JP3716218B2 - 配線構造及びその形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁膜に形成された配線溝を易拡散性の導電材料、特にCuを含有する金属材料で充填してなる配線構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の高集積化とチップサイズの縮小化に伴い、配線の微細化及び多層配線化が加速的に進められている。こうした多層配線構造を有するロジックデバイスにおいては、配線遅延がデバイス信号遅延の支配的要因の1つになりつつある。デバイスの信号遅延は、配線抵抗と配線容量の積に比例しており、配線遅延の改善のためには配線抵抗及び配線容量の軽減が重要となってくる。
【0003】
この配線抵抗を低減するために、低抵抗金属であるCuを材料として配線を形成することが検討されている。ここで、Cuをパターニングして配線形成することは極めて困難であるため、絶縁膜に配線溝を形成し、この配線溝にCuを充填して配線形成する、いわゆるダマシン法が案出されている。このダマシン法を採用する場合、更に配線容量を低減するために、前記絶縁膜として従前のSiO2に替えて低誘電率材料を用いることが好適である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、Cuは低抵抗金属であるために今後の配線材料として大いに期待される反面、一般的な絶縁材料に対して易拡散性を有するという欠点がある。そこで、ダマシン法によるCu配線形成プロセスでは、絶縁膜上に堆積したCuをCMP(Chemical Mechanical Polishing)法により研磨除去し、絶縁膜の配線溝内のみを充填するようにCu配線を形成した後、Cu拡散防止とエッチングストッパーの役割を持ったSiN膜をCu配線上に形成するようにしている。
【0005】
しかしながら、SiNは、その誘電率が7.0と比較的大きいため、絶縁膜に低誘電率膜を用いたとしても、SiNのフリンジ効果によって低誘電率化が妨げられ、実効的な誘電率が減少しないという深刻な問題が生じる。
【0006】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、ダマシン法を用いてCuに代表される絶縁膜に対して易拡散性の導電材料により配線を形成するに際して、配線遅延を抑止するとともに、配線が充填形成される絶縁膜の実効的な誘電率を大幅に低減して、近時における半導体素子の更なる微細化に対応した信頼性の高い配線構造及びその形成方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【0008】
本発明の配線構造は、基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、前記配線を構成する前記導電材料は少なくともCuを含有し、前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料とし、前記水素化SiCにN原子を含有してなる膜密度が2.1(g/cm3)以上とされた拡散防止膜が設けられている。
【0009】
本発明の配線構造の他の態様は、基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、前記配線を構成する前記導電材料は少なくともCuを含有し、
前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料とし、15(atm%)〜20(atm%)のN原子を含有する拡散防止膜が設けられている。
【0010】
本発明の配線構造の形成方法は、絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、前記溝を、少なくともCuを含有する、前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料とし、前記水素化SiCにN原子を含有させて、膜密度が2.1(g/cm3)以上となるように拡散防止膜を形成する工程とを含む。
【0011】
本発明の配線構造の形成方法の他の態様は、絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、前記溝を、少なくともCuを含有する、前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料として拡散防止膜を形成する工程とを含み、前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にNを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるN濃度を15(atm%)〜20(atm%)に制御する。
【0012】
【発明の実施の形態】
−本発明の基本骨子−
初めに、本発明の基本骨子について説明する。
最近、ダマシン法によるCu配線の上面を覆うCu拡散防止膜として、比較的誘電率の高いSiN膜に替わり、プラズマCVD法によって形成する水素化SiC(SiC:H)膜が提案されている。
【0013】
しかしながら、SiC:H膜はSiN膜に比して低誘電率である反面、絶縁耐圧に乏しいという性質を有することが判っている。具体的に、図1に示すように、シリコン基板上にSiC:H膜を膜厚100nmに形成し、このSiC:H膜上にCu電極を形成して電圧印加する絶縁破壊試験を試みたところ、温度175(℃)、電界3.49(MV/cm)の条件下でSiC:H膜に絶縁破壊が生じた。
【0014】
本発明者は、SiC:H膜の絶縁耐圧に乏しいという性質が、成膜されたSiC:H膜の膜密度が低いことに起因するのではないかと推論し、この推論に基づきSiC:H膜に与える悪影響を最小限に抑えつつ絶縁耐圧向上を図るための具体的手法を考察するため、以下の各実験を試みた。
【0015】
[1]SiC:H膜においてN原子添加により膜密度を変えた場合の膜密度と誘電率(k値)との関係
先ず、SiC:H膜の膜密度を増加させた場合に誘電率に与える影響について考察する。SiC:H膜の膜密度を高めるには、SiC:H膜の成膜時に窒素(N)原子を膜内に添加することが有効である。
【0016】
図2に示すように、シリコン基板上に膜密度を変えたSiC:H膜をそれぞれ膜厚200nmに成膜して誘電率を調べたところ、次のようになる。即ち、膜密度が1.8〜2.3g/cm 3 の範囲では、膜密度と誘電率の増加の割合は略同等であり、膜密度が2.3g/cm 3 を超えると、膜密度の増加により誘電率も増加傾向を示すものの、SiC:H膜の膜密度を高めても誘電率をさほど増加させることはないことが確認された。
【0017】
[2]SiC:H膜における膜ストレス変動と膜密度との関係
続いて、SiC:H膜の膜密度を制御させた場合における膜ストレスの経時的安定性について考察する。
ここでは、[1]と同様にシリコン基板上にSiC:H膜を膜厚200nmに成膜した後、大気中に1週間放置し、膜堆積時の膜ストレスと1週間放置したときの膜ストレスの変動を調べた。
【0018】
図3は、SiC:H膜における膜密度と大気中に1週間放置したときの膜ストレス変動との関係を示す特性図である。
図3によれば、膜密度の増加に従って膜ストレス変動が小さくなり、膜密度2.1(g/cm3)ではストレス変動はさほど見られなくなる。即ち、SiC:H膜を膜密度2.1(g/cm3)以上の緻密な膜に形成すれば、たとえ大気中に長時間放置しておいても膜ストレスは安定となることが判る。
【0019】
なお、[1],[2]の各実験において、SiC:H膜のソースガスとしてトリメチルシラン(3MS)ガスを用い、SiC:H膜の膜密度2.1(g/cm3)を得るため、Nを含有する添加ガスとしてNH3を用いている。膜密度2.1(g/cm3)を得るための典型的な成膜条件としては、3MSの流量を150(cc/min)、RFパワー(13.56MHz)を300(W)、基板温度を350(℃)、添加ガスであるNH3の流量を100(cc/min)以上、雰囲気圧力を2.7×102(Pa)(2Torr)とすれば良い。この場合、SiC:Hのソースガスとしてテトラメチルシラン(4MS)ガスを用いてもよい。また添加ガスとして、N2を用いた場合にも同様の効果が得られる。
【0020】
[3]SiC:H膜における昇温脱離分光(TDS:Thermal Desorption Spectroscopy)特性と膜密度との関係
続いて、SiC:H膜を成膜する際において、Nを含有する添加ガスの膜中への吸収安定性について考察する。
ここでは、シリコン基板上にSiC:H膜を膜厚430nmに成膜し、室温から700℃まで基板温度を変化させてTDSにより脱ガス特性を調べた。このTDSの試験の際に注目したM/e(質量電荷比)は、2,12,15,16,17,18,28,44である。
【0021】
図4は、SiC:H膜の各成膜条件における脱ガス特性を示す特性図である。図4によれば、400℃におけるM/e=16の脱ガス量に注目すると、膜密度1.79(g/cm3)で4.0×10-9(Pa)(3.0×10-11(Torr))、膜密度2.32(g/cm3)で2.4×10-9(Pa)(1.8×10-11(Torr))、膜密度2.42(g/cm3)で3.3×10-10(Pa)(2.5×10-12(Torr))となり、膜密度が増加するに従って脱ガス量が減少してゆくことが判る。このことから、結合の弱い成分が成膜中に取り込まれ難い緻密なSiC:H膜となって、たとえ放置してもガスを吸収することが少なくなり安定化したものと考えられる。
【0022】
[4]SiC:H膜における経時絶縁破壊(TDDB:Time Dependent Dielectric Break-down)寿命と膜密度との関係
続いて、SiC:H膜の膜密度を制御させた場合における耐圧信頼性について考察する。
【0023】
図5はTDDB試験の原理を示す模式図である。
図5(a)に示すように、シリコン基板(又はCu膜等)上に絶縁膜を堆積した後、この絶縁膜上に電極用のCuを真空蒸着により堆積し、形成したCu電極を+電極、シリコン基板を接地として電圧を印加する。電圧を印加すると、図5(c)に示すように+のCu電極からイオン化されたCuが絶縁膜中に放出される。絶縁膜中に浸入したCuイオンは、電極間に生じた電界によって+電極から−電極へとドリフトし、最終的には−電極に到達して絶縁破壊へと至る。図5(b)にリーク電流の時間的変化の様子を示す。リーク電流が大幅に大きくなる時刻が絶縁破壊による絶縁膜の寿命である。
【0024】
図6は、上述したTDDB試験をSiC:H膜に適用した場合の模式図である。
図6(a)にTDDB試験に用いたサンプルの概略構造を示す。このサンプルは、シリコン基板上にSiC:H膜を膜厚70nmに成膜した後、SiC:H膜上にCu電極を真空蒸着により成膜したものである。Cu電極の大きさは0.15mmφであり、ステージ温度を200℃に設定してプローバを用いて測定した。測定の際には、図6(b)に示すように、Cu電極に+の電圧を印加する。この場合、電圧印加初期にリーク電流が減少するが、その後はほぼ一定の値に落ちつく。初期リーク電流の目安として、0.1秒経過後の電流値をi0と定義し、ウェハーレベルで可能な測定範囲を凡そ2000秒までとした。
【0025】
試験結果を以下の表1に結果をまとめる。
【0026】
【表1】
【0027】
膜密度2.42(g/cm3)のSiC:H膜については、3(MV/cm)の電界を印加してもリーク電流は少なく、平均故障時間(MTF:Mean Time to Failure)はウェハーレベル限界の2000秒を遥かに越える結果を示した。これに対して、膜密度1.79(g/cm3)のSiC:H膜については、3(MV/cm)の電界を印加するとリーク電流が100μAを越えてしまう。TDDB試験では寿命の目安として、リーク電流>1(μA/cm2)程度が採用されておりことから、1.4(MV/cm)の印加電界でも発生するリーク電流はμAオーダーとなり、極めて大きい。また、膜密度2.32(g/cm3)のSiC:H膜については、膜密度2.42(g/cm3)のものと膜密度1.79(g/cm3)のものとの中間の物性を示す。
【0028】
更に、SiC:H膜の成膜時に添加ガスとしてNH3を添加することにより、膜密度2.1(g/cm3)のSiC:H膜を有するのサンプルを作製し、このサンプルについても上述と同様の実験を行った。その実験結果を以下の表2にまとめる。
【0029】
【表2】
【0030】
表2に示すように、SiC:H膜を膜密度2.1(g/cm3)以上となるように添加ガス量を制御して成膜することにより、誘電率の低減及び電気的信頼性の確保という双方の要請を十分満たすことが判る。
【0031】
[5]SiC:H膜におけるN原子添加量と膜密度との関係
上述したように、Nを含むガスを添加することにより、SiC:H膜の膜密度が増加して絶縁耐圧が向上することが今回初めて見出された。そこで次に、Nを含む添加ガスの適正添加範囲について考察する。
【0032】
[1]で説明したように、SiC:H膜の膜密度の増加に伴い誘電率の上昇を招くが、本発明では膜密度を増加させる手法としてSiC:H膜成膜時のN原子添加を採用しており、N原子添加量と誘電率及び膜密度との関係を調べることが必要である。
【0033】
図7(a)はSiC:H膜のN原子含有量と誘電率との関係を示す特性図、図7(b)はSiC:H膜のN原子含有量と膜密度との関係を示す特性図である。
(a)に示すように、N原子含有量の増加により誘電率も増加傾向を示す。しかしながら、膜密度に関してはN原子含有量が20(atm%)以上では飽和する(図7(b))。信頼性良く、且つ低誘電率のCu拡散防止膜として機能するSiC:H膜中のN原子含有量の上限は20(atm%)と見積もることができる。一方、(b)に示すように、膜密度2.1(g/cm3)以上を確保するにはN原子含有量が15(atm%)程度以上であることを要し、絶縁耐圧の十分な確保という要請に着目すれば、N原子含有量の下限は8(atm%)と見積もることができる。以上の考察から、SiC:H膜のN原子含有量、即ちNを含む添加ガスの適正添加範囲は8(atm%)〜20(atm%)であり、この範囲を満たせば、SiC:H膜に与える悪影響を最小限に抑えつつ絶縁耐圧向上が実現する。
【0034】
以上の説明を総括し、本実施形態における配線構造の主要構成を図8に示す。本実施形態では、例えばアリルエーテル系有機低誘電率膜等からなる層間絶縁膜1にビア孔2及び配線溝3が一体形成され、ダマシン法及びCMP法によりこれらをTaNやTa等の下地膜6を介してCuで充填する配線4が形成され、この配線4の上面を覆うようにSiC:H膜5が形成されてなる配線構造を前提とする。
【0035】
そして、SiC:H膜5の膜密度が2.1(g/cm3)以上となるように、SiC:H膜5成膜時のNを含むガスの添加により制御する。別の観点から見れば、SiC:H膜5のN原子含有量が8(atm%)〜20(atm%)となるように、Nを含むガスの添加量を制御してSiC:H膜5を成膜する。これらにより、ダマシン法によるCu配線構造において、配線遅延を抑止するとともに、配線が充填形成される絶縁膜の実効的な誘電率を大幅に低減して、近時における半導体素子の更なる微細化に対応した信頼性の高い配線構造が実現する。
【0036】
−具体的な実施形態−
上述した本発明の基本骨子を踏まえ、本発明の具体的な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0037】
図9〜図14は、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図9(a)に示すように、シリコン基板11上に、MOSトランジスタ等の半導体素子(不図示)を形成した後、低誘電率の層間絶縁膜としてアリルエーテル系有機低誘電率膜12(膜厚150nm)を形成し、続いて、下地からの反射を防止するため反射防止膜13を形成する。その後、反射防止膜13にフォトレジストを塗布し、これをフォトリソグラフィーにより加工して配線溝形状のレジストパターン14を形成する。
【0038】
なお、層間絶縁膜としては、アリルエーテル系有機低誘電率膜12の替わりに、フッ素をドープしたSiO2膜、アロマテックハイドロカーボンポリマー膜、フルオロカーボン系低誘電率膜、ハイドロジェンシロセスキオキサン系低誘電率膜、ハイドロメチルシロセスキオキサン系低誘電率膜、ポーラスキオキサン系低誘電率膜、オルガノシリケートグラス膜、ポーラスアリルエーテル系低誘電率膜を形成しても良い。また、層間絶縁膜として低誘電率膜とプラズマSiO2膜、又はプラズマSiON膜、或いはプラズマSiN膜との積層構造膜を形成しても好適である。
【0039】
続いて、図9(b)に示すように、レジストパターン14をマスクとして反射防止膜13及びアリルエーテル系有機低誘電率膜12をプラズマエッチングし、配線溝を形成する。その後、不要なレジストパターン14及び反射防止膜13を除去する。
【0040】
続いて、図10(a)に示すように、配線溝の内壁面を覆うようにバリアメタル膜15としてTa膜又はTaN膜(膜厚15nm)をスパッタリング法により成膜し、次にバリアメタル膜15上にメッキ電極膜16(膜厚130nm)を形成する。
【0041】
続いて、図10(b)に示すように、電界メッキ法によりCu膜17を膜厚970nmに成模した後、図10(c)に示すように、CMP法によりCu膜17及びバリアメタル膜15を研磨し、配線溝内にバリアメタル膜15を介してCuで充填してなる配線18を形成する。
【0042】
続いて、図11(a)に示すように、配線18上にSiC:H膜19(膜厚70nm)をプラズマCVD法により膜密度が2.2(g/cm3)となるように形成する。
具体的には、炭素(C)のソースガスとして4MS、3MS、又は2MSを用い、NH3を添加ガスとして加え、これらのガスの混合ガスプラズマを用い、全圧力を1.3×102(Pa)〜1.3×101(Pa)(1(Torr)〜10(Torr))、プラズマパワーを13.56(MHz)で300(W)〜500(W)(又は400(kHz)で300(W)〜500(W))、成膜温度を350℃〜400℃の範囲で行なう。このとき、400(kHz)のRFパワーは印加しなくともNH3ガスを添加することにより同様の効果が得られる。この場合、添加ガスとしてNH3ガスの替わりにN2を添加しても好適である。
【0043】
続いて、図11(b)に示すように、SiC:H膜19上に配線部を形成するための層間絶縁膜となるアリルエーテル系有機低誘電率膜21(膜厚550nm)を形成し、更に配線部を形成するときのエッチングマスクとなるSiN膜22(膜厚100nm)をプラズマCVD法により形成する。
【0044】
なお、層間絶縁膜としては、アリルエーテル系有機低誘電率膜21の替わりに、フッ素をドープしたSiO2膜、アロマテックハイドロカーボンポリマー膜、フルオロカーボン系低誘電率膜、ハイドロジェンシロセスキオキサン系低誘電率膜、ハイドロメチルシロセスキオキサン系低誘電率膜、ポーラスキオキサン系低誘電率膜、オルガノシリケートグラス膜、ポーラスアリルエーテル系低誘電率膜を形成しても良い。また、層間絶縁膜として低誘電率膜とプラズマSiO2膜、又はプラズマSiON膜、或いはプラズマSiN膜との積層構造膜を形成しても好適である。
【0045】
続いて、図12(a)に示すように、SiN膜22上に反射防止膜23を形成した後、この反射防止膜23上にフォトレジストを塗布し、これをフォトリソグラフィーにより加工して配線溝形状のレジストパターン24を形成する。
【0046】
続いて、図12(b)に示すように、レジストパターン24をマスクとして反射防止膜23及びSiN膜22をプラズマエッチングし、SiN膜22に配線溝パターン20aを形成する。その後、不要なレジストパターン及び反射防止膜23を除去する。
【0047】
続いて、図13(a)に示すように、SiN膜22上に配線溝パターン20aを埋め込むように反射防止膜23(膜厚110nm)を形成した後、この反射防止膜23上にフォトレジストを塗布し、これをフォトリソグラフィーにより加工してビア孔形状のレジストパターン31を形成する。
【0048】
続いて、図13(b)に示すように、レジストパターン31をマスクとして反射防止膜23及びSiN膜22をプラズマエッチングし、更に図13(c)に示すように、SiC:H膜19をストッパーとしてアリルエーテル系有機低誘電率膜21をエッチングした後、配線18の表面が露出するようにSiC:H膜19をエッチングする。これらの工程により、ビア孔30及び配線溝パターン20aの形成されたSiN膜22がマスクとなってビア孔30と連続する配線溝20が形成される。なお、当該一連の工程により、レジストパターン31及び反射防止膜23が除去される。
【0049】
そして、図14に示すように、配線溝20及びビア孔30の内壁面を覆うようにバリアメタル膜32としてTa膜(膜厚15nm)をスパッタリング法により成膜し、次にバリアメタル膜32上にメッキ電極膜33(膜厚130nm)を形成した後、電界メッキ法によりCu膜34を膜厚970nmに成模し、CMP法によりCu膜34及びバリアメタル膜32を研磨する。このとき、ビア孔30及び配線溝20を埋め込む配線35が形成される。しかる後、配線35上にカバー膜36となるSiN膜(膜厚70nm)を形成する。
【0050】
本実施形態による、配線を構成する配線部及びプラグ部が低誘電率膜内に形成されてなる、いわゆるフル低誘電率の配線構造の温度バイアス試験を行ったところ、以下の表3に示すように、温度バイアスストレス試験においても不良は見られず、配線間寿命を犠牲にすることなく従来品の発明と比較して配線間容量が8%減少したという好適な結果を得た。
【0051】
【表3】
【0052】
以上説明したように、本実施形態によれば、ダマシン法を用いてCuにより配線18を形成するに際して、配線遅延を抑止するとともに、配線18が充填形成される層間絶縁膜の実効的な誘電率を大幅に低減して、近時における半導体素子の更なる微細化に対応した信頼性の高い配線構造が実現する。
【0053】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0054】
(付記1)基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、
前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料とし、膜密度が2.1(g/cm3)以上とされた拡散防止膜が設けられていることを特徴とする配線構造。
【0055】
(付記2)前記拡散防止膜は、8(atm%)〜20(atm%)のN原子を含有することを特徴とする付記1に記載の配線構造。
【0056】
(付記3)基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、
前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料とし、8(atm%)〜20(atm%)のN原子を含有する拡散防止膜が設けられていることを特徴とする配線構造。
【0057】
(付記4)前記配線を構成する前記導電材料が少なくともCuを含有する金属材料であることを特徴とする付記1〜3のいずれか1項に記載の配線構造。
【0058】
(付記5)前記配線は、前記溝内で導電性の下地膜を介して充填形成されていることを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載の配線構造。
【0059】
(付記6)前記絶縁膜は低誘電率材料からなることを特徴とする付記1〜5のいずれか1項に記載の配線構造。
【0060】
(付記7)絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、
前記溝を少なくとも前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、
前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料とし、膜密度が2.1(g/cm3)以上となるように拡散防止膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする配線構造の形成方法。
【0061】
(付記8)前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にNを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるN濃度を8(atm%)〜20(atm%)に制御することを特徴とする付記7に記載の配線構造の形成方法。
【0062】
(付記9)絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、
前記溝を少なくとも前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、
前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料として拡散防止膜を形成する工程と
を含み、
前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にNを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるN濃度を8(atm%)〜20(atm%)に制御することを特徴とする配線構造の形成方法。
【0063】
(付記10)前記拡散防止膜を形成する際に用いるソースガスがメチルシラン系のガスであることを特徴とする付記7〜9のいずれか1項に記載の配線構造の形成方法。
【0064】
(付記11)前記Nを含有するガスがN2又はNH3であることを特徴とする付記8〜10のいずれか1項に記載の配線構造の形成方法。
【0065】
(付記12)前記配線を構成する前記導電材料が少なくともCuを含有する金属材料であることを特徴とする付記7〜11のいずれか1項に記載の配線構造の形成方法。
【0066】
(付記13)前記配線を形成する際に、前記溝の内壁を覆うように導電性の下地膜を形成した後、前記下地膜を介して前記溝内を充填するように前記配線を形成することを特徴とする付記7〜12のいずれか1項に記載の配線構造の形成方法。
【0067】
(付記14)前記絶縁膜は低誘電率材料からなることを特徴とする付記7〜13のいずれか1項に記載の配線構造の形成方法。
【0068】
【発明の効果】
本発明によれば、ダマシン法を用いてCuに代表される絶縁膜に対して易拡散性の導電材料により配線を形成するに際して、配線遅延を抑止するとともに、配線が充填形成される絶縁膜の実効的な誘電率を大幅に低減して、近時における半導体素子の更なる微細化に対応した信頼性の高い配線構造が実現する。
【図面の簡単な説明】
【図1】通常のSiC:H膜の絶縁破壊試験を示す模式図である。
【図2】SiC:H膜において、膜密度と誘電率の関係を示す特性図である。
【図3】SiC:H膜における膜密度と大気中に1週間放置したときの膜ストレス変動との関係を示す特性図である。
【図4】SiC:H膜の各成膜条件における脱ガス特性を示す特性図である。
【図5】TDDB試験の原理を示す模式図である。
【図6】TDDB試験をSiC:H膜に適用した場合の模式図である。
【図7】N原子添加量と誘電率及び膜密度との関係を示す特性図である。
【図8】本実施形態における配線構造の主要構成を示す概略断面図である。
【図9】本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図10】図9に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図11】図10に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図12】図11に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図13】図12に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図14】図13に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【符号の説明】
1 層間絶縁膜
2 ビア孔
3 配線溝
4 配線
5 SiC:H膜
6 下地膜
11 シリコン基板
12,21 アリルエーテル系有機低誘電率膜
13,23 反射防止膜
14,31 レジストパターン
15,32 バリアメタル膜
16,33 メッキ電極膜
17,34 Cu膜
18,35 配線
19 SiC:H膜19
20 配線溝
22 SiN膜
Claims (8)
- 基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、
前記配線を構成する前記導電材料は少なくともCuを含有し、
前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料とし、前記水素化SiCにN原子を含有してなる膜密度が2.1(g/cm3)以上とされた拡散防止膜が設けられていることを特徴とする配線構造。 - 前記拡散防止膜は、15(atm%)〜20(atm%)のN原子を含有することを特徴とする請求項1に記載の配線構造。
- 基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、
前記配線を構成する前記導電材料は少なくともCuを含有し、
前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料とし、15(atm%)〜20(atm%)のN原子を含有する拡散防止膜が設けられていることを特徴とする配線構造。 - 絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、
前記溝を、少なくともCuを含有する、前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、
前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料とし、前記水素化SiCにN原子を含有させて、膜密度が2.1(g/cm3)以上となるように拡散防止膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする配線構造の形成方法。 - 前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にNを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるN濃度を15(atm%)〜20(atm%)に制御することを特徴とする請求項4に記載の配線構造の形成方法。
- 絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、
前記溝を、少なくともCuを含有する、前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、
前記配線の上面を覆うように、水素化SiCを材料として拡散防止膜を形成する工程と
を含み、
前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にNを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるN濃度を15(atm%)〜20(atm%)に制御することを特徴とする配線構造の形成方法。 - 前記拡散防止膜を形成する際に用いるソースガスがメチルシラン系のガスであることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の配線構造の形成方法。
- 前記Nを含有するガスがN2又はNH3であることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の配線構造の形成方法。
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