JP3645227B2 - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents
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Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に係り、特に研磨装置および研磨方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4は、従来の研磨装置を説明するための断面図である。
図4において、参照符号2はキャリアヘッド、3はキャリアヘッド2に固定された金属板、4は金属板3上に配置されたバッキングフィルム、5は基板としてのウェハ、7はキャリアヘッド2に固定されたリテーナーリングを示している。図4に示すように、ウェハ5の外周を囲むようにリテーナーリング7が配置されている。このリテーナーリング7は、研磨中にウェハ5の飛び出し(スリップアウト)を防止するとともに、図示しない研磨パッドとウェハ5外周部との接触位置、すなわち研磨パッドの跳ね返り位置を調節するためのものである。
【0003】
リテーナーリング7は、ウェハ5が研磨されるとともに、徐々に削れていく。具体的には、図5に示すように、リテーナーリング7の厚みは、交換直後(初期)の厚みAから、ウェハ5の研磨を続けていくうちに厚みBにまで減少する。リテーナーリング7が厚みBになると、リテーナーリング7の表面7aからウェハ5の表面5aまでの距離C(以下、「ウェハ飛び出し量」という。)が大きくなってしまう。このため、研磨中にウェハ5がスリップアウトしやすくなってしまう。そこで、リテーナーリング7を周期的に交換する必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、リテーナーリング7は、値段が高額であるにも関わらず、一般的にライフタイムが短い。このため、半導体装置の製造コストが高くなってしまうという問題があった。また、リテーナーリング7の交換は、キャリアヘッド2の分解作業を伴うため、研磨装置のダウンタイムが長くなり、稼働率が低くなってしまう問題があった。
【0005】
ところで、リテーナーリング7が新しい場合には、リテーナーリング7は全体的にほぼ均一に削れていくが(図6(a)参照)、ランニング枚数が増加すると、リテーナーリング7の内側と外側での削れ量が異なる、いわゆる片削れが発生してしまう(図6(b)参照)。
図6(b)に示すようにリテーナーリング7の片削れが発生してしまうと、上述した研磨パッドの跳ね返り位置が変わってしまう。このため、ウェハ5の外周部(エッジ部)の研磨プロファイルが不安定になり、面内均一性が悪化してしまう。従って、プロセスの安定性を阻害してしまう問題があった。
【0006】
研磨レートの面内均一性が悪化した場合、その要因の1つとして、上述したリテーナーリング7の不良(片削れ)が考えられる。
しかしながら、リテーナーリング7の良否は、リテーナーリング7をキャリアヘッド2から取り外さなければ判断することができない。上述したように、リテーナーリング7の取り外しはキャリアヘッド2の分解を伴い、長時間を要する。また、取り外したリテーナーリング7が良品であっても、そのリテーナーリング7を再度取り付けた場合、取り付け位置が変わり、研磨レートの面内均一性が大きく変わってしまう場合がある。このため、キャリアヘッド2の取り外しを簡単に行うことができない。従って、面内均一性の悪化の要因が、リテーナーリング7であるか否かの判断をウェハ研磨前に容易に行うことができないという問題があった。また、研磨中のリテーナーリング7の厚みや、ウェハ飛び出し量を、ウェハ研磨前に知ることができなかった。
【0007】
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたもので、基板を研磨する前に、リテーナーリングの不具合を検知することを目的とする。
【0008】
【課題を解決する為の手段】
本発明に係る研磨装置は、基板の外周を囲むように配置されたリテーナーリングと、
前記リテーナーリングを保持するとともに、前記リテーナーリングの内側に前記基板を保持する保持機構と、
前記保持機構により保持された前記基板の表面を研磨するための研磨機構と、
前記リテーナーリングの内縁付近の表面位置と外縁付近の表面位置とを測定するセンサと、
前記保持機構により前記リテーナーリングのみを保持した状態で前記リテーナーリングを研磨するリテーナーリング研磨部と、
前記リテーナーリング研磨部により研磨された前記リテーナーリングを洗浄し、前記リテーナーリングの研磨屑を除去する洗浄部とを備えたことを特徴とするものである。
【0009】
本発明に係る研磨装置において、
前記センサは、前記基板の表面位置を更に測定することが好適である。
【0010】
本発明に係る研磨装置において、
前記リテーナーリングを厚み方向に移動させる移動機構と、
前記リテーナーリングの表面位置が所定の位置になるように、前記移動機構を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするものである。
【0014】
本発明に係る研磨装置において、
前記洗浄部は、前記リテーナーリングの内側面と表面を洗浄する第1洗浄部と、前記リテーナーリングの外側面と表面を洗浄する第2洗浄部と、を備えることが好適である。
【0016】
本発明に係る研磨方法は、研磨装置において基板を研磨する研磨方法であって、
前記基板の外周を囲むように保持機構により保持されたリテーナーリングの内縁付近の表面位置および外縁付近の表面位置を測定する測定工程と、
前記内縁付近の表面位置と前記外縁付近の表面位置との差が所定の範囲を超えた場合に、前記基板を前記保持機構から脱離させる工程と、
前記基板を脱離させた後、前記保持機構により前記リテーナーリングのみを保持した状態で前記リテーナーリングの表面を研磨する工程と、
前記リテーナーリングの表面を研磨する工程が終了した後、前記リテーナーリングを洗浄し、前記リテーナーリングの研磨屑を除去する工程と、
前記リテーナーリングを洗浄した後、前記保持機構により前記基板を保持する工程と、
前記基板を保持した後、前記基板を研磨する工程と、
を含むことを特徴とするものである。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一または相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。
【0018】
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1による研磨装置を説明するための概念図である。図2は、本実施の形態1において、ロード/アンロード部を説明するための概念図である。
図1および図2において、参照符号1はプラテン(定盤)、2はウェハを保持する保持機構としてのキャリアヘッド、3はキャリアヘッド2に固定された金属板、4は金属板3の一面上に配置されたバッキングフィルム、5はバッキングフィルム4を介してキャリアヘッド2に吸着保持された被加工基板としてのウェハ、6はリテーナーリングを厚み方向に移動させる移動機構、7はウェハ5の外周を囲むように配置され、ウェハ5の飛び出しを防止するリテーナーリング、8は制御部30からの制御信号によってキャリアヘッド2を移動させるアームを示している。また、参照符号10はウェハ5のロード及びアンロードを行うためのロード/アンロード部、11はセンサ、20はリテーナーリング研磨・洗浄部、21はリテーナーリング7を研磨する研磨盤、22は第1洗浄部、23は第2洗浄部、30は制御部を示している。また、図示しないが、プラテン1上には、研磨機構の一部としての研磨パッド(研磨布)が配置されている。
【0019】
センサ11は、図2に示すように、リテーナーリング7の表面7aの位置を測定するセンサ11a,11bと、ウェハ5の表面5aの位置を測定するセンサ11cと、キャリアヘッド2の外周付近の表面位置を測定するセンサ11dと、を有する。ここで、センサ11aは、リテーナーリング7の内縁付近の表面位置を測定する。また、センサ11bは、リテーナーリング7の外縁付近の表面位置を測定する。このセンサ11a〜11dは、例えば、発光ダイオードタイプやレーザタイプのものを用いることができる。また、センサ11は制御部30に接続されており、測定結果を制御部30に送信する。
【0020】
図3は、本実施の形態1において、リテーナーリング研磨・洗浄部を説明するための概念図である。詳細には、図3(a)は、リテーナーリング研磨中のリテーナーリング研磨・洗浄部を示しており、図3(b)は、リテーナーリング洗浄中のリテーナーリング研磨・洗浄部を示している。
図3(a),(b)において、参照符号21は、片削りが発生したリテーナーリング7を研磨するための研磨盤を示し、22はリテーナーリング7を内縁から洗浄するための第1洗浄部を示し、23はリテーナーリング7を外縁から洗浄するための第2洗浄部を示している。
図3(a)に示すように、リテーナーリング7を研磨する際、研磨盤21の底面から供給された研磨液が、研磨盤21の表面から出る。また、研磨盤21は回転機構を有している。
【0021】
次に、上記研磨装置の動作、すなわち研磨方法について説明する。
先ず、ロード/アンロード部10において、キャリアヘッド2によってウェハ5を吸着保持する。
次に、ロード/アンロード部10において、図2に示すように、センサ11aによりリテーナーリング7の内縁付近の表面位置を測定し、センサ11bによりリテーナーリング7の外縁付近の表面位置を測定し、センサ11cによりウェハ5の表面位置を測定する。
なお、このセンサ11a,11b,11cによる位置測定時又は測定前に、研磨されないキャリアヘッド2の表面位置をセンサ11dにより測定する。これにより、センサ11dの位置を確認できるとともに、センサ11a,11b,11cの位置確認並びに位置調整をすることが可能である。
また、センサ11a〜11dは、測定結果を制御部30に送信する。
【0022】
次に、制御部30は、センサ11a,11bから受信した測定結果を基に、以下のような制御を行う。
リテーナーリング7の表面7aの位置が所定の値よりも高い場合、すなわちリテーナーリング7が所定の厚みよりも薄くなった場合には、移動機構6によりリテーナーリング7を厚み方向に移動させる。詳細には、移動機構6としてのゴムチューブにエアーを供給して、リテーナーリング7の表面7a位置を下方に移動させる。これにより、リテーナーリング7の表面位置が一定に保たれる。
【0023】
また、センサ11aにより測定されたリテーナーリング7の内縁付近の表面位置と、センサ11bにより測定されたリテーナーリング7の外縁付近の表面位置との差が所定の範囲を超えた場合、すなわちリテーナーリング7の片削れが発生した場合には、制御部30は、アーム8によりキャリアヘッド2をロード/アンロード部10に移動させ、ウェハ5をリリースする。そして、制御部30はアーム8によりキャリアヘッド2をリテーナーリング研磨・洗浄部20に移動させ、図3(a)に示すように、リテーナーリング7を研磨盤21により研磨する。この時、リテーナーリング7の研磨量(研磨時間)は、センサ11の測定結果に基づいて制御部30により計算される。また、リテーナーリング7の研磨中には、研磨盤21の表面には裏面から供給された研磨液が供給される。
次に、リテーナーリング7の研磨が終了した後、図3(b)に示すように、研磨されたリテーナーリング7を洗浄部22,23により洗浄する。詳細には、第1洗浄部22によりリテーナーリング7を内縁方向から洗浄し、第2洗浄部23によりリテーナーリング7を外縁方向から洗浄する。
【0024】
次に、制御部30はアーム8によりキャリアヘッド2をロード/アンロード部10に移動させ、センサ11a,11bにより再度リテーナーリング7の内縁付近および外縁付近の表面位置を測定する。そして、この測定された表面位置の差が所定範囲内である場合、移動機構6によりリテーナーリング7を研磨した分だけ厚み方向に移動させる。そして、再びウェハ5を吸着保持する。なお、片削れがまだ残存する場合には、再度研磨盤21によりリテーナーリング7を研磨し、洗浄部22,23によりリテーナーリング7の洗浄を行う。
【0025】
次に、制御部30は、アーム8によりキャリアヘッド2をプラテン1上に移動させ、公知の方法を用いて、ウェハ5を研磨する。
そして、ウェハ5を研磨した後、アーム8によりキャリアヘッド2をロード/アンロード部10に移動させ、ウェハ5をリリースして、ウェハ5の研磨処理を終了する。
【0026】
以上説明したように、本実施の形態1では、センサ11a,11bによりリテーナーリング7の表面位置を測定することにより、リテーナーリング7の磨耗量をウェハ研磨前に知ることができる。よって、リテーナーリング7の厚みをモニタすることができ、ウェハ5の飛び出しを未然に防止することができる。
さらに、センサ11cによりウェハ5の表面位置を測定することにより、ウェハ5の飛び出し量をウェハ研磨前に知ることができる。よって、ウェハ5の飛び出しをより確実に防止することができる。従って、研磨装置の信頼性を向上させることができる。
また、研磨されないキャリアヘッド2の表面位置をセンサ11dにより更に測定することにより、センサ11a〜11cの位置を予め確認することができる。
また、リテーナーリング7の表面位置を移動させる移動機構6を設けることにより、厚みが薄くなったリテーナーリング7を使用することができ、リテーナーリング7のライフタイムを長くすることができる。また、リテーナーリング7の表面位置を一定に保つことができ、研磨レートの面内均一性を安定させることができる。
【0027】
また、本実施の形態1では、リテーナーリング7の片削れをセンサ11a,11bにより測定することとした。これにより、リテーナーリング7の不具合(片削れ)を、リテーナーリング7の取り外しをすることなく、ウェハ研磨前に知ることができる。従って、リテーナーリング7の片削れによる研磨レートの面内均一性の悪化を未然に防ぐことができる。
また、リテーナーリング7に片削れが発生した場合にも、リテーナーリング7を研磨盤21により研磨して、その表面7aを平坦化し、引き続き使用することができる。このため、リテーナーリング7のライフタイムを長くすることができ、半導体装置の製造コストを抑えることができる。
また、リテーナーリング7に付着した研磨屑を、2つの洗浄部22,23により精度良く洗浄することができる。
【0028】
なお、本実施の形態1では、移動機構6としてゴムチューブを用いているが、これに限らず、エアシリンダや油圧シリンダを用いてもよい。
【0029】
また、本実施の形態1では、リテーナーリング7の表面位置を2個のセンサ11a,11bを用いて測定しているが、径方向の少なくとも異なる2点を測定する測定機構であればよい。
【0030】
【発明の効果】
本発明によれば、ウェハを研磨する前に、リテーナーリングの不具合を検知することができる。また、基板の飛び出し量を制御することができ、研磨装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1による研磨装置を説明するための概念図である。
【図2】 本実施の形態1において、ロード/アンロード部を説明するための概念図である。
【図3】 本実施の形態1において、リテーナーリング研磨・洗浄部を説明するための概念図である。
【図4】 従来の研磨装置を説明するための断面図である。
【図5】 従来の研磨装置において、リテーナーリングの厚みの変化を示す図である。
【図6】 リテーナーリングの片削れが起こった場合を示す図である。
【符号の説明】
1 プラテン(定盤)
2 キャリアヘッド
3 金属板
4 バッキングフィルム
5 基板(ウェハ)
5a 表面
6 移動機構(ゴムチューブ)
7 リテーナーリング
7a 表面
8 アーム
10 ロード/アンロード部
11,11a,11b,11c,11d センサ
20 リテーナーリング研磨・洗浄部
21 研磨盤
22 第1洗浄部
23 第2洗浄部
30 制御部
Claims (5)
- 基板の外周を囲むように配置されたリテーナーリングと、
前記リテーナーリングを保持するとともに、前記リテーナーリングの内側に前記基板を保持する保持機構と、
前記保持機構により保持された前記基板の表面を研磨するための研磨機構と、
前記リテーナーリングの内縁付近の表面位置と外縁付近の表面位置とを測定するセンサと、
前記保持機構により前記リテーナーリングのみを保持した状態で前記リテーナーリングを研磨するリテーナーリング研磨部と、
前記リテーナーリング研磨部により研磨された前記リテーナーリングを洗浄し、前記リテーナーリングの研磨屑を除去する洗浄部とを備えたことを特徴とする研磨装置。 - 請求項1に記載の研磨装置において、
前記センサは、前記基板の表面位置を更に測定することを特徴とする研磨装置。 - 請求項1又は2に記載の研磨装置において、
前記リテーナーリングを厚み方向に移動させる移動機構と、
前記リテーナーリングの表面位置が所定の位置になるように、前記移動機構を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする研磨装置。 - 請求項1に記載の研磨装置において、
前記洗浄部は、前記リテーナーリングの内側面と表面を洗浄する第1洗浄部と、前記リテーナーリングの外側面と表面を洗浄する第2洗浄部と、を備えたことを特徴とする研磨装置。 - 研磨装置において基板を研磨する研磨方法であって、
前記基板の外周を囲むように保持機構により保持されたリテーナーリングの内縁付近の表面位置および外縁付近の表面位置を測定する測定工程と、
前記内縁付近の表面位置と前記外縁付近の表面位置との差が所定の範囲を超えた場合に、前記基板を前記保持機構から脱離させる工程と、
前記基板を脱離させた後、前記保持機構により前記リテーナーリングのみを保持した状態で前記リテーナーリングの表面を研磨する工程と、
前記リテーナーリングの表面を研磨する工程が終了した後、前記リテーナーリングを洗浄し、前記リテーナーリングの研磨屑を除去する工程と、
前記リテーナーリングを洗浄した後、前記保持機構により前記基板を保持する工程と、
前記基板を保持した後、前記基板を研磨する工程と、
を含むことを特徴とする研磨方法。
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