーンインストレス回路において、
前記ワードラインプリデコーダは前記他の複数個の制御信号を入力とする第1NORゲートと、前記バーンインイネーブル信号と前記第1NORゲートの出力を入力とする第2ラッチ回路と、前記第2ラッチ回路の出力を入力とするインバーターと、前記インバーターの出力端に第1電極が連結され電源電圧にゲートが連結された第1NMOSトランジスタと、前記第1NMOSトランジスタの第2電極にゲートが連結され前記他の複数個の信号の中いずれか一つに第1電極が連結された第2NMOSトランジスタと、前記第2ラッチ回路の出力端にゲートが連結され前記第2NMOSトランジスタの第2電極に第1電極が連結され第2電極は接地された第3NMOSトランジスタとを具備し、前記第3NMOSトランジスタの第1電極から前記ワードライン駆動電圧が出力されることを特徴とする半導体メモリ装置のバーンインストレス回路。 - 前記第2ラッチ回路は前記第1NORゲートの出力を入力とする第2NORゲートと、前記第2NORゲートの出力と前記バーンインイネーブル信号を入力とし出力は第2NORゲートに入力される第3NORゲートとを具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置のバーンインストレス回路。
- 複数個の制御信号に応答してバーンインイネーブル信号を発生するバーンインイネーブル信号発生部と、
前記バーンインイネーブル信号と他の複数個の制御信号に応答してワードラインを駆動するためのワードライン駆動電圧を発生するワードラインプリデコーダと、
前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答して前記ワードライン駆動電圧を前記ワードラインに印加するワードラインデコーダと、
前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答してビットライン活性化信号を発生するビットライン活性化信号発生部と、
前記ビットライン活性化信号に応答するビットライン感知部とを具備することを特徴とする半導体メモリ装置のバーンインストレス回路において、
前記ワードラインデコーダは前記他の複数個の制御信号を入力とする第1NANDゲートと、前記第1NANDゲートの出力と前記バーンインイネーブル信号とを入力とする第3ラッチ回路と、前記第3ラッチ回路の出力を入力とするインバーターと、前記第3ラッチ回路の出力端に第1電極が連結され電源電圧にゲートが連結された第1NMOSトランジスタと、前記第1NMOSトランジスタの第2電極にゲートが連結され前記ワードライン駆動電圧に第1電極が連結された第2NMOSトランジスタと、前記第2NMOSトランジスタの第2電極に第1電極が連結され前記インバーターの出力端にゲートが連結され第2電極は接地された第3NMOSトランジスタとを具備し、前記第3NMOSトランジスタの第1電極は前記ワードラインに連結されることを特徴とする半導体メモリ装置のバーンインストレス回路。 - 前記第3ラッチ回路は前記第1NANDゲートの出力を入力とする第2NANDゲートと、前記第2NANDゲートの出力と前記バーンインイネーブル信号を入力とし、出力は前記第2NANDゲートに入力される第3NANDゲートとを具備することを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置のバーンインストレス回路。
- 複数個の制御信号に応答してバーンインイネーブル信号を発生するバ ーンインイネーブル信号発生部と、
前記バーンインイネーブル信号と他の複数個の制御信号に応答してワードラインを駆動するためのワードライン駆動電圧を発生するワードラインプリデコーダと、
前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答して前記ワードライン駆動電圧を前記ワードラインに印加するワードラインデコーダと、
前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答してビットライン活性化信号を発生するビットライン活性化信号発生部と、
前記ビットライン活性化信号に応答するビットライン感知部とを具備することを特徴とする半導体メモリ装置のバーンインストレス回路において、
前記ビットライン活性化信号発生部は前記他の複数個の制御信号を入力とする第1NANDゲートと、前記第1NANDゲートの出力と前記バーンインイネーブル信号を入力とする第4ラッチ回路と、前記第4ラッチ回路の出力を入力とする第1インバーターと、前記第1インバーターの出力を入力として前記ビットライン活性化信号を出力する第2インバーターと、前記第2インバーターの出力を入力とし前記活性化信号の逆信号を出力する第3インバーターとを具備することを特徴とする半導体メモリ装置のバーンインストレス回路。 - 前記第4ラッチ回路は前記第1NANDゲートの出力を入力とする第2NANDゲートと、前記第2NANDゲートの出力と前記バーンインイネーブル信号を入力とし、出力は前記第2NANDゲートに入力される第3NANDゲートとを具備することを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置のバーンインストレス回路。
- 複数個の制御信号に応答してバーンインイネーブル信号を発生するバーンインイネーブル信号発生部と、
前記バーンインイネーブル信号と他の複数個の制御信号に応答してワードラインを駆動するためのワードライン駆動電圧を発生するワードラインプリデコーダと、
前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答して前記ワードライン駆動電圧を前記ワードラインに印加するワードラインデコーダと、
前記バーンインイネーブル信号と前記他の複数個の制御信号に応答してビットライン活性化信号を発生するビットライン活性化信号発生部と、
前記ビットライン活性化信号に応答するビットライン感知部とを具備することを特徴とする半導体メモリ装置のバーンインストレス回路において、
前記ビットライン活性化信号発生部は前記他の複数個の制御信号を入力とするNANDゲートと、前記NANDゲートの出力を入力とする第1インバーターと、前記第1インバーターの出力と前記バーンインイネーブル信号の逆信号を入力とする第4ラッチ回路と、前記第4ラッチ回路の出力を入力とし前記ビットライン活性化信号を出力する第2インバーターと、前記第2インバーターの出力を入力とし前記ビットライン活性化信号の逆信号を出力する第3インバーターとを具備することを特徴とする半導体メモリ装置のバーンインストレス回路。 - 前記第4ラッチ回路は前記第1インバーターの出力を入力とする第1NORゲートと、前記第1NORゲートの出力と前記バーンインイネーブル信号の逆信号を入力とし、出力は前記第1NORゲートに入力される第2NORゲートとを具備することを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置のバーンインストレス回路。
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