JP3681288B2 - インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はインクジェットヘッド及びインクジェット記録装置に関し、特に電気機械変換素子を用いるインクジェットヘッド及びこれを搭載したインクジェット記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、プリンタ、ファクシミリ、複写装置等に用いられるインクジェット記録装置の記録ヘッドを構成するインクジェットヘッドとして、インク滴を吐出する複数のノズルと、各ノズルに対応する液室(インク液室、加圧室、加圧液室、圧力室、インク流路、などとも称する。)と、この液室内のインクを加圧する電気機械変換素子等の電気機械変換素子或いはヒータ等の電気熱変換素子などのエネルギー発生手段を備え、エネルギー発生手段を記録信号に応じて駆動することで所要のインク液室内のインクを加圧してノズルからインク滴を噴射させるものである。
【0003】
前者の電気機械変換素子などの電気機械変換素子を用いたインクジェットヘッドとしては、特公平7−57545号公報に記載されているように、D33型圧電素子の積層体(積層型圧電素子)を用いて振動板を介してインク液室を加圧するようにしたもの、特開平9−300610号公報に記載されているように、D31型圧電素子とD33型圧電素子とを併用してD33型圧電素子の歪エネルギーの振動板への伝達効率を向上させようとするもの、特開平6−312505号公報や特開平7−178902号公報に記載されているように、D31型圧電素子を用いて振動板を介してインク液室を加圧するようにしたものなどが知られている。
【0004】
また、特開平9−323410号公報に記載されているように、複数の加圧室が形成された基板と、各加圧室に設けられたノズルと、基板上に固着され、加圧室の1つの壁面を構成する可撓性膜と、この可撓性膜上に平面的に接合固定された2層以上の積層構造の圧電体とを備え、各加圧室の側壁上の圧電体或いは各加圧室の中央部上の圧電体に溝を設けて複数の独立した変位部を形成して、圧電体の屈曲変位により各加圧室内のインクを加圧し、インク滴を吐出させるようにしたものがある。このインクジェットヘッドにおいては、可撓性膜は振動板として機能するものではなく、液室内インクと圧電素子との直接接触を阻止する保護膜となるものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の積層型圧電素子を用いるインクジェットヘッドにあっては、圧電素子の変位を効率的に振動板に伝達することができ、応答の位相ずれも少ないため、印加電圧波形の適正化によって振動板を高精度に駆動することができインク滴を安定的に吐出することができるとともに、インク滴吐出量の制御も可能であることから、印字ドットの多値化も容易に行うことができる。
【0006】
しかしながら、積層型圧電素子を用いる場合、大きな変位を得るために多層化を図らなければならないが、圧電素子の多層化には高精度の作製技術を必要とする。特に、積層境界部に埋設する各電極間のリークによるショートを回避し、隣接する吐出チャンネル間の溝加工などを歩留まりまり良く行うためにはコストがかかる。最近のインクジェットヘッドは印字ドットの高密度化が進んでいるため、チャンネル間隔が短くなり、積層型圧電素子のチャンネル間溝加工精度の高精度化が要求され、更にコストの増大を招いている。
【0007】
そこで、上述したように圧電素子の屈曲変位を用いるインクジェットヘッドも種々提案されているが、一般的に、圧電素子(圧電体)を用いて振動板を介して液室を加圧する構成のインクジェットヘッドにおいては、上記の積層型圧電素子を用いるものを含めて、振動板としてABS樹脂或いは金属のような硬い材料が用いられている。
【0008】
これは、圧電素子の屈曲変位を用いるインクジェットヘッドにあっては、液室内のインクをノズルから吐出させるためには圧電素子と振動板が一体となった屈曲変位が必要であり、この屈曲変位を効率良く発生させるためには、振動板自体も或る程度硬くする必要があることによる。また、振動板の厚みは、圧電素子と同程度以上の厚みが望ましい。
【0009】
ところが、一般的に、圧電素子と振動板はエポキシ系接着剤などによる加熱接着により一体化されるため、熱膨張率差による変形や内部に残留応力が残ることから、屈曲変位が阻害されたり、インク滴の吐出方向が不安定になる等の特性劣化が発生することがある。また、振動板の厚みが厚いと、振動板の屈曲変位が液室を形成する基板と振動板の接合部を通して隣の液室に波及するクロストークが発生したり、あるいは、振動板の変形そのものが阻害され、安定したインク滴吐出を行うことができなくなる。
【0010】
そこで、上述したように、振動板を用いないで圧電素子を可撓性の保護膜を介して液室に臨ませる構成のインクジェットヘッドが提案されているが、このインクジェットヘッドにあっては、振動板を用いる場合に比べて変位効率が十分でない。
【0011】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、簡単な構成で高い変位効率が得られ、隣接液室間のクロストークを回避して安定したインク滴吐出を行うことができるインクジェットヘッド及びこのインクジェットヘッドを搭載したインクジェット記録装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項1のインクジェットヘッドは、インク滴を吐出するノズルが連通する液室及びこの液室を加圧するための電気機械変換素子を備えた複数のインク滴噴射手段を同一方向に並置したインクジェットヘッドにおいて、前記液室の隔壁を形成する隔壁層とこの隔壁層上に前記液室に対向して配置する電気機械変換素子との間に、前記電気機械変換素子を接合する領域及びこの領域より薄く前記電気機械変換素子を接合しない領域を有し、前記電気機械変換素子で変形されるダイヤフラム層と、このダイヤフラム層と前記隔壁層との間に介在し、前記ダイヤフラム層よりも柔らかく、前記ダイヤフラム層が前記液室内のインクに直接接触しないようにするパッシベーション層とを介在させ、これらの隔壁層、パッシベーション層、ダイヤフラム層及び電気機械変換素子の対向面を接合した構成とした。
【0013】
請求項2のインクジェットヘッドは、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下とし、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下とした構成とした。
【0014】
請求項3のインクジェットヘッドは、上記請求項1にインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下とし、かつ、このダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下とした構成とした。
【0015】
請求項4のインクジェットヘッドは、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、かつ、前記ダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成とした。
【0016】
請求項5のインクジェットヘッドは、上記請求項1のインクジェットヘツドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にした構成とした。
【0017】
譲求項6のインクジェットヘッドは、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成とした。
【0018】
請求項7のインクジェットヘッドは、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にし、かつ、前記ダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成とした。
【0019】
請求項8のインクジェットヘッドは、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にした構成とした。
【0020】
請求項9のインクジェットヘッドは、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成とした。
【0021】
請求項10のインクジェットヘッドは、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、このダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記圧電素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成とした。
【0022】
請求項11のインクジェットヘッドは、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、このダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成とした。
【0023】
請求項12のインクジェットヘッドは、上記請求項4、6、7、9、10、11のいずれかのインクジェットヘッドにおいて、前記ダイヤフラム層のノズル列方向の幅は前記電気機械変換素子のノズル列方向の幅Wpと略同じにした、すなわち前記機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を0にした構成とした。
【0024】
請求項13のインクジェット記録装置は、インクジェットヘッドを搭載したインクジェット記録装置において、前記インクジェットヘッドが前記請求項1乃至12のいずれかのインクジェットヘッドである構成とした。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。図1は本発明の第1実施形態に係るインクジェットヘッドのチャンネル方向の要部断面図である。このインクジェットヘッドは、液室6の隔壁を形成する隔壁層7とこの隔壁層7上に液室6に対向して配置する電気機械変換素子である圧電素子1との間に、ダイヤフラム層4及びパッシベーション層5を介在させ、これらの隔壁層6、パッシベーション層5、ダイヤフラム層4及び圧電素子1の対向面を接合して、液室6の内圧を制御する圧力制御部とし、これを同一方向に連続して並置して構成している。
【0026】
すなわち、単層の電気機械変換素子であるD31型圧電素子1(第1層)の底面にダイヤフラム層4(第2層)を接合している。圧電素子1の上面及び下面にはそれぞれ電極板2,3を設け、これらの電極板2,3間に記録信号に応じた電圧を印加することによって圧電素子1が変形する。ここでは、ダイヤフラム層4を接合することで、圧電素子1は電圧印加によって下面側を凸状に、上面側を凹状に屈曲変形させることができる。
【0027】
また、ダイヤフラム層4は圧電素子1と接合する厚膜部分である接合部(以下「非切断領域」と称する。)4aと薄膜部分である変形部(以下「切断領域」という。)4bとを有し、非切断領域4aを圧電素子1に接合している。このダイヤフラム層4と圧電素子1との接合は、ダイヤフラム層4上に電極3を介して設けた圧電材料を1200℃〜1300℃で焼成することで一体形成しているが、800℃程度の低温焼成可能な圧電材料を焼成して形成することもできる。なお、ダイヤフラム層4としては、例えば、圧電セラミックス、ZrO3、BaTiO3、SrTiO3等の材料を使用することができる。
【0028】
このダイヤフラム層4の底面にはパッシベーション層5(第3層)を接着剤を介して接合している。このパッシベーション層5としてはポリイミドフィルムを使用しているが、その他液晶フィルム材を使用することもできた。また、パッシベーション層5の膜厚(層厚)は、1チャンネルの幅Wc(ノズル間隔)を254μmとしたときに約10μmとした。
【0029】
このパッシベーション層5の下面には液室6を形成する剛性部材からなる隔壁部材7(第4層)を接着剤、例えばエポキシ系接着剤を用いて接合している。この隔壁部材7としては、特に高剛性部材、例えばZrO3、或いはSUS系の材料が適している。また、隔壁部材7の厚さはダイヤフラム層4の厚さよりも厚く、パッシベーション層5の厚さよりも厚くしている。
【0030】
この隔壁部材7の下面には液室6を封止する封止層8(第5層)を接着剤、例えばエポキシ系接着剤を介して接合し、この封止層8には液室6に連通するノズル連通路(ノズル管)9を形成している。この封止層8としてはSUS或いはZrO3が適している。
【0031】
この封止層8の下面にはノズル形成部材(ノズルプレート)10を接着剤を介して接合している。このノズル形成部材10にはノズル孔(オリフィス)11を形成している。このノズル形成部材10のノズル孔11と封止層8のノズル連通路9との軸を合わせて接合している。また、ノズル孔11は、深さ方向の形状が少なくとも出口側の径が入口側の径よりも小さく、また、ノズル孔11の内壁の形状が軸対称で曲率を有するラッパ状の形状にしている。
【0032】
以上のように構成したこのインクジェットヘッドにおいては、単層のD31型圧電素子1の電極間2,3間に駆動電圧を印加すると、圧電素子1は横方向に収縮し、上下方向に膨張する。したがって、圧電素子1に電圧を印加したときには圧電素子1が底面(下面)側に凸状に変形して上面側が凹状に変形し、ダイヤフラム振動板層4もパッシベーション層5を伴なって液室6側に変形する。これによって、液室6内圧力が上昇してノズル連通路9を介してノズル孔11からインク滴が吐出される。
【0033】
そして、圧電素子1への印加電圧をオフするとダイヤフラム層4及びパッシベーション層5の変形が回復して初期状態に戻るので、印加電圧のオン/オフによりダイヤフラム層4を連続的に振動させることができ、ノズル孔11からインク滴を連続的に噴射することができる。
【0034】
ここで、ダイヤフラム層4と隔壁部材7との間にパッシベーション層5を介在させることによって、ダイヤフラム層4とパッシベーション層5及びパッシベーション層5と隔壁部材7の各層間接合密着性が向上し、液室6内に充填されたインクの接合境界からの漏洩を確実に防止することができる。前記のようにパッシベーション層5としてポリイミドフィルムを使用することで優れた接合密着性が得られる。
【0035】
また、隔壁部材7として剛性の高い部材を用いることにより、ダイヤフラム層4及びパッシベーション層5を屈曲変形させるときに、隔壁部材7は剛性が高いために変形せず、ダイヤフラム層4及びパッシベーション層5の図中x方向の両端を支持して変形させることができると共に、パッシベーション層5が柔らかいので、層間の熱膨張率差による発生応力を吸収することができ、隣接する液室部(隣接チャンネル)に影響が波及するクロストークを防止できる。
【0036】
また、封止部材8として高剛性の部材を用いることで加圧液室6内部の圧力上昇時における液室6の内壁及びノズル連通路9の変形を抑止して噴射特性の安定化を図ることができる。しかも、液室6の圧力変動に対する隔壁部材7の変形も小さく、隣接する液室への相互干渉の影響を抑えることができる。
【0037】
さらに、ノズル孔11は、深さ方向の形状が少なくとも出口側の径が入口側の径よりも小さく、ノズル孔11の内壁の形状が軸対称で曲率を有する形状することで、連続吐出時の安定性が向上した。
【0038】
次に、図2は本発明の第2実施形態に係るインクジェットヘッドのチャンネル方向の要部断面図、図3は同インクジェットヘッドのチャンネル方向と直交する方向の要部断面図である。
【0039】
このインクジェットヘッドは、上記第1実施形態と同様に、単層のD31型圧電素子21の両面に電極22,23を形成し、この圧電素子21の底面にダイヤフラム層24を接合し、このダイヤフラム層24の底面にはポリイミドフィルムからなるパッシベーション層25を接着剤を介して接合して、このパッシベーション25の下面には液室26を形成する剛性部材からなる隔壁部材27を接着剤を介して接合し、この隔壁部材27の下面には液室26を封止する高剛性部材からなる封止部材28を接着剤を介して接合している。
【0040】
そして、この隔壁部材27のうちのチャンネル間の境界とならない部分27a(図3参照)には液室26に連通するノズル連通路(ノズル管)29を形成し、隔壁部材27の部分27aの外面にノズル孔(オリフィス)31を形成したノズル形成部材(ノズルプレート)30を接着剤を介して接合している。なお、ノズル連通路29とノズル孔31との軸を一致させていること、ノズル孔31の形状を深さ方向の形状が少なくとも出口側の径が入口側の径よりも小さく、ノズル孔31の内壁の形状が軸対称で曲率を有する形状にしていることはなどは上記第1実施形態と同様である。
【0041】
以上のように構成したこのインクジェットヘッドにおいても、上記第1実施形態のインクジェットヘッドと同様に、単層のD31型圧電素子21の電極22,23間に電圧を印加すると、圧電素子21は横方向に収縮し、上下方向に膨張する。したがって、圧電素子21に電圧を印加したときには圧電素子21が底面(下面)側に凸状に変形して上面側が凹状に変形し、ダイヤフラム層24もパッシベーション層25を伴なって液室26側に変形する。これによって、液室26内圧力が上昇してノズル連通路29を介してノズル孔31からインク滴が吐出される。
【0042】
そして、圧電素子21への印加電圧をオフするとダイヤフラム層24及びパッシベーション層25の変形が回復して初期状態に戻るので、印加電圧のオン/オフによりダイヤフラム層24を連続的に振動させることができ、ノズル孔31からインク滴を連続的に噴射することができる。
【0043】
次に、これら各インクジェットヘッドにおける各部の寸法の規定した他の実施形態について図4以降をも参照して説明する。
以下の各実施形態においては、図4に示すようにインク滴噴射手段のノズル列方向の全幅Wcに対して液室6のノズル列方向の幅Wrを0.76Wrとし、液室6のノズル列方向の幅Wrに対して圧電素子1のノズル列方向の幅Wpを0.7Wrとし、液室6のノズル列方向の幅Wrに対して液室6の高さHeを0.52Wrとしているが、これらの条件に限定されるものではない。
【0044】
まず、本発明の第3実施形態について図5を参照して説明する。この実施形態では、液室6のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層4の厚さTdを0.08Wr以下にすると共に、圧電素子1の厚さTpを0.1Wr以下にしている。
【0045】
例えば、ノズルピッチ254μmに対応するヘッドの場合、ノズル列方向全幅Wcを254μmとして、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μm以下とする。このとき、ダイヤフラム層4の厚さTdを15.5μm、圧電素子1の厚さTpを19.4μmにした。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0046】
また、ダイヤフラム層4の厚さTdを薄くすると共に、圧電素子1の厚さTpを薄くすることで、屈曲変位効率が更に上昇することを確認した。すなわち、ダイヤフラム層4の厚さTdと圧電素子1の厚さTpとはトレードオフしないことが確認された。例えば、ダイヤフラム層4の厚さTdを5μm、圧電素子1の厚さTpを10μmまで薄くしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0047】
このように、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にすると共に、圧電素子の厚さTpを0.1Wr以下にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0048】
次に、本発明の第4実施形態について図6を参照して説明する。この実施形態では、液室6のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層4の厚さTdを0.08Wt以下とし、かつ、このダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にした。
【0049】
例えば、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μm以下とした場合、ダイヤフラム層4の厚さTdを15.5μm、このダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)に設定した。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0050】
また、ダイヤフラム層4の厚さTdを薄くすると共に、ダイヤフラム層4のヤング率Yを更に小さくすると、屈曲変位効率が更に上昇することを確認した。すなわち、ダイヤフラム層4の厚さTdとヤング率Yの効果はトレードオフしないことが確認された。例えば、ダイヤフラム層4の厚さTdを5μm、ヤング率Yを3000(kg/mm2)にしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0051】
このように、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wt以下とし、かつ、このダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0052】
次に、本発明の第5実施形態について図7を参照して説明する。この実施形態においては、液室6のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層4の厚さTdを0.08Wr以下にし、かつ、ダイヤフラム層4の圧電素子1と接合しない切断領域4bの厚さTd2を圧電素子1と接合する非切断領域の厚さ(すなわち、ダイヤフラム層4の厚さ)Tdの1/2以下にした。
【0053】
例えば、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μm以下とした場合、ダイヤフラム層4の厚さ(非切断領域4aの厚さ)Tdを5μm、切断領域の厚さTd2を2.5μmにした。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0054】
また、ダイヤフラム層4の厚さ(非切断領域)Tdを薄くすると共に、ダイヤフラム層4の切断領域4bの厚さTd2を更に薄くすると、屈曲変位効率が更に上昇することを確認した。すなわち、ダイヤフラム層4の厚さTdとダイヤフラム層4の切断領域の厚さTd2の効果はトレードオフしないことが確認された。
【0055】
そこで、図8に示すように、ダイヤフラム層4のノズル列方向の幅と圧電素子1のノズル列方向の幅Wpとを略同じにして、ダイヤフラム層4の大きさを圧電素子1の大きさと略等しくする、すなわち、上記各実施形態におけるダイヤフラム層4の切断領域の厚さTd2を「0」にすることもできる。
【0056】
この例で、ダイヤフラム層4の厚さ(非切断領域の厚さ)Tdを5μm、ダイヤフラム層4の非切断領域4aの厚さTd2を0μmにしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0057】
このように、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、かつ、ダイヤフラム層の圧電素子と接合しない切断領域の厚さTd2を圧電素子と接合する非切断領域の厚さ(すなわち、ダイヤフラム層4の厚さ)Tdの1/2以下(Td2=0を含む)にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0058】
次に、本発明の第6実施形態について図9を参照して説明する。この実施形態においては、液室6のノズル列方向の幅Wrに対する圧電素子1の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にした。
【0059】
例えば、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μm以下とした場合、圧電素子1の厚さTpを19.4μm、ダイヤフラム層4の非切断領域4aの厚さTdを5μm、ダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)に設定した。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0060】
また、圧電素子1の厚さTpをさらに薄くすると共に、ダイヤフラム層4のヤング率Yを更に小さくすると、屈曲変位効率が更に上昇することを確認した。すなわち、圧電素子1の厚さTpとヤング率Yの効果はトレードオフしないことが確認された。例えば、圧電素子1の厚さTpを10μm、ダイヤフラム層4の非切断領域4aの厚さTdを5μm、ヤング率Yを3000(kg/mm2)にしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0061】
このように、液室のノズル列方向の幅Wrに対する圧電素子の厚さTpを0.1Wr以下とし、かつ、ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0062】
次に、本発明の第7実施形態について図10を参照して説明する。この実施形態においては、液室6のノズル列方向の幅Wrに対する圧電素子1の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層4の圧電素子1と接合しない切断領域の厚さTd2を圧電素子1と接合する非切断領域の厚さ(ダイヤフラム層4の厚さ)Tdの1/2以下にした。
【0063】
例えば、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μm以下とした場合、圧電素子1の厚さTpを19.4μm、ダイヤフラム層4の厚さ(非切断領域4aの厚さ)Tdを5μm、切断領域の厚さTd2を2.5μmにした。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0064】
また、圧電素子1の厚さTpを更に薄くし、ダイヤフラム層4の切断領域4bの厚さTd2を更に薄くすると、屈曲変位効率が更に上昇することを確認した。そこで、図11に示すように、ダイヤフラム層4を圧電素子1と略同じ大きさにして切断領域4aの厚さTd2を「0」にした。この例で、圧電素子1の厚さTpを10μm、ダイヤフラム層4の厚さ(非切断領域の厚さ)Tdを5μm、ダイヤフラム層4の切断領域4aの厚さTd2を0μmにしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0065】
このように、液室のノズル列方向の幅Wrに対する圧電素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層の圧電素子と接合しない切断領域の厚さTd2を圧電素子と接合する非切断領域の厚さ(すなわち、ダイヤフラム層の厚さ)Tdの1/2以下(Td2=0を含む)にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0066】
次に、本発明の第8実施形態について図12を参照して説明する。この実施形態においては、ダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、ダイヤフラム層4の圧電素子1と接合しない非切断領域4bの厚さTd2を圧電素子1と接合する非切断領域4aの厚さ(すなわち、ダイヤフラム層4の厚さ)Tdの1/2以下にした。
【0067】
例えば、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μm以下とした場合、ダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)とし、ダイヤフラム層4の非切断領域4aの厚さTdを5μm、ダイヤフラム層4の切断領域の厚さ5d2を2.5μmにした。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0068】
また、図13に示すように、ダイヤフラム層4のノズル列方向の幅と圧電素子1のノズル列方向の幅Wpとを略同じにして、ダイヤフラム層4の大きさを圧電素子1の大きさと略等しくする、すなわち、上記各実施形態におけるダイヤフラム層4の切断領域の厚さTd2を「0」にすることもできる。この例で、ダイヤフラム層4のヤング率Yを3000(kg/mm2)、ダイヤフラム層4の非切断領域4aの厚さTdを5μm、切断領域4bの厚さTd2を0μmにしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0069】
このように、ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、ダイヤフラム層の圧電素子と接合しない非切断領域の厚さTd2を圧電素子1と接合する非切断領域の厚さ(すなわち、ダイヤフラム層の厚さ)Tdの1/2以下(Td2=0を含む)にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0070】
次に、本発明の第9実施形態について前述した図5を参照して説明する。この実施形態においては、液室6のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層4の厚さTdを0.08Wr以下にすると共に、圧電素子1の厚さTpを0.1Wr以下にし、更にダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にしている。
【0071】
例えば、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μmとした場合、ダイヤフラム層4の厚さTdを15.5μm、圧電素子1の厚さTpを19.4μmにし、更にダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)にした。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0072】
また、ダイヤフラム層4の厚さTdを薄くすると共に、圧電素子1の厚さTpを更に薄くし、ダイヤフラム層4のヤング率Yを更に小さくすると、屈曲変位効率が更に上昇することを確認した。例えば、ダイヤフラム層4の厚さTdを5μm、圧電素子1の厚さTpを10μmまで薄くし、ダイヤフラム層4のヤング率Yを3000(kg/mm2)にしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0073】
このように、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にすると共に、圧電素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、さらにダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0074】
次に、本発明の第10実施形態について前述した図10を参照して説明する。この実施形態においては、液室6のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層4の厚さTdを0.08Wr以下にすると共に、圧電素子1の厚さTpを0.1Wr以下にし、更にダイヤフラム層4の圧電素子1と接合しない切断領域4bの厚さTd2を圧電素子1と接合する非切断領域4aの厚さ(ダイヤフラム層4の厚さ)Tdの1/2以下にしている。
【0075】
例えば、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μmとした場合、ダイヤフラム層4の厚さ(非切断領域4aの厚さ)Tdを15.5μm、圧電素子1の厚さTpを19.4μmにし、更にダイヤフラム層4の切断領域4bの厚さTd2を7.75μmにした。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0076】
この場合、各パラメータ値を更に小さくすると、屈曲変位効率が更に上昇することを確認した。例えば、図14に示すように、ダイヤフラム層4のノズル列方向の幅と圧電素子1のノズル列方向の幅Wpとを略同じにして、ダイヤフラム層4の大きさを圧電素子1の大きさと略等しくする、すなわち、上記各実施形態におけるダイヤフラム層4の切断領域の厚さTd2を「0」にすることもできる。そこで、例えば、ダイヤフラム層4の厚さTdを5μm、圧電素子1の厚さTpを10μmまで薄くし、ダイヤフラム層4の切断領域4bの厚さTd2を0μmにしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0077】
このように、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にすると共に、圧電素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、さらにダイヤフラム層の圧電素子と接合しない切断領域Td2の厚さを圧電素子と接合する非切断領域4aの厚さ(ダイヤフラム層の厚さ)Tdの1/2以下(Td2=0を含む)にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0078】
次に、本発明の第11実施形態について前述した図10を参照して説明する。この実施形態においては、液室6のノズル列方向の幅Wrに対する圧電素子1の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にし、ダイヤフラム層4の圧電素子1と接合しない切断領域4bの厚さTd2を圧電素子1と接合する非切断領域4aの厚さ(ダイヤフラム層4の厚さ)Tdの1/2以下にしている。
【0079】
例えば、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μmとした場合、圧電素子1の厚さTpを19.4μmにし、ダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)にし、ダイヤフラム層4の切断領域4bの厚さTd2を7.75μm(非切断領域4aの厚さTd=15μm以上とする。)にした。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0080】
この場合、各パラメータ値を更に小さくすると、屈曲変位効率が更に上昇することを確認した。例えば、前述した図14に示すように、ダイヤフラム層4のノズル列方向の幅と圧電素子1のノズル列方向の幅Wpとを略同じにして、ダイヤフラム層4の大きさを圧電素子1の大きさと略等しくする、すなわち、上記各実施形態におけるダイヤフラム層4の切断領域4bの厚さTd2を「0」にすることもできる。そこで、例えば、圧電素子1の厚さTpを10μmまで薄くし、ダイヤフラム層4のヤング率Yを3000(kg/mm2)にし、ダイヤフラム層4の非切断領域4aの厚さTdを5μmとし、切断領域4bの厚さTd2を0μmにしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0081】
このように、液室のノズル列方向の幅Wrに対する圧電素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、このダイヤフラム層の圧電素子と接合しない切断領域Td2の厚さを圧電素子と接合する非切断領域4aの厚さ(ダイヤフラム層の厚さ)Tdの1/2以下(Td2=0を含む)にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0082】
次に、本発明の第12実施形態について前述した図10を参照して説明する。この実施形態においては、液室6のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層4の厚さTdを0.08Wr以下にし、液室6のノズル列方向の幅Wrに対する圧電素子1の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にし、ダイヤフラム層4の圧電素子1と接合しない切断領域4bの厚さTd2を圧電素子1と接合する非切断領域4aの厚さ(ダイヤフラム層4の厚さ)Tdの1/2以下にしている。
【0083】
例えば、液室6のノズル列方向の幅Wrを194μmとした場合、ダイヤフラム層4の厚さTdを15.5μmにし、圧電素子1の厚さTpを19.4μmにし、ダイヤフラム層4のヤング率Yを10000(kg/mm2)にし、ダイヤフラム層4の切断領域4bの厚さTd2を7.75μmにした。これによって、インク滴吐出に必要な屈曲変形量を得ることができた。
【0084】
この場合、各パラメータ値を更に小さくすると、屈曲変位効率が更に上昇することを確認した。例えば、前述した図14に示すように、ダイヤフラム層4のノズル列方向の幅と圧電素子1のノズル列方向の幅Wpとを略同じにして、ダイヤフラム層4の大きさを圧電素子1の大きさと略等しくする、すなわち、上記各実施形態におけるダイヤフラム層4の切断領域4bの厚さTd2を「0」にすることもできる。そこで、例えば、ダイヤフラム層4の非切断領域4aの厚さTdを5μmとし、圧電素子1の厚さTpを10μmにし、ダイヤフラム層4のヤング率Yを3000(kg/mm2)にし、切断領域4bの厚さTd2を0μmにしたところ、屈曲変位量は更に増大し、印加電圧20Vで0.15μmの変位量が得られた。
【0085】
このように、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、圧電素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、このダイヤフラム層の圧電素子と接合しない切断領域Td2の厚さを圧電素子と接合する非切断領域4aの厚さ(ダイヤフラム層の厚さ)Tdの1/2以下(Td2=0を含む)にすることで、インク滴吐出に必要な圧電素子及びダイヤフラム層の屈曲変形量を得ることができ、屈曲変位効率が向上する。
【0086】
次に、本発明の第13実施形態について図15を参照して説明する。この実施形態のインクジェットヘッドは、前記第1実施形態のインクジェットヘッドにおいて、隔壁部材7と封止部材8との間にポリイミドフィルムからなるパッシベーション層12をそれぞれ接着剤を介して接合している。
【0087】
このように、隔壁部材7と封止部材8との間にパッシベーション層12を介装することにより、隔壁部材7と封止部材8とが異なる部材であっても接合密着性が良好になり、層間からのインクの漏洩を防止することができる。
【0088】
また、本発明の第14実施形態について図16を参照して説明する。この実施形態のインクジェットヘッドは、前記第2実施形態のインクジェットヘッドにおいて、隔壁部材27と封止部材28との間にポリイミドフィルムからなるパッシベーション層32をそれぞれ接着剤を介して接合している。
【0089】
このように、隔壁部材27と封止部材28との間にパッシベーション層32を介装することにより、隔壁部材27と封止部材28とが異なる部材であっても接合密着性が良好になり、層間からのインクの漏洩を防止することができる。
【0090】
次に、本発明に係るインクジェット記録装置の実施形態について図17を参照して説明する。
このインクジェット記録装置は、上記インクジェットヘッドの各実施形態のいずれか又はその組み合わせを適用したインクジェットヘッド、及び交換可能なインクカートリッジ42を搭載したキャリッジユニット41を、主ガイドロッド43及び図示しない従ガイドロッドに主走査方向に移動可能に載置し、駆動モータ44でキャリッジユニット41を主走査方向に移動走査すると共に、後部の給紙部45から給送される用紙46を用紙搬送機構で副走査方向に搬送しながら、インクジェットヘッドの圧電素子1を選択的に駆動して、用紙46上に所要の画像を記録して排紙部47に排紙する。
【0091】
また、ヘッドの信頼性を維持するための信頼性維持回復機構(サブシステム)48を備え、ヘッドのキャッピング、インク吸引、気泡排出等の回復動作を行うようにしている。
【0092】
また、この記録装置の制御部には、パソコン等の外部機器からの画像情報をデータを入力する入力部、入力された画像情報データを処理する処理部(I/O処理部等)、誤差拡散やカラーバランス調整等を行う画像情報変換部、各ノズルへの画像情報(印写データ)の分割処理系、各チャンネルに与える駆動波形の制御系のコントローラ等を備えている。
【0093】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1のインクジェットヘッドによれば、前記液室の隔壁を形成する隔壁層とこの隔壁層上に前記液室に対向して配置する電気機械変換素子との間に、電気機械変換素子を接合する領域及びこの領域より薄く電気機械変換素子を接合しない領域を有し、電気機械変換素子で変形されるダイヤフラム層と、このダイヤフラム層と隔壁層との間に介在し、ダイヤフラム層よりも柔らかく、ダイヤフラム層が液室内のインクに直接接触しないようにするパッシベーション層とを介在させ、これらの隔壁層、パッシベーション層、ダイヤフラム層及び電気機械変換素子の対向面を接合した構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0094】
請求項2のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下とし、液室のノズル列方向の幅Wrに対する電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下とした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0095】
請求項3のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下とし、かつ、このダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下とした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0096】
請求項2のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェツトヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wt以下とし、液室のノズル列方向の幅Wrに対する電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下とした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0097】
請求項3のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wt以下とし、かつ、このダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下とした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0098】
請求項4のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、かつ、ダイヤフラム層の電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0099】
請求項5のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘツドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対する電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0100】
譲求項6のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対する電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層の電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0101】
請求項7のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にし、かつ、ダイヤフラム層の電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0102】
請求項8のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0103】
請求項9のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層の電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0104】
請求項10のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対する電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、このダイヤフラム層の電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を圧電素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0105】
請求項11のインクジェットヘッドによれば、上記請求項1のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向幅Wrに対するダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、このダイヤフラム層の電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0106】
請求項12のインクジェットヘッドによれば、上記請求項4、6、7、9、10、11のいずれかのインクジェットヘッドにおいて、ダイヤフラム層のノズル列方向の幅は電気機械変換素子のノズル列方向の幅Wpと略同じにした、すなわち機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を0にした構成としたので、簡単な構成で変位効率を向上することができる。
【0107】
請求項13のインクジェット記録装置によれば、インクジェットヘッドが請求項1乃至12のいずれかのインクジェットヘッドである構成としたので、変位効率が高いインクジェットヘッドを備えたインクジェット記録装置を低コストでえることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るインクジェットヘッドのチャンネル方向の要部断面図
【図2】本発明の第2実施形態に係るインクジェットヘッドのチャンネル方向の要部断面図
【図3】同インクジェットヘッドのチャンネル方向と直交する方向の要部断面図
【図4】本発明に係るインクジェットヘッドの寸法を規定した実施形態の説明に供する説明図
【図5】本発明の第3、第9実施形態の説明に供する説明図
【図6】本発明の第4実施形態の説明に供する説明図
【図7】本発明の第5実施形態の説明に供する説明図
【図8】同第5実施形態の他の例の説明に供する説明図
【図9】本発明の第6実施形態の説明に供する説明図
【図10】本発明の第7、第10、第11、第12実施形態の説明に供する説明図
【図11】同第7実施形態の他の例の説明に供する説明図
【図12】本発明の第8実施形態の説明に供する説明図
【図13】同第8実施形態の他の例の説明に供する説明図
【図14】本発明の第10、第11、第12実施形態の他の例の説明に供する説明図
【図15】本発明の第13実施形態の説明に供する説明図
【図16】本発明の第14実施形態の説明に供する説明図
【図17】本発明に係るインクジェット記録装置の実施形態の説明に供する説明図
【符号の説明】
1、21…圧電素子、2、3、22、23、電極、4、24…ダイヤフラム層、5、25…パッシベーション層、6、26…液室、7、27…隔壁部材(隔壁層)、8、28…封止部材、9、29…ノズル連通路、10、30…ノズル形成部材、11、31…ノズル孔、12、32…パッシベーション膜。
Claims (13)
- インク滴を吐出するノズルが連通する液室及びこの液室を加圧するための電気機械変換素子を備えた複数のインク滴噴射手段を同一方向に並置したインクジェットヘッドにおいて、前記液室の隔壁を形成する隔壁層とこの隔壁層上に前記液室に対向して配置する電気機械変換素子との間に、前記電気機械変換素子を接合する領域及びこの領域より薄く前記電気機械変換素子を接合しない領域を有し、前記電気機械変換素子で変形されるダイヤフラム層と、このダイヤフラム層と前記隔壁層との間に介在し、前記ダイヤフラム層よりも柔らかく、前記ダイヤフラム層が前記液室内のインクに直接接触しないようにするパッシベーション層とを介在させ、これらの隔壁層、パッシベーション層、ダイヤフラム層及び電気機械変換素子の対向面を接合したことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下とし、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下としたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下とし、かつ、このダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下としたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、かつ、前記ダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にしたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にしたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にしたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にし、かつ、前記ダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にしたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にしたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にしたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向の幅Wrに対する前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、このダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記圧電素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にしたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、前記液室のノズル列方向幅Wrに対する前記ダイヤフラム層の厚さTdを0.08Wr以下にし、前記電気機械変換素子の厚さTpを0.1Wr以下にし、前記ダイヤフラム層のヤング率Yを10000(kg/mm2)以下にすると共に、このダイヤフラム層の前記電気機械変換素子と接合しない領域の厚さTd2を前記電気機械変換素子と接合する領域の厚さTdの1/2以下にしたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- 請求項4、6、7、9、10、11のいずれかに記載のインクジェットヘッドにおいて、前記ダイヤフラム層のノズル列方向の幅は前記電気機械変換素子のノズル列方向の幅Wpと略同じにしたことを特徴とするインクジェットヘッド。
- インクジェットヘッドを搭載したインクジェット記録装置において、前記インクジェットヘッドが前記請求項1乃至12のいずれかに記載のインクジェットヘッドであることを特徴とするインクジェット記録装置。
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