JP3652668B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、メモリ回路等のデコーダ回路や一致検出回路に用いられるダイナミック型半導体集積回路に関し、特にノア(NOR)型ダイナミック回路にナンド(NAND)型ダイナミック回路を接続した半導体集積回路の高速化技術に関する。また、本発明は、かかる半導体集積回路においてトランジスタの特性劣化を防止する回路配置技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
クロックで同期をとるメモリ回路等のデコーダ回路について、高速化を実現するには、スタティックな構成をとるデコーダ回路の論理段数及びゲート容量を削減するため、ナンド型ダイナミック回路が用いられていた。また、変換索引バッファ(TLB:Translation Lookaside Buffer)やキャッシュのタグ部の比較部などに用いられる、複数のデータ同士を比較し一致しているかを検出する一致検出回路などでは、高速化のため、電圧差を比較する差動型のセンスアンプ方式が用いられていた。例えば、特開平8−528285号公報、特開2000−251479号公報などのような回路方式である。以上で述べた回路は、クロックの論理「H」レベル期間または「L」レベル期間のみ、データを保持するラッチタイプの回路である。
【0003】
クロックの1周期中、デコーダ回路や一致検出回路の出力データを保持するフリップフロップタイプで高速化を実現する回路例としては、IEEE JURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL.SC-22,No.5, OCTOBER 1987に載っている「A True Single-Phase-Clock Dynamic CMOS Circuit Technique」(YUAN JI-REN et.al.)やIEEE JURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL.34. NO.5, MAY 1999に載っている「A New Family of Semidynamic and Dynamic Flip-Flops with Embedded Logic for High-Performance Processors」(Fabian Klass et.al.)に記載されているようなものがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の構成の場合、半導体の微細化に伴い、ナンド型ダイナミック回路のみでは、電源電圧の低電圧化により、高速化を維持するには、直列段数に制限が生じる。また、YUAN JI-REN et.al.やFabian Klass et.al.による、ノア型ダイナミック回路の出力にナンド型ダイナミック回路を接続する方式では、ノア型ダイナミック回路の入力素子が論理「L」レベルであると、クロックが論理「L」レベルから論理「H」レベルに遷移する期間は、ノア型ダイナミック回路の出力ノードはフローティング状態となり、次段のナンド型ダイナミック回路の出力が論理「L」レベルになり、ノア型ダイナミック回路の出力ノードとナンド型ダイナミック回路との間に生じるカップリング容量が電荷を保持するため、ノア型ダイナミック回路の出力電圧が低下し、動作速度が悪化するという問題があった。
【0005】
また、一致検出回路で、アナログ素子を用いる方式では、微細化のスケーリング則により、デバイス面積を縮小すると素子の特性ばらつきが増大し、動作が不安定になる。一方、素子の動作を安定化させると、デバイスの面積増大によって、配線などが長くなり、高速化が困難になる。
【0006】
ところで、半導体の微細化に伴って別の問題が生じる。すなわち、各トランジスタ間または各回路ブロック間を分離するために、半導体基板に浅いトレンチ分離領域(STI:Shallow Trench Insulator)を形成する際に、MOS型トランジスタのソースまたはドレインを構成する拡散領域の特性である分子構造の格子定数が歪むということが現在のところ問題となっている。これにより、STIに近い領域に形成されるトランジスタの拡散領域にストレスがかかり、電荷移動度が低下し、電流能力(Ids)が低下し、閾値電圧(Vth)が上昇することになる。つまり、STIに近いトランジスタ、トランジスタ−トランジスタ間の拡散容量部の間隔が狭いトランジスタは特性が劣化することになる。
【0007】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ノア型ダイナミック回路にナンド型ダイナミック回路を接続した方式で、高速化を実現するとともに、ナンド型ダイナミック回路の出力に生じるグリッチをなくし、安定な動作と低消費電力化を実現し、また微細化プロセスによってトランジスタの特性劣化が生じない半導体集積回路を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第1の半導体集積回路は、第1のクロック(CLK1)および第1の複数のデータ(ADR[0−4])が入力され、第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、第1の複数のデータがすべて一致する場合、第1の出力ノードの電荷を保持し、第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、第1の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のクロック(CLK2、CLK3)および第1の出力ノードからの信号が入力され、第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、第1の出力ノードの電荷が保持された場合、第2の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのナンド(NAND)型ダイナミック回路と、第1の出力ノードが電荷を保持している状態で、第2の出力ノードが電荷を放電した時に生ずる、第1の出力ノードと第2の出力ノードとの間に形成されるカップリング容量による第1の出力ノードの電圧低下を補償する補償回路とを備えたことを特徴とする。
【0009】
この構成によれば、すべてスタティック回路で構成したデコーダに比べ、論理段数が削減される。また、ナンド型ダイナミック回路により、スタティックなナンド回路を設けた場合よりも、第2のクロックが入力されるゲートの負荷容量、またはノア型ダイナミック回路の出力ノードに接続されるナンド型ダイナミック回路のゲートの負荷容量が削減される。さらに、補償回路によって、ノア型ダイナミック回路の出力ノードの電圧低下を補償することで、動作速度を高速化することができる。
【0010】
第1の半導体集積回路において、補償回路は、第2の出力ノードの電荷が放電された場合、第1の出力ノードに電荷を充電するフィードバック回路を備えることが好ましい。
【0011】
この構成によれば、ナンド型ダイナミック回路の出力ノードの信号が論理「H」レベルから「L」レベルに遷移する間に、カップリング容量による電圧低下を補償して、ノア型ダイナミック回路の出力ノードの電圧レベルを上昇させることができ、高速化が実現できる。
【0012】
第1の半導体集積回路において、ノア型ダイナミック回路は、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが接地された第1のN型MOSトランジスタと、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、第1の複数のデータがそれぞれのゲートに供給され、それぞれのソースに第1のN型MOSトランジスタのドレインが接続され、それぞれのドレインに第1のP型MOSトランジスタのドレインが接続されて第1の出力ノードを成す第2の複数のN型MOSトランジスタとを具備することが好ましい。
【0013】
この構成によれば、各トランジスタの直列段数は2段以下となり、低電圧でも、高速化が実現できる。
【0014】
第1の半導体集積回路において、補償回路は、ゲートがナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードに接続され、ソースが電源に接続され、ドレインがノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに接続されたP型MOSトランジスタを具備することが好ましい。
【0015】
この構成によれば、P型MOSトランジスタが、論理「H」レベルから「L」レベルに遷移する、ナンド型ダイナミック回路の出力ノードの信号を受けて、ノア型ダイナミック回路の出力ノードを充電することで、カップリング容量による電圧低下を補償して、ノア型ダイナミック回路の出力ノードの電圧レベルを上昇させることができ、高速化が実現できる。
【0016】
第1の半導体集積回路において、補償回路は、ナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードが入力端子に接続されたインバータと、ゲートがインバータの出力端子に接続され、ソースおよびドレインがノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに共通接続されたN型MOSトランジスタを具備することが好ましい。
【0017】
この構成によれば、カップリング容量によるノア型ダイナミック回路の出力ノードの電圧低下を補償することができるとともに、インバータのファンインとファンアウトの比率を小さくすることで、インバータの出力電圧のスリューレートを非常に急峻にすることができ、瞬時にノア型ダイナミック回路の出力ノードの電圧を昇圧することができ、更なる高速化を実現することができる。
【0018】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第2の半導体集積回路は、第1のクロック(CLK1)および第1の複数のデータ(ADR[0−4])が入力され、第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、第1の複数のデータがすべて一致する場合、第1の出力ノードの電荷を保持し、第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、第1の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のクロック(CLK2、CLK3)および第1の出力ノードからの信号が入力され、第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、第1の出力ノードの電荷が保持された場合、第2の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのナンド(NAND)型ダイナミック回路とを備え、第1のクロックと第2のクロックは同相であること、または、第1のクロックと第2のクロックは同一であり、第1および第2のクロックの立ち上がり時間が、ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードの電荷放電時間よりも長いことを特徴とする。
【0019】
第2の半導体集積回路において、第2のクロックは、供給開始と停止の制御が行われることが好ましい。
【0020】
上記の構成によれば、ノア型ダイナミック回路の出力ノードの負荷容量が大きい場合でも、ナンド型ダイナミック回路の出力に生じるグリッチをなくし、1系統のクロックのみで、安定な動作と低消費電力化が可能となる。
【0021】
第2の半導体集積回路は、第2のノア型ダイナミック回路と、第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から第2のクロックを供給するインバータを備え、第2のノア型ダイナミック回路は、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが接地された第3のN型MOSトランジスタと、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、1つのゲートが電源に接続され、残りのゲートが接地され、それぞれのソースに第3のN型MOSトランジスタのドレインが接続され、それぞれのドレインに第2のP型MOSトランジスタのドレインが接続されて第3の出力ノードを成す第4の複数のN型MOSトランジスタとを具備することが好ましい。この場合、第4の複数のN型MOSトランジスタのうちゲートが電源に接続されたN型MOSトランジスタは、例えば物理配置上、インバータの入力端子から最も遠い位置にある。
【0022】
この構成によれば、ナンド型ダイナミック回路の電源−接地間の電流経路が遮断され、リーク電流を防止して、グリッチの発生を防止することができ、ノア型ダイナミック回路の出力ノードの負荷容量が大きい場合でも、安定な動作と低消費電力化が可能となる。
【0023】
第1および第2の半導体集積回路において、ノア型ダイナミック回路は、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、接地電位と前記第1の複数のデータが入力され、ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、複数のデータを選択出力するスイッチ回路と、スイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて第1の出力ノードを成す複数のN型MOSトランジスタとを具備することが好ましい。
【0024】
この構成によれば、通常のノア型ダイナミック回路に比べて、ジャンクション容量と配線が不要となり、更に、直列段数が削減され、より低電圧でも高速動作させることができる。
【0025】
第1および第2の半導体集積回路は、一致検出回路を備え、一致検出回路は、第2の複数のデータおよび第3の複数のデータがそれぞれ1つずつ入力され、データが一致するか否かを検出し、その検出結果を第1の複数のデータとして出力することを特徴とする。
【0026】
この構成によれば、半導体集積回路に高速動作が可能な一致検出回路を容易に実現することができる。
【0027】
第1および第2の半導体集積回路において、第2のクロックは、ナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードを充電するクロックと、第2の出力ノードを放電するクロックとからなり、充電するクロックは、第1のクロックと同一で、放電するクロックの立ち上がり時間は、ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードの電荷放電時間よりも長いことが好ましい。
【0028】
この構成によれば、ノア型ダイナミック回路の出力ノードの負荷容量が大きい場合でも、安定な動作と低消費電力化が可能となり、更に高速化が実現される。
【0029】
第1および第2の半導体集積回路において、ナンド型ダイナミック回路は、第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、第2の出力ノードに電荷を充電し、第2のクロックの半周期期間に、第2の出力ノードの電荷を保持することが好ましい。
【0030】
この構成は、SRAM等ラッチ構成を特徴とする回路方式に適する。
【0031】
第1および第2の半導体集積回路は、インバータが縦続接続され、最終段のインバータの出力端子が初段のインバータの入力端子およびナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードに接続された正帰還回路を備え、正帰還回路は、第2のクロックの1周期期間、第2の出力ノードの電荷を保持することが好ましい。
【0032】
この構成は、フリップフロップ構成を特徴とする回路方式に適する。
【0033】
第1および第2の半導体集積回路において、第1のクロックと第2のクロックは、デューティー比が異なり、且つ電圧レベルが共にノア型ダイナミック回路およびナンド型ダイナミック回路の動作電圧よりも低いことが好ましい。
【0034】
この構成によれば、クロックの低振幅化が可能となり、低消費電力化を実現できる。
【0035】
第1および第2の半導体集積回路は、第2のノア型ダイナミック回路と、第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から第2のクロックを供給するインバータを備え、第2のノア型ダイナミック回路は、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、電源電位と接地電位が入力され、ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、電源電位を選択出力するスイッチ回路と、スイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第3のP型MOSトランジスタと、ゲートおよびソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第4のN型MOSトランジスタとを具備することが好ましい。
【0036】
この構成によれば、ナンド型ダイナミック回路の電源−接地間の電流経路が遮断され、リーク電流を防止して、グリッチの発生を防止することができ、ノア型ダイナミック回路の出力ノードの負荷容量が大きい場合でも、更なる低電圧で安定した動作を実現でき、更なる低消費電力化が可能となる。
【0037】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第3の半導体集積回路は、第1のクロック(CLK1)および第1の複数のデータ(A、B、C、D)が入力され、第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、第1の複数のデータがすべて一致する場合、第1の出力ノードの電荷を保持し、第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、第1の出力ノードの電荷を放電するために、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、接地電位と第1の複数のデータが入力され、第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、複数のデータを選択出力する第1のスイッチ回路と、第1のスイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて第1の出力ノードを成す複数の第1のN型MOSトランジスタとを有する少なくとも1つの第1のノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のクロック(CLK2、CLK3)および第1の出力ノードからの信号が入力され、第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、第1の出力ノードの電荷が保持された場合、第2の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのナンド(NAND)型ダイナミック回路と、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、電源電位と接地電位が入力され、第1のノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、電源電位を選択出力する第2のスイッチ回路と、第2のスイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第2のN型MOSトランジスタと、ゲートおよびソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第3のN型MOSトランジスタとを有する少なくとも1つの第2のノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から第2のクロック(CLK3)を供給するインバータとを備え、第1のノア型ダイナミック回路を構成する複数の第1のN型MOSトランジスタと、第2のノア型ダイナミック回路を構成する第2のN型MOSトランジスタおよび複数の第3のN型MOSトランジスタとは、1つの回路ブロックとして半導体基板に形成されるとともに、複数の第1のN型MOSトランジスタと、第2のN型MOSトランジスタおよび複数の第3のN型MOSトランジスタとは、隣接する他の回路ブロックに対して横方向に、それらのソースおよびドレインを構成する拡散領域と、それらのゲート電極とが順に形成され、1つの回路ブロックにおいて、複数の第1のN型MOSトランジスタと、第2のN型MOSトランジスタおよび複数の第3のN型MOSトランジスタのうち、いずれか一方のドレインを構成する拡散領域が外側に形成されることを特徴とする。
【0038】
第3の半導体集積回路において、隣接する他の回路ブロックとの間に形成される浅いトレンチ分離領域(STI)によって拡散領域の特性が劣化する場合、第2のN型MOSトランジスタまたは複数の第3のN型MOSトランジスタのドレインを構成する拡散領域が外側に形成されるか、または隣接する他の回路ブロックとの間に形成される浅いトレンチ分離領域(STI)によって拡散領域の特性が良化する場合、複数の第1のN型MOSトランジスタのドレインを構成する拡散領域が外側に形成されることが好ましい。
【0039】
上記の構成によれば、STIを形成した際に拡散領域の特性が劣化する場合、ダミーとして設けられる第2または第3のN型MOSトランジスタのドレインを構成する拡散領域(ダミードレインdm)を外側に形成することで、トランジスタ特性の劣化を補償し、またはSTIを形成した際に拡散領域の特性が良化する場合、複数の第1のN型MOSトランジスタのドレインを構成する拡散領域(d)を外側に形成することで、トランジスタ特性を向上させることができる。これにより、グリッチの発生の防止と、更なる低消費電力化を良好なトランジスタ特性で実現することができる。また、ダミーとして設ける第2または第3のN型MOSトランジスタのダミーゲートの挿入数を削減し、セル面積を低減することができる。
【0040】
第3の半導体集積回路において、複数の第1のN型MOSトランジスタ、または第2のN型MOSトランジスタおよび複数の第3のN型MOSトランジスタのドレインを構成する拡散領域の外側に、さらにソースを構成する拡散領域が形成されることが好ましい。
【0041】
この構成によれば、第2のN型MOSトランジスタおよび複数の第3のN型MOSトランジスタのダミーゲートの挿入数は、複数のデータA、B、C、Dが入力される、複数の第1のN型MOSトランジスタのゲート数と同じになるが、微細化プロセスに対するケア、すなわち拡散領域の縮退の影響を削減し、ドレインdとダミードレインdmでの信号遅延によるレーシングを削減することができる。
【0042】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第4の半導体集積回路は、第1のクロック(CLK1)および第1の複数のデータ(A1、B1;A2、B2;A3、B3)が入力され、第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、第1の複数のデータがすべて一致する場合、第1の出力ノードの電荷を保持し、第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、第1の出力ノードの電荷を放電するために、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、接地電位と第1の複数のデータが入力され、第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、複数のデータを選択出力する第1のスイッチ回路と、第1のスイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて第1の出力ノードを成す複数の第1のN型MOSトランジスタとを有する複数の第1のノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のクロック(CLK2、CLK3)および第1の出力ノードからの信号が入力され、第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、第1の出力ノードの電荷が保持された場合、第2の出力ノードの電荷を放電する複数のナンド(NAND)型ダイナミック回路と、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、電源電位と接地電位が入力され、第1のノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、電源電位を選択出力する第2のスイッチ回路と、第2のスイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第2のN型MOSトランジスタと、ゲートおよびソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第3のN型MOSトランジスタとを有する複数の第2のノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から第2のクロック(CLK3)を供給するインバータとを備え、第1のノア型ダイナミック回路を構成する複数の第1のN型MOSトランジスタが構成される第1の回路ブロックと、第2のノア型ダイナミック回路を構成する第2のN型MOSトランジスタおよび複数の第3のN型MOSトランジスタが構成される第2の回路ブロックとが、それぞれ、隣接する他の回路ブロックに対して、それらのソースおよびドレインを構成する拡散領域と、それらのゲート電極とが縦方向に順に形成され、且つ第1の回路ブロックと第2の回路ブロックとが横方向に交互に等間隔で半導体基板に形成され、隣接する他の回路ブロックとの距離に応じて、第1の回路ブロックと第2の回路ブロックとの配置を異ならせたことを特徴とする。
【0043】
この構成によれば、拡散領域の劣化と不均一をなくし、複数の第1のN型MOSトランジスタのドレインdと、ダミーとして設けられる第2のN型MOSトランジスタおよび複数の第3のN型MOSトランジスタのダミードレインdmでの信号遅延によるレーシングを削減することができる。
【0044】
第4の半導体集積回路において、隣接する他の回路ブロックとの間に形成される浅いトレンチ分離領域(STI)によって第1または第2の回路ブロックにおける拡散領域の特性が劣化する場合、第1および第2の回路ブロックのうち隣接する他の回路ブロックとの距離が短い方に第2の回路ブロックを配置することが好ましい。
【0045】
この構成によれば、他の回路ブロックとの間隔が狭い領域に形成されるSTIによって拡散領域の特性が劣化する場合、そこに、ダミーとして設けられる第2の回路ブロックを配置することで、複数のデータが入力される第1の回路ブロックにおける拡散領域の特性の劣化を防止することができる。
【0046】
または、第4の半導体集積回路において、隣接する他の回路ブロックとの間に形成される浅いトレンチ分離領域(STI)によって第1または第2の回路ブロックにおける拡散領域の特性が良化する場合、第1および第2の回路ブロックのうち隣接する他の回路ブロックとの距離が長い方に第2の回路ブロックを配置することが好ましい。
【0047】
この構成によれば、他の回路ブロックとの間隔が狭い領域に形成されるSTIによって拡散領域の特性が良化する場合、そこに、複数のデータが入力される第1の回路ブロックを配置し、他の回路ブロックとの間隔が広い位置に、ダミーとして設けられる第2の回路ブロックを配置することで、第1の回路ブロックにおける拡散領域の特性を向上させることが可能になる。
【0048】
また、第4の半導体集積回路において、第1および第2の回路ブロックにおける縦方向で外側のドレインを構成する拡散領域の外側に、さらにソースを構成する拡散領域が形成されることが好ましい。
【0049】
この構成によれば、微細化プロセスに対するケア、すなわち拡散領域の縮退の影響を削減し、ドレインdとダミードレインdmでの信号遅延によるレーシングを削減することができる。
【0050】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第5の半導体集積回路は、第1のクロック(CLK1)および第1の複数のデータ(A1、B1;A2、B2)が入力され、第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、第1の複数のデータがすべて一致する場合、第1の出力ノードの電荷を保持し、第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、第1の出力ノードの電荷を放電するために、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、接地電位と第1の複数のデータが入力され、第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、複数のデータを選択出力する第1のスイッチ回路と、第1のスイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて第1の出力ノードを成す複数の第1のN型MOSトランジスタとを有する複数の第1のノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のクロックおよび第1の出力ノードからの信号が入力され、第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、第1の出力ノードの電荷が保持された場合、第2の出力ノードの電荷を放電する複数のナンド(NAND)型ダイナミック回路と、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、電源電位と接地電位が入力され、第1のノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、電源電位を選択出力する第2のスイッチ回路と、第2のスイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第2のN型MOSトランジスタと、ゲートおよびソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第3のN型MOSトランジスタとを有する複数の第2のノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から第2のクロックを供給するインバータとを備え、複数の第1のノア型ダイナミック回路のうち、隣接する他の回路ブロックに対して縦方向で隣接する2つの第1のノア型ダイナミック回路のそれぞれを構成する複数の第1のN型MOSトランジスタは、複数の第2のノア型ダイナミック回路のうち1つの第2のノア型ダイナミック回路を構成する第2のN型MOSトランジスタおよび複数の第3のN型MOSトランジスタを兼用して、1つの回路ブロックとして半導体基板に形成されるとともに、複数の第1のN型MOSトランジスタと、第2のN型MOSトランジスタおよび複数の第3のN型MOSトランジスタとは、隣接する他の回路ブロックに対して縦方向に、それらのソースおよびドレインを構成する拡散領域と、それらのゲート電極とが順に形成されることを特徴とする。
【0051】
この構成によれば、複数のデータが入力される隣接する2つの第1のノア型ダイナミック回路が、ダミーとして設けられる1つの第2のノア型ダイナミック回路を兼用することで、セル面積を低減することができるとともに、拡散領域の面積を大きくして、縮退を防止することが可能になる。
【0052】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第6の半導体集積回路は、第1のクロック(CLK1)および第1の複数のデータ(ADR[0−4])が入力され、第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、第1の複数のデータがすべて一致する場合、第1の出力ノードの電荷を保持し、第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、第1の出力ノードの電荷を放電するために、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、接地電位と第1の複数のデータが入力され、第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、複数のデータを選択出力する第1のスイッチ回路と、第1のスイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて第1の出力ノードを成す複数の第1のN型MOSトランジスタとを有する少なくとも1つの第1のノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のクロック(CLK2、CLK3)および第1の出力ノードからの信号が入力され、第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、第1の出力ノードの電荷が保持された場合、第2の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのナンド(NAND)型ダイナミック回路と、第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、電源電位と接地電位が入力され、第1のノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、電源電位を選択出力する第2のスイッチ回路と、第2のスイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第2のN型MOSトランジスタと、ゲートおよびソースが接地され、ドレインが第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第3のN型MOSトランジスタとを有する少なくとも1つの第2のノア(NOR)型ダイナミック回路と、第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から前記第2のクロックを供給する第1のインバータと、第1の出力ノードが電荷を保持している状態で、第2の出力ノードが電荷を放電した時に生ずる、第1の出力ノードと第2の出力ノードとの間に形成されるカップリング容量による第1の出力ノードの電圧低下を補償する補償回路とを備え、補償回路は、ゲートが第2の出力ノードに接続され、ソースが電源に接続された第3のP型MOSトランジスタと、ソースが第3のP型MOSトランジスタのドレインに接続され、ドレインが第1の出力ノードに接続された第4のP型MOSトランジスタと、入力端子が第4のP型MOSトランジスタのドレインに接続され、出力端子が第4のP型MOSトランジスタのゲートに接続された第2のインバータとを具備したことを特徴とする。
【0053】
この構成によれば、カップリング容量による第1のノア型ダイナミック回路の出力ノードの電圧低下を補償する補償回路と、ダミーの遅延回路として機能する第1のノア型ダイナミック回路とを設けることで、動作速度の高速化が可能になるとともに、ナンド型ダイナミック回路の電源−接地間の電流経路が遮断され、リーク電流を防止して、グリッチの発生を防止することができ、ノア型ダイナミック回路の出力ノードの負荷容量が大きい場合でも、更なる低電圧で安定した動作を実現でき、更なる低消費電力化が可能となる。
【0054】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0055】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の一構成例を示す回路図である。図1において、1はSRAMメモリにおけるロウデコーダの1つのロウ構成を示している。2は、クロック線3のクロック(第1のクロック:CLK1)で同期がとられるノア型ダイナミック回路であり、N型MOSトランジスタ2a、2b、2c、2d、2e、2fとP型MOSトランジスタ2gから構成されている。4はノア型ダイナミック回路2の入力部であり、N型MOSトランジスタ2a、2b、2c、2d、2eのゲートと5ビットのアドレス線[0−4]5とを接続している。6はノア型ダイナミック回路2の出力ノードであり、ナンド型ダイナミック回路7に接続されている。ナンド型ダイナミック回路7は、クロック線3a、3bのクロック(第2のクロック:CLK2、CLK3)で同期がとられ、クロックCLK2に従って、ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8に電荷がプリチャージされ、クロックCLK3に従って、ナンド型ダイナミック型回路7の出力ノード8の電荷がディスチャージされる。
【0056】
ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8はインバータ9に接続されており、インバータ9の出力端子はメモリのワード線10に接続される。また、11は補償回路であり、出力ノード8の信号を入力とし、出力信号を出力ノード6に供給する。補償回路11は、P型MOSトランジスタ11aで構成され、P型MOSトランジスタ11aのゲートに出力ノード8の信号が入力され、そのソースは電源VDDに接続され、そのドレインから出力ノード6に出力信号を供給する。
【0057】
図2は、図1の構成における各部信号のタイミングチャートであり、クロック線3のクロックCLK1、クロック線3aのクロックCLK2、クロック線3bのクロックCLK3、アドレス線[0−4]5のアドレス信号ADR[0−3]、ADR[4]、ノア型ダイナミック回路2の出力ノード6の信号NOout、ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8の信号NAout、およびワード線10の信号WLの遷移を示す。
【0058】
次に、図1および図2を用いて、本実施形態による半導体集積回路の動作について説明する。クロックCLK1の第1周期目は、ワード線10の信号WLが確定されていない状態にある。第1周期目に入る前のクロックCLK1が論理「L」レベルである期間中に、アドレス信号ADR[0−3]が論理「L」レベル、アドレス信号[4]が論理「H」レベルで確定した後、クロックCLK1が立ち上がると、ノア型ダイナミック回路2の出力ノード6の信号NOoutは論理「L」レベルに遷移する。ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8の信号NAoutはそのまま論理「H」レベルを保持し、ワード線10の信号WLは論理「L」レベルになる。
【0059】
クロックCLK1の第2周期目は、ワード線10の信号WLが確定する状態である。第2周期目に入る前のクロックCLK1が論理「L」レベルである期間中、ノア型ダイナミック回路2の出力ノード6の信号NOout、およびナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8の信号NAoutは、トランジスタ2gにより論理「H」レベルに充電されている。次に、入力部4のアドレス信号ADR[0−4]がすべて0Vで確定した後、クロックCLK1が立ち上がると、ノア型ダイナミック回路2の出力ノード6の信号NOoutは論理「H」レベルを保持し、ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8の信号NAoutは論理「L」レベルに遷移し、ワード線10の信号WLは論理「H」レベルになる。
【0060】
次に、補償回路11の役割について説明する。ここで、P型MOSトランジスタ11aを設けない場合、ワード線10が活性化される際にトランジスタ2gがオフになるので、ノア型ダイナミック回路2の出力ノード6は、フローティング状態となっており、ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8の信号NAoutが論理「L」レベルへ遷移する際、ノア型ダイナミック回路の出力ノード6とナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8との間のミラー容量の効果により、出力ノード6の電圧レベルが低下し、ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8の信号NAoutが論理「H」レベルから「L」レベルに遷移する時間が長くなってしまう。しかし、本実施形態のように、補償回路11としてP型MOSトランジスタ11aを設けることで、ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8の信号NAoutが論理「H」レベルから「L」レベルに遷移する間に、出力ノード6の電圧レベルを上昇させ、遷移時間が長くならず、高速化を実現することができる。
【0061】
以上のようなダイナミック回路の構成をとることにより、すべてスタティック回路で構成したデコーダ回路に比べ、論理段数を削減することができる。
【0062】
また、ナンド型ダイナミック回路7により、スタティックなナンド回路を設けた場合よりもゲートの負荷が削減される。
【0063】
更に、各トランジスタの直列段数は2段以下となり、低電圧でも、高速化が実現できる。
【0064】
図3は、補償回路の他の構成例を示す回路図である。図3では、図1のP型MOSトランジスタ11aで補償回路11を構成する代わりに、インバータ12aとN型MOSトランジスタ12bで補償回路12を構成し、N型MOSトランジスタ12bのソースとドレインをノア型ダイナミック回路2の出力ノード6に接続し、ナンド型 ダイナミック回路7の出力ノード8の信号NAoutをインバータ12aで反転して、N型MOSトランジスタ12bのゲートに供給している。
【0065】
この補償回路12の構成によれば、P型MOSトランジスタ11aよりも高速に、ノア型ダイナミック回路2の出力ノード6の電圧低下を補償することができる。その理由を次に説明する。P型MOSトランジスタ11aを用いた場合は、P型MOSトランジスタ11aのゲート電圧とP型MOSトランジスタ11aに流れる電流で、出力ノード6の電圧低下を補償するため、その補償量は出力ノード8の信号NAoutのスリューレートに依存することになる。しかし、図3の構成では、インバータ12aのファンインとファンアウトの比率を小さくすることにより、インバータ12aの出力のスリューレートを非常に急峻にすることができ、瞬時にノア型ダイナミック回路2の出力ノード6の電圧を昇圧することができる。
【0066】
さらに、この補償回路12のインバータ12aの入力端子を、N型MOSトランジスタ2fのドレインに接続し、N型MOSトランジスタ12bのソースおよびドレインを出力ノード6に接続すれば、N型MOSトランジスタ2fのドレインと出力ノード6との間のカップリング容量による出力ノード6の電圧低下を低減することが可能となる。
【0067】
なお、N型MOSトランジスタ12bをP型MOSトランジスタに変更しても、効果はやや小さいが同じ目的を達成できる。
【0068】
この場合、更にもう1つのP型MOSトランジスタAを配置し、P型MOSトランジスタAのソースを電源に接続し、P型MOSトランジスタAのドレインをN型MOSトランジスタ2fのドレインに接続し、P型MOSトランジスタAのゲートにクロックCLK1を供給することにより、クロックCLK1が論理「L」レベルである期間、N型MOSトランジスタ2fのドレインは論理「H」になるので、インバータ12aのリーク電流をなくすことができる。
【0069】
また、アドレスのビット数が多く、ノア型ダイナミック回路2の出力負荷が非常に大きく、ノア型ダイナミック回路2の出力信号NOoutの立ち下がり時間が、クロック線3bに供給されるクロックCLK3の立ち上がり時間よりも長いと、ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8のリーク電流により、ナンド型ダイナミック回路7の出力レベルが低下し、最悪の場合、ワード線10の信号WLにグリッチが発生し、SRAMなどロウデコーダを多数搭載する構成では、ワード線の多重選択などの誤動作が生じることになる。しかし、クロックCLK3の立ち上がり時間を、ノア型ダイナミック回路2の出力信号NOoutの立ち下がり時間よりも長くすることにより、ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8のリーク電流を防止し、ワード線10の信号WLのグリッチを削減することができる。
【0070】
ここで、図9A、図9Bおよび図9Cを参照して、図1の補償回路11または図3の補償回路12を用いた場合に、回路動作の高速化が図れることを回路シミュレーションデータに基づいて検証する。図9Aは補償回路がない場合、図9Bは補償回路11を設けた場合、図9Cは補償回路12を設けた場合に、ワード線10が活性化する状態を時間拡大して、ノア型ダイナミック回路2の出力ノード6の信号NOout、ナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8の信号NAout、およびワード線10の信号WLの遷移状態を示している。
【0071】
なお、シミュレーション条件は次のように設定した。図1および図3において、すべてのN型MOSトランジスタの単位幅当たりの飽和電流を380μA/μm、そのしきい値電圧を300mV、すべてのP型MOSトランジスタの単位幅当たりの飽和電流を160μA/μm、そのしきい値電圧を−300mV、電源電圧VDDを1.3V、すべてのトランジスタのチャンネル長を0.12μmとした。
【0072】
また、図1において、N型MOSトランジスタ2a、2b、2c、2d、2e、2fのチャンネル幅を2μm、P型MOSトランジスタ2gのチャンネル幅を1μm、N型MOSトランジスタ7a、7bのチャンネル幅を4μm、P型MOSトランジスタ7cのチャンネル幅を2μm、インバータ9を構成するP型MOSトランジスタおよびN型MOSトランジスタのチャンネル幅をそれぞれ8μmおよび4μm、出力ノード6、8の負荷容量を3fF、ワード線10の負荷容量を200fFとした。
【0073】
また、図3において、インバータ12a構成するP型MOSトランジスタおよびN型MOSトランジスタのチャンネル幅をそれぞれ1.2μmおよび0.3μm、P型MOSトランジスタ12bのチャンネル幅を2μにした。
【0074】
以上のような設定条件で回路シミュレーションを行なった結果、図9Aに示すように、補償回路がない場合には、出力ノード6の信号NOoutの電圧レベルが低下して、ワード線10の信号WLが、ワード線10に接続されるトランジスタのスイッチング電圧(0.65V)にまで立ち上がる時間が遅くなっていた。しかし、図1の補償回路11を設けることで、図9Bに示すように、補償回路がない場合に比べて、ワード線10の信号WLの立ち上がり時間が約10psec速くなり、図3の補償回路12を設けることで、図9Cに示すように、さらに約10psec速くなることが検証できた。本実施形態によれば、約300psecのアクセス速度、すなわち3GHzの動作周波数を、約20psecの立ち上がり時間の改善で3.22GHzまで高速化することができた。
【0075】
なお、例えば、ワード線10の負荷容量を10倍にすると遅延時間も10倍となり、本実施形態の補償回路による効果がさらに顕著となる。
【0076】
図5は、本実施形態による半導体集積回路の変形例を示す回路図である。図5では、図1に示した構成に加えて、ノア型ダイナミック回路2と同じ構成を有し、同じクロックCLK1が入力されるノア型ダイナミック回路15と、そのノア型ダイナミック回路15の出力ノード15hに入力端子が接続され、出力端子からクロック線3bにクロックCLK3を供給するインバータ14とを設けている。
【0077】
また、図5に示す半導体回路の活性化時に、ノア型ダイナミック回路15の入力部15iであるが、複数あるポートの内、1つのポート15iaのみに、N型MOSトランジスタのしきい値以上の電圧(図5では、電源VDD)が供給され、その他のポート15ibは接地されており、その1つのポート15iaは、物理配置上遠くにあるので、インバータ14への入力信号のスリューレートが最も小さくなるポートである。
【0078】
上記の構成をとることにより、クロックCLK1が立ち上ると、出力ノード15hの信号は論理「L」レベルに遷移し、インバータ14によりクロックCLK3は立ち上るが、ノア型ダイナミック回路15はノア型ダイナミック回路2と同等の出力負荷を有しているため、ノア型ダイナミック回路2の出力信号NOoutの遷移時間は、最悪でも、ノア型ダイナミック回路15の出力信号の遷移時間と同じかそれよりも長くなる。その結果、ナンド型ダイナミック回路7の電源−接地間の電流経路は遮断され、リーク電流が防止されて、ワード線10の信号WLのグリッチを削減することができる。
【0079】
また、ノア型ダイナミック回路2の出力負荷が非常に大きい場合でも、クロックCLK1のみで動作可能であるので、クロックCLK1とクロックCLK3の遅延差をバッファなどで生成するよりも高精度であり、レーシングエラーも起きにくい構成が可能となる。
【0080】
なお、ポート15iaについては、物理配置上の距離により、インバータ14への入力信号のスリューレートが最も小さくなるポートでなくても、出力ノード6の信号NOoutが確定した後にクロックCLK3が立ち上れば、どのポートをN型MOSトランジスタのしきい値以上の電圧に接続しても良い。
【0081】
なお、本実施形態では、ロウデコーダを中心に本発明の構成を説明したが、図4に示すように、N型MOSトランジスタ13a、13cおよびP型MOSトランジスタ13b、13dからなり、2対のデータ群(DATA2とDATAB2、DATA3とDATAB3)の一致検出を行った出力信号DATA1をノア型ダイナミック回路2の入力部4に供給することにより、一致検出回路13を容易に構成することができ、上記で説明したように同様な効果を得ることができる。
【0082】
また、図7は、図1で示したナンド型ダイナミック回路7の他の構成例であるナンド型ダイナミック回路17の構成を示す回路図である。
【0083】
図7において、ナンド型ダイナミック回路17は、ノア型ダイナミック回路2の出力ノード6がゲートに接続されるP型MOSトランジスタ17bおよびN型MOSトランジスタ17cと、クロックCLK3がゲートに入力されるN型MOSトランジスタ17aが直列接続されて成る。P型MOSトランジスタ17bのソースは電源VDDに接続され、P型MOSトランジスタ17bのドレインとN型MOSトランジスタ17aのドレインが共通接続されて、ナンド型ダイナミック回路17の出力ノード8をなし、N型MOSトランジスタ17cのソースが接地され、N型MOSトランジスタ17cのドレインとN型MOSトランジスタ17aのソースが接続されている。
【0084】
なお、本実施形態で示したデコード回路または一致検出回路にナンド型ダイナミック回路17を用いた場合、クロックCLK1およびクロックCLK3の電圧レベルは、ナンド型ダイナミック回路17およびノア型ダイナミック回路2の動作電圧よりも低くても動作が可能となる。
【0085】
その理由を次に説明する。クロックCLK1の論理「H」レベルの電圧値が低くても、ノア型ダイナミック回路2では、プリチャージするP型MOSトランジスタ2gの能力が弱く、クロックCLK1の論理「H」レベルの期間が短ければ、ナンド型ダイナミック回路17のスイッチングレベルに影響を与えないからである。また、ナンド型ダイナミック回路17において、クロックCLK3は、電荷をディスチャージする役目しかないので、N型MOSトランジスタ17のしきい値レベルさえ越えればよいからである。
【0086】
以上のように、図7のナンド型ダイナミック回路17を用いることで、クロックを低振幅にすることができ、充放電エネルギーが削減され、半導体集積回路の低消費電力化が可能となる。
【0087】
また、図8に示すように、インバータ18aおよび18bを2段カスケード接続した正帰還回路18をナンド型ダイナミック回路の出力ノード8に接続することにより、クロックCLK3の1周期期間、ナンド型ダイナミック回路の出力ノード8の信号NAoutは保持され、フリップフロップの機能を持たせることが可能となる。
【0088】
また、図15に示すように、ノア型ダイナミック回路2の出力ノード6にナンド型ダイナミック回路7の入力ゲートを接続し、さらにナンド型ダイナミック回路7の出力ノード8に図7に示すナンド型ダイナミック回路17の入力ゲートを接続し、ナンド型ダイナミック回路17の出力ノード8aに図8に示す正帰還回路18を接続する構成とすることもできる。この構成によれば、ノア型ダイナミック回路2へのアドレス信号ADR[0−4]を1周期保持するフリップ・フロップ回路として機能するので、アドレス信号ADR[0−4]が、クロックCLK1の論理「H」レベル期間で変化しても、ワード線10の信号WLは変化することはない。つまり、ホールドエラーが先ほど述べた回路構成よりも良化する。
【0089】
また、クロック信号の振幅レベルが低く、アドレス信号ADR[0−4]の電圧レベルが電源電圧よりも低い場合や高い場合でも、一種のレベルシフタとして機能し、動作可能となる。
【0090】
さらに、図16に示すような回路構成とすることで、クロックCLK1の負荷容量を低減し、図15に示す回路と同様な利点に加えて、更なる低省電力化が可能となる。
【0091】
(第2の実施形態)
図6は、本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路の一構成例を示す回路図である。なお、図6において、図1と同じ構成および機能を有する要素には同じ符号を付して説明を省略する。本実施形態は、第1の実施形態とノア型ダイナミック回路の構成が異なる。以下、その相違点を主に説明する。
【0092】
図6において、ノア型ダイナミック回路16は、一方の入力端子にはアドレス線[0−4]5が接続され、他方の入力端子には、クロックCLK1と周期が同じで位相が異なるクロックCLK4が供給されるクロック線16aが接続された2入力アンド回路(スイッチ回路)と、ゲートに2入力アンド回路の出力端子が接続され、ソースが接地され、ドレインが共通接続されて出力ノード6をなすN型MOSトランジスタ16c、16d、16e、16f、16gとを含んでいる。
【0093】
次に、以上のように構成された半導体集積回路としてロウデコーダ1’の動作について説明する。
【0094】
まず、クロックCLK1が論理「H」レベルから「L」レベルへ遷移し、P型MOSトランジスタ2gによって出力ノード6が充電されている期間、N型MOSトランジスタ16c、16d、16e、16f、16gのゲート端子の電圧が依然として論理「L」レベルであり、ノア型ダイナミック回路16の出力ノード6が充電されるように、クロックCLK4は制御状態である論理「L」レベルをとる。
【0095】
その後、クロックCLK4が論理「H」レベルとなり、アドレス線[0−4]5のアドレス信号ADR[0−4]に依存して、N型MOSトランジスタ16c、16d、16e、16f、16gのゲート端子の電圧は変化し、ノア型ダイナミック回路16の出力電圧は遷移する。
【0096】
以上のような構成をとることにより、図1のノア型ダイナミック回路2におけるN型MOSトランジスタ2fのドレインのジャンクション容量と、N型MOSトランジスタ2fとN型MOSトランジスタ2a、2b、2c、2d、2eとの配線が不要となり、配線容量と配線抵抗が削減され、更なる高速化が可能となる。また、P型およびN型MOSトランジスタそれぞれの型の直列段数は1段であるので、ノア型ダイナミック回路2よりもさらに低電圧で動作可能になる。
【0097】
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態として、第1の実施形態の説明で参照した図5の回路と同様な効果と、更なる低電圧動作を実現するならば、図10に示すような構成を用いればよい。図10において、19は、ノア型ダイナミック回路16(第1のノア型ダイナミック回路)に対するダミーとして設けられたノア型ダイナミック回路(第2のノア型ダイナミック回路)であり、19c、19d、19e、19f、19gはN型MOSトランジスタであり、N型MOSトランジスタ19c、19d、19e、19f、19gのソースは接地され、N型MOSトランジスタ19d、19e、19f、19gのゲートは接地されている。N型MOSトランジスタ19cのゲートは、2入力アンド回路16i(スイッチ回路、第2のスイッチ回路)の出力端子に接続されており、2入力アンド回路16iの一方の入力端子には、イネーブル信号ENが供給され、その他方の入力端子は、クロックCLK4が供給されるクロック線16aに接続されている。19hはP型MOSトランジスタであり、14はインバータである。P型MOSトランジスタ19hのソースは電源VDDに接続され、そのゲートはクロックCLK1が供給されるクロック線3に接続されている。N型MOSトランジスタ19c、19d、19e、19f、19gのドレインとP型MOSトランジスタ19hのドレインは互いに接続され、更にインバータ14の入力端子に接続されている。インバータ14は、クロック線3bにクロックCLK3を出力する。
【0098】
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態として、主に、第3の実施形態における第1のノア型ダイナミック回路と、ダミーとして設けられた第2のノア型ダイナミック回路とを、1つの回路ブロックとして、横型に配置する構成について説明する。
【0099】
図11Aは、本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の回路配置例を部分的に示す平面図である。図11Aにおいて、複数のデータA、B、C、Dが入力される第1のノア型ダイナミック回路と、イネーブル信号ENが入力されるとともに、ダミーとして設けられる第2のノア型ダイナミック回路とは、1つの回路ブロック20として半導体基板に形成される。
【0100】
また、この回路ブロック20は、第1のノア型ダイナミック回路を構成する複数のN型MOSトランジスタ(第1のN型MOSトランジスタ)のソース、ドレインを構成する拡散領域(s、d)およびゲート電極と、第2のノア型ダイナミック回路を構成するN型MOSトランジスタ(第2および第3のN型MOSトランジスタ)のソース、ダミードレインを構成する拡散領域(s、dm)およびゲート電極とが、隣接する他の回路ブロック111、112に対して横方向に順に配置されるようにして形成される。
【0101】
また、図11Aに示すように、回路ブロック20において、隣接する他の回路ブロック111、112との間に形成されるSTIによってトランジスタ特性が劣化する場合、第2または第3のN型MOSトランジスタのダミードレイン拡散領域dmが外側に形成されている。
【0102】
なお、ソース拡散領域sは、第1のノア型ダイナミック回路と第2のノア型ダイナミック回路で共用され、接地電位Gに接続されている。また、第1のノア型ダイナミック回路において、ドレイン拡散領域dおよびソース拡散領域sは、複数のN型MOSトランジスタのうち隣接するN型MOSトランジスタで共用される。これにより、ダミーとして設ける第2および第3のN型MOSトランジスタのダミーゲートの挿入数を削減し、セル面積を低減することができる。
【0103】
図11Bは、本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の構成例を示す回路図である。なお、図11Bにおいて、図10と同じ構成および機能を有する要素には同じ符号を付して説明を省略する。
【0104】
図11Bにおいて、第1のノア型ダイナミック回路は、N型MOSトランジスタ161、162、163、164で構成され、第2のノア型ダイナミック回路は、N型MOSトランジスタ191、192で構成される。
【0105】
図12Aは、本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の回路配置の変形例を部分的に示す平面図である。図12Bは、本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の構成の変形例を示す回路図である。なお、図12Aおよび図12Bにおいて、それぞれ、図11Aおよび図11Bと同じ構成および機能を有する要素には同じ符号を付して説明を省略する。
【0106】
図12Aに示すように、回路ブロック20’において、ダミードレイン拡散領域dの外側に、さらにダミーソース拡散領域sおよびダミーゲート電極が形成され、接地電位Gに共通に接続されている。この追加のダミーソース拡散領域sおよびダミーゲート電極と、ダミードレイン拡散領域dmにより、図12Bに示すように、ダミーのN型MOSトランジスタ193、194が構成される。
【0107】
これにより、第2および第3のN型MOSトランジスタのダミーゲートの挿入数は、第1のN型MOSトランジスタのゲート数と同じになるが、微細化プロセスに対するケア、すなわち拡散領域の縮退の影響を削減し、ドレインdとダミードレインdmでの信号遅延によるレーシングを削減することができる。
【0108】
以上のように、本実施形態によれば、隣接する他の回路ブロックとの間に形成されるSTIによってトランジスタ特性が劣化する場合、第2または第3のN型MOSトランジスタのダミードレイン拡散領域dmを外側に形成することで、トランジスタ特性の劣化(電流能力の低下、閾値電圧の上昇等)を補償することができる。これにより、グリッチの発生の防止と、更なる低消費電力化を、良好なトランジスタ特性で実現することができる。
【0109】
なお、本実施形態では、現在のところ、隣接する他の回路ブロックとの間に形成されるSTIによってトランジスタ特性が劣化する場合がほとんどであることに基づいて、第2または第3のN型MOSトランジスタのダミードレイン拡散領域dmを外側に形成した場合について例示および説明した。しかし、将来的に、隣接する他の回路ブロックとの間に形成されるSTIによってトランジスタ特性が良化する場合が生じることも考えると、この場合は、第1のN型MOSトランジスタのドレイン拡散領域dを外側に形成することで、トランジスタ特性を向上させることができる。
【0110】
(第5の実施形態)
次に、本発明の第5の実施形態として、主に、第3の実施形態における第1のノア型ダイナミック回路と、ダミーとして設けられた第2のノア型ダイナミック回路とを、別の回路ブロックとして、それぞれ縦型に配置する構成について説明する。
【0111】
図13Aは、本発明の第5の実施形態に係る半導体集積回路の回路配置例を部分的に示す平面図である。図13Bは、本発明の第5の実施形態に係る半導体集積回路の構成例を示す回路図である。なお、図13Bにおいて、図10と同じ構成および機能を有する要素には同じ符号を付して説明を省略する。また、138は、第1および第2のノア型ダイナミック回路以外の回路要素を示す。
【0112】
図13Aにおいて、複数の回路ブロック131、132、133、134が、それぞれ、隣接する他の回路ブロック111、112に対して横方向に等間隔(L0)で半導体基板に形成されている。回路ブロック131(第2の回路ブロック)は、図13Bに示すように、イネーブル信号ENがそれぞれ入力される、第2のノア型ダイナミック回路を構成する第2のN型MOSトランジスタ191−1、191−3、191−5を含む。回路ブロック132(第1の回路ブロック)は、図13Bに示すように、データA1、A2、A3がそれぞれ入力される、第1のノア型ダイナミック回路を構成する第1のN型MOSトランジスタ161−1、161−3、161−5を含む。回路ブロック133(第2の回路ブロック)は、第2のノア型ダイナミック回路を構成する第3のN型MOSトランジスタ191−2、191−4、191−6を含む。また、回路ブロック132(第1の回路ブロック)は、図13Bに示すように、データB1、B2、B3がそれぞれ入力される、第1のノア型ダイナミック回路を構成する第1のN型MOSトランジスタ161−2、161−4、161−6を含む。
【0113】
回路ブロック131、133において、ダミードレイン拡散領域dm、ソース拡散領域s、およびダミーゲート電極が、他の回路ブロック111、112に対して縦方向に形成されている。また、回路ブロック132、134において、ドレイン拡散領域d、ソース拡散領域s、およびゲート電極も、他の回路ブロック111、112に対して縦方向に形成されている。ソース拡散領域sとイネーブル信号ENが入力されないダミーゲート電極は、接地電位Gに共通に接続される。
【0114】
また、各回路ブロックの横方向の接続により、図13Bに示すように、第1および第2のノア型ダイナミック回路135、136、137が構成される。
【0115】
図13Aにおいて、左側で隣接する他の回路ブロック111と第2の回路ブロック131との間の距離L1が、右側で隣接する他の回路ブロック112と第1の回路ブロック134との間の距離L2は、L1<L2なる関係にある。これは、他の回路ブロックとの間隔が狭い領域に形成されるSTIによってトランジスタ特性が劣化する場合、そこに、ダミーとして設けられる第2の回路ブロックを配置することで、第1の回路ブロックにおけるトランジスタ特性の劣化(電流能力の低下、閾値電圧の上昇等)を防止するためである。
【0116】
なお、本実施形態では、現在のところ、他の回路ブロックとの間隔が狭い領域に形成されるSTIによってトランジスタ特性が劣化する場合がほとんどであることに基づいて、他の回路ブロックとの距離が狭い方にダミーの第2の回路ブロックを配置する場合について例示および説明した。しかし、将来的に、他の回路ブロックとの間隔が狭い領域に形成されるSTIによってトランジスタ特性が良化する場合が生じることも考えると、この場合は、第1の回路ブロックと第2の回路ブロックの配置を入れ換えればよい。
【0117】
また、第4の実施形態と同様に、各回路ブロックの縦方向の外側に、さらにソース拡散領域sを設けることで、拡散領域の縮退の影響を削減し、ドレインdとダミードレインdmでの信号遅延によるレーシングを削減することができる。
【0118】
以上のように、本実施形態によれば、拡散領域の劣化と不均一をなくし、複数の第1のN型MOSトランジスタのドレインdと、ダミーとして設けられる第2および複数の第3のN型MOSトランジスタのダミードレインdmでの信号遅延によるレーシングを削減することができる。
【0119】
(第6の実施形態)
次に、本発明の第6の実施形態として、主に、第3の実施形態における第1のノア型ダイナミック回路と、ダミーとして設けられた第2のノア型ダイナミック回路とを、1つの回路ブロック141として、縦型に配置するとともに、縦方向で隣接する2つの第1のノア型ダイナミック回路で1つの第2のノア型ダイナミック回路を兼用する構成について説明する。
【0120】
図14Aは、本発明の第6の実施形態に係る半導体集積回路の回路配置例を部分的に示す平面図である。図14Bは、本発明の第6の実施形態に係る半導体集積回路の構成例を示す回路図である。なお、図14Bにおいて、図10と同じ構成および機能を有する要素には同じ符号を付して説明を省略する。
【0121】
図14Aにおいて、ソース拡散領域s、データA1が入力されるゲート電極、ドレイン拡散領域d1、データB1が入力されるゲート電極、ソース拡散領域s、イネーブル信号ENが入力されるゲート電極、ダミードレイン拡散領域dm、ダミーゲート電極、ソース拡散領域s、データA2が入力されるゲート電極、ドレイン拡散領域d1、データB2が入力されるゲート電極、ソース拡散領域sが、隣接する他の回路ブロック111、112に対して縦方向に順に形成されて回路ブロック141が構成され、ダミーゲート電極とソース拡散領域sは接地電位Gに共通に接続される。
【0122】
図14Bにおいて、隣接する2つの第1のノア型ダイナミック回路の一方は、データA1が入力されるN型MOSトランジスタ142と、データB1が入力されるN型MOSトランジスタ143とで構成される。また、隣接する2つの第1のノア型ダイナミック回路の他方は、データA2が入力されるN型MOSトランジスタ144と、データB2が入力されるN型MOSトランジスタ145とで構成される。また、第2のノア型ダイナミック回路は、イネーブル信号ENが入力されるN型MOSトランジスタ146で構成される。
【0123】
以上のように、本実施形態によれば、複数のデータが入力される隣接する2つの第1のノア型ダイナミック回路が、ダミーとして設けられる1つの第2のノア型ダイナミック回路を兼用することで、セル面積を低減することができるとともに、拡散領域の面積を大きくして、縮退を防止することが可能になる。
【0124】
なお、本発明の他の実施形態として、図10に示すような遅延回路として機能するダミーの第2のノア型ダイナミック回路19から供給されるクロックCLK3によって、ナンド型ダイナミック回路7が起動される回路では、図10の補償回路11を図17に示すようなP型MOSトランジスタ11a、11bと、インバータ11c(第2のインバータ)とで構成することで、動作速度の高速化が可能になるとともに、グリッチの発生を抑えて、更なる低電圧で安定した動作を実現でき、更なる低消費電力化が可能となる、という利点がある。
【0125】
つまり、第1のノア型ダイナミック回路16の出力ノード6の信号NOoutの電圧レベルが、インバータ11cのスイッチング電圧より低くなると、インバータ11cの出力信号が論理「H」レベルとなって、P型MOSトランジスタ11bが遮断状態になり、図18に示すように、第1のノア型ダイナミック回路16の出力信号NOoutおよび第2のノア型ダイナミック回路19の出力信号DNOoutのスリューレートは急峻になる。
【0126】
よって、ナンド型ダイナミック回路7の出力信号NAoutのリーク電流(貫通電流)が削減され、その出力信号NAoutの電圧レベルが高電圧に保持され、次段のインバータ9(第1のインバータ)の出力信号WLが論理「L」レベルに保持され易くなる。このように、ダミーの遅延回路とカップリング容量の補償回路とを好適に組み合わせることによって、ワード線10の信号WLにおけるグリッチを更に効果的に抑えることができる。
【0127】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ノア型ダイナミック回路にナンド型ダイナミック回路を接続した方式で、動作速度を高速化し、動作の安定化および低消費電力化を図るとともに、微細化プロセスによってトランジスタ特性の劣化が生じない半導体集積回路を実現することが可能になる、という格別な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の一構成例を示す回路図
【図2】 図1の各部信号のタイミングチャート
【図3】 図1の補償回路の他の構成例を示す回路図
【図4】 本発明の第1の実施形態における一致検出回路の構成を示す回路図
【図5】 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の変形例を示す回路図
【図6】 本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路の一構成例を示す回路図
【図7】 図1のナンド型ダイナミック回路の他の構成例を示す回路図
【図8】 本発明の第1の実施形態における正帰還回路の構成を示す回路図
【図9A】 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路に対してシミュレーションを行ない、補償回路がない場合の各部信号の遷移状態を示す波形図
【図9B】 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路に対してシミュレーションを行ない、図1の補償回路11を設けた場合の各部信号の遷移状態を示す波形図
【図9C】 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路に対してシミュレーションを行ない、図3の補償回路12を設けた場合の各部信号の遷移状態を示す波形図
【図10】 本発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路の構成例を示す回路図
【図11A】 本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の回路配置例を部分的に示す平面図
【図11B】 本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の構成例を示す回路図
【図12A】 本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の回路配置の変形例を部分的に示す平面図
【図12B】 本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の構成の変形例を示す回路図
【図13A】 本発明の第5の実施形態に係る半導体集積回路の回路配置例を部分的に示す平面図
【図13B】 本発明の第5の実施形態に係る半導体集積回路の構成例を示す回路図
【図14A】 本発明の第6の実施形態に係る半導体集積回路の回路配置例を部分的に示す平面図
【図14B】 本発明の第6の実施形態に係る半導体集積回路の構成例を示す回路図
【図15】 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の変形例を示す回路図
【図16】 本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の更なる変形例を示す回路図
【図17】 本発明の他の実施形態に係る半導体集積回路における補償回路の構成を示す回路図
【図18】 図17の補償回路を用いた場合における各部信号のタイミングチャート
【符号の説明】
1 半導体集積回路
2、16 ノア型ダイナミック回路
3、3a、3b クロック線
4 ノア型ダイナミック回路の入力部
5 アドレス線
6 ノア型ダイナミック回路の出力ノード(第1の出力ノード)
7、17 ナンド型ダイナミック回路
8 ナンド型ダイナミック回路の出力ノード(第2の出力ノード)
9、14 インバータ
10 ワード線
11、12 補償回路
13 一致検出回路
15、19 第2のノア型ダイナミック回路
16b 2入力ナンド回路(スイッチ回路)
18 正帰還回路
20、20’、141 回路ブロック
111、112 隣接する他の回路ブロック
131、133 第2の回路ブロック
132、134 第1の回路ブロック
CLK1 第1のクロック
CLK2 充電用クロック(第2のクロック)
CLK3 放電用クロック(第2のクロック)
Claims (36)
- 第1のクロックおよび第1の複数のデータが入力され、前記第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、前記第1の複数のデータがすべて一致する場合、前記第1の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、前記第1の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのノア(NOR)型ダイナミック回路と、
第2のクロックおよび前記第1の出力ノードからの信号が入力され、前記第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、前記第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の出力ノードの電荷が保持された場合、前記第2の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのナンド(NAND)型ダイナミック回路と、
前記第1の出力ノードが電荷を保持している状態で、前記第2の出力ノードが電荷を放電した時に生ずる、前記第1の出力ノードと前記第2の出力ノードとの間に形成されるカップリング容量による前記第1の出力ノードの電圧低下を補償する補償回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記補償回路は、前記第2の出力ノードの電荷が放電された場合、前記第1の出力ノードに電荷を充電するフィードバック回路を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記ノア型ダイナミック回路は、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが接地された第1のN型MOSトランジスタと、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、
前記第1の複数のデータがそれぞれのゲートに供給され、それぞれのソースに前記第1のN型MOSトランジスタのドレインが接続され、それぞれのドレインに前記第1のP型MOSトランジスタのドレインが接続されて前記第1の出力ノードを成す第2の複数のN型MOSトランジスタとを具備したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記補償回路は、ゲートが前記ナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードに接続され、ソースが電源に接続され、ドレインが前記ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに接続されたP型MOSトランジスタを具備したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記補償回路は、
前記ナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードが入力端子に接続されたインバータと、
ゲートが前記インバータの出力端子に接続され、ソースおよびドレインが前記ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに共通接続されたN型MOSトランジスタを具備したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記補償回路は、
前記ナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードが入力端子に接続されたインバータと、
ゲートが前記インバータの出力端子に接続され、ソースおよびドレインが前記ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに共通接続されたMOSトランジスタを具備したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記ノア型ダイナミック回路は、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、
接地電位と前記第1の複数のデータが入力され、前記ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、前記複数のデータを選択出力するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが前記第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて前記第1の出力ノードを成す複数のN型MOSトランジスタとを具備したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記半導体集積回路は、一致検出回路を備え、前記一致検出回路は、第2の複数のデータおよび第3の複数のデータがそれぞれ1つずつ入力され、データが一致するか否かを検出し、その検出結果を前記第1の複数のデータとして出力することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 第1のクロックおよび第1の複数のデータが入力され、前記第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、前記第1の複数のデータがすべて一致する場合、前記第1の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、前記第1の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのノア(NOR)型ダイナミック回路と、
第2のクロックおよび前記第1の出力ノードからの信号が入力され、前記第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、前記第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の出力ノードの電荷が保持された場合、前記第2の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのナンド(NAND)型ダイナミック回路とを備え、
前記第1のクロックと前記第2のクロックは同相であることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第2のクロックは、供給開始と停止の制御が行われることを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記第1のクロックと前記第2のクロックは同一であり、前記第1および第2のクロックの立ち上がり時間が、前記ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードの電荷放電時間よりも長いことを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記第2のクロックの立ち上がり時間は、前記第1のクロックの立ち上がり時間よりも長く、且つ前記ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードの電荷放電時間よりも長いことを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記半導体集積回路は、第2のノア型ダイナミック回路と、前記第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から前記第2のクロックを供給するインバータを備え、
前記第2のノア型ダイナミック回路は、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが接地された第3のN型MOSトランジスタと、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、
1つのゲートが電源に接続され、残りのゲートが接地され、それぞれのソースに前記第3のN型MOSトランジスタのドレインが接続され、それぞれのドレインに前記第2のP型MOSトランジスタのドレインが接続されて前記第3の出力ノードを成す第4の複数のN型MOSトランジスタとを具備したことを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。 - 前記第4の複数のN型MOSトランジスタのうちゲートが電源に接続されたN型MOSトランジスタは、物理配置上、前記インバータの入力端子から最も遠い位置にあることを特徴とする請求項13記載の半導体集積回路。
- 前記第2のクロックは、前記ナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードを充電するクロックと、前記第2の出力ノードを放電するクロックとからなり、前記充電するクロックは、前記第1のクロックと同一で、前記放電するクロックの立ち上がり時間は、前記ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードの電荷放電時間よりも長いことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記ナンド型ダイナミック回路は、前記第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、前記第2の出力ノードに電荷を充電し、前記第2のクロックの半周期期間に、前記第2の出力ノードの電荷を保持することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記半導体集積回路は、インバータが縦続接続され、最終段のインバータの出力端子が初段のインバータの入力端子および前記ナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードに接続された正帰還回路を備え、前記正帰還回路は、前記第2のクロックの1周期期間、前記第2の出力ノードの電荷を保持することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記第1のクロックと前記第2のクロックは、デューティー比が異なり、且つ電圧レベルが共に前記ノア型ダイナミック回路および前記ナンド型ダイナミック回路の動作電圧よりも低いことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記半導体集積回路は、第2のノア型ダイナミック回路と、前記第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から前記第2のクロックを供給するインバータを備え、
前記第2のノア型ダイナミック回路は、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、
電源電位と接地電位が入力され、前記ノア型ダイナミック回路の前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、前記接地電位を選択出力し、その後、前記電源電位を選択出力するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第3のP型MOSトランジスタと、
ゲートおよびソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第4のN型MOSトランジスタとを具備したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記ノア型ダイナミック回路は、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、
接地電位と前記第1の複数のデータが入力され、前記ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、前記複数のデータを選択出力するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが前記第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて前記第1の出力ノードを成す複数のN型MOSトランジスタとを具備したことを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。 - 前記半導体集積回路は、一致検出回路を備え、前記一致検出回路は、第2の複数のデータおよび第3の複数のデータがそれぞれ1つずつ入力され、データが一致するか否かを検出し、その検出結果を前記第1の複数のデータとして出力することを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記第2のクロックは、前記ナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードを充電するクロックと、前記第2の出力ノードを放電するクロックとからなり、前記充電するクロックは、前記第1のクロックと同一で、前記放電するクロックの立ち上がり時間は、前記ノア型ダイナミック回路の第1の出力ノードの電荷放電時間よりも長いことを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記ナンド型ダイナミック回路は、前記第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、前記第2の出力ノードに電荷を充電し、前記第2のクロックの半周期期間に、前記第2の出力ノードの電荷を保持することを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記半導体集積回路は、インバータが縦続接続され、最終段のインバータの出力端子が初段のインバータの入力端子および前記ナンド型ダイナミック回路の第2の出力ノードに接続された正帰還回路を備え、前記正帰還回路は、前記第2のクロックの1周期期間、前記第2の出力ノードの電荷を保持することを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記第1のクロックと前記第2のクロックは、デューティー比が異なり、且つ電圧レベルが共に前記ノア型ダイナミック回路および前記ナンド型ダイナミック回路の動作電圧よりも低いことを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記半導体集積回路は、第2のノア型ダイナミック回路と、前記第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から前記第2のクロックを供給するインバータを備え、
前記第2のノア型ダイナミック回路は、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、
電源電位と接地電位が入力され、前記ノア型ダイナミック回路の前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、前記接地電位を選択出力し、その後、前記電源電位を選択出力するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第3のP型MOSトランジスタと、
ゲートおよびソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第4のN型MOSトランジスタとを具備したことを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。 - 第1のクロックおよび第1の複数のデータが入力され、前記第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、前記第1の複数のデータがすべて一致する場合、前記第1の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、前記第1の出力ノードの電荷を放電するために、前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、接地電位と前記第1の複数のデータが入力され、前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、前記複数のデータを選択出力する第1のスイッチ回路と、前記第1のスイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが前記第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて前記第1の出力ノードを成す複数の第1のN型MOSトランジスタとを有する少なくとも1つの第1のノア(NOR)型ダイナミック回路と、
第2のクロックおよび前記第1の出力ノードからの信号が入力され、前記第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、前記第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の出力ノードの電荷が保持された場合、前記第2の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのナンド(NAND)型ダイナミック回路と、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、電源電位と接地電位が入力され、前記第1のノア型ダイナミック回路の前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、前記接地電位を選択出力し、その後、前記電源電位を選択出力する第2のスイッチ回路と、前記第2のスイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第2のN型MOSトランジスタと、ゲートおよびソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第3のN型MOSトランジスタとを有する少なくとも1つの第2のノア(NOR)型ダイナミック回路と、
前記第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から前記第2のクロックを供給するインバータとを備え、
前記第1のノア型ダイナミック回路を構成する前記複数の第1のN型MOSトランジスタと、前記第2のノア型ダイナミック回路を構成する前記第2のN型MOSトランジスタおよび前記複数の第3のN型MOSトランジスタとは、1つの回路ブロックとして半導体基板に形成されるとともに、前記複数の第1のN型MOSトランジスタと、前記第2のN型MOSトランジスタおよび前記複数の第3のN型MOSトランジスタとは、隣接する他の回路ブロックに対して横方向に、それらのソースおよびドレインを構成する拡散領域と、それらのゲート電極とが順に形成され、
前記1つの回路ブロックにおいて、前記複数の第1のN型MOSトランジスタと、前記第2のN型MOSトランジスタおよび前記複数の第3のN型MOSトランジスタのうち、いずれか一方のドレインを構成する拡散領域が外側に形成されることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記隣接する他の回路ブロックとの間に形成される浅いトレンチ分離領域によって拡散領域の特性が劣化する場合、前記第2のN型MOSトランジスタおよび前記複数の第3のN型MOSトランジスタのドレインを構成する拡散領域が外側に形成されることを特徴とする請求項27記載の半導体集積回路。
- 前記隣接する他の回路ブロックとの間に形成される浅いトレンチ分離領域によって拡散領域の特性が良化する場合、前記複数の第1のN型MOSトランジスタのドレインを構成する拡散領域が外側に形成されることを特徴とする請求項27記載の半導体集積回路。
- 前記複数の第1のN型MOSトランジスタ、または前記第2のN型MOSトランジスタおよび前記複数の第3のN型MOSトランジスタのドレインを構成する拡散領域の外側に、さらにソースを構成する拡散領域が形成されることを特徴とする請求項27記載の半導体集積回路。
- 第1のクロックおよび第1の複数のデータが入力され、前記第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、前記第1の複数のデータがすべて一致する場合、前記第1の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、前記第1の出力ノードの電荷を放電するために、前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、接地電位と前記第1の複数のデータが入力され、前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、前記複数のデータを選択出力する第1のスイッチ回路と、前記第1のスイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが前記第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて前記第1の出力ノードを成す複数の第1のN型MOSトランジスタとを有する複数の第1のノア(NOR)型ダイナミック回路と、
第2のクロックおよび前記第1の出力ノードからの信号が入力され、前記第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、前記第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の出力ノードの電荷が保持された場合、前記第2の出力ノードの電荷を放電する複数のナンド(NAND)型ダイナミック回路と、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、電源電位と接地電位が入力され、前記第1のノア型ダイナミック回路の前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、前記接地電位を選択出力し、その後、前記電源電位を選択出力する第2のスイッチ回路と、前記第2のスイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第2のN型MOSトランジスタと、ゲートおよびソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第3のN型MOSトランジスタとを有する複数の第2のノア(NOR)型ダイナミック回路と、
前記第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から前記第2のクロックを供給するインバータとを備え、
前記第1のノア型ダイナミック回路を構成する前記複数の第1のN型MOSトランジスタが構成される第1の回路ブロックと、前記第2のノア型ダイナミック回路を構成する前記第2のN型MOSトランジスタおよび前記複数の第3のN型MOSトランジスタが構成される第2の回路ブロックとが、それぞれ、隣接する他の回路ブロックに対して、それらのソースおよびドレインを構成する拡散領域と、それらのゲート電極とが縦方向に順に形成され、且つ前記第1の回路ブロックと前記第2の回路ブロックとが横方向に交互に等間隔で半導体基板に形成され、
前記隣接する他の回路ブロックとの距離に応じて、前記第1の回路ブロックと前記第2の回路ブロックとの配置を異ならせたことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記隣接する他の回路ブロックとの間に形成される浅いトレンチ分離領域によって前記第1または第2の回路ブロックにおける拡散領域の特性が劣化する場合、前記第1および第2の回路ブロックのうち前記隣接する他の回路ブロックとの距離が短い方に前記第2の回路ブロックを配置することを特徴とする請求項31記載の半導体集積回路。
- 前記隣接する他の回路ブロックとの間に形成される浅いトレンチ分離領域によって前記第1または第2の回路ブロックにおける拡散領域の特性が良化する場合、前記第1および第2の回路ブロックのうち前記隣接する他の回路ブロックとの距離が長い方に前記第2の回路ブロックを配置することを特徴とする請求項31記載の半導体集積回路。
- 前記第1および第2の回路ブロックにおける縦方向で外側のドレインを構成する拡散領域の外側に、さらにソースを構成する拡散領域が形成されることを特徴とする請求項31記載の半導体集積回路。
- 第1のクロックおよび第1の複数のデータが入力され、前記第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、前記第1の複数のデータがすべて一致する場合、前記第1の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、前記第1の出力ノードの電荷を放電するために、前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、接地電位と前記第1の複数のデータが入力され、前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、前記複数のデータを選択出力する第1のスイッチ回路と、前記第1のスイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが前記第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて前記第1の出力ノードを成す複数の第1のN型MOSトランジスタとを有する複数の第1のノア(NOR)型ダイナミック回路と、
第2のクロックおよび前記第1の出力ノードからの信号が入力され、前記第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、前記第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の出力ノードの電荷が保持された場合、前記第2の出力ノードの電荷を放電する複数のナンド(NAND)型ダイナミック回路と、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、電源電位と接地電位が入力され、前記第1のノア型ダイナミック回路の前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、前記接地電位を選択出力し、その後、前記電源電位を選択出力する第2のスイッチ回路と、前記第2のスイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第2のN型MOSトランジスタと、ゲートおよびソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第3のN型MOSトランジスタとを有する複数の第2のノア(NOR)型ダイナミック回路と、
前記第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から前記第2のクロックを供給するインバータとを備え、
前記複数の第1のノア型ダイナミック回路のうち、隣接する他の回路ブロックに対して縦方向で隣接する2つの第1のノア型ダイナミック回路のそれぞれを構成する前記複数の第1のN型MOSトランジスタは、前記複数の第2のノア型ダイナミック回路のうち1つの第2のノア型ダイナミック回路を構成する前記第2のN型MOSトランジスタおよび前記複数の第3のN型MOSトランジスタを兼用して、1つの回路ブロックとして半導体基板に形成されるとともに、前記複数の第1のN型MOSトランジスタと、前記第2のN型MOSトランジスタおよび前記複数の第3のN型MOSトランジスタとは、隣接する他の回路ブロックに対して縦方向に、それらのソースおよびドレインを構成する拡散領域と、それらのゲート電極とが順に形成されることを特徴とする半導体集積回路。 - 第1のクロックおよび第1の複数のデータが入力され、前記第1のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第1のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、電荷が第1の出力ノードに充電され、他方の期間において、前記第1の複数のデータがすべて一致する場合、前記第1の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の複数のデータのうち少なくとも1つが不一致の場合、前記第1の出力ノードの電荷を放電するために、前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第1のP型MOSトランジスタと、接地電位と前記第1の複数のデータが入力され、前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、接地電位を選択出力し、その後、前記複数のデータを選択出力する第1のスイッチ回路と、前記第1のスイッチ回路の出力信号がそれぞれゲートに供給され、それぞれのソースが接地され、それぞれのドレインが前記第1のP型MOSトランジスタのドレインに接続されて前記第1の出力ノードを成す複数の第1のN型MOSトランジスタとを有する少なくとも1つの第1のノア(NOR)型ダイナミック回路と、
第2のクロックおよび前記第1の出力ノードからの信号が入力され、前記第2のクロックの立ち上がりから立ち下がりまでの期間、または前記第2のクロックの立ち下がりから立ち上がりまでの期間のいずれか一方の期間で、前記第1の出力ノードの電荷が放電された場合、第2の出力ノードの電荷を保持し、前記第1の出力ノードの電荷が保持された場合、前記第2の出力ノードの電荷を放電する少なくとも1つのナンド(NAND)型ダイナミック回路と、
前記第1のクロックがゲートに供給され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトランジスタと、電源電位と接地電位が入力され、前記第1のノア型ダイナミック回路の前記第1の出力ノードに電荷が充電される間、前記接地電位を選択出力し、その後、前記電源電位を選択出力する第2のスイッチ回路と、前記第2のスイッチ回路の出力信号がゲートに供給され、ソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された第2のN型MOSトランジスタと、ゲートおよびソースが接地され、ドレインが前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続された複数の第3のN型MOSトランジスタとを有する少なくとも1つの第2のノア(NOR)型ダイナミック回路と、
前記第2のノア型ダイナミック回路の第3の出力ノードが入力端子に接続され、出力端子から前記第2のクロックを供給する第1のインバータと、
前記第1の出力ノードが電荷を保持している状態で、前記第2の出力ノードが電荷を放電した時に生ずる、前記第1の出力ノードと前記第2の出力ノードとの間に形成されるカップリング容量による前記第1の出力ノードの電圧低下を補償する補償回路とを備え、
前記補償回路は、
ゲートが前記第2の出力ノードに接続され、ソースが電源に接続された第3のP型MOSトランジスタと、
ソースが前記第3のP型MOSトランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第1の出力ノードに接続された第4のP型MOSトランジスタと、
入力端子が前記第4のP型MOSトランジスタのドレインに接続され、出力端子が前記第4のP型MOSトランジスタのゲートに接続された第2のインバータとを具備したことを特徴とする半導体集積回路。
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