JP3696750B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3696750B2 JP3696750B2 JP09543399A JP9543399A JP3696750B2 JP 3696750 B2 JP3696750 B2 JP 3696750B2 JP 09543399 A JP09543399 A JP 09543399A JP 9543399 A JP9543399 A JP 9543399A JP 3696750 B2 JP3696750 B2 JP 3696750B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- copper
- insulating film
- tantalum
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、下地膜の上にバリアメタル膜を介して低抵抗金属膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体装置の高速化、大容量化の要求に伴い、金属配線部の配線抵抗・配線容量の削減が要求されている。このため、銅や銅合金を主導電層とする金属配線及び接続孔が開発されているが、さらなる改良が必要となっている。
従来の銅や銅合金を主導電層とする金属配線を形成する方法の一つとして、いわゆるダマシン(damascene) 法が知られている。そのような技術は、例えばC.W.Kaanta et.al, VMIC Conf. Proc.8, P.144 (1991) に記載がある。
【０００３】
ダマシン法とは、基板の上に絶縁膜を成長し、その絶縁膜に配線溝又は接続孔を形成した後に、その絶縁膜上面と配線溝又は接続孔内に金属膜を形成し、ついで化学機械研磨（ＣＭＰ(chemical mechanical polishing) 法により金属膜を絶縁膜の上面から除去するといった工程を経て配線溝又は接続孔の中に金属配線又はプラグを形成する方法である。
【０００４】
次に、従来のダマシン法を図１に基づいてさらに具体的に説明する。
まず、図１(a) に示すように、下側配線101 の上に膜厚４００nmのシリコン酸化膜102 をＣＶＤ法により成長し、その上に反射防止膜として膜厚５０nmのシリコン窒化膜103 を形成する。その後に、図１(b) に示すように、通常のフォトリソグラフィーとエッチング法により配線溝104a又は接続孔104bを形成する。
【０００５】
続いて、図１(c) に示すように、配線溝104a又は接続孔104bの内面とシリコン酸化膜102 の上面にバリアメタル膜105 を形成する。バリアメタル膜105 として例えば膜厚５０nmの窒化チタン（TiN ）膜又は膜厚５０nmのβ相タンタル膜をスパッタリングにより形成する。さらに、バリアメタル膜105 の上に膜厚８００nmの銅膜106 をスパッタリングにより形成する。そして、４００℃で３分間の真空アニールを行って銅膜106 を配線溝104a又は接続孔104b内に完全に埋め込む。
【０００６】
最後に、図１(d) に示すように、ＣＭＰ法によりシリコン窒化膜103 の上面から銅膜106 とバリアメタル膜105 を除去する。そして、配線溝104a内に残った銅膜105 を配線として使用し、又は、接続孔104b内に残った銅膜106 をプラグとして使用する。その化学機械的研磨の際には、アルミナなどの粉末と金属を溶かす酸などの化学溶剤を含む研磨剤が用いられる。
【０００７】
上記したシリコン窒化膜103 よりなる反射防止膜は、シリコン酸化膜102 上に形成されるレジストを露光する際に露光光の反射を防止してレジストの露光精度を高めるために必要となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
反射防止膜としては、上記したようにシリコン窒化膜を用いるのが一般的である。しかし、シリコン窒化膜は比誘電率が高く、上下の配線によって生じる寄生容量を増加させて信号の遅延時間を増加させるという問題がある。
また、銅はシリコン基板やシリコン酸化膜中で拡散が速いことが知られ、そのことについてはE. R. Weber, Appl. Phys. A30, 1 (1983)に記載がある。このような銅の拡散を防止するために上記したバリアメタル膜105 が用いられる。バリアメタルの必要性については、例えばT. Kouno et.al, J. Electrochem. Soc, 145, 2164 (1998) に記載がある。
【０００９】
バリアメタル膜に要求される主な特性は以下の３つである。
第１に比抵抗が低いことであり、第２に拡散バリア性能に優れていることであり、第３に研磨レートが速いことである。
即ち、比抵抗が高いバリアメタルを用いると配線抵抗が高くなり、配線での信号遅延時間を増加させてしまう。また、バリアメタルの拡散バリア性能が劣っている場合には、銅がシリコン酸化膜中に拡散してしまい、半導体素子性能が劣化してしまう。さらに、研磨レートが遅い場合には、図２に示すように絶縁膜103 上でバリアメタル膜105 が完全には除去されずに残ってしまい、絶縁膜上で配線同士がショートする可能性がある。
【００１０】
バリアメタル膜に用いられる窒化チタン膜(TiN) 、β相タンタル膜（βTa）、α相タンタル膜（αTa）、タンタル含有率の高い窒化タンタル膜（Ta-rich TaN)、窒素含有率の高い窒化タンタル（N-rich TaN）のそれぞれについての比抵抗、拡散バリア性能、ＣＭＰレートは表１のようである。
なお、表１において拡散バリア性能の優劣は、「Ｃｕ配線技術の最新の展開」リアライズ社第１７２頁(1998)に基づいてまとめた値である。
【００１１】
【表１】
【００１２】
表１によれば、TiN は低抵抗であってＣＭＰレートは速いが拡散バリア性能が十分ではない。βTa、αTa、Ta-rich TaN はともに低抵抗であって比較的拡散バリア性能は良いがＣＭＰレートは遅く、酸によって腐食し難い。また、N-rich TaNはＣＭＰレートが速くて拡散バリア性能はよいが比抵抗は高い。
また、研磨速度の遅いバリアメタル膜を絶縁膜上で過剰に研磨すると、バリアメタル膜の研磨速度が銅膜の研磨速度よりも遅い場合には、図３に示すように、配線溝104 又は接続孔104b内の銅膜106 が沈み込むリセスと呼ばれる不具合を生じる。例えばタンタルの研磨速度が銅の研磨速度の１／５であるとすると、５０nmの厚さのタンタル膜を除去するときに２５０nmの銅膜の沈み込みを避けることはできない。
【００１３】
これらのことから、バリアメタル膜として必要な特性である３つの条件を全て備えた単層のバリアメタルの開発は容易でないことがわかる。
また、特開平7-283219号公報には、チタン、窒化チタン、タンタルの３層構造からバリアメタルを構成することが開示されている。しかし、配線溝又は接続孔の中に占めるバリアメタルの膜厚の割合が大きくなると、配線溝又は接続孔内に占める銅膜の割合が相対的に減少して、比抵抗値が高くなってしまう。
【００１４】
本発明の目的は、配線溝又は接続孔内の比抵抗が低く、その中に埋め込まれる銅に対する拡散バリア性能に優れ、配線溝又は接続孔が形成される絶縁膜上での研磨残りを防止することができ、又は、絶縁膜上でのバリアメタルの研磨の際に配線溝又は接続孔内に導電膜のリセスの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
（１）上記した課題は、図５〜図７に例示するように、半導体基板１の上方に絶縁膜８を形成する工程と、前記絶縁膜８に溝９５又は孔を形成する工程と、前記溝９又は前記孔の内面と前記絶縁膜８の上面の上に、第１の元素を含む金属よりなるバリアメタル膜１１を形成する工程と、前記バリアメタル膜１１の上に金属よりなる主導電膜１２を形成する工程と、前記主導電膜１２を研磨することにより前記絶縁膜８の上面上の前記主導電膜１２を除去して前記バリアメタル膜１１を露出させた後に、前記第１の元素との反応により有機錯体を作る有機錯イオンを含む薬液を使用して前記バリアメタル膜１１と前記主導電膜１２を研磨して前記絶縁膜８上面から除去する工程とを有する半導体装置の製造方法によって解決する。
【００１６】
上記した半導体装置の製造方法において、前記主導電膜１２を構成する金属は銅膜、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、タングステン、タングステン合金から構成するのが好ましい。
上記した半導体装置の製造方法において、前記有機錯イオンは、例えばブドウ酸イオン、酒石酸イオン又はフタル酸イオンである。
【００１７】
上記した半導体装置の製造方法において、前記前記薬液中に酸化成分を含まないようにしても良い。
上記した半導体装置の製造方法において、前記主導電膜１２の研磨の開始から前記薬液を使用するようにしても良い。
上記した半導体装置の製造方法において、前記第１の元素は、例えば炭素である。この場合、前記第１の元素は、前記バリアメタル膜１１を構成する金属との化合物を構成しているものであってもよい。
【００１８】
上記した半導体装置の製造方法において、前記バリアメタル膜１１を構成する前記金属として、タンタル又は窒化タンタルを用いてもよい。
次に、本発明の作用について説明する。
本発明によれば、バリアメタル膜中に含まれる元素との反応によって有機錯体を構成する有機錯イオンを含む薬液を使用することにより、バリアメタル膜を化学機械的研磨法により絶縁膜上から除去するようにしている。
【００１９】
従って、主導体膜が研磨されて次に現れるバリアメタル膜は、そのような薬液によってバリアメタル膜内の元素が除去されることによって脆くなるので、絶縁膜上面の上からバリアメタル膜を除去することが容易になる。この結果、絶縁膜の上面の上のバリアメタル膜を研磨する際に、絶縁膜の溝又は孔の中で主導電膜が過剰に研磨されてリセスが発生することが無くなる。
【００２０】
その化学機械的研磨の場合には、無機酸を用いるのではなく、バリアメタルに含まれる成分と有機錯体を生成する錯イオンや、炭素含有溶剤を用いればよい。
なお、上記した図番、符号は、発明の理解を容易にするために引用したものであって、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施形態の説明）
図４〜図７は、本発明の第１の実施形態を示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００２８】
まず、図４(a) に示すような状態になるまでの工程を説明する。
図４(a) において、シリコン基板（半導体基板）１のうちフィールド酸化膜２で囲まれた領域にＭＯＳトランジスタ３を形成する。ＭＯＳトランジスタ３は、シリコン基板１の上にゲート酸化膜３ａを介して形成されたゲート電極３ｂと、ゲート電極３ｂの両側方のシリコン基板１内に形成された第１及び第２の不純物拡散層３ｄ、３ｓを有している。また、ＭＯＳトランジスタ３はSiO2よりなる第１の層間絶縁膜４によって覆われている。
【００２９】
第１の層間絶縁膜４のうち第１の不純物拡散層３ｄの上の領域にはコンタクトホール５が形成され、そのコンタクトホール５内には、窒化チタン(TiN) 膜６を介してタングステン（Ｗ）膜７が充填されている。
次に、SiO2含有絶縁材又はSiO2よりなる第２の層間絶縁膜８を第１の層間絶縁膜４及びタングステン膜７の上に形成した後に、図４(b) に示すように、第２の層間絶縁膜８をフォトリソグラフィー法によりパターニングして幅０．２〜０．３μｍの第１の配線溝９を形成する。その配線溝９の一部はコンタクトホール５の上に位置している。
【００３０】
続いて、図５に示すように、第１の配線溝９の中と第２の層間絶縁膜８の上面に沿って微粒子状に結合している炭酸化タンタル（Ta2(CO3)5)分子１０を含む第１のタンタル（Ta）膜１１をプラズマスパッタ法により２０〜５０nmの厚さに形成する。第１のタンタル膜１１はバリアメタル膜として機能する。
第１のタンタル膜１１は、チャンバ（不図示）内に二酸化炭素ガスを１０sccmで導入し、アルゴン（Ar）ガスを流量５０sccmで導入し、その雰囲気内の圧力を５mTorr に設定した条件下で形成される。そして、二酸化炭素プラズマとターゲットＴから飛び出したタンタルとを反応させて生成された分子１０を第１のタンタル膜１１中に混入させる。スパッタの際に、タンタルから構成されるターゲットＴは、第２の絶縁膜８に対向されるように配置される。
【００３１】
次に、図６(a) に示すように、第１のタンタル膜１１の上に第１の銅（Cu）膜１２をＭＯＣＶＤ法、スパッタ法又はメッキ法により nmの厚さに形成する。第１の銅膜１２は、４００℃で真空アニールを経ることにより、第１の配線溝９内に完全に充填される。
その後に、アルミナなどの粉末と無機酸を含む研磨剤を用いて第１の銅膜１２をＣＭＰ（化学機械的研磨）法により研磨する。
【００３２】
そして、第２の層間絶縁膜８の上の第１の銅膜１２が、図６(b) に示すように除去されて第１のタンタル膜１１が露出した時点で、ブドウ酸を含む研磨剤を用いて第１のタンタル膜１１を化学機械的研磨法により研磨を行う。
第１のタンタル膜１１に含有されている（Ta2(CO3)5)分子１０は、有機錯イオンであるブドウ酸イオンと反応して溶解する。（Ta2(CO3)5)分子１０が溶解した後には第１のタンタル膜１１には図６(b) に示すように微小空洞１０ａが形成されるので第１のタンタル膜１１の上面が機械的に脆くなって第１のタンタル膜１１の研磨による切削速度が増す。
【００３３】
また、研磨剤（薬液）中に酸化剤を含ませないと、銅が酸化によって原子結合構造が破壊され難くなるので、第１の銅膜１２が錯イオンによって溶解する速度を比較的遅くすることが可能になる。この場合、第１の銅膜１２の研磨速度を第１のタンタル膜１１の研磨速度と同等かそれ以下にすることが可能になり、第１の配線溝９内での第１の銅膜１２のリセスの発生が防止される。
【００３４】
なお、第１のタンタル膜１１の研磨は、研磨圧力を３．５ＰＳＩとし、シリコン基板１を搭載するターンテーブルとシリコン基板１を支持するキャリアヘッドの回転速度はいずれも６０ｒｐｍとした。
以上のような研磨と（Ta2(CO3)5)分子１０の溶解のサイクルによって第１のタンタル膜１１を第２の層間絶縁膜８の上から除去した後に研磨を停止し、図７(a) に示すように、第１の配線溝９内に残った第１のタンタル膜１１と第１の銅膜１２を第１の配線１３として使用する。
【００３５】
この後に、図７(b) に示すように、第２の層間絶縁膜８と第１の配線１３の上に第３の層間絶縁膜１４を形成する。そして第３の層間絶縁膜１４に接続孔１５ａと第２の配線溝１５ｂとを形成し、それらの中に第１の配線１３と同様な方法によって第２のタンタル膜１６と第２の銅膜１７を充填し、これによりプラグと第２の配線１７が形成される。
【００３６】
なお、化学機械的研磨にケミカル成分として使用されるブドウ酸の代わりに、酒石酸、フタル酸、その他の有機酸、又は、炭素を含む溶剤を使用してもよい。また、バリアメタル膜としてはタンタルの他に炭素合金分子を含む窒化タンタルを使用してもよい。さらに、配線溝又は接続孔に充填される金属膜としては銅膜の他に銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、タングステン又はタングステン合金を用いても良い。
【００３７】
次に、有機酸を含有しない研磨剤を使用する従来の方法によるタンタル膜と銅膜のそれぞれの従来の研磨速度と、有機酸を含有する研磨剤を使用するタンタル膜と銅膜のそれぞれの本実施形態による研磨速度の違いを図８に示す。図８によれば、従来のタンタル膜の研磨速度に対して銅膜の研磨速度はおよそ６倍であった。しかし、本実施形態のように有機酸を用いて銅膜と炭素合金分子含有のタンタル膜を研磨するとタンタル膜の研磨速度が銅膜の研磨速度よりも速くなった。
【００３８】
また、図８によれば、有機酸を含有しない薬液を使用する方が銅の研磨速度は速いが、薬液の交換の手間を省略するために研磨開始から研磨終了まで有機酸を含む研磨薬液を用いて銅膜とタンタル膜を連続して研磨してもよい。
なお、上記したようにバリアメタル膜に炭素合金分子を含有させても、銅に対するバリア性能が劣化したり、比抵抗が上昇することは無かった。
【００３９】
ところで、上記したバリアメタル膜１１は、プラズマスパッタ法により形成することについて説明したが、ＣＶＤ法により形成しても良い。例えば、ペンタエトキシタンタル（Ta(OC2H5)5）のような炭素を含む有機系材料を用いてタンタル膜１１を形成すると、タンタル膜には炭素が含まれることになる。タンタル膜中の炭素は、研磨薬液に含まれる有機錯イオンと反応して溶解するので、そのタンタル膜は機械的に脆くなって研磨速度が速くなる。
（第２の実施の形態）
図９〜図１１は、本発明の第２の実施形態を示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、図９〜図１１において、図４(a) と同じ符号は同じ要素を示している。
【００４０】
まず、図９(a) に示すような状態になるまでの工程を説明する。
図９(a) において、シリコン基板（半導体基板）１のうちフィールド酸化膜２で囲まれた領域にＭＯＳトランジスタ３を形成する。ＭＯＳトランジスタ３は第１実施形態と同じ構造を有している。
また、ＭＯＳトランジスタ３とフィールド酸化膜２はSiO2よりなる第１の層間絶縁膜４によって覆われている。第１の層間絶縁膜４のうち第１の不純物拡散層３ｂの上にはコンタクトホール５が形成され、その中には、第１の窒化チタン(TiN) 膜６を介してタングステン（Ｗ）膜７が充填されている。
【００４１】
次に、SiO2含有絶縁材又はSiO2よりなる第２の層間絶縁膜８を形成した後に、フォトリソグラフィー法により第２の層間絶縁膜８をパターニングしてコンタクトホール５の上を通る第１の配線溝２０を形成する。そして、第１の配線溝２０の中と第２の層間絶縁膜８の上面に沿って第２の窒化チタン膜２１を形成した後に、第２の窒化チタン膜２１の上に第１の銅（Cu）膜２２を形成する。
【００４２】
第２の窒化チタン膜２１は、第１の銅膜２２を構成する銅元素が第２の層間絶縁膜８内に拡散することを防止するために形成される。
その後に、第１の銅膜２２と第２の窒化チタン膜２１を研磨して第２の層間絶縁膜８の上面から除去し、第１の配線溝２０内に残った第１の銅膜２２及び第２の窒化チタン膜２１を第１の配線２３として使用する。
【００４３】
さらに、第２の層間絶縁膜８と第１の配線２３の上に第１の窒化シリコン（SiN ）膜２４をＣＶＤ法により約５０nmの厚さに形成し、これを銅拡散防止用バリア膜として使用する。続いて、窒化シリコン膜２４の上にシリコン酸化膜（SiO2）よりなる第３の層間絶縁膜２５をＣＶＤ法により４００nmの厚さに成長し、その上に第３の窒化チタン（TiN ）膜２６をスパッタリングにより５０nmの厚さに成長する。
【００４４】
第３の窒化チタン膜２６の成長のためのスパッタリングの条件としては、スパッタ電力を１２ｋＷとし、アルゴンガスと窒素ガスを流量比１対４の割合でチャンバ内に導入し、チャンバ内の雰囲気ガス圧力を３mTorr に設定する。
その後に、フォトレジスト２７を第３の窒化チタン膜２６の上に塗布し、これを露光、現像して窓２７ａを形成する。その窓２７ａは、少なくとも第１の配線２３の一部に重なる位置に形成される。
【００４５】
そして、窓２７ａを通して第３の窒化チタン膜２６と第３の層間絶縁膜２５と第１の窒化シリコン膜２４を順にエッチングすると、それらの膜には深さ約５００nmの接続孔２８が形成される。その後にフォトレジスト２７を除去すると、図９(b) に示すような断面形状が得られる。
次に、図１０(a) に示すように、第３の窒化チタン膜２６の上面と接続孔２８の内面の上に膜厚２０nmの第１のβTa膜（バリアメタル膜）２９と膜厚１００nmの第２の銅（Cu）膜３０をスパッタリングにより順に形成し、さらに第２の銅膜３０の膜厚を電解メッキにより７００nm増やして計８００nmとした。
【００４６】
第１のβTa膜２９の成長のためのスパッタリングの条件として、スパッタ電力を６ｋＷに設定し、チャンバ内にアルゴンガスを導入してその内部圧力を３mTorr に設定した。また、第２の銅膜３０の成長のためのスパッタリングの条件として、スパッタ電力を１２ｋＷに設定し、チャンバ内にアルゴンガスを導入してアルゴンガス圧を３mTorr とした。
【００４７】
なお、スパッタリング装置として真空搬送を行うマルチチャンバシステムを用いた。
その後に、接続孔２８の外部に成長した第２の銅膜３０、βTa膜２９と第３のTiN膜２６を通常のＣＭＰ法によって除去することにより、図１０(b) に示すような銅膜３０を主導電層とするプラグ３１が接続孔２８内に形成される。
【００４８】
次に、図１１(a) に示すように、第３の層間絶縁膜２５とプラグ３１の上に、膜厚５０nmの第２の窒化シリコン膜３２と膜厚４００nmの第４の層間絶縁間膜３３と膜厚５０nmの第４のTiN 膜３４を順に形成した後に、それらの膜３２〜３４をフォトリソグラフィー法によりパターニングして第２の配線溝３５を形成する。その第２の配線溝３５は、その一部がプラグ３１の上を通るような平面形状となっている。
【００４９】
続いて、第２の配線溝３５の内面と第２の窒化シリコン膜３２の上面の上に膜厚２０nmの第２のβTa膜３６と膜厚８００nmの第３の銅膜３７を順に形成する。その後に、ＣＭＰ法により第２の配線溝３５の外部から第３の銅膜３７と第２のβTa膜３６を除去することにより、図１１(b) に示すように、銅膜３７を主導電層とする第２の配線３８が第２の配線溝３５内に形成される。
【００５０】
以上のように、本実施形態では、層間絶縁膜の上に研磨の容易なTiN膜を形成し、それらのTiN膜と層間絶縁膜を連続的にパターニングして配線溝又は接続孔を形成し、その後に、銅拡散耐性に優れ且つ低抵抗のβTaよりなるバリアメタ膜を形成し、バリアメタル膜の上に銅膜を形成するようにした。
これによれば、層間絶縁膜の上にはＣＭＰ法による研磨レートが速く且つ光反射防止機能を有するTiN膜が存在するので、配線溝や接続孔を形成する際のレジスト露光が精度良く行え、しかも、銅膜とバリアメタル膜に続いて行われる研磨によってTiN膜が容易に除去されることになって層間絶縁膜上にβTa、TiN の導電膜が残存することが防止される。しかも、銅拡散耐性に優れ、低抵抗であるβTaよりなる単層のバリアメタル膜が接続孔又は配線溝内に残ることになるので、配線溝又は接続孔内における主導電層の占有率を低下させることはない。
【００５１】
また、反射防止膜としてTiN 膜を使用すると、窒化シリコン膜を使用する場合に比べて研磨の終点検出が容易であり、層間絶縁膜の薄層化が防止される。
なお、上記したβTa（β相タンタル）膜の代わりに、αTa（α相タンタル）膜のような高融点金属膜、又は、タンタル含有率の高い窒化タンタル(Ta-rich Ta)のような高融点金属窒化物膜を用いてもよい。そのタンタル含有量の高い窒化タンタルは、窒素に対するタンタルの組成比が１以上となる窒化タンタルである。
【００５２】
また、層間絶縁膜の上に直に形成される膜として、窒化チタンの他に窒素含有率の高い窒化タンタル（N-rich Ta)のような高融点金属窒化物膜や、研磨速度の高い高融点金属膜がある。窒素含有率の高い窒化タンタルは、窒素に対するタンタルの組成比が１未満となる窒化タンタルである。層間絶縁膜の上に直に形成される高融点金属膜又は高融点金属窒化物は、研磨レートがシリコン酸化膜の２倍以上となる材料が好ましいし、また、比抵抗が１０００μΩｃｍ以下となることが好ましい。
さらに、配線又はプラグの主導電膜となる材料としては、銅の他に銅を含む合金であってもよい。
（第３の実施の形態）
図１２、図１３は、本発明の第３の実施形態を示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、図１２、図１３において、図４(a) と同じ符号は同じ要素を示している。
【００５３】
まず、図１２(a) に示すような状態になるまでの工程を説明する。
図１２(a) において、シリコン基板（半導体基板）１のうちフィールド酸化膜２で囲まれた領域にＭＯＳトランジスタ３を形成する。ＭＯＳトランジスタ３は第１実施形態と同じ構造を有している。
また、ＭＯＳトランジスタ３とフィールド酸化膜２はSiO2よりなる第１の層間絶縁膜４によって覆われている。第１の層間絶縁膜４のうち第１の不純物拡散層３ｂの上にはコンタクトホール５が形成され、その中には、第１の窒化チタン(TiN) 膜６を介してタングステン（Ｗ）膜７が充填されている。
【００５４】
次に、SiO2含有絶縁材又はSiO2よりなる第２の層間絶縁膜８を形成した後に、フォトリソグラフィー法により第２の層間絶縁膜８をパターニングしてコンタクトホール５の上を通る第１の配線溝２０を形成する。そして、第１の配線溝２０の中と第２の層間絶縁膜８の上面に沿って第２の窒化チタン膜２１を形成した後に、第２の窒化チタン膜２１の上に第１の銅（Cu）膜２２を形成する。
【００５５】
その後に、第１の銅膜２２と第２の窒化チタン膜２１を研磨して第２の層間絶縁膜８の上面から除去し、第１の配線溝２０内に残った第１の銅膜２２及び第２の窒化チタン膜２１を第１の配線２３として使用する。
さらに、第２の層間絶縁膜８と第１の配線２３の上に膜厚５０nmの第１の窒化シリコン(SiN）膜４１と膜厚７５０nmの第３の層間絶縁膜４２をＣＶＤ法により順に形成した後に、第３の層間絶縁膜４２の上に膜厚５０nmのN-rich TaN膜４３をスパッタリングにより成長する。
【００５６】
N-rich TaN膜４３の成長のためのスパッタリングの条件としては、スパッタ電力を６ｋＷとし、アルゴンガスと窒素ガスを流量比１対４の割合でチャンバ内に導入し、チャンバ内の雰囲気ガス圧力を３mTorr に設定する。
その後に、図１２(b) に示すように、２つのレジストを使用するフォトリソグラフィー法により、第３の層間絶縁膜４２の下部から第１の窒化シリコン膜４１にかけて深さ１００nmの接続孔４４を形成し、さらにN-rich TaN膜４３から第３の層間絶縁膜４３の上部にかけて第２の配線用溝４５を形成する。
【００５７】
その接続孔４４は第１の配線２３の一部に重なるように形成され、さらに、第２の配線溝４５はその一部が接続孔４４に重なるように形成される。なお、接続孔４４と第２の配線溝４５の形成順は限定されない。
次に、接続孔４４と第２の配線溝４５の内面とN-rich TaN膜４３の上面の上に膜厚２０nmのTa-rich TaN 膜４６と膜厚１００nmの第２の銅膜４７をスパッタリングにより順に形成する。その後に、電解メッキによって第２の銅膜４７の膜厚を１４００nm成長して、合計で１５００nmとなるようにする。
【００５８】
Ta-rich TaN 膜４６の成長のためのスパッタリングの条件として、スパッタ電力を６ｋＷとし、アルゴンガスと窒素ガスを流量比４対１の割合でチャンバ内に導入し、チャンバ内の雰囲気ガス圧力を３mTorr に設定する。また、第２の銅膜４７の成長のためのスパッタリングの条件として、スパッタ電力を１２ｋＷに設定し、チャンバ内にアルゴンガスを導入してアルゴンガス圧を３mTorr とした。
【００５９】
なお、スパッタリング装置として真空搬送を行うマルチチャンバシステムを用いる。
その後に、接続孔４４と第２の配線溝４５の外部に成長した第２の銅膜４７とTa-rich TaN膜４６と第３のTiN膜４３を通常のＣＭＰ法によって除去すると、図１３(b) に示すように、接続孔４４内には銅膜４７を主導電層とするプラグ４８形成され、第２の配線溝４５内には銅膜４７を主導電層とする第２の配線４９が形成される。
【００６０】
以上の方法によれば、ＣＭＰ法による研磨レートが速く且つ光反射防止機能を有するN-rich TaN膜が層間絶縁膜の上に予め形成されるので、配線溝や接続孔を形成する際のレジスト露光が精度良く行え、しかも、銅膜とバリアメタル膜に続いて行われる研磨によってN-rich TaN膜が容易に除去されることになって層間絶縁膜上に TaN膜の導電膜が残存することが防止される。しかも、銅拡散耐性に優れ、低抵抗であるTa-rich TaNよりなる単層のバリアメタル膜が接続孔又は配線溝内に残ることになるので、配線溝又は接続孔内における主導電層の占有率を低下させることはない。
【００６１】
また、反射防止膜としてN-rich TaN膜を使用すると窒化シリコン膜を使用する場合に比べて研磨の終点検出が容易であり、層間絶縁膜の薄層化が防止される。
なお、上記したTa-rich TaN 膜のような高融点金属窒化物膜の代わりに、βTa膜、αTa膜のような高融点金属膜を用いてもよい。
また、層間絶縁膜の上に直に形成される膜として、N-rich TaNの代わりに、窒化チタン膜のような高融点金属窒化物膜や研磨速度の高い高融点金属膜がある。層間絶縁膜の上に直に形成される高融点金属膜又は高融点金属窒化物は、研磨レートがシリコン酸化膜の２倍以上となる材料が好ましいし、また、比抵抗が１０００μΩｃｍ以下となることが好ましい。
【００６２】
さらに、配線又はプラグの主導電膜となる材料としては、銅の他に銅を含む合金であってもよい。
【００６３】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、バリアメタル膜中に含まれる元素との反応によって有機錯体を構成する有機錯イオンを含む薬液を使用することにより、バリアメタ膜を化学機械的研磨法により絶縁膜上から除去するようにした。
従って、主導電膜が研磨されて次に現れるバリアメタル膜は、そのような薬液によってバリアメタル膜内の元素が除去されることによって脆くなるので、絶縁膜上面の上からバリアメタル膜を除去することが容易になる。この結果、絶縁膜の上面の上のバリアメタル膜を研磨する際に、絶縁膜の溝又は孔の中で主導電膜が過剰に研磨されてリセスが発生することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１(a) 〜(d) は、絶縁膜中に配線又はプラグを形成する従来の方法を示す断面図である。
【図２】図２は、従来技術によって形成される配線又はプラグを形成する工程において絶縁膜上にバリアメタルが残る状態を示す断面図である。
【図３】図３は、従来技術によって形成される配線又はプラグを形成する工程において溝又は孔内に残される銅膜にリセスが生じている状態を示す断面図である。
【図４】図４(a),(b) は、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを形成する工程を示す断面図（その１）である。
【図５】図５、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを形成する工程を示す断面図（その２）である。
【図６】図６(a),(b) は、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを形成する工程を示す断面図（その３）である。
【図７】図７(a),(b) は、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを形成する工程を示す断面図（その４）である。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを構成する銅とバリアメタルを構成するタンタルのそれぞれの研磨速度と、従来方法による配線又はプラグを構成する銅とバリアメタルを構成するタンタルのそれぞれの研磨速度とを比較する図である。
【図９】図９(a),(b) は、本発明の第２実施形態の半導体装置の製造工程における配線とプラグを形成する工程を示す断面図（その１）である。
【図１０】図１０(a),(b) 、本発明の第２実施形態の半導体装置の製造工程における配線とプラグを形成する工程を示す断面図（その２）である。
【図１１】図１１(a),(b) 、本発明の第２実施形態の半導体装置の製造工程における配線とプラグを形成する工程を示す断面図（その３）である。
【図１２】図１２(a),(b) は、本発明の第３実施形態の半導体装置の製造工程における配線及びプラグを形成する工程を示す断面図（その１）である。
【図１３】図１３(a),(b) は、本発明の第３実施形態の半導体装置の製造工程における配線及びプラグを形成する工程を示す断面図（その２）である。
【符号の説明】
１…シリコン基板（半導体基板）、２…フィールド酸化膜、３…ＭＯＳトランジスタ、４…第１の層間絶縁膜、５…コンタクトホール、６…第１の窒化チタン(TiN) 膜、７…タングステン膜、８…第２の層間絶縁膜、９…配線溝、１０…（Ta2(CO3)5)分子、１１…バリアメタル膜、１２…銅膜、１３…第１の配線、 １４…第３の層間絶縁膜、１５ａ，１５ｂ…配線溝、１６…タンタル膜、１７…銅膜、２０…配線溝、２１…窒化チタン膜、２２…銅膜、２３…配線、２４…窒化シリコン膜、２５…層間絶縁膜、２６…窒化チタン、２７…レジスト、２８…接続孔、２９…β相タンタル膜、３０…銅膜、３１…プラグ、３２…窒化シリコン膜、３３…層間絶縁膜、３４…窒化チタン膜、３５…配線溝、３６…β相タンタル、３７…銅膜、３８…配線、４１…窒化シリコン膜、４２…層間絶縁膜、４３…窒素リッチ窒化タンタル膜、４４…接続孔、４５…配線溝、４６…タンタルリッチ窒化タンタル膜、４７…銅膜、４８…プラグ、４９…配線。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、下地膜の上にバリアメタル膜を介して低抵抗金属膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体装置の高速化、大容量化の要求に伴い、金属配線部の配線抵抗・配線容量の削減が要求されている。このため、銅や銅合金を主導電層とする金属配線及び接続孔が開発されているが、さらなる改良が必要となっている。
従来の銅や銅合金を主導電層とする金属配線を形成する方法の一つとして、いわゆるダマシン(damascene) 法が知られている。そのような技術は、例えばC.W.Kaanta et.al, VMIC Conf. Proc.8, P.144 (1991) に記載がある。
【０００３】
ダマシン法とは、基板の上に絶縁膜を成長し、その絶縁膜に配線溝又は接続孔を形成した後に、その絶縁膜上面と配線溝又は接続孔内に金属膜を形成し、ついで化学機械研磨（ＣＭＰ(chemical mechanical polishing) 法により金属膜を絶縁膜の上面から除去するといった工程を経て配線溝又は接続孔の中に金属配線又はプラグを形成する方法である。
【０００４】
次に、従来のダマシン法を図１に基づいてさらに具体的に説明する。
まず、図１(a) に示すように、下側配線101 の上に膜厚４００nmのシリコン酸化膜102 をＣＶＤ法により成長し、その上に反射防止膜として膜厚５０nmのシリコン窒化膜103 を形成する。その後に、図１(b) に示すように、通常のフォトリソグラフィーとエッチング法により配線溝104a又は接続孔104bを形成する。
【０００５】
続いて、図１(c) に示すように、配線溝104a又は接続孔104bの内面とシリコン酸化膜102 の上面にバリアメタル膜105 を形成する。バリアメタル膜105 として例えば膜厚５０nmの窒化チタン（TiN ）膜又は膜厚５０nmのβ相タンタル膜をスパッタリングにより形成する。さらに、バリアメタル膜105 の上に膜厚８００nmの銅膜106 をスパッタリングにより形成する。そして、４００℃で３分間の真空アニールを行って銅膜106 を配線溝104a又は接続孔104b内に完全に埋め込む。
【０００６】
最後に、図１(d) に示すように、ＣＭＰ法によりシリコン窒化膜103 の上面から銅膜106 とバリアメタル膜105 を除去する。そして、配線溝104a内に残った銅膜105 を配線として使用し、又は、接続孔104b内に残った銅膜106 をプラグとして使用する。その化学機械的研磨の際には、アルミナなどの粉末と金属を溶かす酸などの化学溶剤を含む研磨剤が用いられる。
【０００７】
上記したシリコン窒化膜103 よりなる反射防止膜は、シリコン酸化膜102 上に形成されるレジストを露光する際に露光光の反射を防止してレジストの露光精度を高めるために必要となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
反射防止膜としては、上記したようにシリコン窒化膜を用いるのが一般的である。しかし、シリコン窒化膜は比誘電率が高く、上下の配線によって生じる寄生容量を増加させて信号の遅延時間を増加させるという問題がある。
また、銅はシリコン基板やシリコン酸化膜中で拡散が速いことが知られ、そのことについてはE. R. Weber, Appl. Phys. A30, 1 (1983)に記載がある。このような銅の拡散を防止するために上記したバリアメタル膜105 が用いられる。バリアメタルの必要性については、例えばT. Kouno et.al, J. Electrochem. Soc, 145, 2164 (1998) に記載がある。
【０００９】
バリアメタル膜に要求される主な特性は以下の３つである。
第１に比抵抗が低いことであり、第２に拡散バリア性能に優れていることであり、第３に研磨レートが速いことである。
即ち、比抵抗が高いバリアメタルを用いると配線抵抗が高くなり、配線での信号遅延時間を増加させてしまう。また、バリアメタルの拡散バリア性能が劣っている場合には、銅がシリコン酸化膜中に拡散してしまい、半導体素子性能が劣化してしまう。さらに、研磨レートが遅い場合には、図２に示すように絶縁膜103 上でバリアメタル膜105 が完全には除去されずに残ってしまい、絶縁膜上で配線同士がショートする可能性がある。
【００１０】
バリアメタル膜に用いられる窒化チタン膜(TiN) 、β相タンタル膜（βTa）、α相タンタル膜（αTa）、タンタル含有率の高い窒化タンタル膜（Ta-rich TaN)、窒素含有率の高い窒化タンタル（N-rich TaN）のそれぞれについての比抵抗、拡散バリア性能、ＣＭＰレートは表１のようである。
なお、表１において拡散バリア性能の優劣は、「Ｃｕ配線技術の最新の展開」リアライズ社第１７２頁(1998)に基づいてまとめた値である。
【００１１】
【表１】
表１によれば、TiN は低抵抗であってＣＭＰレートは速いが拡散バリア性能が十分ではない。βTa、αTa、Ta-rich TaN はともに低抵抗であって比較的拡散バリア性能は良いがＣＭＰレートは遅く、酸によって腐食し難い。また、N-rich TaNはＣＭＰレートが速くて拡散バリア性能はよいが比抵抗は高い。
また、研磨速度の遅いバリアメタル膜を絶縁膜上で過剰に研磨すると、バリアメタル膜の研磨速度が銅膜の研磨速度よりも遅い場合には、図３に示すように、配線溝104 又は接続孔104b内の銅膜106 が沈み込むリセスと呼ばれる不具合を生じる。例えばタンタルの研磨速度が銅の研磨速度の１／５であるとすると、５０nmの厚さのタンタル膜を除去するときに２５０nmの銅膜の沈み込みを避けることはできない。
【００１３】
これらのことから、バリアメタル膜として必要な特性である３つの条件を全て備えた単層のバリアメタルの開発は容易でないことがわかる。
また、特開平7-283219号公報には、チタン、窒化チタン、タンタルの３層構造からバリアメタルを構成することが開示されている。しかし、配線溝又は接続孔の中に占めるバリアメタルの膜厚の割合が大きくなると、配線溝又は接続孔内に占める銅膜の割合が相対的に減少して、比抵抗値が高くなってしまう。
【００１４】
本発明の目的は、配線溝又は接続孔内の比抵抗が低く、その中に埋め込まれる銅に対する拡散バリア性能に優れ、配線溝又は接続孔が形成される絶縁膜上での研磨残りを防止することができ、又は、絶縁膜上でのバリアメタルの研磨の際に配線溝又は接続孔内に導電膜のリセスの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
（１）上記した課題は、図５〜図７に例示するように、半導体基板１の上方に絶縁膜８を形成する工程と、前記絶縁膜８に溝９５又は孔を形成する工程と、前記溝９又は前記孔の内面と前記絶縁膜８の上面の上に、第１の元素を含む金属よりなるバリアメタル膜１１を形成する工程と、前記バリアメタル膜１１の上に金属よりなる主導電膜１２を形成する工程と、前記主導電膜１２を研磨することにより前記絶縁膜８の上面上の前記主導電膜１２を除去して前記バリアメタル膜１１を露出させた後に、前記第１の元素との反応により有機錯体を作る有機錯イオンを含む薬液を使用して前記バリアメタル膜１１と前記主導電膜１２を研磨して前記絶縁膜８上面から除去する工程とを有する半導体装置の製造方法によって解決する。
【００１６】
上記した半導体装置の製造方法において、前記主導電膜１２を構成する金属は銅膜、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、タングステン、タングステン合金から構成するのが好ましい。
上記した半導体装置の製造方法において、前記有機錯イオンは、例えばブドウ酸イオン、酒石酸イオン又はフタル酸イオンである。
【００１７】
上記した半導体装置の製造方法において、前記前記薬液中に酸化成分を含まないようにしても良い。
上記した半導体装置の製造方法において、前記主導電膜１２の研磨の開始から前記薬液を使用するようにしても良い。
上記した半導体装置の製造方法において、前記第１の元素は、例えば炭素である。この場合、前記第１の元素は、前記バリアメタル膜１１を構成する金属との化合物を構成しているものであってもよい。
【００１８】
上記した半導体装置の製造方法において、前記バリアメタル膜１１を構成する前記金属として、タンタル又は窒化タンタルを用いてもよい。
次に、本発明の作用について説明する。
本発明によれば、バリアメタル膜中に含まれる元素との反応によって有機錯体を構成する有機錯イオンを含む薬液を使用することにより、バリアメタル膜を化学機械的研磨法により絶縁膜上から除去するようにしている。
【００１９】
従って、主導体膜が研磨されて次に現れるバリアメタル膜は、そのような薬液によってバリアメタル膜内の元素が除去されることによって脆くなるので、絶縁膜上面の上からバリアメタル膜を除去することが容易になる。この結果、絶縁膜の上面の上のバリアメタル膜を研磨する際に、絶縁膜の溝又は孔の中で主導電膜が過剰に研磨されてリセスが発生することが無くなる。
【００２０】
その化学機械的研磨の場合には、無機酸を用いるのではなく、バリアメタルに含まれる成分と有機錯体を生成する錯イオンや、炭素含有溶剤を用いればよい。
なお、上記した図番、符号は、発明の理解を容易にするために引用したものであって、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施形態の説明）
図４〜図７は、本発明の第１の実施形態を示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００２８】
まず、図４(a) に示すような状態になるまでの工程を説明する。
図４(a) において、シリコン基板（半導体基板）１のうちフィールド酸化膜２で囲まれた領域にＭＯＳトランジスタ３を形成する。ＭＯＳトランジスタ３は、シリコン基板１の上にゲート酸化膜３ａを介して形成されたゲート電極３ｂと、ゲート電極３ｂの両側方のシリコン基板１内に形成された第１及び第２の不純物拡散層３ｄ、３ｓを有している。また、ＭＯＳトランジスタ３はSiO2よりなる第１の層間絶縁膜４によって覆われている。
【００２９】
第１の層間絶縁膜４のうち第１の不純物拡散層３ｄの上の領域にはコンタクトホール５が形成され、そのコンタクトホール５内には、窒化チタン(TiN) 膜６を介してタングステン（Ｗ）膜７が充填されている。
次に、SiO2含有絶縁材又はSiO2よりなる第２の層間絶縁膜８を第１の層間絶縁膜４及びタングステン膜７の上に形成した後に、図４(b) に示すように、第２の層間絶縁膜８をフォトリソグラフィー法によりパターニングして幅０．２〜０．３μｍの第１の配線溝９を形成する。その配線溝９の一部はコンタクトホール５の上に位置している。
【００３０】
続いて、図５に示すように、第１の配線溝９の中と第２の層間絶縁膜８の上面に沿って微粒子状に結合している炭酸化タンタル（Ta2(CO3)5)分子１０を含む第１のタンタル（Ta）膜１１をプラズマスパッタ法により２０〜５０nmの厚さに形成する。第１のタンタル膜１１はバリアメタル膜として機能する。
第１のタンタル膜１１は、チャンバ（不図示）内に二酸化炭素ガスを１０sccmで導入し、アルゴン（Ar）ガスを流量５０sccmで導入し、その雰囲気内の圧力を５mTorr に設定した条件下で形成される。そして、二酸化炭素プラズマとターゲットＴから飛び出したタンタルとを反応させて生成された分子１０を第１のタンタル膜１１中に混入させる。スパッタの際に、タンタルから構成されるターゲットＴは、第２の絶縁膜８に対向されるように配置される。
【００３１】
次に、図６(a) に示すように、第１のタンタル膜１１の上に第１の銅（Cu）膜１２をＭＯＣＶＤ法、スパッタ法又はメッキ法により nmの厚さに形成する。第１の銅膜１２は、４００℃で真空アニールを経ることにより、第１の配線溝９内に完全に充填される。
その後に、アルミナなどの粉末と無機酸を含む研磨剤を用いて第１の銅膜１２をＣＭＰ（化学機械的研磨）法により研磨する。
【００３２】
そして、第２の層間絶縁膜８の上の第１の銅膜１２が、図６(b) に示すように除去されて第１のタンタル膜１１が露出した時点で、ブドウ酸を含む研磨剤を用いて第１のタンタル膜１１を化学機械的研磨法により研磨を行う。
第１のタンタル膜１１に含有されている（Ta2(CO3)5)分子１０は、有機錯イオンであるブドウ酸イオンと反応して溶解する。（Ta2(CO3)5)分子１０が溶解した後には第１のタンタル膜１１には図６(b) に示すように微小空洞１０ａが形成されるので第１のタンタル膜１１の上面が機械的に脆くなって第１のタンタル膜１１の研磨による切削速度が増す。
【００３３】
また、研磨剤（薬液）中に酸化剤を含ませないと、銅が酸化によって原子結合構造が破壊され難くなるので、第１の銅膜１２が錯イオンによって溶解する速度を比較的遅くすることが可能になる。この場合、第１の銅膜１２の研磨速度を第１のタンタル膜１１の研磨速度と同等かそれ以下にすることが可能になり、第１の配線溝９内での第１の銅膜１２のリセスの発生が防止される。
【００３４】
なお、第１のタンタル膜１１の研磨は、研磨圧力を３．５ＰＳＩとし、シリコン基板１を搭載するターンテーブルとシリコン基板１を支持するキャリアヘッドの回転速度はいずれも６０ｒｐｍとした。
以上のような研磨と（Ta2(CO3)5)分子１０の溶解のサイクルによって第１のタンタル膜１１を第２の層間絶縁膜８の上から除去した後に研磨を停止し、図７(a) に示すように、第１の配線溝９内に残った第１のタンタル膜１１と第１の銅膜１２を第１の配線１３として使用する。
【００３５】
この後に、図７(b) に示すように、第２の層間絶縁膜８と第１の配線１３の上に第３の層間絶縁膜１４を形成する。そして第３の層間絶縁膜１４に接続孔１５ａと第２の配線溝１５ｂとを形成し、それらの中に第１の配線１３と同様な方法によって第２のタンタル膜１６と第２の銅膜１７を充填し、これによりプラグと第２の配線１７が形成される。
【００３６】
なお、化学機械的研磨にケミカル成分として使用されるブドウ酸の代わりに、酒石酸、フタル酸、その他の有機酸、又は、炭素を含む溶剤を使用してもよい。また、バリアメタル膜としてはタンタルの他に炭素合金分子を含む窒化タンタルを使用してもよい。さらに、配線溝又は接続孔に充填される金属膜としては銅膜の他に銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、タングステン又はタングステン合金を用いても良い。
【００３７】
次に、有機酸を含有しない研磨剤を使用する従来の方法によるタンタル膜と銅膜のそれぞれの従来の研磨速度と、有機酸を含有する研磨剤を使用するタンタル膜と銅膜のそれぞれの本実施形態による研磨速度の違いを図８に示す。図８によれば、従来のタンタル膜の研磨速度に対して銅膜の研磨速度はおよそ６倍であった。しかし、本実施形態のように有機酸を用いて銅膜と炭素合金分子含有のタンタル膜を研磨するとタンタル膜の研磨速度が銅膜の研磨速度よりも速くなった。
【００３８】
また、図８によれば、有機酸を含有しない薬液を使用する方が銅の研磨速度は速いが、薬液の交換の手間を省略するために研磨開始から研磨終了まで有機酸を含む研磨薬液を用いて銅膜とタンタル膜を連続して研磨してもよい。
なお、上記したようにバリアメタル膜に炭素合金分子を含有させても、銅に対するバリア性能が劣化したり、比抵抗が上昇することは無かった。
【００３９】
ところで、上記したバリアメタル膜１１は、プラズマスパッタ法により形成することについて説明したが、ＣＶＤ法により形成しても良い。例えば、ペンタエトキシタンタル（Ta(OC2H5)5）のような炭素を含む有機系材料を用いてタンタル膜１１を形成すると、タンタル膜には炭素が含まれることになる。タンタル膜中の炭素は、研磨薬液に含まれる有機錯イオンと反応して溶解するので、そのタンタル膜は機械的に脆くなって研磨速度が速くなる。
（第２の実施の形態）
図９〜図１１は、本発明の第２の実施形態を示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、図９〜図１１において、図４(a) と同じ符号は同じ要素を示している。
【００４０】
まず、図９(a) に示すような状態になるまでの工程を説明する。
図９(a) において、シリコン基板（半導体基板）１のうちフィールド酸化膜２で囲まれた領域にＭＯＳトランジスタ３を形成する。ＭＯＳトランジスタ３は第１実施形態と同じ構造を有している。
また、ＭＯＳトランジスタ３とフィールド酸化膜２はSiO2よりなる第１の層間絶縁膜４によって覆われている。第１の層間絶縁膜４のうち第１の不純物拡散層３ｂの上にはコンタクトホール５が形成され、その中には、第１の窒化チタン(TiN) 膜６を介してタングステン（Ｗ）膜７が充填されている。
【００４１】
次に、SiO2含有絶縁材又はSiO2よりなる第２の層間絶縁膜８を形成した後に、フォトリソグラフィー法により第２の層間絶縁膜８をパターニングしてコンタクトホール５の上を通る第１の配線溝２０を形成する。そして、第１の配線溝２０の中と第２の層間絶縁膜８の上面に沿って第２の窒化チタン膜２１を形成した後に、第２の窒化チタン膜２１の上に第１の銅（Cu）膜２２を形成する。
【００４２】
第２の窒化チタン膜２１は、第１の銅膜２２を構成する銅元素が第２の層間絶縁膜８内に拡散することを防止するために形成される。
その後に、第１の銅膜２２と第２の窒化チタン膜２１を研磨して第２の層間絶縁膜８の上面から除去し、第１の配線溝２０内に残った第１の銅膜２２及び第２の窒化チタン膜２１を第１の配線２３として使用する。
【００４３】
さらに、第２の層間絶縁膜８と第１の配線２３の上に第１の窒化シリコン（SiN ）膜２４をＣＶＤ法により約５０nmの厚さに形成し、これを銅拡散防止用バリア膜として使用する。続いて、窒化シリコン膜２４の上にシリコン酸化膜（SiO2）よりなる第３の層間絶縁膜２５をＣＶＤ法により４００nmの厚さに成長し、その上に第３の窒化チタン（TiN ）膜２６をスパッタリングにより５０nmの厚さに成長する。
【００４４】
第３の窒化チタン膜２６の成長のためのスパッタリングの条件としては、スパッタ電力を１２ｋＷとし、アルゴンガスと窒素ガスを流量比１対４の割合でチャンバ内に導入し、チャンバ内の雰囲気ガス圧力を３mTorr に設定する。
その後に、フォトレジスト２７を第３の窒化チタン膜２６の上に塗布し、これを露光、現像して窓２７ａを形成する。その窓２７ａは、少なくとも第１の配線２３の一部に重なる位置に形成される。
【００４５】
そして、窓２７ａを通して第３の窒化チタン膜２６と第３の層間絶縁膜２５と第１の窒化シリコン膜２４を順にエッチングすると、それらの膜には深さ約５００nmの接続孔２８が形成される。その後にフォトレジスト２７を除去すると、図９(b) に示すような断面形状が得られる。
次に、図１０(a) に示すように、第３の窒化チタン膜２６の上面と接続孔２８の内面の上に膜厚２０nmの第１のβTa膜（バリアメタル膜）２９と膜厚１００nmの第２の銅（Cu）膜３０をスパッタリングにより順に形成し、さらに第２の銅膜３０の膜厚を電解メッキにより７００nm増やして計８００nmとした。
【００４６】
第１のβTa膜２９の成長のためのスパッタリングの条件として、スパッタ電力を６ｋＷに設定し、チャンバ内にアルゴンガスを導入してその内部圧力を３mTorr に設定した。また、第２の銅膜３０の成長のためのスパッタリングの条件として、スパッタ電力を１２ｋＷに設定し、チャンバ内にアルゴンガスを導入してアルゴンガス圧を３mTorr とした。
【００４７】
なお、スパッタリング装置として真空搬送を行うマルチチャンバシステムを用いた。
その後に、接続孔２８の外部に成長した第２の銅膜３０、βTa膜２９と第３のTiN膜２６を通常のＣＭＰ法によって除去することにより、図１０(b) に示すような銅膜３０を主導電層とするプラグ３１が接続孔２８内に形成される。
【００４８】
次に、図１１(a) に示すように、第３の層間絶縁膜２５とプラグ３１の上に、膜厚５０nmの第２の窒化シリコン膜３２と膜厚４００nmの第４の層間絶縁間膜３３と膜厚５０nmの第４のTiN 膜３４を順に形成した後に、それらの膜３２〜３４をフォトリソグラフィー法によりパターニングして第２の配線溝３５を形成する。その第２の配線溝３５は、その一部がプラグ３１の上を通るような平面形状となっている。
【００４９】
続いて、第２の配線溝３５の内面と第２の窒化シリコン膜３２の上面の上に膜厚２０nmの第２のβTa膜３６と膜厚８００nmの第３の銅膜３７を順に形成する。その後に、ＣＭＰ法により第２の配線溝３５の外部から第３の銅膜３７と第２のβTa膜３６を除去することにより、図１１(b) に示すように、銅膜３７を主導電層とする第２の配線３８が第２の配線溝３５内に形成される。
【００５０】
以上のように、本実施形態では、層間絶縁膜の上に研磨の容易なTiN膜を形成し、それらのTiN膜と層間絶縁膜を連続的にパターニングして配線溝又は接続孔を形成し、その後に、銅拡散耐性に優れ且つ低抵抗のβTaよりなるバリアメタ膜を形成し、バリアメタル膜の上に銅膜を形成するようにした。
これによれば、層間絶縁膜の上にはＣＭＰ法による研磨レートが速く且つ光反射防止機能を有するTiN膜が存在するので、配線溝や接続孔を形成する際のレジスト露光が精度良く行え、しかも、銅膜とバリアメタル膜に続いて行われる研磨によってTiN膜が容易に除去されることになって層間絶縁膜上にβTa、TiN の導電膜が残存することが防止される。しかも、銅拡散耐性に優れ、低抵抗であるβTaよりなる単層のバリアメタル膜が接続孔又は配線溝内に残ることになるので、配線溝又は接続孔内における主導電層の占有率を低下させることはない。
【００５１】
また、反射防止膜としてTiN 膜を使用すると、窒化シリコン膜を使用する場合に比べて研磨の終点検出が容易であり、層間絶縁膜の薄層化が防止される。
なお、上記したβTa（β相タンタル）膜の代わりに、αTa（α相タンタル）膜のような高融点金属膜、又は、タンタル含有率の高い窒化タンタル(Ta-rich Ta)のような高融点金属窒化物膜を用いてもよい。そのタンタル含有量の高い窒化タンタルは、窒素に対するタンタルの組成比が１以上となる窒化タンタルである。
【００５２】
また、層間絶縁膜の上に直に形成される膜として、窒化チタンの他に窒素含有率の高い窒化タンタル（N-rich Ta)のような高融点金属窒化物膜や、研磨速度の高い高融点金属膜がある。窒素含有率の高い窒化タンタルは、窒素に対するタンタルの組成比が１未満となる窒化タンタルである。層間絶縁膜の上に直に形成される高融点金属膜又は高融点金属窒化物は、研磨レートがシリコン酸化膜の２倍以上となる材料が好ましいし、また、比抵抗が１０００μΩｃｍ以下となることが好ましい。
さらに、配線又はプラグの主導電膜となる材料としては、銅の他に銅を含む合金であってもよい。
（第３の実施の形態）
図１２、図１３は、本発明の第３の実施形態を示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、図１２、図１３において、図４(a) と同じ符号は同じ要素を示している。
【００５３】
まず、図１２(a) に示すような状態になるまでの工程を説明する。
図１２(a) において、シリコン基板（半導体基板）１のうちフィールド酸化膜２で囲まれた領域にＭＯＳトランジスタ３を形成する。ＭＯＳトランジスタ３は第１実施形態と同じ構造を有している。
また、ＭＯＳトランジスタ３とフィールド酸化膜２はSiO2よりなる第１の層間絶縁膜４によって覆われている。第１の層間絶縁膜４のうち第１の不純物拡散層３ｂの上にはコンタクトホール５が形成され、その中には、第１の窒化チタン(TiN) 膜６を介してタングステン（Ｗ）膜７が充填されている。
【００５４】
次に、SiO2含有絶縁材又はSiO2よりなる第２の層間絶縁膜８を形成した後に、フォトリソグラフィー法により第２の層間絶縁膜８をパターニングしてコンタクトホール５の上を通る第１の配線溝２０を形成する。そして、第１の配線溝２０の中と第２の層間絶縁膜８の上面に沿って第２の窒化チタン膜２１を形成した後に、第２の窒化チタン膜２１の上に第１の銅（Cu）膜２２を形成する。
【００５５】
その後に、第１の銅膜２２と第２の窒化チタン膜２１を研磨して第２の層間絶縁膜８の上面から除去し、第１の配線溝２０内に残った第１の銅膜２２及び第２の窒化チタン膜２１を第１の配線２３として使用する。
さらに、第２の層間絶縁膜８と第１の配線２３の上に膜厚５０nmの第１の窒化シリコン(SiN）膜４１と膜厚７５０nmの第３の層間絶縁膜４２をＣＶＤ法により順に形成した後に、第３の層間絶縁膜４２の上に膜厚５０nmのN-rich TaN膜４３をスパッタリングにより成長する。
【００５６】
N-rich TaN膜４３の成長のためのスパッタリングの条件としては、スパッタ電力を６ｋＷとし、アルゴンガスと窒素ガスを流量比１対４の割合でチャンバ内に導入し、チャンバ内の雰囲気ガス圧力を３mTorr に設定する。
その後に、図１２(b) に示すように、２つのレジストを使用するフォトリソグラフィー法により、第３の層間絶縁膜４２の下部から第１の窒化シリコン膜４１にかけて深さ１００nmの接続孔４４を形成し、さらにN-rich TaN膜４３から第３の層間絶縁膜４３の上部にかけて第２の配線用溝４５を形成する。
【００５７】
その接続孔４４は第１の配線２３の一部に重なるように形成され、さらに、第２の配線溝４５はその一部が接続孔４４に重なるように形成される。なお、接続孔４４と第２の配線溝４５の形成順は限定されない。
次に、接続孔４４と第２の配線溝４５の内面とN-rich TaN膜４３の上面の上に膜厚２０nmのTa-rich TaN 膜４６と膜厚１００nmの第２の銅膜４７をスパッタリングにより順に形成する。その後に、電解メッキによって第２の銅膜４７の膜厚を１４００nm成長して、合計で１５００nmとなるようにする。
【００５８】
Ta-rich TaN 膜４６の成長のためのスパッタリングの条件として、スパッタ電力を６ｋＷとし、アルゴンガスと窒素ガスを流量比４対１の割合でチャンバ内に導入し、チャンバ内の雰囲気ガス圧力を３mTorr に設定する。また、第２の銅膜４７の成長のためのスパッタリングの条件として、スパッタ電力を１２ｋＷに設定し、チャンバ内にアルゴンガスを導入してアルゴンガス圧を３mTorr とした。
【００５９】
なお、スパッタリング装置として真空搬送を行うマルチチャンバシステムを用いる。
その後に、接続孔４４と第２の配線溝４５の外部に成長した第２の銅膜４７とTa-rich TaN膜４６と第３のTiN膜４３を通常のＣＭＰ法によって除去すると、図１３(b) に示すように、接続孔４４内には銅膜４７を主導電層とするプラグ４８形成され、第２の配線溝４５内には銅膜４７を主導電層とする第２の配線４９が形成される。
【００６０】
以上の方法によれば、ＣＭＰ法による研磨レートが速く且つ光反射防止機能を有するN-rich TaN膜が層間絶縁膜の上に予め形成されるので、配線溝や接続孔を形成する際のレジスト露光が精度良く行え、しかも、銅膜とバリアメタル膜に続いて行われる研磨によってN-rich TaN膜が容易に除去されることになって層間絶縁膜上に TaN膜の導電膜が残存することが防止される。しかも、銅拡散耐性に優れ、低抵抗であるTa-rich TaNよりなる単層のバリアメタル膜が接続孔又は配線溝内に残ることになるので、配線溝又は接続孔内における主導電層の占有率を低下させることはない。
【００６１】
また、反射防止膜としてN-rich TaN膜を使用すると窒化シリコン膜を使用する場合に比べて研磨の終点検出が容易であり、層間絶縁膜の薄層化が防止される。
なお、上記したTa-rich TaN 膜のような高融点金属窒化物膜の代わりに、βTa膜、αTa膜のような高融点金属膜を用いてもよい。
また、層間絶縁膜の上に直に形成される膜として、N-rich TaNの代わりに、窒化チタン膜のような高融点金属窒化物膜や研磨速度の高い高融点金属膜がある。層間絶縁膜の上に直に形成される高融点金属膜又は高融点金属窒化物は、研磨レートがシリコン酸化膜の２倍以上となる材料が好ましいし、また、比抵抗が１０００μΩｃｍ以下となることが好ましい。
【００６２】
さらに、配線又はプラグの主導電膜となる材料としては、銅の他に銅を含む合金であってもよい。
【００６３】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、バリアメタル膜中に含まれる元素との反応によって有機錯体を構成する有機錯イオンを含む薬液を使用することにより、バリアメタ膜を化学機械的研磨法により絶縁膜上から除去するようにした。
従って、主導電膜が研磨されて次に現れるバリアメタル膜は、そのような薬液によってバリアメタル膜内の元素が除去されることによって脆くなるので、絶縁膜上面の上からバリアメタル膜を除去することが容易になる。この結果、絶縁膜の上面の上のバリアメタル膜を研磨する際に、絶縁膜の溝又は孔の中で主導電膜が過剰に研磨されてリセスが発生することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１(a) 〜(d) は、絶縁膜中に配線又はプラグを形成する従来の方法を示す断面図である。
【図２】図２は、従来技術によって形成される配線又はプラグを形成する工程において絶縁膜上にバリアメタルが残る状態を示す断面図である。
【図３】図３は、従来技術によって形成される配線又はプラグを形成する工程において溝又は孔内に残される銅膜にリセスが生じている状態を示す断面図である。
【図４】図４(a),(b) は、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを形成する工程を示す断面図（その１）である。
【図５】図５、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを形成する工程を示す断面図（その２）である。
【図６】図６(a),(b) は、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを形成する工程を示す断面図（その３）である。
【図７】図７(a),(b) は、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを形成する工程を示す断面図（その４）である。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態の半導体装置の製造工程における配線又はプラグを構成する銅とバリアメタルを構成するタンタルのそれぞれの研磨速度と、従来方法による配線又はプラグを構成する銅とバリアメタルを構成するタンタルのそれぞれの研磨速度とを比較する図である。
【図９】図９(a),(b) は、本発明の第２実施形態の半導体装置の製造工程における配線とプラグを形成する工程を示す断面図（その１）である。
【図１０】図１０(a),(b) 、本発明の第２実施形態の半導体装置の製造工程における配線とプラグを形成する工程を示す断面図（その２）である。
【図１１】図１１(a),(b) 、本発明の第２実施形態の半導体装置の製造工程における配線とプラグを形成する工程を示す断面図（その３）である。
【図１２】図１２(a),(b) は、本発明の第３実施形態の半導体装置の製造工程における配線及びプラグを形成する工程を示す断面図（その１）である。
【図１３】図１３(a),(b) は、本発明の第３実施形態の半導体装置の製造工程における配線及びプラグを形成する工程を示す断面図（その２）である。
【符号の説明】
１…シリコン基板（半導体基板）、２…フィールド酸化膜、３…ＭＯＳトランジスタ、４…第１の層間絶縁膜、５…コンタクトホール、６…第１の窒化チタン(TiN) 膜、７…タングステン膜、８…第２の層間絶縁膜、９…配線溝、１０…（Ta2(CO3)5)分子、１１…バリアメタル膜、１２…銅膜、１３…第１の配線、 １４…第３の層間絶縁膜、１５ａ，１５ｂ…配線溝、１６…タンタル膜、１７…銅膜、２０…配線溝、２１…窒化チタン膜、２２…銅膜、２３…配線、２４…窒化シリコン膜、２５…層間絶縁膜、２６…窒化チタン、２７…レジスト、２８…接続孔、２９…β相タンタル膜、３０…銅膜、３１…プラグ、３２…窒化シリコン膜、３３…層間絶縁膜、３４…窒化チタン膜、３５…配線溝、３６…β相タンタル、３７…銅膜、３８…配線、４１…窒化シリコン膜、４２…層間絶縁膜、４３…窒素リッチ窒化タンタル膜、４４…接続孔、４５…配線溝、４６…タンタルリッチ窒化タンタル膜、４７…銅膜、４８…プラグ、４９…配線。
Claims (3)
- 半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に溝又は孔を形成する工程と、
前記溝又は前記孔の内面と前記絶縁膜の上面の上に、炭素を含む金属からなるバリアメタル膜を形成する工程と、
前記バリアメタル膜の上に金属よりなる主導電膜を形成する工程と、
前記主導電膜を研磨することにより前記絶縁膜の上面上の前記主導電膜を除去して前記バリアメタル膜を露出させた後に、前記炭素との反応により有機錯体を作るブドウ酸イオン、酒石酸イオン又はフタル酸イオンを含む薬液を使用して前記バリアメタル膜と前記主導電膜を研磨して前記絶縁膜上面から除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記主導電膜を構成する金属は、銅膜、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、タングステン又はタングステン合金からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バリアメタル膜を構成する前記金属は、タンタル又は窒化タンタルであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09543399A JP3696750B2 (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09543399A JP3696750B2 (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005142539A Division JP4302663B2 (ja) | 2005-05-16 | 2005-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294630A JP2000294630A (ja) | 2000-10-20 |
| JP3696750B2 true JP3696750B2 (ja) | 2005-09-21 |
Family
ID=14137572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09543399A Expired - Lifetime JP3696750B2 (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3696750B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3442065B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2003-09-02 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| TW518680B (en) | 2001-06-13 | 2003-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP5016286B2 (ja) | 2006-10-12 | 2012-09-05 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2012114233A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-04-01 JP JP09543399A patent/JP3696750B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000294630A (ja) | 2000-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6958547B2 (en) | Interconnect structures containing conductive electrolessly deposited etch stop layers, liner layers, and via plugs | |
| US6218302B1 (en) | Method for forming a semiconductor device | |
| US7215024B2 (en) | Barrier-less integration with copper alloy | |
| US6656841B1 (en) | Method of forming multi layer conductive line in semiconductor device | |
| CN1316590C (zh) | 用于在具有帽盖层的半导体互连结构上沉积金属层的方法 | |
| US8349730B2 (en) | Transitional interface between metal and dielectric in interconnect structures | |
| US20070007657A1 (en) | Methods for forming conductive vias in a substrate and electronic devices and systems including an at least partially reversed oxidation injury at an interface between a conductive via and a conductive interconnect structure | |
| US20140231999A1 (en) | Schemes for Forming Barrier Layers for Copper in Interconnect Structures | |
| US20030194859A1 (en) | Method of fabricating contact plug | |
| JP2007059660A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP2004214654A (ja) | 二重キャッピング膜を有する半導体素子の配線及びその形成方法 | |
| US7666782B2 (en) | Wire structure and forming method of the same | |
| JP4482313B2 (ja) | 半導体素子の銅配線形成方法 | |
| JP3911643B2 (ja) | 埋め込み導電層の形成方法 | |
| JP3696750B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20010018273A1 (en) | Method of fabricating copper interconnecting line | |
| JP2002217288A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20030232498A1 (en) | Method for forming wiring structure | |
| JP4302663B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10256372A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5930670A (en) | Method of forming a tungsten plug of a semiconductor device | |
| KR20030050062A (ko) | 반도체 소자의 구리 배선 형성방법 | |
| JPH09232313A (ja) | 埋め込み導電層の形成方法 | |
| JPH10116906A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1154507A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050322 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050516 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050628 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050630 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130708 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |