JP3667062B2 - 炭化ホウ素焼結体の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライエッチングプロセスやハロゲンプラズマ等のプラズマ雰囲気中での成膜プロセスで使用される電極、治具等の半導体製造装置用部品、産業機械用の各種治工具、各種耐磨耗部品などに使用される、高純度高強度の炭化ホウ素焼結体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、炭化ホウ素焼結体は、その優れた導電性と耐プラズマ特性から、ドライエッチング装置用電極に使用することが提案されている(特開平1−59818号公報参照)。この炭化ホウ素焼結体は、一般に純度が99.5%、平均粒径100μmの炭化ホウ素紛末を、添加物を用いずに黒鉛ダイスに充填したのち、ホットプレス焼成にて作製する。
【0003】
一方、緻密な焼結体を作製する手法としては、1μm以下の粒度分布をもつ粉末状炭化ホウ素に遊離炭素を0.5〜10%混合した理論密度の90%以上の密度を有する焼結体が提案されている(特公昭58−30263号公報参照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、添加物を用いない上記炭化ホウ素焼結体は開気孔率が20%あり、焼結体自体の強度が不足している。また、遊離炭素のみを添加した焼結体は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属を多く含んでおり、それらが製品を汚すため半導体製造装置用として使用するには問題があった。
【0005】
従って、本発明は、高純度、緻密及び高強度の炭化ホウ素焼結体の製造方法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の炭化ホウ素焼結体の製造方法は、平均粒径が5μm以下の炭化ホウ素粉末に、平均粒径が1μm以下の炭化ケイ素粉末及び/又は熱分解で炭化ケイ素に変化し得る有機ケイ素化合物を0.05〜5重量%、熱分解によって炭素に変化し得る有機化合物を炭素換算で0.5〜5重量%の割合で混合し、この混合物を所定形状に成形した後、1600℃〜2100℃の温度で、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属元素が各々100ppm以下になるように5Pa以下の真空中で純化処理し、その後2250℃以下の温度のアルゴンガス中で焼成して、相対密度96%以上に緻密化することを特徴とするものであり、上記構成により、半導体製造装置用の治具やサセプターに使用した際に、Si等からなる半導体にアルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属元素が付着、侵入して汚染することがなく、また強度が高いものとなる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の炭化ホウ素焼結体は、アルカリ金属(Li,Na,K,Rb,Cs等)、アルカリ土類金属(Be,Mg,Ca,Sr,Ba等)及び遷移金属元素{Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,Ag,Cd,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Au,Hg,ランタノイド元素(La,Ce,Pr,Nd等),アクチノイド元素(Ac,Th,Pa等)}の含有量が各々100ppm以下、好ましくは50ppm以下、より好ましくは10ppm以下である点が大きな特徴である。100ppmよりも多いと半導体製造装置に使用した場合に、半導体製造時に製品を汚染して、半導体の特性を劣化させてしまう。
【0010】
また、本発明の炭化ホウ素焼結体は相対密度が96%以上であり、好ましくは98%以上の緻密体からなる。前記相対密度が96%よりも小さいと強度が低下してしまう。ここで、前記相対密度は理論密度に対する百分率で表したものであり、炭化ホウ素焼結体の理論密度はその製造条件により若干異なるが、約2.50〜約2.52g/cm3 程度である。
【0011】
また、本発明の炭化ホウ素焼結体には、半導体の製造時に問題が発生しないケイ素化合物を0.05〜5重量%含有する。前記ケイ素化合物は焼結助剤として使用し、この量が0.05重量%よりも小さいと緻密化が難しく、5重量%を越えると炭化ホウ素が粒子成長を起こし、強度を低下させてしまう。このケイ素化合物は炭化ケイ素であることが好ましく、炭化ケイ素は真空中でも高温まで安定性に優れる。
【0012】
かかる高純度で高強度な炭化ホウ素焼結体を作製する方法は、以下の(1)〜(3)の工程からなる。
【0013】
(1)平均粒径が5μm以下の炭化ホウ素粉末に、平均粒径が1μm以下の炭化ケイ素粉末及び/又は熱分解で炭化ケイ素に変化し得る有機ケイ素化合物を0.05〜5重量%、熱分解によって炭素に変化し得る有機炭素化合物を炭素換算で0.5〜5重量%の割合で混合する。以下、上記炭化ケイ素粉末、有機ケイ素化合物をまとめて炭化ケイ素源ともいう。
【0014】
この場合、炭化ホウ素粉末の平均粒径は5μm以下、好ましくは2μm以下、より好ましくは1μm以下である。この平均粒子径が5μmを超えると、緻密化不足を招いて、強度低下を引き起こす。
【0015】
平均粒径が1μm以下の炭化ケイ素及び/又は熱分解で炭化ケイ素に変化し得る有機ケイ素化合物の添加量は、炭化ケイ素換算で0.05〜5重量%、好ましくは0.1〜2重量%、より好ましくは0.2%〜1重量%である。この量が0.05重量%よりも小さいと緻密化が難しく、5重量%を超えると炭化ホウ素が粒子成長を起こし、強度を低下させてしまう。
【0016】
前記有機ケイ素化合物としては、ポリカルボシラン,ポリシラスチレン,ポリシラザン,ポリカルボシラザン等が好ましく使用できる。
【0017】
次に熱分解によって炭素に変化し得る有機化合物(以下、炭素源ともいうい)の添加量は、炭素換算で0.5〜5重量%、好ましくは1〜4重量%の割合で混合する。0.5重量%よりも小さいと緻密化が難しく、5重量%を超えると逆に炭化ホウ素の粒子成長を抑制し、緻密化を阻害する。
【0018】
前記炭素に変化し得る有機化合物としては、コールタールピッチ,フルフリルアルコール,コーンスターチ,糖類,フェノール樹脂等が良い。
【0019】
(2)次に、これらの混合物を、例えば金型プレス、冷間静水圧プレス、射出成形、押出し成形等により任意の形状に成形する。所定形状に成形した後、1600℃〜2100℃の温度で、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属元素が各々100ppm以下になるように、5Pa(パスカル)以下、好ましくは1Pa以下の真空中で純化処理する。5Paを超えると、不純物を除去するのに不十分である。
【0020】
前記純化処理の温度は1600℃〜2100℃であるが、好ましくは1800℃〜2000℃であり、1600℃よりも低いと金属不純物が少なくならず、2100℃を超えると添加したケイ素化合物が飛び、緻密化を阻害し、強度低下を引き起こす。
【0021】
(3)その後、2250℃以下の温度で焼成して、相対密度96%以上に緻密化する。
【0022】
前記焼成温度は、好ましくは1900℃〜2100℃であり、アルゴンガス中で焼成する。焼成温度が2250℃を超えると、炭化ホウ素が粒子成長し、強度低下を招く。
【0023】
かくして、本発明は、高純度で緻密された高強度の炭化ホウ素焼結体を提供でき、半導体装置製造用の治具やサセプターに使用した場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属元素による半導体の汚染がほとんどないという作用効果を有する。
【0024】
本発明の炭化ホウ素焼結体は、導電性を有する高強度の材料であり、ドライエッチングプロセスやハロゲンプラズマ等のプラズマ雰囲気中での成膜プロセスで使用される電極、サセプター等の治具などの半導体製造装置用部品、半導体製造装置用チャンバー(壁体)、産業機械用の各種治工具、各種耐磨耗部品、精密加工用部品として好適に使用できる。
【0025】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更は何等差し支えない。
【0026】
【実施例】
本発明の実施例を以下に説明する。
【0027】
(実施例)
炭化ホウ素粉末として、Na,Ca,Feの含有量がそれぞれ840ppm、120ppm、300ppmで、平均粒径が0.8μmのもの(A−1:シュタルクビテック(株)製商品名HS)を用いた。
【0028】
炭化ケイ素粉末としては平均粒径0.6μmのもの(B−1:屋久島電工(株)製商品名OY−15)と、高温熱分解で炭化ケイ素に変化するもの(B−2:日本カーボン(株)製商品名ポリカルボシラNIPUSI−S)を用いた。尚、前記B−2は有機溶媒に溶解させて使用した。
【0029】
炭素源としては、炭化率が40%のフェノール樹脂(C−1:住友デゥレス(株)製)を用いた。このC−1も有機溶媒に溶解させて使用した。
【0030】
比較例として、炭化ホウ素粉末として結晶粒径が20μmのもの(A−2:電気化学工業(株)製商品名F3)、炭化ケイ素粉末として平均粒径が5μmの粉末(B−3:昭和電工(株)製)と、炭素粉末として結晶粒径が400Åのもの(C−2:電気化学工業(株)製商品名アセチレンブラック デンカブラック)を用いた。
【0031】
そして、上記炭化ホウ素粉末、炭化ケイ素源、炭素源を表1に示す組み合わせ及び配合量で秤量し、プラスチックボールを用いて有機溶媒中で混合し、エバポレーターを用い乾燥粉末を得た。尚、表1においてwt%は重量%を意味し、また※印を付した試料番号のものは本発明の範囲外のもの(比較例)である。
【0032】
【表1】
【0033】
焼成は、ホットプレス(HP)焼成装置と雰囲気焼成(PLS)装置を用いた。ホットプレス焼成の場合は、炭化ホウ素粉末、炭化ケイ素源、炭素源からなる粉末をカーボン型に入れ、表1に示す温度で2時間純化処理をし、その後30MPa(メガパスカル)の圧力下で表1の焼成温度で2時間保持し、焼成した。
【0034】
雰囲気焼成の場合は、炭化ホウ素粉末、炭化ケイ素源、炭素源からなる粉末を3t/cm2 (t:トン)の圧力で静水圧処理をして成形体を作製し、表1に示す温度で2時間純化処理し、その後表1に示す焼成温度で3時間保持し、焼成した。
【0035】
得られた焼結体から試験片を切り出し、研磨加工した。そして、比重を求め(JISR2205に基づく)、相対密度を求めた。焼結体の強度(抗折強度)は4点曲げ試験より室温での強度を求めた(JISR1601に基づく)。また、2つの試料を粉砕し、ICP発光分光(Inductive Coupled Plasma Atomic Emission Spectroscopy )分析法にて、Na,Ca,Fe量を測定した。
【0036】
表1によると、炭化ケイ素や炭素を含まない試料NO.1〜4は密度が低く、強度も低かった。炭化ケイ素の含有量が5重量%を超える試料NO.12は強度が低下し、炭素の含有量が10重量%を超える試料NO.18は密度が低下し、強度も低下した。
【0037】
また、平均粒径が5μmを超える炭化ホウ素粉末(A−2)を用いた試料NO.23は強度が低下し、平均粒径が1μmを超える炭化ケイ素(B−3)、粉末状の炭素(C−2)を用いた試料NO.25、NO.28は密度が低下し、強度が低下していた。
【0038】
更に、純化処理温度が1600℃より低い試料NO.19は不純物量が多く、純化処理温度が2100℃を超える試料NO.22は密度が低下し、強度も低下した。
【0039】
一方、平均粒径が5μm以下の炭化ホウ素粉末(A−1)を用い、平均粒径が1μm以下の炭化ケイ素(B−l)及び/又は熱分解で炭化ケイ素に変化し得る有機ケイ素化合物(B−2)を0.05〜5重量%、熱分解によって炭素に変化し得る有機化合物(C−1)を炭素換算で0.5〜5重量%の割合で混合し、その混合物を所定形状に成形した後、1600℃〜2100℃の温度で真空中で純化処理し、その後2250℃以下の温度で焼成した、本発明の試料は、いずれも相対密度96%以上、4点曲げ強度が200MPa以上と強度も高く、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属元素が各々100ppm以下と高純度であった。
【0040】
【発明の効果】
本発明は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属元素の含有量が各々100ppm以下であり、相対密度が96%以上であることにより、優れた抗折強度と高純度を有することから、半導体製造装置用の治具やサセプター、特にハロゲンプラズマに対する耐食性に優れることからハロゲンプラズマ中で使用される治具等の精密加工品に好適に使用できる。
Claims (1)
- 平均粒径が5μm以下の炭化ホウ素粉末に、平均粒径が1μm以下の炭化ケイ素粉末及び/又は熱分解で炭化ケイ素に変化し得る有機ケイ素化合物を0.05〜5重量%、熱分解によって炭素に変化し得る有機化合物を炭素換算で0.5〜5重量%の割合で混合し、この混合物を所定形状に成形した後、1600℃〜2100℃の温度で、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属元素が各々100ppm以下になるように5Pa以下の真空中で純化処理し、その後2250℃以下の温度のアルゴンガス中で焼成して、相対密度96%以上に緻密化することを特徴とする炭化ホウ素焼結体の製造方法。
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JP2002226274A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-14 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性セラミック材料、その製造方法および半導体製造用製品 |
WO2004110685A2 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-23 | Georgia Tech Research Corporation | Processes and methods of making boron carbide and boron carbide components |
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US4005235A (en) * | 1975-11-17 | 1977-01-25 | General Electric Company | Dense sintered boron carbide containing beryllium carbide |
US4081284A (en) * | 1976-08-04 | 1978-03-28 | General Electric Company | Silicon carbide-boron carbide sintered body |
DE2751998A1 (de) * | 1977-11-22 | 1979-05-23 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Verfahren zur herstellung von polykristallinen dichten formkoerpern aus borcarbid durch drucklose sinterung |
US4320204A (en) * | 1981-02-25 | 1982-03-16 | Norton Company | Sintered high density boron carbide |
DE3218052A1 (de) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München | Polykristalline, praktisch porenfreie sinterkoerper aus (alpha)-siliciumcarbid, borcarbid und freiem kohlenstoff und verfahren zu ihrer herstellung |
US5039633A (en) * | 1989-09-14 | 1991-08-13 | The Dow Chemical Company | B4C/Al cermets and method for making same |
US5545687A (en) * | 1990-02-21 | 1996-08-13 | Dow Corning Corporation | Preparation of high density boron carbide ceramics with preceramic polymer binders |
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US5554328A (en) * | 1994-12-21 | 1996-09-10 | Composite Materials, Inc. | Method of making heat and impact resistant composite ceramic material |
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