JP3724498B2 - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード Download PDF

Info

Publication number
JP3724498B2
JP3724498B2 JP2004280288A JP2004280288A JP3724498B2 JP 3724498 B2 JP3724498 B2 JP 3724498B2 JP 2004280288 A JP2004280288 A JP 2004280288A JP 2004280288 A JP2004280288 A JP 2004280288A JP 3724498 B2 JP3724498 B2 JP 3724498B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
wavelength
emitting element
fluorescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004280288A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004363635A (ja
Inventor
芳昭 多田津
修二 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34056604&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3724498(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2004280288A priority Critical patent/JP3724498B2/ja
Publication of JP2004363635A publication Critical patent/JP2004363635A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3724498B2 publication Critical patent/JP3724498B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body

Description

本発明は発光素子を樹脂モールドで包囲してなる発光ダイオード(以下LEDという)に係り、特に一種類の発光素子で多種類の発光ができ、さらに高輝度な波長変換発光ダイオードに関する。
一般に、LEDは図1に示すような構造を有している。1は1mm角以下に切断された例えばGaAlAs、GaP等よりなる発光素子、2はメタルステム、3はメタルポスト、4は発光素子を包囲する樹脂モールドである。発光素子1の裏面電極はメタルステム2に銀ペースト等で接着され電気的に接続されており、発光素子1の表面電極は他端子であるメタルポスト3から伸ばされた金線によりその表面でワイヤボンドされ、さらに発光素子1は透明な樹脂モールド4でモールドされている。
通常、樹脂モールド4は、発光素子の発光を空気中に効率よく放出する目的で、屈折率が高く、かつ透明度の高い樹脂が選択されるが、他に、その発光素子の発光色を変換する目的で、あるいは色を補正する目的で、その樹脂モールド4の中に着色剤として無機顔料、または有機顔料が混入される場合がある。例えば、GaPの半導体材料を有する緑色発光素子の樹脂モールド中に、赤色顔料を添加すれば発光色は白色とすることができる。
しかしながら、従来、樹脂モールドに着色剤を添加して波長を変換するという技術はほとんど実用化されておらず、着色剤により色補正する技術がわずかに使われているのみである。なぜなら、樹脂モールドに、波長を変換できるほどの非発光物質である着色剤を添加すると、LEDそのもの自体の輝度が大きく低下してしまうからである。
ところで、現在、LEDとして実用化されているのは、赤外、赤、黄色、緑色発光のLEDであり、青色または紫外のLEDは未だ実用化されていない。青色、紫外発光の発光素子はII-VI族のZnSe、IV-IV族のSiC、III-V族のGaN等の半導体材料を用いて研究が進められ、最近、その中でも一般式がGaXAl1-XN(但しXは0≦X≦1である。)で表される窒化ガリウム系化合物半導体が、常温で、比較的優れた発光を示すことが発表され注目されている。また、窒化ガリウム系化合物半導体を用いて、初めてpn接合を実現したLEDが発表されている(応用物理,60巻,2号,p163〜p166,1991)。それによるとpn接合の窒化ガリウム系化合物半導体を有するLEDの発光波長は、主として430nm付近にあり、さらに370nm付近の紫外域にも発光ピークを有している。その波長は上記半導体材料の中で最も短い波長である。しかし、そのLEDは発光波長が示すように紫色に近い発光色を有しているため視感度が悪いという欠点がある。
本発明はこのような事情を鑑みなされたもので、その目的とするところは、発光ピークが430nm付近、および370nm付近にある窒化ガリウム系化合物半導体材料よりなる発光素子を有するLEDの視感度を良くし、またその輝度を向上させることにある。
本発明は、発光素子を樹脂で包囲してなる発光ダイオードにおいて、前記発光素子は青色領域に発光ピークを有する可視光を発光し、n型及びp型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記発光素子を包囲する樹脂中に蛍光染料又は蛍光顔料が添加されており、前記蛍光染料又は蛍光顔料は420nm〜440nm付近の波長によって励起されて発光するものであり、前記蛍光染料又は蛍光顔料は発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くすることを特徴とする発光ダイオードである。またn型及びp型に積層された窒化ガリウム系化合物半導体である発光素子からの光を変換する蛍光染料又は蛍光顔料が添加された波長変換発光ダイオード用樹脂において、前記波長変換発光ダイオード用樹脂は、前記発光素子が配設されている凹状部分内に配置しており、前記波長変換発光ダイオード用樹脂中の蛍光染料又は蛍光顔料は、発光素子からの青色の可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くして成ることを特徴とする蛍光染料又は蛍光顔料が添加された波長変換発光ダイオード用樹脂である。
蛍光染料、蛍光顔料は、一般に短波長の光によって励起され、励起波長よりも長波長光を発光する。逆に長波長の光によって励起されて短波長の光を発光する蛍光顔料もあるが、それはエネルギー効率が非常に悪く微弱にしか発光しない。前記したように窒化ガリウム系化合物半導体はLEDに使用される半導体材料中で最も短波長側にその発光ピークを有するものであり、しかも紫外域にも発光ピークを有している。そのためそれを発光素子の材料として使用した場合、その発光素子を包囲する樹脂モールドに蛍光染料、蛍光顔料を添加することにより、最も好適にそれら蛍光物質を励起することができる。したがって青色LEDの色補正はいうにおよばず、蛍光染料、蛍光顔料の種類によって数々の波長の光を変換することができる。さらに、短波長の光を長波長に変え、エネルギー効率がよい為、添加する蛍光染料、蛍光顔料が微量で済み、輝度の低下の点からも非常に好都合である。
図2は本発明のLEDの構造を示す一実施例である。11はサファイア基板の上にGaAlNがn型およびp型に積層されてなる青色発光素子、2および3は図1と同じくメタルステム、メタルポスト、4は発光素子を包囲する樹脂モールドである。発光素子11の裏面はサファイアの絶縁基板であり裏面から電極を取り出せないため、GaAlN層のn電極をメタルステム2と電気的に接続するため、GaAlN層をエッチングしてn型層の表面を露出させてオーミック電極を付け、金線によって電気的に接続する手法が取られている。また他の電極は図1と同様にメタルポスト3から伸ばした金線によりp型層の表面でワイヤボンドされている。さらに樹脂モールド4には420〜440nm付近の波長によって励起されて480nmに発光ピークを有する波長を発光する蛍光染料5が添加されている。
従来の一LEDの構造を示す模式断面図。 本発明のLEDの一実施例の構造を示す模式断面図。
符号の説明
11・・・発光素子
2・・・メタルステム
3・・・メタルポスト
4・・・樹脂モールド
5・・・蛍光染料

Claims (1)

  1. 発光素子を樹脂で包囲してなる発光ダイオードにおいて、
    前記発光素子は青色領域に発光ピークを有する可視光を発光し、n型及びp型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
    前記発光素子を包囲する樹脂中に蛍光染料又は蛍光顔料が添加されており、
    前記蛍光染料又は蛍光顔料は420nm〜440nm付近の波長によって励起されて発光するものであり、
    前記蛍光染料又は蛍光顔料は発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くすることを特徴とする発光ダイオード。
JP2004280288A 2004-09-27 2004-09-27 発光ダイオード Expired - Lifetime JP3724498B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004280288A JP3724498B2 (ja) 2004-09-27 2004-09-27 発光ダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004280288A JP3724498B2 (ja) 2004-09-27 2004-09-27 発光ダイオード

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003067318A Division JP2003234513A (ja) 2003-02-04 2003-02-04 蛍光染料又は蛍光顔料が添加された波長変換発光ダイオード用樹脂

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005158167A Division JP3920296B2 (ja) 2005-05-30 2005-05-30 発光ダイオード
JP2005158166A Division JP3808892B2 (ja) 2005-05-30 2005-05-30 発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004363635A JP2004363635A (ja) 2004-12-24
JP3724498B2 true JP3724498B2 (ja) 2005-12-07

Family

ID=34056604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004280288A Expired - Lifetime JP3724498B2 (ja) 2004-09-27 2004-09-27 発光ダイオード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3724498B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041237A1 (ja) 2007-09-27 2009-04-02 Showa Denko K.K. Ⅲ族窒化物半導体発光素子
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US8659034B2 (en) 1996-03-26 2014-02-25 Cree, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US9219014B2 (en) 2011-05-24 2015-12-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting elements, and manufacturing apparatus of light emitting elements
US9739444B2 (en) 2007-03-05 2017-08-22 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) based lighting systems
US10204888B2 (en) 2011-04-13 2019-02-12 Intematix Corporation LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion
US10234725B2 (en) 2015-03-23 2019-03-19 Intematix Corporation Photoluminescence color display
US10557594B2 (en) 2012-12-28 2020-02-11 Intematix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3995011B2 (ja) * 2005-10-31 2007-10-24 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP5355184B2 (ja) 2009-03-31 2013-11-27 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 全芳香族サーモトロピック液晶ポリエステル樹脂組成物、成形体及びledリフレクター

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5441660Y1 (ja) * 1970-02-18 1979-12-05
JPS5079379U (ja) * 1973-11-24 1975-07-09
JPS5270783A (en) * 1975-12-10 1977-06-13 Toshiba Corp Semiconductor luminescent unit
JPS603794B2 (ja) * 1977-12-15 1985-01-30 株式会社東芝 発光表示装置
DE3117571A1 (de) * 1981-05-04 1982-11-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Lumineszenz-halbleiterbauelement
JPS62147366U (ja) * 1986-03-11 1987-09-17
JPS63180A (ja) * 1986-06-19 1988-01-05 Seiko Epson Corp 青色発光素子及びその製造方法
JPS6413161A (en) * 1987-07-07 1989-01-18 Canon Kk Printer
JPH0614564B2 (ja) * 1987-07-13 1994-02-23 日本電信電話株式会社 半導体発光素子
JP2795932B2 (ja) * 1989-11-09 1998-09-10 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JPH0367462U (ja) * 1989-10-31 1991-07-01
JP2553342Y2 (ja) * 1989-12-08 1997-11-05 シャープ株式会社 発光ダイオードランプ
JPH03203388A (ja) * 1989-12-29 1991-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
JP2749984B2 (ja) * 1990-08-30 1998-05-13 田中貴金属工業株式会社 フルート用パイプの製造方法
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2003234513A (ja) * 2003-02-04 2003-08-22 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光染料又は蛍光顔料が添加された波長変換発光ダイオード用樹脂

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8659034B2 (en) 1996-03-26 2014-02-25 Cree, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US8860058B2 (en) 1996-03-26 2014-10-14 Cree, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US8963182B2 (en) 1996-03-26 2015-02-24 Cree, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US9698313B2 (en) 1996-03-26 2017-07-04 Cree, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US9739444B2 (en) 2007-03-05 2017-08-22 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) based lighting systems
WO2009041237A1 (ja) 2007-09-27 2009-04-02 Showa Denko K.K. Ⅲ族窒化物半導体発光素子
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US10263163B2 (en) 2008-05-30 2019-04-16 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US10204888B2 (en) 2011-04-13 2019-02-12 Intematix Corporation LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion
US9219014B2 (en) 2011-05-24 2015-12-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting elements, and manufacturing apparatus of light emitting elements
US10557594B2 (en) 2012-12-28 2020-02-11 Intematix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
US10234725B2 (en) 2015-03-23 2019-03-19 Intematix Corporation Photoluminescence color display

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004363635A (ja) 2004-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2900928B2 (ja) 発光ダイオード
JPH05152609A (ja) 発光ダイオード
US7414271B2 (en) Thin film led
US7091055B2 (en) White light emitting diode and method for manufacturing the same
JP3366586B2 (ja) 発光ダイオード
US7279350B2 (en) White-light emitting devices and methods for manufacturing the same
US9281454B2 (en) Thin film light emitting diode
JP4101468B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP3655267B2 (ja) 半導体発光装置
JP3645207B2 (ja) 発光ダイオード
KR20090069146A (ko) 발광 다이오드 패키지
JP2011249411A (ja) 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置
JP2014053609A (ja) 発光素子及びその製造方法
JP3724498B2 (ja) 発光ダイオード
JP3724490B2 (ja) 発光ダイオード
JP2003234513A (ja) 蛍光染料又は蛍光顔料が添加された波長変換発光ダイオード用樹脂
JP3920296B2 (ja) 発光ダイオード
JP3808892B2 (ja) 発光ダイオード
CN112436085A (zh) 发光二极管灯丝及照明装置
JP3995011B2 (ja) 発光ダイオード
JP4109297B2 (ja) 発光ダイオード
JP2007184655A (ja) 発光ダイオード
JP2004158874A (ja) 発光ダイオード
KR100450514B1 (ko) 백색 발광 다이오드
KR20040020240A (ko) 발광다이오드 램프 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050329

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050530

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050830

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050912

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080930

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100930

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100930

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110930

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110930

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110930

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120930

Year of fee payment: 7

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120930

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120930

Year of fee payment: 7