JP3653495B2 - 増幅器を高周波ケーブルに適合させる回路配列および上記回路配列の使用 - Google Patents
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Description
【0001】
従来のシングルトラック出力増幅器では、調整回路を切り替えるために、プラスの電源のほかに外部のマイナス電源が必要で、この点が欠点となっていた。
【0002】
ダブルトラックの増幅器を装備したデュアルバンド携帯電話は、アンテナまで送信部の二重構造が必要不可欠で、コストがかかる。
【0003】
DE3210453 C2には、PIN−ダイオードを使用した信号入力切り替えのいくつかの回路バリエーションが紹介されている。PIN−ダイオードは、それぞれリアクタンツエレメントを介して、信号入力に接続されている。上記ダイオードのもう一方の接続端子は、必要に応じてコンデンサを介して、グランドに接続されている。信号はコイルを介して、トランジスタとして構成されている増幅素子へ送られる。
【0004】
本発明の課題は、増幅器を高周波ケーブルに適合させる回路配列であって、かつ二つの異なる周波数帯用の送信部を備え、外部のマイナス電源を必要としない回路配列を提示することである。また、このような回路配列の使用を提示することも本発明の課題である。
【0005】
本発明では、回路配列に関する課題を、特許請求項1に記載した特徴に従う回路配列によって解決している。
【0006】
この回路配列の使用は、特許請求項6に提示されている。
【0007】
増幅器を高周波ケーブルに適合させる本発明の回路配列は、一方が高周波ケーブルと、また他方が第1のダイオードの接続端子、コイル、および第2のダイオードと接続された第1のコンデンサを備えている。第1のダイオードの第2の接続端子は、第1の電位と接続されている。コイルの第2の接続端子は、第1の抵抗を介して第2の抵抗と、またスイッチング手段を介して、第2の電位と接続されている。第2のダイオードの第2の接続端子は第2の抵抗と、また第2のコンデンサを介して、第1の電位と接続されている。
【0008】
本発明の長所を備えた他の実施例は、関連する下位の特許請求項で提示されている。
【0009】
例えば、第2抵抗とコイルとの間に第3の抵抗を接続できるという利点がある。それにより、第2ダイオードを流れる電流を制限することができる。
【0010】
次に、二つの図を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【0011】
図1で示した、増幅器PAを高周波ケーブルHFLに適合させる回路は、一方が高周波ケーブルHFLと、またもう一方が第1のダイオードD1のプラス極とコイルL1の接続端子、および抵抗R3を介して第2のダイオードD2のマイナス極と接続されている第1コンデンサC1を備えている。第1ダイオードD1のマイナス極は、第1の電位GNDに接続されている。コイルL1の第2の接続端子は、第1の抵抗R1を介して第2の抵抗R2と、またスイッチング手段S1を介して第2の電位Vccと接続されている。第2のダイオードD2のプラス極は第2の抵抗R2と、また第2のコンデンサC2を介して第1の電位GNDと接続されている。第3のコンデンサC3は、増幅器PAの近傍において、一方が高周波ケーブルHFLと、他方が第1の電位GNDと接続されている。第4のコンデンサC4は、増幅器PAから見て、第1のコンデンサC1の後方において、一方が高周波ケーブルHFLと、他方が第1の電位GNDと接続されている。
【0012】
第1ダイオードD1はPIN−ダイオード、第2ダイオードD2はショットキー・ダイオードであることが好ましい。スイッチング手段S1としては、NFトランジスタを使用している。高周波ケーブルHFLは、50オームのケーブルであり、マイクロストリップとして形成されていることが好ましい。
【0013】
900MHz帯(GSM、D1、D2ネット)に適合させる場合には、スイッチS1を閉じることにより、PIN−ダイオードD1に電流を通す。すなわち、抵抗R1と抵抗R2の結線点が第2の電位Vccになる。その結果、PIN−ダイオードD1の抵抗は極めて低くなる。コイルL1およびダイオードD1を流れる電流の大きさは、抵抗R1によって定まる。コイルL1は、高周波信号を遮断する高周波フィルタとして機能する。ダイオードD1に電流が流れた結果、コンデンサC1は第1の電位GNDとほぼ等しくなる。
【0014】
増幅器が1800MHz帯域で作動する場合には、第1の電位GNDよりはるかに高いマイナス電圧をダイオードD1のプラス極にかけることによって、PIN−ダイオードD1の抵抗値を高くし、出力を上げる。第1の電位GNDよりはるかに高いマイナス電圧をダイオードD1にかけるには、スイッチS1を開放する。上記スイッチが開放されると、抵抗R1とR2との結線点にはもはや第2の基準電位Vccがかからず、そのため、コンデンサC2に蓄えられた送信信号のマイナスの半波は、抵抗R2、抵抗R1、コイルL1を介して、コンデンサC1とダイオードD1との間の結線点に達する。コンデンサC2は、以前は、送信信号の半波がマイナスの間は、コンデンサC1、抵抗R3、ダイオードD2を介して電荷が蓄えられていた。その場合、抵抗R3は、高周波の損失を小さくできる大きさのものを選択しなくてはならない。抵抗R2は抵抗値の高いものにしなくてはならない。送信信号の半波がプラスの間には、抵抗R2、R1、コイルL1、ダイオードD1を介して行われる放電を制限することができる。
【0015】
抵抗R3は、電流制限装置として機能する。
【0016】
ショットキーダイオードD2とコンデンサC2とによって整流されているHF電圧のデカップリングは、調整コンデンサとも呼ばれているコンデンサC1を介して行われる。蓄積されたこのマイナス電圧は、ダイオードD1へフィードバックされる。
【0017】
回路が900MHzで使われる場合、ダイオードD1を流れる電流は抵抗R1によって定まる。
【0018】
図2のグラフは、図1の回路の伝達特性を900MHz帯および1.8MHz帯のそれぞれについて示したグラフである。グラフの横軸は200MHz単位で周波数を、縦軸は10dBの単位で減衰を表示している。グラフを見ると、900MHz帯での運転では、送信信号が最適な適合が示されている。また、グラフからは、1.8MHz帯での運転においても、送信信号が最適に適合されていることが見て取れる。
【0019】
1800MHz帯は、しばしばPCNあるいはGSM1800バンドと呼ばれる。
【0020】
本発明の回路は、余分なマイナス電圧源を必要としない点で好ましく、そのため特に、ヘテロ複極トランジスタ(HBTs)を備えた回路には優れた性能を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、増幅器を高周波ケーブルに適合させる本発明の回路を示している。
【図2】 図2は、900MHzおよび1800MHz帯における回路の伝達特性を示した図である。
Claims (6)
- 一方が高周波ケーブル(HFL)、他方が第1ダイオード(D1)の第1の接続端子、コイル(L1)の第1の接続端子、第2ダイオード(D2)の第1の接続端子と接続された第1コンデンサ(C1)を備え、
上記第1ダイオード(D1)の第2の接続端子は、第1の電位(GND)と接続されており、
上記コイル(L1)の第2の接続端子は、第1抵抗(R1)を介して第2抵抗(R2)の第1の接続端子と、またスイッチング手段(S1)を介して第2の電位(Vcc)とも接続されており、
上記第2ダイオード(D2)の第2の接続端子は、第2抵抗(R2)の第2の接続端子と、また第2コンデンサ(C2)を介して第1の電位(GND)と接続されている増幅器を高周波ケーブルに適合させる回路配列。 - 上記第1ダイオード(D1)は、PIN−ダイオードである請求項1に記載の回路配列。
- 上記第2ダイオード(D2)は、ショットキー・ダイオードである請求項1または2に記載の回路配列。
- 上記スイッチング手段(S1)は、NFトランジスタである請求項1〜3の何れか1項に記載の回路配列。
- 上記第2ダイオード(D2)とコイル(L1)との間には、第3の抵抗(R3)が挿入されている請求項1〜4の何れか1項に記載の回路配列。
- 異なる周波数帯に使用できる送信路を備えたデュアルバンド携帯電話に使用する請求項1〜5の何れか1項に記載の回路配列の使用。
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