JP3733950B2 - Assembling method of semiconductor device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子のバンプ形成面の裏面に接着材により補強部材を接合して成る半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電子機器の基板などに実装される半導体装置は、ウェハ状態で回路パターン形成が行われた半導体素子にリードフレームのピンや金属バンプなどを接続するとともに樹脂などで封止するパッケージング工程を経て製造されている。最近の電子機器の小型化に伴って半導体装置の小型化も進み、中でも半導体素子を薄くする取り組みが活発に行われている。
【0003】
薄化された半導体素子は外力に対する強度が弱くハンドリング時のダメージを受けやすいことから、従来より薄化された半導体素子を用いた半導体装置は、半導体素子を補強のための樹脂層で封止する構造が一般的である。この樹脂層形成は、個片化された半導体素子に補強用の樹脂部材を個別に接着材によって接着する方法が用いられる。この接着方法として、液状の接着材を塗布する方法や予めテープ状に形成された接着材を用いる方法などが用いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら樹脂層形成に上述の方法を用いる場合には、従来より以下のような課題があった。まず液状の接着材を塗布する方法では、搭載された半導体素子が接着材の流動性によって移動することによる位置ずれが生じやすく、形状精度の確保が難しい。またこの位置ずれを防止するために予めテープ状に成型された接着材を用いる方法では、このような接着材の準備のためにコストアップを招くという問題点があった。
【0005】
そこで本発明は、薄化された半導体素子に形状不良を生じることなく安価なコストで補強部材を接着することができる半導体装置の組立方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の半導体装置の組立方法は、表面に複数の外部接続用端子が形成された半導体素子の裏面にこの半導体素子よりも剛性の高い構造体を樹脂によって接着した半導体装置の組立方法であって、前記構造体となる板状部材の半導体素子接着位置に高チキソ性を有する第1の樹脂を点状に供給する第1樹脂供給工程と、第1樹脂供給工程後の板状部材の半導体素子接着範囲に低チキソ性を有する第2の樹脂を塗布する第2樹脂塗布工程と、複数の半導体素子を前記半導体素子接着位置に整列状態で搭載して半導体素子の裏面側を前記第1の樹脂に接触させることにより半導体素子を板状部材に対して位置保持させる半導体素子搭載工程と、前記第1の樹脂および第2の樹脂を硬化させて前記半導体素子を板状部材に接着する樹脂硬化工程とを含む。
【0007】
本発明によれば、構造体となる板状部材に高チキソ性の第1の樹脂を点状に供給し、次いで定チキソ性の第2の樹脂を供給した後に半導体素子を搭載することにより、半導体素子の位置を第1の樹脂によって固定することができ、薄化された半導体素子に形状不良を生じることなく安価なコストで補強部材を接着することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1(a)は本発明の一実施の形態の半導体装置の斜視図、図1(b)は本発明の一実施の形態の半導体装置の部分断面図、図2、図3は本発明の一実施の形態の半導体装置の組立方法の工程説明図、図4は本発明の一実施の形態の半導体装置に用いられる板状部材の斜視図、図5は本発明の一実施の形態の半導体装置の組立に使用される電子部品搭載装置の斜視図、図6は本発明の一実施の形態の半導体装置の組立に使用されるダイシング装置の斜視図、図7は本発明の一実施の形態の半導体装置の組立に使用されるダイシング装置の部分断面図、図8(a)は本発明の一実施の形態の実装構造の断面図、図8(b)は本発明の一実施の形態の実装構造の部分断面図、図9(a)は本発明の一実施の形態の半導体装置の斜視図、図9(b)は本発明の一実施の形態の半導体装置の平面図である。
【0009】
まず図1を参照して、半導体装置について説明する。図1(a)、(b)において、半導体装置1は、半導体素子2の裏面に樹脂層5によってバンパ4(構造体)を接着した構成となっており、半導体素子2の表面の縁部に沿って形成された複数の外部接続用端子である電極2a上には、バンプ3が形成されている。
【0010】
ここで半導体素子2は機械研磨やエッチングなどの方法によって薄化処理が行われた後の状態である。一般に、半導体素子をバンプを介して基板に実装した状態では、半導体素子の厚み寸法が小さいほど実装後の接合信頼性が優れている。これは、半導体素子2と基板の熱応力の差に起因してバンプ3の接合部に応力が集中しようとしても、半導体素子2自体が厚さ方向に変形(撓み)を生じることで応力を分散するからである。このため、本実施の形態では、上述のように半導体素子2を薄化処理して厚みt1が10〜150μmの範囲となるように設定し、厚さ方向への変形(撓み)を可能としている。
【0011】
薄化処理は、半導体素子2の回路形成面の反対面を砥石等を用いた機械研磨によって粗加工を行い、ドライエッチングや薬液によるウェットエッチングで仕上げ加工を行う。機械研磨を行うと裏面に多数のマイクロクラックを有するダメージ層が形成される。このダメージ層は、半導体素子の抗折強度を低下させる要因となるものであるが、仕上げ加工によりこのダメージ層を除去して半導体素子2の抗折強度を高めることができる。
【0012】
バンパ4は、半導体装置1の搭載時などのハンドリングにおいて半導体装置1を安定して保持することを容易にするとともに、基板などへ実装された後の半導体装置1を外力から保護する機能を有するものである。したがってバンパ4は、金属やセラミックまたは樹脂などの構造材を、上記機能を満たすような形状、すなわち半導体素子2よりも高い剛性を有するような厚みt2で、半導体素子2の外形よりも大きい外形形状に加工したものが用いられる。
【0013】
ここで半導体素子2をバンパ4に接着する樹脂層5には、低弾性係数の変形しやすい材質の接着用樹脂が用いられており、半導体素子2の厚み方向への変形を許容した状態で半導体素子2をバンパ4に接着するようになっている。これにより、半導体装置1を基板に実装した状態において、基板の変形状態に応じて半導体素子2が追従変形するようになっている。本実施の形態では、樹脂層5を形成する樹脂として、後述するようにチキソ性が異なる2種類の樹脂を用いるようにしている。
【0014】
図1に示すように、樹脂層5は半導体素子2の全周にわたって4辺の端部からはみ出しており、はみ出した樹脂部5aは半導体素子2の側面2bに沿って這い上がり側面2bを部分的に覆うような形状となっている。この側面2bを覆う樹脂部5aは、半導体素子2の縁部を補強する補強部を形成している。
【0015】
半導体素子2の縁部には、半導体ウェハをダイシングして個片の半導体素子2に切り出す際に生じた微小なクラックがそのまま残留しやすく、このクラックから破損を生じる場合がある。側面2bを覆う樹脂部5aは、このような微小なクラックを含んだ半導体素子2の縁部を補強するとともに、後述するように半導体装置1を基板10に実装した状態において、基板と半導体素子2との熱変形の差によって発生する応力に起因して半導体素子2が過剰に変形するのを防止する機能を有する。
【0016】
次に図2、図3を参照して、半導体装置1の組立方法について説明する。図2(a)において、板状部材6は半導体装置1の一部を構成するバンパ4が切り離される前の中間部品である。図3に示すように、板状部材6の上面には、格子形状に突出した仕切部6aが設けられており、仕切部6aで囲まれる凹部6bは半導体素子2が接着される半導体素子接着位置となっている。仕切部6aは、後述するように凹部6b内に半導体素子2の接着用の樹脂を塗布する際に、樹脂が半導体接着位置を超えて周囲に広がるのを規制するダム部となっている。
【0017】
板状部材6の下面の仕切部6aに対応する位置には、溝部6cが形成されている。溝部6cは、厚み寸法t4の板状部材6の下面側から格子状の溝を切り込んで形成され、これにより上面からの厚み寸法t3がt4よりも小さい肉薄部となっている。この肉薄部は、板状部材6をバンパ4に切断分離する際の切断位置と一致している。
【0018】
次に図2(b)に示すように、板状部材6の各凹部6b内の半導体素子接着位置には、ディスペンサ7Aによって第1の樹脂5Aが吐出され、複数箇所に突形状の点状に供給される(第1樹脂供給工程)。第1の樹脂5Aは高チキソ性を有しており、流動性が低くディスペンサ7Aによって吐出された後においても流れ拡がることがなく、突形状がそのまま維持される。
【0019】
次いで、図2(c)に示すように、第1樹脂供給工程後の各凹部6b内の半導体素子接着位置には、第2の樹脂5Bがディスペンサ7Bによって吐出され、凹部6b内に塗布される(第2樹脂塗布工程)。第2の樹脂5Bは低チキソ性を有しており流動性に富むため、既に供給された第1の樹脂5Aの周囲を濡れ拡がって、各凹部6b内を満たす。この第2の樹脂5Bの塗布において、凹部6bの周囲にはダム部としての仕切部6aが設けられていることから、第2の樹脂5Bが半導体接着位置を超えて周囲に広がることが防止される。
【0020】
また第2樹脂塗布工程においては、塗布後に半導体素子2によって押し拡げられた第2の樹脂5Bが半導体素子2の端部から外側にはみ出した際に、前述のように半導体素子2の側面2bを覆うのに過不足がないような適正塗布量の第2の樹脂5Bがディスペンサ7から吐出される。
【0021】
この後、第2の樹脂5Bが塗布された板状部材6は半導体素子接着工程に送られる。この半導体素子接着工程では、図3(a)に示すように、半導体素子2を板状部材6の半導体素子接着位置に整列状態で搭載する(半導体素子搭載工程)。この半導体素子搭載工程において用いられる電子部品搭載装置について、図4を参照して説明する。図4において、部品供給テーブル11には半導体素子2が格子状に貼着された粘着シート12が装着されている。部品供給テーブル11の下方には、半導体素子剥離機構13が配設されており、半導体素子剥離機構13を半導体素子剥離機構駆動部14によって駆動することにより、エジェクタピン機構13aによって粘着シート12の下面を突き上げ、これにより半導体素子2を搭載ヘッド16によってピックアップする際に、半導体素子2が粘着シート12の上面から剥離される。
【0022】
部品供給テーブル11の側方には基板保持部15が配設されており、基板保持部15上には樹脂供給後の板状部材6が保持されている。部品供給テーブル11および基板保持部15の上方には、搭載ヘッド駆動部19によって駆動される搭載ヘッド16が配設されている。搭載ヘッド16は吸着ノズル8を備えており、粘着シート12から半導体素子2をピックアップし、基板保持部15上の板状部材6に搭載する。
【0023】
部品供給テーブル11の上方にはカメラ17が配設されており、カメラ17は粘着シート12に貼着された半導体素子2を撮像する。カメラ17によって撮像された画像を半導体素子認識部20で認識処理することにより、粘着シート12における半導体素子2の位置が認識される。位置認識結果は制御部21に送られるとともに、半導体素子剥離機構駆動部14に送られる。これにより、搭載ヘッド16による半導体素子2のピックアップ時には、吸着ノズル8およびエジェクタピン機構13aがピックアップ対象の半導体素子2に位置合わせされる。
【0024】
基板保持部15の上方にはカメラ18が配設されており、カメラ18は基板保持部15に保持された板状部材6を撮像する。カメラ18によって撮像された画像を搭載位置認識部22で認識処理することにより、板状部材6における半導体素子搭載位置が検出される。位置認識結果は制御部21に送られ、制御部21がこの位置認識結果に基づいて搭載ヘッド駆動部19を制御することにより、搭載ヘッド16による半導体素子2の搭載時には、吸着ノズル8に保持された半導体素子2が検出された搭載位置に位置合わせされる。
【0025】
この電子部品搭載装置によって半導体素子2を板状基板6に搭載する際には、図3(a)に示すように、半導体素子2のバンプ3が形成された表面側を吸着ノズル8によって吸着保持し、まず半導体素子2の裏面を点状に供給された第1の樹脂5Aの突部に接触させる。そしてさらに半導体素子2を下降させて、第2の樹脂5Bを半導体素子2の裏面によって押し拡げる。
【0026】
この樹脂押し拡げ動作において、樹脂5の塗布量に応じて吸着ノズル8による押し付け高さを調整することにより、各半導体素子2の縁部外側(矢印A参照)にはみ出した第2の樹脂5が、半導体素子2の側面2bを這い上がって側面2bを覆うようにする(図1(b)に示す樹脂5a参照)。このときダイシング時のダメージが残留しやすい半導体素子2の裏面側の端部が完全に覆われて補強されていれば、側面2bは完全に覆われていても、または部分的にのみ覆われていてもどちらでも良い。
【0027】
本実施の形態では、半導体素子2を1個づつ搭載ヘッド16で樹脂5に押し付けながら搭載するので、一括して搭載(貼り付け)する場合よりも搭載荷重(押し付け力)を小さくできる。よって電子部品搭載装置としては、ダイボンディング装置や、チップマウンター等を流用することができる。また、搭載後の半導体素子2は、高粘性の第1の樹脂5Aによって板状部材6に対して位置保持されることから、第2の樹脂5Bの流動による半導体素子2の位置ずれや高さ姿勢の変動が発生せず、半導体素子2の搭載時の状態をそのまま維持することができる。
【0028】
このようにして半導体素子2が搭載された板状部材6は加熱炉に送られる。そしてここで所定温度で加熱されることにより、図2(d)に示すように第1の樹脂5A、第2の樹脂5Bが熱硬化し、半導体素子2を板状部材6に接着する樹脂層5が形成される樹脂硬化工程)。このとき、各半導体素子2の縁部外側にはみ出した第2の樹脂5Bは、熱硬化の過程において一時的に粘度低下することにより表面張力によって半導体素子2の側面2bにさらに這い上がり、側面2bを覆った形状のまま硬化する。これにより、第2の樹脂5Bの硬化後において、図1(b)に示す補強部としての樹脂部5aが形成される。
【0029】
なお上記実施の形態では、半導体素子2の搭載後に板状部材6を加熱炉に送ることにより第1の樹脂5A、第2の樹脂5Bを熱硬化させるようにしているが、搭載ヘッド16として加熱手段を内蔵したものを用い、半導体素子2を搭載しながら加熱するようにしてもよい。
【0030】
搭載ヘッド16によって加熱する場合には、図2(d)に示す専用の加熱工程を省略してもよく、このようにすれば加熱炉を省略して設備の簡略化を図ることができるという利点がある。ただし、この場合には搭載ヘッド16のタクトタイムが熱硬化時間によって制約されるため、全体の生産性としては搭載工程と加熱工程を別々に行う場合よりも低下する。また、樹脂層5を形成するための樹脂種類として上記実施の形態では熱硬化性の樹脂を用いる例を示しているが、これに変えて熱可塑性の樹脂素材を用いるようにしてもよい。
【0031】
このようにして半導体素子2が接着された板状部材6は切断工程に送られ、ここで図2(e)に示すように、半導体素子2が接着された板状部材6を回転切断刃24aによって隣接する半導体素子2の間の切断位置で切断する(切断工程)。これにより、板状部材6が半導体素子2ごとのバンパ4に切断分離され、半導体装置1の組立が完成する。
【0032】
この切断工程について、図5,図6を参照して説明する。図5は、この切断に用いられるダイシング装置を示している。基板固定部23の上面には、半導体素子2が搭載され樹脂硬化が完了した板状部材6は基板固定部23上に載置される。基板固定部23の上方には、回転切断刃24aを備えた切断ヘッド24が配設されており、回転切断刃24aを回転させながら切断ヘッド24をX方向、Y方向に移動させることにより、板状部材6が溝部6cに一致した切断位置に沿って切断される。
【0033】
図6に示すように、基板固定部23の上面には板状部材6上の半導体素子2に対応した位置毎に吸引保持部25が設けられており、吸引保持部25の上面には吸引溝25aが形成されている。吸引溝25aは、基板固定部23の内部に設けられた吸引孔23aに連通しており、吸引孔23aはさらに真空吸引源26に接続されている。板状部材6の下面を吸引保持部25に当接させた状態で真空吸引源26を駆動することにより、板状部材6は吸引保持部25によって吸着保持され、これにより板状部材6の位置が固定される。
【0034】
そしてこのようにして位置が固定された板状部材6の仕切部6a上に回転切断刃24aを位置合わせし、回転切断刃24aを回転させながら下降させることにより、溝部6c内の肉薄部が切断される。このとき、隣接する半導体素子2間の間隔よりも刃幅が小さい回転切断刃24aを用いることにより、板状部材6は個片に分離された後のバンパ4が半導体素子2の端面からはみ出した形状で切断される。したがって、個片分離された半導体装置1においては、バンパ4の外形は半導体素子2の外形よりも大きくなる。
【0035】
またこの切断においては、予め下面に溝部6cが形成されていることから、回転切断刃24aによる切断代が小さくなっている。これにより切断工程における回転切断刃24aの必要下降量を極力小さくすることができ、切断刃下降時に刃先が基板固定部23に接触して破損する事故を防止することができる。
【0036】
次に上述の半導体装置1を基板に実装して成る電子部品実装構造について図7を参照して説明する。図7(a)に示すように、半導体装置1は基板10の上面に形成された電極10aにバンプ3を半田接合して接続することにより基板10に実装される。図7(b)は,バンプ3から外側に位置する半導体素子2の変形状態を示している。本実施の形態に示すような薄化された半導体素子2をバンプ3を介して基板10に接合した構造では、半導体素子2と基板10の熱変形の差によって発生する応力に起因して、バンプ3から外側の範囲は基板10側に大きく撓む傾向にある(破線で示す半導体素子2参照)。そしてこの変形に伴ってバンプ3の外側近傍の半導体素子2の下面には高いレベルの表面応力が生じ、半導体素子2を破損させる原因となる場合がある。
【0037】
これに対し、本実施の形態に示すように、半導体素子2の側面2bを覆う樹脂5aによって補強された半導体装置1を基板10に実装した場合には、最外周のバンプ3から外側の範囲における半導体素子2の下方への撓みは大幅に低減される。すなわち、樹脂部5aは半導体素子2の側面2bを覆って半導体素子2の過度の曲げ変形を防止するように作用する。そしてこの作用により、半導体素子2の下方への撓み変形が防止され、半導体素子2の曲げ変形による破損を防止することができる。
【0038】
なお、図8に示す半導体装置1Aのように、半導体素子2の縁部からはみ出した樹脂部5aの範囲を半導体素子2の対角線方向に限定し、樹脂部5aで半導体素子2の側面を覆う補強部を、半導体素子2の角部のみに形成するようにしてもよい。この場合には、図2(b)においてディスペンサ7Bによって第2の樹脂5Bを塗布する際に、図8(b)に示す範囲のみに第2の樹脂5Bを塗布するように、ディスペンサ7の塗布軌跡をX字状に設定するとともにディスペンサ7からの吐出量を制御する。このように補強部の形成範囲を半導体素子2の角部に限定することにより、半導体装置完成後の実装状態において最も破損が生じやすい角部を集中的に補強することができる。
【0039】
また本実施の形態では、第1樹脂供給工程と第2樹脂供給工程をディスペンサで行っているが、他の装置(例えばスクリーン印刷機)で行ってもよい。特にスクリーン印刷機を用いれば、ディスペンサに比べて生産性を向上させることができる。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、構造体となる板状部材に高チキソ性の第1の樹脂を点状に供給し、次いで定チキソ性の第2の樹脂を供給した後に半導体素子を搭載することにより、半導体素子の位置を第1の樹脂によって固定することができ、薄化された半導体素子に形状不良を生じることなく安価なコストで補強部材を接着することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の一実施の形態の半導体装置の斜視図
(b)本発明の一実施の形態の半導体装置の部分断面図
【図2】本発明の一実施の形態の半導体装置の組立方法の工程説明図
【図3】本発明の一実施の形態の半導体装置の組立方法の工程説明図
【図4】本発明の一実施の形態の半導体装置に用いられる板状部材の斜視図
【図5】本発明の一実施の形態の半導体装置の組立に使用される電子部品搭載装置の斜視図
【図6】本発明の一実施の形態の半導体装置の組立に使用されるダイシング装置の斜視図
【図7】本発明の一実施の形態の半導体装置の組立に使用されるダイシング装置の部分断面図
【図8】(a)本発明の一実施の形態の実装構造の断面図
(b)本発明の一実施の形態の実装構造の部分断面図
【図9】(a)本発明の一実施の形態の半導体装置の斜視図
(b)本発明の一実施の形態の半導体装置の平面図
【符号の説明】
1,1A 半導体装置
2 半導体素子
2a 電極
3 バンプ
4 バンパ
5 樹脂層
5A 第1の樹脂
5B 第2の樹脂
6 板状部材
6a 仕切部
6b 凹部
7A,7B ディスペンサ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device in which a reinforcing member is bonded to the back surface of a bump forming surface of a semiconductor element with an adhesive.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor device mounted on a substrate of an electronic device is manufactured through a packaging process in which a lead frame pin or a metal bump is connected to a semiconductor element on which a circuit pattern is formed in a wafer state and sealed with a resin or the like. Has been. Along with the recent miniaturization of electronic devices, the miniaturization of semiconductor devices is also progressing, and in particular, efforts to make semiconductor elements thinner are being actively carried out.
[0003]
Since a thinned semiconductor element is weak against external force and easily damaged during handling, a semiconductor device using a thinned semiconductor element is sealed with a resin layer for reinforcement. The structure is common. For this resin layer formation, a method in which a reinforcing resin member is individually bonded to an individual semiconductor element with an adhesive is used. As this adhesion method, a method of applying a liquid adhesive material, a method of using an adhesive material previously formed in a tape shape, or the like is used.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the above-described method is used for forming the resin layer, there have been the following problems. First, in the method of applying a liquid adhesive, misalignment due to movement of the mounted semiconductor element due to the fluidity of the adhesive is likely to occur, and it is difficult to ensure shape accuracy. In addition, in the method using an adhesive previously molded into a tape shape in order to prevent this positional deviation, there is a problem that the cost is increased due to the preparation of such an adhesive.
[0005]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for assembling a semiconductor device capable of bonding a reinforcing member at a low cost without causing a shape defect in a thinned semiconductor element.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The method for assembling a semiconductor device according to claim 1 is a method for assembling a semiconductor device in which a structure having rigidity higher than that of the semiconductor element is bonded to the back surface of the semiconductor element having a plurality of terminals for external connection formed on the front surface by a resin. A first resin supply step of supplying a first resin having a high thixotropy to the semiconductor element bonding position of the plate-like member serving as the structure in a dotted manner; and a plate-like member after the first resin supply step. A second resin application step of applying a second resin having low thixotropy in a semiconductor element adhesion range; and mounting a plurality of semiconductor elements in an aligned state at the semiconductor element adhesion position, and the rear surface side of the semiconductor element is the first A semiconductor element mounting step for holding the position of the semiconductor element with respect to the plate-like member by contacting the resin, and a resin for curing the first resin and the second resin to adhere the semiconductor element to the plate-like member Hardener Including the door.
[0007]
According to the present invention, by supplying a high thixotropic first resin to a plate-like member as a structure in a dotted manner, and then supplying a constant thixotropic second resin, a semiconductor element is mounted, The position of the semiconductor element can be fixed by the first resin, and the reinforcing member can be bonded at a low cost without causing a shape defect in the thinned semiconductor element.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A is a perspective view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 1B is a partial cross-sectional view of the semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. FIG. 4 is a perspective view of a plate member used in the semiconductor device according to the embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a semiconductor according to the embodiment of the present invention. 6 is a perspective view of an electronic component mounting apparatus used for assembling the apparatus, FIG. 6 is a perspective view of a dicing apparatus used for assembling a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is an embodiment of the present invention. FIG. 8A is a sectional view of a mounting structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a sectional view of the embodiment of the present invention. FIG. 9A is a perspective view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. It is a plan view of a semiconductor device of an embodiment of the present invention.
[0009]
First, a semiconductor device will be described with reference to FIG. 1A and 1B, the semiconductor device 1 has a configuration in which a bumper 4 (structure) is bonded to the back surface of the
[0010]
Here, the
[0011]
In the thinning process, the surface opposite to the circuit formation surface of the
[0012]
The
[0013]
Here, the
[0014]
As shown in FIG. 1, the
[0015]
At the edge of the
[0016]
Next, an assembling method of the semiconductor device 1 will be described with reference to FIGS. In FIG. 2A, the plate-
[0017]
A
[0018]
Next, as shown in FIG. 2 (b), the
[0019]
Next, as shown in FIG. 2C, the
[0020]
Further, in the second resin application step, when the
[0021]
Thereafter, the plate-
[0022]
A
[0023]
A
[0024]
A
[0025]
When the
[0026]
In this resin expansion operation, the
[0027]
In the present embodiment, since the
[0028]
Thus, the plate-
[0029]
In the above embodiment, the
[0030]
When heating by the mounting
[0031]
The plate-
[0032]
This cutting process will be described with reference to FIGS. FIG. 5 shows a dicing apparatus used for this cutting. On the upper surface of the
[0033]
As shown in FIG. 6,
[0034]
Then, the
[0035]
In this cutting, since the
[0036]
Next, an electronic component mounting structure formed by mounting the above-described semiconductor device 1 on a substrate will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 7A, the semiconductor device 1 is mounted on the
[0037]
On the other hand, as shown in the present embodiment, when the semiconductor device 1 reinforced by the
[0038]
Note that, as in the
[0039]
Moreover, in this Embodiment, although the 1st resin supply process and the 2nd resin supply process are performed with a dispenser, you may perform with another apparatus (for example, screen printing machine). In particular, if a screen printing machine is used, productivity can be improved as compared with a dispenser.
[0040]
【The invention's effect】
According to the present invention, by supplying a high thixotropic first resin to a plate-like member as a structure in a dotted manner, and then supplying a constant thixotropic second resin, a semiconductor element is mounted, The position of the semiconductor element can be fixed by the first resin, and the reinforcing member can be bonded at a low cost without causing a shape defect in the thinned semiconductor element.
[Brief description of the drawings]
1A is a perspective view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention; FIG. 1B is a partial cross-sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention; FIG. FIG. 3 is a process explanatory diagram of a semiconductor device assembly method according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram of a plate-like member used in a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a perspective view of an electronic component mounting apparatus used for assembling a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a dicing used for assembling a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a partial cross-sectional view of a dicing apparatus used for assembling a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 8A is a cross-sectional view of a mounting structure according to an embodiment of the present invention. (B) Partial cross-sectional view of a mounting structure according to an embodiment of the present invention. Plan view of a semiconductor device of an embodiment of a perspective view of a semiconductor device of the facilities in the form (b) The present invention Description of Reference Numerals]
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