JP3726891B2

JP3726891B2 - Mounting structure of film carrier tape for mounting electronic components and manufacturing method of film carrier tape for mounting electronic components

Info

Publication number: JP3726891B2
Application number: JP2001310660A
Authority: JP
Inventors: 口裕井
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date: 2001-10-05
Filing date: 2001-10-05
Publication date: 2005-12-14
Anticipated expiration: 2021-10-05
Also published as: JP2003115511A

Description

【０００１】
【発明の分野】
本発明は異方導電性接着剤（異方導電性接着性フィルム(Anisotropic Conductive film)を含む）を用いて他の電子部品の端子、特に液晶の端子と電気的に接続される電子部品実装用フィルムキャリアテープおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
液晶素子の駆動にＴＡＢテープ（Tape Automated Bonding）、COＦ(Chip On Film)などの電子部品実装用フィルムキャリアに電子部品を実装し、このフィルムキャリアのアウターリードと、液晶素子に形成され入力用の端子とを異方導電性接着剤をテープ状にした異方導電性接着テープによって電気的に接続する方法が採用されている。ここで使用される異方導電性接着剤は、熱硬化性又は熱可塑性樹脂中に導電性粒子が分散された接着剤であり、ここで使用される導電性粒子としては、直径３μｍ程度の粒子径の小さい金属粒子を使用したものもあるが、通常直径５μｍ程度の金属粒子が使用されることが多い。そして、フィルムキャリアのアウターリードと液晶素子のリードとを異方導電性接着剤を介して加熱圧着することにより、リード間に挟持された導電性粒子によって電気的に接続される。
【０００３】
従来は、上記のような電子部品実装用フィルムキャリアテープの配線パターンは、例えば平均厚さ１８μｍ程度の導電性金属箔などを用いて形成されており、このような導電性金属箔を用いることにより５０μｍピッチのアウターリードが形成されていたが、この導電性金属箔として厚さが１２μｍを使用して４０μｍピッチのアウターリードが形成され、さらに最近では、導電性金属箔の厚さが８μｍのものが使用され、このような導電性金属を用いることにより３０μｍピッチのアウターリードが形成されている。特に、８μｍ厚の導電性金属箔を使用してＣＯＦを製造すると、製造プロセス中のライトエッチング処理などによって、最終的に形成されるアウターリードの厚さは平均値で６μｍ前後になり、その条件によってはこのリードの厚さが５μｍ程度になることもある。
【０００４】
このように形成するアウターリードの厚さが異方導電性接着剤フィルムに含有されている導電性粒子の粒子径と同等か、それよりも薄くなると、隣接するリードとの間における絶縁性が損なわれ、短絡が形成されることが多くなる。即ち、異方導電性接着剤を用いた場合、接着の際の加熱によって接着剤が流動性を有するようになり、この接着剤と共に余剰の導電性粒子が流去されることにより、隣接するリード間では絶縁性が維持される。一方、フィルムキャリアのアウターリードとこれに対峙する液晶素子の入力用リードとの間には導電性粒子が挟持されて両リードを電気接続すると共に、このような導電性粒子を分散している接着剤が両者を強固に接着する。従って、電気的に接続されるリード部分にはより多くの導電性粒子が存在することが好ましく、他方、横方向に隣接するリード間は絶縁性が必要であるから、この部分に存在する導電性粒子の数は少ないことが好ましい。
【０００５】
ところが、フィルムキャリアのリードの厚さが、異方導電性接着剤中に含有される導電性粒子径と同等か、それよりも薄くなると、加熱圧着時に導電性粒子が流動しにくくなり、横方向に隣接するリード間を導電性粒子が移動しにくくなり、時として堰き止められた導電性粒子によってリードの横方向に短絡を形成するのである。
なお、特開平2-39557号公報には、「接続すべき半導体素子の配置領域を開口させ、複数のインナーリードを該開口部の内側まで延出させると共に各インナーリードの先端から中央付近に亘る裏面側を他の部分より薄くしたことを特徴とするリードフレーム。」が開示されている。
【０００６】
また、特開平2-154441号公報には、「帯び状の樹脂フィルムの両側面に送り出しスプロケット穴が形成されているとともに中央に半導体チップを挿入する四角形状の穴と、この穴の周囲の電極パッドから伸び前記半導体チップの電極パッドと接触する複数のリードとを有するフィルムキャリアテープにおいて、前記リードの前記半導体チップの電極パッドに接続される先端の厚さが他のリードの領域の厚さよりも薄く形成されていることを特徴とするフィルムキャリアテープ。」が開示されている。
【０００７】
これらのリードフレームあるいはフィルムキャリアテープでは、デバイスホールなどを製造する際に等方的なエッチングが進行してもインナーリードの先端ピッチおよび形状を細線化するため、あるいは、多ピン化につれて導電性金属箔が薄くなっても良好に電子部品を搭載し接続配線できると共に電気抵抗の増加およびリード変形を起こさないために、デバイスホール内のリードの厚さを一定以下にしているのであり、これらの公報にはファインピッチ化されたＣＯＦ（Chip on Film）等において、アウターリードと液晶素子からのリードとを異方導電接着させる際に横方向の短絡を防止するために、アウターリードの厚さを異方導電性接着剤中に含有される導電性粒子との関連性において一定以上に厚くするという技術的思想は存在しない。
【０００８】
【発明の目的】
本発明は、異方導電性接着剤を用いて他の電子部品の端子と電気的に接続される電子部品実装用フィルムキャリアテープの実装構造および電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法を提供することを目的としている。
さらに詳しくは本発明は、異方導電性接着剤を用いた接続の際に、横方向の端子間で短絡が発生しにくい電子部品実装用フィルムキャリアテープの実装構造および電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【発明の概要】
本発明は、絶縁フィルムの表面に導電性金属からなる配線パターンが形成され、該配線パターンは、電子部品を実装するインナーリードと、該インナーリードと配線パターンを介して電気的に接続して外部に配置される外部電子部品に接続するアウターリードと、インナーリードに実装された電子部品とを有し、該電子部品実装用フィルムキャリアテープに形成されたアウターリードを、外部に配置された外部電子部品と、異方導電性接着剤を用いて接続してなる電子部品実装用フィルムキャリアテープの実装構造であり、
該電子部品実装用フィルムキャリアテープに形成されたアウターリードが、インナーリードを含む配線パターンのアウターリード以外の部分よりも厚く形成されていると共に、該アウターリードの厚さが、該フィルムキャリアと外部電子部品とを異方導電接着している異方導電性接着剤中に含有される導電性粒子の平均粒子径よりも厚いことを特徴とする異方導電性樹脂で外部電子部品と電気的に接続した電子部品実装用フィルムキャリアテープの実装構造にある。
【００１０】
また、本発明の実装構造において用いられる電子部品実装用フィルムキャリアテープは、絶縁フィルムの表面に導電性金属からなる配線パターンが形成され、該配線パターンは、電子部品を実装するインナーリードと、該インナーリードと電気的に接続して外部に配置される外部電子部品に接続するアウターリードと、インナーリードに実装された電子部品とを有し、該電子部品実装用フィルムキャリアテープのアウターリードを、外部に配置される外部電子部品と、異方導電性接着剤を用いて接続する電子部品実装用フィルムキャリアテープの実装構造を形成する電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造する方法であって、
（Ｓ）絶縁フィルムに導電性金属箔が積層された基材フィルムの導電性金属箔表面のインナーリード形成予定部をハーフエッチングした後、該導電性金属箔表面にフォトレジストからなる所望のパターンを形成し、該パターンをマスキング剤として該導電性金属箔をエッチングして配線パターンを形成して、アウターリードがインナーリードよりも厚い電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造する方法（以下、この方法に関連した方法を「サブトラクティブ法」と記載することもある）、
あるいは、
（Ａ）絶縁フィルムに導電性金属箔が積層された基材フィルムの導電性金属箔表面のアウターリード形成予定部以外の部分をマスキングした後、該基材フィルムのマスキングされていない導電性金属箔の表面にメッキ層を形成した後、該導電性金属箔表面にフォトレジストからなる所望のパターンを形成し、該パターンをマスキング剤として該導電性金属箔をエッチングして配線パターンを形成して、アウターリードがインナーリードよりも厚い電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造する方法（以下、この方法に関連した方法を「アディティブ法」と記載することもある）により得ることができる。
【００１１】
上記（Ｓ）の方法（サブトラクティブ法）は、さらに別の態様として、ハーフエッチングを、導電性金属箔の非エッチング部に導体厚差形成用エッチングレジストを塗布して行う方法、ハーフエッチングをする部分に接触するエッチング液の量をエッチングをしない部分と接触するエッチング液との量よりも多くして行う方法、あるいは、エッチングをしない部分を保護するようにエッチング剤の遮蔽部材を配置したハーフエッチング装置を用いて行う方法により実施することができる。
【００１２】
また、上記（Ａ）の方法（アディティブ法）は、さらに別の態様として、アウターリード形成部以外の部分におけるメッキ液の接触量がアウターリード形成部におけるメッキ液との接触量よりも少なくなるように遮蔽部材を用いてメッキ層を形成することを特徴とする方法、あるいは、アウターリード形成部を中心にメッキするようにメッキ液の接触量を制御可能な差厚メッキ装置を用いてアウターリード形成部の導電性金属の厚さを厚くする方法により実施することができる。
【００１３】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、アウターリードの厚さが、インナーリードの厚さよりも厚く形成されている。このようにアウターリードをインナーリードよりも厚く形成することにより、余剰の導電性粒子が堰き止められることがなく、従って、リードの横方向において短絡の発生を低減することができる。
【００１４】
【発明の具体的説明】
次の本発明の異方導電性樹脂で外部電子部品と電気的に接続する電子部品実装用フィルムキャリアテープの実装構造および電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法について具体的に説明する。
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０は、図１および２に示すように、主として液晶素子を駆動させるための電子部品を搭載するフィルムキャリアであり、液晶素子からのリード４１（液晶素子側の端子）と異方導電接着するアウターリード２１の厚さを異方導電性接着剤中に分散している導電性粒子の粒子径との関連において他の部分よりも厚く形成しているのである。従って、このアウターリード２１の厚さを厚くしているのであって、インナーリード２２の厚さとの関係からアウターリード２１を厚く形成しているのではない。
【００１５】
以下、本発明を図面に示された例を参照して説明する。
図１および図２には、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０には、絶縁フィルム１４に導電性金属箔１２が積層された基材フィルム１３の絶縁フィルムから形成された配線パターン１６のインナーリード２２に電子部品が実装された状態が示されている。
【００１６】
本発明で使用される絶縁フィルム１４は、エッチングする際に酸などと接触することから、こうした薬品に侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の加熱によっても変質しないような耐熱性を有していることが望ましい。この絶縁フィルム１４を形成する素材の例としては、ポリエステル、ポリアミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特に本発明では、ポリイミドからなるフィルムを用いることが好ましい。
【００１７】
このポリイミド樹脂の例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを挙げることができる。
本発明で使用可能な絶縁フィルム１４の厚さは、通常は１２．５〜１２５μm、好ましくは２５〜７５μmの範囲内にある。このような絶縁フィルム１４は、可撓性を有している。このような絶縁フィルムには、スプロケットホール、必要により折り曲げ用のスリットなどの必要な貫通孔を形成することができる。このような貫通孔は、パンチング装置、レーザー穴あけ装置など用いて形成することができる。
【００１８】
上記の絶縁フィルム１４の少なくとも一方の表面には導電性金属層１５が積層される。導電性金属層１５は、導電性を有する金属からなる層であり、具体的には、導電性を有する金属層の例としては、銅箔、アルミニウム箔などを挙げることができる。ここで使用される銅箔には、電解銅箔と圧延銅箔とがあるが、エッチング特性、操作性などを考慮すると電解銅箔を使用することが好ましい。
また、絶縁フィルム上にめっきにより導電性金属層を形成することもある。
【００１９】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープをサブトラクティブ法で製造する場合には、インナーリードを形成する部分の導電性金属層をハーフエッチングすることにより、結果としてアウターリードの厚さを他の部分よりも厚くするので比較的厚い導電性金属層を使用する。例えば電解銅箔を使用する場合には、通常は５〜７０μｍ、好ましくは９〜３５μmの範囲内にある金属箔を使用することができる。
【００２０】
他方、アディティブ法で製造する場合には、アウターリードを形成する部分の導電性金属層の厚さはメッキ法により厚くなるので比較的薄い導電性金属層を使用することができる。例えば電解銅箔を使用する場合には、通常は３〜３５μｍ、好ましくは６〜２５μmの範囲内にある金属箔を使用することができる。
なお、配線パターン１６を形成する導電性金属層は、通常は絶縁フィルム１４の一方の面に積層されるが、この導電性金属層は接着層（図示なし）を介して絶縁フィルム１４の表面に積層することもできるし、こうした接着層（図示なし）を介することなく積層することもできる。また、このような導電性金属層１５は、絶縁フィルム１４の一方の面に配置してもよいし、両面に配置してもよい。
【００２１】
サブトラクティブ法により本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造する場合、例えば、図４に示すように、アウターリード形成予定部３７にハーフエッチング用マスキング剤３５を塗布して、アウターリード形成予定部３７の導電性金属層１５がエッチング液と接触しないように保護しながら、他の部分の導電性金属層をハーフエッチングして余剰の導電性金属層３６を溶出除去する。図４においてはこの溶出除去される余剰の導電性金属層３６は破線で示されている。また、アディティブ法により本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造する場合、例えば、図１および図３に示すように、アウターリード２１には、電気メッキなどにより金属をメッキして新たな金属層21aを形成する。ここで使用する導電性金属層１５としては、通常液晶素子駆動用の電子部品を実装するために使用されるフィルムキャリアを形成する際に使用される導電性金属層と同等の厚さを有するものを使用することができる。
【００２２】
サブトラクティブ法あるいはアディティブ法のいずれの方法を採用する場合であっても、導電性金属層１５は、絶縁フィルム１４上に、接着剤（図示なし）を用いて、あるいは、こうした接着剤を介することなく積層する。このように絶縁フィルム１４の表面に導電性金属層１５が配置された積層体を本発明では基材フィルム１３と記載することもある。
【００２３】
サブトラクティブ法によりアウターリード形成部の厚さを他の部分よりも厚くする方法についてさらに詳細に説明する。この方法には以下に示す（Ｓ-1）〜（Ｓ-3）の方法がある。
（Ｓ-1）上記のように基材フィルム１３にある導電性金属層のアウターリード形成部の表面に、導体厚差形成エッチングレジストを塗布し、このレジストをマスキング材にして導電性金属層をハーフエッチングしてこの導体厚差形成エッチングレジストからなるマスキング材により保護されていない部分の導電性金属層を所定厚さになるまでエッチングする。次いで、この導体厚差形成エッチングレジストを除去して、導電性金属層の表面のフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを所望のパターンに露光して現像し、フォトレジストからなる所定のパターンを形成する。こうして形成されたフォトレジストからなるパターンをマスキング材として導電性金属層をエッチングして導電性金属からなる所望の配線パターンを形成する。こうして導電性金属からなる配線パターンが形成された後、マスキング材として使用されたフォトレジストを除去することにより、アウターリード部が他の部分よりも厚い配線パターンを形成することができる。
【００２４】
（Ｓ-2）ハーフエッチングをする部分に接触するエッチング液の量をエッチングをしない部分と接触するエッチング液の量よりも多くなるように、基材フィルムのアウターリード形成予定部にシール部材等を当接し、この部分へのエッチング液を侵入量を制限して、アウターリード形成予定部の導電性金属がエッチングされないようにして導電性金属層をハーフエッチングする。この場合、シール部材としては合成樹脂などで形成された邪魔板などを用いることができる。導電性金属層のアウターリード形成予定部がこの邪魔板と接触するようにしてエッチングすることにより、この邪魔板と接触する部分はエッチング量が小さくなる。しかしながら、邪魔板の縁部付近の導電性金属層は、奥まった部分よりも多くのエッチング液と接触するので、エッチングされないアウターリード形成予定部とハーフエッチングされた部分の境界部分では、その厚さがなだらかに変化する。次いで、導電性金属層の表面のフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを所望のパターンに露光して現像し、フォトレジストからなる所定のパターンを形成する。こうして形成されたフォトレジストからなるパターンをマスキング材として導電性金属層をエッチングして導電性金属からなる所望の配線パターンを形成する。こうして導電性金属からなる配線パターンが形成された後、マスキング材として使用されたフォトレジストを除去することにより、アウターリード部が他の部分よりも厚い配線パターンを形成することができる。
【００２５】
（Ｓ-3）基材フィルムをハーフエッチングする装置にエッチング液を噴霧するノズルを配置し、ハーフエッチングする部分に多量のエッチング液が噴霧されるようにノズルを偏在して配置し、アウターリード形成予定部のエッチング量を少なくし、他の部分のエッチング量を大きくすることにより、アウターリード形成予定部の導電性金属の厚さを他の部分よりも厚くすることができる。次いで、導電性金属層の表面のフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを所望のパターンに露光して現像し、フォトレジストからなる所定のパターンを形成する。こうして形成されたフォトレジストからなるパターンをマスキング材として導電性金属層をエッチングして導電性金属からなる所望の配線パターンを形成する。こうして導電性金属からなる配線パターンが形成された後、マスキング材として使用されたフォトレジストを除去することにより、アウターリード部が他の部分よりも厚い配線パターンを形成することができる。
【００２６】
次に、アディティブ法によりアウターリード形成予定部の厚さを他の部分よりも厚くする方法について説明する。この方法には以下に示す（Ａ-１）〜（Ａ-3）の方法がある。
(A-１)図３に示すように、基材フィルム１３の導電性金属層１５の表面に、アウターリード形成予定部を残して導体厚差形成用メッキレジスト２５を形成し、このメッキレジスト２５の開口部に導電性金属２１ａを所定の厚さのメッキ層を形成する。次いで、このメッキレジスト２５を除去し、代わりにフォトレジストを塗布し、所望の配線パターンを露光現像してこのフォトレジストからなるパターンを形成し、このパターンをマスキング材として導電性金属層をエッチングして導電性金属からなる配線パターンを形成する。上記のようにして形成されたアウターリードは、図１に示すように、アウターリードの厚さが他の部分よりも厚い配線パターンを形成することができる。
【００２７】
（Ａ-2）アウターリード形成予定部以外の部分がメッキ液と接触しにくくするシール部材を備えたメッキ装置を用いて、アウターリード形成予定部に導電性金属を所望の厚さでメッキする。即ち、アウターリード形成予定部にメッキ液が良好に接触し、他の部分にはメッキ液が接触しにくいように、シール部材を配置してメッキすることにより、シール部材が配置されていないアウターリード形成予定部には所定厚さのメッキ層を形成することができるが、シール部材が配置された部分にはメッキ液が円滑に供給されにくいので、このシール部材が配置された部分にはほとんどメッキ層は形成されない。この場合、シール部材としては合成樹脂などで形成された邪魔板などを用いることができる。導電性金属層のアウターリード形成予定部がこの邪魔板と接触しないようにしてメッキ層を形成することにより、この邪魔板と接触する部分はメッキ層が形成されにくく、他方、シール部材が配置されていないアウターリード形成予定部には所定の厚さのメッキ層を形成することができ、こうして形成されたメッキ層は基材フィルムを形成する導電性金属層と一体となってアウターリード形成予定部を形成する。こうしてアウターリード形成予定部を厚く形成した後、基材フィルムの表面にフォトレジストを塗布し、所望のパターンに露光・現像し、このフォトレジストからなるパターンをマスキング材として導電性金属層をエッチングして所望のパターンの配線パターンを形成する。こうして導電性金属からなる配線パターンが形成された後、マスキング材として使用されたフォトレジストを除去することにより、アウターリード部が他の部分よりも厚い配線パターンを形成することができる。
【００２８】
（Ａ-3）基材フィルムのアウターリード形成予定部を中心にメッキ層が選択的に形成されるようにメッキ液の接触量を制御可能な差厚メッキ装置を用いてアウターリード形成予定部の所定の厚さのメッキ層を形成する。こうしてアウターリード形成予定部に形成されたメッキ層は基材フィルムを構成する導電性金属層と一体化する。次いで、上記のようにアウターリード形成予定部の金属箔が厚くされた導電性金属層の表面にフォトレジストを塗布し、所望のパターンに露光・現像し、このフォトレジストからなるパターンをマスキング材として導電性金属層をエッチングして所望のパターンの配線パターンを形成する。こうして導電性金属からなる配線パターンが形成された後、マスキング材として使用されたフォトレジストを除去することにより、アウターリード部が他の部分よりも厚い配線パターンを形成することができる。
【００２９】
上記のようにして絶縁フィルム１４の表面に導電性金属層１５からなる配線パターン１６を形成することができる。そして、こうして形成された配線パターンは、インナーリード２２の厚さよりもアウターリード２１の厚さが厚い配線パターン１６が形成される。
このようにして形成された配線パターン１６の表面には接続端子部分を露出させて通常はソルダーレジストを塗布する。このソルダーレジストは、形成された配線パターンを保護するためのものであり、通常は熱硬化性樹脂から形成されている。
【００３０】
さらに、このようにソルダーレジスト塗布して硬化させた後、通常は、ソルダーレジストから露出しているリードの表面をメッキ処理する。ここで形成されるメッキ層としては、スズメッキ、ニッケルメッキ、はんだメッキ、ニッケル-金メッキ、金メッキなどを挙げることができる。
こうして形成された配線パターン１６のインナーリードに電子部品３０に形成されているバンプ電極３１とインナーリード２２とを電気的に接続する。こうして電子部品を実装した後、この電子部品３０を封止樹脂（図示なし）で封止する。
【００３１】
一方、アウターリード２１を、液晶素子の基板４０に敷設された端子４１と異方導電性接着剤を介して対峙させる。ここで使用される異方導電性接着剤には、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂中に導電性粒子が分散されており、加熱下に加圧することにより、フィルムキャリアに形成されているアウターリード２１と液晶素子の基板４０に形成された端子４１との間に導電性粒子が挟持されることにより、液晶素子用のフィルムキャリアのアウターリード２１と液晶素子の基板４０に形成されている端子４１とが電気的に接続される。他方、リードおよび端子が形成されていない部分には端子部分で余剰になった接着剤および導電性粒子が流れ出す。この異方導電性接着剤に含有される導電性粒子は、通常３〜８μｍ程度である。図５において、接着剤は４２で表わされており、導電性粒子は４３で表わされている。本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいて、アウターリード２１は、インナーリード２２など他の配線パターンよりも厚く形成されている。即ち、このアウターリード２１が薄いと異方導電性接着剤中に含まれる導電性粒子４２の加熱圧着の際にアウターリード２１の間を流動する際に流動の自由度が妨げられて、堰を作って導電性粒子４３の流動が制限されることがあり、この場合には、横方向に隣接するリード２１との間に導電性粒子４３が詰まって横方向に隣接するリード２１との間に堰き止められた導電性粒子４３によって短絡することがある。このような導電性粒子の堰き止めによる短絡の形成は、導電性粒子４３の平均粒子径に対してアウターリードの厚さが同程度か、または、薄い場合に、導電性粒子４３の自由な流動が制限されるために発生するものであると考えられる。そこで、本発明では、アウターリード２１の厚さＴ₁と異方導電性接着剤（シート、フィルムを含む）中に分散されている導電性粒子４３の平均粒子径Ｄ₁とは、通常は１．０1＜Ｔ₁／Ｄ₁＜８．０、好ましくは１．１＜Ｔ₁／Ｄ₁＜５．０の関係を有することが望ましい。アウターリード２１と導電性粒子４３とが上記の範囲内の関係を満たすことによって、加熱加圧時における導電性粒子の流動性が妨げられることがなく、余剰の導電性粒子を効率よく除去することができる。
【００３２】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいて、インナーリードの平均厚さ（Ｌ_in）とアウターリードの平均厚さ（Ｌ_out）との関係Ｌ_out／Ｌ_inの値は、通常は１．１〜５．０の範囲内、好ましくは１．５〜２．０の範囲内に設定される。このようなインナーリードの平均厚さとアウターリードの平均厚さとの関係は、上述したサブトラクティブ法あるいはアディティブ法、さらにはこれらを組み合わせた方法によって達成することができるが、これらの方法に限定されるものではない。
【００３３】
なお、本発明の電子部品を実装したフィルムキャリアを電気的に接続しながら接着するのに用いる異方導電性接着剤は、テープあるいはフィルムなどの形態で使用することもできるし、この異方導電性接着剤に溶媒を加えて塗布可能な粘度に調整して直接塗布して使用することもできる。
このような異方導電性接着剤としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの絶縁性樹脂からなる熱硬化性樹脂に、導電性粒子が分散されてなり、ここで使用される導電性粒子としては、導電性金属粒子、樹脂粒子が導電性金属で被覆された金属被覆樹脂粒子、樹脂粒子の周囲に導電性金属で被覆した後内部の樹脂を除去した中空粒子などを使用することができる。特に、熱硬化性樹脂の比重と導電性粒子の比重が著しく異ならないように調整した異方導電性接着剤を使用することが好ましい。また、導電性粒子は、リードとの接触面積を大きくするために、弾性を有する粒子を使用することもできる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明の実装構造で用いる電子部品実装用フィルムキャリアテープは、アウターリードが他の部分の配線パターンよりも厚く形成されている。このようにアウターリードを他の配線パターンの部分よりも厚く形成することにより、異方導電性接着剤を用いて接続方向の電気的接続を維持しながらフィルムキャリアを貼着する際に横方向における短絡の発生を有効に防止することができる。
【００３５】
特に本発明の実装構造では、電子部品実装用フィルムキャリアテープにおける配線パターンの細線化に伴って薄い導電性金属層を使用した場合においても、アウターリード部分だけを厚くしてこの部分における導電性粒子の流動が堰き止められることによって生ずる隣接するリードとの間に生ずる短絡を有効に防止することができ、電子機器の小型軽量化をはかれるとともに、小型軽量の電子機器であってもその電気的信頼性を低下させることなく、むしろ信頼性の向上に寄与することができる。
【００３６】
さらに、このような電子部品実装用フィルムキャリアテープは、サブトラクティブ法、アディティブ法あるいはこれらを組み合わせた方法などにより容易に製造することができる。
【００３７】
【実施例】
次に本発明について実施例を示してさらに詳しく説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【００３８】
【実施例１】
厚さ４０μmのポリイミドフィルムと厚さ９μmの電解銅箔を積層した基材フィルム（商品名：エスパネックス、新日鉄化学（株）製）の両縁部に所定間隔でスプロケットホールを形成した。
この基材フィルムのアウターリード形成予定部に耐酸性の導体厚差形成用エッチングレジストを塗布して硬化させた後、この基材フィルムをエッチング液に１０秒間接触させて、導体厚差形成用エッチングレジストによってマスキングされていない部分の電解銅箔が５μｍになるまでハーフエッチングした。
【００３９】
こうして得られた基材フィルムは、アウターリードの形成予定部における電解銅箔の厚さが９μｍであり、インナーリードなどのその他の配線パターンが形成される部分の電解銅箔の厚さが５μｍであった。
こうしてハーフエッチングを行った後、導体厚差形成用エッチングレジストを除去し、電解銅箔の表面にフォトレジストを塗布して所定のパターンを露光現像し、形成されたパターンをマスキング材として電解銅箔のエッチングを行い、銅からなる配線パターンを形成した。このときのインナーリードのピッチ幅は３０μｍであった。
【００４０】
こうして配線パターンが形成されたフィルムキャリアに端子部分を残してソルダーレジストを塗布して硬化させた。さらにこのソルダーレジストの縁から延出しているインナーリード、アウターリードにスズメッキ層を形成した。
次いで、上記のフィルムキャリアテープとは別に用意した液晶駆動用の電子部品を、この電子部品に形成されているバンプ電極とインナーリードとをボンディングツールを用いて加熱によって接合し、熱硬化性樹脂を用いてこのボンディングされた電子部品とフィルムキャリアとを一体化した。
【００４１】
次に、この電子部品が実装されたフィルムキャリアのアウターリードを、異方導電性接着テープを介して液晶素子の端部に形成されている端子と重ね合わせて、ボンディングツールを用いて１７０℃に２０秒間加熱して３MPaの圧力をかけて圧着した。
この異方導電性接着テープは、熱硬化性エポキシ樹脂中にこの樹脂とほぼ同じ比重を有する平均直径５μｍの導電性粒子が６０００個／mm²含有されている熱硬化性の接着テープであり、加熱によって熱硬化性エポキシ樹脂が一旦流動性になり、その後加熱硬化する。
【００４２】
上記のようにして液晶素子に異方導電接着した液晶素子について、リードの横方向における短絡（ショート）の発生率を測定したところ０％であった。
【００４３】
【比較例１】
実施例１において、導電性金属層として、厚さ５μmの電解銅箔を使用して、ハーフエッチングを行わずに直接配線パターンを形成した以外は同様にして液晶素子を製造した。従ってアウターリードの厚さは５μmである。
上記のようにして液晶素子に異方導電接着した液晶素子について、リードの横方向における短絡（ショート）の発生率を測定したところ５％であった。
【００４４】
【比較例２】
実施例１において、導電性金属層として、厚さ９μmの電解銅箔を使用して、ハーフエッチングを行わずに直接配線パターンを形成した以外は同様にして液晶素子を製造した。従ってアウターリードの厚さは９μmであり、形成されたインナーリードそのピッチ幅は４０μmにまでにしか細線化することができなかった。
【００４５】
上記のようにして液晶素子に異方導電接着した液晶素子について、リードの横方向における短絡（ショート）の発生率を測定したところ０％であったが、細線化の要請を満たすことができなかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はアディティブ法によって形成した本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープである。
【図２】図２はサブトラクティブ法によって形成した本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープである。
【図３】図３はアディティブ法によって本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを形成する際の工程を説明する図である。
【図４】図４はサブトラクティブ法によって本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを形成する際の工程を説明する図である
【図５】図５は本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを異方導電性接着剤を用いて液晶素子の端子に接着した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１０・・・電子部品実装用フィルムキャリアテープ
１３・・・基材テープ
１４・・・絶縁フィルム
１５・・・導電性金属層
１６・・・配線パターン
２１・・・アウターリード
２２・・・インナーリード
２５・・・メッキレジスト
３０・・・電子部品
３１・・・バンプ電極
３５・・・ハーフエッチング用マスキング剤
３６・・・余剰の導電性金属層
３７・・・アウターリード形成予定部
４０・・・基板
４１・・・端子（液晶素子側のリード）
４２・・・熱硬化性樹脂
４３・・・導電性粒子[0001]
FIELD OF THE INVENTION
The present invention is for mounting an electronic component that is electrically connected to a terminal of another electronic component, particularly a liquid crystal terminal, using an anisotropic conductive adhesive (including an anisotropic conductive adhesive film). The present invention relates to a film carrier tape and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
Electronic components are mounted on a film carrier for mounting electronic components such as TAB tape (Tape Automated Bonding) and COF (Chip On Film) to drive the liquid crystal elements. The outer leads of the film carrier and the liquid crystal elements are formed for input. A method of electrically connecting the terminal with an anisotropic conductive adhesive tape in which an anisotropic conductive adhesive is taped is employed. The anisotropic conductive adhesive used here is an adhesive in which conductive particles are dispersed in a thermosetting or thermoplastic resin, and the conductive particles used here are particles having a diameter of about 3 μm. Some use metal particles having a small diameter, but usually metal particles having a diameter of about 5 μm are often used. Then, the outer leads of the film carrier and the leads of the liquid crystal element are electrically connected by the conductive particles sandwiched between the leads by thermocompression bonding via an anisotropic conductive adhesive.
[0003]
  Conventionally, as aboveFilm carrier tape for electronic component mountingThe wiring pattern is, for example, a conductive metal foil having an average thickness of about 18 μm.It is formed usingThe outer lead having a pitch of 50 μm was formed by using such a conductive metal foil. However, an outer lead having a pitch of 40 μm was formed by using a thickness of 12 μm as the conductive metal foil. A conductive metal foil having a thickness of 8 μm is used, and outer leads having a pitch of 30 μm are formed by using such a conductive metal. In particular, when a COF is manufactured using a conductive metal foil having a thickness of 8 μm, the thickness of the outer lead to be finally formed becomes about 6 μm on average due to the light etching process during the manufacturing process. Depending on the case, the thickness of the lead may be about 5 μm.
[0004]
If the thickness of the outer lead formed in this way is equal to or smaller than the particle size of the conductive particles contained in the anisotropic conductive adhesive film, the insulation between adjacent leads is impaired. As a result, short circuits are often formed. That is, when an anisotropic conductive adhesive is used, the adhesive has fluidity due to heating during bonding, and excess conductive particles are washed away together with the adhesive, so that the adjacent lead is removed. Insulation is maintained between the two. On the other hand, a conductive particle is sandwiched between the outer lead of the film carrier and the input lead of the liquid crystal element facing it, and both leads are electrically connected, and such a conductive particle is dispersed. The agent firmly bonds both. Therefore, it is preferable that more electrically conductive particles exist in the electrically connected lead portion, and on the other hand, insulation between the adjacent leads in the lateral direction is necessary. It is preferable that the number of particles is small.
[0005]
However, when the thickness of the lead of the film carrier is equal to or smaller than the diameter of the conductive particles contained in the anisotropic conductive adhesive, the conductive particles are less likely to flow at the time of thermocompression bonding. It becomes difficult for the conductive particles to move between the leads adjacent to each other, and sometimes a short circuit is formed in the lateral direction of the lead by the conductive particles blocked.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-39557 discloses that “a region where semiconductor elements to be connected are opened, a plurality of inner leads are extended to the inside of the opening, and from the tip of each inner lead to the vicinity of the center. A lead frame characterized in that the back side is made thinner than other portions. "
[0006]
Japanese Patent Laid-Open No. 2-154441 discloses that “a sprocket hole is formed on both sides of a band-shaped resin film and a rectangular hole into which a semiconductor chip is inserted at the center, and an electrode around the hole. In a film carrier tape having a plurality of leads extending from a pad and in contact with an electrode pad of the semiconductor chip, a thickness of a tip of the lead connected to the electrode pad of the semiconductor chip is larger than a thickness of an area of another lead A film carrier tape characterized by being thinly formed "is disclosed.
[0007]
In these lead frames or film carrier tapes, even if isotropic etching proceeds when manufacturing device holes, etc., the conductive metal is used to reduce the tip pitch and shape of the inner leads, or as the number of pins increases. The thickness of the leads in the device holes is kept below a certain level so that the electronic components can be mounted and connected well even when the foil is thin, and the electrical resistance is not increased and the leads are not deformed. In a fine pitch COF (Chip on Film), etc., the thickness of the outer lead is varied to prevent a short circuit in the lateral direction when the outer lead and the lead from the liquid crystal element are anisotropically bonded. There is no technical idea of increasing the thickness more than a certain level in relation to the conductive particles contained in the one-way adhesive.
[0008]
OBJECT OF THE INVENTION
  The present invention relates to a film carrier tape for mounting an electronic component that is electrically connected to a terminal of another electronic component using an anisotropic conductive adhesive.Of mounting structure and film carrier tape for mounting electronic componentsThe object is to provide a manufacturing method.
  More specifically, the present invention relates to a film carrier tape for mounting electronic components in which short-circuiting is unlikely to occur between terminals in the lateral direction during connection using an anisotropic conductive adhesive.Of mounting structure and film carrier tape for mounting electronic componentsThe object is to provide a manufacturing method.
[0009]
SUMMARY OF THE INVENTION
  The present inventionA wiring pattern made of a conductive metal is formed on the surface of the insulating film, and the wiring pattern is electrically connected to the inner lead for mounting the electronic component via the wiring pattern and the inner lead. An outer lead connected to an external electronic component and an electronic component mounted on the inner lead, and the outer lead formed on the film carrier tape for mounting the electronic component is externally arranged on the outside The mounting structure of the film carrier tape for mounting electronic components, which is connected using an anisotropic conductive adhesive,
The outer lead formed on the electronic component mounting film carrier tape is formed thicker than the portion other than the outer lead of the wiring pattern including the inner lead, and the thickness of the outer lead is the same as that of the film carrier and the outer An anisotropic conductive resin characterized in that it is thicker than the average particle size of the conductive particles contained in the anisotropic conductive adhesive that is anisotropically conductively bonded to the electronic component. It is in the mounting structure of the connected film carrier tape for electronic component mounting.
[0010]
  Also used in the mounting structure of the present inventionA film carrier tape for mounting electronic components has a wiring pattern made of a conductive metal formed on the surface of an insulating film, and the wiring pattern is electrically connected to the inner leads for mounting electronic components and externally connected to the inner leads. An outer lead connected to an external electronic component disposed on the electronic component, and an electronic component mounted on the inner lead,TheFor electronic component mounting that forms the mounting structure of film carrier tape for electronic component mounting, where the outer leads of film carrier tape for electronic component mounting are connected to external electronic components arranged outside using anisotropic conductive adhesive A method of manufacturing a film carrier tape comprising:
  (S) After half-etching the inner lead formation planned portion on the surface of the conductive metal foil of the base film in which the conductive metal foil is laminated on the insulating film, a desired pattern made of a photoresist is formed on the surface of the conductive metal foil. Forming a wiring pattern by etching the conductive metal foil using the pattern as a masking agent, and the outer lead is thicker than the inner lead.MuA method for producing a carrier tape (hereinafter, a method related to this method may be referred to as a “subtractive method”),
  Or
  (A) After masking portions other than the outer lead formation scheduled portion on the surface of the conductive metal foil of the base metal film in which the conductive metal foil is laminated on the insulating film, the non-masked conductive metal foil of the base film After forming a plating layer on the surface, a desired pattern made of a photoresist is formed on the surface of the conductive metal foil, and the conductive metal foil is etched using the pattern as a masking agent to form a wiring pattern. Electronic component mounting fill with outer leads thicker than inner leadsMuIt can be obtained by a method for producing a carrier tape (hereinafter, a method related to this method may be referred to as an “additive method”).
[0011]
In the method (S) (subtractive method), as another aspect, half-etching is performed by applying an etching resist for forming a conductor thickness difference to the non-etched portion of the conductive metal foil. Method of increasing the amount of etching solution in contact with the part compared to the amount of etching solution in contact with the non-etched part, or half-etching in which an etching agent shielding member is arranged to protect the non-etched part It can implement by the method performed using an apparatus.
[0012]
Further, in the method (additive method) of the above (A), as another aspect, the contact amount of the plating solution in a portion other than the outer lead formation portion is smaller than the contact amount with the plating solution in the outer lead formation portion. The outer lead is formed using a method in which a plating layer is formed using a shielding member, or a differential thickness plating apparatus capable of controlling the contact amount of the plating solution so as to plate around the outer lead forming portion. This can be implemented by a method of increasing the thickness of the conductive metal of the part.
[0013]
In the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention, the thickness of the outer leads is formed to be greater than the thickness of the inner leads. By forming the outer lead thicker than the inner lead in this way, surplus conductive particles are not dammed, and therefore the occurrence of short circuits in the lateral direction of the lead can be reduced.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  In the next anisotropic conductive resin of the present inventionWith external electronic componentsElectrically connectedDoFilm carrier tape for mounting electronic componentsImplementation structureandFilm carrier tape for mounting electronic componentsThe manufacturing method will be specifically described.
  As shown in FIGS. 1 and 2, a film carrier tape 10 for mounting an electronic component of the present invention is a film carrier on which electronic components for mainly driving a liquid crystal element are mounted, and leads 41 (from the liquid crystal element side) The thickness of the outer lead 21 that is anisotropically conductively bonded to the terminal of the conductive layer is made thicker than other portions in relation to the particle diameter of the conductive particles dispersed in the anisotropic conductive adhesive. . Therefore, the thickness of the outer lead 21 is increased, and the outer lead 21 is not formed thicker due to the relationship with the thickness of the inner lead 22.
[0015]
The invention will now be described with reference to the example shown in the drawings.
1 and 2 show a wiring pattern 16 formed of an insulating film of a base film 13 in which a conductive metal foil 12 is laminated on an insulating film 14 in a film carrier tape 10 for mounting an electronic component according to the present invention. A state in which an electronic component is mounted on the inner lead 22 is shown.
[0016]
Since the insulating film 14 used in the present invention is in contact with an acid or the like during etching, it has chemical resistance that is not affected by such chemicals and heat resistance that does not change due to heating during bonding. It is desirable that Examples of the material for forming the insulating film 14 include polyester, polyamide, and polyimide. In the present invention, it is particularly preferable to use a film made of polyimide.
[0017]
Examples of this polyimide resin include wholly aromatic polyimide synthesized from pyromellitic dianhydride and aromatic diamine, and wholly aromatic having biphenyl skeleton synthesized from biphenyltetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine. Group polyimide can be mentioned.
The thickness of the insulating film 14 that can be used in the present invention is usually in the range of 12.5 to 125 μm, preferably 25 to 75 μm. Such an insulating film 14 has flexibility. In such an insulating film, necessary through holes such as sprocket holes and, if necessary, bending slits can be formed. Such a through hole can be formed using a punching device, a laser drilling device, or the like.
[0018]
A conductive metal layer 15 is laminated on at least one surface of the insulating film 14. The conductive metal layer 15 is a layer made of a conductive metal. Specifically, examples of the conductive metal layer include a copper foil and an aluminum foil. Although the copper foil used here includes an electrolytic copper foil and a rolled copper foil, it is preferable to use an electrolytic copper foil in consideration of etching characteristics, operability, and the like.
Moreover, a conductive metal layer may be formed on the insulating film by plating.
[0019]
When the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention is manufactured by a subtractive method, the thickness of the outer lead is reduced to the other part by half-etching the conductive metal layer of the part forming the inner lead. A relatively thick conductive metal layer is used. For example, when an electrolytic copper foil is used, a metal foil usually in the range of 5 to 70 μm, preferably 9 to 35 μm can be used.
[0020]
On the other hand, in the case of manufacturing by the additive method, the thickness of the conductive metal layer in the portion forming the outer lead is increased by the plating method, so that a relatively thin conductive metal layer can be used. For example, when an electrolytic copper foil is used, a metal foil usually in the range of 3 to 35 μm, preferably 6 to 25 μm can be used.
The conductive metal layer forming the wiring pattern 16 is usually laminated on one surface of the insulating film 14, and this conductive metal layer is formed on the surface of the insulating film 14 via an adhesive layer (not shown). They can be laminated, or they can be laminated without using such an adhesive layer (not shown). Moreover, such a conductive metal layer 15 may be disposed on one surface of the insulating film 14 or on both surfaces.
[0021]
When the film carrier tape for mounting an electronic component according to the present invention is manufactured by the subtractive method, for example, as shown in FIG. 4, a masking agent 35 for half etching is applied to the outer lead formation scheduled portion 37 to form the outer lead. While protecting the conductive metal layer 15 of the portion 37 from coming into contact with the etching solution, the conductive metal layer of the other part is half-etched to remove the excess conductive metal layer 36. In FIG. 4, the excessive conductive metal layer 36 to be removed by elution is indicated by a broken line. When the film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention is manufactured by the additive method, for example, as shown in FIGS. 1 and 3, the outer lead 21 is plated with a metal by electroplating or the like to form a new metal Layer 21a is formed. The conductive metal layer 15 used here has a thickness equivalent to that of the conductive metal layer used to form a film carrier that is usually used for mounting electronic components for driving liquid crystal elements. Can be used.
[0022]
Regardless of whether the subtractive method or the additive method is employed, the conductive metal layer 15 is formed on the insulating film 14 using an adhesive (not shown) or via such an adhesive. Laminate without. Thus, the laminated body by which the conductive metal layer 15 is arrange | positioned on the surface of the insulating film 14 may be described as the base film 13 in this invention.
[0023]
A method for making the outer lead forming portion thicker than other portions by the subtractive method will be described in more detail. This method includes the following methods (S-1) to (S-3).
(S-1) As described above, a conductive thickness difference forming etching resist is applied to the surface of the outer lead forming portion of the conductive metal layer in the base film 13, and the conductive metal layer is formed using this resist as a masking material. The portion of the conductive metal layer that is not protected by the masking material made of this conductor thickness difference forming etching resist by half etching is etched until a predetermined thickness is reached. Next, the conductor thickness difference forming etching resist is removed, the photoresist on the surface of the conductive metal layer is applied, the photoresist is exposed to a desired pattern and developed, and a predetermined pattern made of the photoresist is formed. To do. The conductive metal layer is etched using the photoresist pattern thus formed as a masking material to form a desired wiring pattern made of a conductive metal. After the wiring pattern made of the conductive metal is formed in this way, the wiring pattern in which the outer lead part is thicker than the other part can be formed by removing the photoresist used as the masking material.
[0024]
(S-2) A seal member or the like is provided on the outer lead formation planned portion of the base film so that the amount of the etching solution that contacts the portion to be half-etched is larger than the amount of the etching solution that contacts the portion that is not etched. The conductive metal layer is half-etched so that the conductive metal in the portion where the outer lead is to be formed is not etched by limiting the amount of the etchant that enters the portion and invading the portion. In this case, a baffle plate formed of a synthetic resin or the like can be used as the seal member. Etching is performed so that the outer lead formation scheduled portion of the conductive metal layer is in contact with the baffle plate, so that the portion in contact with the baffle plate has a small etching amount. However, since the conductive metal layer in the vicinity of the edge of the baffle plate is in contact with more etching solution than the recessed portion, the thickness at the boundary portion between the outer lead formation planned portion that is not etched and the half-etched portion is the thickness. Changes gently. Next, a photoresist on the surface of the conductive metal layer is applied, and the photoresist is exposed to a desired pattern and developed to form a predetermined pattern made of the photoresist. The conductive metal layer is etched using the photoresist pattern thus formed as a masking material to form a desired wiring pattern made of a conductive metal. After the wiring pattern made of the conductive metal is formed in this way, the wiring pattern in which the outer lead part is thicker than the other part can be formed by removing the photoresist used as the masking material.
[0025]
(S-3) A nozzle for spraying an etching solution is arranged in a device for half-etching a base film, and the nozzle is unevenly arranged so that a large amount of the etching solution is sprayed on a portion to be half-etched to form an outer lead. By reducing the etching amount of the planned portion and increasing the etching amount of the other portion, the thickness of the conductive metal in the outer lead formation scheduled portion can be made thicker than the other portions. Next, a photoresist on the surface of the conductive metal layer is applied, and the photoresist is exposed to a desired pattern and developed to form a predetermined pattern made of the photoresist. The conductive metal layer is etched using the photoresist pattern thus formed as a masking material to form a desired wiring pattern made of a conductive metal. After the wiring pattern made of the conductive metal is formed in this way, the wiring pattern in which the outer lead part is thicker than the other part can be formed by removing the photoresist used as the masking material.
[0026]
Next, a method of making the thickness of the outer lead formation planned portion thicker than other portions by the additive method will be described. This method includes the following methods (A-1) to (A-3).
(A-1) As shown in FIG. 3, a plating resist 25 for forming a conductor thickness difference is formed on the surface of the conductive metal layer 15 of the base film 13, leaving an outer lead formation scheduled portion. A plating layer having a predetermined thickness is formed on the opening of the conductive metal 21a. Next, the plating resist 25 is removed, a photoresist is applied instead, a desired wiring pattern is exposed and developed to form a pattern made of the photoresist, and the conductive metal layer is etched using this pattern as a masking material. Then, a wiring pattern made of a conductive metal is formed. As shown in FIG. 1, the outer lead formed as described above can form a wiring pattern in which the thickness of the outer lead is thicker than other portions.
[0027]
(A-2) Using a plating apparatus provided with a seal member that makes it difficult for portions other than the outer lead formation planned portion to come into contact with the plating solution, the conductive metal is plated on the outer lead formation planned portion with a desired thickness. That is, the outer lead without the sealing member is arranged by plating the sealing member so that the plating solution is in good contact with the portion where the outer lead is to be formed and the plating solution is not easily in contact with other portions. A plating layer having a predetermined thickness can be formed on the portion to be formed, but the plating solution is difficult to be smoothly supplied to the portion where the seal member is disposed, so the portion where the seal member is disposed is almost plated. No layer is formed. In this case, a baffle plate formed of a synthetic resin or the like can be used as the seal member. By forming the plating layer so that the outer lead formation planned portion of the conductive metal layer does not contact the baffle plate, the plating layer is difficult to be formed at the portion contacting the baffle plate, and on the other hand, the seal member is disposed. A plating layer having a predetermined thickness can be formed on the outer lead formation planned portion that is not formed, and the plating layer thus formed is integrated with the conductive metal layer forming the base film to form the outer lead formation planned portion. Form. After thickly forming the outer lead formation planned part in this way, apply a photoresist on the surface of the base film, expose it to a desired pattern, develop it, and etch the conductive metal layer using this photoresist pattern as a masking material. Thus, a wiring pattern having a desired pattern is formed. After the wiring pattern made of the conductive metal is formed in this way, the wiring pattern in which the outer lead part is thicker than the other part can be formed by removing the photoresist used as the masking material.
[0028]
(A-3) Using a differential thickness plating apparatus capable of controlling the contact amount of the plating solution so that the plating layer is selectively formed around the outer lead formation scheduled portion of the base film, the outer lead formation scheduled portion A plating layer having a predetermined thickness is formed. Thus, the plating layer formed on the outer lead formation scheduled portion is integrated with the conductive metal layer constituting the base film. Next, as described above, a photoresist is applied to the surface of the conductive metal layer in which the metal foil of the outer lead formation planned portion is thickened, exposed to a desired pattern and developed, and the pattern made of this photoresist is used as a masking material. The conductive metal layer is etched to form a desired wiring pattern. After the wiring pattern made of the conductive metal is formed in this way, the wiring pattern in which the outer lead part is thicker than the other part can be formed by removing the photoresist used as the masking material.
[0029]
As described above, the wiring pattern 16 made of the conductive metal layer 15 can be formed on the surface of the insulating film 14. In the wiring pattern thus formed, the wiring pattern 16 in which the outer lead 21 is thicker than the inner lead 22 is formed.
The connection terminal portion is exposed on the surface of the wiring pattern 16 thus formed, and a solder resist is usually applied. This solder resist is for protecting the formed wiring pattern, and is usually formed from a thermosetting resin.
[0030]
Further, after the solder resist is applied and cured as described above, the surface of the lead exposed from the solder resist is usually plated. Examples of the plating layer formed here include tin plating, nickel plating, solder plating, nickel-gold plating, and gold plating.
The bump electrode 31 formed on the electronic component 30 and the inner lead 22 are electrically connected to the inner lead of the wiring pattern 16 thus formed. After mounting the electronic component in this way, the electronic component 30 is sealed with a sealing resin (not shown).
[0031]
  On the other hand, the outer lead 21 is opposed to the terminal 41 laid on the substrate 40 of the liquid crystal element via an anisotropic conductive adhesive. In the anisotropic conductive adhesive used here, conductive particles are dispersed in a thermosetting resin having electrical insulation, and an outer formed on a film carrier by applying pressure under heating. Conductive particles are sandwiched between the lead 21 and the terminal 41 formed on the substrate 40 of the liquid crystal element, whereby the outer lead 21 of the film carrier for the liquid crystal element and the terminal formed on the substrate 40 of the liquid crystal element. 41 is electrically connected. On the other hand, the adhesive and conductive particles that have become excessive at the terminal portion flow out to the portion where the lead and the terminal are not formed. The conductive particles contained in the anisotropic conductive adhesive are usually about 3 to 8 μm. In FIG. 5, the adhesive is represented by 42 and the conductive particles are represented by 43. In the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention, the outer leads 21 are formed thicker than other wiring patterns such as the inner leads 22. That is, if this outer lead 21 is thin, the degree of freedom of flow is hindered when flowing between the outer leads 21 during the heat-compression bonding of the conductive particles 42 contained in the anisotropic conductive adhesive, and the weir is In some cases, the flow of the conductive particles 43 may be limited. In this case, the conductive particles 43 are clogged between the leads 21 adjacent in the lateral direction and between the leads 21 adjacent in the horizontal direction. A short circuit may occur due to the conductive particles 43 blocked. The formation of the short circuit by the damming of the conductive particles is such that the thickness of the outer lead is the same as or smaller than the average particle diameter of the conductive particles 43, and the conductive particles 43 freely flow. This is considered to occur because of the limitation. Therefore, in the present invention, the thickness T of the outer lead 21 is₁And the average particle diameter D of the conductive particles 43 dispersed in the anisotropic conductive adhesive (including sheets and films)₁Is usually 1.01 <T₁/ D₁<8.0, preferably 1.1 <T₁/ D₁It is desirable to have a relationship of <5.0. The outer lead 21 and the conductive particles 43 are within the above range.Satisfy a relationshipBy this, the fluidity | liquidity of the electroconductive particle at the time of heating and pressurization is not prevented, and excess electroconductive particle can be removed efficiently.
[0032]
In the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention, the average thickness (L_in) And the average thickness of the outer leads (L_out) L_out/ L_inThe value of is usually set in the range of 1.1 to 5.0, preferably in the range of 1.5 to 2.0. Such a relationship between the average thickness of the inner lead and the average thickness of the outer lead can be achieved by the above-described subtractive method or additive method, or a combination of these methods, but is limited to these methods. It is not a thing.
[0033]
The anisotropic conductive adhesive used for bonding while electrically connecting the film carrier mounted with the electronic component of the present invention can be used in the form of a tape or a film. It is also possible to adjust the viscosity so that it can be applied by adding a solvent to the adhesive and directly apply it.
As such an anisotropic conductive adhesive, conductive particles are dispersed in a thermosetting resin made of an insulating resin such as an epoxy resin and an acrylic resin. As the conductive particles used here, Conductive metal particles, metal-coated resin particles in which resin particles are coated with a conductive metal, hollow particles in which resin around the resin particles is coated with a conductive metal and the internal resin is removed can be used. In particular, it is preferable to use an anisotropic conductive adhesive adjusted so that the specific gravity of the thermosetting resin and the specific gravity of the conductive particles are not significantly different. Moreover, in order to enlarge the contact area with a lead, the particle | grains which have elasticity can also be used for electroconductive particle.
[0034]
【The invention's effect】
  Of the present inventionUsed in mounting structureIn the electronic component mounting film carrier tape, the outer leads are formed to be thicker than the wiring patterns of other portions. By forming the outer leads thicker than other wiring pattern portions in this manner, the film carrier is adhered in the lateral direction while maintaining the electrical connection in the connection direction using an anisotropic conductive adhesive. Generation | occurrence | production of a short circuit can be prevented effectively.
[0035]
  Especially in the present inventionIn the mounting structure,Film carrier tape for mounting electronic componentsInEven when a thin conductive metal layer is used along with the thinning of the wiring pattern, only the outer lead portion is thickened and the flow of the conductive particles in this portion is blocked so that the adjacent lead is generated. It is possible to effectively prevent the short circuit that occurs, reduce the size and weight of electronic devices, and contribute to improving the reliability of small and lightweight electronic devices without degrading their electrical reliability. Can do.
[0036]
Furthermore, such a film carrier tape for mounting electronic components can be easily manufactured by a subtractive method, an additive method, a method combining these, or the like.
[0037]
【Example】
EXAMPLES Next, although an Example is shown and this invention is demonstrated in more detail, this invention is not limited by these.
[0038]
[Example 1]
Sprocket holes were formed at predetermined intervals on both edges of a base film (trade name: ESPANEX, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) in which a polyimide film having a thickness of 40 μm and an electrolytic copper foil having a thickness of 9 μm were laminated.
After applying and curing an acid-resistant conductor thickness difference forming etching resist on the outer lead formation planned portion of the base film, the base film is brought into contact with an etching solution for 10 seconds to form a conductor thickness difference forming etching. Half etching was performed until the electrolytic copper foil in the portion not masked by the resist became 5 μm.
[0039]
In the base film thus obtained, the thickness of the electrolytic copper foil in the portion where the outer lead is to be formed is 9 μm, and the thickness of the electrolytic copper foil in the portion where other wiring patterns such as the inner lead are formed is 5 μm. there were.
After half-etching in this way, the conductor thickness difference forming etching resist is removed, a photoresist is applied to the surface of the electrolytic copper foil, a predetermined pattern is exposed and developed, and the formed pattern is used as a masking material. Etching was performed to form a wiring pattern made of copper. At this time, the pitch width of the inner leads was 30 μm.
[0040]
A solder resist was applied to the film carrier on which the wiring pattern was formed in this manner, leaving a terminal portion, and cured. Further, a tin plating layer was formed on the inner lead and outer lead extending from the edge of the solder resist.
Next, a liquid crystal driving electronic component prepared separately from the above film carrier tape is bonded to the bump electrode formed on the electronic component and the inner lead by heating using a bonding tool, and a thermosetting resin is bonded. This bonded electronic component and film carrier were integrated.
[0041]
Next, the outer lead of the film carrier on which the electronic component is mounted is overlapped with the terminal formed at the end of the liquid crystal element through the anisotropic conductive adhesive tape, and the temperature is set to 170 ° C. using a bonding tool. Heating was performed for 20 seconds, and pressure was applied at 3 MPa.
This anisotropic conductive adhesive tape has 6000 particles / mm of conductive particles with an average diameter of 5 μm having almost the same specific gravity as the resin in a thermosetting epoxy resin.²It is a thermosetting adhesive tape that is contained. The heat-curable epoxy resin becomes fluid once by heating, and is then heat-cured.
[0042]
With respect to the liquid crystal element having anisotropic conductive adhesion to the liquid crystal element as described above, the occurrence rate of short circuit in the lateral direction of the lead was measured and found to be 0%.
[0043]
[Comparative Example 1]
In Example 1, a liquid crystal element was produced in the same manner except that an electrolytic copper foil having a thickness of 5 μm was used as the conductive metal layer and a wiring pattern was directly formed without performing half etching. Therefore, the thickness of the outer lead is 5 μm.
With respect to the liquid crystal element having anisotropic conductive adhesion to the liquid crystal element as described above, the occurrence rate of short circuit in the lateral direction of the lead was measured and found to be 5%.
[0044]
[Comparative Example 2]
In Example 1, a liquid crystal element was manufactured in the same manner except that a 9 μm thick electrolytic copper foil was used as the conductive metal layer and a wiring pattern was directly formed without performing half etching. Accordingly, the thickness of the outer lead is 9 μm, and the pitch of the formed inner lead can only be reduced to 40 μm.
[0045]
As for the liquid crystal element bonded anisotropically to the liquid crystal element as described above, the occurrence rate of short circuit in the lateral direction of the lead was measured and found to be 0%, but the demand for thinning could not be satisfied. It was.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention formed by an additive method.
FIG. 2 is a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention formed by a subtractive method.
FIG. 3 is a diagram for explaining a process for forming a film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention by an additive method.
FIG. 4 is a diagram illustrating a process when forming a film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention by a subtractive method.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which the electronic component mounting film carrier tape of the present invention is bonded to a terminal of a liquid crystal element using an anisotropic conductive adhesive.
[Explanation of symbols]
10 ... Film carrier tape for mounting electronic components
13 ... Base tape
14 ... Insulating film
15 ... Conductive metal layer
16: Wiring pattern
21 ... Outer lead
22 ... Inner lead
25 ... Plating resist
30 ... Electronic components
31 ... Bump electrode
35 ... Masking agent for half etching
36 ... Surplus conductive metal layer
37 ... Outer lead formation scheduled part
40 ... Substrate
41 ... Terminal (lead on the liquid crystal element side)
42 ... Thermosetting resin
43 ... Conductive particles

Claims

A wiring pattern made of a conductive metal is formed on the surface of the insulating film, and the wiring pattern is arranged outside by being electrically connected to the inner lead through which the electronic component is mounted and the wiring pattern. An outer lead connected to the external electronic component and an electronic component mounted on the inner lead, and the outer lead formed on the electronic component mounting film carrier tape is different from the external electronic component arranged outside. a mounting structure of a film carrier tape for mounting electronic components formed by connecting with the anisotropically conductive adhesive,
The outer lead formed on the electronic component mounting film carrier tape is formed thicker than the portion other than the outer lead of the wiring pattern including the inner lead, and the thickness of the outer lead is the same as that of the film carrier and the outer An anisotropic conductive resin characterized in that it is thicker than the average particle size of the conductive particles contained in the anisotropic conductive adhesive that is anisotropically conductively bonded to the electronic component. mounting structure of the film carrier tape connected.

The relationship between the average thickness (L _in ) of the inner lead and the average thickness (L _out ) of the outer lead is such that the value of L _out / L _in is in the range of 1.1 to 5.0. The mounting structure of the film carrier tape for electronic component mounting electrically connected with the external electronic component with the anisotropic conductive resin of Claim 1 to do .

2. A mounting structure for a film carrier tape for mounting electronic components, wherein the inner lead has a pitch width of less than 40 [mu] m, and is electrically connected to an external electronic component with an anisotropic conductive resin according to claim 1.

2. The anisotropic conductive resin according to claim 1, wherein the electronic component mounting film carrier tape is a liquid crystal electronic component mounting film carrier tape having an inner lead and an outer lead. electrically connecting the film carrier tape for mounting electronic components mounting structure.

A wiring pattern made of a conductive metal is formed on the surface of the insulating film, and the wiring pattern is arranged outside by being electrically connected to the inner lead through which the electronic component is mounted and the wiring pattern . The outer lead connected to the external electronic component and the electronic component mounted on the inner lead, and the outer lead of the film carrier tape for mounting the electronic component on the outside and the anisotropic conductive the method of producing a film carrier tape for mounting electronic components to form a mounting structure of a film carrier tape for mounting electronic components connected by means of an adhesive,
After partially half-etching the inner lead formation planned portion of the surface of the conductive metal foil of the base film in which the conductive metal foil is laminated on the insulating film, a photoresist is applied to the partially half-etched conductive metal foil. A conductive pattern is formed by etching the conductive metal foil using the pattern as a masking agent to form a wiring pattern, and the outer lead is thicker than the portion other than the outer lead of the wiring pattern including the inner lead. A method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components.

6. The method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic parts according to claim 5, wherein the half etching is performed by applying an etching resist for forming a conductor thickness difference to a non-etched portion of the conductive metal foil.

6. The electronic component mounting according to claim 5, wherein the half etching is performed with an amount of an etching solution in contact with a portion to be half-etched larger than an amount of an etching solution in contact with a portion not to be etched. Film carrier tape manufacturing method.

6. The film carrier tape for electronic component mounting according to claim 5, wherein the half etching is performed by using a half etching apparatus in which an etching solution shielding member is disposed so as to protect a portion which is not etched. Method.

A wiring pattern made of a conductive metal is formed on the surface of the insulating film, and the inner lead for mounting the electronic component is electrically connected to the outer electronic component disposed outside through the inner lead and the wiring pattern. The outer leads and the electronic components mounted on the inner leads, and the outer leads of the film carrier tape for mounting electronic components using external electronic components arranged on the outside and an anisotropic conductive adhesive It is a method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components to form a mounting structure of a connected film carrier for mounting electronic components,
Masking portions other than the outer leads to be formed of the conductive metal foil surface of the base film conductive metal foil is laminated on the insulating film, conductive forming the outer lead portions which are not masked of the substrate film After forming a plating layer on the surface of the metal foil, a desired pattern made of a photoresist is formed on the surface of the conductive metal foil, and the conductive metal foil is etched using the pattern as a masking agent to form a wiring pattern. A method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components, wherein the outer lead is thicker than the portion other than the outer lead of the wiring pattern including the inner lead.

The plating layer is formed using a shielding member so that the contact amount of the plating solution in a portion other than the outer lead formation portion is smaller than the contact amount with the plating solution in the outer lead formation portion. A method for producing a film carrier tape for mounting electronic components according to claim 9.