JP3738850B2 - アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 - Google Patents
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図1〜図6はデバイス転写技術の内容を説明するための図である。
図1に示すように、基板100上に分離層120を形成する。
基板100の材質としては、後述する薄膜デバイス層140の成膜プロセスに耐え得る材質であれば特に制限はないが、以下のような特性を有することとが好ましい。
分離層120は、物理的作用(光、熱など)、化学的作用(薬液との化学反応など)あるいは機械的作用(引っ張り力、振動など)のいずれか一つあるいは複数の作用を受けることで、その結合力が減少されあるいは消滅され、それによりこの分離層120を介して基板100の分離を促すものである。
このアモルファスシリコン中には、水素(H)が含有されていてもよい。この場合、Hの含有量は、2原子%以上程度であるのが好ましく、2〜20原子%程度であるのがより好ましい。このように、水素(H)が所定量含有されていると、光の照射によって水素が放出され、分離層120に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力となる。アモルファスシリコン中の水素(H)の含有量は、成膜条件、例えばCVDにおけるガス組成、ガス圧、ガス雰囲気、ガス流量、温度、基板温度、投入パワー等の条件を適宜設定することにより調整することができる。
酸化ケイ素としては、SiO、SiO2、Si3O2が挙げられ、ケイ酸化合物としては、例えばK2SiO3、Li2SiO3、CaSiO3、ZrSiO4、Na2SiO3が挙げられる。
D.窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス
E.有機高分子材料
有機高分子材料としては、−CH−、−CO−(ケトン)、−CONH−(アミド)、−NH−(イミド)、−COO−(エステル)、−N=N−(アゾ)、ーCH=N−(シフ)等の結合(光の照射によりこれらの結合が切断される)を有するもの、特に、これらの結合を多く有するものであればいかなるものでもよい。また、有機高分子材料は、構成式中に芳香族炭化水素(1または2以上のベンゼン環またはその縮合環)を有するものであってもよい。
金属としては、例えば、Al,Li,Ti,Mn,In,Sn,Y,La,Ce,Nd,Pr,Gd,Smまたはこれらのうちの少なくとも1種を含む合金が挙げられる。
次に、図2に示すように、分離層120上に、被転写層(薄膜デバイス層)140を形成する。
次に、図3に示すように、薄膜デバイス層140を、接着層160を介して転写体180に接合(接着)する。
次に、分離層120の結合力を減少または消滅させた後に基板100を離脱させ、転写体180に転写された薄膜デバイス層140を得る(図4〜図6参照)。
本実施の形態では、上述の薄膜デバイスの転写技術を用いて、図7,図8,図9に示されるような、アクティブマトリクス基板を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を作成する場合の製造プロセスの例について説明する。
図7に示すように、アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、バックライト400,偏光板420,アクティブマトリクス基板440,液晶460,対向基板480,偏光板500を具備する。
以下、図9の液晶表示装置の要部の製造プロセスについて、図10〜図14を参照して説明する。
図18,図19に、本発明の第2の実施の形態に係るデバイスの断面図が示される。
図20に、本発明の第3の実施の形態にかかる液晶表示装置の要部断面が示されている。
図31〜図38に本発明の第4の実施の形態にかかるデバイスの断面構造を示す。
図39〜図42に本発明の第5の実施の形態にかかるデバイスの断面構造が示される。
140 薄膜デバイス層、 160 接着層、 180 転写体、
1000 下地SiO2膜(中間層)、 1500,1600 絶縁膜、1610,1612 開口、1700 画素電極(ITOあるいは金属電極)、 1800 接着層、1900 転写体(プラスチック基板等)、
Claims (7)
- 基板上に薄膜トランジスタ及び前記薄膜トランジスタに接続された画素電極を有するアクティブマトリクス基板において、
前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁層と、
前記基板と前記絶縁層とを接着する接着層と、
を具備してなり、
前記絶縁層は、前記薄膜トランジスタが形成されていない位置であって、電圧印加領域と対応する位置に開口部を有し、前記薄膜トランジスタに接続された前記画素電極が前記開口部内に延在形成されると共に、前記開口部領域において露出した前記画素電極が前記電圧印加領域を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 請求項1に記載のアクティブマトリクス基板において、前記画素電極が露出している面以外の領域に、前記薄膜トランジスタの下地層として配置された中間層を更に含んでなり、前記中間層にも前記開口部が設けられてなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
- 請求項1に記載のアクティブマトリクス基板において、前記接着層上に形成され、導電性材料層からなる外部接続端子をさらに具備してなり、
前記絶縁層は、前記薄膜トランジスタが形成されていない位置であって、前記電圧印加領域と対応しない位置に他の開口部を有し、前記薄膜トランジスタに接続された前記外部接続端子が前記他の開口部内に延在形成されると共に、外部と接続される前記他の開口部領域においては前記外部接続端子が露出してなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 請求項2に記載のアクティブマトリクス基板において、前記接着層上に形成され、導電性材料層からなる外部接続端子を具備してなり、
前記絶縁層及び前記中間層は、前記薄膜トランジスタが形成されていない位置であって、前記電圧印加領域と対応しない位置に他の開口部を有し、前記薄膜トランジスタに接続された前記外部接続端子が前記他の開口部内に延在形成されると共に、外部と接続される前記他の開口部領域においては前記外部接続端子が露出してなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 請求項2又は4に記載のアクティブマトリクス基板において、前記中間層には、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを接続するコンタクトホールが設けられてなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
- 請求項3又は4に記載のアクティブマトリクス基板において、前記外部接続端子に接続されたドライバICを更に含んでなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板を具備し、露出された前記画素電極を覆って配向膜が形成されている液晶表示装置。
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