JP3676140B2 - エッチング終点検出方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
エッチング終点検出方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3676140B2 JP3676140B2 JP27045099A JP27045099A JP3676140B2 JP 3676140 B2 JP3676140 B2 JP 3676140B2 JP 27045099 A JP27045099 A JP 27045099A JP 27045099 A JP27045099 A JP 27045099A JP 3676140 B2 JP3676140 B2 JP 3676140B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- layer
- silicon oxide
- end point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、埋め込み配線を形成する際の層間絶縁膜をエッチング時のエッチング深さを制御する終点検出方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体基板に埋め込み配線を形成するダマシン(Damascene) 工程を図13及び図14を参照して説明する。図13及び図14は、半導体基板上に形成された絶縁膜に配線を埋め込む製造工程断面図である。シリコン半導体基板100に、例えば、有機溶剤に溶けガラス溶液から形成されたSOG(Spin On Glass) 膜といわれる有機シリコン酸化膜であるシリコン酸化膜図14を形成する(図13(a))。次に、有機シリコン酸化膜101上にフォトレジスト膜102を形成し、これをパターニングして開口部を形成する。パターニングされたフォトレジスト膜102をマスクにして、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)などの異方向エッチングを用いて所定の深さまでエッチングすることにより配線溝103を形成する(図13(b))。配線溝と一体化された接続孔を同時に形成する場合もある。次に、フォトレジスト膜102を除去してから厚さ100nm程度の窒化チタン(TiN)膜104を配線溝103を含めて有機シリコン酸化膜101に堆積させる。そして、この窒化チタン膜104の上及び配線溝103内部にCVD(Chemical Vapour Deposition)法により厚さ800nm程度のタングステン膜105を堆積させる(図14(a))。
【0003】
次に、例えば、SF6 ガスを用いたRIEによりタングステン膜105をエッチング速度100nm/min程度でエッチバックする。このエッチングでは、窒化チタンは、ほとんどエッチングされないので、次の工程では、Cl2 ガスを用いたRIEにより有機シリコン酸化膜101上の窒化チタン膜104を除去し、配線溝103内部にのみ窒化チタン膜104とタングステン膜105から構成された埋め込み配線を形成する(図14(b))。この埋め込み配線にはタングステン膜を用いているが、Al、Al−Cu、Al−Si−Cu、Cuのような配線材料を用い、CMPにより、有機シリコン酸化膜と選択性を持たせ、配線を形成しても良い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記の溝加工は、層間絶縁膜の部分エッチングのため、エッチング深さを終点検出及びモニタなどを用い、リアルタイムで制御することは非常に困難である。このため、エッチング深さを決める場合は、予め時間を決めておく時間指定で行っている。この時間指定により、ロット間及びウエハー間での下地に対する層間絶縁膜のばらつきがあった場合、エッチング深さの制御を行うのに非常に困難をともなっている。
また最近ではエッチング深さを面内で均一にするためストッパー膜を引いている。しかし、層間絶縁膜のストッパー膜は、通常そのまま半導体装置内に作り込まれるものであるのにも拘らず、誘電率が高く、層間絶縁膜に挟まれていると、層間絶縁膜全体の誘電率が上がり、その結果、配線容量が大きくなって伝播速度が遅くなってしまうという問題があった。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、半導体基板に埋め込み配線を形成する際に行われる層間絶縁膜のエッチングを行う場合に、新規な構造の層間絶縁膜を用いてエッチングの終点検出を速やかに行うことを特徴とする終点検出方法を提供する。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、層間絶縁膜を所定の深さまで深さ方向に部分エッチングを行う工程を備え、前記層間絶縁膜は、エッチングされる上部分とエッチングされない下部分から構成され、前記上部分がエッチングされて前記下部分が露出したときのエッチング生成物より発光される光の変化によりエッチング終点を検出する方法に関するものである。また、この光の変化を得るために層間絶縁膜の下部分の表面に薄くC及びOが多い表面層を形成するか、あるいは、前記下部分表面のC及びOの多い改質層を形成する。この結果、部分エッチングの際、上部分及び下部分間での反応生成物が変化し、発光により検出が容易になる。したがって、In−situでエッチングの深さの制御が可能となる。
【0007】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、同じ材質からなる上層及び下層の絶縁膜をそれぞれ熱処理温度を変えて順次積層形成する工程と、前記絶縁膜の前記上層をエッチングして開口部を形成する工程と、前記絶縁膜のエッチングにおいて発光される光の変化に応じてエッチングを停止する工程と、前記開口部内に導電材を形成する工程とを具備することを特徴としている。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下層の絶縁膜を形成する工程と、前記下層の絶縁膜の表面をエッチング処理して改質層を形成する工程と、前記改質層上に上層の絶縁膜を形成する工程と、前記上層の絶縁膜をエッチングして開口部を形成する工程と、前記上層の絶縁膜のエッチングにおいて発光される光の変化に応じてエッチングを停止する工程と、前記開口部内に導電材を形成する工程を具備し、前記改質層は、前記上層の絶縁膜よりも炭素又は酸素を多く含むことを特徴としている。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して発明の実施の形態を説明する。
まず、図1乃至図5、図15を参照して第1の実施例を説明する。
図1は、マグネトロンRIE装置の概略断面図、図2は、層間絶縁膜のエッチングを説明する工程断面図、図3は、発光確認モニタによるエッチング時間と発光強度との関係を示す特性図、図4は、層間絶縁膜のエッチングを説明する工程断面図、図5は、発光確認モニターの示す発光強度−時間特性を示す特性図、図15は、エッチング処理後の工程を説明する工程断面図である。図1のマグネトロンRIE装置は、真空チャンバ10を有し、この真空チャンバ10の内部には、シリコンウェーハなどの被処理物12を載置する載置台13が設けられている。この載置台13には高周波電極17が取り付けられており、これに対向して対向電極14が設けられている。載置台13は、温度調節機構を有しており、被処理物12の温度を制御できるように構成されている。また、真空チャンバ10の天壁には、ガス導入管15が接続されている。ガス導入管15から真空チャンバ10にガスが導入され、排気口16の弁によって圧力が調整される。圧力が安定を示した後、載置台13下の高周波電極17から高周波を印可することにより真空チャンバ10の内部にプラズマが発生する。
【0010】
また、真空チャンバ10の外周部には磁石18が設けられており、真空中に高密度な磁界を作り、プラズマ中のイオンに異方性を持たせ、これにより被処理物12がプラズマエッチングされる。また、エッチング生成物が出たときに、発光により光の強度を確認できる終点検出装置(発光検出装置)19が真空チャンバー10内に装着されている。
この実施例ではマグネトロンRIE装置を使用したが、これ以外にも、ECR、ヘリコン、誘電結合型プラズマ等の他のドライエッチング装置を用いることも可能である。
図2は、この実施例の層間絶縁膜をエッチングする工程を説明する断面図である。400nm厚程度2度塗布して形成したSOG膜のような有機シリコン酸化膜(1層目4、2層目3)に、反射防止膜2を塗布する。この反射防止膜2にフォレジスト膜1を形成し、これを配線形状にパターニングをする。また、有機シリコン酸化膜を塗布する際に、一層目の膜4は、350℃、二層目の膜3は、400℃で熱処理を行っている。次に、このエッチング装置を用いて配線の溝加工を行う。終点検出装置19を使用し、モニタにより、COの発光が検出できるように370(nm)の波長に合わせている。
【0011】
この実施例のエッチング条件として、40(mTorr)、1400(W)、CF4 /CHF3 =25/75(sccm)、下部電極温度20℃で行っている。まず、反射防止膜2を加工してから、層間絶縁膜の第1層目の膜3をエッチングする。
その結果、このエッチング時において有機シリコン酸化膜が、400nm削れた時点で、図3に示すように、終点検出モニタの発光強度の変化をみることができる。図3は、発光確認モニタの発光強度と時間との関係を示す特性図である。この特性図を説明すると、有機シリコン酸化膜を二回目塗布して熱処理を行う際に、一層目の膜4からは有機シリコン酸化膜から放出されるCが少なく(▲1▼の領域)、一層目の膜4と二層目の膜3との界面層(▲2▼の領域)を境にCを多く有する有機シリコン酸化膜が形成されるので有機シリコン酸化膜から放出されるCが▲1▼の領域と比較して多く放出されるので波形が上昇(▲2▼の領域)し、▲3▼の領域でCOの発光が確認されたと考えられる。この実施例では、一層目を350℃、二層目を400℃で成膜しているが、他の温度で成膜温度を変化させても終点検出モニタの発光強度の変化を確認することができる。波形の変化する時エッチングを止めることにより、深さ制御が容易にできる。
【0012】
また、終点検出モニターの波長をCOの検出できる、451、484、520、561(nm)としても良い。上の例では1層目を350℃、二層目を400℃にしているが、一層目を400℃、二層目を350℃にすると、図3に示すように、発光強度が二層目のエッチングの際下がる。このような構成により発光が確認される。
また、図4に示すように、溝の配線加工を深さ200nmとしたい場合、上部の二層目の膜3を200nm厚に有機シリコン酸化膜を塗布することにより、終点検出モニタで200nm削れた時、図2と同様に発光強度の変化を確認することができた。図5に示すように、二層目の膜3がエッチングされている時は、発光強度は低く(▲1▼の領域)、一層目の膜4と二層目の膜3との界面層(▲2▼の領域)を境にCが多く含まれる有機シリコン酸化膜が形成されるので▲3▼の領域で発光強度が強くなる。上の例では1層目を350℃、二層目を400℃にしているが、一層目を400℃、二層目を350℃にすると、図5に示すように、発光強度が二層目のエッチングの際下がる。このような構成により発光が確認される。この温度を逆にすると膜の信頼性が損なわれないという効果がある。
【0013】
図4では、200nm及び400nmの深さで膜厚制御を行っているが、深さに応じて本発明の方法を使用すれば深さの制御を正確にエッチングすることが可能になる。つまり、制御したい深さに膜厚を制御することにより、容易に加工可能である。
この実施例のエッチングガス条件として、CF4 /CHF3 ガスを使用しているが、C4 F8 /CO/Ar/O2 、CF4 /CO等の条件であっても同様の効果を得ることができた。
この実施例では、配線パターンを使用したが、コンタクトホールパターン及びその他のパターンであっても同様の効果が得られた。
この実施例では有機シリコン酸化膜を用いているが、成膜温度、エッチング条件を最適化することにより、無機シリコン酸化膜、シリコン窒化酸化膜などにおいても同様に終点検出により、深さ制御を確認することができる。
この実施例では、フォトレジストをマスクとして使用しているが、マスクをシリコン窒化膜マスク、カーボンマスクもしくはメタルマスク(アルミマスク、ポリシリコン、ニオブマスク、銅マスクなど)でも同様の結果が得られる。
【0014】
また、この実施例では二層目の膜についての終点検出について述べているが、用途に合わせて三層目以上の膜の終点検出を使用しても充分可能である。すなわち、二層目上に三層目を熱処理温度を変えて形成して終点検出を同様に行う。
図15は、図4に示す層間絶縁膜3、4に形成された溝に窒化チタン膜7及びタングステン膜8を埋め込んで形成した配線構造を示すものである。図5に示すように、有機シリコン酸化膜を二回目塗布して熱処理を行う際に、一層目の膜4からは有機シリコン酸化膜から放出されるCが少なく(▲1▼の領域)、一層目の膜4と二層目の膜3との界面層(▲2▼の領域)を境にCを多く有する有機シリコン酸化膜が形成されるので有機シリコン酸化膜から放出されるCが▲1▼の領域と比較して多く放出されるので波形が上昇(▲2▼の領域)し、▲3▼の領域でCOの発光が確認されたと考えられる。この実施例では、一層目を350℃、二層目を400℃で成膜しているが、他の温度で成膜温度を変化させても終点検出モニタの発光強度の変化を確認することができる。波形の変化する時エッチングを止めることにより、深さ制御が容易にできる。
【0015】
次に、図6乃至図10を参照して第2の実施例を説明する。
この実施例では改質層を層間絶縁膜の下層部分と上層部分の中間に形成することを特徴としている。
まず、有機シリコン酸化膜の内膜厚400nmの一層目4を塗布した後、厚さ20nm程度の改質膜5を形成する。その後、エッチング深さの制御を行う膜厚で有機シリコン酸化膜の二層目3を400nm程度塗布する。この一層目4及び二層目3から構成され改質層5を間に挟む有機シリコン酸化膜の上に反射防止膜2を形成する。この反射防止膜2にフォレジスト膜1を形成し、これを配線形状にパターニングをする。また、有機シリコン酸化膜を塗布する際に、一層目の膜4は、400℃、二層目の膜3は、400℃で熱処理を行っている(図6)。
次に、図1に示すエッチング装置を用いて配線の溝加工を行う。終点検出装置19を使用し、モニタにより、COの発光が検出できるように370(nm)の波長に合わせている。この実施例のエッチング条件として、40(mTorr)、1400(W)、CF4 /CHF3 =25/75(sccm)、下部電極温度20℃で行っている。まず、反射防止膜2を加工してから、層間絶縁膜の第1層目の膜3をエッチングする(図7(b))。
【0016】
その結果、このエッチング時において有機シリコン酸化膜が、400nm削れた時点(図7(c))で、図8に示すように、終点検出モニタの発光強度の変化をみることができる。図8は、発光確認モニタの発光強度と時間との関係を示す特性図である。この特性図を説明すると、有機シリコン酸化膜を二回目塗布して熱処理を行う際に、二層目の膜3、一層目の膜4からは有機シリコン酸化膜から放出されるCが少なく(▲1▼の領域、▲3▼の領域)、改質層5(▲2▼の領域)は、C又はOが多い、例えば、SOG膜などの有機シリコン酸化膜が形成されるので、▲2▼の領域でCOの発光が確認されたと考えられる。改質層5の内容によって図8のモニタ曲線は、異なり、▲2▼の領域において、Cが多いときには、発光強度は、高く、Oが多いときには発光強度は低くなっている。つまり、一層目4と二層目3は、同じ発光特性を示し、改質層5のみ発光強度が変化するのでこの部分でエッチ終点が容易に検出できる。
この実施例では、一層目、二層目ともに400℃で成膜しているが、ほぼ同じ温度で一層目と二層目を成膜するのであれば所定の範囲内で成膜温度を変化させても終点検出モニタの発光強度の変化を確認することができる。これにより、改質層を用いることで発光深さを制御することができる。また、熱処理温度を一層目と二層目とはほぼ同じ温度に設定すると、改質層での波形の変化が見易い。
【0017】
表面改質方法により改質層5を形成する手段を次(▲1▼〜▲5▼)に示す。▲1▼O2 、N2 、COなどの各単一ガス又はこれらの混合ガスを用いたRIE処理により改質層を形成する。▲2▼CF系、O2 などの各単ガス又はこれらの混合ガスを用いたアッシャー処理を行うことにより改質層を形成する。▲3▼CF系、O2 などの各単一ガス又はこれらの混合ガスによりCDE(Chemical Dry Etching)処理により改質層を形成する。▲4▼HF酸もしくは弗酸蒸気などを用いたウエットエッチング処理により改質層を形成する。▲5▼電子線もしくはエネルギー波などを用いて表面照射することにより改質層を形成する。これらの表面改質方法により、C又はOが多い改質層が形成される。
この改質層を介在させ、上記した条件でエッチングを行うことにより、図7に示す様に、有機シリコン酸化膜を400nmエッチングを行った時点でCOの発光を確認でき、これにより終点検出が行われる。この時、終点検出モニタの波長は、COの検出できる370(nm)としているが、COの発光が検出できる451、484、520、561(nm)としても良い。
この実施例は、エッチングのガス条件として、CF4 /CHF3 3ガスを使用しているが、C4 F8 /CO/Ar/02 、CF4 /CO等の条件に変えても同様の効果を得ることができた。
【0018】
この実施例は、配線パタ−ンを使用したが、コンタクトホ−ルパタ−ン及びその他のパタ−ンにおいても同様の傾向が得られる。
この実施例では、SOG膜のような有機シリコン酸化膜を用いているが、成膜温度、エッチング条件を最適化させることにより無機シリコン酸化膜、シリコン窒化酸化膜などを用いても同様に本発明の終点検出が行うことができる。
また、この実施例ではフォトレジストマスクを使用しているが、マスクをシリコン窒化膜マスク、カ−ボンマスクもしくはメタルマスク(アルミマスク、ポリシリコン、ニオブマスク、銅マスクなど)でも同様の効果が得られる。
【0019】
次に、図9及び図10を参照してエッチングの終点検出を説明する。
この実施例では改質層を層間絶縁膜の下層部分と上層部分の中間に形成し、しかも上層部分を下層部分より薄くすることを特徴としている。
まず、有機シリコン酸化膜の内膜厚600nmの一層目4を塗布した後、厚さ20nm程度の改質膜5を形成する。その後、エッチング深さの制御を行う膜厚で有機シリコン酸化膜の二層目3を200nm程度塗布する。この一層目4及び二層目3から構成され改質層5を間に挟む有機シリコン酸化膜の上に反射防止膜2を形成する。この反射防止膜2にフォレジスト膜1を形成し、これを配線形状にパターニングをする(図9(a))。有機シリコン酸化膜を塗布する際に、一層目の膜4は、400℃、二層目の膜3は、400℃で熱処理を行っている。
次に、図1に示すエッチング装置を用いて配線の溝加工を行う。終点検出装置19を使用し、モニタにより、COの発光が検出できるように370(nm)の波長に合わせている。この実施例のエッチング条件として、40(mTorr)、1400(W)、CF4 /CHF3 =25/75(sccm)、下部電極温度20℃で行っている。まず、反射防止膜2を加工してから、層間絶縁膜の第1層目の膜3をエッチングする(図9(b))。
【0020】
その結果、このエッチング時において有機シリコン酸化膜が、400nm削れた時点(図9(c))で、図10に示すように、終点検出モニタの発光強度の変化をみることができる。図10は、発光確認モニタの発光強度と時間との関係を示す特性図である。この特性図を説明すると、有機シリコン酸化膜を二回目塗布して熱処理を行う際に、二層目の膜3、一層目の膜4からは有機シリコン酸化膜から放出されるCが少ない(▲1▼の領域、▲3▼の領域)、改質層5(▲2▼の領域)は、C又はOが多い、例えば、SOG膜などの有機シリコン酸化膜が形成されるので、▲2▼の領域でCOの発光が確認されたと考えられる。改質層5の内容によって図10のモニタ曲線は、異なり、▲2▼の領域において、Cを多く有するときには、発光強度は高く、Oを多く有するときには発光強度は低くなっている。つまり、一層目4と二層目3は、同じ発光特性を示し、改質層5のみ発光強度が変化するのでこの部分でエッチング終点が容易に検出できる。
この実施例では、一層目、二層目ともに400℃で成膜しているが、ほぼ同じ温度で一層目と二層目を成膜するのであれば所定の範囲内で成膜温度を変化させても終点検出モニタの発光強度の変化を確認することができる。これにより、改質層を用いることで発光深さを制御することができる。
【0021】
表面改質方法により改質層5を形成する手段は、図7の場合と同じである。
この改質層を介在させ、上記した条件でエッチングを行うことにより、図9に示す様に、有機シリコン酸化膜を400nmエッチングを行った時点でCOの発光を確認でき、これにより終点検出が行われる。この時、終点検出モニタの波長は、COの検出できる370(nm)としているが、COの発光が検出できる451、484、520、561(nm)としても良い。
この実施例は、エッチングのガス条件として、CF4 /CHF3 3ガスを使用しているが、C4 F8 /CO/Ar/02 、CF4 /CO等を使用しても同様の効果を得ることができた。
このように、配線溝の配線加工を200nmとしたい場合には、上層部分の二層目を200nm厚に有機シリコン酸化膜を塗布する。これににより、終点検出モニタで有機シリコン酸化膜が200nm削れた時に、図7の場合と同様に発光強度の変化を確認することができた。この実施例では200nm厚及び400nm厚の膜厚制御を行っているが、深さに応じて、この実施例の方法を用いれば深さの制御性の高いエッチングを行うことができる。
また、この実施例では二層の膜を用いた終点検出方法について述べているが、用途に合わせて、三層以上の検出方法の使用も可能である。
【0022】
次に、図11及び図12を参照して第3の実施例を説明する。
この実施例では改質層とは異なる層間絶縁膜とは別な非常に薄い有機シリコン酸化膜を層間絶縁膜の下層部分と上層部分の中間に形成することを特徴としている。
まず、有機シリコン酸化膜の内膜厚400nmの一層目4を塗布した後、薄い膜6を形成する。その後、エッチング深さの制御を行う膜厚で有機シリコン酸化膜の二層目3を400nm程度塗布する。この一層目4及び二層目3から構成され薄い膜6を間に挟む有機シリコン酸化膜の上に反射防止膜2を形成する。この反射防止膜2にフォレジスト膜1を形成し、これを配線形状にパターニングをする。また、有機シリコン酸化膜を塗布する際に、一層目、二層目ともに400℃で熱処理を行っている。この時、有機シリコン酸化膜6がCの含有量の多い膜を用いる。第2の実施例と同様に熱処理温度を同じにすると波形の変化が見易いという効果がある。
【0023】
次に、図1に示すエッチング装置を用いて配線の溝加工を行う。終点検出装置19を使用し、モニタにより、COの発光が検出できるように370(nm)の波長に合わせている。この実施例のエッチング条件として、40(mTorr)、1400(W)、CF4 /CHF3 =25/75(sccm)、下部電極温度20℃で行っている。まず、反射防止膜2を加工してから、層間絶縁膜の第1層目の膜3をエッチングする(図11(b))。
その結果、このエッチング時において有機シリコン酸化膜が、400nm削れた時点(図11(c))で、図12に示すように、終点検出モニタの発光強度の変化をみることができる。図12は、発光確認モニタの発光強度と時間との関係を示す特性図である。この特性図を説明すると、有機シリコン酸化膜を二回目塗布して熱処理を行う際に、二層目の膜3、一層目の膜4からは有機シリコン酸化膜から放出されるCが少なく(▲1▼の領域、▲3▼の領域)、薄い膜6(▲2▼の領域)は、C又はOが多い膜が形成されるので、▲2▼の領域でCOの発光が確認されたと考えられる。薄い膜6の内容によって図12のモニタ曲線は、異なり、▲2▼の領域において、Cが多いときには、発光強度は高く、Oが多いとき(有機シリコン酸化膜のCの含有量の少ないもの)には発光強度は低くなっている。つまり、一層目4と二層目3は、同じ発光特性を示し、薄い膜6のみ発光強度が変化するのでこの部分でエッチ終点が容易に検出できる。
【0024】
この実施例では、一層目、二層目を400℃で成膜しているが、他の温度で成膜温度を変化させても終点検出モニタの発光強度の変化を確認することができる。これにより、薄い膜6を用いることで発光深さを制御することができる。
この薄い膜を介在させ、上記した条件でエッチングを行うことにより、図11に示す様に、有機シリコン酸化膜を400nmエッチングを行った時点でCOの発光を確認でき、これにより終点検出が行われる。この時、終点検出モニタの波長は、COの検出できる370(nm)としているが、COの発光が検出できる451、484、520、561(nm)としても良い。
この実施例は、エッチングのガス条件として、CF4 /CHF3 3ガスを使用しているが、C4 F8 /CO/Ar/02 、CF4 /CO等を使用しても同様の効果を得ることができた。
上の例では薄い膜6に有機シリコン酸化膜を用いているが、有機膜(シルクなど)のCの非常に多く含む材料を使用することで発光確認が非常に効果的になることがわかった。
【0025】
この実施例は、配線パタ−ンを使用したが、コンタクトホ−ルパタ−ン及びその他のパタ−ンにおいても同様の傾向が得られる。
この実施例では、SOG膜のような有機シリコン酸化膜を用いているが、成膜温度、エッチング条件を最適化させることにより無機シリコン酸化膜、シリコン窒化酸化膜などを用いても同様に本発明の終点検出が行うことができる。
また、この実施例ではフォトレジストマスクを使用しているが、マスクをシリコン窒化膜マスク、カ−ボンマスクもしくはメタルマスク(アルミマスク、ポリシリコン、ニオブマスク、銅マスクなど)でも同様の効果が得られる。
次に、薄い膜の形成方法及び組成を説明する。
例えば、有機シリコン酸化膜に二回塗布する際に、図6に示すと同じ様に、一度有機シリコン酸化膜を塗布し一層非常にCの含有量の異なる有機シリコン酸化膜の薄い膜を引いた後、エッチング深さの制御を行う膜厚に二回目の有機シリコン酸化膜の塗布を行う。二層目の有機シリコン酸化膜を塗布した後の処理は他の実施例と同じである。この一層非常に薄い膜として、次に示すようなC及びOが多い同種類の層間絶縁膜を使用して終点検出を実施することができる。▲1▼有機シリコン酸化膜と誘電率が同等の有機シリコン酸化膜にチタン酸化物(Ti02 )を含有させた膜。▲2▼無機シリコン酸化膜。▲3▼シリコン酸化膜。
【0026】
この実施例では、層間絶縁膜として有機シリコン酸化膜を用いたが、無機シリコン酸化膜、シリコン酸化膜においても、CもしくはOが多い同種類の層間絶縁膜を挟み、二層目の膜厚にエッチングする場合において、エッチング深さの制御を行う膜厚に二層目の膜を成膜させることで、エッチング深さの制御を発光により確認することが可能になる。
また、この実施例では二層の膜についての終点検出方法について説明しているが、用途に合わせて三層以上の検出方法を用いても良い。
また、この実施例では配線パタ−ンを使用したが、コンタクトホ−ルパタ−ン及び、その他のパタ−ンにおいても同様の効果が得られる。
この実施例ではフォトレジストをマスクに使用しているが、マスクはハ−ドマスク(シリコン窒化膜マスク)及びメタルマスク(アルミマスク、ポリシリコン、ニオブマスク、銅マスク)でも良い。
【0027】
【発明の効果】
本発明は、埋め込み配線などを形成するために層間絶縁膜の部分エッチングを行う工程において、所定の深さの配線溝を得るために、層間絶縁膜のエッチングされるべき上層部分の膜質とこの上層部分に接する部分の膜質を変えることにより、エッチング生成物より発光される光の変化を検出し、この検出結果に基づいてエッチングの終点検出を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に用いられるマグネトロンRIE装置の概略断面図。
【図2】本発明のエッチング工程を説明する工程断面図。
【図3】本発明の終点検出方法における発光強度とエッチング時間との関係を示す特性図。
【図4】本発明のエッチングを説明する工程断面図。
【図5】本発明の終点検出方法における発光強度とエッチング時間との関係を示す特性図。
【図6】本発明のエッチング工程を説明する工程断面図。
【図7】本発明のエッチング工程を説明する工程断面図。
【図8】本発明の終点検出方法における発光強度とエッチング時間との関係を示す特性図。
【図9】本発明のエッチング工程を説明する工程断面図。
【図10】本発明の終点検出方法における発光強度とエッチング時間との関係を示す特性図。
【図11】本発明のエッチング工程を説明する工程断面図。
【図12】本発明の終点検出方法における発光強度とエッチング時間との関係を示す特性図。
【図13】従来の半導体装置の製造工程断面図。
【図14】従来の半導体装置の製造工程断面図。
【図15】本発明のエッチング処理後の工程を説明する工程断面図。
【符号の説明】
1、102・・・フォトレジスト膜、 2・・・反射防止膜、
3・・・層間絶縁膜の上部分、 4・・・層間絶縁膜の下部分、
5・・・改質層、 6・・・薄い膜、 7、104・・・窒化チタン膜、
8、105・・・タングステン膜、 10・・・真空チャンバ、
12・・・被処理物、 13・・・載置台、 14・・・対向電極、
15・・・ガス導入管、 16・・・排気口、 17・・・高周波電極、
18・・・磁石、 19・・・終点検出装置(発光検出装置)、
100・・・半導体基板、 101・・・シリコン酸化膜、
103・・・配線溝。
Claims (2)
- 半導体基板上に、同じ材質からなる上層及び下層の絶縁膜をそれぞれ熱処理温度を変えて順次積層形成する工程と、
前記絶縁膜の前記上層をエッチングして開口部を形成する工程と、
前記絶縁膜のエッチングにおいて発光される光の変化に応じてエッチングを停止する工程と、
前記開口部内に導電材を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に下層の絶縁膜を形成する工程と、
前記下層の絶縁膜の表面をエッチング処理して改質層を形成する工程と、
前記改質層上に上層の絶縁膜を形成する工程と、
前記上層の絶縁膜をエッチングして開口部を形成する工程と、
前記上層の絶縁膜のエッチングにおいて発光される光の変化に応じてエッチングを停止する工程と、
前記開口部内に導電材を形成する工程を具備し、
前記改質層は、前記上層の絶縁膜よりも炭素又は酸素を多く含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27045099A JP3676140B2 (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | エッチング終点検出方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27045099A JP3676140B2 (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | エッチング終点検出方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001093878A JP2001093878A (ja) | 2001-04-06 |
JP3676140B2 true JP3676140B2 (ja) | 2005-07-27 |
Family
ID=17486466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27045099A Expired - Fee Related JP3676140B2 (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | エッチング終点検出方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3676140B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4704364B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2011-06-15 | 株式会社アルバック | エッチング方法 |
-
1999
- 1999-09-24 JP JP27045099A patent/JP3676140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001093878A (ja) | 2001-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6232209B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
EP0436387B1 (en) | Single chamber via etch through a dual-layer dielectric | |
JP3669681B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US5081064A (en) | Method of forming electrical contact between interconnection layers located at different layer levels | |
US6007733A (en) | Hard masking method for forming oxygen containing plasma etchable layer | |
US6174800B1 (en) | Via formation in a poly(arylene ether) inter metal dielectric layer | |
JP2002525840A (ja) | 特に銅デュアルダマシーンに有用な原位置統合酸化物エッチングプロセス | |
US6362093B1 (en) | Dual damascene method employing sacrificial via fill layer | |
JP4024636B2 (ja) | 有機系絶縁膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
TWI236094B (en) | Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device | |
JP3946471B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3676140B2 (ja) | エッチング終点検出方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP3403058B2 (ja) | 配線形成方法 | |
US9384979B2 (en) | Apparatus for the deposition of a conformal film on a substrate and methods therefor | |
US6803307B1 (en) | Method of avoiding enlargement of top critical dimension in contact holes using spacers | |
JP3371170B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6177286B1 (en) | Reducing metal voids during BEOL metallization | |
JP3239460B2 (ja) | 接続孔の形成方法 | |
JP2001284327A (ja) | ドライエッチング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4308018B2 (ja) | エッチング方法 | |
JPH09321024A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH07297281A (ja) | 接続孔の製造方法 | |
JP2002158213A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3376965B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3877461B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050427 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090513 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090513 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100513 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110513 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110513 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120513 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120513 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130513 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130513 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |