JP3702646B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板の製造方法に係り、とくに配線パターン間を接続するビアホール内に堆積した硫化物や炭化物を除去する方法に関する。
【0002】
例えば、高速コンピュータ用薄膜マルチチップモジュールの多層回路基板には、配線の高密度化が要求されており、配線パターン間の絶縁層を形成する感光性ポリイミド樹脂層にも微細加工、高解像度が要求されている。
【0003】
ところが、この感光性ポリイミド樹脂の多くは、高解像度を達成するために、増感剤として、例えばフェニルメルカプトテトラゾール(PM−TE)などの硫化物が添加されている。
【0004】
このような増感剤が添加されていると、イミド化時に銅と反応して硫化物や炭化物がビアホール内に堆積し接続不良の恐れがあるため、それらを除去することが要望されている。
【0005】
【従来の技術】
図3の(a)図乃至(c)図及び図4(a)図乃至(c)図の、製造工程を順に示す側断面図に示すように、従来の例えば、配線パターンが2層構成の薄膜多層回路基板を製作するに際しては、セラミックなどの絶縁性基板1の表面上に、スパッタリングにより形成された厚さ200〜1500Åのクロム(Cr)層2の上に厚さ1500〜8000Åの銅(Cu)層3をスパッタリングにより形成し(図3−a図)、その上にセミアディティブ法またはサブトラクティブ法で厚さ2〜8μmの銅めっき配線パターン4を形成する。(図3−b図)
つぎに、スピンコート法により厚さ5〜30μmの感光性ポリイミド前駆体5aを塗布し、例えば100℃で1〜8分間プリベーク処理を施した後、フォトマスクを用いて露光・現像して銅めっき配線パターン4の一部を表出するための8〜800μmのビアホール6を形成する。(図3−c図)
つぎに、窒素雰囲気中で350〜480℃でフルキュアし、ポリイミド樹脂層(絶縁層)5とする。(図4−a図)
次いで、その上に、厚さ200〜1500Åのクロム層9をスパッタリングにより形成し、更にその上に厚さ1500〜8000Åの銅層10をスパッタリングにより形成する。(図4−b図)
さらにその上にセミアディティブ法またはサブトラクティブ法で厚さ2〜8μmの銅めっき配線パターン11を形成することで2層構成の回路基板を完成している。(図4−c図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような上記製造方法によれば、感光性ポリイミド樹脂の増感剤として硫化物が添加された場合、図4−a図に示した感光性ポリイミド前駆体のフルキュア後にビアホールの底部の異物を検査するためにオージェ分析を行った。
【0007】
その結果、図5の本発明におけるテストピースのビアホール底部の硫化物、炭化物の残留厚さの説明図のNo.1のビアホール形成後のデータ、及び図6の硫化物、炭化物の残留状態を示す側断面図に例示するように、感光性ポリイミド前駆体のイミド化時に銅と反応してビアホール6の内面、とくに底部に炭化物7が厚さ900Å、硫化物8が厚さ1300Åほど堆積しており、それによってビアホール6と配線パターン4との接続不良が生じるといった問題があった。
【0008】
上記問題点に鑑み、本発明は感光性ポリイミド樹脂層のイミド化時にビアホール内に堆積した硫化物や炭化物を除去してビアホールと配線パターンとの接続の信頼性を確保する回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の感光性ポリイミド樹脂層を配線パターン間の絶縁層として用いる回路基板の製造方法において、前記感光性ポリイミド樹脂層を配線パターン間の絶縁層として用いる回路基板の製造方法であって、前記感光性ポリイミド樹脂層に配線パターンを接続するビアホールを形成する工程と、前記回路基板をシアン系溶液、及び過マンガン酸カリウムを含む水溶液により、該ビアホール内の硫化物及び炭化物を除去する工程とを含んで構成する。
【0010】
このように構成することにより、感光性ポリイミド樹脂層のイミド化時にビアホール内の硫化物が処理液、例えばフェリシアン化カリウムとの化学反応により、炭化物が他の処理液、例えば過マンガン酸カリウムとの化学反応によりそれぞれに溶解されてきれいに除去されるため、ビアホールと配線パターンとの接続の信頼性を確保することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示した実施例に基づいて本発明の要旨を詳細に説明する。なお、従来図において説明した部分は同一符号を用い、その説明も省略する。
【0012】
回路基板の製造方法は、図1のa図乃至d図及び図2のa図乃至b図の、製造工程を順に示す側断面図に示すように、従来と同じ配線パターンが2層構成の薄膜多層回路基板を例にして説明する。
【0013】
絶縁性基板1(例えば、セラミック基板)の表面上に、従来の図3(a)及び(b)に示した工程を経て、フォトリソグラフィ技術により感光性ポリイミド前駆体5aに銅めっき配線パターン4の一部を表出する8〜800μmのビアホール6を形成する。(図1−a図)
つぎに、350〜480℃の窒素雰囲気中で感光性ポリイミド前駆体をフルキュアして熱硬化し、ポリイミド樹脂層(絶縁層)5とする。(図1−b図)
このとき、感光性ポリイミド前駆体の中に存在する増感剤であるフェニルメルカプトテトラゾール(PM−TE)などの硫化物と銅めっき配線パターンとの化学反応により、厚さ100〜10000Åの炭化物7及び硫化物(硫化銅)8がビアホール6の内面、とくに底部に堆積する。
【0014】
例えば、図5のNo.1のビアホール形成後のテストピースには、厚さ1400Åの炭化物及び厚さ900Åの硫化物が残留堆積する。
これらの堆積物は、図6に示したように、ビアホール6の底部に炭化物7、硫化物8の順に堆積することが確認されており、先ず上側の硫化物8を除去する。この硫化物8の除去は、シアン系溶液、例えばフェリシアン化カリウム10〜60wt%、苛性ソーダ2〜20wt%の混合水溶液に常温で1〜10分間浸漬して行う。(図1−c図)
例えば、図5のNo.2の処理条件では、フェリシアン化カリウム30wt%、苛性ソーダ5wt%の混合水溶液に常温で3分間浸漬すると、硫化物の厚さは900Åから300Åに減少するが、炭化物は除去されず、厚さ1400Åがそのまま残留している。
【0015】
この炭化物7の除去は、過マンガン酸溶液、例えばKMnO4 1〜6wt%と苛性ソーダ1〜6wt%の混合水溶液に常温で1〜30分間浸漬浸漬して行う。(図1−d図)
例えば、図5のNo.3の処理条件では、No.2の処理後のテストピースをKMnO4 4wt%と苛性ソーダ3wt%の混合水溶液に常温で5分間浸漬すると、硫化物が厚さ200Åに減少するだけであるが、No.4の処理条件では、同じくNo.2の処理後のテストピースをKMnO4 4wt%と苛性ソーダ3wt%の混合水溶液に常温で5分間浸漬し且つ処理液を連続揺動すると、炭化物が尚一部に厚さ150Åが残留し、硫化物は厚さ100Åに減少する。なお、処理液を揺動する他にテストピース側を揺動させてもよい。
【0016】
さらに、No.5の処理条件では、同じくNo.2の処理後のテストピースをKMnO4 4wt%と苛性ソーダ3wt%の混合水溶液に常温で5分間浸漬し、処理液の連続揺動に更に超音波振動を付け加えると、硫化物及び炭化物共にきれいに除去される。
【0017】
図5のデータが示すように、浸漬処理液に対し連続的な揺動(または攪拌)あるいは超音波振動を加えると、絶縁性基板上に形成されたビアホールに生じる気泡が除去されるため、化学反応が促進されて炭化物、硫化物の除去が効果的に行われる。なお、浸漬時間は炭化物、硫化物の堆積厚さに応じて適切に設定する。
【0018】
つぎに、ビアホール6を形成したポリイミド樹脂層(絶縁層)5の上に、クロム層9を形成するが、その前にクロム層9の密着度をよくするために逆スパッタリングにより、ポリイミド樹脂層5の表面をきれいにする必要がある。
【0019】
図5のNo.4の処理後に残留している硫化物及び炭化物の100Å乃至150Åの厚さ程度は、この逆スパッタリングによっても除去できるため、図5のNo.4の超音波振動を省略することも可能である。
【0020】
このようにして、ビアホール底部の硫化物及び炭化物の残留異物が除去されると、ポリイミド樹脂層(絶縁層)5の上に厚さ200〜1500Åのクロム層9をスパッタリングにより形成し、更にその上に厚さ1500〜8000Åの銅層10をスパッタリングにより形成する。(図2−a図)
更にその上に、セミアディティブ法またはサブトラクティブ法で厚さ2〜8μmの銅めっき配線パターン11を形成することで2層構成の回路基板が完成する。(図2−b図)
このように、感光性ポリイミド樹脂層のイミド化時にビアホールの内面、とくに底部に堆積する硫化物及び炭化物をフェリシアン化カリウム水溶液及び過マンガン酸カリウム水溶液に別々に浸漬し、且つ揺動することにより、ビアホールからこれら異物をきれいに除去することができるため、下層の配線パターンとビアホールとの接続の信頼性を確保することができる。
【0021】
なお、上記説明の実施例はセラミック基板を用いるとしたが、フルキュア温度に耐え得る他の耐熱/絶縁性基板を用いて多層回路基板を製造する場合にも同様に適用できることは言うまでもない。
【0022】
【発明の効果】
以上、詳述したように本発明によれば、増感剤として硫化物が添加された感光性ポリイミド樹脂を絶縁材料として用いる場合、フルキュア後にビアホール内に堆積した硫化物や炭化物をきれいに除去できるため、ビアホールと配線パターンとの接続の信頼性の高い多層回路基板が製造可能となり、例えば高速コンピュータ用の薄膜マルチチップモジュールなどを提供できるといった産業上極めて有用な効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による一実施例の製造工程を順に示す側断面図
【図2】 図1のつぎの製造工程を順に示す側断面図
【図3】 従来技術による製造工程を順に示す側断面図
【図4】 図3のつぎの製造工程を順に示す側断面図
【図5】 本発明におけるテストピースのビアホール底部の硫化物、炭化物の残留厚さの説明図
【図6】 図5の硫化物、炭化物の残留状態を示す側断面図
【符号の説明】
1:絶縁性基板
2,9:クロム層
3,10:銅層
4,11:配線パターン
5:感光性ポリイミド樹脂層
5a:感光性ポリイミド前駆体
6:ビアホール
7:炭化物
8:硫化物
Claims (1)
- 感光性ポリイミド樹脂層を配線パターン間の絶縁層として用いる回路基板の製造方法であって、
前記感光性ポリイミド樹脂層に前記配線パターンを接続するビアホールを形成する工程と、
前記回路基板をシアン系溶液、及び過マンガン酸カリウムを含む水溶液により、該ビアホール内の硫化物及び炭化物を除去する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP13878498A JP3702646B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP13878498A JP3702646B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 回路基板の製造方法 |
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JPH11330692A JPH11330692A (ja) | 1999-11-30 |
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JP13878498A Expired - Fee Related JP3702646B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP7407498B2 (ja) * | 2017-09-15 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-05-20 JP JP13878498A patent/JP3702646B2/ja not_active Expired - Fee Related
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