JP3720504B2

JP3720504B2 - 閃光発光装置

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Publication number: JP3720504B2
Application number: JP35670196A
Authority: JP
Inventors: 一福井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-12-27
Filing date: 1996-12-27
Publication date: 2005-11-30
Anticipated expiration: 2016-12-27
Also published as: JPH10197920A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光手段を発光させる為の電気エネルギーを蓄積する第１のコンデンサと、該第１のコンデンサに付加的に接続されるコンデンサとを備えた閃光発光装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
閃光発光装置は、メインコンデンサに充電された数１００ボルトの電圧を、発光手段であるキセノン管（以下、Ｘｅ管と記す）に印加し、同時にＸｅ管のトリガ電極に数千ボルトのトリガ電圧を印加し、該Ｘｅ管を励起する事により発光を行っている。しかし、Ｘｅ管の特性により、メインコンデンサの電圧が低い場合は、トリガ電圧を印加してもある電圧以下では発光が不可能になってしまう。この電圧を、以下「発光開始電圧」と呼ぶ。
【０００３】
この発光開始電圧は、Ｘｅ管の管径やアーク、キセノンのガス圧等の条件により決定されるものであり、小型カメラに用いる一般的なＸｅ管では約２５０ボルト程度の電圧である。この電圧が高いと、メインコンデンサの電圧が十分高くなるまではストロボが発光できない事になり、メインコンデンサの充電に時間がかかり、撮影の際の速写性が劣る事につながる。
【０００４】
この欠点を解決する為に、発光開始時にＸｅ管の負電極をグランドレベル以下に引き下げる電圧印加用のコンデンサを付加した回路は従来より公知であり、この倍圧コンデンサと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor ：以下、ＩＧＢＴと記す）を用いた回路が、特開昭６４−１７０３３号公報にて開示されている。
【０００５】
図６はこの中で示された回路の要部を説明する為の図であり、１００は発光の為のエネルギーを蓄えたメインコンデンサであり、不図示の電源で充電される。１０１はコイル、１０２はダイオード、１０３はＸｅ管、１０４，１０５は抵抗、１０６は倍圧コンデンサ、１０７はダイオード、１０８は抵抗である。１０９はＩＧＢＴであり、不図示の制御回路からＧＡＴＥ電極にハイレベル（以下、“Ｈｉ”と記す）の電圧が印加されたとき、コレクタ・エミッタ間が導通するものであり、ＧＡＴＥ電極にローレベル（以下、“Ｌｏ”と記す）の電圧が印加されたとき、コレクタ・エミッタ間が遮断されるものである。
【０００６】
上記装置において、不図示の電源によりメインコンデンサ１００が充電されている場合は、倍圧コンデンサ１０６も、抵抗１０４，１０８を介して図示の極性に充電されている。発光時は、不図示のトリガ回路から、Ｘｅ管１０３のトリガ電極ＴＲＩＧに数千ボルトの電圧を印加すると同時に、ＩＧＢＴ１０９のＧＡＴＥ電極に“Ｈｉ”を印加する事により、ＩＧＢＴ１０９のエミッタ・コレクタ電極間が導通状態となる。この際、倍圧コンデンサ１０６の正極（陽極）側は抵抗１０５，ＩＧＢＴ１０９を介してグランド電位に引き落とされるので、倍圧コンデンサ１０６の負極（陰極）側は負電圧が発生し、Ｘｅ管１０３の負極側に負電圧が印加され、Ｘｅ管１０３の両極には電源電圧の２倍の電圧が印加されるものである。
【０００７】
また、この倍電圧印加回路を複数用いて、より高い電圧を発光開始時にＸｅ管１０３に印加する回路が、特開平４−３０６５９４号公報にて開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
前記特開昭６４−１７０３３号公報にて開示されされている従来例では、倍圧コンデンサ１０６は抵抗１０４及び抵抗１０８を通して充電される。一方、Ｘｅ管１０３を高速に繰り返して発光させるような場合は、発光の都度、倍圧コンデンサ１０６も高速に充電する必要がある。しかしながら、倍圧コンデンサ１０６の充電時間を早くする為に抵抗１０８の抵抗値を小さくすると、発光停止時にＩＧＢＴ１０９を遮断しても、発光電流はこの抵抗１０８を通して流れる事になり、発光が停止しなくなるので、１００ＫΩ程度よりも小さくする事ができない。従って、倍圧コンデンサ１０６を高速に充電することが困難であり、高速の繰り返し発光には対応できないものであった。
【０００９】
また、特開平４−３０６５９４号公報にて開示されている従来例では、倍電圧印加回路を複数具備した構成であるので、メインコンデンサの電圧の低いときには有効に働くが、メインコンデンサの電圧が高い場合は、必要以上にＸｅ管に高圧が印加され、Ｘｅ管の耐久性や、Ｘｅ管の配線等に関して好ましくないといった問題があった。
【００１０】
（発明の目的）
本発明の第１の目的は、第１のコンデンサの電圧の高低に関係なく、適正な電圧を発光手段に印加し、発光手段の耐久性を損なうといった事を無くしつつ、常に安定した発光を行わせることのできる閃光発光装置を提供することにある。
【００１１】
本発明の第２の目的は、第１のコンデンサの電圧が低い場合でも、高速の繰り返し発光に対応可能であり、安定して発光手段の発光を行わせることのできる閃光発光装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的を達成するために、請求項１〜４記載の本発明は、電源手段と、発光手段と、前記電源手段により充電され、前記発光手段を発光させる為の電気エネルギーを蓄積する第１のコンデンサと、前記電源手段により充電されるコンデンサにより構成され、前記第１のコンデンサに付加的に接続される第１の電圧印加手段および第２の電圧印加手段と、前記第１のコンデンサの電圧を検出する電圧検出手段とを備えた閃光発光装置において、前記発光手段の発光時に、前記電圧検出手段により前記第１のコンデンサの電圧が所定電圧より低いことが検出された場合には前記第１の電圧印加手段および前記第２の電圧印加手段を選択し、前記電圧検出手段により前記第１のコンデンサの電圧が所定電圧より高いことが検出された場合には前記第２の電圧印加手段を選択し、選択した電圧印加手段を用いて前記第１のコンデンサの電圧よりも高い電圧を前記発光手段に印加する選択手段を設けた閃光発光装置としている。
【００１３】
更に詳述すると、前記第１のコンデンサの電圧が所定電圧より低いことが検出された場合は、前記第１の電圧印加手段および前記第２の電圧印加手段を選択して前記第１のコンデンサの電圧の３倍の電圧を前記発光手段に印加させ、所定電圧より高いことが検出された場合は、第２の電圧印加手段を選択して前記第１のコンデンサの電圧の２倍の電圧を前記発光手段に印加させる構成にしている。
【００１４】
また、上記第２の目的を達成するために、請求項３及び４記載の本発明は、前記第１の電圧印加手段を、電源手段により充電され、第１のコンデンサに付加的に接続される第２のコンデンサと、該第２のコンデンサの負極を前記第１のコンデンサの正極側に接続する接続手段と、前記第２のコンデンサの正極から前記第１のコンデンサの正極へ電荷が流入するのを阻止するダイオードとから構成し、発光手段の発光時には、前記接続手段を機能させて前記第１のコンデンサの電圧に第２のコンデンサの電圧を加算した電圧を前記発光手段に印加するようにしている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
図１は本発明の実施の第１の形態に係る閃光発光装置の構成を示す回路図であり、同図において、１は公知のＤＣ／ＤＣコンバータで、ＣＮＴ端子により充電の制御が可能であり、電源電池を数１００Ｖの電圧に昇圧し、メインコンデンサ２を充電する。メインコンデンサ２の電圧は抵抗３及び４にて分圧され、閃光発光装置全体の動作を制御するマイクロコンピュータ５０にてメインコンデンサ電圧を検出する。
【００１７】
５はＰＮＰトランジスタ、６，７は抵抗、８はＮＰＮトランジスタ、９，１０は抵抗、１１は倍圧コンデンサであり、前記ＰＮＰトランジスタ５から倍圧コンデンサ１１までの各素子により、正の倍電圧印加回路を形成する。１２，１３は抵抗、１４はＮＰＮトランジスタ、１５，１６は抵抗であり、前記抵抗１２から抵抗１６までにより、前記倍圧コンデンサ１１の高速充電回路を形成する。１７は抵抗、１８はダイオード、１９はトリガコンデンサ、２０は抵抗、２１はダイオード、２２はトリガトランスであり、前記抵抗１７からトリガトランス２２までによりトリガ回路を形成する。２３は発光電流を制限するコイル、２４は発光停止時に前記コイル２３に発生する電圧を吸収するフライホイールダイオード、２５は倍電圧印加回路との干渉を防止するダイオード、２６は発光手段であるＸｅ管、２８は発光制御手段であるＩＧＢＴ、２９，３０は抵抗、３１は不図示のカメラと接続接点端子である。
【００１８】
次に、マイクロコンピュータ５０の各端子の説明をする。
【００１９】
ＣＮＴはＤＣ／ＤＣコンバータ１の充電動作の制御出力端子、ＨＶはメインコンデンサ２の電圧をモニタするためのアナログｔｏディジタル変換（Ａ／Ｄ変換）入力端子、ＤＶは倍圧動作制御出力端子、ＱＣは倍圧コンデンサ１１の急速充電制御出力端子、ＧＡＴＥはＩＧＢＴ２８のゲート制御出力端子である。Ｘは不図示のカメラからの発光指令信号の入力端子、ＣＬＫは周知のシリアル通信を行うためのシリアルロック入力端子、ＤＩはシリアルデータ入力端子、ＤＯはシリアルデータ出力端子、ＣＨＧはストロボの発光可否をカメラに伝達するための電流出力端子である。
【００２０】
図２は各部の電圧を示すタイミングチャートであり、以下、この図を用いて発光動作について説明する。
【００２１】
図１の構成において、時刻ｔ₀ にて、不図示の電源スイッチの投入により、マイクロコンピュータ５０が動作を開始し、まず、ＨＶ端子よりメインコンデンサ電圧をモニタする。そして、メインコンデンサ電圧が所定電圧より低い場合は、ＣＮＴ端子を介してＤＣ／ＤＣコンバータに充電動作を指示する。メインコンデンサ電圧は図２（ａ）で示す様に、充電開始時点より上昇していく。一方、倍圧コンデンサ１１はコイル２３、ダイオード２５、抵抗１２，１３を介して充電され、その正極の電位はメインコンデンサ電圧と同等となる。また、負極の電位は図２（ｄ）に示す様に、発光前はグランド電位に固定されている。
【００２２】
次に、時刻ｔ₁ で、メインコンデンサ電圧が発光可能所定電圧に到達した場合は、ＣＨＧ端子を介して所定電流を流入し、不図示のカメラに発光可能になった事を伝達する。次に、時刻ｔ₂ にて、メインコンデンサ電圧が充電上限電圧に達した場合は、ＣＮＴ端子を介してＤＣ／ＤＣコンバータ１に充電停止を指示する。尚、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の充電を停止しても、メインコンデンサ電圧モニタ用の抵抗３，４等を通して電流が流れ、電圧は低下するので、所定電圧以下にメインコンデンサ電圧が低下した場合は、再度ＣＮＴ端子よりＤＣ／ＤＣコンバータ１を作動させて、所定電圧を維持するべく制御を行う。
【００２３】
次に、時刻ｔ₃ にて、不図示のカメラのシャッタボタンが押され、Ｘ端子が“Ｌｏ”に引き落とされると（図２（ｅ）参照）、マイクロコンピュータ５０はそれを検知し、以下の発光動作を開始する。
【００２４】
まず、図２（ｇ）に示す様に、ＤＶ出力端子を“Ｈｉ”に設定する。これにより、トランジスタ８が導通状態となり、抵抗７を介してトランジスタ５のベース電流を引き込むので、該トランジスタ５が導通状態になる。この際、トランジスタ５のエミッタ側にはメインコンデンサ２の＋側の電位が印加され、コレクタ側もほぼ同電位に持ち上げられるので、倍圧コンデンサ１１の負極はメインコンデンサ２の電位に持ち上げられ、正極すなわち、図２（ｃ）に示すＸｅ管２６の正極電圧はほぼメインコンデンサの２倍の電位となる。
【００２５】
また、図２（ｈ）で示す様に、マイクロコンピュータ５０は上記の動作と同時点でＧＡＴＥ出力を“Ｈｉ”に設定する。これにより、ＩＧＢＴ２８が導通状態となり、トリガコンデンサ１９の電荷は、ダイオード１８、ＩＧＢＴ２８、トリガトランス２２を通って流れ、トリガトランス２２の二次側に数千ボルトのトリガ電圧が発生し、Ｘｅ管２６を励起して発光が開始される。尚、この発光開始時点では、上記の動作時に説明したように、発光開始時はＸｅ管２６の両側にメインコンデンサ２と倍圧コンデンサ１１の電圧を加算した、メインコンデンサ２の２倍の電圧が印加されているので、Ｘｅ管２６は安定して発光する事が可能となる。
【００２６】
不図示のカメラからの発光停止信号は、図２（ｆ）に示す様に、時刻ｔ₄ でＣＬＫ端子を“Ｈｉ”に設定する事で指示される。この発光停止信号を受信する事により、ＧＡＴＥ出力を“Ｌｏ”に設定してＩＧＢＴ２８を非導通状態に設定し、発光を停止すると共に、ＤＶ出力を“Ｌｏ”に設定し、トランジスタ８，５を非導通状態に設定し、倍電圧印加回路の動作を禁止する。
【００２７】
続いて、図２（ｉ）に示す様に、ＱＣ出力を所定時間“Ｈｉ”に設定し、トランジスタ１４を導通状態にする。これは、倍圧コンデンサ１１を急速に充電し、次回の発光に備えるためである。図２（ｄ）は倍圧コンデンサ１１の充電状態を示すものであり、発光終了後、トランジスタ１４を導通状態にしない場合は、同図の点線で示す様に、倍圧コンデンサ１１の負極電圧は、倍圧コンデンサ容量と充電用の抵抗１２，１３の時定数で定まる時間で充電されるが、トランジスタ１４を導通状態にすると、同図の実線で示すように、倍圧コンデンサ容量と充電抵抗１２で決まる急速な時定数で充電を行う事が可能であり、高速な繰り返し発光時においても、倍圧コンデンサは十分に充電されており、発光抜けを生じる事なく安定した発光動作を行う事ができる。
【００２８】
上記実施の形態では、倍電圧印加回路の制御信号ＤＶとＩＧＢＴ２８の制御信号ＧＡＴＥを別に説明したが、同一の信号にしてもよい。
【００２９】
上記の実施の第１の形態においては、メインコンデンサ２の充電と同時に充電される倍圧コンデンサ１１を、負極をメインコンデンサ２の正極に接続する手段をもち、また倍圧コンデンサ１１の正極を発光手段であるＸｅ管２６の正極に接続する構成にしている為、発光手段であるＸｅ管２６の正極にメインコンデンサ電圧の２倍の電圧を印加する事が可能となり、メインコンデンサ２の電圧が低い場合（倍電圧印加回路がなければ２５０ボルト以上でなければ十分に発光させることができなかったが、この実施の第１の形態では、２００ボルト程度であれば良い）でも、発光抜けを防止する事ができ、安定した発光を行う事が可能となった。
【００３０】
また、上記の様に正の倍電圧印加回路と前記倍圧コンデンサを急速に充電する手段を設けている為に、高速の繰り返し発光の場合も安定してＸｅ管を発光させる事が可能となった。
【００３１】
（実施の第２の形態）
この実施の第２の形態では、上記実施の第１の形態で説明したＸｅ管の正極に正の高電位を印加する倍電圧印加回路に、周知のＸｅ管の負極に負の高電位を印加する倍電圧印加回路を組み合わせ、メインコンデンサ電圧に応じてＸｅ管に印加する電圧を可変させるものである。
【００３２】
図３は本発明の実施の第２の形態を示す閃光発光装置の構成を示す回路図であり、図１と同じ部分は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３３】
同図において、ＣＫＴ＿Ａは周知の倍電圧印加回路であり、３８は第２の倍圧コンデンサ、３２は前記倍圧コンデンサ３８の充電ループを形成するダイオード、３３，３４，３５は抵抗、３６は発光時にＸｅ管２６と倍圧コンデンサ３８を接続するトランジスタ、３７はダイオードである。
【００３４】
以下に、上記構成において新たに追加した周知の負の倍電圧印加回路の動作を説明する。
【００３５】
ＤＣ／ＤＣコンデンサ１の出力電圧はメインコンデンサ２に充電されると共に、抵抗１７、ダイオード３２を介して、倍圧コンデンサ３８に図示する極性でメインコンデンサ２と同じ電圧に充電がなされる。発光時はＩＧＢＴ２８を導通状態にすると、倍圧コンデンサ３８の正極がＩＧＢＴ２８を介してグランドレベルに引き下げられるので、相対的に倍圧コンデンサ３８の負極はメインコンデンサ２の電圧に等価な負の電圧が発生する。この際トランジスタ３６のベースは抵抗３４を介してグランドに接地されているので、倍圧コンデンサ３８の負極の負電圧により、トランジスタ３６のエミッタはベースよりも低い電位となり、トランジスタ３６が導通状態になり、Ｘｅ管２６の負極は負の高電圧が印加され、Ｘｅ管２６の電極間にはメインコンデンサ２の倍の電圧が印加されることになる。
【００３６】
さらに、上記実施の第１の形態で説明した正の倍電圧印加回路により、Ｘｅ管２６の正極にメインコンデンサ２の倍の電圧が印加される事になり、Ｘｅ管２６の電極管にはメインコンデンサの３倍の電圧が印加される。
【００３７】
以上が実施の第２の形態における倍電圧印加回路の説明であるが、この実施の形態では、メインコンデンサ２の電圧に応じて正の倍電圧印加回路の動作の禁止／許可を行い、メインコンデンサ電圧が所定電圧より低い場合（１８０〜２００ボルト以下の場合）、正負両方の倍電圧印加回路を駆動する事により、Ｘｅ管２６にメインコンデンサ２の３倍の電圧を印加し、メインコンデンサ電圧が所定電圧より高い場合は、正の倍電圧印加回路を禁止する事により、Ｘｅ管２６にメインコンデンサ２の２倍の電圧を印加する。
【００３８】
以下に、マイクロコンピュータ５０のＨＶ入力端子からモニタされるメインコンデンサ２の電圧が所定電圧よりも低い場合の動作について、図４を用いて説明する。
【００３９】
《メインコンデンサ電圧が低い場合》
時刻ｔ₀ にて、不図示の電源スイッチの投入によりマイクロコンピュータ５０が動作を開始し、まず、ＨＶ端子よりメインコンデンサ電圧をモニタする。そして、メインコンデンサ電圧が所定電圧より低い場合は、ＣＮＴ端子を介してＤＣ／ＤＣコンバータに充電動作を指示する。メインコンデンサ２の電圧は図４（ａ）で示す様に、充電開始時点より電圧は上昇していく。一方、倍圧コンデンサ１１はコイル２３、ダイオード２５、抵抗１２，１３を介して充電され、その正極の電位はメインコンデンサ電圧と同じである。また、負極の電位は図４（ｂ）に示す様に発光前はグランド電位に固定されている。
【００４０】
次に、時刻ｔ₅ で、メインコンデンサ電圧が３倍圧印加回路の作動により発光可能となる第１の所定電圧（１５０ボルト程度）に到達した場合は、ＣＨＧ端子を介して所定電流を流入し、不図示のカメラに発光可能になった事を伝達する。
【００４１】
次に、時刻ｔ _２にて、不図示のカメラのシャッタボタンが押され、Ｘ端子が“Ｌｏ”に引き落とされ（図４（ｅ）参照）、マイクロコンピュータ５０はそれを検知し、以下の発光動作を開始する。
【００４２】
まず、メインコンデンサ電圧のモニタ端子ＨＶよりモニタした電圧が所定電圧より低い場合は、正の倍電圧印加回路を動作させる為に、図４（ｇ）に示す様にＤＶ出力端子を“Ｈｉ”に設定すると、トランジスタ８が導通状態となり、抵抗７を介してトランジスタ５のベース電流を引き込むので、トランジスタ５が導通状態になる。この際トランジスタ５のエミッタ側はメインコンデンサ２の＋側の電位が印加され、コレクタ側もほぼ同電位に持ち上げられるので、倍圧コンデンサ１１の負極はメインコンデンサ２の電位に持ち上げられ、正極すなわち、図４（ｃ）に示すＸｅ管２６の正極電圧はほぼメインコンデンサの２倍の電位となる。
【００４３】
また、図４（ｈ）に示す様に、上記の動作と同時点でＧＡＴＥ出力を“Ｈｉ”に設定する。これにより、ＩＧＢＴ２８が導通状態となり、トリガコンデンサ１９の電荷は、ダイオード１８、ＩＧＢＴ２８、トリガトランス２２を通って流れ、トリガトランス２２の二次側に数千ボルトのトリガ電圧が発生し、Ｘｅ管２６を励起させる。
【００４４】
次いで、ＩＧＢＴ２８が導通状態になると、同時に第２の倍圧コンデンサ３８の正極がダイオード１８、ＩＧＢＴ２８を介してグランドレベルに引き落とされ、前述した様にトランジスタ３６を介して、Ｘｅ管２６の負電極にメインコン電圧の逆電圧が印加される。従って、発光開始時には図４に示した様に、Ｘｅ管２６の両極間にはメインコンデンサ２の３倍の電圧が印加されて発光が開始される。
【００４５】
不図示のカメラからの発光停止信号は、図４（ｆ）に示す様に、時刻ｔ _３で、ＣＬＫ端子を“Ｈｉ”に設定する事で指示される。この発光停止信号を受信する事により、ＧＡＴＥ出力を“Ｌｏ”に設定してＩＧＢＴ２８を非導通状態にして発光を停止すると共に、ＤＶ出力を“Ｌｏ”に設定し、トランジスタ８，５を非導通状態に設定し、倍電圧印加回路の動作を禁止する。
【００４６】
続いて、図４（ｉ）に示す様に、ＱＣ出力を所定時間“Ｈｉ”に設定し、トランジスタ１４を導通状態にする。これは、前述した様に倍圧コンデンサ１１を急速に充電し、次回の発光に備える為である。
【００４７】
また、発光停止時にＩＧＢＴ２８が遮断状態になると、Ｘｅ管２６内はイオン化されているので、発光停止直後の内部抵抗は数オームと極めて低い状態であり、Ｘｅ管２６の負電極は正電極とほぼ等しい電圧となっており、ＩＧＢＴ２８の遮断により行き場を失った放電電流はダイオード２１、抵抗２０を介して倍圧コンデンサ３８とトリガコンデンサ１９を急速に充電するので、高速な繰り返し発光時においても、両コンデンサは十分に充電されており、発光抜けを生じる事なく、安定した発光動作を行う事ができる。
【００４８】
《メインコンデンサ電圧が高い場合》
メインコンデンサ電圧が２倍圧印加回路の作動により発光可能となる第２の所定電圧より高い場合（２００ボルト程度を超える場合）は、正負両方の倍電圧印加回路を動作させると、Ｘｅ管２６に必要以上の電圧が印加され、該Ｘｅ管２６の耐久や該Ｘｅ管２６の配線等に関して好ましくない状態となるので、片方の倍電圧印加回路の動作を停止する。本例では、正の倍電圧印加回路の動作を禁止するものとして図５を用いて説明する。尚、発光開始時までの動作は《メインコンデンサ電圧が低い場合》の動作でも説明しているので、省略する。
【００４９】
時刻ｔ_３にて、不図示のカメラのシャッタボタンが押され、Ｘ端子が“Ｌｏ”に引き落とされ（図５（ｅ）参照）、マイクロコンピュータ５０はそれを検知し、以下の発光動作を開始する。
【００５０】
まず、メインコンデンサ電圧のモニタ端子ＨＶよりモニタした電圧が第２の所定電圧より高い場合は、正の倍電圧印加回路を動作させないために、図５（ｇ）で示す様に、ＤＶ出力端子は“Ｌｏ”のままで、ＧＡＴＥ出力を“Ｈｉ”に設定するとＩＧＢＴ２８が導通状態となり、トリガコンデンサ１９の電荷は、ダイオード１８、ＩＧＢＴ２８トリガトランス２２を通って流れ、トリガトランス２２の二次側に数千ボルトのトリガ電圧が発生し、Ｘｅ管２６を励起される。
【００５１】
次に、ＩＧＢＴ２８が導通状態になると、同時に第２の倍圧コンデンサ３８の正極がダイオード１８、ＩＧＢＴ２８を介してグランドレベルに引き落とされ、前述した様にトランジスタ３６を介してＸｅ管２６の負電極にメインコンデンサの逆電圧が印加される。従って、発光開始時には図５（ｃ）に示した様に、Ｘｅ管２６の両極間にはメインコンデンサ２の２倍の電圧が印加されて発光が開始される。
【００５２】
不図示のカメラからの発光停止信号は、図５（ｆ）に示す様に時刻ｔ_４で、ＣＬＫ端子を“Ｈｉ”に設定する事で指示される。この発光停止信号を受信する事により、ＧＡＴＥ出力を“Ｌｏ”に設定してＩＧＢＴ２８を非導通状態に設定し、発光を停止する。この際Ｘｅ管２６内はイオン化されているので、発光停止直後、内部抵抗は数オームと極めて低い状態であり、Ｘｅ管２６の負電極は正電極とほぼ等しい電位となっており、ＩＧＢＴ２８に遮断により行き場を失った放電電流はダイオード２１、抵抗２０を介して倍圧コンデンサ３８とトリガコンデンサ１９を急速に充電するので、高速な繰り返し発光時においても、倍圧コンデンサ３８は十分に充電されており、発光抜けを生じる事なく、安定した発光動作を行う事ができる。
【００５３】
以上の実施の第２の形態では、メインコンデンサ２の電圧状態を検出し、その電圧状態に応じて複数の倍電圧印加回路を選択して、Ｘｅ管２６に印加する電圧を決定する様にしている為、メインコンデンサの電圧が低いときから高いときまで信頼性が高く、かつ、安定して、Ｘｅ管２６を発光させる事が可能となった。
【００５４】
（発明と実施の形態の対応）
上記実施の各形態において、ＤＣ／ＤＣコンバータ１が本発明の電源手段に、Ｘｅ管２６が本発明の発光手段に、メインコンデンサ２が本発明の第１のコンデンサに、倍圧コンデンサ１１が本発明の第２のコンデンサに、トランジスタ５が本発明の接続手段に、それぞれ相当する。
【００５５】
また、抵抗３，４及びマイクロコンピュータ５０が本発明の電圧検出手段に、コンデンサ１１、トランジスタ５，８、抵抗６，７，９，１０から成る倍電圧印加回路とトランジスタ３６とコンデンサ３８を主な構成要素とする倍電圧印加回路ＣＫＴ＿Ａが本発明の第１と第２の電圧印加手段に、マイクロコンピュータ５０が本発明の選択手段に、それぞれ相当する。
【００５６】
以上が実施の形態の各構成と本発明の各構成の対応関係であるが、本発明は、これら実施の形態の構成に限定されるものではなく、請求項で示した機能、又は実施の形態がもつ機能が達成できる構成であればどのようなものであってもよいことは言うまでもない。
【００５７】
（変形例）
上記実施の第２の形態では、倍電圧印加回路を２個具備した例を示したが、さらに複数の倍電圧印加回路を持ち、メインコンデンサの電圧に応じて各倍電圧印加回路の動作を細かく設定してもよい。
【００５８】
また、正と負の倍電圧印加回路を１個づつ具備しているが、正の倍電圧印加回路のみを複数、あるいは、負の倍電圧印加回路を複数、それぞれ具備した構成にしても良い。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第１のコンデンサの電圧の高低に関係なく、適正な電圧を発光手段に印加し、発光手段の耐久性を損なうといった事を無くしつつ、常に安定した発光を行わせることが可能となる。
【００６０】
また、本発明によれば、第１のコンデンサの電圧が低い場合でも、安定して発光手段の発光を行わせると同時に、高速の繰り返し発光の場合でも安定して発光させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１の形態に係る閃光発光装置の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の実施の第１の形態における閃光発光動作を説明する為のタイミングチャートである。
【図３】本発明の実施の第２の形態に係る閃光発光装置の構成を示す回路図である。
【図４】本発明の実施の第２の形態における閃光発光動作を説明する為の第１のタイミングチャートである。
【図５】本発明の実施の第２の形態における閃光発光動作を説明する為の第２のタイミングチャートである。
【図６】従来の閃光発光装置の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１ＤＣ／ＤＣコンバータ
２メインコンデンサ
３，４抵抗
５トランジスタ
６，７，９，１０抵抗
８トランジスタ
１１倍圧コンデンサ
２６Ｘｅ管
３６トランジスタ
３８コンデンサ
５０マイクロコンピュータ

Claims

電源手段と、発光手段と、前記電源手段により充電され、前記発光手段を発光させる為の電気エネルギーを蓄積する第１のコンデンサと、前記電源手段により充電されるコンデンサにより構成され、前記第１のコンデンサに付加的に接続される第１の電圧印加手段および第２の電圧印加手段と、前記第１のコンデンサの電圧を検出する電圧検出手段とを備えた閃光発光装置において、前記発光手段の発光時に、前記電圧検出手段により前記第１のコンデンサの電圧が所定電圧より低いことが検出された場合には前記第１の電圧印加手段および前記第２の電圧印加手段を選択し、前記電圧検出手段により前記第１のコンデンサの電圧が所定電圧より高いことが検出された場合には前記第２の電圧印加手段を選択し、選択した電圧印加手段を用いて前記第１のコンデンサの電圧よりも高い電圧を前記発光手段に印加する選択手段を設けたことを特徴とする閃光発光装置。
前記選択手段は、前記第１のコンデンサの電圧が所定電圧より低いことが検出された場合は、前記第１の電圧印加手段および前記第２の電圧印加手段を選択して前記第１のコンデンサの電圧の３倍の電圧を前記発光手段に印加させ、所定電圧より高いことが検出された場合は、第２の電圧印加手段を選択して前記第１のコンデンサの電圧の２倍の電圧を前記発光手段に印加させることを特徴とする請求項１記載の閃光発光装置。
前記第１の電圧印加手段は、前記電源手段により充電され、前記第１のコンデンサに付加的に接続される第２のコンデンサと、該第２のコンデンサの負極を前記第１のコンデンサの正極側に接続する接続手段と、前記第２のコンデンサの正極から前記第１のコンデンサの正極へ電荷が流入するのを阻止するダイオードとから構成され、
前記発光手段の発光時には、前記接続手段を機能させて前記第１のコンデンサの電圧に第２のコンデンサの電圧を印加した電圧を前記発光手段に印加するようにしたことを特徴とする請求項１記載の閃光発光装置。
前記接続手段は、半導体スイッチング手段であることを特徴とする請求項３記載の閃光発光装置。