JP3728334B2

JP3728334B2 - 新規トリプトファン誘導体およびその製造法

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Publication number: JP3728334B2
Application number: JP22317895A
Authority: JP
Inventors: 俊平榊原; 祐二西内
Original assignee: PEPTIDE INSTITUTE, INC.
Current assignee: PEPTIDE INSTITUTE, INC.
Priority date: 1995-08-31
Filing date: 1995-08-31
Publication date: 2005-12-21
Anticipated expiration: 2015-08-31
Also published as: JPH0967341A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規トリプトファン誘導体、さらに詳しくは、ヒト副甲状腺ホルモン（ＰＴＨ）や黄体刺激ホルモン分泌ホルモン（ＬＨ−ＲＨ）などのトリプトファン含有ペプチドまたはそれらの部分フラグメント等の合成原料として有用な後記一般式（１）で示される新規トリプトファン誘導体ならびにその塩およびその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ペプチドの合成に際しては、原料となるアミノ酸における反応に関与しないアミノ基やカルボキシル基を一時的に保護しておく必要があるが、トリプトファン含有ペプチドの合成に際し、そのトリプトファンのα−アミノ基の一時的保護基としてtert−ブトキシカルボニル基（以下、ＢＯＣ基と略す）を適用する場合、トリプトファン側鎖官能基であるインドール核の窒素にも保護基を導入しておく必要がある。それは、ペプチド合成の中間段階においてトリフルオロ酢酸やＨＣｌ／ジオキサン等を用いた脱ＢＯＣ基処理の際、ＢＯＣ基由来のカチオンによるインドール核のtert−ブチル化および使用した酸によるインドール核の２量化を避けるためである。この目的には、従来ホルミル基がトリプトファン側鎖保護基として用いられているが、このホルミル基を使用した場合、その最終脱保護条件には、炭酸水素アンモニウムや水酸化ナトリウム等の塩基処理を除けば、適当なチオール系スカベンジャー（例えばメルカプトエタノール）の存在下にＨＦ、メタンスルホン酸やトリフルオロメタンスルホン酸等の強酸処理が適用されている。ホルミル基の脱離には、その反応機構からチオールの添加が原理的に不可欠とされている。すなわち、ホルミル基をインドール核に導入したトリプトファンを用いてペプチドを合成した場合、最終的にその保護基を除去するためにチオール系スカベンジャーの使用は不可避である。しかし、これらのチオール系スカベンジャーは甚だしい悪臭を有しており、その悪臭の故に最終脱保護操作、それに続く精製段階にまで種々操作上の制約を受ける。また、ホルミル基以外の保護基として２,４,６−トリメトキシベンゼンスルホニル（Ｍｔｂ）基や４−メトキシ−２,３,６−トリメチルベンゼンスルホニル（Ｍｔｒ）基も知られているが、これらの保護基の場合にも、最終的にはチオール系スカベンジャーの使用を避けることはできない。
【０００３】
このようなＮ保護基として用い得ることが知られている既存の保護基のうちで唯一ベンジルオキシカルボニル（Ｚ）基およびそのベンゼン環にニトロ基やアルコキシ基等が置換した各種置換体が、チオール系スカベンジャーを添加することなく強酸処理で脱離し得ることが知られている。しかしながら、このＺ基またはその置換体は、ペプチド中間体の合成段階で反応性基の保護基を選択的に脱離させるためのトリフルオロ酢酸処理、ＨＣｌ／ジオキサン処理、さらにジイソプロピルエチルアミン、トリエチルアミン等の塩基処理に対して不安定であり、特に固相合成法での使用は不適合である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような事情にかんがみ、本発明者らは、一次構造中にトリプトファンを含有する各種ペプチド類およびそれらのフラグメントを固相法または液相法によって合成する際に用いられるトリプトファン、ことにＢＯＣ−トリプトファンの側鎖保護基、すなわちインドール核のＮ保護基として、ペプチド合成中間段階で用いられる種々の処理条件に安定で、かつ最終脱保護基の際の強酸処理時にチオール系スカベンジャーの添加を必要としないような保護基を見い出すべく種々研究を行った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らの研究によれば、特定のシクロアルキルオキシカルボニル基が前記の種々の要件を満たす優れた保護基であることを見い出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は次式
【化６】

（式中、ｎは０、１または２を表す）
で示されるトリプトファン誘導体およびその塩を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の新規トリプトファン誘導体（１）におけるインドール核上のＮ保護基であるシクロアルキルオキシカルボニル基としては、シクロペンチルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニルおよびシクロヘプチルオキシカルボニルが含まれるが、ペプチド合成途上でのＢＯＣ保護基の脱離のためのトルフルオロ酢酸処理、ＨＣｌ／ジオキサン処理などに対する高安定性および最終保護基脱離処理であるフッ化水素などの強酸処理の容易性などの観点からシクロヘキシルオキシカルボニルが最も好ましい。
本発明のトリプトファン誘導体の塩としては、ジシクロヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン等の塩が含まれる。
【０００７】
本発明のトリプトファン誘導体（１）およびその塩は、例えば下記反応工程式で示される方法によって合成することができる。
【化７】

（式中、ＢＯＣはｔ−ブトキシカルボニル基、Ｂｚｌはベンジル基、Ｐａｃはフェナシル基、ＴＢＡＨＳはテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムハイドロゲンスルホニウムを表し、ｎは０、１または２を表す）
【０００８】
上記反応工程式にしたがって本発明のトリプトファン誘導体（１）の製法を説明する。
（ａ）工程ａ
まず、ＢＯＣ−トリプトファン（ＢＯＣ−Ｔｒｐ）（２）を常法によりエステル化して、次式
【化８】

（式中、Ｒは低級アルキル、アラルキル、アシルアルキル等のエステル残基を表す）
で示されるＢＯＣ−トリプトファンエステル（２'）に導く。例えば、該化合物（２）にハロゲン化ベンジルやハロゲン化フェナシルなどのエステル化剤を作用させて、トリプトファンのカルボキシル基をエステル化する。この反応は、通常、炭酸セシウム、トリエチルアミン、ジエチルイソプロピルアミンなどの塩基の存在下に、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等の適当な有機溶媒中で、氷冷下または室温にて数〜十数時間撹拌下に行われる。生成するＢＯＣ−トリプトファンエステル体（３）または（４）を単離して次の反応に供する。
【０００９】
（ｂ）工程ｂ
一方、シクロアルキルアルコール（５）にホスゲンを反応させてシクロアルキルオキシカルボニルクロリド（６）を合成する。この反応は通常ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適当な有機溶媒中、室温〜加温下に数〜十数時間撹拌して行われる。
【００１０】
（ｃ）工程ｃ
上記工程ａで得られるＢＯＣ−トリプトファンエステル（３）または（４）に上記工程ｂで得られるシクロアルキルオキシカルボニルクロリド（６）を反応させて、それぞれＮⁱⁿ−シクロアルキルオキシカルボニル−ＢＯＣ−トリプトファンエステル（７）または（８）を得る。この反応は、通常、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラヒドロフラン等の有機溶媒中、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムハイドロゲンスルホニウム（ＴＢＡＨＳ）等の触媒および水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリの存在下に氷冷〜室温にて撹拌下に行われる。
【００１１】
（ｄ）工程ｄまたはｅ
上記の方法で得られた化合物（７）または（８）を常法により脱エルテル化して目的とするトリプトファン誘導体（１）に導く。
この脱エルテル化は、エステルの種類に応じて最も適した条件が採用される。例えば化合物（７）におけるようなベンジルエステルではＰｄ−ｃのような接触還元触媒の存在下水素添加する方法が採用され、また化合物（８）におけるようなフェナシルエステルでは亜鉛等の触媒の存在下酢酸を作用させる。これらの脱エステル化処理は、いずれも、当該ペプチド合成分野において公知の方法である。
【００１２】
【発明の効果】
本発明のトリプトファン誘導体はトリプトファン含有ペプチド類またはそのフラグメントの合成に有用な物質であり、それらペプチド類またはフラグメントの合成中間段階で行われる脱保護基処理、例えばトルフルオロ酢酸処理やＨＣｌ／ジオキサン処理などの際にも、トリプトファン側鎖保護基であるシクロアルキルオキシカルボニル基は安定に保持されており、しかも目的のペプチド類またはそれらのフラグメントから該シクロアルキルオキシカルボニル保護基を最終的に脱離させる強酸処理においてもチオール系スカベンジャーの存在なしに容易に除去することができる。すなわち、本発明のＮⁱⁿ−シクロアルキルオキシカルボニル−トリプトファンが結合されたペプチドを、フッ化水素、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の強酸で処理することにより容易にそのＮⁱⁿ−シクロアルキルオキシカルボニル基は脱離される。
【００１３】
【実施例】
次に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００１４】
実施例１
（ａ）Ｎ^α−ＢＯＣ−トリプトファンベンジルエステル（３）の合成（工程ａ）
Ｎ^α−ＢＯＣ−トリプトファン（２）（１５２.２ｇ、０.５ｍｏｌ）を含水エタノール（５００ｍｌ）に溶解し、炭酸セシウム（８９.６ｇ、０.２７５ｍｏｌ）を添加する。溶媒を留去し、残渣にトルエンを加え、フラッシュしたのち、ＤＭＦ（７００ｍｌ）に溶かし、氷冷撹拌下にベンジルブロミド（６２.３ｍｌ、０.５２５ｍｏｌ）を滴下する。終夜、室温で撹拌後、反応液を酢酸エチル（１０００ｍｌ）に注ぎ、水、５％炭酸水素ナトリウム水、水、Ｎ−塩酸、水、飽和食塩水で順次洗浄する。酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、酢酸エチルを減圧下に留去し、油状物を得る。これにヘキサンを加え結晶化し標記化合物（３）１７０.７ｇ（収率８６.５％）を得る。
【００１５】
（ｂ）シクロヘキシルオキシカルボニルクロリド（６）の合成（工程ｂ）
ベンゼン（１５０ｍｌ）に活性炭（５ｇ）を添加した後、ジホスゲン（１１９ｇ、０.６ｍｏｌ）を室温で滴下する。さらに室温で１時間撹拌した後、シクロヘキサノール（５）（１００ｇ、１.０ｍｏｌ）を滴下する。反応温度が３５℃に上昇し、塩化水素の放出が始まる。その反応液を室温で終夜撹拌し、窒素ガスを通じた後活性炭を濾去し、減圧下に塩化水素および過剰のホスゲンを除いて液状の標記化合物（６）１６２ｇを定量的に得る。
【００１６】
（ｃ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカルボニルトリプトファンベンジルエステル（７）の合成（工程ｃ）
上記工程ａで得られた化合物（３）（１.９７ｇ、５.０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１０ｍｌ）に、粉砕した水酸化ナトリウム（０.５ｇ、１２.５ｍｍｏｌ）およびテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムハイドロゲンスルホニウム（２０ｍｇ、０.０５ｍｍｏｌ）を加えて懸濁させ、氷冷撹拌下に工程ｂで得られた化合物（６）（１.３ｇ、７.５ｍｍｏｌ）を添加する。その混合物を３０分間撹拌した後、反応液を水、５％炭酸水素ナトリウム水、水、Ｎ−塩酸、水、飽和食塩水で順次洗浄する。ジクロロメタン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ジクロロメタンを減圧下に留去し、固体の標記化合物（７）２.４ｇ（収率９４％）を得る。
【００１７】
（ｄ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカルボニルトリプトファン（１）の合成（工程ｄ）
上記工程ｃで得られた化合物（７）（２.４ｇ、４.７ｍｏｌ）をエタノール（１０ｍｌ）に溶かし、これに５％パラジウム炭素（０.５ｇ）を触媒として水素ガスを通じる。３０分後触媒を濾去し、エタノールを留去し、得られる固体残渣を酢酸エチル／ヘキサンより再結晶して標記目的化合物（１）１.８ｇ（収率９１％）を得る。
元素分析値：Ｃ₂₃Ｈ₃₀Ｎ₂Ｏ₆として
計算値Ｃ，６４.１７；Ｈ，７.０２；Ｎ，６.５１％
実測値Ｃ，６４.０２；Ｈ，７.１９；Ｎ，６.６６％
【００１８】
実施例２
（ａ）Ｎ^α−ＢＯＣ−トリプトファンフェナシルエステル（４）の合成
Ｎ^α−ＢＯＣ−トリプトファン（２）（１０.０ｇ、３５ｍｍｏｌ）を含水エタノール（３０ｍｌ）に溶解し、炭酸セシウム（５.７０ｇ、１７.５ｍｍｏｌ）を添加する。溶媒を留去し、残渣にトルエンを加えフラッシュした後、ＤＭＦ（５０ｍｌ）に溶かし、氷冷撹拌下にフェナシルブロミド（７.３１ｇ、３６.８ｍｍｏｌ）を添加する。終夜、室温で撹拌する。反応液を酢酸エチル（１００ｍｌ）に注ぎ、水、５％炭酸水素ナトリウム水、水、Ｎ−塩酸、水、飽和食塩水で順次洗浄する。酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、酢酸エチルを減圧下に留去し、油状物を得る。これにヘキサンを加え結晶化し標記化合物１３.４ｇ（収率９１.０％）を得る。
（ｂ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカルボニルトリプトファンフェナシルエステル（８）の合成
前記実施例１（ｃ）の方法において、化合物（３）の代わりに上記（ａ）で得られた化合物（４）（２.１１ｇ、５.０ｍｍｏｌ）を用いて同様に処理して標記化合物（８）２.４６ｇ（収率９０％）を得る。
（ｃ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカルボニルトリプトファン（１）の合成（工程ｅ）
上記化合物（８）（２.４ｇ、４.４ｍｍｏｌ）を酢酸（１０ｍｌ）に溶かし、これに亜鉛粉末（１ｇ）を加える。反応液を４０℃に加温しながら撹拌する。３０分後触媒を瀘去し、酢酸を留去し、得られた油状残渣に０.１Ｎ−塩酸を加え析出した固体を瀘取する。水で洗浄した後乾燥し、この固体を酢酸エチル／ヘキサンより再結晶して標記目的化合物（１）１.６７ｇ（収率８８％）を得る。
【００１９】
実施例３
（ａ）シクロペンチルオキシカルボニルクロリドの合成
前記実施例１（ｂ）の方法において、シクロヘキサノールの代わりにシクロペンタノール（１７.２ｇ、０.２ｍｏｌ）を用いて同様に反応させて標記化合物を得る。
（ｂ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロペンチルオキシカルボニルトリプトファンベンジルエステルの合成
前記実施例１（ｃ）の方法において、シクロヘキシルオキシカルボニルクロリド（６）の代わりに上記（ａ）で得られたシクロペンチルオキシカルボニルクロリド（５.６ｇ、３８ｍｍｏｌ）を用いて同様に反応させて、標記化合物１０.２ｇ（収率７５.３％）を得る。
（ｃ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロペンチルオキシカルボニルトリプトファンの合成
前記実施例１（ｄ）の方法において、化合物（７）の代わりに、上記（ｂ）で得られたＮ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロペンチルオキシカルボニルトリプトファンベンジルエステルを用いて同様に処理して、標記化合物１.６ｇを得る。
融点：１５２−１５６℃
元素分析値：Ｃ₂₂Ｈ₂₈Ｎ₂Ｏ₆として
計算値Ｃ，６３.４５；Ｈ，６.７８；Ｎ，６.７３％
実測値Ｃ，６３.０５；Ｈ，６.９２；Ｎ，６.７０％
【００２０】
実施例４
（ａ）シクロヘプチルオキシカルボニルクロリドの合成
前記実施例１（ｂ）の方法において、シクロヘキサノールの代わりにシクロヘプタノール（２２.８ｇ、１０.２ｍｏｌ）を用いて同様に反応させて標記化合物を得る。
（ｂ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘプチルオキシカルボニルトリプトファンベンジルエステルの合成
前記実施例１（ｃ）の方法において、シクロヘキシルオキシカルボニルクロリド（６）の代わりに上記（ａ）で得られたシクロヘプチルオキシカルボニルクロリド（６.７ｇ、３８ｍｍｏｌ）を用いて同様に反応させて、標記化合物１０.０ｇ（収率７０.５％）を得る。
（ｃ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘプチルオキシカルボニルトリプトファンの合成
前記実施例１（ｄ）の方法において、化合物（７）の代わりに、上記（ｂ）で得られたＮ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘプチルオキシカルボニルトリプトファンベンジルエステルを用いて同様に処理して、標記化合物１.２ｇを得る。
融点：９０−９４℃
元素分析値：Ｃ₂₄Ｈ₃₂Ｎ₂Ｏ₆として
計算値Ｃ，６４.８５；Ｈ，７.２６；Ｎ，６.３０％
実測値Ｃ，６４.３３；Ｈ，７.２９；Ｎ，６.２５％
【００２１】
参考例１
次式

で示されるソマトスタチンの合成
（１）ＢＯＣ−Ｃｙｓ（ＭｅＢｚｌ）−メリフィールド樹脂への１３位Ｓｅｒの導入
１）脱保護および中和
ＢＯＣ−Ｃｙｓ（ＭｅＢｚｌ）−メリフィールド樹脂（０.５０２ｍｍｏｌ／ｇ）０.９９６ｇをジクロロメタン（ＤＣＭ）で洗浄する。この樹脂に、３０％トリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）溶液（溶媒：ＤＣＭ）１１ｍｌを加え、３分間撹拌後瀘過する。さらに５０％ＴＦＡ溶液（溶媒：ＤＣＭ）９ｍｌを加え、１６分間撹拌後瀘過して、ＢＯＣ基を脱離させ、得られた樹脂を、下記の溶媒で順次処理し、各々の処理後に瀘過する。
ジクロロメタン（ＤＭＣ）（５回、各３分）
５％ジイソプロピルエチルアミン／Ｎ−メチルピロリドン(ＤＩＥＡ/ＮＭＰ)（１回、各４分）
Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）（６回、各５分）
【００２２】
２）ＢＯＣ−Ｓｅｒ（Ｂｚｌ）−ＯＢｔ活性エステルの調製
ＢＯＣ−Ｓｅｒ（Ｂｚｌ）２ｍｍｏｌを、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３.４ｍｌに溶解後、これに１Ｍブタノール溶液（溶媒：ＮＭＰ）２ｍｌを加える。さらに１ＭＤＣＣ溶液（溶媒：ＮＭＰ）２ｍｌを加え、４０−５０分間反応させ、ブタノール活性エステルを生成させる。副生するジシクロヘキシルウレアを瀘別する。
【００２３】
３）縮合反応およびアセチルキャッピング
２）で調製したＢＯＣ−Ｓｅｒ（Ｂｚｌ）−ＯＢｔ活性エステルのＮＭＰ溶液を１）で調製したＣｙｓ（ＭｅＢｚｌ）−メリフィールド樹脂に加え、室温で３９分間反応させる。ジメチルスルホキシド／Ｎ−メチルピロリドン（ＤＭＳＯ／ＮＭＰ）混合溶媒（８０：２０）２.８ｍｌを加え、全体の溶媒比を１５％ＤＭＳＯ／８５％ＮＭＰとして１６分間反応を続ける。ジイソプロピルエチルアミン（ＤＩＥＡ）０.３３ｍｌ（３.８当量）を加え、さらに５分間反応させる。反応終了後、反応液を瀘去し、ＮＭＰ７ｍｌで洗浄する。次に、未反応のアミノ基をブロックする目的で、無水酢酸でアセチル化する。すなわち、５％ＤＩＥＡ／１０％無水酢酸溶液（溶媒：ＮＭＰ）１０ｍｌを加え、９分間反応し、得られた樹脂をＤＣＭ（４回、各２０秒）で洗浄し、各々の処理後に瀘過する。
【００２４】
（２）１２から１位の各アミノ酸の導入
（１）と同様にして、ＢＯＣ−Ｓｅｒ（Ｂｚｌ）−Ｃｙｓ（ＭｅＢｚｌ）−メリフィールド樹脂に、ソマトスタチンの１２位から１位までの各構成アミノ酸に対応する保護アミノ酸を順次カップリングさせる。１位のアミノ酸、Ｂｏｃ−Ａｌａ、導入後、この樹脂ペプチドに３０％ＴＦＡ溶液（溶媒：ＤＣＭ）１１ｍｌを加え、３分間撹拌後瀘過する。さらに５０％ＴＦＡ溶液（溶媒：ＤＣＭ）９ｍｌを加え、１６分間撹拌後瀘過して、ＢＯＣ基を脱離させ、得られた樹脂を、下記の溶媒で順次処理し、各々の処理後に瀘過する。
ＤＣＭ（５回、各３分）
５％ＤＩＥＡ／ＮＭＰ（１回、各４分）
ＮＭＰ（６回、各５分）
ＤＣＭ（４回、各２０秒）
次に、本樹脂ペプチドを１昼夜減圧乾燥して乾燥樹脂ペプチド２.０２６ｇ（収率９１％）を得る。
【００２５】
（３）ＨＦによる全保護基の除去および樹脂からのペプチドの切断
乾燥した樹脂ペプチドの一部（０.８９ｇ、０.２０ｍｍｏｌ相当）を秤量し、ＨＦ分解用反応容器（ダイフロン製）に入れ、アニソール１.５ｍｌを加える。撹拌子を入れた前記反応容器をＨＦ分解装置（ペプチド研究所製）に取り付け、ドライアイス−メタノール浴中に置き、ＨＦ８.５ｍｌを反応容器中に導入する。この混合物を食塩を添加した氷浴中において１時間、−５℃で撹拌する。減圧下にＨＦを留去し、２時間後、反応容器を取り外し、無水ジエチルエーテルを加えることによりペプチドを粉末化する。ペプチドおよび樹脂を瀘過し、無水ジエチルエーテルで洗浄する。５０％酢酸水（１０ｍｌ）で、脱保護されたペプチドを溶解し、この酢酸溶液を、塩交換の目的で予め酢酸型に置換したダウエックス１×２イオン交換樹脂カラムに通す。素通り画分に水を加えて酢酸濃度を約２Ｎに調製した後、凍結乾燥して還元型の粗ソマトスタチン３０４ｍｇ（収率９３％）を得る。
【００２６】
（４）合成ソマトスタチンの構造確認と純度検定
（３）で得られた還元型粗ソマトスタチンの溶液（１ｍｇ／１００μｌの５０％酢酸）の一定量を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により分析した。カラムはＹＭＣ−ＰａｃｋＯＤＳ−Ａ（ワイ・エム・シィ社製、φ４.６×１５０ｍｍ）を用い、溶離液はＡ液として０.１％ＴＡＦ／水、Ｂ液として０.１％ＴＡＦ／アセトニトリルを用い、アセトニトリル濃度１０％から６０％（Ｂ濃度が、１０％から６０％に相当）の直線勾配（３０分間）の条件下に溶出させた。溶出したピークを２２０ｎｍの吸収で検出した。分析に供した粗ペプチドの主ピークは１６.６分に溶出され、標品の還元型ソマトスタチンと完全に一致した。また上記（１）（２）において、Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカルボニルトリプトファンの代わりにＮ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−ホルミルトリプトファンを用いて同様に別途調製した樹脂ペプチドを、上記（３）においてＨＦ／アニソール（容量比８０：１５、１０ｍｌ）の代わりにＨＦ／ブタンジチオール／ｐ−クレゾール（容量比８０：１５：５、１０ｍｌ）を用いて同様に処理して得た還元型ソマトスタチンも、やはり１６.６分に溶出した。このときの純度（上記ＨＰＬＣでの分析で得られた全てのピーク面積の総和に占める１６.６分に溶出される主ピーク面積の割合）は、Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカルボニルトリプトファンを適用した合成の場合、４１％であり、一方Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−ホルミルトリプトファンを適用した場合、３９％であった。すなわち、インドール核のＮ保護基として、ペプチド中間段階で用いられる種々の処理条件に安定で、かつ最終脱保護基の強酸処理時にチオール系スカベンジャーの添加を必要としない保護基として、Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカルボニル基は前記要因を満たす保護基である。

Claims

下記式（１）

（式中、ｎは０、１または２を表す）
で示される新規トリプトファン誘導体またはその塩。
下記式（２'）

（式中、Ｒはエステル残基を表す）
で示されるＢＯＣ−トリプトファンエステルに、式（６）

（式中、ｎは０、１または２を表す）
で示されるシクロアルキルオキシカルボニルクロリドを反応させ、生成する次式

（式中、Ｒおよびｎは前記に同じ）
で示される化合物を脱エステル化することを特徴とする、式

（式中、ｎは前記に同じ）
で示される新規トリプトファン誘導体の製造法。