JP3701288B6 - 封印装置 - Google Patents

Description

本発明は、物品を収納した筐体が開封された場合に、その旨を検出して記憶し報知することにより、筐体内の物品の例えば盗難、不正コピー、不正改造などの早期発見と早期かつ適切な対策を可能とし、ひいてはかかる不正を防止するための封印装置に関する。

重要データの収まったフレキシブルディスク、ＣＤ等を例えば金庫などの施錠可能な筐体内に保管していても、筐体が開封されてデータをコピーされ、元のままに戻されてしまえば、不正があったことすら気付かないことが起こり得る。重要書類であれば、写真に撮られたり複写されれば同様である。また、新技術による製品や設計図は見られただけでも価値を失う場合がある。

パチンコ機やパチスロ機においては認可されたプログラムのマイコン（制御装置）を封印された筐体内に収めて不正改造などを防止しているが、高度な技術で開封され、外観が同じ不正マイコンに交換されれば、発見は困難であり、不正遊技が可能になる。

また、最近急速に利用が広がっている、磁気カード、ＩＣカード等の読み取り装置においても、筐体を開封し、その内部に暗証番号等を読み取って記憶したり無線でデータを転送する装置を組み付けるといった悪事の危険が増えている。事実、そのような犯行が報道されてもいる。

このような背景から、筐体の不正な開封を的確に検出する技術が必要とされ、そのための封印装置に関連する技術は本件出願人により、既に提案されている。例えば特開平９−３４３６５号公報、特開平１１−１９０９７２号公報、特開平１１−２０２７６９号公報、特開平１１−２３１７９０号公報、特開平１１−２５８９９７号公報、特開平１１−２８３８９０号公報などである。
特開平１１−２８３８９０号公報（段落００５０〜００８８、図３）

本件発明者は、上記の各公報に示されるように鋭意研究を行ってきたが、封印装置の必要性に対する社会の認知度の未成熟と共に技術的にも改善すべき点があった。
例えば１）開封を検出する検出素子の小型化、低価格化、２）検出素子は、筐体が閉鎖されているときに閉、開封時に開となる構成が簡単、安価であるが、この場合に消費電力が少なく長時間記憶を可能とする回路方式が未熟であった、３）内部電源を空の状態にしておいて封印装置を筐体に装着し、筐体の閉鎖後に内部電源を充電するという手順を採っていたので、内部電源を充電するための長い待ち時間を必要とする等である。

請求項１記載の発明は、 閉鎖される筐体に付設されて該筐体の開封を検出する封印装置であって、外部電源によって充電される内部電源と、前記筐体が開封されると接点が開になる検出素子（ＳＥ）と、該検出素子（ＳＥ）が閉のときと開のときとで電位が変化する信号を受ける第１のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）と、該第１のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）の出力をダイオード（Ｄ２）とコンデンサ（Ｃ２）で積分した信号を受けるＣ−ＭＯＳバッファ（Ｑ２）と、ダイオード（Ｄ３）を経由して入力される前記Ｃ−ＭＯＳバッファ（Ｑ２）の出力によって充電される電気２重層コンデンサ（Ｃ３）とを備え、前記内部電源から前記第１のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）及びＣ−ＭＯＳバッファ（Ｑ２）に電力を供給することで、前記外部電源が遮断されているときでも前記筐体が開封されたことを記憶可能な封印装置において、
前記外部電源に由来する電源で動作し前記電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位を判定して出力レベルを変化させる第２のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）と、前記外部電源の電圧を分圧して低下させた電源で前記第２のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）を動作させる手段又は前記外部電源の電圧を分圧して低下させたバイアス電圧を前記電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位に加算する手段とを備え、前記第２のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）の出力レベルに従って開封の有無を報知することを特徴とする筐体の封印装置である。

筐体が開封されて検出素子（ＳＥ）が閉から開になると第１のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）の入力電位が変化しＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）の出力レベルが反転する。そのＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）の出力はダイオード（Ｄ２）を経てンデンサ（Ｃ２）を充電する。

このコンデンサ（Ｃ２）の電位、すなわちＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）の出力をダイオード（Ｄ２）とコンデンサ（Ｃ２）で積分した信号を受けるＣ−ＭＯＳバッファ（Ｑ２）は、コンデンサ（Ｃ２）の電位が判定閾値（電源電圧のほぼ１／２）以上である間は電源端子に供給される電力が出力端子に流れる（Ｃ−ＭＯＳバッファ（Ｑ２）内では電源端子〜出力端子間が抵抗体となる）ので、出力端子に結ばれているダイオード（Ｄ３）を経由したＣ−ＭＯＳバッファ（Ｑ２）の出力によって電気２重層コンデンサ（Ｃ３）が充電される。この電気２重層コンデンサ（Ｃ３）は記憶素子であり、充電の有無が記憶の有無に対応する。

第２のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）は、外部電源に由来する電源で動作し電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位を判定して出力レベルを変化させる。
ここで、本発明では外部電源の電圧を分圧して低下させた電源で第２のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）を動作させる手段又は外部電源の電圧を分圧して低下させたバイアス電圧を電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位に加算する手段が備わっている。

良く知られていることだが、Ｃ−ＭＯＳゲートは、電源電圧のほぼ１／２を判定閾値とし、入力電圧がこの判定閾値より上か下かで出力のロー（Ｌ）、ハイ（Ｈ）が決まる。以下、ローをＬ、ハイをＨと記述する。

充電（開封記憶）された電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位は徐々に低下するので、そのまま放置されるとやがてはＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）の判定閾値を下回る。すると、Ｃ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）の出力レベルは「開封記憶無し」を示すレベルになる。

しかしながら、外部電源の電圧を分圧して低下させた電源でＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）を動作させる手段を備えた場合、Ｃ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）の判定閾値が分圧で低下され
た分に応じて低くなっているから、電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位が低くなっても「開封記憶有り」を示すレベルを維持できる。つまり、電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位がＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）の判定閾値を下回るまでには長時間を要するわけで、長時間の記憶（有効に「開封記憶有り」と判定される記憶）が可能になる。

また、外部電源の電圧を分圧して低下させたバイアス電圧を電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位に加算する手段を備えた場合、Ｃ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）の入力電圧がバイアス分だけ高められるので、電気２重層コンデンサ（Ｃ３）のより低い電位をも「開封記憶有り」と判定できる。

これにより記憶時間を著しく長くでき、また部品の小型化が可能になる。また、筐体が閉鎖されているときに閉、開封時に開となる、構成が簡単、安価である検出素子を用いて、消費電力が少なく長時間記憶を可能にできる。

請求項２記載の発明は、 閉鎖される筐体に付設されて該筐体の開封を検出する封印装置であって、外部電源によって充電される内部電源と、前記筐体の開封を検出する検出素子（ＳＥ）と、前記内部電源で作動し前記検出素子（ＳＥ）が前記筐体の開封を検出したことを記憶する記憶素子とを有する封印装置において、紐状のセンサスイッチワイヤを有し、該センサスイッチワイヤを引かれると前記検出素子（ＳＥ）の信号を無効にする状態から前記検出素子（ＳＥ）の信号を有効にする状態に変化するセンサスイッチを備え、前記センサスイッチワイヤの一方の端を前記筐体に設けられた穴や隙間等の引出口から該筐体の外部に出されて前記筐体の内部に付設され、前記筐体の閉鎖後に前記センサスイッチワイヤが引かれて前記センサスイッチが前記検出素子（ＳＥ）の信号を有効にする状態に切り替えられることを特徴とする封印装置である。

センサスイッチは紐状のセンサスイッチワイヤを有し、センサスイッチワイヤを引かれると検出素子（ＳＥ）の信号を無効にする状態から検出素子（ＳＥ）の信号を有効にする状態に変化する。

センサスイッチワイヤの一方の端を筐体に設けられた穴や隙間等の引出口から筐体の外部に出されて筐体の内部に付設され、筐体の閉鎖後にセンサスイッチワイヤが引かれてセンサスイッチが検出素子（ＳＥ）の信号を有効にする状態に切り替えられる。

つまり、封印装置の内部電源に充電してから（或いは充電しつつ）筐体を閉鎖する。このときセンサスイッチは検出素子（ＳＥ）の信号を無効にする状態にされている。よって、封印装置をセットするために筐体を開けても、その開封は記憶されない。

そして、筐体の閉鎖後にセンサスイッチワイヤを引いてセンサスイッチを検出素子（ＳＥ）の信号を有効にする状態に変化させる。この後は、筐体が開封されると検出素子（ＳＥ）がこれを検出し、内部電源で作動する記憶素子が筐体の開封を記憶する。

内部電源を空の状態にしておいて封印装置を筐体に装着し、筐体の閉鎖後に内部電源を充電するという手順を採る必要はなく、内部電源を充電するための長い待ち時間を必要としない。

なお、センサスイッチは、センサスイッチワイヤを引かれると検出素子（ＳＥ）の信号を無効にする状態から検出素子（ＳＥ）の信号を有効にする状態に不可逆的に変化する構成とするのが望ましい。

請求項１、２に記載の各発明は、それぞれ上記のように、本発明が解決しようとする課題として挙げた１）、２）、３）のいずれかを解決するが、請求項１、２のいずれかと請求項３又は請求項４とを組み合わせることにより２つの課題を解決できるし、請求項１及び２と請求項３又は請求項４とを組み合わせることにより３つの課題をすべて解決できる。

即ち、請求項３記載の封印装置は、請求項１又は２記載の封印装置において、前記検出素子（ＳＥ）は、前記筐体の蓋部と底部との一方側に設けられる導電性材質の結合材と他方側に設けられる第１及び第２の検出接点とからなり、前記筐体が閉鎖されているときは前記結合材が前記検出接点間を閉となし、前記筐体が開封されると前記結合材の作用が無くなり前記検出接点間が開になるべく構成されていることを特徴とする。

筐体の蓋部と底部との一方側に導電性材質の結合材を、他方側に第１及び第２の検出接点を設けて検出素子を構成し、筐体が閉鎖されているときは結合材が例えば両方の検出接点に接触して検出接点間を閉となし、筐体が開封されると結合材の作用が無くなり検出接点間が開になるので、請求項１又は２記載の封印装置に利用できる。

請求項３の検出素子は、例えば請求項１記載の封印装置の検出素子（ＳＥ）として用いるのが好適であるが、これに限らず、筐体が開封されると接点が開になる検出素子を使用する封印装置すべてに利用できる。
この検出素子は、第１及び第２の検出接点と導電性材質の結合材とからなるので、検出素子の小型化と低価格化が可能になる。

請求項４記載の封印装置は、請求項１又は２記載の封印装置において、前記検出素子（ＳＥ）は、前記筐体の蓋部と底部との一方側に設けられる結合材と他方側に設けられる第１及び第２の検出接点とからなり、前記筐体が閉鎖されているときは前記結合材が前記検出接点間の導通を阻止して該接点間を開となし、前記筐体が開封されると前記結合材による導通の阻止が解除されて前記検出接点間が閉となるべく構成されていることを特徴とする。
筐体の蓋部と底部との一方側に結合材を、他方側に第１及び第２の検出接点を設けて検出素子を構成し、筐体が閉鎖されているときは結合材が例えば両検出接点間に進入して検出接点間が閉となるのを阻み、筐体が開封されると結合材による導通阻止の作用が無くなり検出接点間が閉になるので、請求項３の検出素子と同様に請求項又は２の封印装置に利用できる。
この検出素子は、第１及び第２の検出接点と結合材とからなるので、検出素子の小型化と低価格化が可能になる。

次に、本発明の最良の実施形態を各種の具体例にて説明する。なお、以下の各例では説明を判りやすくするために部品定数などの数値、ディバイスの部品名などを具体的に開示するが、あくまでも例示であり、本発明はこれら具体的な数値等に限定されるわけではない。
［回路構成例１］

封印装置の回路構成例１を図１により説明する。この回路構成例は、後述する各種の検出素子の内、筐体が閉鎖されているときは閉で筐体が開封されると開になる型式の検出素子を採用した例である。

まず、コネクタＣＮ−１、ＣＮ−２間には外部電源５Ｖが印加可能とされている。図示は省略しているが、電源スイッチにて外部電源をオン、オフできる。
パワースイッチＰ−ＳＷは、封印装置１０が組み込まれた電気装置（例えば制御基板）のテスト時などに、コンデンサＣ１（電気２重層コンデンサであり、内部電源となる。）への充電を禁止するために設けられている。抵抗Ｒ１は、このパワースイッチＰ−ＳＷが閉じているときの電流制限の役目を担う。

パワースイッチＰ−ＳＷの役割は、内部電源Ｃ１と並列にバイパスを形成するためである。封印装置１０をセットする際に電源（ここでは内部電源Ｃ１）が空の状態でなければ、セット時に開封されたと記憶してしまう。封印装置１０は、単独で使用されるだけでなく、他の電気装置（例えば遊技機の制御基板、クレジットカードリーダの制御基板等）に組み込まれて用いられることがある。この場合、外部電源（５Ｖ）は制御基板等から貰うことになる。

その制御基板等は、生産、出荷に際して、品質確認のために当然、電気的試験が行われる。パワースイッチＰ−ＳＷの役割は、このときに内部電源Ｃ１が充電されるのを防止するために設けられている。

すなわち、制御基板等に組み込まれる場合には、パワースイッチＰ−ＳＷの接点Ｐ−ＳＷ１、Ｐ−ＳＷ２をパワースイッチワイヤＰ−ＳＷ−Ｗｉｒｅで短絡した状態で制御基板等の電気的試験を行う。その電気的試験の後、外部電源の５Ｖが無い状態でパワースイッチワイヤＰ−ＳＷ−Ｗｉｒｅを除去してパワースイッチＰ−ＳＷを開にし、封印装置１０を筐体内にセットしてから外部電源（５Ｖ）を与えるという手順が守られる。以下、パワースイッチワイヤＰ−ＳＷ−Ｗｉｒｅを除去済みとして説明する。

外部電源は、抵抗Ｒ１、ダイオードＤ１を介して内部電源Ｃ１を充電する。図示では内部電源Ｃ１は０．３３Ｆと比較的大きな容量値であることと、内部抵抗が新品時でも７５Ω程と大きく、長期に使用すると内部抵抗は１ｋΩ程にも増大（劣化）するので、充電に要する時間は短くはない。実用的には、３０分〜数時間で充電されるのが望ましい。なお、制御基板等に組み込まれる場合には、制御基板等の作動中に自然に充電される。

ダイオードＤ１は、コネクタＣＮ−１、ＣＮ−２間を短絡させて内部電源Ｃ１の電荷を放電させるのを防止するために設けてある。従って、順方向には電圧降下が少なく逆方向には漏れ電流の少ない、小型ショットキーダイオード、例えば１ＳＳ３３２等が望ましい
。

内部電源Ｃ１の＋極は、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１、Ｑ２の電源端子ＶＤＤと結ばれると共に、抵抗Ｒ６を介してＣ−ＭＯＳバッファＱ１の入力端子ＩＮに結ばれる。
Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の入力端子ＩＮは、検出素子ＳＥの接点ＳＥ１、ＳＥ２及び抵抗Ｒ７を介して内部電源Ｃ１の−極へ結ばれ（以下、「グランド」という）、またコンデンサＣ４を介してもグランドされる。

Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の出力ＯＵＴはダイオードＤ２を介してＣ−ＭＯＳバッファＱ２の入力ＩＮに結ばれ、またＣ−ＭＯＳバッファＱ２の入力ＩＮはコンデンサＣ２を介してグランドされる。

Ｃ−ＭＯＳバッファＱ２の出力ＯＵＴは、ダイオードＤ３を介してＣ−ＭＯＳインバータＱ３の入力ＩＮに結ばれる。
Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３の電源端子ＶＤＤは外部電源５Ｖを抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ４、抵抗Ｒ５で分割した、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４の結合点の２Ｖに結ばれ、入力端子ＩＮはコンデンサＣ３を介して抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５の中間点０．４Ｖの点に結ばれ、電源端子ＶＳＳがグランドされる。

出力端子０ＵＴは、抵抗内蔵型のトランジスタＴＲのベースに結ばれる。このトランジスタＴＲのエミッタはグランドされ、コレクタは緑ＬＥＤ、抵抗Ｒ２を介して外部電源の＋極に結ばれる。

次に封印装置１０の動作を説明する。なお封印装置１０の動作は、外部電源が与えられている状態か否かで２種類に分かれる。
外部電源が与えられている状態においては、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４の中間点は２Ｖになるように設計され、Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３の電源として与えられている。また、抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５の中間点は０．４Ｖになるように設計され、Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３の入力は、コンデンサＣ３に電荷がなければ０．４Ｖになる。この入力電位０．４Ｖは、Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３においてＬ入力と判定される保証値０．５Ｖよりさらに低いため、Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３の出力ＯＵＴはＨである約２Ｖが発生し、トランジスタＴＲを介して緑ＬＥＤを点灯させ、「安全状態＝開封されていない」を報知する。

外部電源が与えられていない状態では、抵抗Ｒ３を介するＣ−ＭＯＳインバータＱ３への電源は与えられず、不作動になる。また、抵抗Ｒ２を介する緑ＬＥＤへの電源も与えられないので、これも不灯である。勿論、外部電源が与えられた瞬間に上記の通り緑ＬＥＤが点灯して、「安全」を報知する。

次に、検出素子ＳＥとの関連を説明する。
検出素子ＳＥは、前述したように筐体の閉鎖時には閉で、筐体が開封されたときに開になる形式である。図１の回路図から判るように、内部電源Ｃ１の電荷は抵抗Ｒ６、検出素子ＳＥ、抵抗Ｒ７を介して放電する。この無駄な放電を少なくするために、本例では抵抗Ｒ６は２０ＭΩと高い抵抗値が用いられ、漏れ電流は５Ｖ／２０ＭΩ＝０．２５μＡとされている（実際は、ダイオードＤ１での電圧降下があるので、これよりも小さい。）。

検出素子ＳＥは、後に各種の方式を具体的に図示して説明するが、封印装置１０はトラック等での輸送途中における不正開封を検知したり、電気ノイズの多い環境で用いられる装置を監視する場合もあるので、振動、衝撃、電気ノイズ等で誤作動してはいけない。

可動部を含む検出素子ＳＥは大きな衝撃を受ければ、一瞬接点ＳＥ１、ＳＥ２間が浮く
（開く）ことは宿命的であるが、コンデンサＣ４がこの問題に対応する。本例ではＲ６＝２０ＭΩ、Ｃ４＝０．０２２μＦであるから、その時定数は２０×１０⁶×０．０２２×
１０^-6＝０．４４秒となり、０．１秒程度の検出素子ＳＥの開方向誤作動には不感応とされている。

ここでコンデンサＣ４の値をいたずらに大きくして上記安全性を高めることには問題が生じる。例えばＣ４＝１μＦとして時定数を２０秒にすれば筐体が開かれた後２０秒間検知できず、不正行為者が開封して２０秒以内に検出素子ＳＥを再び閉にする行為に対応できなくなる。

図１の例での時定数０．４４秒の場合には、不正行為者が手際よく、例えば１秒で検出素子ＳＥを再び閉に戻したとしても、既にＣ−ＭＯＳバッファＱ１の出力ＯＵＴからダイオードＤ２を介してコンデンサＣ２に充電されている。しかも、ダイオードＤ２により逆流が防止され、また図４に例示するように封印装置１０の構成が樹脂ポッティング及び保護ケースに入れられ、不正に対して強固であるため、不正は行えない。

コンデンサＣ４は電気的ノイズの多い環境に対応する点でも重要である。コンデンサのインピーダンス分は１／２πｆｃとして表される。０．０２２μＦは、周波数１ＭＨｚに対しては７．２Ωであり、１ＫＨｚなら７．２ＫΩである。また、商用周波数５０Ｈｚに対しては１４４ＫΩである。

Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の出力がダイオードＤ２を介してコンデンサＣ２に蓄えられてＣ−ＭＯＳバッファＱ２に与えられることは前述したが、コンデンサＣ２に蓄積される性質は、電気ノイズとしていかに時間的に短いノイズであっても、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の入力レベルでＶＣ１／２［Ｖ］以上の電位があれば繰り返し入力されることでＣ−ＭＯＳバッファＱ２の入力電圧をＶＣ１／２［Ｖ］以上にして誤作動させるということを意味する。すなわち、コンデンサＣ４の効果で電気ノイズをＶＣ１／２［Ｖ］以下に保つ作用は重要である。

検出素子ＳＥは、後に各種の例を説明するが、図５に示す電線で筐体を縛り、電線の縛りを解かないかぎり筐体を開封できない方式は、構成が簡単で安価にできる点で優れている。ただし、図５の説明で述べるように、電線のバイパスを設けられると不正に対して無防備となる欠点を有する。

抵抗Ｒ７は上記欠点に対応するものである。検出素子ＳＥを制御基板のグランド（封印装置１０のグランドと同一）に結ぶ作業を行う人の手が接点ＳＥ１又はＳＥ２に触れると人体は誘導電位を有しているために、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の入力ＩＮにＶＣ１／２［Ｖ］以上の電位を与える。電位の大きさは抵抗Ｒ７の抵抗値で調整でき、その値が大きい方が感度が良く、０Ωにすればその機能は無くなる。すなわち、検出素子ＳＥの欠点を補う回路構成を有しているのである。

なお、本例は抵抗Ｒ７の存在による誘導電位を利用しているが、人体の持つ静電容量を利用する技術、例えばエレベータ等によく使われているタッチスイッチの技術を抵抗Ｒ７の代わりに用いることが可能であるのは言うまでもない。

検出素子ＳＥに関連する説明が少し長くなったので、ここで再度図１の動作を説明する。筐体が閉鎖されている状態では検出素子ＳＥは閉であり、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の入力ＩＮの電位は、内部電源Ｃ１の電圧を５−０．４＝４．６Ｖとすれば（０．４ＶはダイオードＤ１の電圧降下）、４．６×１／２１＝０．２２Ｖであり、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の電源電圧ＶＤＤの１／２より十分低い。そのため、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の出力Ｏ
ＵＴはほぼ０Ｖであり、コンデンサＣ２を充電することはない。また、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ２の入力もローレベル（以下、ローレベルはＬ、ハイレベルはＨと書く。）であり、コンデンサＣ３を充電することはないし、Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３の入力もＬである。

外部電源が与えられているときなら、抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ４、抵抗Ｒ５の分圧で与えられる２ＶがＣ−ＭＯＳインバータＱ３の電源電圧であることから、その出力ＯＵＴの電位もほぼ２Ｖとなり、トランジスタＴＲを介して緑ＬＥＤを点灯している。外部電源が与えられていないときは緑ＬＥＤは点灯しないが、与えられた瞬間に上記説明の動作で点灯する。

次に、筐体が開封されて検出素子ＳＥが開になったとする。
Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の入力端子ＩＮの電位は２０ＭΩを介しても４．６ＶのＨである（実際には、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の入力漏れ電流、コンデンサＣ４の漏れ電流で少々電位は下がるが、それにしても十分にＨである。）。Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の出力ＯＵＴもＨになり、ダイオードＤ２を介してコンデンサＣ２を充電し、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ２の入力もＨにする。その結果、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ２の出力もＨとなり、ダイオードＤ３を介し、コンデンサＣ３、抵抗Ｒ５を通してコンデンサＣ３を充電する。

いま、外部電源（５Ｖ）が与えられていれば、Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３の電源電圧ＶＤＤは２Ｖであり、入力電圧は抵抗Ｒ４、抵抗Ｒ５の中間電位（バイアス電位）＝０．４ＶとコンデンサＣ３の電位の加算値となる。

Ｃ−ＭＯＳゲートは、入力電圧が電源電圧の１／２の電圧で、その出力のＬ、Ｈを反転させることは良く知られていることであり、ここではコンデンサＣ３の電圧が０．６Ｖ以上でＣ−ＭＯＳインバータＱ３の出力をＬにして緑ＬＥＤを消灯させる。外部電源が与えられていなければ、緑ＬＥＤは元々消灯しており、外部電源を与えても点灯はしないという動作になる。

さて、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ２は、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１の出力をそのまま（ＬならＬ、ＨならＨ）Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３に伝えるだけであるから一見無用とも見える。しかし、その存在は重要である。その理由は、内部電源Ｃ１、コンデンサＣ３の内部抵抗が大きいことに起因する。内部電源Ｃ１は電気２重層コンデンサでもリチウム電池などの２次電池でもよいが、共に内部抵抗は大きく、特に使用時間と共に劣化して大きな値となる。

いま、内部電源Ｃ１でコンデンサＣ３を充電するときの時定数を考える。内部電源Ｃ１は劣化が進み内部抵抗は５００Ωとし、コンデンサＣ３は未使用状態のため初品特性の１２０Ωとする。充電ループには抵抗Ｒ５も含まれる。０．０４７Ｆのコンデンサを（５００Ω＋１２０Ω＋１７０Ω）＝７９０Ωの抵抗を介して充電するのであるから、０．０４７×７９０≒３７秒となる。３７秒という時間は、不正行為者が筐体を開封後、検出素子ＳＥを再び閉にする行為に対して十分過ぎる時間であることに注意を要する。

これに対して、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１、Ｑ２と２段に構成し、コンデンサＣ２（０．１μＦ）にダイオードＤ２で逆流防止して充電する本例では、コンデンサＣ２への充電は一瞬に完了し、上記不正行為者が筐体を開封後に検出素子ＳＥを再び閉にしてもコンデンサＣ２の電位は残るため、不正は成り立たない。

なお、０．１μＦのコンデンサＣ２の時定数は、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ２の入力漏れ電流が平均的に１０^-5μＡであることから、漏れ抵抗は５Ｖ／１０^-5μＡ＝５×１０⁵ＭΩ
と考えられ、５×１０⁵×１０⁶×０．１×１０^-6＝５×１０⁴秒ときわめて大きく、コン
デンサＣ３を十二分の時間を掛けながら充電する。

また、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１、Ｑ２がＣ−ＭＯＳバッファであることも重要である。その理由は、容量値の大きなコンデンサＣ３を充電するには内部電源Ｃ１の電位も低下してしまうことに関連する。Ｃ−ＭＯＳバッファは、電源電圧が１Ｖ近くまで低下しても入力電圧が電源電圧の１／２以上か否かで正しく動作する物が容易に入手でき、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ等で構成する回路方式に比して効率よく電荷の移動ができる。

次に、コンデンサＣ３が何ボルトまで充電されるかを計算する。内部電源Ｃ１も電気２重層コンデンサとして、その容量値は０．３３Ｆとする。電荷保存の法則により、０．３３Ｆ×４．６Ｖ＝（０．３３＋０．０４７）Ｆ×ｘＶから、ｘ≒４．０３Ｖとなる。ダイオードＤ３の電圧降下を０．４Ｖとすると、コンデンサＣ３には約３．６Ｖの電圧が生じる。

次に、コンデンサＣ３の３．６Ｖが０．６Ｖ（抵抗Ｒ５で０．４Ｖのバイアスを掛けているため、０．６＋０．４＝１Ｖが、２Ｖ電源電圧で作動するＣ−ＭＯＳインバータＱ３のＬ、Ｈ反転レベルである）に低下するまでの時間を計算する。なお０．６Ｖまで低下するに要する時間が記憶素子としてのコンデンサＣ３の記憶時間である。

Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３の入力電流とダイオードＤ３の漏れ電流の合計は０．１μＡ程であり、コンデンサＣ３に３．６Ｖ印加時の抵抗で表すと３．６Ｖ／０．１μＡ＝３６ＭΩで、０．０４７Ｆとの時定数は３６ＭΩ×０．０４７Ｆ≒１．７×１０⁶秒＝（１．
７×１０⁶）／（３．６×１０³）時間＝４．７×１０²時間となり、４８時間を大幅に上
回っている
上記計算は内部電源Ｃ１が４．６Ｖある事例であるが、外部電源が絶たれた後は内部電源Ｃ１もダイオードＤ１の漏れ、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１、Ｑ２の消費電流で徐々に電圧降下する。図１に示した部品の場合、１００時間経過後に内部電源Ｃ１は２Ｖ以上を保持する。いま、２Ｖであったとして、上記４．６Ｖのときと対比して計算すると、０．３３Ｆ×２Ｖ＝（０．３３＋０．０４７）Ｆ×ｘＶから、ｘ＝１．７５Ｖ、ダイオードＤ３の電圧降下０．４Ｖを引いて、１．３５Ｖの電圧が生じる。

１．３５Ｖが０．６Ｖまで低下する時間は、Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３の入力電流とダイオードＤ３の漏れ電流の合計は印加電圧が３．６Ｖから１．３５Ｖに低下していることから０．１μＡ以下となるが、多めの０．１μＡあったとしても、時定数の４．７×１０²時間の半分の時間２．３５×１０²時間後には、１．３５×０．６＝０．８１Ｖが残り、未だ０．６Ｖを上回りＨを記憶している。

なお、記憶時間を大きく伸ばす作用は、Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３の電源電圧を外部電源（５Ｖ）より低くしていることと、バイアス電圧を加えることで、コンデンサＣ３に充電された電位を有効利用していることに大きく依存している。
［回路構成例２］

図２に示すのは、検出素子ＳＥの配置を図１の例とは異ならせ、Ｑ１をＣ−ＭＯＳインバータとした例であり、関連で抵抗Ｒ６の配置が変化しているがその作用は図１の場合と同一である。また、抵抗Ｒ３が省略され、Ｃ−ＭＯＳインバータＱ３には外部電源の５Ｖが印加されているが、バイアス電圧は１．５Ｖと高くなっている。図２の回路構成にすれば部品点数の低減効果がある。なお、Ｑ１は、図１ではＣ−ＭＯＳバッファ、図２ではＣ−ＭＯＳインバータで同機能が達成されているから、発明の要素としてはバッファ及びインバータの上位概念であるＣ−ＭＯＳゲートと言える。
［回路構成例３］

図３に示すのは、図１（回路構成例１）の抵抗Ｒ１、パワースイッチＰ−ＳＷ、Ｃ−ＭＯＳバッファＱ１、抵抗Ｒ６、抵抗Ｒ７を廃して、抵抗Ｒ８、コンデンサＣ５、センサスイッチＳ−ＳＷを追加し、検出素子ＳＥは筐体が閉鎖されているときに開で筐体が開封されると閉になる形式を採用した例である。なお、図１（回路構成例１）と同一機能の部品には同一の符号を付けてあるので、それら重複部分の説明は省略する。

図３の回路構成においては、外部電源（５Ｖ）からは、ダイオードＤ１を介して内部電源Ｃ１（電気２重層コンデンサ又は２次電池）が充電される。内部電源Ｃ１の＋極からはＱ２の電源端子ＶＤＤと抵抗Ｒ８が結ばれる。抵抗Ｒ８の他端からはコンデンサＣ５の一端と検出素子ＳＥの一方の接点ＳＥ１が結ばれる。検出素子ＳＥの他方の接点ＳＥ２からはセンサスイッチＳ−ＳＷの一方の端子Ｓ−ＳＷ１とダイオードＤ２を介してコンデンサＣ２の一方の端とＱ２の入力端子ＩＮが結ばれる。内部電源Ｃ１の−極には、前記のコンデンサＣ５の他端、センサスイッチＳ−ＳＷの他方の端子Ｓ−ＳＷ２、コンデンサＣ２の他端、Ｑ２の電源端子ＶＳＳが結ばれる。Ｄ３、Ｃ３、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｑ３、ＴＲ、Ｒ２、緑ＬＥＤは図１と同一である。

内部電源Ｃ１は、図１に示したパワ−スイッチＰ−ＳＷが無いため、外部電源が与えられれば充電される。図１の例では封印装置１０が付けられた制御基板の品質試験中は充電しない旨を説明したが、本例は該試験中にも充電される。
また、リチウム２次電池等、初期状態においては充電されていて改めて充電しなくてもよい形式の２次電池を用いてもよい。

コンデンサＣ５は抵抗Ｒ８を介して充電される。抵抗Ｒ８は内部電源Ｃ１の内部抵抗が大きいことから、検出素子ＳＥがオンして電気２重層コンデンサＣ３を充電する大きな電流が流れたときに電圧降下が発生し、Ｑ２への入力電圧が十分上がらなくなる不具合を防止すると共に樹脂モールド等で保護しきれない検出素子ＳＥの接点ＳＥ１とグランドをショートして内部電源Ｃ１を空にしようとする不正行為を防止する。

センサスイッチＳ−ＳＷの端子Ｓ−ＳＷ１、Ｓ−ＳＷ２は、封印装置１０が筐体内にセットされるまでは、センサスイッチワイヤＳ−ＳＷ−Ｗｉｒｅでシートされている。
検出素子ＳＥは、封印装置１０が筐体内にセットされ筐体が閉鎖されるまでは、当然、「閉」を検出し、接点ＳＥ１、ＳＥ２間は閉している。すなわち、封印装置１０が他の装置例えば制御基板に取り付けられ、制御基板の品質検査のために通電される状態では、Ｑ２の入力にＨを与えようとしている。しかし、上述したようにセンサスイッチＳ−ＳＷでグランドに落とされているので、Ｑ２の入力は当然Ｌであり、検出素子ＳＥは不感にされている。

制御基板の品質検査が終わり、封印装置１０共々筐体内にセットされるとき、センサスイッチＳ−ＳＷのセンサスイッチワイヤＳ−ＳＷ−Ｗｉｒｅは筐体の穴又は隙間等の引出口から筐体外へ引き出され、筐体を封印した後にセンサスイッチワイヤＳ−ＳＷ−Ｗｉｒｅを引くことで端子Ｓ−ＳＷ１、Ｓ−ＳＷ２間を開放し、検出素子ＳＥの作用を有効とする。

コンデンサＣ２の役目は図１の場合と同様であり、不正行為者が筐体を開封した後に検出素子ＳＥを無効化しようとしても、充電されたコンデンサＣ２の電荷で長時間Ｑ２をオンさせ続ける作用がある。

ダイオードＤ２は検出素子ＳＥの接点ＳＥ２、センサスイッチＳ−ＳＷの端子Ｓ−ＳＷ
１をグランドにつなぐことでコンデンサＣ２の電荷を放電させる不正行為を防止する。
センサスイッチＳ−ＳＷの適用は、図３の例に限るものではなく、図１の例にも図２の例にも適用できる。このことは、一般化した表現として次のように述べることができる。すなわち、筐体の開封を検知し、記憶する封印装置をセットできる条件は、セット時は筐体が開いた状態にあるのだから、電源を空にするか検出素子を不感にするか少なくとも一方が必要であり、筐体が閉じられた後に電源及び検出素子の双方を稼働状態にすることが必要なのである。

センサスイッチＳ−ＳＷの使用は、センサスイッチワイヤＳ−ＳＷ−Ｗｉｒｅを筐体外へ引き出し、引きちぎるという操作が必要にはなるものの、封印装置１０がセットされた直後から作動状態に入るというメリットがある。

内部電源Ｃ１は、電気２重層コンデンサであれリチウム等の２次電池であれ、空の状態から満充電させるには数時間を掛けて徐々に充電しないと十分な特性が得られないという問題があるので、上記のメリットは重要である。

なおＣ−ＭＯＳインバータＱ３は図１、図２、図３とも１段のトランジスタＴＲを作動させているが２段のトランジスタを介しての駆動ならばバッファでもよいことから、発明の構成要素としては上位概念のゲートと言える。
［封印装置の構造例］

図４に示す封印装置１０は、図１、図２又は図３に示した回路部品をプリント基板に実装して構成されている。

端子ＣＮ−１〜ＣＮ−４及びＳＥ１、ＳＥ２は回路図に示したのと同一機能端子であり、図１、図２のパワ−スイッチＰ−ＳＷと図３のセンサスイッチＳ−ＳＷが兼用して示されている。

Ｐ−ＳＷの端子Ｐ−ＳＷ１、Ｐ−ＳＷ２はプリント基板上に直径０．５ｍｍ程の銅箔として作られている。被覆付きの銅線で一部の被覆が除去されている直径０．５ｍｍ程のパワ−スイッチワイヤＰ−ＳＷ−Ｗｉｒｅが、これらにハンダ付けされることでＰ−ＳＷがショートされていることを図示してある。

封印装置１０を作動状態にするには、パワ−スイッチワイヤＰ−ＳＷ−Ｗｉｒｅを強く引き、端子Ｐ−ＳＷ１、Ｐ−ＳＷ２のショートを断にした後、外部電源（５Ｖ）を与え、内部電源Ｃ１を充電して用いる。

図４に示されるセンサスイッチＳ−ＳＷは同様の構成で作られているがセンサスイッチワイヤＳ−ＳＷ−Ｗｉｒｅの長さが、筐体の外部に引き出せるだけの長さを有していることが異なる。

封印装置１０を作動状態にするには、筐体を閉鎖した後に筐体の穴又は隙間等の引出口から外部に出ているセンサスイッチワイヤＳ−ＳＷ−Ｗｉｒｅを強く引き、端子Ｓ−ＳＷ１、Ｓ−ＳＷ２間の電気的ショートを断にすることで成り立つ。

なお、図４では緑ＬＥＤが端子ＣＮ−３、ＣＮ−４と並列に設けられており、外部に緑ＬＥＤを設けなくても判別できるようにされているが、外部にも緑ＬＥＤを設ける場合には、各々に抵抗を直列に入れて、電流がいずれか１個のＬＥＤに集中して光が不均一になるのを防止するという、複数のＬＥＤを用いるときの常套手段が採用される。

また、図中１−Ａの線より上の領域は、絶縁物である樹脂でポッティングすることで不正行為から保護されることを示しており、さらに保護ケースに入れて耐性を高めることもある。
［検出素子ＳＥの構成例］

図５〜図７に示す検出素子ＳＥは、底部２と蓋部３とからなる筐体４（本例では遊技機の制御基板を収容する基板ボックス）を電線５で縛ることで構成したものであり、構成が簡単であると同時に安価でもある特徴を有する。

図５では、筐体４の底部２に封印装置１０を含む制御基板６がネジ７にて止着され、蓋部３が被せられた後、ワンウェイビスである封印ネジ８で固着し筐体４が閉鎖された状態が示されている。

蓋部３にはコネクタ１２のための開口部１１が設けられており、コネクタ１２を介して外部との電気的な結合がなされる。
制御基板６上には検出素子ＳＥの端子ＳＥ１、ＳＥ２がピンとして設けられており、蓋部３には、端子ＳＥ１、ＳＥ２に対応して、電線５を通すための開口１４が設けられている。

電線５の両端にはピン（端子ＳＥ１、ＳＥ２）に整合するコンタクト１３が圧着されており、開口１４から通されたコンタクト１３をピン（端子ＳＥ１、ＳＥ２）に嵌合させると、図１（又は図２）の回路図に示すように検出素子ＳＥが閉じた状態となる。この電線５の長さは、これを蓋部３の外面沿いに這わせて端子ＳＥ１、ＳＥ２間を結んだときに、緩み、弛みが生じない長さに設定されており、コンタクト１３をピンから外すか電線５を切断しない限り筐体４を開けることはできない。

図６の例では、電線５は２本とされ、各々の一端はそれぞれ端子ＳＥ１、ＳＥ２に結ばれ、他端はそれぞれギボシ・メス接続子１５、ギボシ・オス接続子１６が圧着されている。ギボシ・メス接続子１５及びギボシ・オス接続子１６は蓋部３に設けられた引出口１７から筐体４の外部に引き出されている。筐体４を閉鎖した後にギボシ・メス接続子１５とギボシ・オス接続子１６とを結合させれば、２本の電線５が一連となって図１（又は図２）の回路図に示すように検出素子ＳＥが閉じた状態となる。

言うまでもないことであるが、この場合も電線５の長さに余裕があり過ぎて、ギボシ・メス接続子１５とギボシ・オス接続子１６の結合を解除せずに蓋部３を底部２から引き離すこと（つまり、筐体４を開封すること）が可能であってはならない。

しかし、電線５の長さに余裕が少なすぎると、引出口１７に電線５を通したままで蓋部３を被せる作業ができなくなる。
そこで、各々オス、メスのギボシを端部に有する誘導紐１８用いれば、この作業を行い易くできる。つまり、誘導紐１８をそれぞれギボシ・メス接続子１５、ギボシ・オス接続子１６に結合させて引出口１７に電線５を通し、蓋部３を被せてから誘導紐１８を外してギボシ・メス接続子１５とギボシ・オス接続子１６を結合させるのである。このようにすれば、電線５の長さの余裕を最小に押さえることができ、また作業性も良好になる。

封印のための作業性だけを比較すれば図５の方が優れているが、図５には制御基板６の両端に近い所までピン（端子ＳＥ１、ＳＥ２）用の配線を引き回す必要があるという欠点がある。実施に当たっては、このような利点、欠点を比較したうえで適宜に選択すればよい。

図５、図６の構成は、上述の通りきわめてシンプルで優れるが、欠点もある。図１の回路図を参照して説明すると、コンタクト１３の一方は接点ＳＥ１に相当し、制御基板のコネクタ１２のいずれかにはグランドがある。いま、十分な長さの不正用電線２０を用意し、一端のクリップを制御基板のグランドピンに結合し、他端のクリップを端子ＳＥ１側のコンタクト１３に結合すれば、Ｑ１の入力はグランドに落とされたこととなり、検出素子ＳＥを不感にしたのと同じことになる。この状態で電線５の接点ＳＥ２側のコンタクト１３をピンから外せば、蓋部３を開けることができ、不正が可能になる。

しかし、この欠点は図１の抵抗Ｒ７の作用で解決される。１ＭΩという高い抵抗値でグランドと結ばれた接点ＳＥ１、ＳＥ２すなわちＱ１の入力は、人体が触れることで、人体の誘導電位のため、Ｑ１をオンさせる作用があり、上記のような不正を防ぐことができる。図６の場合も同様に不正を防げる。

前述したことではあるが、誘導電位ではなく、人体の静電容量を検知する回路に変更することも可能である。これらの手法に限定されないが、人体が触れたことを検知できる手段を封印装置１０内に設けることで、図５、図６の簡単な検出素子ＳＥを実用にできる。

勿論、不正行為者は、絶縁物の道具で作業する等の知恵を使うことが想定される。それに対しては重要部分を筐体４の外に出さない構成が有効である。次に、検出素子ＳＥの重要部分を筐体４の外には出さない構成例をいくつか説明する。

まず、図７の例は、図５と同様に電線５で蓋部３と底部２とを縛っているが、電線５の一端を制御基板６上に銅箔として設けられた接点ＳＥ１にハンダ付けし、蓋部３の引出口１７を通して一旦引きだした電線５の他端を、蓋部３の第２の引出口１９から引き込んで、やはり制御基板６上に銅箔として設けられた接点ＳＥ２にハンダ付けした例である。引出口１９は、電線５と接点ＳＥ２とをハンダ付けするためにハンダごての先端を差し込める寸法である。また、接点ＳＥ２となる銅箔は引出口１９の全域に対応して設けられている（引出口１９には銅箔しか露出していない。）。

図１において抵抗Ｒ７を０Ωとした場合を想定すると、接点ＳＥ２はグランドに結ばれていることになる。つまり、図５に示した不正用電線２０のバイパス回路で接点ＳＥ２とグランドピンとを結んでも、グランドとグランドとを結んでいるだけで何の作用もない。また、接点ＳＥ１は閉鎖された筐体４内であるから不正は行えない。

すなわち、図７の例は、一本の電線５のみで（両端ハンダ付けでコネクタ不要）、簡単、安価でありながら、バイパス回路による不正も防止でき、かつ人体の接触を検知するためのタッチスイッチ等の回路を要さない、実用性の高い手段である。

但し、本例の電線５の被覆はきわめて強固であるか、又は、逆に弱くて、何らかの加工にに対して痕跡が残りやすい性質のものが好ましい。
その理由は、筐体４の外部に出ている電線５を切断はしないが被覆を通過して芯線に接するように刃物で挟み、その刃物を図５で示した不正用電線２０で基板６のグランドに結合させた後、ハンダ付けされた図示ＳＥ２のハンダを外し、筐体４を開け、不正を行い、再び図示ＳＥ２のハンダを付ける、という不正が可能となり得るからである。

この用途には、被覆付きシールド電線を電線５として用いるのが好適である。シールドで保護された芯線を切断しないように芯線に刃物を接触させることが困難になると共にシールドは切るが芯線は切らない特殊工具を考え出し、用いたとしてもシールドと芯線が電気的に接することからグランドに落ちることを検知して不正加工信号を得ることが可能であり、封印装置の信号として利用できるからである。また、被覆付きシールド電線であれ
、通常の被覆付き電線にしろ、被覆自体、又は被覆の外にガラス質等の破壊すると痕跡が明確に残るパイプを被せるとか、刃物が効かない金属のパイプを被せるとかで、不正をより確実に防止できる。

また、蓋部３と底部２との連結構造２１をヒンジ状にすることで不正開封に対する耐性が高まる。
ところで、電線５を用いる上記の方法は、組み付け作業が少しばかり行いにくいという点では欠点がある。以下に、組み付け作業を行いやすい検出素子の例をいくつか示す。

図８は、以下に述べる各検出素子ＳＥに共通な部分を説明するための図面である。ここに示す共通事項としては、次の（１）〜（６）である。（１）筐体４の蓋部３と底部２との一方側、この例では底部２側に封印装置１０及び検出素子ＳＥの接点ＳＥ１、ＳＥ２が配され（底部２に直接又は間接的に固定されており）、（２）他方側すなわち蓋部３には結合開口（ここでは蓋部開口２３）が設けられている。（３）蓋部開口２３を通過して筐体４内に入出可能な作用部２７を備える結合材２５が、作用部２７を筐体４内に入れた状態で、少なくとも筐体４の内側に脱落不能に、しかも蓋部開口２３を閉塞して蓋部３に装着される。（４）筐体４が閉鎖された状態では、結合材２５が接点ＳＥ１、ＳＥ２に作用して検出素子ＳＥを開又は閉となしている。（５）筐体４が開封されると、結合材２５が蓋部３と一体的に底部２側から離れることで、結合材２５による作用が解除されて検出素子ＳＥを閉又は開（筐体４が閉鎖されていたときとは逆の状態）にさせる。（６）結合材２５を除去した場合も筐体４の開封と同様に検出素子ＳＥが変化する。

結合材２５を、少なくとも筐体４の内側に脱落不能にするには、結合材２５の上端部に、例えば蓋部開口２３よりも大径の係止部２９を設ければよい。結合材２５を蓋部開口２３に嵌合させたり螺合させたりすれば、蓋部開口２３を閉塞すると共に抜け落ちを防止できる。また、結合材２５の下端側（作用部側）を接点ＳＥ１、ＳＥ２側（すなわち封印装置１０本体側）に係合、嵌合又は螺合させる等の離脱防止手段にて、接点ＳＥ１、ＳＥ２からの離脱を防止してもよい。

作用部２７は導体とする（例えば接点ＳＥ１、ＳＥ２間に進入して検出素子ＳＥを閉にする）場合もあれば、絶縁体とする場合（例えば接点ＳＥ１、ＳＥ２間に進入して検出素子ＳＥを開にする）もある。

次に、検出素子ＳＥの具体的な構成例を説明する。
まず、図９（（ａ）は正面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図）に示す検出素子ＳＥの接点ＳＥ１、ＳＥ２は、リン青銅等のバネ用板材を例えばプレス加工して製造されている。

接点ＳＥ１、ＳＥ２は互いに鏡像となる形状で、図９（ｂ）に良好に示されるとおり、上部は「く」の字状に屈曲させられている。上端は開口部３１とされ、下方の折り目にて狭隘な接合部３２が形成されている。開口部３１同士の間隔は結合材２５の作用部２７の径よりも大きく、接合部３２同士の間隔は作用部２７の径よりも小さく設定される。
したがって、開口部３１から結合材２５（作用部２７）が押し込まれた際には、開口部３１に続く傾斜面が案内面となって誘導し、接合部３２間に進入した作用部２７を弾性反発力で挟持する。

接点ＳＥ１、ＳＥ２の下部には、間に配されたインシュレータ３５を挟んで互いに平行に対面配置される平板部３３が設けられ、取付穴３４にてインシュレータ３５に熱溶着されている。また、平板部３３からはインシュレータ３５からはみ出す端子部３６が延出されている。接点ＳＥ１、ＳＥ２は、端子部３６にてプリント基板６のパターンにハンダ付けされることで（図８参照）、端子ＳＥ１、ＳＥ２（図４参照）に結ばれて封印装置１０
の一部となる。

インシュレータ３５の中央部には上下に貫通する穴が開けられており、その上半部にはメネジ３７が設けられ、下半部は余裕域３８とされている。
本例の場合、結合材２５として金属製の有頭ネジ、例えば３ミリのビスが用いられる。ビスの頭部が係止部２９でありネジ部が作用部２７となる。３ミリのビスを結合材２５とする場合、その頭部の径は５．５ミリであることから蓋部開口２３は直径４ミリ程の穴とされる。また、上記接合部３２間の寸法は２．５ミリ程にされる。なお、蓋部開口２３の径を４ミリ程とするのは、蓋部３側と底部２側との位置ずれに対応するためである。

インシュレータ３５のメネジ３７は結合材２５となる有頭ネジ（オネジ）に整合するものとされ、筐体４の閉鎖時には結合材２５が螺合する。これは、強い振動条件でも安定に検出素子ＳＥを作用させることを目的としており、振動が少ない（或いは振動がない）用途であれば、メネジ３７を廃して接合部３２による挟持のみとしてもよい。

上記の構成であるから、筐体４が閉鎖されているときは、金属である接点ＳＥ１、ＳＥ２間が金属である結合材２５の作用で閉とされ、筐体４が開封されて結合材２５が接点ＳＥ１、ＳＥ２間から離脱すれば検出素子ＳＥは開になる。

次に、構成がより簡単で小型化に適した検出素子ＳＥを図１０により説明する。
図１０（ａ）は底部２側に取り付けられたプリント基板６の一部を示している。この図に示すように、プリント基板６を貫通するガイド穴４１が設けられている。

図１０（ｂ）は図１０（ａ）の断面図であり、この図と図１０（ａ）に示すとおり、ガイド穴４１の周囲には接点ＳＥ１、ＳＥ２を構成する銅箔部が、それぞれプリント基板６の表裏に残されている。ガイド穴４１の内面にはメッキ層等による導電部材は設けられておらず（スルーホールではなく）、接点ＳＥ１、ＳＥ２間は絶縁されている。なお、詳細の図示は省略しているが、接点ＳＥ１、ＳＥ２は、プリント基板６のパターンにて封印装置１０の端子ＳＥ１、ＳＥ２（図４参照）に結ばれている。

図１０（ｃ）は結合材２５の正面図、図１０（ｄ）は同平面図である。本例の結合材２５は導電性ゴム等の柔軟性と導電性を有する材料で作られている。結合材２５の一端にはフランジ状の係止部２９が設けられ、他端にはテーパ状の誘導部４５が設けられている。それらの中間部はガイド穴４１よりも小径の本体部４２であるが、この本体部４２の外周には径方向に突出し、軸方向に延びるリブ部４３が複数（本例では４条）設けられている。各リブ部４３の頂部を結ぶ仮想円の直径はガイド穴４１よりも大きく設定されている。また、リブ部４３（図示は１箇所であるが複数のリブ部４３でもよい）の下端部には、抜け止め部４４が突出形成されている。

筐体４を閉鎖して蓋部開口２３から結合材２５を押し込むと、その作用部２７（リブ部４３）が弾性変形しながらガイド穴４１に進入する。リブ部４３がガイド穴４１を貫通すると、ガイド穴４１によって収縮方向に弾性変形させられたリブ部４３がその弾性反発力で接点ＳＥ１、ＳＥ２に密接するので、接点ＳＥ１、ＳＥ２間が導通する（検出素子ＳＥが閉になる）。この際に、ガイド穴４１の上下（開口部分）で外側に膨出しているリブ部４３ａも該導通を補強する。

その後筐体４が開封されると、結合材２５は係止部２９によって蓋部３と共に底部２から引き離されるので、リブ部４３がガイド穴４１から抜ける。すなわち、リブ部４３による接点ＳＥ１、ＳＥ２間の導通は解除され、検出素子ＳＥが開になる。

なお、プリント基板６の銅箔は通常３５μｍで薄いため、接触の安定化を図るためにメッキで例えば７０μｍ程に厚くしたり、他の金属板を接合してさらに厚くすることもできる。

また、銅箔は錆が進行しやすいので、プリント基板６の表面、裏面共にハンダレベラー（ハンダメッキ）加工を行い、特にガイド穴４１の内面側になる銅箔の縁部もメッキで保護するのが望ましい。

結合材２５は一体の導線性ゴムでなく、例えば樹脂部材に導電性ゴムでできたリングをはめてもよいし、スリ割りを設けて変形し易くした樹脂製の結合材２５の表面をプラスチックメッキして導電性を付与してもよい。

結合材２５の抜け止めは、リブ部４３がガイド穴４１の壁面との間で弾性変形させられたことに起因する反発力、その摩擦力で成り立つが、上述の抜け止め部４４を設けて、これをガイド穴４１の縁部に係止させることで、より確実な抜け止めを図るとよい。なお、抜け止め部４４は必須ではない。

次に、他の検出素子ＳＥの例を図１１により説明する。
図１１（ａ）は底部２側に取り付けられたプリント基板６の一部を示す平面図、同（ｂ）は、その断面図である。これらに示すように、プリント基板６には貫通穴がガイド穴５１として設けられている。このガイド穴５１を挟んで対向する位置に一対の接点取付穴５２が設けられ、それぞれに導電性ゴムで作られた接点ＳＥ１、ＳＥ２が取り付けられている。
そして、プリント基板６上には、銅箔部５３が各々の接点ＳＥ１、ＳＥ２と接し、かつ封印装置１０の端子ＳＥ１、ＳＥ２（図４参照）と結ぶように設けられている。

図１１（ｂ）に示すように、接点ＳＥ１、ＳＥ２は同形で、張出部５５、円柱部５６及びロック部５７を備えている。張出部５５は、接点取付穴５２の径を上回わる円盤状である。円柱部５６の径は接点取付穴５２の径をわずかに上回り、長さはプリント基板６の板厚よりもわずかに短い。ロック部５７の先端部の径は接点取付穴５２の径より小さく、円柱部５６側の径は接点取付穴５２の径よりも大きい。

両接点ＳＥ１、ＳＥ２は、ロック部５７側から接点取付穴５２に押し込まれて取り付けられている。円柱部５６の長さがプリント基板６の板厚よりもわずかに短いので、円柱部５６には引っ張り応力が働いており、その力により張出部５５をプリント基板６上の銅箔部５３に密接させ、またロック部５７をプリント基板６の裏面に密接させて、張出部５５と銅箔部５３との電気的接触を安定、確実にしている。また張出部５５はガイド穴５１の上方に張り出している。

図１１（ｃ）に正面図を、図１１（ｄ）に底面図を示す結合材２５は、金属やプラスチックメッキされた樹脂等、導電性の材質である。
結合材２５の頭部は蓋部開口２３よりも大径の係止部２９とされ、その上面にはマイナスドライバ等の工具を挿し込むための溝５８が設けられている。

係止部２９の下側にはオネジ部５９が連設されている。このオネジ部５９は、蓋部開口２３に設けられるメネジ（図示略）と螺合可能で、該螺合によって結合材２５が蓋部３に装着される。溝５８は、この螺合作業に利用される。

オネジ部５９の下方には円柱状の作用部２７が連接され、下端はテーパ状の誘導部６１となっている。
作用部２７の径はガイド穴５１よりも小径であるが、ガイド穴５１上に張り出している張出部５５間の距離よりは大径である。このため、図１１（ａ）に示すように作用部２７をガイド穴５１に挿通させた際には、両方の張出部５５と圧接して張出部５５同士、すなわち接点ＳＥ１、ＳＥ２を導通させる。

上記構成の接点ＳＥ１、ＳＥ２及び結合材２５による検出素子ＳＥの作用は図９で説明した検出素子ＳＥと同様である。この検出素子ＳＥは、結合材２５がオネジ部５９を蓋部開口２３のメネジに螺合させて蓋部３に取り付けられるので、振動に強いという長所がある。一方、結合材２５とガイド穴５１の同心度（蓋部３と底部２の位置の精度）を保つ管理に技術を要する面がある。

次に、他の検出素子ＳＥの例を図１２により説明する。
図１２（ａ）は底部２側に取り付けられたプリント基板６の一部を示す平面図、同（ｂ）は、その断面図である。

これらに示すように、プリント基板６には貫通穴がガイド穴６２として設けられている。
ガイド穴６２上には、バネ用リン青銅線の接点ＳＥ１、ＳＥ２が、ガイド穴６２の直径と平行に、ただし直径を大きく外れて配されている。接点ＳＥ１、ＳＥ２は、ガイド穴６２上でわずかな隙間を保っていて、接触はしていない。また、接点ＳＥ１、ＳＥ２は、ガイド穴６２から離れた場所で、その端部をプリント基板６上の銅箔部６３にハンダ付けされている。銅箔部６３は封印装置１０の端子ＳＥ１、ＳＥ２（図４参照）と結ばれている。

接点ＳＥ１、ＳＥ２は、接点ＳＥ１＋接点ＳＥ２＋上記隙間の長さの１本の上記線材を用い、その線材の両端をそれぞれ銅箔部６３にハンダ付けした後に、プレス等で隙間分を切断して分離されている。このように製造すると、作業性が良く、また隙間の寸法を均一化できるというメリットがある。

図１２（ｃ）に正面図を、図１２（ｄ）に底面図を示す結合材２５は、金属やプラスチックメッキされた樹脂等、導電性の材質である。
結合材２５の頭部は蓋部開口２３よりも大径の係止部２９とされている。

係止部２９の下側には、接点ＳＥ１、ＳＥ２の隙間側端部からガイド穴６２の内面までの距離Ｌ（ガイド穴６２の直径に沿って長い方）よりも大きい径の谷部６４と、それよりも大径であるがガイド穴６２の直径よりは小径の山部６５とが交互に形成された作用部２７が設けられている。そして、下端部にはテーパ状の誘導部６６となっている。

この検出素子ＳＥにおいては、閉鎖した筐体４の蓋部開口２３を通して結合材２５を押し込めば、誘導部６６の働きでその先端部がガイド穴６２に入る。さらに押し込むと作用部２７がバネ材の接点ＳＥ１、ＳＥ２を押しのけながらガイド穴６２に進入する。結合材２５は係止部２９が蓋部３の当たる位置まで入る。このままの位置又は山部６５と谷部６４とで形成するテーパ状の部分にバネ材（接点ＳＥ１、ＳＥ２）の弾性力が作用してわずかに押し戻された位置で結合材２５の位置が定まり、脱落しない。

上記のように結合材２５が挿入された状態では、結合材２５によって接点ＳＥ１、ＳＥ２が電気的に閉じた状態とされる。一方、蓋部３を開ければ係止部２９で当たっていることから、結合材２５も蓋部３に付着して移動し、接点ＳＥ１、ＳＥ２間から離脱するから、接点ＳＥ１、ＳＥ２間の隙間が復活して電気的に開になる。

以上の各検出素子ＳＥは、筐体４が閉鎖しているときに閉、開封されると開になる形式であるが、次に、その逆に動作する検出素子ＳＥを説明する。
図１３に示す例は、図９に示した検出素子ＳＥの開閉動作を逆にした例である。主な構成は図９と同じであるから、それぞれ同符号を付して説明を省略する。図９との違いは、接点ＳＥ１、ＳＥ２となる部分が結合材２５の移動域から外れる位置に延出されていて、結合材２５が作用していないときには自身の撓もうとする力で互いに接触して、電気的に閉じている点である。

また、本例の結合材２５は絶縁物で作られており、例えばポリアセタール製のビスが用いられる。材質が絶縁性である点を除けば、形状などは図９の結合材２５と同様である。
こうした構成であるから、筐体４を閉鎖して蓋部開口２３を通して結合材２５を挿入すると、これが開口部３１で迎え入れられ、接合部３２間を押し広げながらメネジ部３７に達する。さらに、係止部２９が蓋部３に当たるまで結合材２５をねじ込む。接合部３２間の寸法が結合材２５であるビスの直径より小さく作られているから、接合部３２間が押し広げられ、その作用で接点ＳＥ１、ＳＥ２間も開く。つまり、検出素子ＳＥが開になる。

筐体４を開封するために結合材２５であるビスを除去すれば、接合部３２間が弾性復帰するので接点ＳＥ１、ＳＥ２間も閉、つまり検出素子ＳＥが閉に戻る。
次の例は、図１４、図１５により説明する。

図１４（ａ）は底部２側に取り付けられたプリント基板６の一部平面図、図１４（ｂ）はその側面図である。
プリント基板６にはガイド穴７１が貫通して設けられている。また、プリント基板６には、接点ＳＥ１、ＳＥ２となる２本の接点棒が固着されている。これらは、それぞれ封印装置１０の端子ＳＥ１、ＳＥ２（図４参照）につながる銅箔７０にハンダ付けされている。

両接点棒ＳＥ１、ＳＥ２の間にはバネ支軸７２が、プリント基板６にハンダ付けで固定されている。バネ支軸７２にはトーションバネ７３が遊嵌され、その脱落を防ぐための止め輪７４（Ｅ型、Ｃ型等）が嵌着されている。

トーションバネ７３には弾性変形が与えられており、その反発力で一端を接点棒ＳＥ１に他端を接点棒ＳＥ２に押し当てている。また、接点棒ＳＥ２側の中間部にはバネを屈曲させて作用部受け７５が形成されている。

結合材２５の構造は図１５（ａ）、（ｂ）に示すとおりである。なお、本例においては結合材２５の材質は導電性でも絶縁性でも、どちらでもよい。
結合材２５の頭部には蓋部開口２３を上回る径の係止部２９が設けられ、その下方にガイド穴７１の径をわずかに下回る円柱状の胴部７６が連設されている。胴部７６の先端はテーパ状の誘導部７７とされている。胴部７６の側面からは板状の作用部２７が胴部７６の径方向に延出されており、その先端面には脱落防止溝７８が設けられている。

また、図１５（ｃ）に示すように、蓋部開口２３は、結合材２５の胴部７６の径をわずかに上回る径の円弧部２３ａと作用部２７を通過させる寸法の長穴２３ｂとで構成されている。

閉鎖された筐体４の蓋部開口２３から結合材２５を挿通させると、誘導部７７の作用でプリント基板６のガイド穴７１に入る。さらに結合材２５を入れると、作用部２７がプリント基板６に当たるので、それ以上は進入できなくなる。作用部２７の位置が図１４（ａ）に示す位置Ａであったとして、結合材２５を反時計回りに回すと、作用部２７は位置Ｂ
でトーションバネ７３の作用部受け７５に収まる。作用部２７の突出長さは、このときにトーションバネ７３を時計回り方向に回転させる寸法に作られているので、この結合材２５の回転はトーションバネ７３を接点棒ＳＥ２から引き離す。このため、トーションバネ７３と接点ＳＥ２との接触が解かれて検出素子ＳＥは電気的に開となる。

また、筐体４を開封するために蓋部３を持ち上げれば、作用部２７を上記位置Ｂにしたまま、結合材２５が蓋部３と共に上方に移動するので、作用部２７が作用部受け７５から外れる。その結果、トーションバネ７３は弾性力で接点棒ＳＥ２との接触を回復し、検出素子ＳＥは電気的に閉となる。

なお、結合材２５の脱落はトーションバネ７３の力を利用していることから、脱落を防止するには、結合材２５を軽い樹脂で作ったり、中空形状にして軽くしたり、或いは図示した脱落防止溝７８を設けたりすればよい。脱落防止溝７８は必須ではない。

次の例を、図１６、図１７により説明する。
図１６（ａ）は底部２側に取り付けられたプリント基板６の一部平面図、図１６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。

プリント基板６にはガイド穴８１が貫通して設けられている。
プリント基板６の裏面には、銅箔と板バネ８２とで構成される接点ＳＥ１が設けられている。詳しくは、板バネ８２の一方の端部が、接点ＳＥ１となる銅箔上に配されており、その端部及びプリント基板６を貫通する鋲８３によってかしめられている。

この板バネ８２の他端（自由端）は、ガイド穴８１を越えて、銅箔の接点ＳＥ２に達している。板バネ８２には基底的な弾性変形が与えられており、その反発力により自由端の凸部８４を接点ＳＥ２に圧接させている。なお、接点ＳＥ１、ＳＥ２は、それぞれ封印装置１０の端子ＳＥ１、ＳＥ２（図４参照）に結ばれている。

結合材２５の構造は図１７（ａ）、（ｂ）に示すとおりである。なお、本例においては結合材２５の材質は導電性でも絶縁性でも、どちらでもよい。
結合材２５の頭部８８は上記各例の係止部２９に相当するが、本例においては、この頭部８８の外周部にはオネジ部８７が設けられており、上面にはマイナスドライバのような工具を挿し込むための溝８５が設けられている。オネジ部８７は、蓋部開口２３に設けられたメネジ８６（図１７（ｃ）参照）に螺合可能である。

頭部８８には円柱状の円柱部８９が連設されており、円柱部８９の下端８９ａからは円柱部８９より小径の円柱である作用部９０が延出されている。
ガイド穴８１との関係では、円柱部８９はガイド穴８１よりも大径、作用部９０はガイド穴８１よりも小径である。従って、作用部９０はガイド穴８１に進入できるが円柱部８９は進入できない。また作用部９０の長さＬはプリント基板６の板厚よりも長い。

本例の場合、筐体４を閉鎖してから蓋部開口２３に結合材２５を差し込み、例えばドライバを溝８５に差し込んで回す。すると、オネジ部８７とメネジ８６との螺合により、結合材２５は前進（下降）するので、作用部９０がガイド穴８１に入りこむ。さらに回すと作用部９０の先端９０ａが板バネ８２に当接し、結合材２５の下降に伴って板バネ８２を撓ませて凸部８４を接点ＳＥ２から離脱させる。

結合材２５の下降は円柱部８９の下端８９ａがプリント基板６に接触したところで阻まれる。
作用部９０の長さＬは、円柱部８９の下端８９ａがプリント基板６に接触した際に板バ
ネ８２の凸部８４を接点ＳＥ２から離脱させるに十分な長さに設定される。また、それだけではなく、作用部９０と板バネ８２の相対位置が、図１６（ｂ）に示すように自由端側（記号Ｄで示す）に最大ずれても凸部８４を接点ＳＥ２から離脱させるに十分な長さ、かつ鋲８３側（記号Ｅで示す）へ最大ずれても板バネ８２の弾性限界を超えない長さに設定される。

この検出素子ＳＥは振動に強く、かつ蓋部３側と底部２側との位置ずれに対する寸法許容量が大きいという特徴がある。振動に強い理由は、結合材２５が蓋部３にネジ止めされることと、結合材２５の固定に板バネ８２の力を必要としないことによる。寸法許容量については、ガイド穴８１及び作用部９０の径を大きく取れることによる。

ただし、この例で採用している、結合材２５が蓋部３にネジ止めされる構成には、次のような弱点がある。すなわち、不正行為者が、筐体４を開封するに当たり、蓋部３を微量に持ち上げる毎に結合材２５をネジ込むことを繰り返したとする。その結果、結合材２５は筐体４内に入り、蓋部３から離れることになる。しかし、この問題に対しては、結合材２５の重量だけでは板バネ８２の力が上回り、接点ＳＥ１、ＳＥ２間が閉するように設計すれば解決できる。

なお、このようなネジ込む行為に対する耐性をより高めて確実性を増すには、図１８に例示するような構成を採用すればよい。
図１８に示すように、蓋部３に凹部９１を設けて、その底に蓋部開口２３（メネジ付き）を設ける。一方、結合材２５には、凹部９１に入る寸法で蓋部開口２３よりは大きな径の頭部９２（上記各例における係止部２９に該当）を設け、その上面に溝８５を設ける。そして、頭部９２の下に蓋部開口２３のメネジに螺合可能なオネジ部８７を連設し、オネジ部８７の下方に上記例と同様の円柱部８９及び作用部９０を設ける。

このように構成すれば、結合材２５を最大限ネジ込んだとしても、頭部９２が凹部９１の底に当たるまでであり、ネジ込んでも結合材２５が蓋部３から離脱しない。
以上、回路構成例１〜３、封印装置の構造例及び検出素子ＳＥの構成例により本発明の実施形態を説明した。本発明の実施に際しては、これらの例中から封印装置の用途や使用環境等に応じて、好適な組合せを選択すればよい。また、例示した以外の構成（本発明に属する範囲で）を採用することもできる。

なお、上記の各例では、特に検出素子の構成例では、筐体が蓋部と底部との２部分で構成されるとしたが、３部分以上で構成される筐体であっても、いずれかの部分が開けられる（開封される）のであるから、その部分に結合材を取り付けるものと考えるのが自然である。また、蓋部と底部を逆にしても本発明を適用できることは言うまでもない。

封印装置の回路構成例１の回路図。 封印装置の回路構成例２の回路図。 封印装置の回路構成例３の回路図。 封印装置の構造例の説明図。 電線を用いる検出素子の構成例の説明図。 電線を用いる検出素子の構成例の説明図。 電線を用いる検出素子の構成例の説明図。 結合材を用いる検出素子例の共通な部分の説明図。 結合材の挿入で閉になる検出素子の構成例の説明図。 結合材を導電性ゴムで構成する検出素子の説明図。 接点ＳＥ１、ＳＥ２を導電性ゴムで構成する検出素子の説明図。 接点ＳＥ１、ＳＥ２を線材で構成する検出素子の説明図。 結合材の離脱で閉になる検出素子の説明図。 接点ＳＥ１にとーションバネを用いる検出素子の説明図。 図１４に使用する結合材の説明図。 接点ＳＥ１に板バネを用いる検出素子の説明図。 図１６に使用する結合材の説明図。 図１６に使用する結合材の他の例の説明図。

符号の説明

２・・・底部、
３・・・蓋部、
４・・・筐体、
５・・・電線、
６・・・プリント基板（制御基板）、
１０・・・封印装置、
１７、１９・・・引出口、
２３・・・蓋部開口、
２５・・・結合材、
２７・・・作用部、
２９・・・係止部、
Ｃ１・・・内部電源、
Ｃ３・・・電気２重層コンデンサ、
Ｐ−ＳＷ・・・パワ−スイッチ、
Ｑ１・・・Ｃ−ＭＯＳバッファ（Ｃ−ＭＯＳゲート）、
Ｑ２・・・Ｃ−ＭＯＳバッファ、
Ｑ３・・・Ｃ−ＭＯＳインバータ（Ｃ−ＭＯＳゲート）、
Ｒ１〜Ｒ８・・・抵抗、
Ｓ−ＳＷ・・・センサスイッチ、
ＳＥ・・・検出素子、
ＳＥ１、ＳＥ２・・・接点（検出接点）。

Claims (4)

1. 閉鎖される筐体に付設されて該筐体の開封を検出する封印装置であって、
   外部電源によって充電される内部電源と、前記筐体が開封されると接点が開になる検出素子（ＳＥ）と、該検出素子（ＳＥ）が閉のときと開のときとで電位が変化する信号を受ける第１のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）と、該第１のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）の出力をダイオード（Ｄ２）とコンデンサ（Ｃ２）で積分した信号を受けるＣ−ＭＯＳバッファ（Ｑ２）と、
   ダイオード（Ｄ３）を経由して入力される前記Ｃ−ＭＯＳバッファ（Ｑ２）の出力によって充電される電気２重層コンデンサ（Ｃ３）とを備え、
   前記内部電源から前記第１のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ１）及びＣ−ＭＯＳバッファ（Ｑ２）に電力を供給することで、前記外部電源が遮断されているときでも前記筐体が開封されたことを記憶可能な封印装置において、
   前記外部電源に由来する電源で動作し前記電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位を判定して出力レベルを変化させる第２のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）と、
   前記外部電源の電圧を分圧して低下させた電源で前記第２のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）を動作させる手段又は前記外部電源の電圧を分圧して低下させたバイアス電圧を前記電気２重層コンデンサ（Ｃ３）の電位に加算する手段とを備え、
   前記第２のＣ−ＭＯＳゲート（Ｑ３）の出力レベルに従って開封の有無を報知する
   ことを特徴とする封印装置。
2. 閉鎖される筐体に付設されて該筐体の開封を検出する封印装置であって、
   外部電源によって充電される内部電源と、前記筐体の開封を検出する検出素子（ＳＥ）と、前記内部電源で作動し前記検出素子（ＳＥ）が前記筐体の開封を検出したことを記憶する記憶素子とを有する封印装置において、
   紐状のセンサスイッチワイヤを有し、該センサスイッチワイヤを引かれると前記検出素子（ＳＥ）の信号を無効にする状態から前記検出素子（ＳＥ）の信号を有効にする状態に変化するセンサスイッチを備え、
   前記センサスイッチワイヤの一方の端を前記筐体に設けられた穴や隙間等の引出口から該筐体の外部に出されて前記筐体の内部に付設され、前記筐体の閉鎖後に前記センサスイッチワイヤが引かれて前記センサスイッチが前記検出素子（ＳＥ）の信号を有効にする状態に切り替えられる
   ことを特徴とする封印装置。
3. 請求項１又は２記載の封印装置において、
   前記検出素子（ＳＥ）は、
   前記筐体の蓋部と底部との一方側に設けられる導電性材質の結合材と他方側に設けられる第１及び第２の検出接点とからなり、
   前記筐体が閉鎖されているときは前記結合材が前記検出接点間を閉となし、前記筐体が開封されると前記結合材の作用が無くなり前記検出接点間が開になるべく構成されている
   ことを特徴とする封印装置。
4. 請求項１又は２記載の封印装置において、
   前記検出素子（ＳＥ）は、
   前記筐体の蓋部と底部との一方側に設けられる結合材と他方側に設けられる第１及び第２の検出接点とからなり、
   前記筐体が閉鎖されているときは前記結合材が前記検出接点間の導通を阻止して該接点間を開となし、前記筐体が開封されると前記結合材による導通の阻止が解除されて前記検出接点間が閉となるべく構成されている
   ことを特徴とする封印装置。

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