JP3745950B2 - 酸化ジルコニウム膜とpzt膜との積層体及びこれを備えた半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化ジルコニウム膜とPZT膜との積層体およびこれを備えた強誘電体メモリなどの半導体装置に係る。特に、強誘電体としてPZTを用い、これを絶縁膜上に形成する際に、緻密でクラックのないPZT膜およびこれを備えた半導体装置を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
強誘電体はその分極特性を用いて不揮発性メモリなどの半導体装置に応用される。強誘電体を備えた不揮発性メモリである強誘電体メモリは、DRAMに比べて低電圧、低電力、耐放射線に優れた特性を示すと考えられている。
【0003】
このうちMFIS−FET(Metal-Ferroelectric-Inslator-Semiconductor Field Effect Transistor)型メモリは、ゲート電極と半導体基板との間に強誘電体膜と絶縁体膜を積層したものである。強誘電体の分極状態の変化によりトランジスタのしきい値が変化するので、あるゲート電圧でのドレイン電流の大小が記憶情報として利用される。また、絶縁膜は強誘電体膜と半導体基板との間のバッファ層として機能する。このMFIS−FET型メモリは、メモリセルの小型化、分極疲労の低減、安定動作などの利点を有している。
【0004】
従来のMFIS−FETとして、例えば、金属/PZT(強誘電体)/ZrO2(絶縁体)/Si(半導体)の積層構造を備えたものがある。絶縁体としてZrO2を用いる主な理由は、誘電率が比較的高いことである。これらのMFIS−FETの製造方法をみると、絶縁体であるZrO2上に直接、強誘電体であるPZTを成膜している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者による実験の結果、ZrO2上に直接PZTを成膜すると、PZTの結晶粒径が大きく(〜3μm)なったり、粒界でクラックが入ったりすることがわかった。従って、緻密な結晶粒が得られず、クラックによりリーク電流も発生し易くなる。
【0006】
そこで、本発明は、絶縁体上に形成された強誘電体膜において、リーク電流が少なく実用に堪えられる酸化ジルコニウム膜とPZT膜との積層体を提供することを目的とする。また、かかる積層体を備えた半導体素子を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、酸化ジルコニウム膜と、該酸化ジルコニウム膜上に換算膜厚が3nm以上8nm以下の島状チタンを介在させることにより形成されたPZT膜とを備えた積層体であって、該PZT膜は、ペロブスカイト構造を有する多結晶体であり、表面からみた結晶粒径が100nmから200nmであり、断面からみた結晶が柱状構造の結晶であり、配向性が(001)優先配向であることを特徴とする。これにより、結晶粒径が小さいので素子の面積が小さくても素子間の特性のばらつきが小さい。また、多結晶体であるので、単結晶エピタキシャル膜に比べて製造が容易で、量産性に富んでいる。
【0008】
本発明の半導体装置は、上記の酸化ジルコニウム膜とPZT膜を、シリコン基板/酸化珪素膜/酸化ジルコニウム膜/PZT膜の積層構造中の酸化ジルコニウム膜とPZT膜ととして備えたことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【0010】
(半導体素子の構成)
図1は、本発明の1実施形態による半導体素子の断面図である。この半導体素子は、MFIS−FET型のメモリ素子である。
【0011】
第一導電型(例えばp型)の半導体基板であるシリコン基板11上の一部に、例えば酸化珪素からなる素子分離用絶縁膜12が形成されている。素子分離用絶縁膜12に覆われず露出しているシリコン基板11の表面に、第二導電型(例えばn+型)のソース領域13及びドレイン領域14が形成されている。
【0012】
そして、電界効果型トランジスタのチャネルとなるシリコン基板11上に絶縁膜15を介して強誘電体膜16が形成されている。更に、強誘電体膜16上に金属膜17が形成されている。
【0013】
そして、これらソース領域13、ドレイン領域14、金属膜17、素子分離用絶縁膜12上にパシベーション酸化膜18が形成され、このパシベーション酸化膜18にはソース領域13、ドレイン領域14、金属膜17上にそれぞれ開口が形成されている。パシベーション酸化膜18の前記開口から露出するソース領域13、ドレイン領域14、金属膜17上に、それぞれソース電極19、ドレイン電極及びゲート電極21が形成されている。
【0014】
絶縁膜15は、具体的には金属の酸化膜であり、シリコン基板11側から酸化珪素(SiO2)/酸化ジルコニウム(ZrO2)の積層構造か、酸化珪素(SiO2)/酸化アルミニウム(Al2O3)の積層構造とするのが好ましい。
【0015】
強誘電体膜16は、ペロブスカイト型結晶構造を有する多結晶体である。また、自発分極を有し、外部から電界を印加しなくても誘電分極が生じている。この自発分極は、外部電界によって反転させることができるため、強誘電体膜16の自発分極の向きによってシリコン基板11に印加される電界が変化してトランジスタのチャネル領域に電子又は正孔が誘起され、トランジスタのしきい値電圧が変化する。
【0016】
これにより、あるゲート電圧を印加したときのドレイン電流値の大小として情報を読み出すことができる。従って、強誘電体膜16の自発分極の向きを情報とした半導体記憶装置として利用することができる。
【0017】
上記強誘電体膜の具体例としてはチタン酸鉛(PbTiO3:PT)が好ましく、またチタン酸鉛を含有する固溶体、すなわちジルコン酸チタン酸鉛(Pb(ZrxTi1−X)O3:PZT)や、チタン酸鉛を含有するリラクサ強誘電体であってもよい。また、これらのいずれかを主成分とするものであればよく、多少の不純物を含んでいてもよい。チタン酸鉛を含有するリラクサ強誘電体としては、例えば、PMN−PT(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)、PZN−PT(Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)、PNN−PT(Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)、PIN−PT(Pb(In1/2Nb1/2)O3−PbTiO3)、PST−PT(Pb(Sc1/2Ta1/2)O3−PbTiO3)、PSN−PT(Pb(Sc1/2Nb1/2)O3−PbTiO3)が挙げられ、そのいずれでもよい。
【0018】
上記強誘電体膜において、結晶粒径は50nm以上1000nm以下であることが好ましく、100nm以上200nm以下であることがより望ましい。また、強誘電体膜の結晶粒は柱状構造であることが望ましく、配向性は(001)優先配向であることが望ましい。ここで、(001)優先配向は、X線回折広角法での以下の式での回折強度比が、70%以上と定義する。
I(001)/{I(001)+I(110)+I(111)}
なお、I(001)等は、結晶を立方晶の対称性を持つと考えたときの等価な面の回折強度のすべての和を意味する。
【0019】
(製造方法)
次に、この半導体装置の製造方法について説明する。図2〜図4は、上記半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【0020】
まず、図2(a)に示すように、p型シリコン基板11の表面を熱酸化させて酸化珪素(SiO2)膜を形成する。この酸化珪素膜は、後述のZrO2膜と併せて素子分離用絶縁膜12および絶縁膜15となるものである。
【0021】
次いで、図2(b)に示すように、基板全面にZrO2膜を成膜する。その場合の製法としては、上記酸化珪素上に、例えばジルコニウムをターゲットとしてスパッタリングを行なった後で熱酸化する方法、酸化ジルコニウムを交流スパッタリングする方法、CVD法などがあり、そのいずれでも良い。この場合、絶縁膜15として酸化珪素(SiO2)/酸化ジルコニウム(ZrO2)の積層構造が形成される。絶縁膜15として酸化珪素(SiO2)/酸化アルミニウム(Al2O3)の積層構造とする場合の製法としては、上記酸化珪素上に、例えば酸化アルミニウムを交流スパッタリングする方法、CVD法などがあり、そのいずれでも良い。
【0022】
ZrO2膜上には、チタン又は酸化チタンを、スパッタリング法等により、換算膜厚が3nm以上8nm以下となるように島状に形成する。ここで換算膜厚とは、島状に形成されたチタン膜の膜厚をならした場合の、いわば平均膜厚をいう。
【0023】
次いで、図2(c)に示すように、全面にPZTなどの強誘電体膜16を成膜する。強誘電体薄膜16の形成方法は、CSD(Chemical Solution Deposition)法、スパッタ法、CVD法等のいずれでもよい。CSD法の例としては、ゾルゲル法、MOD(Metal-Organic Decomposition)法があり、そのいずれでもよい。ゾルゲル法による場合は、金属アルコキシド等の金属有機化合物を溶液系で加水分解、重縮合させたのち、加熱処理して結晶化させる。
【0024】
絶縁膜15となるZrO2膜上に島状のチタン又は酸化チタンが形成されているので、強誘電体膜16の結晶粒径を小さくすることができ、緻密でクラックフリーな膜が形成できる。また、結晶粒は柱状結晶となり、配向性は(001)優先配向となる。
【0025】
次いで、図3(d)に示すように、全面にスパッタ法で金属膜17を堆積させる。その後、図3(e)に示すように、金属膜17、強誘電体膜16及び絶縁膜15をパターニングし、ゲート形状に整形する。
【0026】
次いで、図3(f)に示すように、全面に砒素をイオン注入し、基板11の表面にソース領域13及びドレイン領域14を形成する。なお、砒素のドーズ量は、例えば5×1014cm−2程度とする。
【0027】
次いで、図4(g)に示すように、全面に酸化珪素膜を堆積し、パシベーション酸化膜18を形成する。
【0028】
次いで、図4(h)に示すように、パシベーション酸化膜18に、ソース,ドレイン領域13、14及び金属膜17に接続するコンタクト孔を形成する。
【0029】
そして、図4(i)に示すように、アルミニウム等の金属薄膜をスパッタリング法等で全面に堆積した後パターニングを行って、ソース電極19、ドレイン電極20及びゲート電極21を形成する。
【0030】
(実施例)
本発明の強誘電体膜の実施例として、Si/SiO2/ZrO2/PZTの積層構造を、上述のように絶縁膜ZrO2上に島状チタンを介在させる方法により製造した。また、比較例として、同様の積層構造を、島状チタンを介在させない従来の方法により製造した。
【0031】
図5は上記実施例による強誘電体膜の表面写真及びその模写図であり、図6は上記比較例による強誘電体膜の表面写真及びその模写図である。いずれも倍率は500倍で、同一の条件により撮影している。写真中央の鈎形部分がZrO2上にPZTを形成した領域である。図に表れているように、実施例によるPZTは結晶構造が緻密でクラックも発生していないのに対し、比較例によるPZTにはクラックが発生している。
【0032】
図7は上記実施例による強誘電体膜表面のSEM写真及びその模写図であり、図8は上記比較例による強誘電体膜表面のSEM写真及びその模写図である。図に表れているように、実施例によるPZTは結晶粒径が100nmから200nm程度であるのに対し、比較例によるPZTは結晶粒径が200nmから1000nmを遥かに超えるものまであり、極端にばらつきが大きい。
【0033】
図9は上記実施例による強誘電体膜の断面SEM写真及びその模写図である。図に表れているように、PZT膜は柱状の結晶構造を有している。
【0034】
図10は上記実施例による強誘電体膜について、エックス線回折広角法においてCuKα線を用いたときの回折強度の測定結果を示すグラフである。図に表れているように、このPZTは(001)面に強く配向している。
【0035】
【発明の効果】
本発明によれば、酸化ジルコニウム膜と、該酸化ジルコニウム膜上に換算膜厚が3nm以上8nm以下の島状チタンを介在させることにより形成されたPZT膜とを備えた積層体としたことにより、リーク電流が少なく実用に堪えられるものを提供することができる。また、かかる積層体を備えた半導体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の1実施形態による半導体素子の断面図である。
【図2】 上記半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図3】 上記半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図4】 上記半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図5】 本発明の実施例による強誘電体膜の表面写真及びその模写図である。
【図6】 本発明に対する比較例による強誘電体膜の表面写真及びその模写図である。
【図7】 上記実施例による強誘電体膜表面のSEM写真及びその模写図である。
【図8】 上記比較例による強誘電体膜表面のSEM写真及びその模写図である。
【図9】 上記実施例による強誘電体膜の断面SEM写真及びその模写図である。
【図10】 上記実施例による強誘電体膜について、エックス線回折広角法においてCuKα線を用いたときの回折強度の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
11…シリコン基板、 12…素子分離用絶縁膜、 13…ソース領域、 14…ドレイン領域、 15…絶縁膜、 16…強誘電体膜、 17…金属膜、18…パシベーション酸化膜、 19…ソース電極、 20…ドレイン電極、21…ゲート電極
Claims (2)
- 酸化ジルコニウム膜と、該酸化ジルコニウム膜上に換算膜厚が3nm以上8nm以下の島状チタンを介在させることにより形成されたPZT膜とを備えた積層体であって、
該PZT膜は、
ペロブスカイト構造を有する多結晶体であり、
表面からみた結晶粒径が100nmから200nmであり、
断面からみた結晶が柱状構造の結晶であり、
配向性が(001)優先配向である
ことを特徴とする酸化ジルコニウム膜とPZT膜との積層体。 - 請求項1に記載の酸化ジルコニウム膜とPZT膜を、シリコン基板/酸化珪素膜/酸化ジルコニウム膜/PZT膜の積層構造中の酸化ジルコニウム膜とPZT膜として備えたことを特徴とする半導体装置。
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