JP3742447B2 - 電子源 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、一般的に電子放出表示装置に関し、更に特定すれば、新規な電子放出源に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電界放出素子(FED)は当技術では公知であり、画像表示装置を含む広い範囲の用途に一般的に用いられている。かかるFEDは、典型的に行および列に配列された導体のマトリクスを利用しており、これらを用いて、列導体に接続されているエミッタからの電子放出を刺激する。また、各エミッタと対応する列導体との間には、典型的にバラスト抵抗が直列に用いられている。かかるバラスト抵抗を形成する方法の1つは、基板上に抵抗層を被着することを含む。抵抗層上で、格子状導体構造の列導体を形成する。導体の格子状構造の交差部材間では、メッシュ状開口が抵抗層の部分を露出させる。エミッタは、抵抗層上のメッシュの中に位置付けられる。かかる格子状導体構造およびメッシュは、1993年3月16日にRobert Meyerに特許された米国特許第5,194,780号に記載されている。この引用した特許に記載されているように、各メッシュの中には、電子を放出するための約36個のエミッタから成るマトリクスが形成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
かかる従来技術のFEDの顕著な欠点は、導体から各エミッタまでの距離である。各メッシュの中では、電流が導体から抵抗性物質を通じてエミッタに流れる。各エミッタの導体からの距離にばらつきがあるため、導体と各エミッタとの間の抵抗も一定せず、結局各エミッタへの電流も変動することになる。場合によっては、内部のエミッタが導体から遠すぎて電子の放出に支障をきたすこともある。結果的に、エミッタおよび当該エミッタから放出される電子によって形成される対応画像を精度高く制御することは困難である。
【0004】
したがって、列導体からの距離にばらつきがなく、異なるバラスト抵抗値を有さず、異なる電流を放出しないエミッタで構成される電子源を有することが望ましい。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、表示素子において、多数のエミッタが蛇行状導体から等距離に位置付けられている。蛇行状導体(mander conductor)は、かかる等距離配置が容易にできるようなパターンに形成される。等距離に配置した結果、各エミッタのバラスト抵抗値がほぼ等しくなる。したがって、各エミッタは実質的に同じ電子密度で放出を行うので、本発明の電子源を用いた表示素子では、各エミッタの電子放出がほぼ同じとなる。加えて、分割導体を有する電子源を用いることにより、一方の導体が電気的に短絡し動作不能状態となっても、他方の導体によって画像の形成が可能となる。
【0006】
【実施例】
図1は、新規なバラスト抵抗構造を有する電界放出表示素子10の拡大断面部分を概略的に示す。素子10は基板11を含み、その上に素子10の他の部分が形成されている。基板11は、典型的に、例えば、誘電体層またはガラスを有するシリコンのような絶縁または半絶縁体である。好適実施例では、基板11はガラスである。抵抗層12が基板11の表面全体に形成されている。以降の記載でより明白になるが、新規な陰極導体パターンがその上に形成され、各エミッタに対して実質的に等しい抵抗値を有する新規なバラスト抵抗として、層12を利用し易くしている。この新規な陰極導体パターンは、導体ストリップ14と、層12上に第1蛇行導体部27を有する蛇行導体パターンとを含む。以下で更に明白になるが、図1は蛇行状導体パターンと導体ストリップ14の一部のみを示すに過ぎない。素子10は、層12上に陰極即ち電子エミッタ13も含む。電子エミッタ13を用いて電子を放出し、このエミッタ13から離れた所に配置された陽極18で電子を捕獲する。エミッタ18に対向する陽極13の表面には蛍光体が被覆されており、電子が陽極18に衝突すると画像即ち表示が生成される。誘電体層16を用いて、抽出格子即ちゲート17を、基板11、層12、導体ストリップ14、および部分27から電気的に絶縁する。
【0007】
図2は、図1に示した素子10の部分を概略的に示す、拡大斜視図である。図2の素子の内、図1と同一のものには同一参照番号が与えられている。素子10(図1)は、第1電子源20と第2電子源25とを含む複数の電子源を含む。電子源20,25は、それぞれ、抵抗層12上に破線の枠で示されている第1画素領域21および第2画素領域22の中に形成されている。単一画素領域を用いることもできるが、通常、領域21,22のように複数の画素領域を用いて、表示装置の個々の画素を照明する(illuminate)。典型的に、各画素領域は、素子10の各ゲート17の下にある層12の一部の上にある。導体ストリップ14が、層12の第1長縁23に沿って形成され、複数の電子源を列状に接続するために用いられる。この列を用いて電子源20,25に電圧を印加する。このように列導体を用いて電圧を印加することは、当業者にはよく知られていることである。画素領域21内の導体ストリップ14から横方向に突出するのは、第1蛇行パターン導体26である。第1蛇行パターン導体26は、複数のエミッタ34,36,37,38,41,42,43,44,46,47の配置が容易にできる形状に形成され、全てのエミッタが蛇行パターン導体26から同一距離に位置付けられる。即ち、各エミッタは導体26の最も近い部分から等距離にある。導体26は、全てのエミッタを導体26の最も近い部分から同一距離に配置し易いパターンであれば、様々なパターンの内どれを有してもよい。例えば、導体26は円状螺旋、矩形螺旋状パターン、正方形螺旋状パターンでもよい。
【0008】
好適実施例では、導体26を矩形螺旋状パターンとしているが、その理由は、この形状であれば、画素領域21内に最も高い密度でエミッタを形成するのが容易であるとの確信があることによる。本好適実施例では、矩形螺旋状パターンは、複数の直線部分33,32,31,29,27によって形成され、互いに直角に配置されて、矩形螺旋パターンを形成する。各部分に隣接して、各エミッタがそれぞれ導体26の対応する部分から同一距離となるように、エミッタが層12上に位置付けられる。例えば、複数のエミッタ34,36の各エミッタは、矢印で示されているように、部分27から距離48のところにある。更に、エミッタ37,38も部分29から距離48のところにあり、複数のエミッタ41,42は部分31から距離48のところにあり、複数のエミッタ43,44は部分33から距離48のところにあり、複数のエミッタ46,47は部分32および導体ストリップ14から距離48のところにそれぞれある。好適実施例では、距離48は蛇行導体とエミッタとの間のブレークダウンを防止するために、約5ないし20ミクロンとなっており、一方導体26の厚さは約10ミクロン未満である。
【0009】
電流は、部分27,29,31,32,33から層12を通じて各エミッタに流れる。各エミッタは導体26の対応する部分から同一距離のところにあるので、各エミッタの電流は、層12に用いた材料の同一長さだけ通過する。したがって、各エミッタのバラスト抵抗の値は実質的に同一となる。好適実施例では、厚さが約0.5ないし1.5ミクロンで、抵抗率がIX103ないしIX109ohm-cmのドープされたシリコンで形成されている。したがって、各エミッタは実質的に同一のバラスト抵抗を有するので、各エミッタを流れる電流量は実質的に同一であり、各エミッタによって形成される画像の強度も実質的に同一である。結果的に、各エミッタを導体26から等距離だけ離間させることによって、表示装置10(図1)の各画素に均一な表示パターンを容易に形成することができる。
【0010】
電子源25は第2画素領域22内に形成され、電子源20と同様である。領域22内には、導体26と同様の第2蛇行パターン導体56がある。導体56は、各部分33,32,31,29,27と同様の部分57を含む。複数のエミッタ58が部分57に沿って位置付けられ、各エミッタは導体56の各対応部分から実質的に等距離、例えば、距離48のところにある。
【0011】
図2は、単一の抵抗層12、単一のストリップ状導体14、および2本の導体26,56を図示するが、2本以上の蛇行パターン導体を導体ストリップ14によって相互接続してもよいことは理解されよう。加えて、素子10は複数の列を用いることもでき、この場合各列は抵抗層12、導体ストリップ14、複数の蛇行パターン導体26、およびこの蛇行パターン導体から等距離のところにある複数のエミッタを有する。
【0012】
図3は、分割された列導体パターンを有する電子源60の他の実施例を示す。図3の素子で図1と同じものには同じ参照番号を付してある。多くの場合、誘電体層16(図1)にピン・ホールがあると、その結果ゲート17と導体ストリップ14との間に電気的短絡回路が発生する。かかる短絡は、ゲート17とエミッタ13との間に電圧差が発生するのを妨げるので、素子10の特定の列が動作不能となる。以下の説明からわかるように、電子源60は、分割導体、2本の電気的に絶縁された導体、および電気的に絶縁された蛇行パターン導体を用い、電子源60の一方の部分が電気的に短絡したり、あるいは動作不能になっても、対向部分が付勢できるようにしている。
【0013】
電子源60は全体的に、破線の枠で示された画素領域61内に形成されている。表示には複数の画素領域61を用いて表示の単一の画素を照明することもできる。画素領域61の一方の縁に沿って導体ストリップ66が延びており、一方領域61の対向側の縁に沿って導体ストリップ67が延びている。典型的に、領域61は、ゲート17がストリップ66,67の上に位置するところに形成される。画素領域61内には、電気的に絶縁されている第1抵抗部分62と第2抵抗部分63とがある。部分62,63を設けるには、基板に連続抵抗層を被着し、次にこの抵抗層を介してエッチングを行い、別個の部分62,63を形成する。図3に示すように、ストリップ66は部分62の一方の側部に覆い被さっているので、ストリップ66は電気的に部分62に接触するが、部分63には電気的に接続されていない。同様に、ストリップ67は部分63の一方の側部に覆い被さっているので、ストリップ67は電気的に部分63に接続されているが、部分62には電気的に接続されていない。第1蛇行パターン導体68が部分62上に形成されストリップ66に電気的に接続されている。一方、第2蛇行パターン導体69が部分63上に形成され、ストリップ67に電気的に形成されている。導体68,69は、各々図2に示した導体26と同様である。加えて、電子源60は複数の第1エミッタ71を含み、各エミッタが導体68の対応部分から等距離となるように、部分62上に形成されている。同様に、複数のエミッタ72が部分63の上に形成され、各エミッタは導体69の対応する部分から等距離にある。結果的に、導体68とエミッタ71は、導体26とこの導体26を包囲するエミッタと同様に機能する。また、導体69とエミッタ72は、導体26とこの導体26を包囲する対応するエミッタと同様に機能する。距離64は部分62を部分63から分離し、部分62,63が電気的に短絡するのを防止する。好適実施例では、距離64は、部分62,63間のブレークダウンを防止するために、約1ないし3ミクロンとしている。ストリップ67、導体69およびエミッタ72はストリップ66、導体68およびエミッタ71から電気的に絶縁されているので、各部分は独立して機能する。したがって、ストリップ67とゲート17との間で短絡が起きても、エミッタ71は機能し続け、ストリップ66を通じて付勢することができる。このように、電子源60は、ゲート17と列導体との間に短絡が生じても、陽極18(図1)上に画像を形成する便宜を図るものである。
【0014】
図4は、図2に示した導体26と同様に機能する、蛇行パターン導体80の他の実施例の一部を示す拡大上面図(overhead view)である。図2と同じ参照番号を有する図4の素子は同じものである。導体80は、図2に示した部分33,32,31,29,27と同様に機能する、複数の櫛形即ち指状導体部分81を有する。エミッタ82は、対応する部分81から等距離となるように位置付けられている。
【0015】
以上の説明から、表示素子の電子源によって形成される画像を等しい強度(intensity)にする、新規な電子源が提供されたことが認められよう。蛇行パターン導体を用いることによって、各エミッタがこの蛇行導体から等距離となるようにエミッタを位置付けることができる。等距離に離間したので、各エミッタのバラスト抵抗はほぼ同一値を有するため、各エミッタは実質的に同じ電子密度で放出を行う。したがって、本発明の電子源を用いた表示素子では、各エミッタの電子放出がほぼ同じとなる。加えて、分割導体を有する電子源を用いることにより、一方の導体が電気的に短絡し動作不能状態となっても、画像の形成が可能となる。このように表示装置は常に使用可能であるので、表示装置の製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による表示装置の一部を示す拡大断面図。
【図2】本発明による電子源の一部を示す拡大斜視図。
【図3】本発明による電子源の別の実施例を示す図。
【図4】本発明による蛇行パターン導体の他の実施例を示す図。
【符号の説明】
10 電界放出表示素子
11 基板
12 抵抗層
13 電子エミッタ
14 導体ストリップ
16 誘電体層
17 ゲート
18 陽極
20,25 電子源
21,22 画素領域
27 蛇行導体部
26,56 蛇行パターン導体
34,36,37,38,41,42,43,44,46,4,71,72 エミッタ
60 電子源
61 画素領域
62,63 抵抗部分
66,67 ストリップ
68,69 導体
80 蛇行パターン導体
81 指状導体部分
82 エミッタ
Claims (3)
- 電子源であって:基板(11);前記基板上の抵抗層(12)であって、その一部が第1画素領域(20)を形成する前記抵抗層;前記抵抗層上の導体ストリップ(14)であって、前記抵抗層の第1辺(23)に隣接して位置付けられた前記導体ストリップ;前記抵抗層(12)上および前記第1画素領域(20)内の第1蛇行導体(26)であって、前記導体ストリップ(14)から突出している前記第1蛇行導体;および前記抵抗層上の複数の第1エミッタ(34,36,37,38,41,42,43,44,46,47)であって、各々前記第1蛇行導体(26)から実質的に等距離(48,49)にある前記複数の第1エミッタ;から成ることを特徴とする電子源。
- 電子源であって:基板(11);前記基板上の第1抵抗部分(62)であって、その一部が画素領域(61)を形成する前記第1抵抗部分;前記第1抵抗部分上の第1導体ストリップ(66)であって、前記第1抵抗部分の第1辺に隣接して位置付けられた前記第1導体ストリップ;前記抵抗部分上および前記画素領域内の第1蛇行導体(68)であって、前記第1導体ストリップから突出している前記第1蛇行導体;前記第1抵抗部分上の複数の第1エミッタ(71)であって、各々前記第1蛇行導体から実質的に等距離(48)にある前記複数の第1エミッタ;前記基板(11)上の第2抵抗部分(63)であって、前記第1抵抗部分(62)および前記第1導体ストリップ(66)から電気的に絶縁され、更に前記画素領域内にある前記第2抵抗部分;前記第2抵抗部分上の第2導体ストリップ(67)であって、前記第2抵抗部分(63)の1つの辺に隣接して位置付けられた前記第2導体ストリップ;前記第2抵抗部分上および前記画素領域内の第2蛇行導体(69)であって、前記第2導体ストリップから突出している前記第2蛇行導体;および前記第2抵抗部分上の複数の第2エミッタ(72)であって、各々前記第2蛇行導体から実質的に等距離(48)にある前記複数の第2エミッタ;から成ることを特徴とする電子源。
- 電子源を形成する方法であって:複数のエミッタ(58)を抵抗層(12)上に位置付ける段階であって、前記複数のエミッタの各エミッタを、前記抵抗層(12)上で蛇行導体(56)から実質的に等距離(48)に位置付け、前記導体(56)から前記複数のエミッタの各エミッタまで実質的に等しい抵抗を形成する段階;から成ることを特徴とする方法。
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